JP5087816B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
られている。
図1は、実施の形態1の半導体装置を示す断面図である。図1に示すように、nチャネルIGBT1000とnチャネルMOSトランジスタ2000が同一のSOI基板上に集積されている。SOI基板は、p支持基板1aの上に、酸化膜等からなる絶縁層2、n+小数キャリア相殺層13aおよびn-ドリフト領域3aを、この順に積層した構成となっている。
図27は、実施の形態2のnチャネルIGBTを示す断面図である。図27に示すように、実施の形態2のIGBTは、実施の形態1のnチャネルIGBT1000において、コレクタ側フィールドプレート14を設けていないものである。そして、上段トレンチ16aとnバッファ領域11aとを離し、上段トレンチ16aとnバッファ領域11aとの間にn-ドリフト領域3aを挟むことによって、nバッファ領域11aとn-ドリフト領域3aとの界面の空乏化によるデバイスの耐圧への影響を抑制している。
図28は、実施の形態3のnチャネルIGBTを示す断面図である。図28に示すように、実施の形態3のnチャネルIGBTは、実施の形態1nチャネルIGBT1000において、フィールドプレート15を設けていないものである。そして、トレンチ埋め込み絶縁膜17aは、pベース領域4aおよびp+ベースコンタクト領域5bに接触していない。p+コレクタ領域12aから注入されたキャリアは、表面チャネル、p+低抵抗領域5aおよびp+ベースコンタクト領域5bを通ってエミッタ電極7aに到達する。
2 絶縁層
3a,3c 第1の半導体領域(ドリフト領域)
3b,3d 第2の半導体領域(ウェル領域)
4a,4b 第3の半導体領域(ベース領域)
4c,4d 第6の半導体領域(ウェル領域)
5a,5c 第1の低抵抗領域
5b,5d 第1の高電導度領域(ベースコンタクト領域)
5e,5g 第2の低抵抗領域
5f,5h 第2の高電導度領域(コンタクト領域)
6a,6b エミッタ領域
6c,6d ソース領域
7a エミッタ電極
7b ソース電極
8a 第1のゲート電極
8b 第2のゲート電極
9a,9b 第1のゲート絶縁膜
9c 第2のゲート絶縁膜
10a コレクタ電極
10b ドレイン電極
11a,11b 第4の半導体領域(バッファ領域)
11c,11d 第7の半導体領域(ウェル領域)
12a,12b コレクタ領域
12c,12d ドレイン領域
13a,13b 半導体層(小数キャリア相殺層)
14 コレクタ側導電領域(コレクタ側フィールドプレート)
15 エミッタ側導電領域(エミッタ側フィールドプレート)
16a 第1のトレンチ
16b 第2のトレンチ
16c 第3のトレンチ
17a 第1のトレンチ埋め込み絶縁膜
17b 第2のトレンチ埋め込み絶縁膜
22a,22b 第5の半導体領域(低抵抗領域)
22c,22d 第8の半導体領域(低抵抗領域)
1000,1100 IGBT
2000,2100 MOSトランジスタ
Claims (28)
- 第1導電型の第1の半導体領域と、
前記第1の半導体領域の表面層の一部に設けられた、前記第1の半導体領域よりも抵抗率の低い第1導電型の第2の半導体領域と、
前記第1の半導体領域および前記第2の半導体領域に接して前記第1の半導体領域の表面層の一部に設けられた第2導電型の第3の半導体領域と、
前記第3の半導体領域の一部の表面上に第1のゲート絶縁膜を介して設けられた第1のゲート電極と、
前記第3の半導体領域の一部に設けられた第1導電型のエミッタ領域と、
前記第3の半導体領域の一部に設けられた第2導電型の高電導度領域と、
前記第1の半導体領域の表面層の一部に、前記第2の半導体領域および前記第3の半導体領域から離れて設けられた、前記第1の半導体領域よりも抵抗率の低い第1導電型の第4の半導体領域と、
前記第4の半導体領域の一部に設けられた第2導電型のコレクタ領域と、
前記第2の半導体領域および前記第3の半導体領域と前記第4の半導体領域との間に設けられた第1のトレンチと、
前記第1のトレンチの底からさらに深い位置まで設けられた、前記第1のトレンチよりも幅の狭い第2のトレンチと、
前記第2のトレンチの周囲に沿って設けられた、前記第1の半導体領域よりも抵抗率の低い第1導電型の第5の半導体領域と、
前記第1のトレンチおよび前記第2のトレンチの中に埋め込まれた第1のトレンチ埋め込み絶縁膜と、
前記第1のトレンチ内における前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜中の、前記第3の半導体領域の近くに埋め込まれたフローティング電位のエミッタ側導電領域と、
前記エミッタ領域および前記高電導度領域に接するエミッタ電極と、
前記コレクタ領域に接するコレクタ電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型の第1の半導体領域と、
前記第1の半導体領域の表面層の一部に設けられた、前記第1の半導体領域よりも抵抗率の低い第1導電型の第2の半導体領域と、
前記第1の半導体領域および前記第2の半導体領域に接して前記第1の半導体領域の表面層の一部に設けられた第2導電型の第3の半導体領域と、
前記第3の半導体領域の一部に設けられた第1導電型のエミッタ領域と、
前記第3の半導体領域の一部の表面上に第1のゲート絶縁膜を介して設けられた第1のゲート電極と、
前記第3の半導体領域の一部に設けられた第2導電型の高電導度領域と、
前記第1の半導体領域の表面層の一部に、前記第2の半導体領域および前記第3の半導体領域から離れて設けられた、前記第1の半導体領域よりも抵抗率の低い第1導電型の第4の半導体領域と、
前記第4の半導体領域の一部に設けられた第2導電型のコレクタ領域と、
前記第2の半導体領域および前記第3の半導体領域と前記第4の半導体領域との間に設けられた第1のトレンチと、
前記第1のトレンチの底からさらに深い位置まで設けられた、前記第1のトレンチよりも幅の狭い第2のトレンチと、
前記第2のトレンチの周囲に沿って設けられた、前記第1の半導体領域よりも抵抗率の低い第1導電型の第5の半導体領域と、
前記第1のトレンチおよび前記第2のトレンチの中に埋め込まれた第1のトレンチ埋め込み絶縁膜と、
前記第1のトレンチ内における前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜中の、前記第4の半導体領域と前記第1の半導体領域との界面の近くに埋め込まれたコレクタ側導電領域と、
前記エミッタ領域および前記高電導度領域に接するエミッタ電極と、
前記コレクタ領域に接するとともに、前記コレクタ側導電領域に電気的に接続するコレクタ電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の半導体領域の表面層の一部に設けられた第2導電型の第6の半導体領域と、
前記第6の半導体領域の一部の表面上に第2のゲート絶縁膜を介して設けられた第2のゲート電極と、
前記第6の半導体領域の一部に設けられた第1導電型のソース領域と、
前記第6の半導体領域の一部に設けられた第2導電型の第2の高電導度領域と、
前記第1の半導体領域の表面層の一部に前記第6の半導体領域から離れて設けられた、前記第1の半導体領域よりも抵抗率の低い第1導電型の第7の半導体領域と、
前記第7の半導体領域の一部に設けられた第1導電型のドレイン領域と、
前記第6の半導体領域と前記第7の半導体領域との間に設けられた第3のトレンチと、
前記第6の半導体領域から離れ、かつ前記第3のトレンチの周囲に沿って設けられた、前記第1の半導体領域よりも抵抗率の低い第1導電型の第8の半導体領域と、
前記第3のトレンチの中に埋め込まれた第2のトレンチ埋め込み絶縁膜と、
前記ソース領域および前記第2の高電導度領域に接するソース電極と、
前記ドレイン領域に接するドレイン電極と、を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、
が同一基板上に集積されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第6の半導体領域の一部に設けられ、かつ前記ソース領域の下側に設けられる第2導電型の第2の低抵抗領域を備えたことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第3の半導体領域の一部に設けられ、かつ前記エミッタ領域の下側に設けられる第2導電型の第1の低抵抗領域を備えたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第1のゲート電極が、前記第3の半導体領域の表面から前記第1の半導体領域に達するトレンチの側壁に前記第1のゲート絶縁膜を介して設けられたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体領域が支持基板上に絶縁層を介して設けられたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体領域が第2導電型の第9の半導体領域の上に形成されたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第1のトレンチ内における前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜中の、前記第4の半導体領域と前記第1の半導体領域との界面の近くに埋め込まれたコレクタ側導電領域を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体領域の表面層の一部に設けられた第2導電型の第6の半導体領域と、
前記第6の半導体領域の一部の表面上に第2のゲート絶縁膜を介して設けられた第2のゲート電極と、
前記第6の半導体領域の一部に設けられた第1導電型のソース領域と、
前記第6の半導体領域の一部に設けられた第2導電型の第2の高電導度領域と、
前記第1の半導体領域の表面層の一部に前記第6の半導体領域から離れて設けられた、前記第1の半導体領域よりも抵抗率の低い第1導電型の第7の半導体領域と、
前記第7の半導体領域の一部に設けられた第1導電型のドレイン領域と、
前記第6の半導体領域と前記第7の半導体領域との間に設けられた第3のトレンチと、
前記第6の半導体領域から離れ、かつ前記第3のトレンチの周囲に沿って設けられた、前記第1の半導体領域よりも抵抗率の低い第1導電型の第8の半導体領域と、
前記第3のトレンチの中に埋め込まれた第2のトレンチ埋め込み絶縁膜と、
前記ソース領域および前記第2の高電導度領域に接するソース電極と、
前記ドレイン領域に接するドレイン電極と、を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、
が同一基板上に集積されていることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。 - 耐圧が200Vクラスであり、前記第1の半導体領域の厚さが12μm以上20μm以下であり、前記第1の半導体領域のドーピング濃度が1×1014cm-3以上5×1014cm-3以下であることを特徴とする請求項9または10に記載の半導体装置。
- 耐圧が200Vクラスであり、前記第2のトレンチの深さが6μm以上10μm以下であり、前記第2のトレンチの幅が1.5μm以上2.5μm以下であることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 耐圧が200Vクラスであり、前記第2のトレンチおよび前記第3のトレンチの深さがともに6μm以上10μm以下であり、前記第2のトレンチおよび前記第3のトレンチの幅がともに1.5μm以上2.5μm以下であることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 耐圧が200Vクラスであり、前記第1のトレンチの、前記第1の半導体領域と前記第3の半導体領域との界面からの深さが2μm以上3μm以下であり、前記コレクタ側導電領域および前記エミッタ側導電領域がともに前記第1の半導体領域から0.5μm離れていることを特徴とする請求項9または10に記載の半導体装置。
- 前記第6の半導体領域の一部に設けられ、かつ前記ソース領域の下側に設けられる第2導電型の第2の低抵抗領域を備えたことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 前記第3の半導体領域の一部に設けられ、かつ前記エミッタ領域の下側に設けられる第2導電型の第1の低抵抗領域を備えたことを特徴とする請求項9〜15のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第1のゲート電極が、前記第3の半導体領域の表面から前記第1の半導体領域に達するトレンチの側壁に前記第1のゲート絶縁膜を介して設けられたことを特徴とする請求項9〜16のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体領域が支持基板上に絶縁層を介して設けられたことを特徴とする請求項1〜17のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体領域が第2導電型の第9の半導体領域の上に形成されたことを特徴とする請求項1〜17のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体領域と前記絶縁層との間に前記第1の半導体領域より抵抗率の低い第1導電型の半導体層を備えたことを特徴とする請求項8または9に記載の半導体装置。
- 請求項3に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第1の半導体領域の、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの形成領域の表面層に、前記第2のトレンチを選択的に形成すると同時に、前記第1の半導体領域の、絶縁ゲート型電界効果トランジスタの形成領域の表面層に、前記第3のトレンチを選択的に形成する工程と、
前記第2のトレンチの周囲に前記第5の半導体領域を形成すると同時に、前記第3のトレンチの周囲に前記第8の半導体領域を形成する工程と、
前記第2のトレンチを前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜で埋めると同時に、前記第3のトレンチを前記第2のトレンチ埋め込み絶縁膜で埋める工程と、
前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜に隣接して前記第2のトレンチよりも浅い前記第1のトレンチを形成する工程と、
前記第1のトレンチの側壁に絶縁膜を形成する工程と、
前記第1のトレンチの側壁の前記絶縁膜と前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜との間を前記コレクタ側導電領域または前記エミッタ側導電領域で埋める工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の表面層の一部に設けられた、前記第1の半導体領域よりも抵抗率の低い第1導電型の第2の半導体領域と、前記第1の半導体領域および前記第2の半導体領域に接して前記第1の半導体領域の表面層の一部に設けられた第2導電型の第3の半導体領域と、前記第3の半導体領域の一部の表面上に第1のゲート絶縁膜を介して設けられた第1のゲート電極と、前記第3の半導体領域の一部に設けられた第1導電型のエミッタ領域と、前記第3の半導体領域の一部に設けられた第2導電型の第1の高電導度領域と、前記第1の半導体領域の表面層の一部に、前記第2の半導体領域および前記第3の半導体領域から離れて設けられた、前記第1の半導体領域よりも抵抗率の低い第1導電型の第4の半導体領域と、前記第4の半導体領域の一部に設けられた第2導電型のコレクタ領域と、前記第2の半導体領域および前記第3の半導体領域と前記第4の半導体領域との間に設けられた第1のトレンチと、前記第1のトレンチの底からさらに深い位置まで設けられた、前記第1のトレンチよりも幅の狭い第2のトレンチと、前記第2のトレンチの周囲に沿って設けられた、前記第1の半導体領域よりも抵抗率の低い第1導電型の第5の半導体領域と、前記第1のトレンチおよび前記第2のトレンチの中に埋め込まれた第1のトレンチ埋め込み絶縁膜と、前記第1のトレンチ内における前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜中の、前記第3の半導体領域の近くに埋め込まれたフローティング電位のエミッタ側導電領域と、前記第1のトレンチ内における前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜中の、前記第4の半導体領域の近くに埋め込まれたコレクタ側導電領域と、前記エミッタ領域および前記第1の高電導度領域に接するエミッタ電極と、前記コレクタ領域に接するとともに、前記コレクタ側導電領域に電気的に接続するコレクタ電極と、を有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタと、前記第1の半導体領域の表面層の一部に設けられた第2導電型の第6の半導体領域と、前記第6の半導体領域の一部の表面上に第2のゲート絶縁膜を介して設けられた第2のゲート電極と、前記第6の半導体領域の一部に設けられた第1導電型のソース領域と、前記第6の半導体領域の一部に設けられた第2導電型の第2の高電導度領域と、前記第1の半導体領域の表面層の一部に前記第6の半導体領域から離れて設けられた、前記第1の半導体領域よりも抵抗率の低い第1導電型の第7の半導体領域と、前記第7の半導体領域の一部に設けられた第1導電型のドレイン領域と、前記第6の半導体領域と前記第7の半導体領域との間に設けられた第3のトレンチと、前記第6の半導体領域から離れ、かつ前記第3のトレンチの周囲に沿って設けられた、前記第1の半導体領域よりも抵抗率の低い第1導電型の第8の半導体領域と、前記第3のトレンチの中に埋め込まれた第2のトレンチ埋め込み絶縁膜と、前記ソース領域および前記第2の高電導度領域に接するソース電極と、前記ドレイン領域に接するドレイン電極と、を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、が同一基板上に集積された構造を有する半導体装置を製造するにあたって、
前記第1の半導体領域の、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの形成領域の表面層に、前記第2のトレンチを選択的に形成すると同時に、前記第1の半導体領域の、絶縁ゲート型電界効果トランジスタの形成領域の表面層に、前記第3のトレンチを選択的に形成する工程と、
前記第2のトレンチの周囲に前記第5の半導体領域を形成すると同時に、前記第3のトレンチの周囲に前記第8の半導体領域を形成する工程と、
前記第2のトレンチを前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜で埋めると同時に、前記第3のトレンチを前記第2のトレンチ埋め込み絶縁膜で埋める工程と、
前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜に隣接してその両側に前記第2のトレンチよりも浅い前記第1のトレンチを形成する工程と、
前記第1のトレンチの側壁に絶縁膜を形成する工程と、
前記第1のトレンチの側壁の前記絶縁膜と前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜との間を前記コレクタ側導電領域および前記エミッタ側導電領域で埋める工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2のトレンチおよび前記第3のトレンチに対して斜め方向からイオン注入を行って、前記第2のトレンチの周囲に前記第5の半導体領域を形成すると同時に、前記第3のトレンチの周囲に前記第8の半導体領域を形成した後、熱酸化および酸化膜の堆積により、前記第2のトレンチを前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜で埋めると同時に、前記第3のトレンチを前記第2のトレンチ埋め込み絶縁膜で埋め、その後に、化学的機械研磨により表面を平坦にすることを特徴とする請求項22に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のトレンチの形成領域を開口させたマスクを形成し、エッチングにより前記第1のトレンチを形成した後、熱酸化および酸化膜の堆積により前記第1のトレンチの内周面に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の内側を導電体で埋め、該導電体をエッチバックして前記コレクタ側導電領域および前記エミッタ側導電領域を形成することを特徴とする請求項22または23に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電体の、前記コレクタ側導電領域となる部分の一部をマスクしてエッチバックすることによって、前記コレクタ側導電領域の一部を表面に露出させ、前記コレクタ電極とのコンタクト部とすることを特徴とする請求項24に記載の半導体装置の製造方法。
- 耐圧が200Vクラスである場合、前記第5の半導体領域および前記第8の半導体領域を形成する際の実効ドーズ量を0.5〜2.0×1012cm-2とすることを特徴とする請求項23〜25のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1にかかる半導体装置を製造する方法であって、
前記第1の半導体領域の表面層に、前記第2のトレンチを選択的に形成し、前記第2のトレンチの底面および側壁に前記第1の半導体領域を露出させる工程と、
前記第2のトレンチの底面および側壁に前記第5の半導体領域となる拡散層を形成する工程と、
前記第2のトレンチを前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜で埋める工程と、
前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜に隣接して前記第2のトレンチよりも浅い前記第1のトレンチを形成する工程と、
前記第1のトレンチの側壁に絶縁膜を形成する工程と、
前記第1のトレンチの側壁の前記絶縁膜と前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜との間を、フローティング電位を有する導電部材で埋めて前記エミッタ側導電領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2にかかる半導体装置を製造する方法であって、
前記第1の半導体領域の表面層に、前記第2のトレンチを選択的に形成し、前記第2のトレンチの底面および側壁に前記第1の半導体領域を露出させる工程と、
前記第2のトレンチの底面および側壁に前記第5の半導体領域となる拡散層を形成する工程と、
前記第2のトレンチを前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜で埋める工程と、
前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜に隣接して前記第2のトレンチよりも浅い前記第1のトレンチを形成する工程と、
前記第1のトレンチの側壁に絶縁膜を形成する工程と、
前記第1のトレンチの側壁の前記絶縁膜と前記第1のトレンチ埋め込み絶縁膜との間を、コレクタ電位を有する導電部材で埋めて前記コレクタ側導電領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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