JP4974474B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 152
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 122
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 67
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 193
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 22
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 11
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
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- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/761—PN junctions
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76264—SOI together with lateral isolation, e.g. using local oxidation of silicon, or dielectric or polycristalline material refilled trench or air gap isolation regions, e.g. completely isolated semiconductor islands
- H01L21/76281—Lateral isolation by selective oxidation of silicon
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76264—SOI together with lateral isolation, e.g. using local oxidation of silicon, or dielectric or polycristalline material refilled trench or air gap isolation regions, e.g. completely isolated semiconductor islands
- H01L21/76283—Lateral isolation by refilling of trenches with dielectric material
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
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- H01L29/0692—Surface layout
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/0852—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate of DMOS transistors
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- H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/7317—Bipolar thin film transistors
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
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- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7816—Lateral DMOS transistors, i.e. LDMOS transistors
- H01L29/7824—Lateral DMOS transistors, i.e. LDMOS transistors with a substrate comprising an insulating layer, e.g. SOI-LDMOS transistors
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
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- H01L29/7833—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
- H01L29/7835—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's with asymmetrical source and drain regions, e.g. lateral high-voltage MISFETs with drain offset region, extended drain MISFETs
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Description
トランジスタが形成されている。
本発明の実施の形態1に係る半導体装置について説明する。図1および図2に示すように、半導体基板1上にBOX層2が形成されている。そのBOX層2上に、たとえばエピタキシャル層からなるN−層3が形成されている。そのN−層3には素子形成領域となるN−層3の部分(N−層3a)を取囲むようにトレンチ分離領域4が形成されている。トレンチ分離領域4はN−層3の表面からBOX層2に達するように形成されている。トレンチ分離領域4の外側には、他の素子形成領域となるN−層3bが位置している。N−層3上に、たとえばシリコン酸化膜などの絶縁膜15が形成されている。
域10aとのPN接合によって電気的に分離されることになる。
前述した半導体装置では、トレンチ分離領域の内側側壁に沿ってP型拡散領域が形成されている場合を説明した。ここでは、トレンチ分離領域の内側側壁と外側側壁とのそれぞれの全面に接するようにP型拡散領域が形成されている場合を例に挙げる。
本発明の実施の形態3に係る半導体装置として、P型拡散領域を所定の電位に保持する半導体装置の一例について説明する。図7に示すように、絶縁膜15上には、P型拡散領域10aに電気的に接続される電極20aが形成されている。なお、これ以外の構成については、図2に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を省略する。
ここでは、P型拡散領域を所定の電位に保持する半導体装置の他の例について説明する。図8に示すように、絶縁膜15上には、P型拡散領域10aに電気的に接続される電極20aに加えて、P型拡散領域10bに電気的に接続される電極20bが形成されている。なお、これ以外の構成については、図6に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を省略する。
体素子を具体的に挙げて説明する。
ここでは、素子形成領域に形成される半導体素子としてnチャネル型MOSトランジスタを例に挙げる。図9に示すように、トレンチ分離領域4の内側の領域には素子形成領域となるN−層3aが位置している。トレンチ分離領域4の外側の領域には他の素子形成領域となるN−層3bが位置している。
ここでは、素子形成領域に形成される半導体素子としてpチャネル型MOSトランジスタを例に挙げる。図10に示すように、素子形成領域に位置するN−層3aの表面には、トレンチ分離領域4の内側側壁の全面に接するように連続して形成されたP型拡散領域10aに接続されるように、ドレインとなるP型拡散領域5が形成されている。
ここでは、素子形成領域に形成される半導体素子としてダイオードを例に挙げる。図11に示すように、素子形成領域に位置するN−層3aの表面には、トレンチ分離領域4の内側側壁の全面に接するように連続して形成されたP型拡散領域10aに接続されるように、アノードとなるP型拡散領域5が形成されている。そのP型拡散領域5と距離を隔ててカソードとなるN型拡散領域7が形成されている。
ここでは、素子形成領域に形成される半導体素子としてバイポーラトランジスタを例に挙げる。図12に示すように、素子形成領域に位置するN−層3aの表面には、トレンチ分離領域4の内側側壁の全面に接するように連続して形成されたP型拡散領域10aに接
続されるように、ベースとなるP型拡散領域5が形成されている。そのP型拡散領域5の表面にはエミッタとなるN+拡散領域6が形成されている。P型拡散領域5と距離を隔ててコレクタとなるN型拡散領域7が形成されている。
トレンチ分離領域4の内側側壁に沿って形成されたP型拡散領域10の不純物濃度が比較的低い場合には、P型拡散領域が空乏化して、トレンチ分離領域4の内部に電界が及ぶことになる。そのため、半導体装置の長期的な信頼性を確保することが難しくなる。
て形成されるP型拡散領域10aの不純物濃度が十分に高いため、トレンチ分離領域4にまで電界が及ぶことが阻止されて、たとえトレンチ分離領域4の近傍に結晶欠陥が発生した場合でも、リーク電流の発生を防ぐことができる。
上述した各実施の形態に説明した半導体装置においては、トレンチ分離領域の内側側壁の全面に接するように連続してP型拡散領域10aが形成されている。そのP型拡散領域10aを素子形成領域に形成された素子の動作時に完全に空乏化しないためには、P型拡散領域10aの不純物濃度を素子を構成する各拡散領域の不純物濃度よりも高くすればよい。
次に、上述した各実施の形態におけるトレンチ分離領域を備えた半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図14に示すように、支持基板となるシリコンの半導体基板1上にたとえば厚さ約1μmのBOX層2を介在させて、たとえば厚さ5μmのN−層3が形成された基板(SOI基板)が用意される。
示せず)が形成されて半導体装置が完成する。
ここでは、トレンチ分離領域の内側側壁と外側側壁のそれぞれに接するようにP型拡散領域が形成されている半導体装置の素子形成領域に形成される半導体素子として、nチャネル型のMOSトランジスタとpチャネル型のMOSトランジスタとの双方が形成されたCMOSトランジスタを例に挙げて説明する。
図20に示すように、P型ウェル領域60は、P型拡散領域10aおよびP型ウェル領域60aとはN型ウェル領域61を介して電気的に分離されている。つまり、P型ウェル領域60の側方はN型ウェル領域61によって囲まれ、また、P型ウェル領域60の底にはN−層3aが位置している。そのP型ウェル領域60には、P型ウェル領域60を所定の電位に固定するための電極(図示せず)が形成され、N型ウェル領域61についても、N型ウェル領域61を所定の電位に固定するための電極(図示せず)が形成されている。
ここでは、より具体的に、P型ウェル領域、N型ウェル領域およびP型拡散領域のそれぞれの電位を独立に設定できる半導体装置について説明する。図21に示すように、P型ウェル領域60にはP+拡散領域81が形成され、N型ウェル領域61にはN+拡散領域82が形成されている。P型拡散領域10aと繋がっているP型ウェル領域60aにはP+拡散領域80が形成されている。
ここでは、トレンチ分離領域の内側側壁と外側側壁のそれぞれに接するようにP型拡散領域が形成されている半導体装置の素子形成領域に形成される半導体素子として、フラッシュメモリ素子を例に挙げて説明する。
図23に示すように、P型ウェル60は、P型拡散領域10aおよびP型ウェル領域60aとはN型ウェル61を介して電気的に分離されている。つまり、P型ウェル領域60の側方はN型ウェル領域61によって囲まれ、また、P型ウェル領域60の底にはN−層3aが位置している。そのP型ウェル領域60にはP+拡散領域81が形成され、そのP+拡散領域81には、P型ウェル領域60を所定の電位に固定するための電極76が接続されている。
ここでは、より具体的に、P型ウェル領域およびP型拡散領域のそれぞれの電位を独立に設定できる半導体装置について説明する。図24に示すように、P型ウェル領域60にはP+拡散領域81が形成され、P型拡散領域10aと繋がっているP型ウェル領域60aにはP+拡散領域80が形成されている。P+拡散領域81には、P型ウェル領域60を所定の電位に固定するための電極76が接続され、P+拡散領域80には、P型拡散領域10aを所定の電位に固定するための電極75が接続されている。
Claims (12)
- 所定の基板の主表面上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第1導電型の半導体層と、
前記半導体層において素子形成領域となる所定の領域を連続して取囲むとともに、前記半導体層の表面から前記絶縁膜の表面にわたって形成され、内側側壁および外側側壁を有する分離領域と、
前記所定の領域を連続して取り囲む前記分離領域の前記内側内壁の全面に接するように、前記内側側壁の全周にわたって形成され、前記所定の領域に位置する前記半導体層の部分と前記分離領域との間に位置する第2導電型の第1不純物領域と、
前記半導体層において前記分離領域の外側に位置し、他の素子形成領域となる他の所定の領域と、
前記所定の領域を連続して取り囲む前記分離領域の前記外側側壁の全面に接するように、前記外側外壁の全周にわたって形成され、前記他の所定の領域に位置する前記半導体層の部分と前記分離領域との間に位置する第2導電型の第2不純物領域と
を備えた、半導体装置。 - 前記第1不純物領域に電気的に接続されるように形成され、前記第1不純物領域を所定の電位に保持するための第1電極を備えた、請求項1記載の半導体装置。
- 前記第2不純物領域に電気的に接続されるように形成され、前記第2不純物領域を所定の電位に保持するための第2電極を備えた、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記所定の領域に形成された素子を備えた、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記素子として、所定の前記領域には、
ソース領域と、
ドレイン領域と、
チャネルとなるボディ領域と
前記ボディ領域上にゲート絶縁膜を介在させて形成されたゲートと、
を含むトランジスタが形成され、
前記第1不純物領域は前記ボディ領域および前記ドレイン領域のいずれかを含む、請求項4記載の半導体装置。 - 前記素子として、所定の前記領域には、
カソード領域と、
アノード領域と
を含むダイオードが形成され、
前記第1不純物領域は前記アノード領域および前記カソード領域のいずれかを含む、請求項4記載の半導体装置。 - 前記素子として、所定の前記領域には、
エミッタ領域と、
コレクタ領域と、
ベース領域と
を含むバイポーラトランジスタが形成され、
前記第1不純物領域は前記ベース領域および前記コレクタ領域のいずれかを含む、請求項4記載の半導体装置。 - 前記第1不純物領域は、前記所定の領域に形成された前記素子の動作時において前記第1不純物領域と前記所定の領域に位置する前記半導体層の部分との界面から延びる空乏層の端が前記分離領域に到達しないように所定の不純物濃度を有して形成された、請求項4〜7のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1不純物領域の不純物濃度は、前記素子を構成する不純物領域の不純物濃度よりも高い濃度に設定された、請求項4〜8のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記所定の領域に形成され、第1導電型および第2導電型の少なくともいずれかの導電型からなるウェル領域と、
前記半導体層上に前記ウェル領域の表面を露出するように形成された他の絶縁膜と
を備え、
前記素子として、露出した前記ウェル領域には、
前記ウェル領域の導電型とは反対の導電型のソース領域およびドレイン領域と、
ゲート電極部と
を含むトランジスタが形成された、請求項4記載の半導体装置。 - 前記ゲート電極部は、
下層電極と、
前記下層電極上に形成された誘電体膜と、
前記誘電体膜上に形成された上層電極と
を含む、請求項10記載の半導体装置。 - 所定の基板上に絶縁膜を介在させて形成された第1導電型の半導体層に、素子形成領域となる領域を連続して取囲むとともに、前記絶縁膜の表面を露出するように溝を形成する工程と、
前記溝内に露出している、前記所定の領域が位置する側の前記半導体層の第1部分の全面に、第2導電型の不純物を導入することにより、前記第1部分の全周にわたって連続するように第2導電型の第1不純物領域を形成する工程と、
前記溝内に露出している、前記所定の領域が位置する側とは反対側の前記半導体層の第2部分の全面に、第2導電型の不純物を導入することにより、前記第2部分の全周にわたって連続するように第2導電型の第2不純物領域を形成する工程と、
前記溝に絶縁材料を埋め込む工程と、
を備えた、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005125243A JP4974474B2 (ja) | 2004-06-22 | 2005-04-22 | 半導体装置およびその製造方法 |
US11/152,790 US20050282375A1 (en) | 2004-06-22 | 2005-06-15 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US12/401,889 US8030730B2 (en) | 2004-06-22 | 2009-03-11 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US13/095,352 US20110198726A1 (en) | 2004-06-22 | 2011-04-27 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004183365 | 2004-06-22 | ||
JP2004183365 | 2004-06-22 | ||
JP2005125243A JP4974474B2 (ja) | 2004-06-22 | 2005-04-22 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006041476A JP2006041476A (ja) | 2006-02-09 |
JP2006041476A5 JP2006041476A5 (ja) | 2008-05-29 |
JP4974474B2 true JP4974474B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
ID=35481166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005125243A Expired - Fee Related JP4974474B2 (ja) | 2004-06-22 | 2005-04-22 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20050282375A1 (ja) |
JP (1) | JP4974474B2 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4610982B2 (ja) * | 2003-11-11 | 2011-01-12 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4974474B2 (ja) * | 2004-06-22 | 2012-07-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3875245B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2007-01-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
EP1863081A3 (en) * | 2006-03-10 | 2008-03-05 | Hitachi, Ltd. | Dielectric material separated-type, high breakdown voltage semiconductor circuit device, and production method thereof |
EP2264752A3 (en) * | 2006-06-27 | 2011-04-20 | STMicroelectronics S.r.l. | Integrated device with both SOI insulation and junction insulation and manufacturing method |
US20080217727A1 (en) * | 2007-03-11 | 2008-09-11 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio frequency isolation for SOI transistors |
JP5410012B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2014-02-05 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
US7999320B2 (en) * | 2008-12-23 | 2011-08-16 | International Business Machines Corporation | SOI radio frequency switch with enhanced signal fidelity and electrical isolation |
US20110198689A1 (en) * | 2010-02-17 | 2011-08-18 | Suku Kim | Semiconductor devices containing trench mosfets with superjunctions |
CN102376776B (zh) * | 2010-08-26 | 2014-05-21 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | BiCMOS工艺中的寄生PIN二极管及制造方法 |
JP5636827B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2014-12-10 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US8399957B2 (en) | 2011-04-08 | 2013-03-19 | International Business Machines Corporation | Dual-depth self-aligned isolation structure for a back gate electrode |
JP5739767B2 (ja) * | 2011-08-23 | 2015-06-24 | 株式会社東芝 | 誘電体分離基板および半導体装置 |
US9040384B2 (en) * | 2012-10-19 | 2015-05-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | High voltage diode |
JP6132539B2 (ja) * | 2012-12-13 | 2017-05-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP6355481B2 (ja) * | 2014-08-25 | 2018-07-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP6137208B2 (ja) * | 2015-01-26 | 2017-05-31 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
ITUA20161531A1 (it) * | 2016-03-10 | 2017-09-10 | St Microelectronics Srl | Diodo con ridotto tempo di recupero per applicazioni soggette al fenomeno del ricircolo della corrente e/o a rapide variazioni di tensione |
IT201600088211A1 (it) | 2016-08-30 | 2018-03-02 | St Microelectronics Srl | Dispositivo elettronico a giunzione con ridotto tempo di recupero per applicazioni soggette al fenomeno del ricircolo della corrente e relativo metodo di fabbricazione |
JP7193053B2 (ja) * | 2018-07-18 | 2022-12-20 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2020191412A (ja) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2020191413A (ja) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体装置 |
JP7368121B2 (ja) | 2019-06-20 | 2023-10-24 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53127282A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-07 | Shindengen Electric Mfg | Semiconductor |
JP2878689B2 (ja) * | 1988-07-04 | 1999-04-05 | 株式会社東芝 | 高耐圧半導体素子 |
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JP2004228466A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Renesas Technology Corp | 集積半導体装置およびその製造方法 |
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US7851860B2 (en) | 2004-03-26 | 2010-12-14 | Honeywell International Inc. | Techniques to reduce substrate cross talk on mixed signal and RF circuit design |
JP4974474B2 (ja) * | 2004-06-22 | 2012-07-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-04-22 JP JP2005125243A patent/JP4974474B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-15 US US11/152,790 patent/US20050282375A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-03-11 US US12/401,889 patent/US8030730B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-27 US US13/095,352 patent/US20110198726A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050282375A1 (en) | 2005-12-22 |
US8030730B2 (en) | 2011-10-04 |
US20090200610A1 (en) | 2009-08-13 |
US20110198726A1 (en) | 2011-08-18 |
JP2006041476A (ja) | 2006-02-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080416 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120403 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4974474 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |