JP4537000B2 - 電極を備えた透明基材 - Google Patents
電極を備えた透明基材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4537000B2 JP4537000B2 JP2002564768A JP2002564768A JP4537000B2 JP 4537000 B2 JP4537000 B2 JP 4537000B2 JP 2002564768 A JP2002564768 A JP 2002564768A JP 2002564768 A JP2002564768 A JP 2002564768A JP 4537000 B2 JP4537000 B2 JP 4537000B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- layer
- glass
- barrier layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 46
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 36
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 26
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 24
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 18
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 9
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 8
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 153
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 14
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 12
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 11
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 7
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 6
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 5
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- AZUYLZMQTIKGSC-UHFFFAOYSA-N 1-[6-[4-(5-chloro-6-methyl-1H-indazol-4-yl)-5-methyl-3-(1-methylindazol-5-yl)pyrazol-1-yl]-2-azaspiro[3.3]heptan-2-yl]prop-2-en-1-one Chemical compound ClC=1C(=C2C=NNC2=CC=1C)C=1C(=NN(C=1C)C1CC2(CN(C2)C(C=C)=O)C1)C=1C=C2C=NN(C2=CC=1)C AZUYLZMQTIKGSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016001 MoSe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- NIFIFKQPDTWWGU-UHFFFAOYSA-N pyrite Chemical compound [Fe+2].[S-][S-] NIFIFKQPDTWWGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052683 pyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011028 pyrite Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03923—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
本発明は、電極を備えた、特にガラス製の透明基材に関する。この導電性基材は、太陽電池の一部を形成することを最も特に意図する。
【０００２】
事実、太陽電池は、この種の導電性基材を組み入れ、次いで、該導電性基材が、一般的に、銅Ｃｕ、インジウムＩｎ、及び、セレンＳｅ、及び／又は、硫黄Ｓに基づいた黄銅鉱から作製した吸収剤層でコーティングされることが公知である。それは、例えば、ＣｕＩｎＳｅ２タイプの材料であることができる。この種の材料は、略語ＣＩＳとして知られる。
【０００３】
この種の用途について、電極は、通常、モリブデンＭｏに基づいている。というのも、この材料はいくつかの利点、即ち、（１）良い電気導体であること（約５．２ｍＷｃｍの比較的低い比抵抗）、（２）高融点（２，６１０℃）であるので、必要な高熱処理にさらすことができること、（３）セレン及び硫黄に対して、ある程度まで、良い抵抗性を示すこと、を有すためである。吸収剤層の堆積は、通常、電極がセレン又は硫黄を含む雰囲気と接触しなければならないことを意味するが、その雰囲気においては、ほとんどの金属が劣化する傾向にある。対照的に、モリブデンは、特にセレンと表面で反応し、ＭｏＳｅ２を形成する。しかしながら、それは、その性質、特に電気的な性質のほとんどを維持し、ＣＩＳ層と適切な電気的接触を維持する。最後に、モリブデンは、ＣＩＳ層によく付着する材料であり、その結晶の成長を促進させる傾向さえある。
【０００４】
しかしながら、モリブデンは、産業上の製造を考えたときに、大きな障害がある。即ち、それは高価な材料である。これは、Ｍｏ層が、通常、（磁界をかけることで促進された）スパッタリングによって堆積されるためである。現在、Ｍｏターゲットは高価である。所望のレベルの導電率、即ち、Ｓ又はＳｅを含む雰囲気において処理した後、２Ω／□未満、好ましくは１Ω／□、又は、０．５Ω／□未満の表面抵抗（resistance per square）を得るために，一般的には、およそ７００ｎｍ〜１μｍの厚いＭｏ層が必要とされるので、このことはなおさら無視できない。
【０００５】
それゆえ、本発明の目的は、太陽電池への使用を意図する、電極を備えた基材を得ることであり、該電極は公知のＭｏ電極よりも製造するのに容易であり、及び／又は、高価でなく、しかし、その性能、特に電気的な性能は、予想される用途について、同等、又は、少なくとも十分である。
【０００６】
本発明の主題は、第一に、特にガラス製の透明基材であり、それは電極、特に太陽電池に適した電極を備え、多くとも５００ｎｍ、特には多くとも４００ｎｍ、多くとも３００ｎｍ、又は、多くとも２００ｎｍのモリブデンＭｏに基づいた導電層を含んで成る。好ましくは、それは、少なくとも２０ｎｍ、又は、少なくとも５０ｎｍ、少なくとも８０ｎｍ、若しくは、少なくとも１００ｎｍの厚さとする。
【０００７】
本発明の文脈内において、“層”という用語は、特に、（連続層をエッチングすること、又は、例えばマスクシステムによって、所望のパターンを有する不連続層を直接堆積させることの何れかによる）パターンを有する連続層、又は、不連続層のどちらかを意味すると解される。これは本出願に関係するすべての層に適用する。
【０００８】
本発明の手法は、別の金属を選んで、モリブデンを完全に排除することにあるわけではない。というのも、特にセレン又は硫黄と接触するときに、上記の熱処理の間、主な劣化（Ｍｏに起こり得る劣化の問題は、それを被覆する吸収剤層に関して、同様に影響がある）もなく、十分に抵抗性のあるとみなされる金属がまったくないためである。しかしながら、該手法は、モリブデンの厚さを相当に減少させることになり、即ち、通常使用するよりも、はるかに薄い厚さ（即ち１μｍよりもはるかに薄い）が、結果として、原料コストに関してのかなりの節約とともに、所望の電気的性質を得るには、相当に十分であるということが、すべての予想に反して見出された。モリブデン層の厚さを減少させることには、もう１つの利点がある。即ち、これらの比較的薄い層は、堆積パラメータを用いて、スパッタリングによって堆積させることが可能であり、その結果、厚い層を用いるこの特別の場合に生ずることのある離層を問題としないで、層に高い応力を加えるということが見出された。より薄い層はまた、ピンホールとして知られる欠陥もほとんどない傾向がある。
【０００９】
確実により薄いモリブデン層の有効性を維持するために、本発明は、好ましくは、代わりになるものとして、又は、組み合せて使用される、（しかしながら選択的なままである）いくつかの変化形に役立つ。
【００１０】
第１の変化形によれば、バリヤー層と呼ばれる層が、有利には、基材と電極の間に挿入される。その主な機能は、基材から電極へ、及び、吸収剤層までの化学種の拡散（あるいはまた、相互に、電極から基材への化学種の拡散）による移動に対して、バリヤーを形成することである。基材がガラス製であるときに、ガラスから拡散しやすい化学種、並びに、電極及び吸収剤層を劣化させやすい化学種は、特にアルカリ金属である。このようなバリヤー層を提供することで、電極又は黄銅鉱製の吸収剤層が劣化するという恐れなく、フロート法によって得られた標準のシリカ−ソーダライムガラスを、基材として使用することが可能となる。本発明の文脈内において、これは、小さい厚さについては、わずかな劣化でさえ、相当により厚い層の場合よりも影響が大きいので、モリブデン層が薄いほどますます重要となる。
【００１１】
有利には、このバリヤー層は、以下の化合物、即ち、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素、窒化アルミニウム又は酸窒化アルミニウム、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素のうちの少なくとも１つから選択した誘電材料に基づいている。（場合によって、Ａｌ又はホウ素種の少数金属を含む）窒化ケイ素が、特に効果的であることが示された。これは非常に不活性な材料であり、実際、熱処理に対してセンシティブでなく、アルカリ金属の拡散に対して十分なバリヤーを提供する。
【００１２】
好ましくは、バリヤー層は少なくとも２０ｎｍ、特には少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１２０ｎｍ、又は、少なくとも１５０ｎｍの厚さ、及び、多くとも３００ｎｍ、特には多くとも２５０ｎｍ、又は、多くとも２００ｎｍの厚さとする。
【００１３】
第２の変化形によれば、厚いＭｏ層ほど導電性でない場合、全体として、同じくらいに導電性のある電極を得るために、Ｍｏ層の厚さにおける減少を“補う”ことが望ましい場合がある。本発明に従った解決法は、電極において、Ｍｏに基づいた層に、少なくとも１つの他の異なる種類の導電層を加えることにある。有利には、この“補足（complementary）”導電層は、モリブデンよりも薄い層として（スパッタリングによって）堆積させるのに高価でない材料から作製するように選択される。
【００１４】
補足導電層、又は、それがいくつかある場合、補足導電層を組み合せたものは、好ましくは少なくとも１０ｎｍ、特には少なくとも４０ｎｍの厚さとする。好ましくは、それは多くとも３００ｎｍの厚さとし、有利には、その厚さは５０〜２００ｎｍ又は３００ｎｍの範囲になるように選択される。
【００１５】
この第２変化形のうちの第１実施態様によれば、電極は、金属又は少なくとも２つの金属の合金に基づいたＭと呼ばれる少なくとも１つの補足導電層を含んで成る。これらは特には以下の金属又は合金、即ち、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、鋼であってよい。この（これらの）補足金属層をモリブデンに基づいた層の下に配置することが有利である。即ち、セレン又は硫黄に対して、これらの部材は特には腐食性であるが、モリブデンは適切な抵抗性があるので、この構成において、モリブデン層が、これらの金属層をセレン又は硫黄との接触から隔離する。
【００１６】
第１実施態様に代わるものとして、又は、それに関連した、第２変化形のうちの第２実施態様によれば、電極は、金属窒化物に基づいたＭ’Ｎと呼ばれる少なくとも１つの補足導電層を含んで成る。これは、特には以下の金属、即ち、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｈｆのうちの少なくとも１つの窒化物であってよい。この層はモリブデンに基づいた層の下、又は、上に配置してもよい（又は、２つの層であって、１つは前記層の下に、もう１つは前記層の上にあってもよい）。該窒化物は、窒素に関して、化学量論的（stoichiometric）、亜化学量論的（substoichiometric）又は過化学量論的（superstoichiometric）であってもよい。化学量論的量は、特には、金属ターゲットを使用して、反応性スパッタリングによって、該層を堆積させるときに、スパッタリングチャンバー内の窒素比率を変化させることで調節することができる。
【００１７】
１つの特に有利な実施態様は、層ＭとＭｏに基づいた層の間に、層Ｍ’Ｎを提供することによって、最初の２つを組み合せることにある。これは、この構成において、窒化物層Ｍ’Ｎは、導電層としてだけではなく、２つの金属層（ＭとＭｏ）の間で、化学種が相互拡散するのを防ぐ（又は、少なくとも十分に減少させる）層としても働くためである。ＴｉＮ、ＴａＮ、ＺｒＮ、ＮｂＮ及びＭｏＮ層が、モリブデン層への銅の拡散を防ぐことに効果的であることがわかっている。また、ＨｆＮ層が、モリブデン層へのアルミニウムの拡散を防ぐことに特に効果的であることも示されている（ＨｆＮなどに基づいたこの種の組成は、窒化物の化学量論性を損なわない。本明細書に記載する残りの窒化物の組成物すべてについてと同様に、亜化学量論的、又は、過化学量論的な窒化物のどちらであってもよい）。
【００１８】
例えば、以下の順序の層、即ち、
Ｍ／Ｍｏ／Ｍ’Ｎ
Ｍ／Ｍ’Ｎ／Ｍｏ
Ｍ／Ｍｏ
Ｍ’Ｎ／Ｍｏ
Ｍｏ／Ｍ’Ｎ
を含んでなる、本発明に従った電極の構成を有することが可能である。
【００１９】
金属Ｍの層が銀に基づく場合、それが、下方の層（例えば、１つの構成におけるＳｉ３Ｎ４種のバリヤー層、即ち、バリヤー層／Ｍ層／Ｍ’Ｎ層／Ｍｏ層）に、前記バリヤー層と前記銀に基づいた層の間に、酸化亜鉛に基づいた核形成層を挿入することによって、しっかりと付着することを確実にすることが好ましい。さらに多層のより良い密着を確実にするために、該銀層の上部に酸化亜鉛に基づいた第２の層を提供することもまた有利なことがある。ＺｎＯに基づいた１つの層又は複数の層は、場合によって、ＺｎＯは（Ａｌ、Ｂなどで）ドープされ、少なくとも５ｎｍ、例えば７〜２０ｎｍの厚さとなるように例えば選択される。
【００２０】
好ましくは、電極の導電層厚さの合計は６００ｎｍ以下、特には５００ｎｍ又は４００ｎｍ以下とする。
【００２１】
有利には、電極は表面抵抗を２Ω／□以下、特には１Ω／□以下、好ましくは０．５０Ω／□、又は、０．４５Ω／□以下とする。これらの値は太陽電池の電極に適している。
【００２２】
好ましい変化形によれば、本発明は、太陽電池の外観を改良することを目的としている。これは、太陽電池が建物の壁又は屋根に取り付けられるとき、建物の“内側”のその外観（外側については、電極が鏡を形成する）が、ときに魅力的でないことがあるためである。反射における測色学的応答（colorimetric response）は改良することができる。
【００２３】
本発明によるこの副次的問題に対する第１の解決法は、実電極の“下に”光学的な目的のために、多層コーティングに上記のバリヤー層を含めることにある。光学コーティングは、異なる屈折率を有する誘電材料のうちの少なくとも２つの層から成る。したがって、層と層の間で、厚さ及び屈折率の差を変えることにより、反射における多層コーティング基材の測色学的応答は、干渉によってかなり細かく調節することができる。
【００２４】
好ましくは、このコーティングは、高屈折率（例えば１．９〜２．３）を有する層と低屈折率（例えば１．４〜１．７）を有する層の交互配列を含んで成る。このコーティングの実施態様は、例えば、Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２、又、はＳｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４である。
【００２５】
第１の解決法に代わるものとして、又は、それに関連した、第２の解決法は、窒化物Ｍ’Ｎに基づいた少なくとも１つの層を含む電極を使用し、且つ、窒素の化学量論的量をわずかに変更することにある。これは、わずかに亜化学量論的、又は、過化学量論的な窒化物は、同じ電気的性質を維持するが、基材の測色学的応答をある程度まで変化させることができるということが見出されたためである。２つの解決法を組み合せることによって、測色学的応答を調節する際の選択肢の数が増える。
【００２６】
最初の２つの解決法のうち、少なくとも１つに代わるものとして、又は、それに関連した、第３の解決法は、可視光領域において吸収性の薄層を電極の下に、特にはそれをバリヤー層と電極の間に入れることによって、配置することにある。例えば、これはＴｉＮタイプの金属窒化物層であってもよく、好ましくは、２〜１５ｎｍの範囲内にある厚さを有する。したがって、該タイプの一連の層、即ち、ガラス／バリヤー層（Ｓｉ３Ｎ４／薄い吸収剤層（ＴｉＮ／ＳｉＯ２／Ｍｏなど）など）を有することが可能であり、つまり、この場合には、吸収剤層はＳｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２光学コーティングの“中間に”存在する。
【００２７】
したがって、このコーティングと電極を備えた基材を得ることが可能であって、反射において、（Ｌ、ａ＊、ｂ＊）表色系で、マイナスのａ＊とｂ＊値を有する該基材は、青緑の色に相当し、又は、わずかにプラスのａ＊値とマイナスのｂ＊値を有する該基材は、ピンクの色に相当する。
【００２８】
本発明の主題はまた、上に規定し、電極の上部に黄銅鉱の吸収剤層をコーティングした基材にもある。
【００２９】
本発明の主題はまた、太陽電池を作製するための前記基材にもある。
【００３０】
次に、本発明は、太陽電池用電極の制限しない実施例を用いて、詳細に説明され、多層コーティングしたガラス基材の顕微鏡写真によって、図１及び図２において説明される。
【００３１】
それぞれの例は、厚さ２ｍｍの透明なシリカ−ソーダライムガラスの基材を使用する（一般的には、ガラス基材は１〜４ｍｍ、又は、１〜３ｍｍの厚さとする）。
【００３２】
すべての層は、磁界促進スパッタリング（magnetic-field-enhanced sputtering）によって、ガラス基材上に堆積させた。即ち、
（１）金属層は、不活性雰囲気において、対応する金属ターゲットを使用し、
（２）金属窒化物層は、不活性ガスと窒素の混合物を含む反応性雰囲気において、対応する金属ターゲットを使用し、
（３）窒化ケイ素層は、不活性ガスと窒素の混合物を含む反応性雰囲気において、ＡｌをドープしたＳｉターゲットを使用し、
（４）酸化ケイ素層は、ＡｌをドープしたＳｉターゲットと、不活性ガスと酸素の混合物を含んで成る反応性雰囲気を使用した。
【００３３】
該層を以下の方法で試験した。即ち、
（１）すべての層を堆積させた後、４点法によって表面抵抗Ｒ□（１）を測定すること。
（２）いわゆる“ブロンズ（bronze）”試験、即ち、この試験は、空気中３５０℃で１０分間、すべての層を備えたガラスを加熱することにある。該試験は、ナトリウムが、ガラスから電極に拡散したかどうかを調べることを意図するものである。該試験の最後に、表面抵抗Ｒ□（２）を、再度４点法によって測定する。加えて、顕微鏡を（１００倍、及び、１０００倍の倍率で）使用して、熱処理によって欠陥（ピンホール）等が生じたかどうかを確認する。
（３）いわゆる“セレン化（selenization）”試験、即ち、この試験は、セレン雰囲気中において、１０分間、すべての層を備えたガラス基材を、さらに加熱することにある。セレン温度は２００〜２４０℃の間とし、ガラス温度は３２５〜３６５℃の間とする。該試験の最後に、表面抵抗Ｒ□（３）を再度測定し、これからセレン化前の値とセレン化後の値とで、抵抗率（表面抵抗）の差、ΔＲ□（３）を算出する。
【００３４】
このセレン化試験は、事実、実際におけるよりも非常に“厳しい”ということに注意すべきである。これは、ここで本発明が、第一に電極の製造にのみ関係するためである。しかしながら、完全な状態の太陽電池を製造するとき、このセレン化工程は、ＣＩＳ層を堆積させた後、直ちに実施される。即ち、太陽電池の通常の製造サイクルにおいては、電極は黄銅鉱層によってセレンとの直接の接触から“保護”される。
【００３５】
電極が十分であるとみなされるには、
（１）ガラス中のナトリウムが電極へ拡散するのを妨げられること、
（２）電極が“ブロンズ”試験及び“セレン化”試験に対して、ある程度の抵抗性、即ち、欠陥がほとんどなく、且つ、十分な表面抵抗を有すること、
（３）電極がＣＩＳ層によく付着すること、及び、
（４）電極が特にレーザーによって、容易にエッチングできること、
が有利であると考えられる。
【００３６】
例１〜７
例１
この例は、バリヤー層とモリブデンの単一層電極を、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／Ｍｏ（５００ｎｍ）の順序で使用する。図１は、セレン化工程の後、ガラスを顕微鏡で１０００倍に拡大した写真である。顕微鏡写真によって、欠陥が少ししかなく、その上、小さいことが示される。電極の品質は良好であるとみなされる。
【００３７】
例１ａ
この例は、例１と同じであるが、著しくより薄いＭｏ層を有する多層スタックを、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／Ｍｏ（２００ｎｍ）の順序で使用する。
【００３８】
例２
この例は、バリヤー層と２層電極（即ち、金属Ｍ層／Ｍｏ層）を、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／Ａｇ（５０ｎｍ）／Ｍｏ（１７５ｎｍ）の順序で使用する。
【００３９】
例３
この例は、例２と同じであるが、別のタイプの金属Ｍ層を有する構成、即ち、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（１７５ｎｍ）を使用する。
【００４０】
例４
この例は、バリヤー層と、金属／金属窒化物／Ｍｏの３層電極を、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／Ｃｕ（１００ｎｍ）／ＴｉＮ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（１７５ｎｍ）の順序で使用する。
【００４１】
例５
これは例４と同じであるが、銅層の厚さが異なる構成、即ち、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／Ｃｕ（５０ｎｍ）／ＴｉＮ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（１７５ｎｍ）である。
【００４２】
図２は、セレン化試験の後、多層コーティングしたガラスの一部について、この例５を１０００倍に拡大した顕微鏡写真に相当する。欠陥は少ししか確認することができず、非常に小さい。この顕微鏡写真は、図１の顕微鏡写真とかなり類似している。
【００４３】
例６
この例は、バリヤー層と３層電極を、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／Ａｇ（５０ｎｍ）／ＴｉＮ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（１７５ｎｍ）の順序で使用する。それは例２に対応するが、加えてＴｉＮ層を有する。
【００４４】
例７
さらに、この例は、バリヤー層と３層電極を、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）／ＴｉＮ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（１７５ｎｍ）の順序で使用する。それは例３に対応するが、加えてＴｉＮ層を有する。
【００４５】
下表１に、例１〜７のそれぞれについて、Ｒ□（１）とＲ□（２）の値と、ブロンズ試験後の欠陥の数（“欠陥”）と、ΔＲ□（３）の値を与える。これらの用語は上で説明された。
【００４６】
【表１】
【００４７】
このデータから、以下の結論を引き出すことができる。
【００４８】
１Ω／□よりも著しく小さいＲ□値は、２００ｎｍ未満のモリブデンを使用して得ることができ、それは、金属窒化物層、及び／又は、適当な厚さの金属層と関連している（全体で、２層又は３層電極は、４００ｎｍ又は５００ｎｍ未満の合計厚さとする）。
【００４９】
Ｓｉ３Ｎ４バリヤー層は効果的であり、電極がナトリウムの拡散によって劣化することを妨げる。というのも、すべての例において、Ｒ□（１）とＲ□（２）の値が同じ、又は、ほとんど同じためである。それゆえ、Ｓｉ３Ｎ４バリヤー層はまた、ＣＩＳ吸収層が劣化することも妨げる。
【００５０】
（例１、即ち、バリヤー層と組み合せた５００ｎｍの）Ｍｏ単一電極を有するように選択することもまた可能である。それは良い結果を与える。電極を２００ｎｍのＭｏのみから構成し、１Ω／□未満の表面抵抗とすることさえ可能である。これは、これまで真実であると考えられていた、極めてより厚いＭｏ層を有することが必要でないということを証明する。
【００５１】
例８〜１１ｂ
これらの例の目的は、反射における電極の側色学的応答を調節することである。
【００５２】
これらすべての例において、モリブデン層は、厚さを４００ｎｍ又は５００ｎｍとする。ガラス面での側色学的応答の観点からは、モリブデン層が少なくとも５０〜１００ｎｍの厚さを超えるとまったく効果がない。というのも、その時には、完全に不透明な鏡層となるためである。即ち、Ｍｏ層が１７５ｎｍ又は２００ｎｍの場合、同じ結果となる。
【００５３】
例８
この例は、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／ＴｉＮ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（４００ｎｍ）の多層スタックを使用し、ＴｉＮ層は、２０ｖｏｌ％の窒素を含む反応性雰囲気において、反応性スパッタリングによって堆積させた。
【００５４】
例８ａ
これは例８と同じ構成であるが、この場合においては、ＴｉＮ層を４０ｖｏｌ％の窒素を含む雰囲気で堆積させた。
【００５５】
例８ｂ
これは例８と同じ構成であるが、この場合においては、ＴｉＮ層を７０ｖｏｌ％の窒素を含む雰囲気で堆積させた。
【００５６】
下表に、これら３つの例について、（Ｌ、ａ＊、ｂ＊）表色系におけるａ＊とｂ＊の値（該値はガラス面で測定した）と、Ｒ□値（“ブロンズ”試験前に行った測定）を与える。
【００５７】
【表２】
【００５８】
ＴｉＮの化学量論的量における変化（それは堆積する間の窒素量に依存する）は、電極の電気的性質を著しくは変化させない。もう一方で、ａ＊の値に大きな変化と、ｂ＊の値にさらに大きな変化を与える。したがって、例８は大きなプラスのｂ＊で赤く色づくが、例８ｂはわずかにマイナスのｂ＊で青緑になる。
【００５９】
窒素に関して、例８はわずかに亜化学量論的なＴｉＮ層を有し、例８ａはほぼ化学量論的なＴｉＮ層を有し、一方、例８ｂは過化学量論的な傾向がある。
【００６０】
例９
この例において、高屈折率／低屈折率の光学コーティングを形成するために、屈折率を約２とするＳｉ３Ｎ４バリヤー層を、屈折率を約１．４５とするＳｉＯ２に基づいた付加的な層と組み合せる。
【００６１】
該構成は、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／ＳｉＯ２（２０ｎｍ）／ＴｉＮ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（４００ｎｍ）である。ＴｉＮ層は２０ｖｏｌ％の窒素を含む雰囲気において堆積させた。
【００６２】
例９ａ
例９を繰り返し行うが、今度は４０ｖｏｌ％の窒素がＴｉＮの堆積雰囲気にある状態で行った。
【００６３】
例９ｂ
例９を繰り返し行うが、今度は７０ｖｏｌ％の窒素がＴｉＮの堆積雰囲気にある状態で行った。
【００６４】
下表に、これら３つの例について、上で説明したａ＊、ｂ＊及びＲ□の値を与える。
【００６５】
【表３】
【００６６】
例１０
今度は、使用する窒化物層をＮｂＮから作製し、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／ＳｉＯ２（３０ｎｍ）／ＮｂＮ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（５００ｎｍ）の構成とした。該ＮｂＮ層は、２０ｖｏｌ％の窒素を含む雰囲気において堆積させた。
【００６７】
例１０ａ
例１０を繰り返し行うが、この場合においては、ＮｂＮ層を４０ｖｏｌ％の窒素を含む雰囲気で堆積させた。
【００６８】
例１０ｂ
例１０を繰り返し行うが、この場合においては、ＮｂＮ層を７０ｖｏｌ％の窒素を含む雰囲気で堆積させた。
【００６９】
下表に、これら３つの例について、すでに説明したａ＊、ｂ＊及びＲ□の値を与える。
【００７０】
【表４】
【００７１】
この場合においては、ＮｂＮは、より亜化学量論的、又は、過化学量論的であるが、ａ＊とｂ＊の値がマイナスであり、そのことは強度が変化する魅力的な青緑色に対応する。
【００７２】
例１１
この例は、例１０、１０ａ、１０ｂの一連の層を繰り返し行うが、Ｓｉ３Ｎ４とＳｉＯ２の厚さが異なる。
【００７３】
該構成は、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（１５０ｎｍ）／ＳｉＯ２（９０ｎｍ）／ＮｂＮ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（５００ｎｍ）である。
【００７４】
例１１ａ
この例は、例１１を繰り返し行うが、この場合においては、４０ｖｏｌ％の窒素を含む雰囲気でＮｂＮ層を堆積させた。
【００７５】
例１１ｂ
この例は、例１１を繰り返し行うが、この場合においては、７０ｖｏｌ％の窒素を含む雰囲気でＮｂＮ層を堆積させた。
【００７６】
下表に、これら３つの例について、すでに説明したａ＊、ｂ＊及びＲ□の値を与える。
【００７７】
【表５】
【００７８】
その結果、これらの例はピンクであり、この色もまた魅力的であると思われる。
【００７９】
例１２
この例は、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（１５０ｎｍ）／ＳｉＯ２（６５ｎｍ）／Ｓｉ３Ｎ４（１５ｎｍ）／Ｍｏ（５００ｎｍ）の順序の層とする。
【００８０】
したがって、それは高屈折率／低屈折率／高屈折率の３層光学コーティングにバリヤー層を組み入れている。
【００８１】
下表に、先の例と同様に、この例について同じデータを与える。
【００８２】
【表６】
【００８３】
その結果、この例は青緑色を弱くもする。
【００８４】
最後に、その結果、本発明による電極の色は、窒化物層の化学量論的量を変化させることによって、及び／又は、有利にはバリヤー層を含めて、少なくとも２つの層にフィルターを加えることによって、細かく調節することができる。さらには、この第２の一連の例によるａ＊とｂ＊の値は、一度“ブロンズ”試験を通過すれば、ほとんど変化しない（±２未満）ことが確認された。
本発明は、電極を備えた、特にガラス製の透明基材に関する。この導電性基材は、太陽電池の一部を形成することを最も特に意図する。
【０００２】
事実、太陽電池は、この種の導電性基材を組み入れ、次いで、該導電性基材が、一般的に、銅Ｃｕ、インジウムＩｎ、及び、セレンＳｅ、及び／又は、硫黄Ｓに基づいた黄銅鉱から作製した吸収剤層でコーティングされることが公知である。それは、例えば、ＣｕＩｎＳｅ２タイプの材料であることができる。この種の材料は、略語ＣＩＳとして知られる。
【０００３】
この種の用途について、電極は、通常、モリブデンＭｏに基づいている。というのも、この材料はいくつかの利点、即ち、（１）良い電気導体であること（約５．２ｍＷｃｍの比較的低い比抵抗）、（２）高融点（２，６１０℃）であるので、必要な高熱処理にさらすことができること、（３）セレン及び硫黄に対して、ある程度まで、良い抵抗性を示すこと、を有すためである。吸収剤層の堆積は、通常、電極がセレン又は硫黄を含む雰囲気と接触しなければならないことを意味するが、その雰囲気においては、ほとんどの金属が劣化する傾向にある。対照的に、モリブデンは、特にセレンと表面で反応し、ＭｏＳｅ２を形成する。しかしながら、それは、その性質、特に電気的な性質のほとんどを維持し、ＣＩＳ層と適切な電気的接触を維持する。最後に、モリブデンは、ＣＩＳ層によく付着する材料であり、その結晶の成長を促進させる傾向さえある。
【０００４】
しかしながら、モリブデンは、産業上の製造を考えたときに、大きな障害がある。即ち、それは高価な材料である。これは、Ｍｏ層が、通常、（磁界をかけることで促進された）スパッタリングによって堆積されるためである。現在、Ｍｏターゲットは高価である。所望のレベルの導電率、即ち、Ｓ又はＳｅを含む雰囲気において処理した後、２Ω／□未満、好ましくは１Ω／□、又は、０．５Ω／□未満の表面抵抗（resistance per square）を得るために，一般的には、およそ７００ｎｍ〜１μｍの厚いＭｏ層が必要とされるので、このことはなおさら無視できない。
【０００５】
それゆえ、本発明の目的は、太陽電池への使用を意図する、電極を備えた基材を得ることであり、該電極は公知のＭｏ電極よりも製造するのに容易であり、及び／又は、高価でなく、しかし、その性能、特に電気的な性能は、予想される用途について、同等、又は、少なくとも十分である。
【０００６】
本発明の主題は、第一に、特にガラス製の透明基材であり、それは電極、特に太陽電池に適した電極を備え、多くとも５００ｎｍ、特には多くとも４００ｎｍ、多くとも３００ｎｍ、又は、多くとも２００ｎｍのモリブデンＭｏに基づいた導電層を含んで成る。好ましくは、それは、少なくとも２０ｎｍ、又は、少なくとも５０ｎｍ、少なくとも８０ｎｍ、若しくは、少なくとも１００ｎｍの厚さとする。
【０００７】
本発明の文脈内において、“層”という用語は、特に、（連続層をエッチングすること、又は、例えばマスクシステムによって、所望のパターンを有する不連続層を直接堆積させることの何れかによる）パターンを有する連続層、又は、不連続層のどちらかを意味すると解される。これは本出願に関係するすべての層に適用する。
【０００８】
本発明の手法は、別の金属を選んで、モリブデンを完全に排除することにあるわけではない。というのも、特にセレン又は硫黄と接触するときに、上記の熱処理の間、主な劣化（Ｍｏに起こり得る劣化の問題は、それを被覆する吸収剤層に関して、同様に影響がある）もなく、十分に抵抗性のあるとみなされる金属がまったくないためである。しかしながら、該手法は、モリブデンの厚さを相当に減少させることになり、即ち、通常使用するよりも、はるかに薄い厚さ（即ち１μｍよりもはるかに薄い）が、結果として、原料コストに関してのかなりの節約とともに、所望の電気的性質を得るには、相当に十分であるということが、すべての予想に反して見出された。モリブデン層の厚さを減少させることには、もう１つの利点がある。即ち、これらの比較的薄い層は、堆積パラメータを用いて、スパッタリングによって堆積させることが可能であり、その結果、厚い層を用いるこの特別の場合に生ずることのある離層を問題としないで、層に高い応力を加えるということが見出された。より薄い層はまた、ピンホールとして知られる欠陥もほとんどない傾向がある。
【０００９】
確実により薄いモリブデン層の有効性を維持するために、本発明は、好ましくは、代わりになるものとして、又は、組み合せて使用される、（しかしながら選択的なままである）いくつかの変化形に役立つ。
【００１０】
第１の変化形によれば、バリヤー層と呼ばれる層が、有利には、基材と電極の間に挿入される。その主な機能は、基材から電極へ、及び、吸収剤層までの化学種の拡散（あるいはまた、相互に、電極から基材への化学種の拡散）による移動に対して、バリヤーを形成することである。基材がガラス製であるときに、ガラスから拡散しやすい化学種、並びに、電極及び吸収剤層を劣化させやすい化学種は、特にアルカリ金属である。このようなバリヤー層を提供することで、電極又は黄銅鉱製の吸収剤層が劣化するという恐れなく、フロート法によって得られた標準のシリカ−ソーダライムガラスを、基材として使用することが可能となる。本発明の文脈内において、これは、小さい厚さについては、わずかな劣化でさえ、相当により厚い層の場合よりも影響が大きいので、モリブデン層が薄いほどますます重要となる。
【００１１】
有利には、このバリヤー層は、以下の化合物、即ち、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素、窒化アルミニウム又は酸窒化アルミニウム、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素のうちの少なくとも１つから選択した誘電材料に基づいている。（場合によって、Ａｌ又はホウ素種の少数金属を含む）窒化ケイ素が、特に効果的であることが示された。これは非常に不活性な材料であり、実際、熱処理に対してセンシティブでなく、アルカリ金属の拡散に対して十分なバリヤーを提供する。
【００１２】
好ましくは、バリヤー層は少なくとも２０ｎｍ、特には少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１２０ｎｍ、又は、少なくとも１５０ｎｍの厚さ、及び、多くとも３００ｎｍ、特には多くとも２５０ｎｍ、又は、多くとも２００ｎｍの厚さとする。
【００１３】
第２の変化形によれば、厚いＭｏ層ほど導電性でない場合、全体として、同じくらいに導電性のある電極を得るために、Ｍｏ層の厚さにおける減少を“補う”ことが望ましい場合がある。本発明に従った解決法は、電極において、Ｍｏに基づいた層に、少なくとも１つの他の異なる種類の導電層を加えることにある。有利には、この“補足（complementary）”導電層は、モリブデンよりも薄い層として（スパッタリングによって）堆積させるのに高価でない材料から作製するように選択される。
【００１４】
補足導電層、又は、それがいくつかある場合、補足導電層を組み合せたものは、好ましくは少なくとも１０ｎｍ、特には少なくとも４０ｎｍの厚さとする。好ましくは、それは多くとも３００ｎｍの厚さとし、有利には、その厚さは５０〜２００ｎｍ又は３００ｎｍの範囲になるように選択される。
【００１５】
この第２変化形のうちの第１実施態様によれば、電極は、金属又は少なくとも２つの金属の合金に基づいたＭと呼ばれる少なくとも１つの補足導電層を含んで成る。これらは特には以下の金属又は合金、即ち、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、鋼であってよい。この（これらの）補足金属層をモリブデンに基づいた層の下に配置することが有利である。即ち、セレン又は硫黄に対して、これらの部材は特には腐食性であるが、モリブデンは適切な抵抗性があるので、この構成において、モリブデン層が、これらの金属層をセレン又は硫黄との接触から隔離する。
【００１６】
第１実施態様に代わるものとして、又は、それに関連した、第２変化形のうちの第２実施態様によれば、電極は、金属窒化物に基づいたＭ’Ｎと呼ばれる少なくとも１つの補足導電層を含んで成る。これは、特には以下の金属、即ち、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｈｆのうちの少なくとも１つの窒化物であってよい。この層はモリブデンに基づいた層の下、又は、上に配置してもよい（又は、２つの層であって、１つは前記層の下に、もう１つは前記層の上にあってもよい）。該窒化物は、窒素に関して、化学量論的（stoichiometric）、亜化学量論的（substoichiometric）又は過化学量論的（superstoichiometric）であってもよい。化学量論的量は、特には、金属ターゲットを使用して、反応性スパッタリングによって、該層を堆積させるときに、スパッタリングチャンバー内の窒素比率を変化させることで調節することができる。
【００１７】
１つの特に有利な実施態様は、層ＭとＭｏに基づいた層の間に、層Ｍ’Ｎを提供することによって、最初の２つを組み合せることにある。これは、この構成において、窒化物層Ｍ’Ｎは、導電層としてだけではなく、２つの金属層（ＭとＭｏ）の間で、化学種が相互拡散するのを防ぐ（又は、少なくとも十分に減少させる）層としても働くためである。ＴｉＮ、ＴａＮ、ＺｒＮ、ＮｂＮ及びＭｏＮ層が、モリブデン層への銅の拡散を防ぐことに効果的であることがわかっている。また、ＨｆＮ層が、モリブデン層へのアルミニウムの拡散を防ぐことに特に効果的であることも示されている（ＨｆＮなどに基づいたこの種の組成は、窒化物の化学量論性を損なわない。本明細書に記載する残りの窒化物の組成物すべてについてと同様に、亜化学量論的、又は、過化学量論的な窒化物のどちらであってもよい）。
【００１８】
例えば、以下の順序の層、即ち、
Ｍ／Ｍｏ／Ｍ’Ｎ
Ｍ／Ｍ’Ｎ／Ｍｏ
Ｍ／Ｍｏ
Ｍ’Ｎ／Ｍｏ
Ｍｏ／Ｍ’Ｎ
を含んでなる、本発明に従った電極の構成を有することが可能である。
【００１９】
金属Ｍの層が銀に基づく場合、それが、下方の層（例えば、１つの構成におけるＳｉ３Ｎ４種のバリヤー層、即ち、バリヤー層／Ｍ層／Ｍ’Ｎ層／Ｍｏ層）に、前記バリヤー層と前記銀に基づいた層の間に、酸化亜鉛に基づいた核形成層を挿入することによって、しっかりと付着することを確実にすることが好ましい。さらに多層のより良い密着を確実にするために、該銀層の上部に酸化亜鉛に基づいた第２の層を提供することもまた有利なことがある。ＺｎＯに基づいた１つの層又は複数の層は、場合によって、ＺｎＯは（Ａｌ、Ｂなどで）ドープされ、少なくとも５ｎｍ、例えば７〜２０ｎｍの厚さとなるように例えば選択される。
【００２０】
好ましくは、電極の導電層厚さの合計は６００ｎｍ以下、特には５００ｎｍ又は４００ｎｍ以下とする。
【００２１】
有利には、電極は表面抵抗を２Ω／□以下、特には１Ω／□以下、好ましくは０．５０Ω／□、又は、０．４５Ω／□以下とする。これらの値は太陽電池の電極に適している。
【００２２】
好ましい変化形によれば、本発明は、太陽電池の外観を改良することを目的としている。これは、太陽電池が建物の壁又は屋根に取り付けられるとき、建物の“内側”のその外観（外側については、電極が鏡を形成する）が、ときに魅力的でないことがあるためである。反射における測色学的応答（colorimetric response）は改良することができる。
【００２３】
本発明によるこの副次的問題に対する第１の解決法は、実電極の“下に”光学的な目的のために、多層コーティングに上記のバリヤー層を含めることにある。光学コーティングは、異なる屈折率を有する誘電材料のうちの少なくとも２つの層から成る。したがって、層と層の間で、厚さ及び屈折率の差を変えることにより、反射における多層コーティング基材の測色学的応答は、干渉によってかなり細かく調節することができる。
【００２４】
好ましくは、このコーティングは、高屈折率（例えば１．９〜２．３）を有する層と低屈折率（例えば１．４〜１．７）を有する層の交互配列を含んで成る。このコーティングの実施態様は、例えば、Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２、又、はＳｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４である。
【００２５】
第１の解決法に代わるものとして、又は、それに関連した、第２の解決法は、窒化物Ｍ’Ｎに基づいた少なくとも１つの層を含む電極を使用し、且つ、窒素の化学量論的量をわずかに変更することにある。これは、わずかに亜化学量論的、又は、過化学量論的な窒化物は、同じ電気的性質を維持するが、基材の測色学的応答をある程度まで変化させることができるということが見出されたためである。２つの解決法を組み合せることによって、測色学的応答を調節する際の選択肢の数が増える。
【００２６】
最初の２つの解決法のうち、少なくとも１つに代わるものとして、又は、それに関連した、第３の解決法は、可視光領域において吸収性の薄層を電極の下に、特にはそれをバリヤー層と電極の間に入れることによって、配置することにある。例えば、これはＴｉＮタイプの金属窒化物層であってもよく、好ましくは、２〜１５ｎｍの範囲内にある厚さを有する。したがって、該タイプの一連の層、即ち、ガラス／バリヤー層（Ｓｉ３Ｎ４／薄い吸収剤層（ＴｉＮ／ＳｉＯ２／Ｍｏなど）など）を有することが可能であり、つまり、この場合には、吸収剤層はＳｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２光学コーティングの“中間に”存在する。
【００２７】
したがって、このコーティングと電極を備えた基材を得ることが可能であって、反射において、（Ｌ、ａ＊、ｂ＊）表色系で、マイナスのａ＊とｂ＊値を有する該基材は、青緑の色に相当し、又は、わずかにプラスのａ＊値とマイナスのｂ＊値を有する該基材は、ピンクの色に相当する。
【００２８】
本発明の主題はまた、上に規定し、電極の上部に黄銅鉱の吸収剤層をコーティングした基材にもある。
【００２９】
本発明の主題はまた、太陽電池を作製するための前記基材にもある。
【００３０】
次に、本発明は、太陽電池用電極の制限しない実施例を用いて、詳細に説明され、多層コーティングしたガラス基材の顕微鏡写真によって、図１及び図２において説明される。
【００３１】
それぞれの例は、厚さ２ｍｍの透明なシリカ−ソーダライムガラスの基材を使用する（一般的には、ガラス基材は１〜４ｍｍ、又は、１〜３ｍｍの厚さとする）。
【００３２】
すべての層は、磁界促進スパッタリング（magnetic-field-enhanced sputtering）によって、ガラス基材上に堆積させた。即ち、
（１）金属層は、不活性雰囲気において、対応する金属ターゲットを使用し、
（２）金属窒化物層は、不活性ガスと窒素の混合物を含む反応性雰囲気において、対応する金属ターゲットを使用し、
（３）窒化ケイ素層は、不活性ガスと窒素の混合物を含む反応性雰囲気において、ＡｌをドープしたＳｉターゲットを使用し、
（４）酸化ケイ素層は、ＡｌをドープしたＳｉターゲットと、不活性ガスと酸素の混合物を含んで成る反応性雰囲気を使用した。
【００３３】
該層を以下の方法で試験した。即ち、
（１）すべての層を堆積させた後、４点法によって表面抵抗Ｒ□（１）を測定すること。
（２）いわゆる“ブロンズ（bronze）”試験、即ち、この試験は、空気中３５０℃で１０分間、すべての層を備えたガラスを加熱することにある。該試験は、ナトリウムが、ガラスから電極に拡散したかどうかを調べることを意図するものである。該試験の最後に、表面抵抗Ｒ□（２）を、再度４点法によって測定する。加えて、顕微鏡を（１００倍、及び、１０００倍の倍率で）使用して、熱処理によって欠陥（ピンホール）等が生じたかどうかを確認する。
（３）いわゆる“セレン化（selenization）”試験、即ち、この試験は、セレン雰囲気中において、１０分間、すべての層を備えたガラス基材を、さらに加熱することにある。セレン温度は２００〜２４０℃の間とし、ガラス温度は３２５〜３６５℃の間とする。該試験の最後に、表面抵抗Ｒ□（３）を再度測定し、これからセレン化前の値とセレン化後の値とで、抵抗率（表面抵抗）の差、ΔＲ□（３）を算出する。
【００３４】
このセレン化試験は、事実、実際におけるよりも非常に“厳しい”ということに注意すべきである。これは、ここで本発明が、第一に電極の製造にのみ関係するためである。しかしながら、完全な状態の太陽電池を製造するとき、このセレン化工程は、ＣＩＳ層を堆積させた後、直ちに実施される。即ち、太陽電池の通常の製造サイクルにおいては、電極は黄銅鉱層によってセレンとの直接の接触から“保護”される。
【００３５】
電極が十分であるとみなされるには、
（１）ガラス中のナトリウムが電極へ拡散するのを妨げられること、
（２）電極が“ブロンズ”試験及び“セレン化”試験に対して、ある程度の抵抗性、即ち、欠陥がほとんどなく、且つ、十分な表面抵抗を有すること、
（３）電極がＣＩＳ層によく付着すること、及び、
（４）電極が特にレーザーによって、容易にエッチングできること、
が有利であると考えられる。
【００３６】
例１〜７
例１
この例は、バリヤー層とモリブデンの単一層電極を、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／Ｍｏ（５００ｎｍ）の順序で使用する。図１は、セレン化工程の後、ガラスを顕微鏡で１０００倍に拡大した写真である。顕微鏡写真によって、欠陥が少ししかなく、その上、小さいことが示される。電極の品質は良好であるとみなされる。
【００３７】
例１ａ
この例は、例１と同じであるが、著しくより薄いＭｏ層を有する多層スタックを、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／Ｍｏ（２００ｎｍ）の順序で使用する。
【００３８】
例２
この例は、バリヤー層と２層電極（即ち、金属Ｍ層／Ｍｏ層）を、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／Ａｇ（５０ｎｍ）／Ｍｏ（１７５ｎｍ）の順序で使用する。
【００３９】
例３
この例は、例２と同じであるが、別のタイプの金属Ｍ層を有する構成、即ち、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（１７５ｎｍ）を使用する。
【００４０】
例４
この例は、バリヤー層と、金属／金属窒化物／Ｍｏの３層電極を、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／Ｃｕ（１００ｎｍ）／ＴｉＮ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（１７５ｎｍ）の順序で使用する。
【００４１】
例５
これは例４と同じであるが、銅層の厚さが異なる構成、即ち、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／Ｃｕ（５０ｎｍ）／ＴｉＮ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（１７５ｎｍ）である。
【００４２】
図２は、セレン化試験の後、多層コーティングしたガラスの一部について、この例５を１０００倍に拡大した顕微鏡写真に相当する。欠陥は少ししか確認することができず、非常に小さい。この顕微鏡写真は、図１の顕微鏡写真とかなり類似している。
【００４３】
例６
この例は、バリヤー層と３層電極を、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／Ａｇ（５０ｎｍ）／ＴｉＮ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（１７５ｎｍ）の順序で使用する。それは例２に対応するが、加えてＴｉＮ層を有する。
【００４４】
例７
さらに、この例は、バリヤー層と３層電極を、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）／ＴｉＮ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（１７５ｎｍ）の順序で使用する。それは例３に対応するが、加えてＴｉＮ層を有する。
【００４５】
下表１に、例１〜７のそれぞれについて、Ｒ□（１）とＲ□（２）の値と、ブロンズ試験後の欠陥の数（“欠陥”）と、ΔＲ□（３）の値を与える。これらの用語は上で説明された。
【００４６】
【表１】
このデータから、以下の結論を引き出すことができる。
【００４８】
１Ω／□よりも著しく小さいＲ□値は、２００ｎｍ未満のモリブデンを使用して得ることができ、それは、金属窒化物層、及び／又は、適当な厚さの金属層と関連している（全体で、２層又は３層電極は、４００ｎｍ又は５００ｎｍ未満の合計厚さとする）。
【００４９】
Ｓｉ３Ｎ４バリヤー層は効果的であり、電極がナトリウムの拡散によって劣化することを妨げる。というのも、すべての例において、Ｒ□（１）とＲ□（２）の値が同じ、又は、ほとんど同じためである。それゆえ、Ｓｉ３Ｎ４バリヤー層はまた、ＣＩＳ吸収層が劣化することも妨げる。
【００５０】
（例１、即ち、バリヤー層と組み合せた５００ｎｍの）Ｍｏ単一電極を有するように選択することもまた可能である。それは良い結果を与える。電極を２００ｎｍのＭｏのみから構成し、１Ω／□未満の表面抵抗とすることさえ可能である。これは、これまで真実であると考えられていた、極めてより厚いＭｏ層を有することが必要でないということを証明する。
【００５１】
例８〜１１ｂ
これらの例の目的は、反射における電極の側色学的応答を調節することである。
【００５２】
これらすべての例において、モリブデン層は、厚さを４００ｎｍ又は５００ｎｍとする。ガラス面での側色学的応答の観点からは、モリブデン層が少なくとも５０〜１００ｎｍの厚さを超えるとまったく効果がない。というのも、その時には、完全に不透明な鏡層となるためである。即ち、Ｍｏ層が１７５ｎｍ又は２００ｎｍの場合、同じ結果となる。
【００５３】
例８
この例は、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／ＴｉＮ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（４００ｎｍ）の多層スタックを使用し、ＴｉＮ層は、２０ｖｏｌ％の窒素を含む反応性雰囲気において、反応性スパッタリングによって堆積させた。
【００５４】
例８ａ
これは例８と同じ構成であるが、この場合においては、ＴｉＮ層を４０ｖｏｌ％の窒素を含む雰囲気で堆積させた。
【００５５】
例８ｂ
これは例８と同じ構成であるが、この場合においては、ＴｉＮ層を７０ｖｏｌ％の窒素を含む雰囲気で堆積させた。
【００５６】
下表に、これら３つの例について、（Ｌ、ａ＊、ｂ＊）表色系におけるａ＊とｂ＊の値（該値はガラス面で測定した）と、Ｒ□値（“ブロンズ”試験前に行った測定）を与える。
【００５７】
【表２】
ＴｉＮの化学量論的量における変化（それは堆積する間の窒素量に依存する）は、電極の電気的性質を著しくは変化させない。もう一方で、ａ＊の値に大きな変化と、ｂ＊の値にさらに大きな変化を与える。したがって、例８は大きなプラスのｂ＊で赤く色づくが、例８ｂはわずかにマイナスのｂ＊で青緑になる。
【００５９】
窒素に関して、例８はわずかに亜化学量論的なＴｉＮ層を有し、例８ａはほぼ化学量論的なＴｉＮ層を有し、一方、例８ｂは過化学量論的な傾向がある。
【００６０】
例９
この例において、高屈折率／低屈折率の光学コーティングを形成するために、屈折率を約２とするＳｉ３Ｎ４バリヤー層を、屈折率を約１．４５とするＳｉＯ２に基づいた付加的な層と組み合せる。
【００６１】
該構成は、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／ＳｉＯ２（２０ｎｍ）／ＴｉＮ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（４００ｎｍ）である。ＴｉＮ層は２０ｖｏｌ％の窒素を含む雰囲気において堆積させた。
【００６２】
例９ａ
例９を繰り返し行うが、今度は４０ｖｏｌ％の窒素がＴｉＮの堆積雰囲気にある状態で行った。
【００６３】
例９ｂ
例９を繰り返し行うが、今度は７０ｖｏｌ％の窒素がＴｉＮの堆積雰囲気にある状態で行った。
【００６４】
下表に、これら３つの例について、上で説明したａ＊、ｂ＊及びＲ□の値を与える。
【００６５】
【表３】
例１０
今度は、使用する窒化物層をＮｂＮから作製し、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（２００ｎｍ）／ＳｉＯ２（３０ｎｍ）／ＮｂＮ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（５００ｎｍ）の構成とした。該ＮｂＮ層は、２０ｖｏｌ％の窒素を含む雰囲気において堆積させた。
【００６７】
例１０ａ
例１０を繰り返し行うが、この場合においては、ＮｂＮ層を４０ｖｏｌ％の窒素を含む雰囲気で堆積させた。
【００６８】
例１０ｂ
例１０を繰り返し行うが、この場合においては、ＮｂＮ層を７０ｖｏｌ％の窒素を含む雰囲気で堆積させた。
【００６９】
下表に、これら３つの例について、すでに説明したａ＊、ｂ＊及びＲ□の値を与える。
【００７０】
【表４】
この場合においては、ＮｂＮは、より亜化学量論的、又は、過化学量論的であるが、ａ＊とｂ＊の値がマイナスであり、そのことは強度が変化する魅力的な青緑色に対応する。
【００７２】
例１１
この例は、例１０、１０ａ、１０ｂの一連の層を繰り返し行うが、Ｓｉ３Ｎ４とＳｉＯ２の厚さが異なる。
【００７３】
該構成は、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（１５０ｎｍ）／ＳｉＯ２（９０ｎｍ）／ＮｂＮ（１００ｎｍ）／Ｍｏ（５００ｎｍ）である。
【００７４】
例１１ａ
この例は、例１１を繰り返し行うが、この場合においては、４０ｖｏｌ％の窒素を含む雰囲気でＮｂＮ層を堆積させた。
【００７５】
例１１ｂ
この例は、例１１を繰り返し行うが、この場合においては、７０ｖｏｌ％の窒素を含む雰囲気でＮｂＮ層を堆積させた。
【００７６】
下表に、これら３つの例について、すでに説明したａ＊、ｂ＊及びＲ□の値を与える。
【００７７】
【表５】
その結果、これらの例はピンクであり、この色もまた魅力的であると思われる。
【００７９】
例１２
この例は、ガラス／Ｓｉ３Ｎ４（１５０ｎｍ）／ＳｉＯ２（６５ｎｍ）／Ｓｉ３Ｎ４（１５ｎｍ）／Ｍｏ（５００ｎｍ）の順序の層とする。
【００８０】
したがって、それは高屈折率／低屈折率／高屈折率の３層光学コーティングにバリヤー層を組み入れている。
【００８１】
下表に、先の例と同様に、この例について同じデータを与える。
【００８２】
【表６】
その結果、この例は青緑色を弱くもする。
【００８４】
最後に、その結果、本発明による電極の色は、窒化物層の化学量論的量を変化させることによって、及び／又は、有利にはバリヤー層を含めて、少なくとも２つの層にフィルターを加えることによって、細かく調節することができる。さらには、この第２の一連の例によるａ＊とｂ＊の値は、一度“ブロンズ”試験を通過すれば、ほとんど変化しない（±２未満）ことが確認された。
Claims (9)
- ガラス製の透明基材であって、該基材が太陽電池用の電極を備え、該電極が厚さが多くとも５００ｎｍのモリブデンＭｏに基づいた導電層を含んで成り、且つ該基材がアルカリ金属に対してバリヤーとして働く、少なくとも１つのバリヤー層を備え、該バリヤー層が該基材と該電極の間に挿入され、該バリヤー層が、光学的な目的のために多層コーティングの一部を形成し、該多層コーティングが異なる屈折率を有する誘電材料のうちの少なくとも２つの層から成ることを特徴とする、ガラス製の透明基材。
- 該多層コーティングが、１．９〜２．３の高屈折率を有する層と、１．４〜１．７の低屈折率を有する層の交互配列を、Ｓｉ3Ｎ4／ＳｉＯ2、又は、Ｓｉ3Ｎ4／ＳｉＯ2／Ｓｉ3Ｎ4の順序で含んで成ることを特徴とする、請求項１に記載の基材。
- 光学コーティングの組成が、反射における該基材の測色学的応答（colorimetric response）を、マイナスのａ*とｂ*の値で青緑に、又は、わずかにプラスのａ*値とマイナスのｂ*値でピンクに、少なくとも部分的に調節することを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の基材。
- ガラス製の透明基材であって、該基材が太陽電池用の電極を備え、該電極が厚さが多くとも５００ｎｍのモリブデンＭｏに基づいた導電層を含んで成り、且つ該基材がアルカリ金属に対してバリヤーとして働く、少なくとも１つのバリヤー層を備え、該バリヤー層が該基材と該電極の間に挿入され、該電極が、以下の金属、即ち、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｈｆのうちの少なくとも１つの窒化物に基づいた、少なくとも１つの補足導電層Ｍ’Ｎを含んで成り、前記窒化物が、窒素に関して、亜化学量論的（substoichiometric）、化学量論的（stoichiometric）、又は、過化学量論的（superstoichiometric）であり、窒化物層Ｍ’Ｎの窒素の化学量論的量が、反射における該基材の測色学的応答を、マイナスのａ*とｂ*の値で青緑に、又は、プラスのａ*値とマイナスのｂ*値でピンクに、少なくとも部分的に調節することを特徴とする、ガラス製の透明基材。
- ガラス製の透明基材であって、該基材が太陽電池用の電極を備え、該電極が厚さが多くとも５００ｎｍのモリブデンＭｏに基づいた導電層を含んで成り、且つ該基材がアルカリ金属に対してバリヤーとして働く、少なくとも１つのバリヤー層を備え、該バリヤー層が該基材と該電極の間に挿入され、可視光領域において吸収性の、ＴｉＮから作製され、厚さが２〜１５ｎｍである薄層が、反射における該基材の測色学的応答を、マイナスのａ*とｂ*の値で青緑に、又は、わずかにプラスのａ*値とマイナスのｂ*値でピンクに、少なくとも部分的に調節するために、該バリヤー層と該電極の間に挿入されたことを特徴とする、ガラス製の透明基材。
- 該電極の上部に黄銅鉱の吸収剤層を含んで成ることを特徴とする、請求項１〜５の何れか１項に記載の基材。
- 太陽電池電極としての、請求項１〜５の何れか１項に記載の該基材の使用。
- 太陽電池を作製するための請求項６に記載の該基材の使用。
- 請求項６に記載の該基材を含んで成ることを特徴とする、太陽電池。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0101292A FR2820241B1 (fr) | 2001-01-31 | 2001-01-31 | Substrat transparent muni d'une electrode |
| PCT/FR2002/000274 WO2002065554A1 (fr) | 2001-01-31 | 2002-01-23 | Sustrat transparent muni d'une electrode |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010053008A Division JP5313948B2 (ja) | 2001-01-31 | 2010-03-10 | 電極を備えた透明基材 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004532501A JP2004532501A (ja) | 2004-10-21 |
| JP2004532501A5 JP2004532501A5 (ja) | 2005-12-22 |
| JP4537000B2 true JP4537000B2 (ja) | 2010-09-01 |
Family
ID=8859441
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002564768A Expired - Fee Related JP4537000B2 (ja) | 2001-01-31 | 2002-01-23 | 電極を備えた透明基材 |
| JP2010053008A Expired - Fee Related JP5313948B2 (ja) | 2001-01-31 | 2010-03-10 | 電極を備えた透明基材 |
| JP2012256761A Expired - Fee Related JP5592461B2 (ja) | 2001-01-31 | 2012-11-22 | 電極を備えた透明基材 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010053008A Expired - Fee Related JP5313948B2 (ja) | 2001-01-31 | 2010-03-10 | 電極を備えた透明基材 |
| JP2012256761A Expired - Fee Related JP5592461B2 (ja) | 2001-01-31 | 2012-11-22 | 電極を備えた透明基材 |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US8148631B2 (ja) |
| EP (5) | EP2369633B1 (ja) |
| JP (3) | JP4537000B2 (ja) |
| KR (1) | KR100949600B1 (ja) |
| CN (1) | CN1327533C (ja) |
| AU (1) | AU2002233459A1 (ja) |
| BR (1) | BR0206785A (ja) |
| ES (1) | ES2627686T3 (ja) |
| FR (1) | FR2820241B1 (ja) |
| MX (1) | MXPA03006682A (ja) |
| PT (1) | PT2369633T (ja) |
| WO (1) | WO2002065554A1 (ja) |
Families Citing this family (101)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090111206A1 (en) | 1999-03-30 | 2009-04-30 | Daniel Luch | Collector grid, electrode structures and interrconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture |
| US7507903B2 (en) | 1999-03-30 | 2009-03-24 | Daniel Luch | Substrate and collector grid structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
| US8222513B2 (en) | 2006-04-13 | 2012-07-17 | Daniel Luch | Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture |
| US8664030B2 (en) | 1999-03-30 | 2014-03-04 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8138413B2 (en) | 2006-04-13 | 2012-03-20 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8198696B2 (en) | 2000-02-04 | 2012-06-12 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
| JP3910072B2 (ja) * | 2002-01-30 | 2007-04-25 | 東洋アルミニウム株式会社 | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池 |
| WO2004032189A2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Miasolé | Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells |
| US8309163B2 (en) * | 2004-02-19 | 2012-11-13 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of chalcogen-containing vapor and inter-metallic material |
| US8372734B2 (en) * | 2004-02-19 | 2013-02-12 | Nanosolar, Inc | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from chalcogenide nanoflake particles |
| US20070163642A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-07-19 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic microflake articles |
| US7605328B2 (en) * | 2004-02-19 | 2009-10-20 | Nanosolar, Inc. | Photovoltaic thin-film cell produced from metallic blend using high-temperature printing |
| US7604843B1 (en) | 2005-03-16 | 2009-10-20 | Nanosolar, Inc. | Metallic dispersion |
| US7663057B2 (en) | 2004-02-19 | 2010-02-16 | Nanosolar, Inc. | Solution-based fabrication of photovoltaic cell |
| US20070169809A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-07-26 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of low-melting chalcogenides |
| US8846141B1 (en) | 2004-02-19 | 2014-09-30 | Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles |
| US8329501B1 (en) | 2004-02-19 | 2012-12-11 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic microflake particles |
| US20070163639A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-07-19 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles |
| US7700464B2 (en) * | 2004-02-19 | 2010-04-20 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from nanoflake particles |
| US8623448B2 (en) | 2004-02-19 | 2014-01-07 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from chalcogenide microflake particles |
| US20070163641A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-07-19 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic nanoflake particles |
| US20060060237A1 (en) * | 2004-09-18 | 2006-03-23 | Nanosolar, Inc. | Formation of solar cells on foil substrates |
| JP4695850B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2011-06-08 | 本田技研工業株式会社 | カルコパイライト型太陽電池 |
| US20090032108A1 (en) * | 2007-03-30 | 2009-02-05 | Craig Leidholm | Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates |
| US7276724B2 (en) | 2005-01-20 | 2007-10-02 | Nanosolar, Inc. | Series interconnected optoelectronic device module assembly |
| KR20070064345A (ko) * | 2004-09-18 | 2007-06-20 | 나노솔라, 인크. | 포일 기판 상의 태양 전지의 형성 |
| US7838868B2 (en) | 2005-01-20 | 2010-11-23 | Nanosolar, Inc. | Optoelectronic architecture having compound conducting substrate |
| US8541048B1 (en) | 2004-09-18 | 2013-09-24 | Nanosolar, Inc. | Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates |
| US7732229B2 (en) | 2004-09-18 | 2010-06-08 | Nanosolar, Inc. | Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates |
| JP4663300B2 (ja) * | 2004-11-18 | 2011-04-06 | 本田技研工業株式会社 | カルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法 |
| JP2006165386A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Showa Shell Sekiyu Kk | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池及びその作製方法 |
| JP4664060B2 (ja) * | 2004-12-21 | 2011-04-06 | 本田技研工業株式会社 | カルコパイライト型太陽電池 |
| US8927315B1 (en) | 2005-01-20 | 2015-01-06 | Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. | High-throughput assembly of series interconnected solar cells |
| JP4969785B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2012-07-04 | 本田技研工業株式会社 | カルコパイライト型太陽電池及びその製造方法 |
| JP3963924B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2007-08-22 | 本田技研工業株式会社 | カルコパイライト型太陽電池 |
| JP2007096031A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Showa Shell Sekiyu Kk | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| JP4918247B2 (ja) | 2005-10-31 | 2012-04-18 | 昭和シェル石油株式会社 | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| US8389852B2 (en) * | 2006-02-22 | 2013-03-05 | Guardian Industries Corp. | Electrode structure for use in electronic device and method of making same |
| US9236512B2 (en) | 2006-04-13 | 2016-01-12 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8729385B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-05-20 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8822810B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-09-02 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US9006563B2 (en) | 2006-04-13 | 2015-04-14 | Solannex, Inc. | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8884155B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-11-11 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US9865758B2 (en) | 2006-04-13 | 2018-01-09 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US9147778B2 (en) * | 2006-11-07 | 2015-09-29 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices including nitrogen-containing metal contact |
| US20080302413A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-12-11 | Craig Leidholm | Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates |
| FR2922046B1 (fr) * | 2007-10-05 | 2011-06-24 | Saint Gobain | Perfectionnements apportes a des elements capables de collecter de la lumiere |
| FR2924863B1 (fr) * | 2007-12-07 | 2017-06-16 | Saint Gobain | Perfectionnements apportes a des elements capables de collecter de la lumiere. |
| AT10578U1 (de) * | 2007-12-18 | 2009-06-15 | Plansee Metall Gmbh | Dunnschichtsolarzelle mit molybdan-haltiger ruckelektrodenschicht |
| US8981211B2 (en) * | 2008-03-18 | 2015-03-17 | Zetta Research and Development LLC—AQT Series | Interlayer design for epitaxial growth of semiconductor layers |
| US20090260678A1 (en) * | 2008-04-16 | 2009-10-22 | Agc Flat Glass Europe S.A. | Glass substrate bearing an electrode |
| US20100180927A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-07-22 | Stion Corporation | Affixing method and solar decal device using a thin film photovoltaic and interconnect structures |
| DE202008018125U1 (de) | 2008-09-08 | 2011-12-27 | Saint-Gobain Glass France | Verbesserungen an Elementen, die Licht aufnehmen können |
| US8115095B2 (en) * | 2009-02-20 | 2012-02-14 | Miasole | Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells |
| JP2010212336A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Fujifilm Corp | 光電変換素子とその製造方法、及び太陽電池 |
| US8134069B2 (en) | 2009-04-13 | 2012-03-13 | Miasole | Method and apparatus for controllable sodium delivery for thin film photovoltaic materials |
| US8247243B2 (en) | 2009-05-22 | 2012-08-21 | Nanosolar, Inc. | Solar cell interconnection |
| JP2010282997A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Seiko Epson Corp | 太陽電池、太陽電池の製造方法 |
| CN101931011A (zh) * | 2009-06-26 | 2010-12-29 | 安泰科技股份有限公司 | 薄膜太阳能电池及其基带和制备方法 |
| JP5114683B2 (ja) * | 2009-09-07 | 2013-01-09 | 新日鐵住金株式会社 | 太陽電池用ガラス基板の裏面電極及びその製造方法 |
| US20110067998A1 (en) * | 2009-09-20 | 2011-03-24 | Miasole | Method of making an electrically conductive cadmium sulfide sputtering target for photovoltaic manufacturing |
| US20110162696A1 (en) * | 2010-01-05 | 2011-07-07 | Miasole | Photovoltaic materials with controllable zinc and sodium content and method of making thereof |
| US20110259395A1 (en) * | 2010-04-21 | 2011-10-27 | Stion Corporation | Single Junction CIGS/CIS Solar Module |
| FR2961954B1 (fr) * | 2010-06-25 | 2012-07-13 | Saint Gobain | Cellule comprenant un materiau photovoltaique a base de cadmium |
| JP5602700B2 (ja) * | 2010-11-02 | 2014-10-08 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子およびその製造方法 |
| FR2969389A1 (fr) | 2010-12-21 | 2012-06-22 | Saint Gobain | Substrat conducteur a base de molybdène |
| KR101219948B1 (ko) * | 2011-01-27 | 2013-01-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양광 발전장치 및 제조방법 |
| GB201101910D0 (en) * | 2011-02-04 | 2011-03-23 | Pilkington Group Ltd | Growth layer for the photovol taic applications |
| FR2977078B1 (fr) * | 2011-06-27 | 2013-06-28 | Saint Gobain | Substrat conducteur pour cellule photovoltaique |
| US8642884B2 (en) * | 2011-09-09 | 2014-02-04 | International Business Machines Corporation | Heat treatment process and photovoltaic device based on said process |
| FR2982422B1 (fr) * | 2011-11-09 | 2013-11-15 | Saint Gobain | Substrat conducteur pour cellule photovoltaique |
| US10043921B1 (en) | 2011-12-21 | 2018-08-07 | Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. | Photovoltaic cell with high efficiency cigs absorber layer with low minority carrier lifetime and method of making thereof |
| DE102012205375A1 (de) * | 2012-04-02 | 2013-10-02 | Robert Bosch Gmbh | Mehrschicht-Rückelektrode für eine photovoltaische Dünnschichtsolarzelle, Verwen-dung der Mehrschicht-Rückelektrode für die Herstellung von Dünnschichtsolarzellen und -modulen, photovoltaische Dünnschichtsolarzellen und -module enthaltend die Mehrschicht-Rückelektrode sowie ein Verfahren zur Herstellung photovoltaischer Dünnschichtsolarzellen und -module |
| DE102012205378A1 (de) * | 2012-04-02 | 2013-10-02 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtsolarmodulen sowie nach diesem Verfahren erhältliche Dünnschichtsolarmodule |
| DE102012205377A1 (de) * | 2012-04-02 | 2013-10-02 | Robert Bosch Gmbh | Mehrschicht-Rückelektrode für eine photovoltaische Dünnschichtsolarzelle, Verwendung der Mehrschicht-Rückelektrode für die Herstellung von Dünnschichtsolarzellen und -modulen, photovoltaische Dünnschichtsolarzellen und -module enthaltend die Mehrschicht-Rückelektrode sowie ein Verfahren zur Herstellung photovoltaischer Dünnschichtsolarzellen und -module |
| US9246025B2 (en) | 2012-04-25 | 2016-01-26 | Guardian Industries Corp. | Back contact for photovoltaic devices such as copper-indium-diselenide solar cells |
| US8809674B2 (en) | 2012-04-25 | 2014-08-19 | Guardian Industries Corp. | Back electrode configuration for electroplated CIGS photovoltaic devices and methods of making same |
| US9419151B2 (en) | 2012-04-25 | 2016-08-16 | Guardian Industries Corp. | High-reflectivity back contact for photovoltaic devices such as copper—indium-diselenide solar cells |
| US9935211B2 (en) | 2012-04-25 | 2018-04-03 | Guardian Glass, LLC | Back contact structure for photovoltaic devices such as copper-indium-diselenide solar cells |
| US9159850B2 (en) * | 2012-04-25 | 2015-10-13 | Guardian Industries Corp. | Back contact having selenium blocking layer for photovoltaic devices such as copper—indium-diselenide solar cells |
| WO2013190898A1 (ja) * | 2012-06-19 | 2013-12-27 | 富士電機株式会社 | カルコパイライト型光電変換素子、裏面電極、およびその製造方法 |
| KR101698659B1 (ko) | 2012-06-20 | 2017-01-20 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 박막 태양 전지를 위한 층 시스템 |
| ES2829970T3 (es) | 2012-06-20 | 2021-06-02 | Cnbm Bengbu Design & Res Institute For Glass Industry Co Ltd | Sistema de capas para células solares de capa delgada |
| ES2772449T3 (es) | 2012-06-20 | 2020-07-07 | Cnbm Bengbu Design & Res Institute For Glass Industry Co Ltd | Sistema de capas para células solares de película delgada con una capa de amortiguación de naxinisyclz |
| ES2441428B1 (es) * | 2012-07-04 | 2016-02-05 | Abengoa Solar New Technologies, S.A. | Formulación de tintas con base de nanopartículas cerámicas |
| JP2014049571A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Toyota Central R&D Labs Inc | 光電素子 |
| WO2014175451A1 (ja) * | 2013-04-26 | 2014-10-30 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電体、及び、電子デバイス |
| EP2800144A1 (en) | 2013-05-03 | 2014-11-05 | Saint-Gobain Glass France | Back contact substrate for a photovoltaic cell or module |
| EP2800145B1 (en) * | 2013-05-03 | 2018-11-21 | Saint-Gobain Glass France | Back contact substrate for a photovoltaic cell or module |
| EP2800146A1 (en) | 2013-05-03 | 2014-11-05 | Saint-Gobain Glass France | Back contact substrate for a photovoltaic cell or module |
| JP6147926B2 (ja) | 2013-06-27 | 2017-06-14 | サン−ゴバン グラス フランス | ナトリウムインジウム硫化物緩衝層を有する薄膜太陽電池のための層システム |
| EP2871681A1 (en) | 2013-11-07 | 2015-05-13 | Saint-Gobain Glass France | Back contact substrate for a photovoltaic cell or module |
| FR3013507B1 (fr) * | 2013-11-15 | 2015-11-20 | Saint Gobain | Substrat de contact arriere pour cellule photovoltaique |
| CN103966565A (zh) * | 2013-12-13 | 2014-08-06 | 云南师范大学 | 一种用于彩色薄膜太阳电池表面涂层的制备方法 |
| EP2887405A1 (de) | 2013-12-23 | 2015-06-24 | Saint-Gobain Glass France | Schichtsystem für Dünnschichtsolarzellen |
| WO2017047366A1 (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 旭硝子株式会社 | 太陽電池用ガラス基板及び太陽電池 |
| DE202015106923U1 (de) | 2015-12-18 | 2016-01-22 | Saint-Gobain Glass France | Elektronisch leitfähiges Substrat für Photovoltaikzellen |
| FR3080221B1 (fr) * | 2018-04-11 | 2020-03-13 | Sunpartner Technologies | Optimisation du contact electrique metal/metal dans un dispositif photovoltaique semi-transparent en couches minces |
| EP3627564A1 (de) | 2018-09-22 | 2020-03-25 | (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. | Verfahren zur nachbehandlung einer absorberschicht |
| CN110970524A (zh) * | 2018-09-30 | 2020-04-07 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 太阳能电池及其制备方法 |
| CN110028137B (zh) * | 2019-04-25 | 2021-11-30 | 郑州大学 | 一种去除水体低价离子和cod的电吸附材料及应用 |
Family Cites Families (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3272986A (en) * | 1963-09-27 | 1966-09-13 | Honeywell Inc | Solar heat absorbers comprising alternate layers of metal and dielectric material |
| US4612411A (en) * | 1985-06-04 | 1986-09-16 | Atlantic Richfield Company | Thin film solar cell with ZnO window layer |
| JPS6220381A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-28 | シーメンス ソーラー インダストリーズ，エル．ピー． | 二セレン化インジウム銅半導体膜の製造方法 |
| US4798660A (en) * | 1985-07-16 | 1989-01-17 | Atlantic Richfield Company | Method for forming Cu In Se2 films |
| JPS63242948A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-07 | Asahi Glass Co Ltd | 熱線反射ガラス |
| JP2587972B2 (ja) * | 1988-01-06 | 1997-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜構造 |
| JPH0645483B2 (ja) * | 1988-01-06 | 1994-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置用基板およびその作製方法 |
| US5141564A (en) * | 1988-05-03 | 1992-08-25 | The Boeing Company | Mixed ternary heterojunction solar cell |
| US4915745A (en) * | 1988-09-22 | 1990-04-10 | Atlantic Richfield Company | Thin film solar cell and method of making |
| US5028274A (en) * | 1989-06-07 | 1991-07-02 | International Solar Electric Technology, Inc. | Group I-III-VI2 semiconductor films for solar cell application |
| EP0460287A1 (de) * | 1990-05-31 | 1991-12-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Neuartige Chalkopyrit-Solarzelle |
| DE59009771D1 (de) * | 1990-07-24 | 1995-11-16 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Chalkopyrit-Solarzelle. |
| SE468372B (sv) | 1991-04-24 | 1992-12-21 | Stiftelsen Im Inst Foer Mikroe | Foerfarande foer tillverkning av tunnfilmssolceller varvid deponering av skikt paa substrat sker i roterbar (cylindrisk) baeranordning |
| JP3100692B2 (ja) * | 1991-08-19 | 2000-10-16 | 同和鉱業株式会社 | ＣｕＩｎＳｅ２系光電変換素子の作製方法 |
| JPH0563224A (ja) * | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| JPH05114749A (ja) * | 1991-10-23 | 1993-05-07 | Nikko Kyodo Co Ltd | 電子素子部材およびその製造方法 |
| JPH05315633A (ja) * | 1992-05-01 | 1993-11-26 | Dowa Mining Co Ltd | ＣｕＩｎＳｅ２ 系薄膜太陽電池およびその製法 |
| US5356839A (en) * | 1993-04-12 | 1994-10-18 | Midwest Research Institute | Enhanced quality thin film Cu(In,Ga)Se2 for semiconductor device applications by vapor-phase recrystallization |
| US5477088A (en) * | 1993-05-12 | 1995-12-19 | Rockett; Angus A. | Multi-phase back contacts for CIS solar cells |
| DE4333407C1 (de) * | 1993-09-30 | 1994-11-17 | Siemens Ag | Solarzelle mit einer Chalkopyritabsorberschicht |
| CZ279603B6 (cs) * | 1993-11-03 | 1995-05-17 | Vysoká Škola Chemicko-Technologická | Křišťálové bezolovnaté sklo s indexem lomu vyšším než 1,52 |
| US5962883A (en) * | 1994-03-23 | 1999-10-05 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising an oxide layer on a GaAs-based semiconductor body |
| DE4413215C2 (de) * | 1994-04-15 | 1996-03-14 | Siemens Solar Gmbh | Solarmodul mit Dünnschichtaufbau und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JPH08125206A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Yazaki Corp | 薄膜太陽電池 |
| DE4442824C1 (de) * | 1994-12-01 | 1996-01-25 | Siemens Ag | Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht |
| JPH08167728A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-06-25 | Nippon Oil Co Ltd | 光起電力素子 |
| JPH08293543A (ja) * | 1995-04-25 | 1996-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5772431A (en) * | 1995-05-22 | 1998-06-30 | Yazaki Corporation | Thin-film solar cell manufacturing apparatus and manufacturing method |
| JPH0957892A (ja) * | 1995-08-24 | 1997-03-04 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 透明導電性積層体 |
| US5730852A (en) * | 1995-09-25 | 1998-03-24 | Davis, Joseph & Negley | Preparation of cuxinygazsen (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2, N=0-3) precursor films by electrodeposition for fabricating high efficiency solar cells |
| US5674555A (en) * | 1995-11-30 | 1997-10-07 | University Of Delaware | Process for preparing group Ib-IIIa-VIa semiconducting films |
| KR100408499B1 (ko) * | 1996-06-17 | 2004-03-12 | 삼성전자주식회사 | 실리콘태양전지 |
| JPH10135501A (ja) * | 1996-09-05 | 1998-05-22 | Yazaki Corp | 半導体装置及びその製造方法並びに太陽電池 |
| JP2904167B2 (ja) * | 1996-12-18 | 1999-06-14 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH1144887A (ja) * | 1997-07-28 | 1999-02-16 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置用反射電極基板 |
| JP2000012883A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-14 | Yazaki Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JP2000091603A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-31 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池 |
| DE19958878B4 (de) * | 1999-12-07 | 2012-01-19 | Saint-Gobain Glass Deutschland Gmbh | Dünnschicht-Solarzelle |
| NL1013900C2 (nl) * | 1999-12-21 | 2001-06-25 | Akzo Nobel Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van een zonnecelfolie met in serie geschakelde zonnecellen. |
| JP3705736B2 (ja) * | 2000-08-29 | 2005-10-12 | 株式会社リガク | 熱電気測定装置の試料組立体 |
| US7087309B2 (en) * | 2003-08-22 | 2006-08-08 | Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A. (C.R.V.C.) | Coated article with tin oxide, silicon nitride and/or zinc oxide under IR reflecting layer and corresponding method |
| JP5048141B2 (ja) | 2010-07-08 | 2012-10-17 | 日本特殊陶業株式会社 | プラズマジェット点火プラグ |
-
2001
- 2001-01-31 FR FR0101292A patent/FR2820241B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-23 MX MXPA03006682A patent/MXPA03006682A/es active IP Right Grant
- 2002-01-23 PT PT111705828T patent/PT2369633T/pt unknown
- 2002-01-23 KR KR1020037010022A patent/KR100949600B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-01-23 US US10/466,335 patent/US8148631B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-01-23 EP EP11170582.8A patent/EP2369633B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-23 ES ES11170582.8T patent/ES2627686T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-23 EP EP11170585.1A patent/EP2369635B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-23 CN CNB02805525XA patent/CN1327533C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-23 BR BR0206785-4A patent/BR0206785A/pt not_active IP Right Cessation
- 2002-01-23 EP EP11170584.4A patent/EP2369634A3/fr not_active Withdrawn
- 2002-01-23 EP EP11170586.9A patent/EP2369636A3/fr not_active Withdrawn
- 2002-01-23 WO PCT/FR2002/000274 patent/WO2002065554A1/fr active Application Filing
- 2002-01-23 JP JP2002564768A patent/JP4537000B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-01-23 AU AU2002233459A patent/AU2002233459A1/en not_active Abandoned
- 2002-01-23 EP EP02700381A patent/EP1356528A1/fr not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-03-10 JP JP2010053008A patent/JP5313948B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-12-23 US US13/336,197 patent/US8809668B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-23 US US13/336,143 patent/US20120186646A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-11-22 JP JP2012256761A patent/JP5592461B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4537000B2 (ja) | 電極を備えた透明基材 | |
| JP3998738B2 (ja) | 半透明の材料からなる平板ならびにその製造方法 | |
| CA2366406C (en) | Double silver low-emissivity and solar control coatings | |
| JP4385460B2 (ja) | ガラス積層体、およびその製造方法 | |
| KR20140116148A (ko) | Ｏｌｅｄ용 투명 애노드 | |
| JP6495903B2 (ja) | 銀製の機能性層とＴｉＯｘ製の厚いブロッキング下層とを含む積重体で被覆された基材を含むグレージング | |
| JP2012533514A (ja) | 低放射ガラス及びその製造方法 | |
| JP3053668B2 (ja) | 熱線遮断膜 | |
| KR20190123742A (ko) | 은을 갖는 ir 반사 시스템 및 아연 기반 배리어 층(들)을 갖는 로이 코팅을 갖는 코팅된 물품 | |
| JP2023502373A (ja) | コーティングされたガラス基板 | |
| JP2004197117A (ja) | Ａｇ合金反射膜、スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金薄膜製造方法 | |
| JP2006028641A (ja) | スパッタリングターゲット並びにＡｇ合金膜及びその製造方法 | |
| JP2004277780A (ja) | 銀系合金の積層構造並びにそれを用いた電極、配線、反射膜及び反射電極 | |
| CA2031459C (en) | Surface structure of ceramics substrate and method of manufacturing the same | |
| JP7428753B2 (ja) | 透明導電膜としての機能を有する積層体及びその製造方法並びに当該積層体製造用の酸化物スパッタリングターゲット | |
| JPS6191973A (ja) | 耐熱性薄膜光電変換素子およびその製法 | |
| JPH06196736A (ja) | 太陽電池用反射膜およびその形成方法 | |
| KR20040056226A (ko) | 화학 센서용 염화은/은 박막형 기준전극의 제조방법 | |
| JPH073433A (ja) | 耐高温酸化性に優れた鉄基材料およびその製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20041207 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080507 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080806 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080813 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081029 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091110 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100310 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100414 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100518 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100617 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4537000 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |