JP4757424B2 - アルカリ含有硼珪酸アルミニウムガラス及びその使用 - Google Patents

アルカリ含有硼珪酸アルミニウムガラス及びその使用 Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明の主題は、アルカリ含有硼珪酸アルミニウムガラスである。本発明の主題はまたこれらのガラスの使用である。
【０００２】
【従来の技術】
電気エネルギーをフォトボルタイックによって得る場合、自由電荷キャリヤー（ｅ-／正孔対）の形成で可視スペクトルと近ＵＶ及びＩＲから光を吸収する半導体材料の特性が使用される。光活性半導体材料にｐ‐ｎ接合により実現される太陽電池に内部電界があると、それらはダイオード原理に従って空間的に分離でき、電位差をもたらし、そして適切に接点を用意すると電流が流れる。市販されている太陽電池システムは、起電力材料として殆ど必ず結晶シリコンを含有している。それは、複雑な一体構成部品（チップ）用の高純度単結晶の製造でスクラップとして、とりわけ所謂「太陽グレードＳｉ」として形成される。
フォトボルタイックシステムの可能な使用は２つのグループに大きく分けられる。それらのグループは、一方は、比較的容易に搭載できるエネルギー源がないため、離れた領域で使用される「非−グリッド対」使用である。それとは反対に、太陽電力が現在の固定ネットワークに供給される「グリッド結合解法」は太陽電流のコストが高いため経済的ではない。
【０００３】
特にグリッド結合解法のフォトボルタイックの市場の発展は、太陽電池の製造においてコスト低減の可能性にかかっている。薄い層の概念の実施に大きな可能性が見られる。ここで、フォトボルタイック半導体材料、特に高吸収化合物半導体が、できるだけ経済的な高耐熱性基板、例えばガラスに数μｍ厚さの層で堆積される。コスト低減の可能性は主として、大規模手動ウエハーＳｉ太陽電池生産とは異なり、低半導体材料消費と高自動生産能力にある。
非常に有望な薄い層の概念はＩ‐III‐VI2化合物半導体Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）2、（”ＣＩＳ”）をベースにした太陽電池である。この材料は、例えば入射光の高い吸収や該化合物の非常に良好な化学的安定性等の重要な要件を満たす。同じことがII-VI化合物半導体ＣｄＴｅをベースにした太陽電池に当てはまる。
三成分ＣＩＳ末端員ＣｕＩｎＳ2、ＣｕＩｎＳｅ2、ＣｕＧａＳ2、及びＣｕＧａＳｅ2の良好な混和性が、元素置換により太陽スペクトルの重要なエネルギー領域の吸収に最適にマッチする化学量論を調整することを可能にする。特に、異なった化学量論のＣＩＳ層で一列の太陽電池を実施することにより、１８％までの効率を実験室スケールで達成することができる。このうように、生産規模で１２％より大きな効率を達成するのに良好な見通しがある。
【０００４】
ＣＩＳ層では、生産工学の面で非常に要望されている非常に複雑なＣＩＳ層複合材料の製造は、ＣｄＴｅ又は非晶質シリコンをベースにした太陽電池等の競合する薄い層の概念と主に比べて不利である。従って、幾つかの加工工程では、適切な基板への蒸着（スパッタリング）、真空コーティング及び化学的蒸着により、モリブデン背面コンタクト、ＣＩＳ層、ＣｄＳのバッファー又はマッチング層及びＺｎＯ窓層からなる全厚さが約２ミクロンの層パッケージが適切な基板に施される。個々のモジュールの複合配線を自動化するために、個々のプロセス間で機械的けがきやレーザー処理により構造が層複合物に印される。しかし、このけがきは、半導体材料の可能性ある変質あるいは化学量論的に規定された光活性ＣＩＳ層からの成分の蒸発に対して危機的である。さらに、ＣＩＳ層複合物の製造において、ガラス基板にモリブデンの裏面コンタクトの付着に関して問題が生じる。該コンタクトは製造プロセスで例えば該Ｍｏのフレーク化で表わすことができる。この理由の一つが、コストの理由から使用され、約９×１０-6／Ｋの熱膨張を有する安いソーダライムガラスの、約５×１０-6／Ｋの熱膨張を有するＭｏ層への熱的マッチングが無いことである。
【０００５】
ＣＩＳ技術に適した特殊ガラスの開発はＭｏに対する熱的マッチングに対する要件を考慮しなければならない。従って、熱膨張α20/300の値は、約４．５〜６．０×１０-6／Ｋの範囲とする必要があり、理想的には最大５．５×１０-6／Ｋである。できるだけ高いコーティング温度で行なうことができる、良好な品質のＣＩＳの速い堆積速度を確保することに関して、高温安定性がさらに望まれる。すなわち、ガラスの転移温度Ｔｇはできるだけ高い値をとる必要がある。ガラスが６３０℃以上、理想的には６５０℃以上の転移温度を有するのが好ましい。使用されるソーダライムガラスの約５２０℃の低い転移温度の結果として、最大５００℃のコーティング温度だけが今までのところ可能になっている。
さらに、ＣＩＳ用の基板として使用されるガラスはアルカリ酸化物、特にＮａ2Ｏをできるだけ高い割合で含有する必要がある。このようにして、電荷キャリヤーの数を光活性層に拡散するＮａイオンで増大することができ、それによって太陽電池の効率が上がる。
指定層を備えた薄層フォトボルタイック（半導体がガラス、金属、プラスチック、セラミックのような材料のベースに載っている）と、カバーガラスを介して光作用を備えたカバーガラスで共通する基板技術に加えて、スーパーストレート（superstrate)装置が特にＣｄＴｅフォトボルタイックで確立されている。ここで半導体層に当たる前に、先ず光がキャリヤー材料を通過する。このように、カバーガラスは不要になる。高効率を達成するために、これらの基板には電磁スペクトルのＶＩＳ／ＵＶ範囲の高透明度が必要である。従って、例えば半透明ガラスセラミックはここではキャリヤー材料として不適である。
【０００６】
さらに、該ガラスは十分に機械的な安定性と耐水性、及び製造プロセスで使用される試薬への耐性を有する必要がある。これは特に、カバーガラスが周囲効果に対して太陽モジュールを保護しないスーパーストレート概念に当てはまる。さらに、気泡がなく、あってもわずかで、又結晶介在物がないことで、十分な品質のガラスを経済的に製造することが可能であるべきである。
ハロゲンランプの電球ガラスとしての使用の場合、高い熱負荷にさらすことができるガラスが公知であり、このガラスはモリブデンの熱膨張に整合している。しかし、これらのガラスには、アルカリが入っていない。入っているとランプの再生ハロゲンサイクルが壊れるためである。
しかしながら、１種あるいは２種以上のアルカリ酸化物を単に添加することによって、望ましい物理的、化学的特性が逆に作用し、特に転移温度が下がり、熱膨張が増大するので、望ましい要件プロフィールを満たすめにガラス組成物の新しい開発が必要である。
これは網状改良剤としてアルカリ土類酸化物が高い割合で含有するアルカリ含有硼珪酸アルミニウムガラスにより最適になされる。しかし、以下で説明される公知ガラスはその化学的及び物理的特性及び／又はそのガラスの製造の可能性に関して不具合があり、全体的な必要項目を満足しない。
【０００７】
ＪＰ４‐８３７３３ＡはＳｉＯ2‐Ａｌ2Ｏ3‐Ｎａ2Ｏ‐ＭｇＯ系のガラスを記載している。該実施例から明かなように、この高Ａｌ2Ｏ3含有ガラスは膨張率が非常に低い。
ＪＰ１‐２０１０４３Ａには、高強度のガラスが記載されており、該ガラスは光磁気プレート用キャリヤーとして適しており、また非常に高い膨張率を有している。
同様のことが、少なくとも６重量％のアルカリ酸化物を含有するＪＰ１１‐１１９７５、ＵＳ５，８５４，１５２及びＪＰ１０‐７２２７３５Ａのガラスにも当てはまる。
ＪＰ９‐２５５３５６Ａ、ＪＰ９‐２５５３５５Ａ及びＪＰ９‐２５５３５４Ａは、同様に非常に高い熱膨張を備えたＳｉＯ2が僅かで、Ａｌ2Ｏ3も僅かなガラスを開示しており、このガラスはプラズマディスプレーパネル用のガラス基板として使用される。
硼酸が比較的低く、好ましくは硼酸が入って無いこれらのガラスのように、ＪＰ６１‐２３６６３１Ａ及びＪＰ６１‐２６１２３２Ａに記載された太陽使用の無硼酸、耐熱ガラスは溶融が困難で、失透傾向がある。
【０００８】
本出願人のＵＳ３，９８４，２５２及びＤＥ‐ＡＳ２７５６５５５は、６．３×１０-6／Ｋ及び５．３×１０-6／Ｋまでのα20/300の熱膨張率でＭｏの熱膨張とＣｄＴｅの熱膨張の双方を含む熱でプレストレス可能なガラスを記載している。特に、ＳｒＯが無い結果として、圧伸成形プロセスでの製造では、このガラスは結晶化し易い。この結晶化はＪＰ３‐１４６４３５ＡのＳｒＯを含有しない基板ガラス及びＵＳ１，１４３，７３２に示されたガラスにも当てはまり、後者のガラスは実施例で図示されているように、アルカリ含有量が高い。従って、これは高い熱膨張と比較的低い熱安定性を意味している。
ＤＥ‐ＡＳ１９２６８２４は、異なる熱膨張率のコア部と外層とからなる積層体を記載している。３．０×１０-6／Ｋ〜８．０×１０-6／Ｋの熱膨張率の外層は、それらの組成が多くの可能な成分の広い範囲内で変化することができ、このＣａＯ高含有、ＳｒＯを含有しないガラスは実施例からわかるように失透する傾向がある。
【０００９】
とりわけ、フラットディスプレー及び太陽電池に適した透明ガラスセラミックスがＪＰ３‐１６４４４５Ａに記載されている。引用された実施例は高いＴｇ値＞７８０℃であり、それらの熱膨張はＣｄＴｅによくマッチしている。しかし、それらの非常に高い亜鉛含有量の結果として、そのセラミックスはフロート製造プロセスに適さない。同様のことが、ＥＰ１６８１８９Ａ２に示されたクロムが最大１重量％ドープされた透明なムライト含有ガラスセラミックスと、太陽集電装置で使用されることがあるＪＰ１‐２０８３４３Ａに示された透明なガラスガーネットガラスセラミックスにも当てはまる。しかし、ＣｄＴｅ太陽電池システムでスーパーストレートとしての使用に必要な高透明度は、クリスタライトの粒度によりガラスと比較して低い透過率を有するガラスセラミックスによっても、ＦＲ２１２６９６０に記載されているように乳白色オパールガラスによっても保証されない。
コーティング膜用の基板としての使用の場合、ガラスセラミックスは高い耐熱性の利点があるが、主な欠点は必要なセラミック化の結果として高いそれらの製造コストにある。このコストは太陽電流に基づく太陽電池の製造では受け入れられない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、化合物半導体に基づく、特にＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2又はＣｄＴｅに基づく薄層フォトボルタイック技術用のガラス基板に対する指定された物理的及び化学的要件を満たす利用可能なガラスと、高温、すなわち少なくとも６３０℃の転移温度Ｔｇで層を堆積するのに十分な耐熱性を有し、プロセスの好ましい処理温度範囲を有し、ほとんど気泡を有せず高品質で少なくともソーダライムガラスに相当する耐薬品性を有するガラスを製造することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この目的は請求項１で請求された硼珪酸アルミニウムガラスで達成される。
このガラスは、網状形成物ＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3が、比較的に低率の網状形成物Ｂ2Ｏ3とバランスのとれた割合で混入されている。従って、低い溶融温度と処理温度で非常に高い耐熱性のあるガラスが得られる。
特に：
該ガラスは、＞５５〜７０重量％のＳｉＯ2を含有する。これより低い含有量では、ガラスの耐薬品性、特に耐酸性が高率で劣化し、高率では熱膨張が過度に低い値をとる。さらに、後者の場合には、増大する失透傾向を観察することができる。
このガラスは、１０〜１８重量％、好ましくは＞１２〜１７重量％のＡｌ2Ｏ3を含有する。これより比率が高いと、高温造形の処理温度に悪い影響を及ぼし、過度に含有量が低いと、ガラスの結晶化傾向が大きくなる。＜１４重量％に最大含有量を制限することは特に好ましい。
このガラスは少なくとも１重量％、好ましくは少なくとも３重量％のＢ2Ｏ3を含有する。指定された最小比率が低いと、溶融物の流れや結晶化挙動においてそれ自体が有利になる。望ましい高い転移温度は、８重量％に最大Ｂ2Ｏ3を限定することにより保証される。さらに、硼酸比率が比較的低いと、特に酸に対するガラスの耐薬品性に有利に作用する。Ｂ2Ｏ3の最大含有量は、７重量％、特に好ましくは５重量％；さらに好ましくは＜５重量％に好適に限定される。
【００１２】
４．５×１０-6／Ｋ〜６．０×１０-6／Ｋの望ましい熱膨張率α20/300が、１０〜２５重量％、好ましくは１１〜２３重量％のアルカリ土類酸化物含有量と、＞１〜５重量％、好ましくは＜５重量％のアルカリ酸化物含有量で、個々の酸化物を多数組み合わせて達成することができる。４重量％未満のアルカリ酸化物含有量は、特に≦５．５×１０-6／Ｋの膨張率のガラスを得るために特に好ましい。
低い膨張率（α20/300≦５．５×１０-6／Ｋ）のガラスは、好ましくは１１〜２０重量％のむしろ少ないアルカリ土類酸化物を含有し、一方高い膨張率α20/300のガラスはアルカリ土類酸化物比率が比較的高い。
特に：
このガラスは、特に０．１〜８重量％、好ましくは多くとも４重量％の低含有量ないし中間含有量のＳｒＯと組み合わされた、特に、４．５〜１２重量％、好ましくは＞５〜１１重量％の比較的高い比率のＢａＯを含有する。指定比率は所定の高耐熱性と低結晶化傾向に特に好ましい。むしろ小さな比率の指定酸化物が低密度のガラス及び従って低重量の製品に対して有利である。
ガラスは５重量％以下、好ましくは４重量％以下のＭｇＯを含有することができる。むしろ高い比率が低密度の特性に関して好適であることが分かる。逆に低比率は、できるだけ高い耐薬品性や失透傾向を低下させる点好ましい。低比率は、処理温度を低下させるため、少なくとも０．５重量％のＭｇＯがあることが好ましい。
【００１３】
成分ＣａＯはガラス特性に対してＭｇＯと同様に作用するが、該ＣａＯは熱膨張を増大する点でＭｇＯより効果的である。このガラスは３〜＜８重量％のＣａＯを含有する。
このガラスは１＞〜５重量％、好ましくは＜５重量％までのＮａ2Ｏと、０〜４重量％、好ましくは０〜２．５重量％、特に好ましくは０〜１重量％のＫ2Ｏのような、＞１〜５重量％のアルカリ酸化物を含有するが、少なくとも圧倒的比率のＮａ2Ｏが好ましい。このアルカリ酸化物は溶融性を改良し、失透傾向を下げる。指定された最大含有量の制限は高温度安定性を保証するために必要である。これより含有量、特にＮａ2Ｏの含有量が高いと、転移温度を下げ、熱膨張を増大させる。ＣｄＴｅ基板として使用する場合、＜３重量％のアルカリ酸化物を含有するガラスが好ましい。ＣＩＳ基板としての使用の場合、光活性層へのＮａ+の拡散によって効率を上げることができるため、≧３重量％のアルカリ酸化物を含有するガラスが好ましい。
該ガラスは２重量％以下、好ましくは１重量％以下のＺｎＯを含有することができる。硼酸と同様の粘度特性に対するその効果について、ＺｎＯは一方で網状結合を緩めるように作用し、他方で熱膨張を上げるが、アルカリ土類酸化物の程度までには至らない。特にこのガラスをフロート法で処理する時には、ＺｎＯの含有量はむしろ少量（≦１重量％）に好ましく制限されるか、ＺｎＯは完全に省かれる。比率が高いとガラス表面上でＺｎＯコーティング膜が破壊する危険が増大する。そのコーティング膜は蒸発とそれに続く凝縮で形成することができる。
【００１４】
このガラスは３重量％以下のＺｒＯ2を含有することができる。ＺｒＯ2はガラスの耐熱性を向上させる。しかし、ＺｒＯ2の可溶性が僅かなため、３重量％を越える含有量ではガラス内に溶融物残骸が生じることがある。少なくとも０．１重量％でＺｒＯ2が存在すれば好ましい。
このガラスは２重量％以下、好ましくは１重量％以下のＴｉＯ2を含有することができる。ＴｉＯ2はガラスのソラリゼーションへの傾向を低下させる。２重量％を越える含有量では、Ｆｅ3+イオンでの複雑な形成のためにカラーキャスト（color casts)が生じることがある。
このガラスは１．５重量％のＳｎＯ2を含有することができる。ＳｎＯ2は、特に高溶融アルカリ土類硼珪酸アルミニウムガラス系で非常に有効な清澄剤である。この酸化物はＳｎＯ2として使用され、その４価の状態は、例えばＴｉＯ2等の他の酸化物の添加によってあるいは硝酸塩を添加することで安定化する。処理温度ＶA以下の温度でのその僅かな可溶性のため、ＳｎＯ2の含有量は指示された上限に制限される。従って、微細結晶Ｓｎ含有相の析出が防止される。
このガラスは種々の圧伸成形プロセス、例えばマイクロ加熱下向き圧伸成形、上向き圧伸成形あるいはオーバーフロー溶融プロセス、で板ガラスに加工することができる。
【００１５】
このガラスは、１．５重量％以下のＡｓ2Ｏ3及び／又はＳｂ2Ｏ3及び／又はＣｅＯ2を添加剤又は唯一の清澄剤として含有することができる。この比較的に低溶融のガラスはアルカリハロゲン化物で清澄することもできる。従って、例えば、約１４１０℃で従って、例えば約１４１０℃で開始するその蒸発により塩が清澄をもたらす。使用されるＮａＣｌの一部はＮａ2Ｏとしてガラス中に再度見出せる。１．５重量％ＮａＣｌを添加すると、約０．１重量％のＣｌ-がガラス内に残る。従って、１．５重量％のＣｌ-（例えば、ＢａＣｌ2あるいはＮａＣｌ）、Ｆ-（例えばＣａＦ2あるいはＮａＦ）あるいはＳＯ4 2-（例えばＢａＳＯ4）の添加が可能である。しかしながら、Ａｓ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｃｌ-、Ｆ-、及びＳＯ4 2-の合計は１．５重量％を超えてはならない。清澄剤Ａｓ2Ｏ3及びＳｂ2Ｏ3を省くと、このガラスはフロート法で処理することもできる。
【００１６】
実施形態：
従来の原料から作られたガラスを１６２０℃の石英坩堝で溶融した。この溶融物をこの温度で９０分間清澄し、その後、誘導加熱された白金坩堝内に注入し、１５６０℃で３０分間均質化のため攪拌した。
表は、本発明で請求したようにその組成（酸化物をベースにした重量％）及びそれらの最も重要な特性を付した１１の実施例を示している。以下の特性が提供されている。すなわち、
‐密度ρ［ｇ／ｃｍ3］
‐熱膨張率α20/300［１０-6／Ｋ］
‐膨張計の転移温度Ｔｇ［℃］、ＤＩＮ５２３２４に準拠して
‐粘度１０13dPasの温度（Ｔ１３［℃］と指定）
‐粘度１０7.6dPasの温度（Ｔ７．６［℃］と指定）
‐粘度１０4dPasの温度（Ｔ４［℃］と指定）
‐ＤＩＮ ＩＳＯ７１９”Ｈ”に準拠した加水分解抵抗（μｇＮａ2Ｏ／ｇ）
≦３１μｇ／ｇのガラス粒子ｇ当たりのＮａ2Ｏとしての塩基当量で、ガラスが加水分解等級１に属している。（「高耐薬品ガラス」）
‐ＤＩＮ１２１６６”Ｓ”［ｍｇ／ｄｍ2］に準拠した耐酸性。０．７〜１．５ｍｇ／ｄｍ2より大の減量で、ガラスは酸の等級２に属し、１．５〜１５ｍｇ／ｄｍ2より大の減量でガラスは酸の等級３に属する。
‐ＩＳＯ６９５”Ｌ”［ｍｇ／ｄｍ2］に準拠した耐アルカリ性。７５ｍｇ／ｄｍ2の減量で、ガラスはアルカリの等級１に属し、７５〜１７５ｍｇ／ｄｍ2の減量でガラスはアルカリの等級２に属する。
‐上失透限界ＯＥＧ［℃］、すなわち、１時間アニールで液相線温度。
‐１時間アニールの最大結晶成長速度Ｖmax［μｍ／ｈ］。
‐４００〜７００ｎｍの波長での平均透過率（サンプル厚さ１．８ｍｍ）τφ（４００〜７００ｎｍ）。
‐屈折率ｎd
ガラス番号１〜８及び１１は１．５重量％のＮａＣｌの添加で清澄された。ＮａＣｌは殆ど完全に蒸発した。従ってＣｌ-は表にリストされていない。
【００１７】
表
本発明で請求されたように組成（酸化物ベースでの重量％）と重要なガラスの特性
ｎ．ｂ．＝測定されず
Figure 0004757424
【００１８】
表の続き
ｎ．ｂ．は測定されず
Figure 0004757424
【００１９】
実施形態が示すように、本発明で請求したガラスは以下の有利な特性を有する。
‐好ましい実施形態においては、４．５×１０-6／Ｋ〜６．０×１０-6／Ｋの熱膨張α20/300、すなわち特に＜４重量％のアルカリ酸化物含有量で４．５×１０-6／Ｋ〜５．５×１０-6／Ｋの熱膨張α20/300であり、ＣＩＳ技術の電極として利用されたＭｏ層の膨張挙動（α約５×１０-6／Ｋ）又は半導体材料ＣｄＴｅ（約５．３×１０-6／Ｋ）に整合している。
‐好ましい実施形態でＴｇ＞６３０℃、すなわち、特にＡｌ2Ｏ3含有量が＞１２重量％及び／又はＢ2Ｏ3含有量が＜５重量％で、≧６５０℃について、ＣＩＳまたＣｄＴｅ太陽電池の製造でコーティングプロセスの場合、特にむしろ高い転移温度及び従って耐熱性。
‐最大１３２０℃の粘度１０4dPasの温度；これはプロセスが好ましい処理範囲と良好な失透安定性を意味している。これらの２つの特性は、異なった圧伸成形プロセス、例えばマイクロシートダウン圧伸成形、アップ圧伸成形又は流出溶融プロセスで板ガラスとしてガラスの製造が可能となり、好ましい例では、Ａs2Ｏ3及びＳｂ2Ｏ3が無ければ、フロート法で製造できる。
‐非常に高い加水分解抵抗；これは太陽電池の製造で使用される薬品に対して及び環境効果に対して比較的不活性にする。これは実施形態が加水分解等級１に属することによって例示され、一方、Ｃａ‐Ｎａガラスは加水分解等級３の加水分解抵抗を有している。
さらに、このガラスは高ソラリゼーション安定性と高透明度を有する。これは特に、ＣｄＴｅ太陽電池のスーパーストレート配置に特に重要である。
気泡が無く又は気泡含有が低い高品質をさらに考慮すると、このガラスは、化合物半導体、特にＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2及びＣｄＴｅをベースにした薄い層のフォトボルタイックのガラス基板としての使用に著しく適している。

Claims (10)

  1. 以下の組成（酸化物ベースでの重量％）を有する硼珪酸アルミニウムガラス。
    ＳｉＯ2 ＞５５〜７０
    Ｂ2Ｏ3 １〜８
    Ａｌ2Ｏ3 １０〜１８
    Ｎａ2Ｏ ＞１〜５
    Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ ＞１〜５
    ＭｇＯ ０〜５
    ＣａＯ ３〜＜８
    ＳｒＯ ０．１〜８
    ＢａＯ ４．５〜１２
    ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ １０〜２５
    ＳｎＯ2 ０〜１．５
    ＺｒＯ2 ０〜３
    ＴｉＯ2 ０〜２
    ＺｎＯ ０〜２
    アルカリ酸化物中ではＮａ ２ Ｏの割合が多いこと。
  2. 以下の組成（酸化物ベースでの重量％）を特徴とする請求項１記載の硼珪酸アルミニウムガラス。
    ＳｉＯ2 ＞５５〜７０
    Ｂ2Ｏ3 ３〜８
    Ａｌ2Ｏ3 ＞１２〜１７
    Ｎａ2Ｏ ＞１〜＜５
    Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ ＞１〜＜５
    ＭｇＯ ０．５〜４
    ＣａＯ ３〜＜８
    ＳｒＯ ０．１〜４
    ＢａＯ ＞５〜１１
    ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ １１〜２３
    ＳｎＯ2 ０〜１．５
    ＺｒＯ2 ０〜３
    ＴｉＯ2 ０〜１
    ＺｎＯ ０〜１
    アルカリ酸化物中ではＮａ ２ Ｏの割合が多いこと。
  3. 前記ガラスは多くとも７重量％のＢ2Ｏ3を含有する請求項１又は２に記載の硼珪酸アルミニウムガラス。
  4. 前記ガラスは多くとも＜４重量％のＮａ2Ｏ及びＫ2Ｏの合計を含有する請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の硼珪酸アルミニウムガラス。
  5. 前記ガラスは０〜１重量％のＫ2Ｏを含有する請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の硼珪酸アルミニウムガラス。
  6. 前記ガラスは少なくとも０．１重量％のＺｒＯ2を含有する請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の硼珪酸アルミニウムガラス。
  7. 前記ガラスはさらに、
    Ａｓ2Ｏ3 ０〜１．５
    Ｓｂ2Ｏ3 ０〜１．５
    ＣｅＯ2 ０〜１．５
    Ｃｌ- ０〜１．５
    Ｆ- ０〜１．５
    ＳＯ4 2- ０〜１．５
    Ａｓ2Ｏ3＋Ｓｂ2Ｏ3＋ＣｅＯ2＋Ｃｌ-＋Ｆ-＋ＳＯ4 2- ≦１．５
    を含有する請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の硼珪酸アルミニウムガラス。
  8. ４．５×１０-6／Ｋ〜６．０×１０-6／Ｋの熱膨張率α20/300及び転移温度Ｔｇ＞６３０℃を有する請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の硼珪酸アルミニウムガラス。
  9. 薄い層のフォトボルタイックのガラス基板としての請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の硼珪酸アルミニウムガラスの使用。
  10. 化合物半導体Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）2をベースにした太陽電池用の請求項９に記載の使用。
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Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10034985C1 (de) * 2000-07-19 2001-09-06 Schott Glas Verfahren zur Herstellung von Aluminosilicatgläsern, Aluminosilicatgläser sowie deren Verwendungen
CN1308253C (zh) * 2002-11-06 2007-04-04 皇家飞利浦电子股份有限公司 红颜色的电灯
JP4432110B2 (ja) * 2003-02-19 2010-03-17 日本電気硝子株式会社 半導体パッケージ用カバーガラス
CN100546041C (zh) * 2003-02-19 2009-09-30 日本电气硝子株式会社 半导体封装体用外罩玻璃及其制造方法
JP4726399B2 (ja) * 2003-05-29 2011-07-20 コニカミノルタオプト株式会社 ガラス基板
WO2005015606A1 (ja) * 2003-08-08 2005-02-17 Nippon Electric Glass Co., Ltd. 外部電極蛍光ランプ用外套容器
DE102005000660A1 (de) * 2005-01-04 2006-11-09 Schott Ag Leuchtvorrichtung mit einem strukturierten Körper
DE102005052420A1 (de) * 2005-11-03 2007-05-10 Schott Ag Strahlungsarme Abdeckgläser und deren Verwendung
WO2007095115A1 (en) 2006-02-10 2007-08-23 Corning Incorporated Glass compositions having high thermal and chemical stability and methods of making thereof
JP5808069B2 (ja) 2007-02-16 2015-11-10 日本電気硝子株式会社 太陽電池用ガラス基板
JP5484220B2 (ja) * 2007-02-27 2014-05-07 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 表示装置用ガラス基板および表示装置
JP2008280189A (ja) * 2007-05-08 2008-11-20 Nippon Electric Glass Co Ltd 太陽電池用ガラス基板およびその製造方法
JP5233998B2 (ja) * 2007-08-31 2013-07-10 旭硝子株式会社 ガラス板およびその製造方法ならびにｔｆｔパネルの製造方法
DE102008005283B4 (de) * 2008-01-19 2009-10-29 Schott Solar Gmbh Verfahren zur Herstellung einer mit einem transparenten, Metalloxid beschichtetn Glasscheibe für ein photovoltaisches Modul und eine solche beschichtete Glasscheibe
US8975199B2 (en) 2011-08-12 2015-03-10 Corsam Technologies Llc Fusion formable alkali-free intermediate thermal expansion coefficient glass
US8445394B2 (en) * 2008-10-06 2013-05-21 Corning Incorporated Intermediate thermal expansion coefficient glass
IL204034A (en) * 2009-02-24 2015-05-31 Schott Ag Photovoltaic device with central optics
DE102009050988B3 (de) * 2009-05-12 2010-11-04 Schott Ag Dünnschichtsolarzelle
DE102009050987B3 (de) * 2009-05-12 2010-10-07 Schott Ag Dünnschichtsolarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle
DE102009022575A1 (de) * 2009-05-18 2010-11-25 Technische Universität Bergakademie Freiberg Verwendung von Alumosilikatgläsern als Substratgläser für die Photovoltaik
US9637408B2 (en) * 2009-05-29 2017-05-02 Corsam Technologies Llc Fusion formable sodium containing glass
US9371247B2 (en) 2009-05-29 2016-06-21 Corsam Technologies Llc Fusion formable sodium free glass
US8647995B2 (en) 2009-07-24 2014-02-11 Corsam Technologies Llc Fusion formable silica and sodium containing glasses
FR2948935B1 (fr) * 2009-08-10 2012-03-02 Air Liquide Procede d'elaboration d'une mousse ceramique a resistance mecanique renforcee pour emploi comme support de lit catalytique
JP5642363B2 (ja) 2009-08-14 2014-12-17 日本板硝子株式会社 ガラス基板
JP5537144B2 (ja) * 2009-12-16 2014-07-02 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 ガラス組成物とそれを用いたフラットパネルディスプレイ用ガラス基板
DE102010023366B4 (de) * 2010-06-10 2017-09-21 Schott Ag Verwendung von Gläsern für Photovoltaik-Anwendungen
JP5751439B2 (ja) * 2010-08-17 2015-07-22 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス
WO2012037242A2 (en) * 2010-09-14 2012-03-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Glass-coated flexible substrates for photovoltaic cells
US20120064352A1 (en) * 2010-09-14 2012-03-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Articles comprising a glass - flexible stainless steel composite layer
DE102010042945A1 (de) * 2010-10-26 2012-04-26 Schott Ag Transparente Schichtverbunde
US10343946B2 (en) 2010-10-26 2019-07-09 Schott Ag Highly refractive thin glasses
US10308545B2 (en) 2010-10-26 2019-06-04 Schott Ag Highly refractive thin glasses
US20120192928A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-02 Mark Francis Krol Laminated pv module package
EP2708518A4 (en) * 2011-05-10 2015-07-15 Nippon Electric Glass Co GLASS PLATE FOR A THIN FILM SOLAR CELL
JP6410108B2 (ja) * 2011-07-19 2018-10-24 日本電気硝子株式会社 ガラス基材
JP5737043B2 (ja) * 2011-07-29 2015-06-17 旭硝子株式会社 基板用ガラスおよびガラス基板
JP5850392B2 (ja) * 2011-09-20 2016-02-03 日本電気硝子株式会社 ガラス板
KR101145729B1 (ko) * 2011-11-11 2012-05-16 주식회사 금비 유리 조성물
US9162919B2 (en) 2012-02-28 2015-10-20 Corning Incorporated High strain point aluminosilicate glasses
TWI564262B (zh) 2012-02-29 2017-01-01 康寧公司 高ｃｔｅ之硼矽酸鉀核心玻璃與包含其之玻璃物件
JP5648982B2 (ja) * 2012-06-22 2015-01-07 日本電気硝子株式会社 太陽電池用ガラス基板
JP5742084B2 (ja) * 2012-06-22 2015-07-01 日本電気硝子株式会社 太陽電池用ガラス基板
KR102225583B1 (ko) 2013-04-29 2021-03-10 코닝 인코포레이티드 광기전력 모듈 패키지
KR20220003632A (ko) 2013-08-15 2022-01-10 코닝 인코포레이티드 알칼리-도핑 및 알칼리가-없는 보로알루미노실리케이트 유리
KR102255630B1 (ko) 2013-08-15 2021-05-25 코닝 인코포레이티드 중간 내지 높은 ｃｔｅ 유리 및 이를 포함하는 유리 물품
EP3233448B1 (en) 2014-12-17 2019-09-18 Novartis AG Methods of using reusable lens molds
JP6428344B2 (ja) * 2015-02-13 2018-11-28 Ａｇｃ株式会社 ガラス基板
KR102140009B1 (ko) * 2015-12-01 2020-08-03 코너스톤 머티리얼스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 저붕소, 바륨-프리 알칼리 토금속 알루미노실리케이트 유리 및 이의 용도
CN109231816A (zh) * 2018-10-09 2019-01-18 成都中光电科技有限公司 一种可用于ltps的玻璃基板及其制备方法
KR20230008085A (ko) * 2020-04-13 2023-01-13 코닝 인코포레이티드 K2o 함유 디스플레이 유리들

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS535215A (en) * 1976-07-06 1978-01-18 Tokyo Shibaura Electric Co Composite of dielectric glass for ozone generating apparatus
JPH11100226A (ja) * 1997-09-30 1999-04-13 Central Glass Co Ltd ディスプレイ装置用基板ガラス

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1143732A (en) * 1914-12-10 1915-06-22 Jenaer Glaswerk Schott & Gen Glass.
NL140498C (ja) * 1968-06-06
FR2126960A2 (en) * 1971-02-18 1972-10-13 Owens Illinois Inc Glass ceramic - of improved corrosion resistance by adding zirconia
DE2413552B2 (de) 1974-03-21 1976-09-02 Jenaer Glaswerk Schott & Gen., 6500 Mainz Brandsichere glasscheiben
DE2756555C3 (de) * 1977-12-19 1982-12-02 Schott Glaswerke, 6500 Mainz Thermisch vorspannbare Gläser mit hoher Temperaturwechselfestigkeit und Wärmedehnungskoeffizienten im Temperaturbereich von 20 bis 300°C von 33,9 bis 53,2 mal 10↑-↑↑7↑/°C auf der Basis SiO↓2↓-B↓2↓O↓3↓-Al↓2↓O↓3↓-Na↓2↓O
US4309219A (en) * 1981-01-26 1982-01-05 Corning Glass Works Phase separated, non-crystalline opal glasses
US4526873A (en) * 1984-07-02 1985-07-02 Corning Glass Works Transparent, mullite glass-ceramics containing ZnO and method
JPS61236631A (ja) 1985-04-10 1986-10-21 Ohara Inc 耐火・耐熱性ガラス
JPS61261232A (ja) 1985-05-13 1986-11-19 Ohara Inc 耐火・耐熱性ガラス
JP2585637B2 (ja) * 1987-10-26 1997-02-26 株式会社ニフコ ロック装置
JPH01201043A (ja) * 1988-02-05 1989-08-14 Eta G K:Kk 高強度ガラス
JPH0667774B2 (ja) 1988-02-15 1994-08-31 株式会社オハラ 透明結晶化ガラス
JP2691263B2 (ja) 1989-08-11 1997-12-17 株式会社オハラ 透明結晶化ガラス
JP2743333B2 (ja) 1989-10-31 1998-04-22 日本電気硝子株式会社 基板用ガラス
SU1730064A1 (ru) * 1990-04-06 1992-04-30 Научно-Исследовательский Институт Электровакуумного Стекла С Заводом Стекло
JP2577493B2 (ja) * 1990-07-23 1997-01-29 ホーヤ株式会社 シリコン台座用ガラス、シリコン基材型センサー、及びシリコン基材型圧力センサー
GB9108257D0 (en) * 1991-04-17 1991-06-05 Cookson Group Plc Glaze compositions
JPH09255355A (ja) * 1996-03-18 1997-09-30 Asahi Glass Co Ltd 基板用ガラス組成物
JPH09255354A (ja) 1996-03-18 1997-09-30 Asahi Glass Co Ltd 基板用ガラス組成物
JPH09255356A (ja) * 1996-03-18 1997-09-30 Asahi Glass Co Ltd 基板用ガラス組成物
JPH10158034A (ja) * 1996-10-04 1998-06-16 S Ii C Kk 情報記録ディスク基板用結晶化ガラス
JPH1111975A (ja) 1997-06-27 1999-01-19 Asahi Glass Co Ltd プラズマディスプレイパネル用ガラス基板
US5854152A (en) * 1997-12-10 1998-12-29 Corning Incorporated Glasses for display panels
DE19802919C1 (de) * 1998-01-27 1999-10-07 Schott Glas Verwendung von Gläsern als Festplattensubstrate
US6323585B1 (en) * 1998-11-02 2001-11-27 Corning Incorporated Ultraviolet absorbing and yellow light filtering glasses for lamp envelopes
JP2001064034A (ja) * 1999-08-24 2001-03-13 Asahi Glass Co Ltd ディスプレイ用ガラス基板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS535215A (en) * 1976-07-06 1978-01-18 Tokyo Shibaura Electric Co Composite of dielectric glass for ozone generating apparatus
JPH11100226A (ja) * 1997-09-30 1999-04-13 Central Glass Co Ltd ディスプレイ装置用基板ガラス

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