CN112786737A - Cigs薄膜太阳能电池组件及其刻划方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种CIGS薄膜太阳能电池组件及其刻划方法；包括S1：提供CIGS薄膜太阳能电池；S2：采用机械刻划方法刻划第一道划线P1，分隔PN结层和透明导电氧化物薄膜层，形成第一道刻缝；S3：在第一道刻缝中，采用激光刻线方法沿缝壁方向刻划第二道划线P2，分隔背电极层，形成第二道刻缝；S4：在第二道刻缝中填满绝缘材料；S5：层压导电材料，使前、后子电池串联；S5：进行清边、测试、层压、封装处理，得到CIGS薄膜太阳能电池组件；本发明采用两步刻线的方法，并结合绝缘和导电材料将电池内部进行串联，能有效优化串联加工步骤，减小“死区”面积，提高电池转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种CIGS薄膜太阳能电池组件及其刻划方法。
背景技术
以非晶硅太阳能电池、化合物薄膜太阳能电池为代表的薄膜型太阳能电池与以往的晶体硅太阳能电池相比，可以大幅削减材料成本、制造成本，是近些年研究开发的重点领域之一。其中，以Ⅰ族、Ⅲ族、Ⅵ族的元素作为构成物质的化合物薄膜太阳能电池，尤其是使用由铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)、硒(Se)合金形成的CIGS膜作为光吸收层的CIGS太阳能电池由于完全不使用硅而且具有优异的太阳光转换效率而备受瞩目。
CIGS薄膜太阳能电池的基本结构包括五个部分：最底层为玻璃衬底，一般以钠钙玻璃为材料；第二层是背电极，一般为约100-500纳米厚的Mo电极膜，即电池的正极；第三层是吸收层，为P型半导体，通过溅射或共蒸工艺在背电极上沉积一层约2微米厚的CIGS层，能够吸收太阳光，并将光子转化成电子空穴对，通过前后电极引出，形成电流；第四层是缓冲层，通过化学沉积方法制备一层硫化镉，防止后续溅射窗口层时，溅射离子对吸收层的损伤，起到缓冲保护作用；第五层是窗口层，为n型半导体，一般是ZnO材料。
工业生产中，当制作大尺寸CIGS薄膜太阳能电池组件时，需要通过三道划线工艺分隔成若干同等宽度子电池，并形成内联结构，这三道划线工艺也被叫做P1、P2、P3。其中，P1用于分隔背电极形成两个相邻子电池，P2用于建立相邻子电池的前电极和背电极的相互连接通道，P3用于将子电池的前电极分开形成完整电池结构。划线工艺是生产CIGS薄膜太阳能电池组件的关键技术之一，划线结果直接决定了CIGS薄膜太阳能电池组件的性能和转化效率。现有技术中，以宽度为800mm的CIGS薄膜太阳能电池来看，三道划线工艺可以将其分隔成130～200节宽度为4～6mm的子电池，且在每个相邻的P1刻线和P3刻线之间形成宽度为230～350μm的单个“死区”，导致电池上结构不完整、无法产生电流和导电的“死区”总面积达到29.9～70mm。因此，三道划线工艺不仅刻线数量多，增加设备节拍时间，影响工业生产效率，而且“死区”总面积过大，影响电池转化效率。
发明内容
本发明的首要目的在于提供一种CIGS薄膜太阳能电池组件的刻划方法，包括如下步骤：
S1：提供CIGS薄膜太阳能电池，所述CIGS薄膜太阳能电池依次包括玻璃衬底、背电极层、PN结层和透明导电氧化物薄膜层；
S2：采用机械刻划方法刻划第一道划线P1，刻划深度停止于所述背电极层的上表面，第一道划线P1分隔PN结层和透明导电氧化物薄膜层，形成第一道刻缝；
S3：在第一道刻缝中，采用激光刻线方法沿缝壁方向刻划第二道划线P2，刻划深度停止于所述玻璃衬底的上表面，第二道划线P2分隔背电极层，将CIGS薄膜太阳能电池分隔成前、后子电池，形成第二道刻缝；
第二道刻缝的宽度小于第一道刻缝的宽度，使后子电池的背电极层呈台阶状伸出；
S4：在第二道刻缝中，采用喷墨方法或光刻胶方法填满绝缘材料；
S5：在前子电池的透明导电氧化物薄膜层表面层压导电材料，且导电材料延伸至与后子电池的背电极层表面接触，且导电材料不与后子电池的PN结层和透明导电氧化物薄膜层接触，使前、后子电池串联；
S5：进行清边、测试、层压、封装处理，得到CIGS薄膜太阳能电池组件。
本发明优选的技术方案，所述PN结层包括CIGS吸收层、缓冲层和高阻层。
本发明优选的技术方案，所述第一道刻缝的宽度为500～1500μm。
本发明优选的技术方案，所述第二道刻缝宽度为20～100μm。
本发明优选的技术方案，所述绝缘材料为具有绝缘性质的胶膜，优选为光刻胶，更优选为水性光刻胶。
本发明优选的技术方案，所述导电材料为金属栅线或石墨烯细栅。
本发明优选的技术方案，所述子电池的宽度为40～60mm。
本发明的另一个目的在于提供一种按照如上方法制备得到的CIGS薄膜太阳能电池组件。
与现有技术相比，本发明具有下述有益技术效果：
1、优化电池内部串联结构，减小电池内部串联结构中的“死区”范围，使“死区”范围减少至为第一道划线P1的宽度，从而增加电池光电转换区域，进一步提高电池光电转换效率。
2、优化电池结构，利用导电材料(如金属栅线)不仅可以高效收集电流，减小电池内部电阻，提高电池光电转换效率，而且还能降低透明导电氧化物薄膜层厚度，极大降低靶材消耗，降低生产成本。
3、优化电池加工步骤，仅有P1和P2两次刻线，可降低生产成本，提高生产效率，有利于工业应用与推广。
附图说明
图1为本发明参考例的结构示意图；
图2为本发明实施例中刻划第一道划线P1的示意图；
图3为本发明实施例中刻划第二道划线P2的示意图；
图4为本发明实施例填充绝缘胶后的效果示意图；
图5为本发明实施例层压金属栅线后的示意图；
图6为本发明实施例前、后子电池串联结构示意图。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明做进一步的说明。
本发明以CIGS薄膜太阳能电池为技术对象，有关CIGS薄膜太阳能电池的结构和制备方法为现有技术，本发明提供一种参考例。
参考例
参阅图1，一种CIGS薄膜太阳能电池，自下而上依次包括玻璃衬底1、背电极层2、CIGS吸收层3、缓冲层和高阻层4、透明导电氧化物薄膜层5。
所述CIGS薄膜太阳能电池的制备方法如下：
S1、以玻璃为玻璃衬底1，在玻璃衬底1上溅射钼薄膜，形成背电极层2；
S2、在背电极层2上形成CIGS吸收层3；
S3、在CIGS吸收层3上形成缓冲层和高阻层4；
S4、在缓冲层和高阻层4上形成透明导电氧化物薄膜层5。
作为示例，所述玻璃衬底1的厚度为2～3mm，所述背电极层2的厚度为100～500nm，所述CIGS吸收层3的厚度为1～3μm，缓冲层的厚度为20～100nm，高阻层的厚度为20～70nm，透明导电氧化物薄膜层5的厚度为300～800nm。
作为示例，玻璃可以为钠钙玻璃、中铝玻璃、高铝玻璃中的任意一种，背电极层2所用材质包括钼金属和/或铜金属和/或锌金属，所述CIGS吸收层3包括Cu金属、In金属、Ga金属、Se金属。
作为示例，所述CIGS吸收层3的形成方法可以为：
(a)采用溅射铜铟镓后进行硒化的方法；
或，(b)采用电镀铜铟镓后进行硒化的方法；
或，(c)采用三步共蒸发的方法；
或，(d)采用共溅射铜铟镓后进行硒化的方法。
作为示例，所述缓冲层的材质为InS或CdS，所述缓冲层的形成方法可以为化学水浴法或蒸发法。
作为示例，所述高阻层的材质为ZnO，所述高阻层的形成方法可以为溅射法。
作为示例，所述透明导电氧化物薄膜层5的材质为AZO，所述透明导电氧化物薄膜层5的形成方法可以为溅射法。
作为示例，上述溅射方法中，溅射温度为100～250℃，溅射功率为10～50KW，溅射气压为1*10-3～4*10-3mbar。
实施例
参阅图2-6，一种CIGS薄膜太阳能电池组件的刻划方法，包括如下步骤：
S1：提供CIGS薄膜太阳能电池，所述CIGS薄膜太阳能电池依次包括玻璃衬底1、背电极层2、CIGS吸收层3、缓冲层和高阻层4、透明导电氧化物薄膜层5；
S2：采用机械刻划方法刻划第一道划线P1，刻划深度停止于所述背电极层2的上表面，第一道划线P1分隔CIGS吸收层3、缓冲层和高阻层4和透明导电氧化物薄膜层5，形成第一道刻缝，第一道刻缝的宽度为500～1500μm；所述机械刻划方法中，刻针压力0.8～2.5N，刻划速度500～1500mm/s，刻针大小200～1500μm；
S3：在第一道刻缝中，采用激光刻线方法沿缝壁方向刻划第二道划线P2，刻划深度停止于所述玻璃衬底1的上表面，第二道划线P2分隔背电极层2，将CIGS薄膜太阳能电池分隔成宽度为40～60mm的前、后子电池，形成第二道刻缝，所述第二道刻缝宽度为20～100μm，此时，后子电池的背电极层2呈台阶状伸出；所述激光刻划方法中，激光功率0.3～1.2W，刻划速度500～1500mm/s，刻划频率30～500kHZ；
S4：在第二道刻缝中，采用喷墨方法填充水性光刻胶，喷墨时，辊涂速度为500～1500mm/s，辊涂压力0.5～3kpa；光刻胶应填满第二道刻缝，避免后续工艺中同一子电池上的金属栅线与背电极层2直接接触；
S5：采用丝网印刷方法在前子电池的透明导电氧化物薄膜层5表面层压金属栅线，使金属栅线延伸至与后子电池的背电极层2表面接触，且金属栅线不与后子电池的CIGS吸收层3、缓冲层和高阻层4和透明导电氧化物薄膜层5接触，使前、后子电池之间形成内部串联结构；丝网印刷时，涂布速度300～1000mm/s，涂布压力0.5～3N；
S5：进行清边、测试、层压、封装处理，得到CIGS薄膜太阳能电池组件。
以宽度为800mm的CIGS薄膜太阳能电池为技术对象，通过实施例所述刻划方法处理后，电池被分隔成13～20节宽度为40～60mm的子电池，由于P1刻线造成的单个“死区”宽度为500～1500μm，电池“死区”总宽度为6.5～30mm。
以上对本发明具体实施方式的描述并不限制本发明，本领域技术人员可以根据本发明作出各种改变或变形，只要不脱离本发明的精神，均应属于本发明权利要求保护的范围。
Claims (8)
1.一种CIGS薄膜太阳能电池组件的刻划方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：提供CIGS薄膜太阳能电池，所述CIGS薄膜太阳能电池依次包括玻璃衬底(1)、背电极层(2)、PN结层和透明导电氧化物薄膜层(5)；
S2：采用机械刻划方法刻划第一道划线P1，刻划深度停止于所述背电极层(2)的上表面，第一道划线P1分隔PN结层和透明导电氧化物薄膜层(5)，形成第一道刻缝；
S3：在第一道刻缝中，采用激光刻线方法沿缝壁方向刻划第二道划线P2，刻划深度停止于所述玻璃衬底(1)的上表面，第二道划线P2分隔背电极层(2)，将CIGS薄膜太阳能电池分隔成前、后子电池，形成第二道刻缝；
第二道刻缝的宽度小于第一道刻缝的宽度，使后子电池的背电极层(2)呈台阶状伸出；
S4：在第二道刻缝中，采用喷墨方法或光刻胶方法填满绝缘材料；
S5：在前子电池的透明导电氧化物薄膜层(5)表面层压导电材料，且导电材料延伸至与后子电池的背电极层(2)表面接触，且导电材料不与后子电池的PN结层和透明导电氧化物薄膜层(5)接触，使前、后子电池串联；
S5：进行清边、测试、层压、封装处理，得到CIGS薄膜太阳能电池组件。
2.根据权利要求1所述的CIGS薄膜太阳能电池组件的刻划方法，其特征在于：所述PN结层包括CIGS吸收层(3)、缓冲层和高阻层(4)。
3.根据权利要求1所述的CIGS薄膜太阳能电池组件的刻划方法，其特征在于：所述第一道刻缝的宽度为500～1500μm。
4.根据权利要求3所述的CIGS薄膜太阳能电池组件的刻划方法，其特征在于：所述第二道刻缝宽度为20～100μm。
5.根据权利要求1所述的CIGS薄膜太阳能电池组件的刻划方法，其特征在于：所述绝缘材料为具有绝缘性质的胶膜，优选为光刻胶，更优选为水性光刻胶。
6.根据权利要求1所述的CIGS薄膜太阳能电池组件的刻划方法，其特征在于：所述导电材料为金属栅线或石墨烯细栅。
7.根据权利要求1所述的CIGS薄膜太阳能电池组件的刻划方法，其特征在于：所述子电池的宽度为40～60mm。
8.一种CIGS薄膜太阳能电池组件，其特征在于：根据权利要求1-7任一项所述方法制备得到。
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|---|---|---|---|---|
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| CN114203859A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-03-18 | 凯盛光伏材料有限公司 | 一种可定制尺寸的cigs薄膜太阳能电池组件的加工方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000353816A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-12-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池モジュールの製造方法 |
| CN101496273A (zh) * | 2005-10-07 | 2009-07-29 | 应用材料股份有限公司 | 用于改进薄膜太阳能电池互连的系统和方法 |
| CN103999235A (zh) * | 2011-10-18 | 2014-08-20 | Lg伊诺特有限公司 | 太阳能电池装置及其制造方法 |
| CN104272470A (zh) * | 2012-03-27 | 2015-01-07 | Lg伊诺特有限公司 | 太阳能电池及其制造方法 |
| CN104766907A (zh) * | 2015-04-09 | 2015-07-08 | 山东禹城汉能薄膜太阳能有限公司 | 柔性cigs薄膜太阳能电池的连接方法 |
| CN108447919A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-08-24 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 薄膜太阳能电池组件的制备方法 |
| CN108565303A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-09-21 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 薄膜太阳能电池组件 |
-
2021
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000353816A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-12-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池モジュールの製造方法 |
| CN101496273A (zh) * | 2005-10-07 | 2009-07-29 | 应用材料股份有限公司 | 用于改进薄膜太阳能电池互连的系统和方法 |
| CN103999235A (zh) * | 2011-10-18 | 2014-08-20 | Lg伊诺特有限公司 | 太阳能电池装置及其制造方法 |
| CN104272470A (zh) * | 2012-03-27 | 2015-01-07 | Lg伊诺特有限公司 | 太阳能电池及其制造方法 |
| CN104766907A (zh) * | 2015-04-09 | 2015-07-08 | 山东禹城汉能薄膜太阳能有限公司 | 柔性cigs薄膜太阳能电池的连接方法 |
| CN108447919A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-08-24 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 薄膜太阳能电池组件的制备方法 |
| CN108565303A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-09-21 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 薄膜太阳能电池组件 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113649701A (zh) * | 2021-08-13 | 2021-11-16 | 苏州迈为科技股份有限公司 | 一种太阳能电池激光清边方法及装置 |
| CN113649701B (zh) * | 2021-08-13 | 2024-03-15 | 苏州迈为科技股份有限公司 | 一种太阳能电池激光清边方法及装置 |
| CN114203859A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-03-18 | 凯盛光伏材料有限公司 | 一种可定制尺寸的cigs薄膜太阳能电池组件的加工方法 |
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