JP4997694B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4997694B2 JP4997694B2 JP2004295459A JP2004295459A JP4997694B2 JP 4997694 B2 JP4997694 B2 JP 4997694B2 JP 2004295459 A JP2004295459 A JP 2004295459A JP 2004295459 A JP2004295459 A JP 2004295459A JP 4997694 B2 JP4997694 B2 JP 4997694B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- trench
- type semiconductor
- forming
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 335
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 129
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 403
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 157
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 154
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 23
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 14
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 10
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 50
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 50
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 34
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 16
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 14
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 10
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 6
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 240000006829 Ficus sundaica Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66666—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/66734—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with a step of recessing the gate electrode, e.g. to form a trench gate electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7809—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors having both source and drain contacts on the same surface, i.e. Up-Drain VDMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7827—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7833—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
- H01L29/7835—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's with asymmetrical source and drain regions, e.g. lateral high-voltage MISFETs with drain offset region, extended drain MISFETs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41766—Source or drain electrodes for field effect devices with at least part of the source or drain electrode having contact below the semiconductor surface, e.g. the source or drain electrode formed at least partially in a groove or with inclusions of conductor inside the semiconductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかるTLPM/Dの構成を示す断面図である。トレンチの段数は、1段である。図1に示すように、p-シリコン基板1の上に、チャネル領域となる均一な濃度のpエピタキシャル層21が設けられている。トレンチ4は、このエピタキシャル層21内に形成されており、pエピタキシャル層21とp-シリコン基板1との界面よりも浅い。トレンチ4の底部に設けられたn+ドレイン領域16、およびn+ドレイン領域16を囲むn-拡張ドレイン領域2は、pエピタキシャル層21内に設けられている。n-拡張ドレイン領域2は、不純物の拡散により形成された不純物拡散層であり、濃度分布を有する。
図7は、本発明の実施の形態2にかかるTLPM/Dの構成を示す断面図である。トレンチの段数は、1段である。図7に示すように、実施の形態2は、実施の形態1において、n-拡張ドレイン領域を均一な濃度のn-エピタキシャル層22で形成したものである。すなわち、図7に示すように、p-シリコン基板1の上に第1のpエピタキシャル層21aが設けられている。この第1のpエピタキシャル層21a内には、拡張ドレイン領域として均一な濃度のn-エピタキシャル層22が設けられている。
図18および図19は、本発明の実施の形態3にかかるTLPM/Sの構成を示す断面図である。図18および図19には、それぞれ活性領域およびベースピックアップ領域の断面構成が示されている。トレンチの段数は、1段である。これらの図に示すように、活性領域およびベースピックアップ領域において、p-シリコン基板1の上に、チャネル領域となる均一な濃度のpエピタキシャル層21が設けられている。pエピタキシャル層21の上には、拡張ドレイン領域となるn-エピタキシャル層22が設けられている。このn-エピタキシャル層22の濃度は、n+ドレイン領域16よりも低く、かつ均一である。トレンチ4は、このn-エピタキシャル層22を貫通してpエピタキシャル層21に達している。
図24および図25は、本発明の実施の形態4にかかるTLPM/Sの構成を示す断面図である。図24および図25には、それぞれ活性領域およびベースピックアップ領域の断面構成が示されている。トレンチの段数は、1段である。これらの図に示すように、実施の形態4は、実施の形態3において、pエピタキシャル層を、第1のpエピタキシャル層21aと第2のpエピタキシャル層21bに分けて形成したものである。ここで、第1のpエピタキシャル層21aの濃度と第2のpエピタキシャル層21bの濃度は一般に異なり、各々独立して調節することができるものとする。
図26は、本発明の実施の形態5にかかるTLPM/Dの構成を示す断面図である。トレンチの段数は、2段である。図26に示すように、実施の形態5は、実施の形態1において、n-拡張ドレイン領域2内の、第1のトレンチ4a(実施の形態1では、トレンチ4)の底部に、第1のトレンチ4aよりも広い幅の第2のトレンチ4bが設けられており、この第2のトレンチ4bが、ゲート酸化膜7よりも厚い第2の層間絶縁膜15aで埋められているものである。第2のトレンチ4bの底部には、n+ドレイン領域16が設けられている。n+ドレイン領域16は、n-拡張ドレイン領域2により囲まれている。埋め込み電極10は、第1の層間絶縁膜9および第2の層間絶縁膜15aを貫通して、第2のトレンチ4bの底部でn+ドレイン領域16に電気的に接続している。その他の構成は、実施の形態1と同じである。
図27は、本発明の実施の形態6にかかるTLPM/Dの構成を示す断面図である。トレンチの段数は、2段である。図27に示すように、実施の形態6は、実施の形態2において、n-エピタキシャル層22内の、第1のトレンチ4a(実施の形態2では、トレンチ4)の底部に、第1のトレンチ4aよりも広い幅の第2のトレンチ4bが設けられており、この第2のトレンチ4bが、ゲート酸化膜7よりも厚い第2の層間絶縁膜15aで埋められているものである。第2のトレンチ4bの底部には、n+ドレイン領域16が設けられている。n+ドレイン領域16は、n-エピタキシャル層22により囲まれている。埋め込み電極10は、第1の層間絶縁膜9および第2の層間絶縁膜15aを貫通して、第2のトレンチ4bの底部でn+ドレイン領域16に電気的に接続している。その他の構成は、実施の形態2と同じである。
図33および図34は、本発明の実施の形態7にかかるTLPM/Sの構成を示す断面図である。図33および図34には、それぞれ活性領域およびベースピックアップ領域の断面構成が示されている。トレンチの段数は、2段である。これらの図に示すように、実施の形態7は、実施の形態3において、n-エピタキシャル層22内の、第1のトレンチ4a(実施の形態3では、トレンチ4)の側部に、ゲート酸化膜7よりも厚い第2の層間絶縁膜15bが設けられているものである。この第2の層間絶縁膜15bは、n-エピタキシャル層22内に第1のトレンチ4aよりも広い幅で、かつn-エピタキシャル層22よりも浅く形成された第2のトレンチ4b内に埋められている。その他の構成は、実施の形態3と同じである。
図40および図41は、本発明の実施の形態8にかかるTLPM/Sの構成を示す断面図である。図40および図41には、それぞれ活性領域およびベースピックアップ領域の断面構成が示されている。トレンチの段数は、2段である。これらの図に示すように、実施の形態8は、実施の形態4において、n-エピタキシャル層22内の、第1のトレンチ4a(実施の形態4では、トレンチ4)の側部に、ゲート酸化膜7よりも厚い第2の層間絶縁膜15bが設けられているものである。この第2の層間絶縁膜15bは、n-エピタキシャル層22内に第1のトレンチ4aよりも広い幅で、かつn-エピタキシャル層22よりも浅く形成された第2のトレンチ4b内に埋められている。その他の構成は、実施の形態4と同じである。
図46は、本発明の実施の形態9にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。図46に示すように、実施の形態9は、実施の形態1のnチャネルTLPM/Dと、これと同一の構造で導電型が異なるpチャネルTLPM/Dを一体化したものである。図46において右側に位置するpチャネルTLPM/Dの構成は、実施の形態1の説明において、n-拡張ドレイン領域2、トレンチ4、n+ソース領域6a、p+コンタクト領域6b、ゲート酸化膜7、ゲート電極8、第1の層間絶縁膜9、埋め込み電極10、ソース電極12、ドレイン電極13、n+ドレイン領域16およびpエピタキシャル層21を、それぞれp-拡張ドレイン領域202、トレンチ204、p+ソース領域206a、n+コンタクト領域206b、ゲート酸化膜207、ゲート電極208、第1の層間絶縁膜209、埋め込み電極210、ソース電極212、ドレイン電極213、p+ドレイン領域216およびnエピタキシャル層221と読み替えたものである。
図47は、本発明の実施の形態10にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。図47に示すように、実施の形態10は、実施の形態2のnチャネルTLPM/Dと、これと同一の構造で導電型が異なるpチャネルTLPM/Dを一体化したものである。図47において右側に位置するpチャネルTLPM/Dの構成は、実施の形態2の説明において、トレンチ4、n+ソース領域6a、p+コンタクト領域6b、ゲート酸化膜7、ゲート電極8、第1の層間絶縁膜9、埋め込み電極10、ソース電極12、ドレイン電極13、n+ドレイン領域16、第1のpエピタキシャル層21a、第2のpエピタキシャル層21bおよびn-エピタキシャル層22を、それぞれトレンチ204、p+ソース領域206a、n+コンタクト領域206b、ゲート酸化膜207、ゲート電極208、第1の層間絶縁膜209、埋め込み電極210、ソース電極212、ドレイン電極213、p+ドレイン領域216、第1のnエピタキシャル層221a、第2のnエピタキシャル層221bおよびp-エピタキシャル層222と読み替えたものである。
図48および図49は、本発明の実施の形態11にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。図48および図49には、それぞれ活性領域およびベースピックアップ領域の断面構成が示されている。これらの図に示すように、実施の形態11は、実施の形態3のnチャネルTLPM/Sと、これと同一の構造で導電型が異なるpチャネルTLPM/Sを一体化したものである。
図50は、本発明の実施の形態12にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。図50に示すように、実施の形態12は、TLPM(同図左端)とプレーナ型のpチャネルMOSFET(同図中央)とプレーナ型のnチャネルMOSFET(同図右端)を一体化したものである。図示例では、実施の形態1のTLPMが一体化されているが、実施の形態2〜8のいずれのTLPMを一体化させてもよい。プレーナ型のMOSFETの構成は、周知である。なお、本明細書においては、プレーナ型のMOSFETは、低耐圧のロジック用のデバイスであるとし、パワーMOSFETを含まないものとする。
図51は、本発明の実施の形態13にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。図51に示すように、実施の形態13は、実施の形態9の半導体装置(同図左端および左から2番目)とプレーナ型のnチャネルMOSFET(同図右から2番目)とプレーナ型のpチャネルMOSFET(同図右端)を一体化したものである。図示例では、実施の形態9の半導体装置が一体化されているが、実施の形態10または11の半導体装置を一体化させてもよい。プレーナ型のMOSFETの構成は、周知である。
1a 半導体基板(n-シリコン基板)
2 第3の第2導電型半導体領域、不純物拡散層(n-拡張ドレイン領域)
3 マスク絶縁膜(マスク酸化膜)
4 トレンチ
4a 第1のトレンチ
4b 第2のトレンチ
4c 第3のトレンチ
6a 第2の第2導電型半導体領域(n+ソース領域)
7 トレンチの内側の絶縁膜(ゲート酸化膜)
8 第1の電極(ゲート電極)
9 第1の電極の内側の層間絶縁膜、第1の層間絶縁膜
10 埋め込み電極
12 第3の電極(ソース電極)
13 第2の電極(ドレイン電極)
15a,15b 第2の層間絶縁膜
16 第1の第2導電型半導体領域(n+ドレイン領域)
21 第1導電型半導体層、第1導電型不純物層(pエピタキシャル層)
21a 第1の第1導電型不純物層(第1のpエピタキシャル層)
21b 第2の第1導電型不純物層(第2のpエピタキシャル層)
22 第3の第2導電型半導体領域、第2導電型不純物層、第2導電型半導体層(n-エピタキシャル層)
Claims (20)
- 半導体基板の上に設けられた第1導電型半導体層と、
前記第1導電型半導体層に形成されたトレンチの底部に設けられた第1の第2導電型半導体領域と、
前記トレンチに隣接して前記第1導電型半導体層の表面層に設けられた第2の第2導電型半導体領域と、
前記第1導電型半導体層と前記第1の第2導電型半導体領域との間に設けられた第3の第2導電型半導体領域と、
前記トレンチの側部に沿って前記トレンチの内側に設けられた絶縁膜と、
前記第2の第2導電型半導体領域と前記第3の第2導電型半導体領域との間の前記第1導電型半導体層の表面上に前記絶縁膜を介して設けられた第1の電極と、
前記トレンチの底部で前記第1の第2導電型半導体領域に接続し、かつ前記第1の電極の内側に設けられた層間絶縁膜により囲まれる埋め込み電極と、
前記埋め込み電極に接続する第2の電極と、
前記第2の第2導電型半導体領域に接続する第3の電極と、を具備し、
前記第1導電型半導体層は、エピタキシャル層であり、前記第3の第2導電型半導体領域の不純物濃度は、前記第1の第2導電型半導体領域の不純物濃度よりも低く、
前記第1の第2導電型半導体領域はドレイン領域であり、前記第2の第2導電型半導体領域はソース領域であり、前記第3の第2導電型半導体領域は拡張ドレイン領域であり、前記第1の電極がゲート電極であり、
前記トレンチ内の前記埋め込み電極を介して前記第1の第2導電型半導体領域に対する電気的な接続を行うことを特徴とする半導体装置。 - 前記第3の第2導電型半導体領域は、不純物の拡散による濃度分布を有する不純物拡散層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第3の第2導電型半導体領域は、エピタキシャル層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板の導電型は、第1導電型であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記半導体基板の導電型は、第2導電型であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 半導体基板の上に設けられた第1導電型半導体層と、
前記第1導電型半導体層の上に設けられた第2導電型半導体層と、
前記第2導電型半導体層の表面領域に設けられた第1の第2導電型半導体領域と、
前記第2導電型半導体層を貫通するトレンチの底部に設けられた第2の第2導電型半導体領域と、
前記トレンチの側部に沿って前記トレンチの内側に設けられた絶縁膜と、
前記第2導電型半導体層と前記第2の第2導電型半導体領域との間の前記第1導電型半導体層の表面上に前記絶縁膜を介して設けられた第1の電極と、
前記トレンチの底部で前記第2の第2導電型半導体領域に接続し、かつ前記第1の電極の内側に設けられた層間絶縁膜により囲まれる埋め込み電極と、
前記第1の第2導電型半導体領域に接続する第2の電極と、
前記埋め込み電極に接続する第3の電極と、を具備し、
前記第1導電型半導体層は、エピタキシャル層であり、前記第2導電型半導体層は、前記第1の第2導電型半導体領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有するエピタキシャル層であり、
前記第1の第2導電型半導体領域はドレイン領域であり、前記第2の第2導電型半導体領域はソース領域であり、前記第2導電型半導体層は拡張ドレイン領域であり、前記第1の電極がゲート電極であり、
前記トレンチ内の前記埋め込み電極を介して前記第2の第2導電型半導体領域に対する電気的な接続を行うことを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体基板の導電型は、第1導電型であることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板の導電型は、第2導電型であることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記トレンチの内側に、前記絶縁膜よりも厚い第2の層間絶縁膜が前記トレンチの側部に沿って設けられていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 半導体基板の上に、エピタキシャル成長によって第1導電型不純物層を成長させる工程、
前記第1導電型不純物層にトレンチを形成する工程、
前記トレンチの底部に不純物を拡散させて第3の第2導電型半導体領域を形成する工程、
前記トレンチの側部に沿って前記トレンチの内側に絶縁膜を形成する工程、
前記絶縁膜の内側に第1の電極を形成する工程、
前記第1の電極の内側に層間絶縁膜を形成する工程、
前記層間絶縁膜を貫通して前記トレンチの底部に半導体を露出させる工程、
前記第3の第2導電型半導体領域内の前記トレンチの底部に第1の第2導電型半導体領域を形成する工程、
前記層間絶縁膜の内側に、前記トレンチの底部で前記第1の第2導電型半導体領域に接続する埋め込み電極を形成する工程、
前記トレンチに隣接して、前記第1導電型不純物層の表面層に第2の第2導電型半導体領域を形成する工程、
前記埋め込み電極に接続する第2の電極および前記第2の第2導電型半導体領域に接続する第3の電極を形成する工程、
を順に行い、
前記第1の第2導電型半導体領域がドレイン領域であり、前記第2の第2導電型半導体領域がソース領域であり、前記第3の第2導電型半導体領域が拡張ドレイン領域であり、前記第1の電極がゲート電極であり、前記トレンチ内の前記埋め込み電極を介して前記第1の第2導電型半導体領域に対する電気的な接続を行う横型の電界効果トランジスタを製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の上に、エピタキシャル成長によって第1の第1導電型不純物層を成長させる工程、
前記第1の第1導電型不純物層に第3のトレンチを形成する工程、
前記第3のトレンチの内部に、エピタキシャル成長によって第2導電型不純物層を成長させる工程、
前記第1の第1導電型不純物層および前記第2導電型不純物層の上に、エピタキシャル成長によって第2の第1導電型不純物層を成長させる工程、
前記第3のトレンチよりも狭い幅で前記第2の第1導電型不純物層を貫通する第1のトレンチを形成する工程、
前記第1のトレンチの側部に沿って前記第1のトレンチの内側に絶縁膜を形成する工程、
前記絶縁膜の内側に第1の電極を形成する工程、
前記第1の電極の内側に層間絶縁膜を形成する工程、
前記層間絶縁膜を貫通して前記第1のトレンチの底部に半導体を露出させる工程、
前記第2導電型不純物層内の前記第1のトレンチの底部に第1の第2導電型半導体領域を形成する工程、
前記層間絶縁膜の内側に、前記第1のトレンチの底部で前記第1の第2導電型半導体領域に接続する埋め込み電極を形成する工程、
前記第1のトレンチに隣接して、前記第2の第1導電型不純物層の表面層に第2の第2導電型半導体領域を形成する工程、
前記埋め込み電極に接続する第2の電極および前記第2の第2導電型半導体領域に接続する第3の電極を形成する工程、
を順に行い、
前記第1の第2導電型半導体領域がドレイン領域であり、前記第2の第2導電型半導体領域がソース領域であり、前記第2導電型不純物層が拡張ドレイン領域であり、前記第1の電極がゲート電極であり、前記第1のトレンチ内の前記埋め込み電極を介して前記第1の第2導電型半導体領域に対する電気的な接続を行う横型の電界効果トランジスタを製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板の導電型は、第1導電型であることを特徴とする請求項10または11に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の導電型は、第2導電型であることを特徴とする請求項10または11に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の上に、エピタキシャル成長によって第1導電型不純物層を成長させる工程、
前記第1導電型不純物層の上に、エピタキシャル成長によって第2導電型不純物層を成長させる工程、
前記第2導電型不純物層を貫通するトレンチを形成する工程、
前記トレンチの側部に沿って前記トレンチの内側に絶縁膜を形成する工程、
前記絶縁膜の内側に第1の電極を形成する工程、
前記トレンチの底部に第2の第2導電型半導体領域を形成する工程、
前記第1の電極の内側に層間絶縁膜を形成する工程、
前記層間絶縁膜を貫通して前記トレンチの底部に前記第2の第2導電型半導体領域を露出させる工程、
前記層間絶縁膜の内側に、前記トレンチの底部で前記第2の第2導電型半導体領域に接続する埋め込み電極を形成する工程、
前記トレンチの外側に第1の第2導電型半導体領域を形成する工程、
前記第1の第2導電型半導体領域に接続する第2の電極および前記埋め込み電極に接続する第3の電極を形成する工程、
を順に行い、
前記第1の第2導電型半導体領域がドレイン領域であり、前記第2の第2導電型半導体領域がソース領域であり、前記第2導電型不純物層が拡張ドレイン領域であり、前記第1の電極がゲート電極であり、前記トレンチ内の前記埋め込み電極を介して前記第2の第2導電型半導体領域に対する電気的な接続を行う横型の電界効果トランジスタを製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の上に、エピタキシャル成長によって第1の第1導電型不純物層を成長させる工程、
前記第1の第1導電型不純物層に第3のトレンチを形成する工程、
前記第3のトレンチの内部に、エピタキシャル成長によって第2の第1導電型不純物層を成長させる工程、
前記第1の第1導電型不純物層および前記第2の第1導電型不純物層の上に、エピタキシャル成長によって第2導電型不純物層を成長させる工程、
前記第3のトレンチよりも狭い幅で前記第2導電型不純物層を貫通する第1のトレンチを形成する工程、
前記第1のトレンチの側部に沿って前記第1のトレンチの内側に絶縁膜を形成する工程、
前記絶縁膜の内側に第1の電極を形成する工程、
前記第1のトレンチの底部に第2の第2導電型半導体領域を形成する工程、
前記第1の電極の内側に層間絶縁膜を形成する工程、
前記層間絶縁膜を貫通して前記第1のトレンチの底部に前記第2の第2導電型半導体領域を露出させる工程、
前記層間絶縁膜の内側に、前記第1のトレンチの底部で前記第2の第2導電型半導体領域に接続する埋め込み電極を形成する工程、
前記第1のトレンチの外側に第1の第2導電型半導体領域を形成する工程、
前記第1の第2導電型半導体領域に接続する第2の電極および前記埋め込み電極に接続する第3の電極を形成する工程、
を順に行い、
前記第1の第2導電型半導体領域がドレイン領域であり、前記第2の第2導電型半導体領域がソース領域であり、前記第2導電型不純物層が拡張ドレイン領域であり、前記第1の電極がゲート電極であり、前記第1のトレンチ内の前記埋め込み電極を介して前記第2の第2導電型半導体領域に対する電気的な接続を行う横型の電界効果トランジスタを製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の上に、エピタキシャル成長によって第1導電型不純物層を成長させる工程、
前記第1導電型不純物層に第1のトレンチを形成する工程、
前記第1のトレンチの底部に不純物を拡散させて第3の第2導電型半導体領域を形成する工程、
前記第1のトレンチの側部に沿って前記第1のトレンチの内側に絶縁膜を形成する工程、
前記第1のトレンチの側壁にマスク絶縁膜を形成する工程、
前記第1のトレンチの底部に第2のトレンチを前記第3の第2導電型半導体領域よりも浅く形成する工程、
前記第2のトレンチの底部に前記絶縁膜よりも厚い第2の層間絶縁膜を形成する工程、
前記マスク絶縁膜を除去する工程、
前記絶縁膜の内側に第1の電極を形成する工程、
前記第1の電極の内側に第1の層間絶縁膜を形成する工程、
前記第1の層間絶縁膜および前記第2の層間絶縁膜を貫通して前記第2のトレンチの底部に半導体を露出させる工程、
前記第3の第2導電型半導体領域内の前記第2のトレンチの底部に第1の第2導電型半導体領域を形成する工程、
前記第1の層間絶縁膜および前記第2の層間絶縁膜の内側に、前記第2のトレンチの底部で前記第1の第2導電型半導体領域に接続する埋め込み電極を形成する工程、
前記第1のトレンチに隣接して、前記第1導電型不純物層の表面層に第2の第2導電型半導体領域を形成する工程、
前記埋め込み電極に接続する第2の電極および前記第2の第2導電型半導体領域に接続する第3の電極を形成する工程、
を順に行い、
前記第1の第2導電型半導体領域がドレイン領域であり、前記第2の第2導電型半導体領域がソース領域であり、前記第3の第2導電型半導体領域が拡張ドレイン領域であり、前記第1の電極がゲート電極であり、前記第1のトレンチおよび前記第2のトレンチ内に形成された前記埋め込み電極を介して前記第1の第2導電型半導体領域に対する電気的な接続を行う横型の電界効果トランジスタを製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の上に、エピタキシャル成長によって第1の第1導電型不純物層を成長させる工程、
前記第1の第1導電型不純物層に第3のトレンチを形成する工程、
前記第3のトレンチの内部に、エピタキシャル成長によって第2導電型不純物層を成長させる工程、
前記第1の第1導電型不純物層および前記第2導電型不純物層の上に、エピタキシャル成長によって第2の第1導電型不純物層を成長させる工程、
前記第3のトレンチよりも狭い幅で前記第2の第1導電型不純物層を貫通する第1のトレンチを形成する工程、
前記第1のトレンチの側部に沿って前記第1のトレンチの内側に絶縁膜を形成する工程、
前記第1のトレンチの側壁にマスク絶縁膜を形成する工程、
前記第1のトレンチの底部に前記第1のトレンチよりも狭い幅の第2のトレンチを形成する工程、
前記第2のトレンチの底部に前記絶縁膜よりも厚い第2の層間絶縁膜を形成する工程、
前記マスク絶縁膜を除去する工程、
前記絶縁膜の内側に第1の電極を形成する工程、
前記第1の電極の内側に第1の層間絶縁膜を形成する工程、
前記第1の層間絶縁膜および前記第2の層間絶縁膜を貫通して前記第2のトレンチの底部に半導体を露出させる工程、
前記第2導電型不純物層内の前記第2のトレンチの底部に第1の第2導電型半導体領域を形成する工程、
前記第1の層間絶縁膜および前記第2の層間絶縁膜の内側に、前記第2のトレンチの底部で前記第1の第2導電型半導体領域に接続する埋め込み電極を形成する工程、
前記第1のトレンチに隣接して、前記第2の第1導電型不純物層の表面層に第2の第2導電型半導体領域を形成する工程、
前記埋め込み電極に接続する第2の電極および前記第2の第2導電型半導体領域に接続する第3の電極を形成する工程、
を順に行い、
前記第1の第2導電型半導体領域がドレイン領域であり、前記第2の第2導電型半導体領域がソース領域であり、前記第2導電型不純物層が拡張ドレイン領域であり、前記第1の電極がゲート電極であり、前記第1のトレンチおよび前記第2のトレンチ内に形成された前記埋め込み電極を介して前記第1の第2導電型半導体領域に対する電気的な接続を行う横型の電界効果トランジスタを製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の上に、エピタキシャル成長によって第1導電型不純物層を成長させる工程、
前記第1導電型不純物層の上に、エピタキシャル成長によって第2導電型不純物層を成長させる工程、
前記第2導電型不純物層に第2のトレンチを前記第2導電型不純物層よりも浅く形成する工程、
前記第2のトレンチの側壁に第2の層間絶縁膜を形成する工程、
前記第2の層間絶縁膜をマスクとして前記第2のトレンチの底部に前記第2のトレンチよりも狭い幅で前記第2導電型不純物層を貫通する第1のトレンチを形成する工程、
前記第1のトレンチの側部に沿って前記第1のトレンチの内側に絶縁膜を形成する工程、
前記第2の層間絶縁膜および前記絶縁膜の内側に第1の電極を形成する工程、
前記第1の電極の内側に第1の層間絶縁膜を形成する工程、
前記第1の層間絶縁膜を貫通して前記第1のトレンチの底部に半導体を露出させる工程、
前記第1のトレンチの底部に第2の第2導電型半導体領域を形成する工程、
前記第1の層間絶縁膜の内側に、前記第1のトレンチの底部で前記第2の第2導電型半導体領域に接続する埋め込み電極を形成する工程、
前記第1のトレンチの外側に第1の第2導電型半導体領域を形成する工程、
前記第1の第2導電型半導体領域に接続する第2の電極および前記埋め込み電極に接続する第3の電極を形成する工程、
を順に行い、
前記第1の第2導電型半導体領域がドレイン領域であり、前記第2の第2導電型半導体領域がソース領域であり、前記第2導電型不純物層が拡張ドレイン領域であり、前記第1の電極がゲート電極であり、前記第1のトレンチ内の前記埋め込み電極を介して前記第2の第2導電型半導体領域に対する電気的な接続を行う横型の電界効果トランジスタを製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板の導電型は、第1導電型であることを特徴とする請求項14〜18のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の導電型は、第2導電型であることを特徴とする請求項14〜18のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004295459A JP4997694B2 (ja) | 2004-10-07 | 2004-10-07 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004295459A JP4997694B2 (ja) | 2004-10-07 | 2004-10-07 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006108514A JP2006108514A (ja) | 2006-04-20 |
JP4997694B2 true JP4997694B2 (ja) | 2012-08-08 |
Family
ID=36377853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004295459A Expired - Fee Related JP4997694B2 (ja) | 2004-10-07 | 2004-10-07 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4997694B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008130896A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
JP5159365B2 (ja) * | 2008-02-26 | 2013-03-06 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009206268A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4577592B2 (ja) | 2009-04-20 | 2010-11-10 | 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10438836B2 (en) | 2011-11-09 | 2019-10-08 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
US8759178B2 (en) | 2011-11-09 | 2014-06-24 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
US8829601B2 (en) | 2012-05-17 | 2014-09-09 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Semiconductor device |
US9166043B2 (en) | 2012-05-17 | 2015-10-20 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Semiconductor device |
US9012981B2 (en) | 2012-05-17 | 2015-04-21 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Semiconductor device |
US8877578B2 (en) | 2012-05-18 | 2014-11-04 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Method for producing semiconductor device and semiconductor device |
US8697511B2 (en) | 2012-05-18 | 2014-04-15 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Method for producing semiconductor device and semiconductor device |
JP2014216572A (ja) | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP7379117B2 (ja) * | 2019-11-27 | 2023-11-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び光電変換システム |
CN116417347A (zh) * | 2021-12-31 | 2023-07-11 | 无锡华润上华科技有限公司 | 具有结型场板的dmos器件及其制造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09237897A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-09-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置 |
AU3716000A (en) * | 1999-03-01 | 2000-09-21 | General Semiconductor, Inc. | Trench dmos transistor structure having a low resistance path to a drain contactlocated on an upper surface |
JP2002184980A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-06-28 | Fuji Electric Co Ltd | トレンチ型ラテラルmosfetおよびその製造方法 |
JP4764975B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2011-09-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4487481B2 (ja) * | 2002-01-16 | 2010-06-23 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4961658B2 (ja) * | 2003-02-17 | 2012-06-27 | 富士電機株式会社 | 双方向素子および半導体装置 |
JP4374866B2 (ja) * | 2003-02-18 | 2009-12-02 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2006041308A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
-
2004
- 2004-10-07 JP JP2004295459A patent/JP4997694B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006108514A (ja) | 2006-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6858500B2 (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
JP4797265B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US9385202B2 (en) | Semiconductor device having a patterned gate dielectric | |
US10032766B2 (en) | VDMOS transistors, BCD devices including VDMOS transistors, and methods for fabricating integrated circuits with such devices | |
US9276107B2 (en) | Semiconductor device having buried gate electrode structures | |
JP2002033484A (ja) | 半導体装置 | |
TWI488297B (zh) | 元件與其形成方法 | |
JP2001274398A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4997694B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20050056890A1 (en) | Offset-gate-type semiconductor device | |
JP4720307B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20100079573A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JPH11238877A (ja) | 縦型misfet及びその製造方法 | |
US7705399B2 (en) | Semiconductor device with field insulation film formed therein | |
US7897464B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
JP3827954B2 (ja) | Pn分離層をもつigbt | |
JP2008103378A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP4487481B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US8598651B2 (en) | Semiconductor device with transistor having gate insulating film with various thicknesses and manufacturing method thereof | |
JP4461676B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2004363302A (ja) | Mosfet | |
KR20130045104A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
JP2004134666A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
JP5092285B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2004253470A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070914 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080204 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080204 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090821 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20091112 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20091112 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091112 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110422 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110726 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110926 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120417 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120430 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150525 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |