SE468372B - Foerfarande foer tillverkning av tunnfilmssolceller varvid deponering av skikt paa substrat sker i roterbar (cylindrisk) baeranordning - Google Patents
Foerfarande foer tillverkning av tunnfilmssolceller varvid deponering av skikt paa substrat sker i roterbar (cylindrisk) baeranordningInfo
- Publication number
- SE468372B SE468372B SE9101246A SE9101246A SE468372B SE 468372 B SE468372 B SE 468372B SE 9101246 A SE9101246 A SE 9101246A SE 9101246 A SE9101246 A SE 9101246A SE 468372 B SE468372 B SE 468372B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- source
- support device
- substrate
- copper
- cylindrical support
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 29
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 7
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 4
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 abstract 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001462977 Elina Species 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Description
2 två olika processteg, vilket är omständigt och dyrt.
Ett tredje problem är att utbytet av förångade änmen till på substratet deponerade ämnen är relativt lågt under utnyttjande av den kända tekniken. - Föreliggande uppfinning löser alla dessa tre problem.
Föreliggande uppfinning hänför sig således till ett förfarande för till- verlming av solceller, närmare bestämt tunnfihnssolceller, innefattande att på ett substrat uppbygga olika skikt innefattande att deponera ett skikt bestående av en förening av flera grundämnen, såsom kopparindiuxn- aieeienid (cuxnsez) eller en närbeeiärtea förening där kepper (ce) respektive ixidimn (In) helt eller delvis utbytts mot silver (Ag) respektive gallium (Ga) samt där Se helt eller delvis utbytts mot svavel (S) eller tellur (Te), där koncentrationen av grundämnena varierar i skiktet, och utmärkas av, att substïatet placeras på en roterbar ihuvudsak cylindrisk bäreneraeinge inside, ev ett eubetretet är ev ett källor förefinns för deponering av nämnda grundämnen på substratet, av att ett eller flera av grundämnena deponeras genom att respektive källa föres igenom den cylindriska bäranordningen axiellt med denna, genom att den cylindriska bäranordniragen och/eller respektive källa förflyttas, under det att den cylindriska bäranordningen bringas att rotera.
Nedan beskxfives uppfinningen närmare delvis i samband med ett på bifogade rimirzg visat utförirxgsexeirlpel av Lïppfiiinirxgen, där - figur 1 schematislct visar ett snitt genom en solcell - figur 2 visar schematislct en anordning för att utöva uppfinningen i en axiell vy - figur 3 visar schematislct anordningen sedd från sidan.
I figur 1 visas schematiskt ett snitt genom en solcell av typen tunnfilins- " solcell. Tunnfilnesolceller mippbyggs på substrat som kan vara stora, exempelvis 1 X 0.4 meter. Härvid förefinns ett ntycket stort antal celler över substratytan, vilka är elektriskt samnankopplade. Figur 1 visar endast en del av en sådan cell. Tillverkningstelcxiken för att framställa ett stort antal separata men elektriskt förlaundna celler på en substiratyta är och beskrives inte närmare '468 3,72 3 Vanligen är substratet 1 en glasskiva av lämplig tjocklek, vanligen 3 mm.
Först sputtras ett skikt 2 av molybden (Mo) på glasytan. Molybdenskiktet utgör bakkontakt och pluspol i den färdiga cellen. Molybderiskiictet kan ha en tjocklek av exempelvis 0.5 mikrometer. Därefter pålägges ett CuInSeZ - sldkt 3 med en tjocklek av exeirpelvis 2 mikrometer. Ovanpå detta skikt 3 pålägges först ett skikt 4 av kadmiunsulfid (OdS) med en tjockldc av exempelvis 5 till 500 Ã, varefter en kontakt i form av transparent dopat zinkoxidslcilct (Zn0) 6 med en tjocklek av exempelvis 1 till 2 mikrpnneter. Även en metallisl: kontakt 5 av exempelvis aluminium kan När solljus infaller mot solcellen uppstår en elektrisk mellan kontakten 6 (ZnO) , som är minuspol, och bakkontakten 2.
Föreliggande uppfinning hänför sig, som nänmts, till ett förfarande för tillverkning av solceller, riärmare bestämt tunnfilinssolceller, innefattande att på ett substrat uppbygga olika skikt innefattarlde att deponera ett skikt bestående av en förening av flera grundämnen, såsom kopparindiim- diselenid (CuInSeZ) eller en därmed närbesläktad förening där koppar (Cu) respektive indiuin (In) helt eller delvis utbytts mot silver (Ag) respektive gallium (Ga) samt där Se helt eller delvis utbytts mot svavel (S) eller tellur (Te), där koncentrationen av grundämnena varierar i skiktet.
Mer specifikt avser föreliggande tippfirmiiig ett förfarande för tillverkning tunnfilnzssolceller, innefattande att deponera ett skikt bestående av kopparindiimfliseleriid (CuInSe2) , där koncentrationen av koppar respektive Indium varierar i skiktet av skäl som inledningsvis nämnts.
Föreliggande tippfinriirig beskrives nedan medelst ett urtföringsexeripel där ett skikt av 01InSe2 pålägges, men uppfinninrgen är inte begränsad till ett dylikt skikt, utan kan utnyttjas för påläggarzdet av skikt innefattande andra grundämnen.
Enligt iippfirmiiigen placeras substratet 1 på en roterbar ihuvudsak cylind- risk bäranordnings 10 insida 11, såsom schematiskt visas i figur 2. Hela bäranordningen 10 är placerad i en vakmnrñæmnare 12, se figur 3, av lärrpligt känt slag. När subsincatet placeras på bäranordningen 10 är Inolybdenslciktet 2 redan applicerat. 468 372 4 Bäranordnirxgen kan vara utförd på vilket som helst lämpligt sätt. Exempelvis kan den utgöras av ett ramverk av stålbalkar försett med fästanordningar för glasskivorna 1.
En selenkälla 13 förefinns för deponering av selen på substratet. Place- ringen av selenkällan är olmitisk. Selen komer ändock att förefinnas i tillräcklig koncentration i atmosfären i kammaren.
CuInSe2 - skiktet 3 deponeras genom att en källa med koppar och en källa med indium föres igenom den cylindriska bäranordningen 10 axiellt med denna under det att den cylindrislca bäranordningen 10 bringas att rotera kring sin egen axel. Föreiïädesvis bringas den relativa rörelsen Irellan källorna och bäranordningen vara kontinuerlig, där källorna kornmer att röra sig från ena öppna gavel till dess andra gavel.
Förflyttzfiixgæ av källorna 14,15 genom bäranordningen kan ske genom att den cylindriska bäranordningen 10 oc-.h/eller källorna 14,15 förflyttas.
Vid deponeringen upphettas källorna 13,14,15 så att en förutbestämd av aünosfären i kanunaren erhålles på känt sätt. Vidare upphettas substratet till en temperatur av 300 - 600°C.
I figur 3 illustreras schematiskt endast ett tänkbart utförande av den mekaniska delen av anordningen. Bäranordnjngen kan vara försedd med runt dess cnnkrets löpande cirkulära balkar 15,16, vilka vilar på rullar 17,18.
Rullarna 17,18 kan härvid vara drivna för att rorera bäranordningen 10.
Källorna 13,l4,15 kan vara monterade på en stång 19 som är förskjutbar i pilens 20 riktningar relativt en bärarm 21. Exempelvis kan en klilskruv förefinnas fast anordnad relativt bärarmen 21, vilken samverkar ned ett drivaggregat 22 som är fast förbundet ned stången 19. Stången är förskjutbar nellan det i figur 3 med heldragna linjer visade balore läget och det med streckade linjer 23 visade främre läget.
Kammaren 12 är förseddmed endörr 24.
Istället för att anordna källorna förskjutbara kan dessa anordnas sta- tionära, nedan bäranordningen utförs rörlig i dess-axiella led. fr, 'J 468 372 s Genom att, enligt uppfinningen, CuInSe2 - skiktet 3 deponeras genom att en källa med koppar och en källa med indimn med jämn hastighet föres genom bäranordniiigen 10 axiellt med denna under det att bäranordningen 10 bringas att rotera kring sin egen axel, konuner ett jämnt skikt att deponeras oberoende av att källorna avger sina respektive ämnen enligt en viss fördelning i rymden.
Enligt en mycket föredragen utföringsform är kopparkällan och indiumkällan placerade på ett förutbestämrt avstånd från varandra i dessas för- flyttningsrilctnirig. Vidare införes kopparkällan 14 först och följd av indiumkällan 15.
Genom att kopparkällan och irxiixnnkällan är placerade på ett förutbestämt avstånd från varandra, och där kopparkällan 14 införes först och följd av irxiiinnkällan 15, kommer först en större mängd koppar än indium att depo- neras, d.v.s närmast substratet, varefter en större mängd indium än koppar kommer att deponeras. Detta medför att CuInSeZ - skiktet 3 konuner att vara kopparrikare närmast substratet och indiumrikare närmast CJdS - släktet 4.
Enligt en föredragen utföringsform är nämnda avstånd mellan kopparkällan och indiuníkällan är i storleksordningen 10% till 25% av bäranordnizxgeris radie.
Enligt en mycket föredragen utföringsform bringas deponeringen ske genom att kopparkällan och indiumkällan förflyttas relativt bäranordningen endast en gång och åt ett håll. Härvid skall vid ovan angivna dimensioner källorna förflyttas kontinuerligt genom bäranordningen under en tid av storleks- ordningen 30 minuter.
Ett alternativ är att förflytta källorna flera gånger fram och tillbaka och därvid styra källornas teiuperatiirer så att ett kopparrikt skikt närmast substratet erhålles medan skiktet i dess motståeride yta är Det är emellertid mycket svårt att uppnå tillräcklig reproducerbarhet med en sådan teknik.
För det fall källorna förflyttas en gång genom bäranordningen och därefter skall föras till sitt nämnda tillbakadragna läge, nedbringas källornas temperatur så att deponering ej sker när källorna dras tillbaka 468 372 genom bäranordningen.
Enligt en föredragen utföringsform bringas den cylindriska bäranordningen _ att rotera med en hastighet större än omkring 1 till 5 r.p.m.
Enligt en annan föredragen utföringsfonn bringas den cylindriska bäranord- ningens insida i omlnretsled vara ihuvudsak täckt av substrat, företrädesvis av plana substrat bildande en Inånghönling i tvärsnitt, se figur 2 där substraten bildar en oktaeder. Härigenom ökar utbytet av Inängden från källorna avgivna ämnen till mängden på substraten deponerade äxmen högst väsentligt jäinfört ned den kända terminen. mligt den kända telmixen är utbytet besvärande lågt.
Enligt en ytterligare föredragen utföringsform har den cylindriska bär- anordningen en längd motsvarande en solcellpanels längd, d.v.s. onnkriilg 1 meter och en diameter sådan att Substrat med en bredd av 0.4 meter bildar en :nånghörrling sett i ett tvärsnitt, företrädesvis en sex- till tiohörnilug.
Det är uppenbart att föreliggande uppfinning löser de tre inledningsvis Ixäiruxda problemen. Föreliggande uppfinning utgör därför en billig och snabb Inetod att tillverka tunnfihnssolceller, där en mycket hög kvalitet erhålles. uppfinningen är desk inte begränsad till deponering av culnsez, uten även andra besläktade föreningar där Cu helt eller delvis byts mot Ag, där In helt eller delvis byts mot Ga eller Se helt eller delvis byts mot S eller Te kan komma ifråga. ovan nar elina utföringsexenipel angivits. Det är desk uppenbart att bär-anordningen liksom anordningen för att uppbära källorna kan utföras på allehanda lälnpliga sätt för att genomföra förfarandet enligt llppfirmiiugen.
Vidare kan källorna placeras på annat sätt än rakt efter varandra. Dessutom kan angivna diinerlsioner och hastigheter anpassas till rådande förhållanden ochdärvidfåandravärdenändeovanarlgivrla.
Föreliggande uppfinning skall därför inte anses begränsad till de ovan angivna utförirxgsfornlerna utan kan varieras inom dess av bifogade paterrtkrav angivna ram. <1
Claims (8)
1. Förfarande för tillverkning av solceller, närmare bestämt turznfihns- solceller, innefattarade att på ett substrat uppbygga olika skikt inne- fattande att deponera ett skikt bestående av en förening av flera grund- ärmen, såsom kopparindimndiselenid (CuInSe2) eller en därmed närbesläktad förening där koppar (Cu) respektive indiuln (In) helt eller delvis utbytts mot silver (Ag) respektive galliurn (Ga) samt där Se helt eller delvis utbytts mot svavel (S) eller tellur (Te), där koncentrationen av grundämne- navarierariskiktet, kännetecknat av, attsubstratet (1) placeras på en roterbar ihuvudsak cylindrisk bäranordnings (10) insida (11) , av att substratet är uppvärmt, av att källor (13,14,15) förefinns för deponering av nämnda grundämnen på substratet, av att ett eller flera av grundänmena deponeras genom att respektive källa (14,15) föres igenom den cylindriska bäranordningen (10) axiellt med denna, genom att den cylindriska bäranordningen (10) och/eller respdctive källa (14,15) förfly- ttas, under det att den cylindrislm bäranordningen bringas att rotera.
2. Förfarande för tillverkning av solceller, närmare tunnfilnzssol- celler enligt krav 1, innefattande att deponera ett skikt bestående av kopparindimdiselerxid (OJInSeZ) , där koncentrationen av koppar respektive Indiurnvarierariskiktet, kännetecknat av, attenselenkälla (13) förefinns för deponering av selen på substratet, av att CuInSe2 - skiktet (3) deponeras genom att en källa (14) med koppar och en källa (15) med indium föres igenom den cylindrislca bäranordningen (10) axiellt med denna, genom att, som nämnts, den cylindriska bäranordningen (10) och/eller källorna (14,15) förflyttas, under det att den cylindriska bäranordningen bringas att rotera.
3. Förfarandeenligtkrav1eller2, kännetecknat av, att kopparkällan (14) och indimrflcällan (15) placeras på ett förutbestämt avstånd från varandra i dessas förflyttningsrilcmixxg och av att kopparkällan (14) införas först mh följa av indimkälian (15). '
4. Förfaranieerxligtlcravl, 2eller3, kännetecknat av, att den cylindriska (10) insida (11) i mnkretsled bringas vara ihuvudsak täckt av substrat ( 1) , företrädesvis av plana substrat bildande en månghöniing i tvärsnitt. 10 15 20 468 572
5. Förfararxdeerïligtlaavl, 2, 3eller4, kännetecknat av, att deponering bringas ske genom att kopparkällan (14) och indiuxrflcällan (15) förflyttas relativt bäranordnirxgen (10) endast en gång och åt ett håll.
6. Förfarandeenligtkravl, 2, 3, 4eller5, kännetecknat a v, att den cylindrislm bäranordningen (10) bringas att rotera med en hastighet större än omlming 1 till 5 r.p.m.
7. Förfararxdeeraligtlcravl, 2, 3, 4, 5eller6, kännetecknat a v, att den cylindriska bäranordningen (10) har en lärxgd motsvarande en solcellpanels längd, d.v.s. cnnkrirag 1 meter och en diameter sådan att substrat med en bredd av 0.4 meter bildar en Inånghörnirg sett i ett tvärsnitt, föremädesvis en sex- till tiohönüng.
8. Förfarande enligt krav 1, 2, 3, 4, 5, 6 eller 7, kännetecknat av, attnänmdaavstårædlnellankopparkällan (14) och indimkällan (15) är i scorlæsordnirxgen 10% till 25% av bäramrdnngexs (10) radie.
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE9101246A SE468372B (sv) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | Foerfarande foer tillverkning av tunnfilmssolceller varvid deponering av skikt paa substrat sker i roterbar (cylindrisk) baeranordning |
| AU16739/92A AU1673992A (en) | 1991-04-24 | 1992-04-22 | A method for manufacturing solar cells |
| EP92909375A EP0581833B1 (en) | 1991-04-24 | 1992-04-22 | A method for manufacturing solar cells |
| ES92909375T ES2079866T3 (es) | 1991-04-24 | 1992-04-22 | Metodo para la fabricacion de celulas solares. |
| JP50890492A JP3285353B2 (ja) | 1991-04-24 | 1992-04-22 | 太陽電池の製法 |
| US08/137,156 US5445973A (en) | 1991-04-24 | 1992-04-22 | Method for manufacturing solar cells |
| PCT/SE1992/000262 WO1992020103A1 (en) | 1991-04-24 | 1992-04-22 | A method for manufacturing solar cells |
| DE69206142T DE69206142T2 (de) | 1991-04-24 | 1992-04-22 | Methode zur herstellung von solarzellen. |
| AT92909375T ATE130467T1 (de) | 1991-04-24 | 1992-04-22 | Methode zur herstellung von solarzellen. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE9101246A SE468372B (sv) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | Foerfarande foer tillverkning av tunnfilmssolceller varvid deponering av skikt paa substrat sker i roterbar (cylindrisk) baeranordning |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE9101246D0 SE9101246D0 (sv) | 1991-04-24 |
| SE9101246L SE9101246L (sv) | 1992-10-25 |
| SE468372B true SE468372B (sv) | 1992-12-21 |
Family
ID=20382556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE9101246A SE468372B (sv) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | Foerfarande foer tillverkning av tunnfilmssolceller varvid deponering av skikt paa substrat sker i roterbar (cylindrisk) baeranordning |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5445973A (sv) |
| EP (1) | EP0581833B1 (sv) |
| JP (1) | JP3285353B2 (sv) |
| AT (1) | ATE130467T1 (sv) |
| AU (1) | AU1673992A (sv) |
| DE (1) | DE69206142T2 (sv) |
| ES (1) | ES2079866T3 (sv) |
| SE (1) | SE468372B (sv) |
| WO (1) | WO1992020103A1 (sv) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6096998A (en) | 1996-09-17 | 2000-08-01 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for performing thermal reflow operations under high gravity conditions |
| JP3249408B2 (ja) * | 1996-10-25 | 2002-01-21 | 昭和シェル石油株式会社 | 薄膜太陽電池の薄膜光吸収層の製造方法及び製造装置 |
| IL125690A0 (en) * | 1998-08-06 | 1999-04-11 | Reiser Raphael Joshua | Furnace for processing semiconductor wafers |
| DE19956735B4 (de) | 1999-11-25 | 2008-08-21 | Shell Erneuerbare Energien Gmbh | Dünnfilmsolarzelle mit einer Chalkopyritverbindung und einer Titan und Sauerstoff enthaltenden Verbindung |
| US7194197B1 (en) | 2000-03-16 | 2007-03-20 | Global Solar Energy, Inc. | Nozzle-based, vapor-phase, plume delivery structure for use in production of thin-film deposition layer |
| FR2820241B1 (fr) * | 2001-01-31 | 2003-09-19 | Saint Gobain | Substrat transparent muni d'une electrode |
| WO2005098968A1 (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-20 | Honda Motor Co., Ltd. | カルコパイライト型薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法 |
| US7927659B2 (en) * | 2005-04-26 | 2011-04-19 | First Solar, Inc. | System and method for depositing a material on a substrate |
| US7968145B2 (en) | 2005-04-26 | 2011-06-28 | First Solar, Inc. | System and method for depositing a material on a substrate |
| EP1880037B1 (en) * | 2005-04-26 | 2022-06-15 | First Solar, Inc. | System and method for depositing a material on a substrate |
| US7931937B2 (en) * | 2005-04-26 | 2011-04-26 | First Solar, Inc. | System and method for depositing a material on a substrate |
| US7910166B2 (en) * | 2005-04-26 | 2011-03-22 | First Solar, Inc. | System and method for depositing a material on a substrate |
| US20060261817A1 (en) * | 2005-05-02 | 2006-11-23 | Poddany James J | System and method for testing a photovoltaic module |
| WO2009146187A1 (en) | 2008-04-15 | 2009-12-03 | Global Solar Energy, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing thin-film solar cells |
| WO2011082179A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Global Solar Energy, Inc. | Apparatus and methods of mixing and depositing thin film photovoltaic compositions |
| US10371244B2 (en) | 2015-04-09 | 2019-08-06 | United Technologies Corporation | Additive manufactured gear for a geared architecture gas turbine engine |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1551850A (en) * | 1924-08-29 | 1925-09-01 | Georg E Schmidmer | Device for metallizing textile fabrics and the like by means of disintegration of cathodes |
| US2729190A (en) * | 1951-10-08 | 1956-01-03 | Pawlyk Peter | Apparatus for plating the interior of hollow objects |
| US2885997A (en) * | 1956-02-06 | 1959-05-12 | Heraeus Gmbh W C | Vacuum coating |
| JPS52113379A (en) * | 1976-03-19 | 1977-09-22 | Hitachi Ltd | Vacuum evaporation |
| PT73364B (en) * | 1980-07-15 | 1982-08-19 | Israel Melcer | Sole of rigid material specially wood and shoes and boots equipped therewith |
| US4335266A (en) * | 1980-12-31 | 1982-06-15 | The Boeing Company | Methods for forming thin-film heterojunction solar cells from I-III-VI.sub.2 |
| CA1155798A (en) * | 1981-03-30 | 1983-10-25 | Shmuel Maniv | Reactive deposition method and apparatus |
| US4508748A (en) * | 1983-01-05 | 1985-04-02 | Xis, Incorporated | Manufacturing process for selenium photoreceptors |
| US4583488A (en) * | 1984-03-23 | 1986-04-22 | International Business Machines Corporation | Variable axis rotary drive vacuum deposition system |
| SE456812B (sv) * | 1986-01-09 | 1988-11-07 | Ttn Ab | Foerfarande och anordning foer att reducera friktionen mellan ett paa foeretraedesvis snoe och is glidande fordon och underlaget |
| US4904362A (en) * | 1987-07-24 | 1990-02-27 | Miba Gleitlager Aktiengesellschaft | Bar-shaped magnetron or sputter cathode arrangement |
| JP2615147B2 (ja) * | 1987-07-24 | 1997-05-28 | 旭硝子株式会社 | 太陽電池用ガラス基板の製造方法 |
| US4851095A (en) * | 1988-02-08 | 1989-07-25 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Magnetron sputtering apparatus and process |
| US5154810A (en) * | 1991-01-29 | 1992-10-13 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Thin film coating and method |
-
1991
- 1991-04-24 SE SE9101246A patent/SE468372B/sv not_active IP Right Cessation
-
1992
- 1992-04-22 WO PCT/SE1992/000262 patent/WO1992020103A1/en active IP Right Grant
- 1992-04-22 AT AT92909375T patent/ATE130467T1/de not_active IP Right Cessation
- 1992-04-22 AU AU16739/92A patent/AU1673992A/en not_active Abandoned
- 1992-04-22 ES ES92909375T patent/ES2079866T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1992-04-22 DE DE69206142T patent/DE69206142T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-22 JP JP50890492A patent/JP3285353B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-22 US US08/137,156 patent/US5445973A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-22 EP EP92909375A patent/EP0581833B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0581833A1 (en) | 1994-02-09 |
| EP0581833B1 (en) | 1995-11-15 |
| WO1992020103A1 (en) | 1992-11-12 |
| SE9101246L (sv) | 1992-10-25 |
| JPH06509213A (ja) | 1994-10-13 |
| DE69206142T2 (de) | 1996-05-30 |
| JP3285353B2 (ja) | 2002-05-27 |
| AU1673992A (en) | 1992-12-21 |
| ES2079866T3 (es) | 1996-01-16 |
| DE69206142D1 (de) | 1995-12-21 |
| US5445973A (en) | 1995-08-29 |
| ATE130467T1 (de) | 1995-12-15 |
| SE9101246D0 (sv) | 1991-04-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SE468372B (sv) | Foerfarande foer tillverkning av tunnfilmssolceller varvid deponering av skikt paa substrat sker i roterbar (cylindrisk) baeranordning | |
| CN101521249B (zh) | 薄膜太阳能电池大规模生产的制造装置与方法 | |
| CN102237447B (zh) | 薄膜层光伏模块制品的处理 | |
| CN101884119B (zh) | 用于制备太阳能电池的方法 | |
| EP0838864A3 (en) | Method for producing thin-film solar cell and equipment for producing the same | |
| US20110240118A1 (en) | Method and device for scribing a thin film photovoltaic cell | |
| CN103560169B (zh) | 一种大型太阳能薄膜电池片组件生产工艺及设备 | |
| CN102598312A (zh) | N型硫属化物组合物的制备以及它们在光伏器件中的使用 | |
| CN101958371B (zh) | 铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备装置 | |
| CN107794510B (zh) | 柔性薄膜立式真空镀膜生产线 | |
| CN102110732A (zh) | 柔性薄膜太阳能光电池及其大规模连续自动化生产方法 | |
| DE102011004441A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten | |
| CN101582461B (zh) | 一种新型多层透明导电膜结构及其制备方法 | |
| CN102254966A (zh) | 具有渐变带隙结构的碲锌镉薄膜太阳能电池 | |
| EP2695200A2 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| CN102292817A (zh) | 包括铜铟镓硒的光伏器件 | |
| CN106653897A (zh) | 一种铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
| CN206022406U (zh) | Cigs太阳能电池薄膜生产线 | |
| CN112786737A (zh) | Cigs薄膜太阳能电池组件及其刻划方法 | |
| Sancakoglu | Technological background and properties of thin film semiconductors | |
| WO2013019029A1 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
| CN105474371B (zh) | 用于具有钠铟硫化物缓冲层的薄层太阳能电池的层系统 | |
| Devaney et al. | Vacuum deposition processes for CuInSe2 and CuInGaSe2 based solar cells | |
| CN114582989A (zh) | 一种硅异质结太阳电池及其制备方法 | |
| US20100206368A1 (en) | Thin film solar cell and manufacturing method for the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NAL | Patent in force |
Ref document number: 9101246-8 Format of ref document f/p: F |
|
| NUG | Patent has lapsed |