JP3285353B2 - 太陽電池の製法 - Google Patents
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は太陽電池、特に薄膜太陽電池の製法に関す
る。
る。
薄膜太陽電池を製作するのに用いられる技術はPVD技
術（物理的な真空蒸着）であり、銅と、インジウムと、
セレンが蒸発され、加熱された基板上に被覆される。前
記基板は一般的にはガラスを含み、その上にモリブデン
（Mo）の層が溶射される。銅−インジウム−２セレン
（ジセレニド）（CuInSe2）（copper−indium−diselen
ide）の化合物が基板上で形成される。硫化カドミウム
（CdS）の層と、ドープ塗料の酸化亜鉛（ZnO）の形をし
た透明な電気接点とが、硫化カドミウム（CdS）の層の
上に積層される。
術（物理的な真空蒸着）であり、銅と、インジウムと、
セレンが蒸発され、加熱された基板上に被覆される。前
記基板は一般的にはガラスを含み、その上にモリブデン
（Mo）の層が溶射される。銅−インジウム−２セレン
（ジセレニド）（CuInSe2）（copper−indium−diselen
ide）の化合物が基板上で形成される。硫化カドミウム
（CdS）の層と、ドープ塗料の酸化亜鉛（ZnO）の形をし
た透明な電気接点とが、硫化カドミウム（CdS）の層の
上に積層される。
各種物質の蒸発がチェンバーの中で行われる。ガラス
板が大きな寸法を有している場合には、板は前述した物
質の源に関して静止している。
板が大きな寸法を有している場合には、板は前述した物
質の源に関して静止している。
CuInSe2をベースにした薄膜太陽電池を、物理的真空
蒸着（PVD）によって製作する場合には、主として３つ
の課題に出会う。
蒸着（PVD）によって製作する場合には、主として３つ
の課題に出会う。
これらの課題の内で最初の課題は、大きな表面上に均
一な層を生じるような方法で層を作り出す能力である。
薄膜太陽電池は、一般的には、１×0.4mの寸法を有して
いる。CuInSe2の層は、太陽電池の良好な機能を発揮す
るために、特に敏感であり、均一でなければならない。
一な層を生じるような方法で層を作り出す能力である。
薄膜太陽電池は、一般的には、１×0.4mの寸法を有して
いる。CuInSe2の層は、太陽電池の良好な機能を発揮す
るために、特に敏感であり、均一でなければならない。
第２の課題は、CuInSe2の層の組成がその厚さ方向に
おいて変化し、層の内でガラス板から遠ざかった部分に
おける組成が、化学量論的な組成によって与えられる組
成よりも多いインジウムを含んでいなければならないと
いう点にある。対応的に、ガラス板に最も近いところに
おける層の部分は、比較的高い比率の銅を含んでいなけ
ればならない。これは、層上部境界面上にいわゆる銅の
ノジュールが形成するのを抑制することが望ましいから
であり、そのようなノジュールは太陽電池の効率を減じ
るからである。
おいて変化し、層の内でガラス板から遠ざかった部分に
おける組成が、化学量論的な組成によって与えられる組
成よりも多いインジウムを含んでいなければならないと
いう点にある。対応的に、ガラス板に最も近いところに
おける層の部分は、比較的高い比率の銅を含んでいなけ
ればならない。これは、層上部境界面上にいわゆる銅の
ノジュールが形成するのを抑制することが望ましいから
であり、そのようなノジュールは太陽電池の効率を減じ
るからである。
既知の技術はこの課題を、最初に銅の多い層を被覆
し、次にこの層に対して、第２段階においてインジウム
の多い第２層を被覆することによって解決する。大量の
インジウムを被覆すると銅の多い表面の形成を抑制し、
従って前記ノジュールの形成を抑制する。従って、この
既知の技術は２つの異なった処理段階を必要とし、この
処理を複雑で、高価なものにしている。
し、次にこの層に対して、第２段階においてインジウム
の多い第２層を被覆することによって解決する。大量の
インジウムを被覆すると銅の多い表面の形成を抑制し、
従って前記ノジュールの形成を抑制する。従って、この
既知の技術は２つの異なった処理段階を必要とし、この
処理を複雑で、高価なものにしている。
第３の課題は、基板上に積層された物質上における蒸
発した物質の収率が比較的低いという点にある。
発した物質の収率が比較的低いという点にある。
これらの課題は本発明の方法において解決される。
本発明は、基板上に多層構造体が積層されている太陽
電池の製法であって、（ａ）基本物質が銅（Cu）とイン
ジウム（In）とセレン（Se）である銅−インジウム−２
セレン（CuInSe2）からなる第１の化合物と、（ｂ）第
１の化合物における基本物質の銅（Cu）とインジウム
（In）とをそれぞれ他の基本物質の銀（Ag）とガリウム
（Ga）とに全体的又は部分的に交換し、かつ第１の化合
物における基本物質のセレン（Se）を全体的又は部分的
に他の基本物質の硫黄（Ｓ）又はテルル（Te）と交換し
た第２の化合物と、のうちの一方からなり、個々の基本
物質の含有率が厚さ方向に変化した層を被覆する工程を
含む製法において、回転可能で全体的に円筒状の支持装
置の内側に基板を配置してその基板を加熱し、また、前
記第１又は第２の化合物における基本物質の源を設け、
前記支持装置を回転させている間に、前記源と円筒状の
前記支持装置との間に、前記支持装置の軸線方向への相
対移動を生じて、前記個々の源が前記支持装置の中を軸
線方向へ通過するようにすることによって、前記基板上
に前記第１又は第２の化合物における基本物質を被覆す
ることを特徴とする製法を提供する。
電池の製法であって、（ａ）基本物質が銅（Cu）とイン
ジウム（In）とセレン（Se）である銅−インジウム−２
セレン（CuInSe2）からなる第１の化合物と、（ｂ）第
１の化合物における基本物質の銅（Cu）とインジウム
（In）とをそれぞれ他の基本物質の銀（Ag）とガリウム
（Ga）とに全体的又は部分的に交換し、かつ第１の化合
物における基本物質のセレン（Se）を全体的又は部分的
に他の基本物質の硫黄（Ｓ）又はテルル（Te）と交換し
た第２の化合物と、のうちの一方からなり、個々の基本
物質の含有率が厚さ方向に変化した層を被覆する工程を
含む製法において、回転可能で全体的に円筒状の支持装
置の内側に基板を配置してその基板を加熱し、また、前
記第１又は第２の化合物における基本物質の源を設け、
前記支持装置を回転させている間に、前記源と円筒状の
前記支持装置との間に、前記支持装置の軸線方向への相
対移動を生じて、前記個々の源が前記支持装置の中を軸
線方向へ通過するようにすることによって、前記基板上
に前記第１又は第２の化合物における基本物質を被覆す
ることを特徴とする製法を提供する。
添付図面において示された本発明の例示的な実施例を
参照しながらさらに詳しく本発明を説明することにす
る。
参照しながらさらに詳しく本発明を説明することにす
る。
第１図は太陽電池のガラス概略断面図である。
第２図は本発明を実施するための装置の概略的な軸線
方向の図である。
方向の図である。
第３図は本装置の概略的な側面図である。
第１図は薄膜太陽電池の概略断面図である。薄膜太陽
電池は比較的大寸法、例えば１×0.4mの基板上に構成さ
れる。その様な構造物は基板表面上に非常に多数のセル
を含み、これらのセルが電気的に相互連結されている。
第１図は１つのそのようなセルのほんの一部分である。
基板表面上の、多数の相互分離しているが、電気的に連
結されているセルは良く知られており、ここでは説明し
ない。
電池は比較的大寸法、例えば１×0.4mの基板上に構成さ
れる。その様な構造物は基板表面上に非常に多数のセル
を含み、これらのセルが電気的に相互連結されている。
第１図は１つのそのようなセルのほんの一部分である。
基板表面上の、多数の相互分離しているが、電気的に連
結されているセルは良く知られており、ここでは説明し
ない。
基板１は普通は適当な厚さ、通常は3mmのガラス板で
ある。ガラス表面にはモリブデン（Mo）の層２が最初に
溶射される。このモリブデン層は最終製品のセルにおい
ては、電気的なバック接点と陽極、あるいは端子を形成
する。前記モリブデン層は、例えば0.5μの厚さを有し
ても良い。次にモリブデン層には、例えば２μの厚さを
有する銅−インジウム−２セレン（CuInSe2）の層３が
被覆される。次に、層３の上に硫化カドミウム（CdS）
の第１層４が、例えば５ないし500Aの厚さにまで被覆さ
れ、次に透明なドープ塗料の酸化亜鉛層（ZnO）６の形
をした電気接点が１ないし２μの厚さにまで被覆され
る。例えばアルミニウムでできた金属接点５を用いても
良い。
ある。ガラス表面にはモリブデン（Mo）の層２が最初に
溶射される。このモリブデン層は最終製品のセルにおい
ては、電気的なバック接点と陽極、あるいは端子を形成
する。前記モリブデン層は、例えば0.5μの厚さを有し
ても良い。次にモリブデン層には、例えば２μの厚さを
有する銅−インジウム−２セレン（CuInSe2）の層３が
被覆される。次に、層３の上に硫化カドミウム（CdS）
の第１層４が、例えば５ないし500Aの厚さにまで被覆さ
れ、次に透明なドープ塗料の酸化亜鉛層（ZnO）６の形
をした電気接点が１ないし２μの厚さにまで被覆され
る。例えばアルミニウムでできた金属接点５を用いても
良い。
太陽光線が太陽電池の上に降り注ぐと、陰極となる接
点６（ZnO）とバック接点２との間に電圧が生じる。
点６（ZnO）とバック接点２との間に電圧が生じる。
前述したように、本発明は、基板上に多層構造体が積
層されている太陽電池の製法であって、（ａ）基本物質
が銅（Cu）とインジウム（In）とセレン（Se）である銅
−インジウム−２セレン（CuInSe2）からなる第１の化
合物と、（ｂ）第１の化合物における基本物質の銅（C
u）とインジウム（In）とをそれぞれ他の基本物質の銀
（Ag）とガリウム（Ga）とに全体的又は部分的に交換
し、かつ第１の化合物における基本物質のセレン（Se）
を全体的又は部分的に他の基本物質の硫黄（Ｓ）又はテ
ルル（Te）と交換した第２の化合物と、のうちの一方か
らなり、個々の基本物質の含有率が厚さ方向に変化した
層を被覆する工程を含む製法に関するものである。
層されている太陽電池の製法であって、（ａ）基本物質
が銅（Cu）とインジウム（In）とセレン（Se）である銅
−インジウム−２セレン（CuInSe2）からなる第１の化
合物と、（ｂ）第１の化合物における基本物質の銅（C
u）とインジウム（In）とをそれぞれ他の基本物質の銀
（Ag）とガリウム（Ga）とに全体的又は部分的に交換
し、かつ第１の化合物における基本物質のセレン（Se）
を全体的又は部分的に他の基本物質の硫黄（Ｓ）又はテ
ルル（Te）と交換した第２の化合物と、のうちの一方か
らなり、個々の基本物質の含有率が厚さ方向に変化した
層を被覆する工程を含む製法に関するものである。
本発明についてその例示的な実施例を参照しながら以
下説明するが、ここではCuInSe2の層が被覆されるが、
本発明がそのような層に限定されることなく、他の基本
的な物質を含む層を被覆することにも適用できることが
理解できるであろう。
下説明するが、ここではCuInSe2の層が被覆されるが、
本発明がそのような層に限定されることなく、他の基本
的な物質を含む層を被覆することにも適用できることが
理解できるであろう。
本発明によると、基板１は、第２図で概略的に示した
ように、回転可能な、全体的に円筒状の支持装置10の内
面11上に配置される。支持装置10の全体が適当な既知−
種類の真空チェンバー12（第３図参照）の中に配置され
る。支持装置10の上に基板を配置する前に、基板にモリ
ブデン層２が被覆される。
ように、回転可能な、全体的に円筒状の支持装置10の内
面11上に配置される。支持装置10の全体が適当な既知−
種類の真空チェンバー12（第３図参照）の中に配置され
る。支持装置10の上に基板を配置する前に、基板にモリ
ブデン層２が被覆される。
前記支持装置はどのような適当な構造を有していても
よい。例えば、ガラス板あるいは基板の取付け装置を備
えた鋼のビームでできたフレームを有していてもよい。
よい。例えば、ガラス板あるいは基板の取付け装置を備
えた鋼のビームでできたフレームを有していてもよい。
本装置はセレン源13を含み、そこからセレンが基板上
に被覆される。セレン源の位置はそれ程重要ではない。
それにもかかわらずセレンはチェンバーの雰囲気の中で
十分な含有率になって存在するであろう。
に被覆される。セレン源の位置はそれ程重要ではない。
それにもかかわらずセレンはチェンバーの雰囲気の中で
十分な含有率になって存在するであろう。
前記円筒状の支持装置がそれ自身の軸線の周りで回転
している間に、銅源とインジウム源を前記装置10の中を
軸線方向に通過させることによって、CuInSe2の層３が
被覆される。前記源と支持装置とは、好ましくは、互い
に他に関して連続的に動き、これらの物質の源は支持装
置の１つの開放端部から他の端部へ移動する。
している間に、銅源とインジウム源を前記装置10の中を
軸線方向に通過させることによって、CuInSe2の層３が
被覆される。前記源と支持装置とは、好ましくは、互い
に他に関して連続的に動き、これらの物質の源は支持装
置の１つの開放端部から他の端部へ移動する。
源14,15の支持装置内での移動は、円筒状の支持装置1
0を動かすこと、および（あるいは）源14,15を動かすこ
とによって行ってもよい。
0を動かすこと、および（あるいは）源14,15を動かすこ
とによって行ってもよい。
基本的な物質を被覆する時に、源13,14,15は、チェン
バーの中で、既知の方法で、所定の組成雰囲気を作り出
すために加熱される。物質は300ないし600℃の温度にま
で加熱される。
バーの中で、既知の方法で、所定の組成雰囲気を作り出
すために加熱される。物質は300ないし600℃の温度にま
で加熱される。
第３図は本発明装置の機械的部分の単に１つの考えら
れる実施例を概略的に示してりる。支持装置には円形状
のビーム15,16が設けられており、これらは前記装置の
外周の周りを延在し、ローラー17,18の上に乗ってい
る。ローラー17,18は支持装置10を回転させるために駆
動される。源13,14,15は、支持アーム21に関して、矢印
20によって示された方向へ動くことのできるロッド19の
上に取付けてもよい。例えば支持アーム21に関連してボ
ールねじを固定的に取付けても良く、これはロッド19に
対して固定的に連結された駆動装置22と協働する。前記
ロッドは第３図において実線で示した後部位置と、破線
23で示した前部位置との間を動くことができる。
れる実施例を概略的に示してりる。支持装置には円形状
のビーム15,16が設けられており、これらは前記装置の
外周の周りを延在し、ローラー17,18の上に乗ってい
る。ローラー17,18は支持装置10を回転させるために駆
動される。源13,14,15は、支持アーム21に関して、矢印
20によって示された方向へ動くことのできるロッド19の
上に取付けてもよい。例えば支持アーム21に関連してボ
ールねじを固定的に取付けても良く、これはロッド19に
対して固定的に連結された駆動装置22と協働する。前記
ロッドは第３図において実線で示した後部位置と、破線
23で示した前部位置との間を動くことができる。
チェンバー12は扉24を有する。
源は可動状態の代わりに静止的に取付けて、支持装置
をその幾何学的軸線の方向の動くように取付けてもよ
い。
をその幾何学的軸線の方向の動くように取付けてもよ
い。
本発明によると、銅源とインジウム源とを支持装置10
の中で軸線方向に均一速度で動かし、同時に支持装置10
をそれ自身の軸線の周りに回転させることにより、CuIn
Se2の層３が被覆されるので、源がそれぞれの基本物質
を放出しているにもかかわらず、与えられた空間分布に
従って均一な層が被覆されるであろう。
の中で軸線方向に均一速度で動かし、同時に支持装置10
をそれ自身の軸線の周りに回転させることにより、CuIn
Se2の層３が被覆されるので、源がそれぞれの基本物質
を放出しているにもかかわらず、与えられた空間分布に
従って均一な層が被覆されるであろう。
より好ましい実施例においては、銅源とインジウム源
とは、それらの移動方向において所定の距離だけ離され
ている。さらに、銅源14が最初に所定位置に位置され、
次にインジウム源15が位置される。
とは、それらの移動方向において所定の距離だけ離され
ている。さらに、銅源14が最初に所定位置に位置され、
次にインジウム源15が位置される。
銅源とインジウム源とが所定の距離だけ離されてお
り、さらに、銅源14が最初に所定位置に位置され、次に
インジウム源15が位置されるので、基板構造に被覆され
る銅の量は、最初は、被覆されるインジウムの量より多
くなる。即ち、基板に最も近いところでは多量の銅が、
次に銅の量よりも多い量のインジウムが被覆されるであ
ろう。このことは、基板に最も近いところでは銅が多
く、硫化カドミウムの層４に最も近いところではインジ
ウムの多いCuInSe2の層３に変えられることを意味して
いる。
り、さらに、銅源14が最初に所定位置に位置され、次に
インジウム源15が位置されるので、基板構造に被覆され
る銅の量は、最初は、被覆されるインジウムの量より多
くなる。即ち、基板に最も近いところでは多量の銅が、
次に銅の量よりも多い量のインジウムが被覆されるであ
ろう。このことは、基板に最も近いところでは銅が多
く、硫化カドミウムの層４に最も近いところではインジ
ウムの多いCuInSe2の層３に変えられることを意味して
いる。
本発明の１つの好ましい実施例によると、銅源とイン
ジウム源との間の距離は、支持装置の半径10％ないし25
％のオーダーである。
ジウム源との間の距離は、支持装置の半径10％ないし25
％のオーダーである。
さらに好ましい実施例によると、被覆操作は、銅源と
インジウム源とを支持装置に関して、たった一回で１方
向のみ移動させることによって行われる。上述した寸法
の場合、このことは源が支持装置内を30分以上時間周期
で連続的に移動することを意味する。
インジウム源とを支持装置に関して、たった一回で１方
向のみ移動させることによって行われる。上述した寸法
の場合、このことは源が支持装置内を30分以上時間周期
で連続的に移動することを意味する。
あるいは、源は後方および前方へ数回移動しても良
く、それぞれの源の温度を、基板に最も近いところで銅
の多い層を、反対側の表面でインジウムの多い層を得る
ことができるように制御してもよい。しかしながら、こ
の特別な技術によっては、十分な再現性を得ることは非
常に難しい。
く、それぞれの源の温度を、基板に最も近いところで銅
の多い層を、反対側の表面でインジウムの多い層を得る
ことができるように制御してもよい。しかしながら、こ
の特別な技術によっては、十分な再現性を得ることは非
常に難しい。
源を支持装置の中でたった一回移動させて、その後で
上述した引抜き位置へ戻す時においては、いずれの物質
も被覆されることがないように、源の温度は低下され
る。
上述した引抜き位置へ戻す時においては、いずれの物質
も被覆されることがないように、源の温度は低下され
る。
１つの好ましい実施例においては、円筒状の支持装置
は毎分約１ないし５回転より速い速度で回転される。
は毎分約１ないし５回転より速い速度で回転される。
他の好ましい実施例においては、円筒状の支持装置の
円周方向内面は、基板、好ましくは平坦な基板で本質的
に覆われており、多角形の断面を形成し、第２図を参照
すると、基板は八角形の断面を形成している。この方法
によると、源によって放出される物質の量の内で、基板
上に被覆される物質の量の収率が、既知の技術に比べて
大きく増加する。既知の技術の場合には、この収率は極
めて低い。
円周方向内面は、基板、好ましくは平坦な基板で本質的
に覆われており、多角形の断面を形成し、第２図を参照
すると、基板は八角形の断面を形成している。この方法
によると、源によって放出される物質の量の内で、基板
上に被覆される物質の量の収率が、既知の技術に比べて
大きく増加する。既知の技術の場合には、この収率は極
めて低い。
さらに好ましい実施例によると、太陽電池のパネルの
長さ、即ち、約1mに対応した円筒状支持装置の長さと、
基板が0.4mの巾を有するような直径とによって、断面的
に見て多角形、好ましくは六角形あるいは十角形が形成
される。
長さ、即ち、約1mに対応した円筒状支持装置の長さと、
基板が0.4mの巾を有するような直径とによって、断面的
に見て多角形、好ましくは六角形あるいは十角形が形成
される。
今までのことより、本発明が導入部分で述べた３つの
課題を解決することが明らかになるであろう。結果的に
は、本発明は、非常に品質のよい薄膜太陽電池の、安価
で迅速な製法を提供する。
課題を解決することが明らかになるであろう。結果的に
は、本発明は、非常に品質のよい薄膜太陽電池の、安価
で迅速な製法を提供する。
しかしながら、本発明はCuInSe2の被覆に限定される
ことがなく、他の関連する化合物と組合わせ用いること
もでき、銅を全体的あるいは部分的に銀と交換し、イン
ジウムを単一的あるいは部分的にガリウムと交換し、セ
レンを全体的あるいは部分的に硫黄あるいはテルルと交
換したものでも用いることができる。
ことがなく、他の関連する化合物と組合わせ用いること
もでき、銅を全体的あるいは部分的に銀と交換し、イン
ジウムを単一的あるいは部分的にガリウムと交換し、セ
レンを全体的あるいは部分的に硫黄あるいはテルルと交
換したものでも用いることができる。
本発明について多数の例示的実施例を参照しながら説
明してきたが、支持装置や物質源を支持するための装置
が、本発明を実行するのに適した他の方法で構成しても
よいことは明らかになるであろう。さらに、源は互いに
他の直後というより他の位置に位置させてもよい。上述
してきた寸法や速度もまた一般的な条件に適するように
なっており、従って、上述した値に限定することもな
い。
明してきたが、支持装置や物質源を支持するための装置
が、本発明を実行するのに適した他の方法で構成しても
よいことは明らかになるであろう。さらに、源は互いに
他の直後というより他の位置に位置させてもよい。上述
してきた寸法や速度もまた一般的な条件に適するように
なっており、従って、上述した値に限定することもな
い。
本発明は、従って、前に記載、説明した例示的な実施
例に限定されず、これらの実施例は添付した請求の範囲
の中で修正することができる。
例に限定されず、これらの実施例は添付した請求の範囲
の中で修正することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−103882（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−161394（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−68917（ＪＰ，Ａ) 特表 昭57−502196（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078 H01L 21/20 - 21/208 C23C 14/00 - 14/58
Claims (8)
- 【請求項１】基板上に多層構造体が積層されている太陽
電池の製法であって、（ａ）基本物質が銅（Cu）とイン
ジウム（In）とセレン（Se）である銅−インジウム−２
セレン（CuInSe2）からなる第１の化合物と、（ｂ）第
１の化合物における基本物質の銅（Cu）とインジウム
（In）とをそれぞれ他の基本物質の銀（Ag）とガリウム
（Ga）とに全体的又は部分的に交換し、かつ第１の化合
物における基本物質のセレン（Se）を全体的又は部分的
に他の基本物質の硫黄（Ｓ）又はテルル（Te）と交換し
た第２の化合物と、のうちの一方からなり、個々の基本
物質の含有率が厚さ方向に変化した層を被覆する工程含
む製法において、回転可能で全体的に円筒状の支持装置
（10）の内側（11）に基板（１）を配置してその基板を
加熱し、また、前記第１又は第２の化合物における基本
物質の源（13,14,15）を設け、前記支持装置（10）を回
転させている間に、前記源と円筒状の前記支持装置（1
0）との間に、前記支持装置（10）の軸線方向への相対
移動を生じて、前記個々の源が前記支持装置（10）の中
を軸線方向へ通過するようにすることによって、前記基
板上に前記第１又は第２の化合物における基本物質を被
覆することを特徴とする製法。 - 【請求項２】銅−インジウム−２セレン（CuInSe2）か
らなり、銅とインジウムの含有率が厚さ方向に変化する
層を被覆する工程を含む請求の範囲第１項記載の太陽電
池の製法であって、基板上にセレンを被覆するためにセ
レン源（13）を設け、円筒状の支持装置（10）を回転さ
せながら、その支持装置と、前記銅及びインジウムの源
（14,15）とを前記支持装置（10）の軸線方向へ相対移
動させて銅及びインジウムの源（14,15）を該支持装置
の中に軸線方向に通過させることによりCuInSe2の層
（３）を被覆することを特徴とする製法。 - 【請求項３】請求の範囲第２項記載の太陽電池の製法に
おいて、銅源（14）とインジウム源（15）とを前記相対
移動の方向へ所定距離だけ離して配置し、銅源（14）を
最初に前記支持装置中の所定位置に位置させ、その後イ
ンジウム源（15）を支持装置中の所定位置に位置させる
製法。 - 【請求項４】請求の範囲第１項、第２項又は第３項に記
載の太陽電池の製法において、前記円筒状の支持装置
（10）の円周方向内面（11）を平坦な基板材料で覆い、
多角形断面を形成するようにする製法。 - 【請求項５】請求の範囲第２項、第３項又は第４項に記
載の太陽電池の製法において、銅源（14）とインジウム
源（15）とを前記支持装置に対して、単に一回かつ一方
向に移動させることによって被覆を行う製法。 - 【請求項６】性の範囲第１項から５項までのいずれか１
項に記載の太陽電池の製法において、前記支持装置を毎
分約１から５回転以上で回転させる製法。 - 【請求項７】請求の範囲第１項から６項までのいずれか
１項に記載の太陽電池の製法において、前記支持装置
（10）が、約1mである太陽電池パネルの長さに相当する
長さと、0.4mの巾を有する基板が前記支持装置の断面で
見た時に多角形を形成する直径とを有する製法。 - 【請求項８】請求の範囲第３項記載の太陽電池の製法に
おいて、前記銅源（14）とインジウム源（15）との間の
前記所定距離が、前記支持装置（10）の半径の10％から
25％のオーダーである製法。
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|---|---|---|---|
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| PCT/SE1992/000262 WO1992020103A1 (en) | 1991-04-24 | 1992-04-22 | A method for manufacturing solar cells |
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| DE19956735B4 (de) | 1999-11-25 | 2008-08-21 | Shell Erneuerbare Energien Gmbh | Dünnfilmsolarzelle mit einer Chalkopyritverbindung und einer Titan und Sauerstoff enthaltenden Verbindung |
| US7194197B1 (en) * | 2000-03-16 | 2007-03-20 | Global Solar Energy, Inc. | Nozzle-based, vapor-phase, plume delivery structure for use in production of thin-film deposition layer |
| FR2820241B1 (fr) | 2001-01-31 | 2003-09-19 | Saint Gobain | Substrat transparent muni d'une electrode |
| DE112005000785T5 (de) * | 2004-04-09 | 2007-03-01 | Honda Motor Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung einer Licht-absorbierenden Schicht für eine Dünnschichtsolarzelle des Chalkopyrittyps |
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| US7910166B2 (en) * | 2005-04-26 | 2011-03-22 | First Solar, Inc. | System and method for depositing a material on a substrate |
| WO2006116411A2 (en) * | 2005-04-26 | 2006-11-02 | First Solar, Inc. | System and method for depositing a material on a substrate |
| US7968145B2 (en) * | 2005-04-26 | 2011-06-28 | First Solar, Inc. | System and method for depositing a material on a substrate |
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| US20090255467A1 (en) | 2008-04-15 | 2009-10-15 | Global Solar Energy, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing thin-film solar cells |
| WO2011082179A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Global Solar Energy, Inc. | Apparatus and methods of mixing and depositing thin film photovoltaic compositions |
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