JP4982307B2 - インバータ - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 61
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 32
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 9
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 6
- -1 polyethylene diethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
- H10K19/201—Integrated devices having a three-dimensional layout, e.g. 3D ICs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
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- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
- H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Description
22、22' ドライバトランジスタゲート電極
30、30' 第1の絶縁体層
42、42' ドライバトランジスタソース電極
44、44' 単一層
46、46' 負荷トランジスタドレイン電極
50、50' 第2の絶縁体層
62、62' 負荷トランジスタトップゲート電極
72、72'、74、74' 有機半導体層
Claims (15)
- ボトムゲートトランジスタ構造を有するドライバトランジスタと、
トップゲートトランジスタ構造を有する負荷トランジスタと
を備え、
前記ドライバトランジスタ及び前記負荷トランジスタは、有機半導体トランジスタであり、
前記ドライバトランジスタのドレイン電極と前記負荷トランジスタのソース電極とが同じ層で具現されていることを特徴とするインバータ。 - 前記ドライバトランジスタのドレイン電極層と前記負荷トランジスタのゲート電極層とが導電的に直接連結されていることを特徴とする請求項1に記載のインバータ。
- 前記ドライバトランジスタは、ソースが接地電圧に連結され、ゲートに入力信号が印加され、ドレインが前記負荷トランジスタのソースに連結され、
前記負荷トランジスタは、ゲートとソースとが連結され、ドレインには、電源電圧段が連結されていることを特徴とする請求項1に記載のインバータ。 - 前記ドライバトランジスタ及び前記負荷トランジスタのW/Lが同一であることを特徴とする請求項1に記載のインバータ。
- 前記負荷トランジスタは、ボトムゲート及びトップゲートによる二重チャンネル構造を有することを特徴とする請求項1に記載のインバータ。
- 前記ドライバトランジスタのドレイン電極層と前記負荷トランジスタのボトムゲート電極層とが導電的に直接連結され、
前記ドライバトランジスタのドレイン電極層と前記負荷トランジスタのトップゲート電極層とが導電的に直接連結されていることを特徴とする請求項5に記載のインバータ。 - 前記ドライバトランジスタのドレイン電極層と、前記負荷トランジスタのボトムゲート電極層及びトップゲート電極層とは、コンタクトホールを介して導電的に連結されていることを特徴とする請求項4に記載のインバータ。
- 前記負荷トランジスタのトップゲート電極は、Ti、Cu、Cr、Al、Au、Mo、Wのうち少なくとも1つ以上の金属物質、ITO(酸化インジウムスズ) 、IZO(酸化インジウム亜鉛)またはPEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)で形成されていることを特徴とする請求項1に記載のインバータ。
- 前記ドライバトランジスタ及び前記負荷トランジスタのソース及びドレイン電極は、Au、Pt、Ni、Pdのうち少なくとも1つ以上の金属物質、ITO(酸化インジウムスズ)、IZO(酸化インジウム亜鉛)またはPEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)で形成されていることを特徴とする請求項1に記載のインバータ。
- 前記ドライバトランジスタのボトムゲートの上部に形成される絶縁体層は、OTS(オクタデシルトリクロロシラン)、HMDS(ヘキサメチルジシラザン)などの疎水性表面処理が施されており、
前記負荷トランジスタのトップゲートの下部に形成される絶縁体層は、表面処理が施されていないことを特徴とする請求項1に記載のインバータ。 - 基板上に形成されたドライバトランジスタゲート電極と、
前記ドライバトランジスタゲート電極を覆う第1の絶縁体層と、
前記第1の絶縁体層上に形成された、ドライバトランジスタソース電極、ドライバトランジスタドレイン電極および負荷トランジスタソース電極を形成する単一層、および負荷トランジスタドレイン電極と、
前記ドライバトランジスタソース電極と前記ドライバトランジスタドレイン電極との間および前記負荷トランジスタソース電極と前記負荷トランジスタドレイン電極との間に露出された前記第1の絶縁層上に形成された有機半導体層と、
前記ドライバトランジスタソース電極および前記ドライバトランジスタドレイン電極、前記負荷トランジスタソース電極および前記負荷トランジスタドレイン電極、ならびに前記有機半導体層を覆う第2の絶縁体層と、
前記第2の絶縁体上に形成された負荷トランジスタトップゲート電極と
を備えることを特徴とするインバータ。 - 前記第2の絶縁体層には、前記負荷トランジスタトップゲート電極と前記単一層とを導電的に連結させるためのコンタクトホールが形成されていることを特徴とする請求項11に記載のインバータ。
- 前記ドライバトランジスタゲート電極と同じ層で形成されている負荷トランジスタボトムゲート電極をさらに備えることを特徴とする請求項11に記載のインバータ。
- 前記第1の絶縁体層には、前記負荷トランジスタボトムゲート電極と前記単一層とを導電的に連結させるためのコンタクトホールが形成されていることを特徴とする請求項13に記載のインバータ。
- 前記基板は、プラスチック基板であることを特徴とする請求項11に記載のインバータ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060096247A KR100790761B1 (ko) | 2006-09-29 | 2006-09-29 | 인버터 |
KR10-2006-0096247 | 2006-09-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008091896A JP2008091896A (ja) | 2008-04-17 |
JP4982307B2 true JP4982307B2 (ja) | 2012-07-25 |
Family
ID=39216368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007231462A Expired - Fee Related JP4982307B2 (ja) | 2006-09-29 | 2007-09-06 | インバータ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7687807B2 (ja) |
JP (1) | JP4982307B2 (ja) |
KR (1) | KR100790761B1 (ja) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101623958B1 (ko) | 2008-10-01 | 2016-05-25 | 삼성전자주식회사 | 인버터 및 그의 동작방법과 인버터를 포함하는 논리회로 |
EP2172977A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
CN101714546B (zh) | 2008-10-03 | 2014-05-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造方法 |
KR20200085934A (ko) | 2008-10-03 | 2020-07-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
KR102469154B1 (ko) | 2008-10-24 | 2022-11-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US8106400B2 (en) * | 2008-10-24 | 2012-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101631454B1 (ko) * | 2008-10-31 | 2016-06-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 논리회로 |
WO2010050419A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit and display device |
JP5587592B2 (ja) * | 2008-11-07 | 2014-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
EP2184783B1 (en) * | 2008-11-07 | 2012-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP5590868B2 (ja) * | 2008-12-11 | 2014-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8704216B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101476817B1 (ko) | 2009-07-03 | 2014-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법 |
US8115883B2 (en) | 2009-08-27 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
KR101988341B1 (ko) | 2009-09-04 | 2019-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법 |
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WO2011046048A1 (en) | 2009-10-16 | 2011-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR20120091243A (ko) | 2009-10-30 | 2012-08-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101750982B1 (ko) | 2009-11-06 | 2017-06-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101894400B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2018-09-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치와 반도체 장치 |
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-
2006
- 2006-09-29 KR KR1020060096247A patent/KR100790761B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-08-06 US US11/834,044 patent/US7687807B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-06 JP JP2007231462A patent/JP4982307B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7687807B2 (en) | 2010-03-30 |
JP2008091896A (ja) | 2008-04-17 |
US20080080221A1 (en) | 2008-04-03 |
KR100790761B1 (ko) | 2008-01-03 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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