JP5403614B2 - 二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタ及びその製造方法 Download PDFInfo
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Description
〔1〕二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタにおいて、基板(10)上に櫛形に加工された不透明ゲート電極(11)と、その上に積層された第1の絶縁膜(21)と、前記基板(10)側からの1回目の背面露光によって前記不透明ゲート電極(11)の上に形成されたフォトレジストパターン(41)を用いてリフトオフを行うことにより形成された透明ドレイン電極(12)と、前記櫛形に加工された不透明ゲート電極(11)の上方に前記基板(10)側からの2回目の背面露光によって形成される第2の絶縁膜(21a,22)及び透明ソース電極(13)と、前記透明ドレイン電極(12)及び前記透明ソース電極(13)の上に積層される半導体(31)を有することを特徴とする。
11 櫛形ゲート電極
12 ドレイン電極
13 ソース電極
21,21a,22 絶縁膜
31 有機半導体又は酸化物半導体
41,42 フォトレジストパターン
L トランジスタのチャネル長
Claims (18)
- (a)基板(10)上に櫛形に加工された不透明ゲート電極(11)と、
(b)その上に積層された第1の絶縁膜(21)と、
(c)前記基板(10)側からの1回目の背面露光によって前記不透明ゲート電極(11)の上に形成されたフォトレジストパターン(41)を用いてリフトオフを行うことにより形成された透明ドレイン電極(12)と、
(d)前記櫛形に加工された不透明ゲート電極(11)の上方に前記基板(10)側からの2回目の背面露光によって形成される第2の絶縁膜(21a,22)及び透明ソース電極(13)と、
(e)前記ドレイン電極(12)及び前記透明ソース電極(13)の上に積層される半導体(31)を有することを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタ。 - 請求項1記載の二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタにおいて、前記櫛形に加工された不透明ゲート電極(11)がTaであることを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタ。
- 請求項1記載の二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタにおいて、前記透明ドレイン電極(12)及び前記透明ソース電極(13)がインジウム亜鉛酸化物(IZO)であることを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタ。
- 請求項1記載の二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタにおいて、前記第1の絶縁膜(21)及び前記第2の絶縁膜(21a,22)がTa2O5であることを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタ。
- 請求項1記載の二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタにおいて、前記第2の絶縁膜(21a,22)がポリイミドであることを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタ。
- 請求項1記載の二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタにおいて、前記半導体(31)が有機半導体であることを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタ。
- 請求項6記載の二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタにおいて、前記有機半導体がペンタセンであることを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタ。
- 請求項1記載の二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタにおいて、前記半導体(31)が酸化物半導体であることを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタ。
- 請求項8記載の二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタにおいて、前記酸化物半導体がインジウム亜鉛酸化物(IZO)であることを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタ。
- (a)基板(10)上に不透明ゲート電極(11)を形成し、該不透明ゲート電極(11)を櫛形に加工し、その上に第1の絶縁膜(21)を形成する工程と、
(b)フォトレジストを全面にコーティング後、前記基板(10)側から紫外光による1回目の背面露光を行い、現像後、フォトレジストパターン(41)を形成する工程と、
(c)前記フォトレジストパターン(41)が形成された前記第1の絶縁膜(21)の上に透明ドレイン電極(12)及び不要部の電極を形成する工程と、
(d)前記不要部の電極をフォトレジストパターン(41)ごとリフトオフを行う工程と、
(e)第2の絶縁膜(21a,22)を積層し、次いで透明ソース電極(13)を積層形成し、更には、フォトレジストをコーティング後、前記基板(10)側から紫外光による2回目の背面露光を実施し、フォトレジストパターン(42)を形成する工程と、
(f)前記フォトレジストパターン(42)を用い、前記ソース電極(13)及び前記第2の絶縁膜(21a,22)を加工する工程と、
(g)フォトレジストパターン(42)を除去する工程と、
(h)半導体(31)を形成する工程とを施すことを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタの製造方法。 - 請求項10記載の二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタの製造方法において、前記櫛形に加工された不透明ゲート電極(11)にTaを用いることを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタの製造方法。
- 請求項10記載の二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタの製造方法において、前記透明ドレイン電極(12)及び前記透明ソース電極(13)にインジウム亜鉛酸化物(IZO)を用いることを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタの製造方法。
- 請求項10記載の二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタの製造方法において、前記第1の絶縁膜(21)及び前記第2の絶縁膜(21a,22)にTa2O5を用いることを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタの製造方法。
- 請求項10記載の二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタの製造方法において、前記第2の絶縁膜(21a,22)にポリイミドを用いることを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタの製造方法。
- 請求項10記載の二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタの製造方法において、前記半導体(31)に有機半導体を用いることを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタの製造方法。
- 請求項15記載の二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタの製造方法において、前記有機半導体にペンタセンを用いることを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタの製造方法。
- 請求項10記載の二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタの製造方法において、前記半導体(31)に酸化物半導体を用いることを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタの製造方法。
- 請求項17記載の二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタの製造方法において、前記酸化物半導体にインジウム亜鉛酸化物(IZO)を用いることを特徴とする二重自己整合プロセスによる多重チャネル自己整合トランジスタの製造方法。
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