JP4461676B2

JP4461676B2 - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP4461676B2
Application number: JP2002366105A
Authority: JP
Inventors: 勝也田淵; 直人藤島; 睦美北村; 祥夫杉
Original assignee: Fuji Electric Systems Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2001-12-18
Filing date: 2002-12-18
Publication date: 2010-05-12
Anticipated expiration: 2022-12-18
Also published as: JP2003249650A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にスイッチング電源用ＩＣ、自動車パワー系駆動用ＩＣ、フラットパネルディスプレー駆動用ＩＣなど、高耐圧で大電流を制御する集積回路に適する低オン抵抗のパワーＭＯＳＦＥＴ（絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）、たとえば半導体基板表面を掘り下げたトレンチ内にゲート電極を設けたトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴに適用して好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
携帯機器の急速な普及や通信技術の高度化などに伴い、パワーＭＯＳＦＥＴを内蔵したパワーＩＣの重要性が高まっている。横型パワーＭＯＳＦＥＴを制御回路に集積したパワーＩＣでは、パワーＭＯＳＦＥＴ単体を制御駆動回路と組み合わせた従来の構成に対し、小型化、低消費電力化、高信頼性化および低コスト化などが期待される。そのため、ＣＭＯＳプロセスをベースにした高性能横型パワーＭＯＳＦＥＴの開発が活発におこなわれている。
ところで、デバイスピッチを縮小して集積度を高めるための技術として、トレンチ構造のＭＯＳＦＥＴが知られている。本発明者は、トレンチ構造を適用した横型パワーＭＯＳＦＥＴ（以下、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴとする）について提案している（例えば、非特許文献１参照。）。図３１〜図３３はこのトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの構造を示す図であり、図３１は平面図である。図３２は、ＭＯＳＦＥＴとして電流を駆動する領域（本明細書では活性領域とする）の構造を示し、図３１のＡ−Ａにおける断面図である。図３３は、基板表面にゲートポリシリコンを引き出す領域（本明細書ではゲート領域とする）の構造を示し、図３１のＢ−Ｂにおける断面図である。
【０００３】
このＭＯＳＦＥＴ２０２は、ｐ^-基板２０に形成されたトレンチ２１の内周面に沿ってゲート酸化膜２２が形成され、その内側にゲートポリシリコン２３が形成され、さらにトレンチ２１の底およびトレンチ２１の外周にそれぞれドレイン領域となるｎ⁺拡散領域２９およびソース領域となるｎ⁺拡散領域２７が形成された構成となっている。ｎ⁺拡散領域２９（ドレイン領域）は、トレンチ２１の下半部を包囲するｎ^-拡散領域２８（ｎ-ドレイン領域）により囲まれており、さらにそのｎ^-拡散領域２８はｐボディとなるｐ^-拡散領域３１により囲まれている。
ｎ⁺拡散領域２７（ソース領域）の外側にはｐ⁺拡散領域３２が設けられており、下側にはｐベース領域３３が形成されている。また、耐圧を確保するための厚い酸化膜３４がトレンチ２１内の下半部に設けられている。図３１〜図３３において、符号２４はソース電極であり、符号２５はドレイン電極であり、符号２６は層間酸化膜であり、符号３５はゲート電極であり、符号３６および符号３７はともにコンタクト部であり、符号３８はｎ⁺拡散領域であり、符号３９および符号４０はともに層間酸化膜である。このトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ２０２によれば、８０Ｖの耐圧で単位面積当たりのオン抵抗は８０ｍΩ・ｍｍ²である。また、デバイスピッチは４μｍであり、これは従来の耐圧８０Ｖ用の横型パワーＭＯＳＦＥＴのデバイスピッチの約半分である。
【０００４】
【非特許文献】
ＩＥＤＭ ’９７Ｄｉｇｅｓｔ、Ｐ．３５９〜３６２）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
耐圧が８０Ｖよりも低いたとえば３０Ｖの横型パワーＭＯＳＦＥＴにおいても、デバイスピッチを縮小するためにはトレンチ構造を適用することが望ましい。しかしながら、図３１〜図３３に示すトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ２０２は８０Ｖの耐圧に適した構造のものであるため、これをそのまま８０Ｖよりも低い耐圧用に適用するとつぎのような不具合がある。すなわち、耐圧が８０Ｖよりも低いと耐圧確保用の酸化膜３４の厚さは耐圧８０Ｖ用に比べて薄くてもよい。つまり、この酸化膜３４の厚さを、８０Ｖよりも低い耐圧に対して必要十分な厚さにすれば、さらに全体のサイズを小さくすることが可能となる。それにもかかわらず、耐圧８０Ｖ用の構造を適用すると、耐圧確保用の酸化膜３４の厚さを最適化した場合よりも素子全体のサイズが大きくなってしまうため、素子周辺の配線抵抗等が大きくなるなどの特性上の不具合が生じる。
【０００６】
また、ゲート面積も耐圧確保用の酸化膜３４の厚さを最適化した場合よりも大きくなり過ぎるため、寄生ゲート容量が大きくなり、駆動ロスが増えてしまう。また、上述したトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ２０２を製造する際には、一旦浅いトレンチを掘り、そのトレンチの側面を窒化膜で保護した後、さらに深くトレンチを掘って熱酸化をおこない、耐圧確保用の厚い酸化膜３４を形成するため、製造プロセスが複雑であり、歩留りの低下を招くおそれがある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、従来の耐圧８０Ｖ用のトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴよりも簡素なプロセス工程で製造可能であり、かつ従来の８０Ｖよりも低い耐圧用の横型パワーＭＯＳＦＥＴよりもデバイスピッチが小さくて単位面積当たりのオン抵抗が小さい８０Ｖよりも低い耐圧用に最適化したトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴよりなる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、同一基板上にトレンチＭＯＳＦＥＴとプレーナーＭＯＳＦＥＴとを集積した半導体装置の場合には、トレンチの底部の選択酸化工程と、素子分離のための選択酸化工程とを共通化する。
【０００８】
この発明によれば、トレンチの側部にＭＯＳＦＥＴが自己整合的に形成されるため、トレンチ底面での選択酸化工程を除いてはマスク合わせ精度が不要となり、デバイスピッチが小さくなる。また、従来の耐圧８０Ｖ用のトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴのように高耐圧を確保するための厚い酸化膜が不要であるため、ゲート面積や素子サイズが小さくなる。また、製造プロセスにおいてトレンチエッチングの回数が１回となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下においては第１導電体をｐ型とし、第２導電体をｎ型として説明するが、本発明はその逆の場合にも適用可能である。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの要部を示す平面図である。このトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１は、図１に示すように、ｐ型基板５０にストライプ状に複数のトレンチ５１を形成し、それらトレンチ５１を横断するようにゲートポリシリコン５２を形成し、基板表面にゲート電極５３、櫛歯状のソース電極５４および櫛歯状のドレイン電極５５を形成した構成となっている。
【００１０】
ゲートポリシリコン５２はコンタクト部５６を介してゲート電極５３に電気的に接続されている。ドレイン電極５５は、図１において図示省略するが、コンタクト部を介してトレンチ５１内のポリシリコンに電気的に接続されている。そのポリシリコンはトレンチ５１の底のドレイン領域となるｎ⁺拡散領域５８に電気的に接続されている。また、ソース電極５４はコンタクト部５７を介してソース領域となるｎ⁺拡散領域６１に電気的に接続されている。図１において、基板表面部分の、トレンチ５１以外の領域はｐベース領域である。また、基板表面部分の、ｐ⁺拡散領域４１とトレンチ５１を除く領域がｎ⁺拡散領域６２となっている。
【００１１】
つぎに、ＭＯＳＦＥＴとして電流を駆動する活性領域における断面構造について説明する。図２は、図１のＣ−Ｃにおける縦断面図であり、活性領域における構成を示している。ゲート絶縁膜となるゲート酸化膜５９はトレンチ５１の側面に沿ってほぼ均一な厚さで形成されている。このゲート酸化膜５９はトレンチ５１の底面も被覆しており、トレンチ５１の底面ではトレンチ５１の側面の厚さよりも厚くなっている。図２において符号８３はこの底面部分の厚いゲート酸化膜である。第１の導電体であるゲートポリシリコン５２は、ゲート酸化膜５９の内側に沿ってトレンチ５１のほぼ上下にわたって形成されている。このゲートポリシリコン５２は、図３に関連して後述するゲート領域まで延びている。
【００１２】
トレンチ５１の下半部の外側領域は、ｎ型のドリフト領域となるｎ拡散領域６０である。そのｎ拡散領域６０内において、トレンチ５１の底の中央部にドレイン領域となるｎ⁺拡散領域５８が設けられている。ｎ⁺拡散領域５８（ドレイン領域）は、トレンチ５１内に設けられた第２の導電体であるドレインポリシリコン６３を介してドレイン電極５５に電気的に接続されている。このドレインポリシリコン６３は、トレンチ５１内において層間絶縁膜である層間酸化膜６５によりゲートポリシリコン５２から絶縁されている。
また、トレンチ５１の上半部の外側領域はｐベース領域６２であり、そのｐベース領域６２上の基板表面領域にソース領域となるｎ⁺拡散領域６１が形成されている。ｎ⁺拡散領域６１（ソース領域）は、基板表面に形成されたソース電極５４に電気的に接続されている。ｐベース領域６２は、平面的に別な場所のｎ⁺拡散領域６１のない部分でｐ⁺拡散領域４１を介してソース電極５４に電気的に接続されている。図２において、符号６６は層間酸化膜（層間絶縁膜）である。
【００１３】
つぎに、基板表面にゲートポリシリコン５２を引き出すゲート領域における断面構造について説明する。図３は、図１のＤ−Ｄにおける縦断面図であり、ゲート領域における構成を示している。トレンチ５１の外側領域は前記ｎ拡散領域６０となっている。ゲート酸化膜５９はトレンチ５１の側面および底面に沿って形成されている。また、ゲート酸化膜５９は基板表面も被覆している。図３では、ゲート酸化膜５９はトレンチ５１の側面および底面に沿って均一な厚さで形成されているが、図２に示す活性領域の構成と同様に、ゲート酸化膜５９の、トレンチ５１の底面を覆う部分がトレンチ側面の部分よりも厚く形成されていてもよい。ゲートポリシリコン５２は、基板表面およびトレンチ５１内面に沿ってゲート酸化膜５９の表面上に形成されている。
【００１４】
ゲートポリシリコン５２の表面上には、ゲートポリシリコン５２に沿って層間酸化膜６７が積層されている。トレンチ５１内の、その層間酸化膜６７に挟まれた部分には前記層間酸化膜６５を介して前記ドレインポリシリコン６３が設けられている。ドレインポリシリコン６３上のドレイン電極５５とゲート電極５３との間には、層間酸化膜６６が形成されている。
上述した構成のゲート領域および活性領域が同一素子に存在する。ここで、特に限定しないが、各部の寸法および不純物の表面濃度はつぎのとおりである。たとえばトレンチ５１について、その深さは２μｍであり、その幅は３μｍである。トレンチ５１のピッチはたとえば３μｍであり、この３μｍ幅のトレンチ５１間の基板表面領域に前記ｐベース領域６２およびソース領域となる前記ｎ⁺拡散領域６１が形成される。ｐベース領域６２の拡散深さはたとえば１μｍであり、表面濃度はたとえば１×１０¹⁸ｃｍ^-3である。また、前記ｎ⁺拡散領域５８（ドレイン領域）および前記ｎ⁺拡散領域６１（ソース領域）について、それぞれたとえば拡散深さは０．２μｍであり、表面濃度は１×１０²⁰ｃｍ^-3である。また、たとえば前記ｎ拡散領域６０（ドリフト領域）の拡散深さは２μｍであり、表面濃度は２×１０¹⁶ｃｍ^-3である。
【００１５】
ゲート酸化膜５９の厚さはトレンチ５１の側面ではたとえば０．０２μｍである。トレンチ５１の底面でのゲート酸化膜８３の厚さは、ゲートポリシリコン５２の下側においてドレイン電極となるドレインポリシリコン６３に向かって連続的に厚くなる。そして、ゲートポリシリコン５２の下側でドレインポリシリコン６３に最も近い箇所でのゲート酸化膜８３の厚さをｔ１（図２参照）とすれば、ｔ１はたとえば０．２２μｍである。また、ゲートポリシリコン５２の厚さをｔｐ（図２参照）とすれば、ｔｐはたとえば０．３μｍである。
つぎに、実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１の製造プロセスについて説明する。図４〜図１４はトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１の製造段階における要部を示す縦断面図であるが、これらの図においては１個のトレンチ５１についてのみ示す。まず、たとえば比抵抗１２Ωｃｍのｐ型基板５０の表面にたとえば厚さ１μｍのマスク酸化膜７１を成長させる。そのマスク酸化膜７１の一部を選択的に除去してトレンチ形成部を開口させる。そのパターニングされたマスク酸化膜７１をマスクとしてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により、たとえば開口幅３μｍのトレンチ５１をたとえば３μｍ間隔で複数形成する。そして、斜めイオン注入により、基板５０の、トレンチ５１の側面および底面の部分にドリフト領域となるｎ拡散領域６０を形成する（図４）。
【００１６】
マスク酸化膜７１を除去した後、バッファー酸化膜８１をたとえば０．０３μｍの厚さで形成し、その上にたとえば厚さ０．１５μｍの窒化膜８２を堆積する。その後、フォトレジストを塗布し、露光、現像により、フォトレジストの、活性領域のトレンチ５１の底面部分の一部を選択的に除去してレジストマスクを形成する。このレジストマスクを用いて窒化膜８２の、活性領域のトレンチ５１の底面部分の一部を選択的に除去する。その際、ゲート領域のトレンチ５１の底面の窒化膜を同時に除去してもよい。そして、残留したレジストマスクを除去する。この工程により、活性領域のトレンチ５１の底面部分の一部にバッファー酸化膜８１が露出する。このバッファー酸化膜８１の露出領域、すなわち活性領域のトレンチ５１の底面部分において窒化膜８２が除去された領域と、トレンチ底面の端部との距離をｔ２とすれば、ｔ２はたとえば０．５μｍ以上である（図５）。
【００１７】
つぎに、残留した窒化膜８２をマスクとしてたとえば１０００℃で熱酸化をおこない、窒化膜８２の開口部にたとえば厚さ０．６μｍの選択酸化膜を形成する。この選択酸化膜がトレンチ底面部分の厚いゲート酸化膜８３となる。つづいて、窒化膜８２とバッファー酸化膜８１を除去する（図６）。
つぎに、犠牲酸化によりトレンチ５１の側面を清浄化した後、トレンチ５１の側面および底面にたとえば厚さ０．０２μｍのゲート酸化膜５９を形成する。ゲート酸化膜５９は基板表面上に延びる。しかる後、ゲート酸化膜５９上にたとえば厚さ０．３μｍのポリシリコン７２を堆積する。さらに、ポリシリコン７２上にたとえば厚さ０．４μｍの層間酸化膜６７を堆積する。その後、フォトレジストを塗布し、露光、現像によりゲート領域にのみ選択的にレジストマスク７３を形成する。活性領域のレジストは除去される。このレジストマスク７３を用いて層間酸化膜６７を選択的に除去する。この工程により、活性領域では層間酸化膜６７が除去されてポリシリコン７２が露出する（図７）。一方、ゲート領域では層間酸化膜６７およびレジストマスク７３はそのまま残る（図８）。
【００１８】
つづいて、残留したレジストマスク７３を除去し、ポリシリコン７２を異方性エッチングによりエッチバックする。この工程により、活性領域ではトレンチ５１の側面を除いてポリシリコン７２が除去され、トレンチ５１の側面にのみポリシリコン７２が残る。この残ったポリシリコン７２が活性領域におけるゲートポリシリコン５２となる。このエッチバック工程においては、活性領域に残ったポリシリコン７２の上端がトレンチ５１の表面、すなわち最初の基板表面よりも低くなるようにオーバーエッチングする。それによって、ポリシリコン７２の上端は、基板表面上のゲート酸化膜５９の上面よりもｔｏｖだけ低くなる（ｔｏｖ：オーバーエッチ量）。
【００１９】
つづいて、基板表面にイオン注入をおこなった後、ドライブ熱処理をおこなう。それによって、活性領域において、たとえば拡散深さ１μｍで表面濃度１×１０¹⁸ｃｍ^-3のｐベース領域６２と、たとえば拡散深さ０．２μｍで表面濃度１×１０²⁰ｃｍ^-3のｎ⁺拡散領域６１（ソース領域）と、たとえば拡散深さ０．２μｍで表面濃度１×１０²⁰ｃｍ^-3のｐ⁺拡散領域４１が形成される。ｎ⁺拡散領域６１とｐ⁺拡散領域４１とは、イオン注入時に適宜レジストマスクを用いて分けられる（図９）。一方、ゲート領域では層間酸化膜６７によりポリシリコン７２のエッチングが阻止されるので、ポリシリコン７２はそのままゲートポリシリコン５２として残る（図１０）。
【００２０】
つづいて、４００℃前後の雰囲気でのＬＰＣＶＤやＰ−ＴＥＯＳなどの成膜方法により層間酸化膜６５を積層する。このような成膜方法を用いることによって、トレンチ５１内における層間酸化膜６５の成長速度は、トレンチ５１の外、すなわち基板表面における層間酸化膜６５の成長速度の約５０％となる。したがって、層間酸化膜６５の、トレンチ５１の底面に堆積した部分の厚さは、基板表面における部分の厚さよりも薄くなる（図１１（活性領域）、図１２（ゲート領域））。
つづいて、フォトレジストを塗布し、露光、現像により、フォトレジストの、活性領域のトレンチ５１の底面部分の一部を除去してレジストマスクを形成する。このレジストマスクを用いて、層間酸化膜６５およびトレンチ底面部分の厚いゲート酸化膜８３の、活性領域のトレンチ５１の底面部分の一部を選択的に除去して、これら層間酸化膜６５およびゲート酸化膜８３を貫通するコンタクトホールを形成する。そして、残留したレジストマスクを除去する。つぎに、活性領域のトレンチ５１の底部に、イオン注入によりドレイン領域となるｎ⁺拡散領域５８を形成する（図１３（活性領域）、図１４（ゲート領域））。
【００２１】
なお、フォトリソグラフィ技術およびエッチングによって層間酸化膜６５の選択除去をおこなう代わりに、トレンチ底面部分の厚いゲート酸化膜８３、ゲートポリシリコン５２となるポリシリコン７２および層間酸化膜６５の膜厚の組み合わせによっては、層間酸化膜６５および厚いゲート酸化膜８３を自己整合的に除去して、コンタクトホールを開口することも可能である。
しかる後、ポリシリコンを堆積し、それをエッチバックしてトレンチ５１内をポリシリコン６３で埋め、その上全面に層間絶縁膜６６を形成する。その層間絶縁膜６６にコンタクトホールを開口し、メタルを堆積してゲート電極５３、ソース電極５４およびドレイン電極５５を形成する。以上のようにして、活性領域においては図２に示す断面構造を有し、かつゲート領域においては図３に示す断面構造を有するトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１ができあがる。
【００２２】
ここで、上述した３つのパラメータｔ１、ｔ２およびｔｐの組み合わせ変更した例を３つ挙げ、それぞれの図１のＣ−Ｃにおける縦断面構造を図１５〜図１７に示す。図１５に示す第１の例では、ｔ１＝０．１μｍ、ｔ２≧０．７μｍおよびｔｐ＝０．３μｍである。この第１の例では、図２に示す断面構造と同様に、トレンチ５１の底面でのゲート酸化膜８３は、ゲートポリシリコン５２の下側においてドレインポリシリコン６３に向かって連続的に厚くなる。
図１６に示す第２の例では、ｔ１＝０．０４μｍ、ｔ２≧０．９μｍおよびｔｐ＝０．３μｍである。この第２の例では、トレンチ５１の底面でのゲート酸化膜８３は、ゲートポリシリコン５２の下側の一部においてドレインポリシリコン６３に向かって連続的に厚くなる。
【００２３】
図１７に示す第３の例では、ｔ１＝０．０２μｍ、ｔ２≧１．０μｍおよびｔｐ＝０．３μｍである。この第３の例では、トレンチ５１の底面でのゲート酸化膜８３の厚さは、ゲートポリシリコン５２の下側において均一である。つまり、第３の例は、ゲート酸化膜８３はゲートポリシリコン５２の下側においてドレインポリシリコン６３に向かって厚くならない例である。
つぎに、上述した３つのパラメータｔ１、ｔ２およびｔｐの好適な範囲または相互の関係について考察した結果について説明する。図１８は、０．２μｍ≦ｔｐ≦０．７μｍおよび０．１８μｍ≦ｔ２≦１．４μｍの範囲でｔ１の値を調べた結果を示す特性図である。ここで、ｔ２の値を０．１８μｍ以上とした理由は、バッファー酸化膜８１の膜厚と窒化膜８２の膜厚との合計が０．１８μｍとなるからである。
【００２４】
図１８から明らかなように、ｔ２＝ｔｐ＋０．７μｍとなる条件でｔ１の値は０．０２μｍである。つまり、ゲートポリシリコン５２の下側でドレインポリシリコン６３に最も近い箇所でのゲート酸化膜８３の厚さｔ１は０．０２μｍである。一方、上述したように、ゲート酸化膜５９の、トレンチ５１の側面に沿う部分の厚さは０．０２μｍである。したがって、この条件（ｔ２＝ｔｐ＋０．７μｍ）では、ゲート酸化膜８３の、ゲートポリシリコン５２の下側でドレインポリシリコン６３に最も近い箇所での厚さは、トレンチ５１の側面に沿うゲート酸化膜５９の厚さと同じになる。
【００２５】
ｔ２＝ｔｐ＋０．６μｍとなる条件ではｔ１の値は０．０３μｍ以上である。また、ｔ２＝ｔｐ＋０．４μｍとなる条件ではｔ１の値は０．０７μｍ以上である。また、ｔ２＝ｔｐ＋０．２μｍとなる条件ではｔ１の値は０．１８μｍ以上である。つまり、ｔ２の値が０．１８μｍ≦ｔ２≦ｔｐ＋０．６μｍを満たせば、ゲートポリシリコン５２の下側でドレインポリシリコン６３に最も近い箇所でのゲート酸化膜８３の厚さは、ゲート酸化膜５９の、トレンチ５１の側面に沿う部分の厚さよりも厚くなる。
また、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの耐圧を調べたところ、ｔ２の値が、０．１８μｍ≦ｔ２≦ｔｐ＋０．２μｍのときの耐圧が最も高く、ついでｔｐ＋０．２μｍ≦ｔ２≦ｔｐ＋０．４μｍのときの耐圧が高く、そのつぎがｔｐ＋０．４μｍ≦ｔ２≦ｔｐ＋０．６μｍのときである。このように耐圧が向上する理由は、ドレインポリシリコン６３に近接するゲート酸化膜８３の膜厚が増加したことと、ゲート酸化膜８３を作製するための選択酸化をおこなう際にトレンチ５１の底面のトレンチコーナー部が丸くなったからである。また、上述したような順序で耐圧が高くなる理由は、ドレインポリシリコン６３に近接するゲート酸化膜８３の膜厚がこの順に厚くなるからである。
【００２６】
図１９は、実施の形態１のトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴのオン抵抗ＲｏｎＡおよび耐圧ＢＶと上記パラメータｔ１との関係を示す特性図である。ここで、ゲートポリシリコン５２の膜厚ｔｐを０．３μｍとした。オン抵抗はｔ１の値にかかわらずほぼ一定であり、おおよそ１３ｍΩ・ｍｍ²であった。オン抵抗がほぼ一定である理由は、ｐベース領域６２の、トレンチ側壁でのゲート酸化膜５９と向かい合うチャネル領域での抵抗が、オン抵抗の中で支配的であるからである。耐圧は、ｔ１の値がトレンチ側壁でのゲート酸化膜５９の膜厚と同じ（０．０２μｍ）であるときには１５Ｖであり、ｔ１の増加とともに高耐圧化し、ｔ１の値が０．３７μｍ以上では３０Ｖを超えた。
【００２７】
上述した実施の形態１によれば、トレンチ５１の側部にＭＯＳＦＥＴが自己整合的に形成されるため、トレンチ底面に厚いゲート酸化膜８３を形成するための選択酸化工程を除いてはマスク合わせ精度が不要となり、デバイスピッチを小さくすることができる。また、実施の形態１によれば、従来の耐圧８０Ｖ用のトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ（図３１〜図３３参照）のように高耐圧を確保するための厚い酸化膜をトレンチ側部に形成する必要がないので、この耐圧８０Ｖ用のトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴよりもゲート面積や素子サイズが小さくなる。したがって、従来の耐圧８０Ｖ用のトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴを耐圧３０Ｖ用に適用した場合に起こり得る配線抵抗等の増大や駆動ロスの増大という特性上の劣化を回避することができる。
【００２８】
また、実施の形態１によれば、基板と素子の間に生ずる寄生容量が小さくなり、かつゲート、ソースおよびドレインの配線長が短くなることによって寄生の配線抵抗が減る。そのため、スイッチング素子として高速化を実現でき、スイッチング損失が低減する。また、隣接素子へのノイズの影響を低減することができる。また、実施の形態１によれば、製造プロセスにおいてトレンチエッチングを１回だけおこなえばよいため、トレンチエッチングを２回おこなう従来の耐圧８０Ｖ用のトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴよりも簡素なプロセス工程で製造可能であり、歩留りの低下を防ぐことができる。
実施の形態２．
つぎに、実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴを、Ｐ型のプレーナーＭＯＳＦＥＴ（以下、ＰＭＯＳとする）およびＮ型のプレーナーＭＯＳＦＥＴ（以下、ＮＭＯＳとする）とともに同一基板上に集積した半導体装置について説明する。図２０は、この半導体装置の、ＭＯＳＦＥＴとして電流を駆動する活性領域における縦断面図である。図２０に示すように、この半導体装置は、同一のｐ型基板１５０上に、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１とＰＭＯＳ１０２とＮＭＯＳ１０３がそれぞれ１個以上ずつ作製された構成となっている。ただし、図２０にはそれぞれ１個ずつ示されている。トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１、ＰＭＯＳ１０２およびＮＭＯＳ１０３は素子分離用の選択酸化膜１９３により互いに分離されている。
【００２９】
まず、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１の構成について説明する。ｐ型基板１５０にはｐ型ウェル領域１１０が形成されており、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１はこのｐ型ウェル領域１１０内に形成されている。ゲート絶縁膜となるゲート酸化膜１５９はトレンチ１５１の側面に沿って均一な厚さで形成されている。このゲート酸化膜１５９はトレンチ１５１の底面のゲート酸化膜１８３と繋がっている。トレンチ底面のゲート酸化膜１８３はトレンチ側面のゲート酸化膜１５９よりも厚く形成されている。第１の導電体であるゲートポリシリコン１５２は、トレンチ側面のゲート酸化膜１５９の内側に沿ってトレンチ１５１のほぼ上下にわたって形成されている。
【００３０】
トレンチ１５１の下半部の外側領域は、ｎ型のドリフト領域となるｎ拡散領域１６０である。このｎ拡散領域１６０の外側は前記ｐ型ウェル領域１１０である。なお、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１がｐ型ウェル領域１１０内ではなく、ＰＭＯＳ１０２の後述するｎ型ウェル領域１２０の外側のｐ型の部分に形成された構成となっていてもよい。ｎ拡散領域１６０内において、トレンチ１５１の底の中央部にはドレイン領域となるｎ⁺拡散領域１５８が設けられている。ｎ⁺拡散領域１５８（ドレイン領域）は、ゲートポリシリコン１５２の内側に層間絶縁膜である層間酸化膜１６５を介して設けられた第２の導電体であるドレインポリシリコン１６３に接続されている。ドレインポリシリコン１６３はドレイン電極１５５に接続されている。層間酸化膜１６５は基板表面を覆っており、さらにその上には層間酸化膜１６６が積層されている。
【００３１】
トレンチ１５１の上半部の外側領域はｐベース領域１６２であり、そのｐベース領域１６２上の基板表面領域にソース領域となるｎ⁺拡散領域１６１が形成されている。ｎ⁺拡散領域１６１（ソース領域）は、基板表面に形成されたソース電極１５４に電気的に接続されている。ｐベース領域１６２は、平面的に別な場所のｎ⁺拡散領域１６１のない部分でソース電極１５４に電気的に接続されている。トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１のゲート領域の縦断面構造は、実施の形態１の図３に示す構成と同様である。したがって、ゲート領域の構造については説明を省略する。トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１では、同一素子内に上述した構成の活性領域およびゲート領域が存在する。
【００３２】
つぎに、ＰＭＯＳ１０２の構成について説明する。ＰＭＯＳ１０２は、ｐ型基板１５０に設けられたｎ型ウェル領域１２０内に形成されている。ゲート絶縁膜となるゲート酸化膜１２９は、ソース領域またはドレイン領域（以下、ソース／ドレイン領域とする）となるｐ⁺拡散領域１２１，１２１およびその間のチャネル領域の上に、２つのｐ⁺拡散領域１２１，１２１とオーバーラップした状態で形成されている。ゲート酸化膜１２９の上には第１の導電体であるゲートポリシリコン１２５が形成されている。ゲートポリシリコン１２５はゲート電極１２３に電気的に接続されている。
【００３３】
各ｐ⁺拡散領域１２１の上にはソース電極またはドレイン電極となるソース／ドレイン電極１２４が形成されており、それぞれｐ⁺拡散領域１２１と電気的に接続されている。ゲート電極１２３と各ソース／ドレイン電極１２４は前記層間酸化膜１６５，１６６によって電気的に絶縁されている。図２０に示す例では、ｎ型ウェル領域１２０は選択酸化膜１９３の下側でｐ型ウェル領域１１０に接している。ただし、ｐ型ウェル領域１１０がない場合には、ｎ型ウェル領域１２０は選択酸化膜１９３の下側で終端となっている。
つぎに、ＮＭＯＳ１０３の構成について説明する。ＮＭＯＳ１０３は、ｐ型ウェル領域１１０内に形成されている。ゲート絶縁膜となるゲート酸化膜１１９は、ソース／ドレイン領域となるｎ⁺拡散領域１１１，１１１およびその間のチャネル領域の上に、各ｎ⁺拡散領域１１１，１１１とオーバーラップした状態で形成されている。なお、ＮＭＯＳ１０３がｐ型ウェル領域１１０内ではなく、ＰＭＯＳ１０２のｎ型ウェル領域１２０の外側のｐ型の部分に形成された構成となっていてもよい。
【００３４】
ゲート酸化膜１１９の上には第１の導電体であるゲートポリシリコン１１５が形成されている。ゲートポリシリコン１１５はゲート電極１１３に電気的に接続されている。ソース電極またはドレイン電極となるソース／ドレイン電極１１４はｎ⁺拡散領域１１１に電気的に接続されている。ゲート電極１１３と各ソース／ドレイン電極１１４は前記層間酸化膜１６５，１６６によって電気的に絶縁されている。
ここで、特に限定しないが、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１の各部の寸法および不純物の表面濃度はつぎのとおりである。たとえばトレンチ１５１について、その深さは２μｍであり、その幅は３μｍである。トレンチ１５１のピッチはたとえば３μｍであり、この３μｍ幅のトレンチ１５１間の基板表面領域に前記ｐベース領域１６２およびソース領域となる前記ｎ⁺拡散領域１６１が形成される。ｐベース領域１６２の拡散深さはたとえば１μｍであり、表面濃度はたとえば１×１０¹⁸ｃｍ^-3である。また、前記ｎ⁺拡散領域１５８（ドレイン領域）および前記ｎ⁺拡散領域１６１（ソース領域）について、それぞれたとえば拡散深さは０．２μｍであり、表面濃度は１×１０²⁰ｃｍ^-3である。また、たとえば前記ｎ拡散領域１６０（ドリフト領域）の拡散深さは２μｍであり、表面濃度は２×１０¹⁶ｃｍ^-3である。
【００３５】
ｐ型ウェル領域１１０については、たとえば拡散深さは６μｍであり、表面濃度は１×１０¹⁷ｃｍ^-3である。ゲート酸化膜１５９の厚さはトレンチ１５１の側面ではたとえば０．０２μｍである。トレンチ１５１の底面でのゲート酸化膜１８３の厚さは、ゲートポリシリコン１５２の下側においてドレインポリシリコン１６３に向かって連続的に厚くなる。そして、ゲートポリシリコン１５２の下側でドレインポリシリコン１６３に最も近い箇所でのゲート酸化膜１８３の厚さはたとえば０．２２μｍである。また、ゲートポリシリコン１５２の厚さはたとえば０．３μｍである。
【００３６】
また、特に限定しないが、ＰＭＯＳ１０２の各部の寸法および不純物の表面濃度はつぎのとおりである。たとえば、ｎ型ウェル領域１２０の拡散深さは６μｍであり、表面濃度は１×１０¹⁷ｃｍ^-3である。ｐ+拡散領域１２１については、たとえば拡散深さは０．３μｍであり、表面濃度は１×１０²⁰ｃｍ^-3である。ゲート酸化膜１２９の厚さはたとえば０．０２μｍである。ゲートポリシリコン１２５の厚さはたとえば０．３μｍである。
また、特に限定しないが、ＮＭＯＳ１０３の各部の寸法および不純物の表面濃度はつぎのとおりである。ｐ型ウェル領域１１０の拡散深さおよび表面濃度は上述したとおりである。ｎ⁺拡散領域１１１については、たとえば拡散深さは０．３μｍであり、表面濃度は１×１０²⁰ｃｍ^-3である。ゲート酸化膜１１９の厚さはたとえば０．０２μｍである。ゲートポリシリコン１１５の厚さはたとえば０．３μｍである。素子分離用の選択酸化膜１９３の膜厚はたとえば０．６μｍである。
【００３７】
つぎに、実施の形態２にかかる半導体装置の製造プロセスについて説明する。図２１〜図３０は実施の形態２にかかる半導体装置の製造段階における要部を示す縦断面図であるが、これらの図においてはトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１、ＰＭＯＳ１０２およびＮＭＯＳ１０３をそれぞれ１個ずつ示す。
まず、たとえば比抵抗１２Ωｃｍのｐ型基板１５０の表面上にたとえば厚さ０．０３μｍのバッファー酸化膜を形成し、その上にたとえばＣＶＤ法により厚さ０．１５μｍの窒化膜を堆積する。さらにその上に、フォトレジストを塗布し、露光、現像をおこなってｎ型ウェル領域１２０を形成するためのレジストマスクを形成する。このレジストマスクを用いて、窒化膜の、ｎ型ウェル領域１２０の形成領域上の部分を選択的に除去する。レジストマスクを除去した後、残留した窒化膜をマスクとして、たとえばイオン注入法によりｐ型基板１５０に燐を導入する。
【００３８】
その後、拡散炉においてたとえば９００℃に加熱してｎ型ウェル領域１２０の形成領域部分を厚さ０．４μｍの酸化膜で覆い、それから残留した窒化膜を除去する。それによって、基板表面にｐ型ウェル領域１１０を形成するためのマスクが形成される。この酸化膜をマスクとして、たとえばイオン注入法によりｐ型基板１５０に硼素を導入する。つづいて、拡散炉においてたとえば１１００℃で熱処理をおこなう。これによって、ｐ型基板１５０にｐ型ウェル領域１１０およびｎ型ウェル領域１２０ができあがる。そして、イオン注入マスクとした酸化膜を除去する（図２１）。
【００３９】
つづいて、基板表面にたとえば厚さ０．４μｍのマスク酸化膜１７１をＣＶＤ法などにより成長させ、その一部を選択的に除去してｐ型ウェル領域１１０内にトレンチ形成部を開口させる。そのパターニングされたマスク酸化膜１７１をマスクとしてＲＩＥにより、たとえば開口幅３μｍのトレンチ１５１をたとえば３μｍ間隔で複数形成する。そして、斜めイオン注入により、基板１５０の、トレンチ１５１の側面および底面の部分にドリフト領域となるｎ拡散領域１６０を形成する（図２２）。
マスク酸化膜１７１を除去した後、バッファー酸化膜１８１をたとえば０．０３μｍの厚さで形成し、その上にたとえば厚さ０．１５μｍの窒化膜１８２を堆積する。その後、フォトレジストを塗布し、露光、現像により、フォトレジストの、活性領域のトレンチ１５１の底面部分の一部、およびｐ型ウェル領域１１０とｎ型ウェル領域１２０との境界部分を選択的に除去してレジストマスクを形成する。このレジストマスクを用いて窒化膜１８２の、活性領域のトレンチ１５１の底面部分の一部、およびｐ型ウェル領域１１０とｎ型ウェル領域１２０との境界部分を選択的に除去する。その際、ゲート領域のトレンチ１５１の底面の窒化膜を同時に除去してもよい。
【００４０】
そして、残留したレジストマスクを除去する。この工程により、活性領域のトレンチ１５１の底面部分の一部、およびｐ型ウェル領域１１０とｎ型ウェル領域１２０との境界部分にバッファー酸化膜１８１が露出する。ここで、活性領域のトレンチ１５１の底面部分において、窒化膜１８２が除去されてバッファー酸化膜１８１が露出した領域と、トレンチ底面の端部との距離ｔ２はたとえば０．５μｍ以上である。また、ｐ型ウェル領域１１０とｎ型ウェル領域１２０の境界を含む領域では、たとえば５μｍの幅で窒化膜１８２が除去されてバッファー酸化膜１８１が露出する（図２３）。
【００４１】
つぎに、残留した窒化膜１８２をマスクとしてたとえば１０００℃で熱酸化をおこない、窒化膜１８２の開口部を選択酸化する。これによって、トレンチ１５１の底面部分にたとえば厚さ０．６μｍのゲート酸化膜１８３が形成される。また、ｐ型ウェル領域１１０とｎ型ウェル領域１２０の境界部分に素子分離用の選択酸化膜１９３が形成される。つづいて、窒化膜１８２とバッファー酸化膜１８１を除去する（図２４）。
つぎに、犠牲酸化によりトレンチ１５１の側面および基板表面を清浄化した後、基板表面と、トレンチ１５１の側面および底面にたとえば厚さ０．０２μｍのゲート酸化膜１５９を形成する。しかる後、ゲート酸化膜１５９および素子分離用の選択酸化膜１９３上にたとえば厚さ０．３μｍのポリシリコン１７２を堆積する。さらにその上にフォトレジストを塗布し、露光、現像によりＰＭＯＳ１０２およびＮＭＯＳ１０３の各ゲート電極形成部分と、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１の形成領域にのみ選択的にレジストマスク１６８を形成する。（図２５）
このレジストマスク１６８を用いてポリシリコン１７２を異方性エッチングによりエッチバックする。この工程により、ＰＭＯＳ１０２およびＮＭＯＳ１０３の各形成領域において、ゲート電極となる部分を除いてポリシリコン１７２が除去され、ゲート電極にのみポリシリコン１７２が残る。この残ったポリシリコン１７２はＰＭＯＳ１０２のゲートポリシリコン１２５およびＮＭＯＳ１０３のゲートポリシリコン１１５となる（図２６）。
【００４２】
つづいて、レジストマスク１６８を除去する。このとき、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１の形成領域では、その表面にポリシリコン１７２が露出する。再度、フォトレジストを塗布し、露光、現像によりトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１の活性領域を除いて選択的にレジストマスク１７３を形成する。このレジストマスク１７３を用いて、ポリシリコン１７２を異方性エッチングによりエッチバックする。この工程により、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１の活性領域ではトレンチ１５１の側面を除いてポリシリコン１７２が除去され、トレンチ１５１の側面にのみポリシリコン１７２が残る。この残ったポリシリコン１７２が活性領域におけるゲートポリシリコン１５２となる。このエッチバック工程においては、活性領域に残ったポリシリコン１７２の上端がトレンチ１５１の表面、すなわち最初の基板表面よりも低くなるようにオーバーエッチングする。それによって、ポリシリコン１７２の上端は、基板表面上のゲート酸化膜１５９の上面よりも低くなる（図２７）。
【００４３】
つづいて、ｐベース領域１６２を形成するため、基板表面にたとえば硼素をイオン注入する。レジストマスク１７３を除去した後、再度フォトレジストの塗布、露光、現像によりＰＭＯＳ１０２の形成領域にのみ選択的にレジストマスクを形成し、たとえば砒素をイオン注入する。その後、レジストマスクを除去し、再度フォトレジストの塗布、露光、現像によりＰＭＯＳ１０２の形成領域のみが選択的に開口されたレジストマスクを形成する。そして、たとえばＢＦ₂をイオン注入し、レジストマスクを除去する。
つづいて、たとえば拡散炉にて８００℃のドライブ熱処理をおこなう。それによって、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１の活性領域において、たとえば拡散深さ１μｍで表面濃度１×１０¹⁸ｃｍ^-3のｐベース領域１６２と、たとえば拡散深さ０．２μｍで表面濃度１×１０²⁰ｃｍ^-3のｎ+拡散領域１６１（ソース領域）が形成される。また、ＰＭＯＳ１０２では、たとえば拡散深さ０．２μｍで表面濃度１×１０²⁰ｃｍ^-3のｐ⁺拡散領域１２１が形成される。一方、ＮＭＯＳ１０３では、たとえば拡散深さ０．２μｍで表面濃度１×１０²⁰ｃｍ^-3のｎ⁺拡散領域１１１が形成される（図２８）。
【００４４】
つづいて、４００℃前後の雰囲気でのＬＰＣＶＤやＰ−ＴＥＯＳなどの成膜方法により層間絶縁膜１６５を積層する。このような成膜方法を用いることによって、トレンチ１５１内における層間絶縁膜１６５の成長速度は、トレンチ１５１の外、すなわち基板表面における層間絶縁膜１６５の成長速度の約５０％となる。したがって、層間酸化膜１６５の、トレンチ１５１の底面に堆積した部分の厚さは、基板表面における部分の厚さよりも薄くなる（図２９）。
つづいて、フォトレジストを塗布し、露光、現像により、フォトレジストの、活性領域のトレンチ１５１の底面部分の一部を除去してレジストマスクを形成する。このレジストマスクを用いて、層間酸化膜１６５およびトレンチ底面部分の厚いゲート酸化膜１８３の、活性領域のトレンチ１５１の底面部分の一部を選択的に除去して、これら層間酸化膜１６５およびゲート酸化膜１８３を貫通するコンタクトホールを形成する。そして、残留したレジストマスクを除去する（図３０）。
【００４５】
つぎに、活性領域のトレンチ１５１の底部に、イオン注入によりドレイン領域となるｎ⁺拡散領域１５８を形成する。なお、フォトリソグラフィ技術およびエッチングによって層間酸化膜１６５の選択除去をおこなう代わりに、トレンチ底面部分の厚いゲート酸化膜１８３、ゲートポリシリコン１５２となるポリシリコン１７２および層間酸化膜１６５の膜厚の組み合わせによっては、層間酸化膜１６５および厚いゲート酸化膜１８３を自己整合的に除去して、コンタクトホールを開口することも可能である。
つづいて、ポリシリコンを堆積し、それをエッチバックしてトレンチ１５１内をポリシリコン１６３で埋め、その上全面に層間絶縁膜１６６を形成する。その層間絶縁膜１６６にコンタクトホールを開口し、メタルを堆積して、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１のソース電極１５４およびドレイン電極１５５と、ＰＭＯＳ１０２のゲート電極１２３およびソース／ドレイン電極１２４と、ＮＭＯＳ１０３のゲート電極１１３およびソース／ドレイン電極１１４を形成する。以上のようにして、活性領域においては図２０に示す断面構造を有するトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１、ＰＭＯＳ１０２およびＮＭＯＳ１０３を有する半導体装置ができあがる。
【００４６】
つぎに、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１に関して、前記パラメータｔ２、ゲートポリシリコン１５２の膜厚ｔｐ、およびゲートポリシリコン１５２の下側でドレインポリシリコン１６３に最も近い箇所でのゲート酸化膜１８３の厚さｔ１の好適な範囲または相互の関係について考察した結果について説明する。０．２μｍ≦ｔｐ≦０．７μｍおよび０．１８μｍ≦ｔ２≦１．４μｍの範囲でｔ１の値を調べた結果、実施の形態１と同様の結果が得られた。すなわち、０．１８μｍ≦ｔ２≦ｔｐ＋０．６μｍであれば、ゲートポリシリコン１５２の下側でドレインポリシリコン１６３に最も近い箇所でのゲート酸化膜１８３の厚さは、ゲート酸化膜１５９の、トレンチ１５１の側面に沿う部分の厚さよりも厚くなる。
【００４７】
また、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１の耐圧を調べた結果、実施の形態１と同様に、０．１８μｍ≦ｔ２≦ｔｐ＋０．２μｍのときの耐圧が最も高く、ついでｔｐ＋０．２μｍ≦ｔ２≦ｔｐ＋０．４μｍのときの耐圧が高く、そのつぎがｔｐ＋０．４μｍ≦ｔ２≦ｔｐ＋０．６μｍのときである。このように耐圧が向上する理由は、ドレインポリシリコン１６３に近接するゲート酸化膜１８３の膜厚が増加したことと、ゲート酸化膜１８３を作製するための選択酸化をおこなう際にトレンチ１５１の底面のトレンチコーナー部が丸くなったからである。また、上述したような順序で耐圧が高くなる理由は、ドレインポリシリコン１６３に近接するゲート酸化膜１８３の膜厚がこの順に厚くなったからである。
【００４８】
つぎに、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１のオン抵抗および耐圧と上記パラメータｔ１との関係を調べた結果について説明する。ただし、ゲートポリシリコン１５２の膜厚ｔｐを０．３μｍとした。実施の形態１と同様に、オン抵抗はｔ１の値にかかわらずほぼ一定であり、おおよそ１３ｍΩ・ｍｍ²であった。オン抵抗がほぼ一定である理由は、ｐベース領域１６２の、トレンチ側壁でのゲート酸化膜１５９と向かい合うチャネル領域での抵抗が、オン抵抗の中で支配的であるからである。耐圧は、ｔ１の値がトレンチ側壁でのゲート酸化膜１５９の膜厚と同じ（０．０２μｍ）であるときには１５Ｖであり、ｔ１の増加とともに高耐圧化し、ｔ１の値が０．３７μｍ以上では３０Ｖを超えた。
【００４９】
上述した実施の形態２によれば、同一基板上にトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１と、ＰＭＯＳ１０２やＮＭＯＳ１０３とを集積した半導体装置を製造することができ、それによって、同一基板上にトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１と、ＰＭＯＳ１０２やＮＭＯＳ１０３とが集積された半導体装置を得ることができる。
また、実施の形態２によれば、素子分離用の選択酸化膜１９３と、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ１０１のトレンチ底面における厚いゲート酸化膜１８３とを同一の選択酸化工程で作製することができるので、そうすることによって製造プロセスを簡略化することができる。
【００５０】
また、実施の形態２によれば、従来の横型パワーＭＯＳＦＥＴと制御回路とを集積したパワーＩＣよりも小型化、低消費電力化、高信頼性化および低コスト化を図ることができる。
以上において本発明は種々変更可能である。たとえば実施の形態１または実施の形態２において、各部の寸法や表面濃度等は要求される使用等に応じて種々設定される。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、トレンチの側部にＭＯＳＦＥＴが自己整合的に形成されるため、トレンチ底面での選択酸化工程を除いてはマスク合わせ精度が不要となり、デバイスピッチを小さくすることができる。また、従来の耐圧８０Ｖ用のトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴのように高耐圧を確保するための厚い酸化膜が不要であるため、この耐圧８０Ｖ用のトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴよりもゲート面積や素子サイズが小さくなる。したがって、従来の耐圧８０Ｖ用のトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴを耐圧３０Ｖ用に適用した場合に起こり得る特性上の劣化を回避することができる。また、製造プロセスにおいてトレンチエッチングを１回だけおこなえばよいため、トレンチエッチングを２回おこなう従来の耐圧８０Ｖ用のトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴよりも簡素なプロセス工程で製造可能であり、生産性の向上を図り、また歩留りの低下を防ぐことができる。
【００５２】
別の発明によれば、同一基板上にトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ、ＰＭＯＳおよびＮＭＯＳを集積した半導体装置を製造することができ、それによって、同一基板上にトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ、ＰＭＯＳおよびＮＭＯＳが集積された半導体装置を得ることができる。また、素子分離用の選択酸化膜の作製工程と、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴのトレンチ底面における厚いゲート酸化膜の作製工程を共通化することができるので、製造プロセスを簡略化することができる。また、従来の横型パワーＭＯＳＦＥＴと制御回路とを集積したパワーＩＣよりも小型で、消費電力が少なく、信頼性が高く、かつ低コストのパワーＩＣを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの要部を示す平面図である。
【図２】図１のＣ−Ｃにおける縦断面図である。
【図３】図１のＤ−Ｄにおける縦断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの図１Ｃ−Ｃにおける別の断面構造の例を示す縦断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの図１Ｃ−Ｃにおける別の断面構造の例を示す縦断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの図１Ｃ−Ｃにおける別の断面構造の例を示す縦断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの３つのパラメータｔ１、ｔ２およびｔｐの関係を示す特性図である。
【図１９】本発明の実施の形態１にかかるトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴのオン抵抗および耐圧とｔ１との関係を示す特性図である。
【図２０】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の活性領域における構造を示す縦断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図２７】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図２８】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図２９】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図３０】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の製造段階における要部を示す縦断面図である。
【図３１】従来のトレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴの構成を示す平面図である。
【図３２】図３１にＡ−Ａで示す活性領域の構成を示す縦断面図である。
【図３３】図３１にＢ−Ｂで示すゲート領域の構成を示す縦断面図である。
【符号の説明】
１半導体装置（トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ）
５０，１５０半導体基板
５１，１５１トレンチ
５２，１１５，１２５，１５２，１７２第１の導電体（ゲートポリシリコン）
５３，１１３，１２３ゲート電極
５４，１５４ソース電極
５５，１５５ドレイン電極
５８，１５８ドレイン領域（ｎ⁺拡散領域）
５９，８３，１１９，１２９，１５９，１８３ゲート絶縁膜（ゲート酸化膜）
６０，１６０ドリフト領域（ｎ拡散領域）
６１，１６１ソース領域（ｎ⁺拡散領域）
６２，１６２ベース領域
６３，１６３第２の導電体（ドレインポリシリコン）
６５，６６層間絶縁膜（層間酸化膜）
８２，１８２窒化膜
１０１トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ
１０２，１０３プレーナーＭＯＳＦＥＴ（ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ）
１１１ソース／ドレイン領域（ｎ⁺拡散領域）
１１４，１２４ソース／ドレイン電極
１２０ウェル領域
１２１ソース／ドレイン領域（ｐ⁺拡散領域）
１６５，１６６層間絶縁膜（層間酸化膜）
１９３素子分離用の選択酸化膜

Claims

トレンチＭＯＳＦＥＴとプレーナーＭＯＳＦＥＴとが同一基板上に集積された半導体装置を製造するにあたって、
トレンチＭＯＳＦＥＴ形成領域と、第１導電型プレーナーＭＯＳＦＥＴ形成領域及び第２導電型プレーナーＭＯＳＦＥＴ形成領域からなるプレーナーＭＯＳＦＥＴ形成領域とを有する第１導電型の半導体基板において、
前記第１導電型プレーナーＭＯＳＦＥＴ形成領域の表面領域に第２導電型のウェル領域を形成する工程と、
前記トレンチＭＯＳＦＥＴ形成領域内にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチＭＯＳＦＥＴ形成領域内で前記トレンチの側面及び底面に第２導電型のドリフト領域を形成する工程と、
前記ドリフト領域を形成する工程の後に、前記基板表面上および前記トレンチの内側に窒化膜を形成する工程と、
前記窒化膜の、少なくとも前記トレンチＭＯＳＦＥＴの活性領域に相当する領域において前記トレンチ底部の一部と、前記基板表面における前記トレンチＭＯＳＦＥＴ形成領域、前記第１導電型プレーナーＭＯＳＦＥＴ形成領域及び第２導電型プレーナーＭＯＳＦＥＴ形成領域の各境界部分とを除去し、残った前記窒化膜をマスクとして選択酸化膜を形成する工程と、
前記残った窒化膜を除去した後に、前記基板表面上および前記トレンチの内側にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記基板表面上および前記トレンチの内側の前記ゲート絶縁膜の表面に沿って、第１の導電体を形成する工程と、
前記トレンチＭＯＳＦＥＴ及びプレーナーＭＯＳＦＥＴ活性領域に相当する領域において、前記第１の導電体が、前記基板表面では前記選択酸化膜が形成されていない領域の一部に残り、一方、前記トレンチが形成された領域では前記トレンチの側面にのみ残るようにエッチバックして、前記トレンチＭＯＳＦＥＴ及びプレーナーＭＯＳＦＥＴのゲートを形成する工程と、
前記トレンチＭＯＳＦＥＴ形成領域内で前記トレンチの外側の前記基板表面領域に、第１導電型のベース領域と、前記ベース領域よりも基板表面側に第２導電型のソース領域とを形成する工程と、
前記第１導電型プレーナーＭＯＳＦＥＴ形成領域内の前記ウェル領域内に第１導電型のソースまたはドレインとなるソース／ドレイン領域を形成する工程と、
前記第２導電型プレーナーＭＯＳＦＥＴ形成領域内に第２導電型のソースまたはドレインとなるソース／ドレイン領域を形成する工程と、
前記基板表面上、および前記トレンチ内に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記トレンチＭＯＳＦＥＴの活性領域に相当する領域において、前記トレンチの底面部分の前記層間絶縁膜及び選択酸化膜の一部を選択的に除去した後に、前記トレンチ底部に第２導電型のドレイン領域を形成する工程と、
前記トレンチ内に前記ドレイン領域に電気的に接続する第２の導電体を設ける工程と、を含み、
前記トレンチＭＯＳＦＥＴ形成領域内における前記第１の導電体の下側で前記第２の導電体に最も近い箇所での前記選択酸化膜の厚さは、前記トレンチの側面に沿って形成された前記ゲート絶縁膜の厚さよりも厚いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記トレンチＭＯＳＦＥＴ形成領域内に第２導電型の前記ソース領域を形成する工程と、前記第２導電型プレーナーＭＯＳＦＥＴ形成領域内で前記第１導電型のウェル領域に第２導電型の前記ソース／ドレイン領域を形成する工程とは同一工程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記第２の導体を設ける工程の後に、前記基板表面上に第２の層間絶縁膜をさらに形成し、該第２の層間絶縁膜にコンタクトホールを開口して、前記第１の導電体に電気的に接続するゲート電極と、前記第２の導電体に電気的に接続するドレイン電極と、前記ソース領域に電気的に接続するソース電極と、前記第１導電型のソース／ドレイン領域に電気的に接続するソース／ドレイン電極と、前記第２導電型のソース／ドレイン領域に電気的に接続するソース／ドレイン電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。