JP5055448B2 - ディレイロックループのディレイロック状態の情報の使用が可能な半導体素子 - Google Patents
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Description
200 …位相状態記憶部
300 …ディレイロック状態検出部
Claims (10)
- 外部クロックと内部遅延クロックの位相関係を表すコース遅延制御用の位相比較信号に応じてコース遅延調整を行うコース遅延ライン及びコース遅延調整の終了後に外部クロックと内部遅延クロックの位相関係を表すファイン遅延制御用の位相比較信号に応じてファイン遅延調整を行うファイン遅延ラインを有する階層的遅延ライン構造のディレイロックループブロックと、
前記ディレイロックループブロックから出力される前記コース遅延制御用の位相比較信号及びコース遅延調整終了信号に応答して、コース遅延調整終了時点での比較対象クロックの位相状態を記憶するための位相状態記憶手段と、
前記ディレイロックループブロックから出力される前記コース遅延制御用の位相比較信号、前記ファイン遅延制御用の位相比較信号、前記コース遅延調整終了信号及び前記位相状態の記憶手段から出力される位相状態信号に応答して、ファイン遅延調整によって前記ファイン遅延制御用の位相比較信号の遷移時点を検出し、その時点にアサートされるディレイロック信号を生成するためのディレイロック状態検出手段と
を備えてなり、
前記ディレイロック状態検出手段は、
ファイン遅延調整過程で前記ファイン遅延制御用の位相比較信号が論理レベルハイからローに遷移される時点を検出するための第1遷移検出部と、
ファイン遅延調整過程で前記ファイン遅延制御用の位相比較信号が論理レベルローからハイに遷移される時点を検出するための第2遷移検出部と、
前記第1遷移検出部及び第2遷移検出部の共通出力ノードに接続されて、前記ディレイロック信号を出力する出力部とを含んでなる
ことを特徴とする半導体素子。 - 請求項1に記載の半導体素子において、
前記位相状態記憶手段は、
前記コース遅延調整終了信号に応答して、前記コース遅延制御用の位相比較信号をスイッチングするためのスイッチング部と、
前記スイッチング部の出力信号をラッチするためのラッチ部とを含んでなる
ことを特徴とする半導体素子。 - 請求項1に記載の半導体素子において、
前記出力部は、
前記第1遷移検出部及び第2遷移検出部の共通出力ノードに係る信号をラッチするラッチ部と、
リセット信号に応答して、前記共通出力ノードを初期化するリセット部とを含んでなる
ことを特徴とする半導体素子。 - 請求項3に記載の半導体素子において、
前記第1遷移検出部及び第2遷移検出部は、それぞれ、
前記コース遅延調整終了信号及び前記位相状態信号により制御される第1スイッチング素子と、
現在の前記ファイン遅延制御用の位相比較信号により制御される第2スイッチング素子と、
ラッチされる以前の前記コース遅延制御用の位相比較信号により制御される第3スイッチング素子とを含んでなり、
前記第1スイッチング素子、第2スイッチング素子及び第3スイッチング素子は、前記第1遷移検出部及び第2遷移検出部の共通出力ノードと接地電圧端との間に直列に接続されている
ことを特徴とする半導体素子。 - 請求項3に記載の半導体素子において、
前記第1遷移検出部は、
前記位相状態信号を入力とする第1インバータと、
前記インバータの出力信号及び前記コース遅延調整終了信号を入力とする第1NANDゲートと、
前記第1NANDゲートの出力信号を入力とする第2インバータと、
前記ファイン遅延制御用の位相比較信号を入力とする第3インバータと、
前記ディレイロックループブロックの比較動作周期ごとに前記コース遅延制御用の位相比較信号をラッチするためのフリップフロップと、
前記共通出力ノードと接地電圧端との間に直列に接続され、それぞれ、前記第2インバータの出力信号、前記第3インバータの出力信号、前記フリップフロップの出力信号をゲート入力とする第1NMOSトランジスタ、第2NMOSトランジスタ及び第3NMOSトランジスタとを含んでなる
ことを特徴とする半導体素子。 - 請求項5に記載の半導体素子において、
前記第2遷移検出部は、
前記位相状態信号及び前記コース遅延調整終了信号を入力とする第2NANDゲートと、
前記第2NANDゲートの出力信号を入力とする第4インバータと、
前記フリップフロップの出力信号を入力とする第5インバータと、
前記共通出力ノードと前記接地電圧端との間に直列に接続され、それぞれ、前記第4インバータの出力信号、前記ファイン遅延制御用の位相比較信号、前記第5インバータの出力信号をゲート入力とする第4NMOSトランジスタ、第5NMOSトランジスタ及び第6NMOSトランジスタとを含んでなる
ことを特徴とする半導体素子。 - 請求項2に記載の半導体素子において、
前記位相状態記憶手段の前記スイッチング部は、
前記コース遅延制御用の位相比較信号を入力とする第1インバータと、
前記コース遅延調整終了信号を入力とする第2インバータと、
前記コース遅延調整終了信号及び前記第2インバータの出力信号により制御されて、前記第1インバータの出力信号を選択的に前記ラッチ部に伝達するトランスファゲートとを含んでなる
ことを特徴とする半導体素子。 - 請求項7に記載の半導体素子において、
前記位相状態記憶手段の前記ラッチ部は、
前記スイッチング部の出力信号を入力とするインバータラッチと、
前記インバータラッチの出力信号を入力として前記位相状態信号を出力する第3インバータとを含んでなる
ことを特徴とする半導体素子。 - 請求項3に記載の半導体素子において、
前記出力部の前記ラッチ部は、
前記第1遷移検出部及び第2遷移検出部の共通出力ノードに接続されたインバータラッチを含んでなる
ことを特徴とする半導体素子。 - 請求項3に記載の半導体素子において、
前記出力部の前記リセット部は、
前記リセット信号をゲート入力とし、電源電圧端と前記第1遷移検出部及び第2遷移検出部の共通出力ノードとの間に接続されたPMOSトランジスタを含んでなる
ことを特徴とする半導体素子。
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