TW201503379A - 成型太陽能電池之吸收物層之方法 - Google Patents

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Abstract

一種成型太陽能電池之吸收物層之方法，包括：成型複數個前驅物層於一太陽能電池底材之一下電極之一表面之上；以及回火該等前驅物層以形成一吸收物層。成型複數個前驅物層於一太陽能電池底材之一下電極之一表面之上的步驟包括：利用一濺鍍源或一蒸鍍源沉積具有硒、銅及鎵或銦之至少一個之一第一層於該表面之至少一部分之上，其中，該第一層具有一第一銅濃度；以及沉積具有硒及銅、鎵或銦之至少一個之一第二層於該表面之該至少一部分之上，其中，該第二層具有一第二銅濃度，以及該第二銅濃度係小於該第一銅濃度。

Description

成型太陽能電池之吸收物層之方法
本發明是有關於太陽能光伏領域，特別是有關於一種成型太陽能電池之吸收物層之方法。
銅銦鎵二硒化物(CIGS)是一種普遍被使用之吸收物層於薄膜太陽能電池之中。CIGS薄膜太陽能電池已具有卓越的轉換效率(大於20%)於實驗室環境之中。大部分傳統之CIGS沉積是藉兩種技術來被進行：共蒸鍍法或硒化法。共蒸鍍法涵蓋了同時蒸鍍銅、銦、鎵以及硒。這四種元素之不同熔點會使得控制一化學計量化合物於一大型底材上之成型非常困難的。此外，當使用共蒸鍍法時，要獲得成功之薄膜黏著是困難的。硒化法涵蓋了一個兩步驟之製程。首先，一銅、銦及鎵前驅物是被噴鍍於一底材之上。接著，硒化係藉由使前驅物與有毒之H2Se/H2S反應於攝氏500度以上而發生。
本發明基本上採用如下所詳述之特徵以為了要解決上述之問題。
本發明之一實施例提供一種成型太陽能電池之吸收物層之方法，其包括：成型複數個前驅物層於一太陽能電池底材之一下電極之一表面之上，包括：利用一濺鍍源或一蒸鍍源沉積具有 硒、銅及鎵或銦之至少一個之一第一層於該表面之至少一部分之上，其中，該第一層具有一第一銅濃度；以及沉積具有硒及銅、鎵或銦之至少一個之一第二層於該表面之該至少一部分之上，其中，該第二層具有一第二銅濃度，以及該第二銅濃度係小於該第一銅濃度；以及回火該等前驅物層以形成一吸收物層。
根據上述之實施例，該成型太陽能電池之吸收物層之方法更包括：利用另一濺鍍源沉積一緩衝層於該吸收物層之上。
根據上述之實施例，該吸收物層具有一銅鎵銦比例係介於0.85與0.95之間。
根據上述之實施例，該第二層具有以下結合之至少一種：銅、銦、鎵及硒；或銅、鎵及硒；或銦及硒；或銦、鎵及硒。
根據上述之實施例，該成型太陽能電池之吸收物層之方法更包括：在沉積該第一層及該第二層之前，沉積一第三層，其中，該第三層具有硒及銦或鎵之至少一個。
根據上述之實施例，該成型太陽能電池之吸收物層之方法更包括：在沉積該第一層及該第二層之前，沉積一第三層，其中，該第三層具有以下結合之至少一種：銅、銦、鎵及硒；或銅、鎵及硒；或銦及硒；或銦、鎵及硒。
根據上述之實施例，該成型太陽能電池之吸收物層之方法更包括：在沉積該第一層或該第二層之後，沉積一第三層，其中，該第三層包括有硒、銅以及銦或鎵之至少一個。
根據上述之實施例，該成型太陽能電池之吸收物層之方法更包括：沉積一硒層於該第二層之上。
根據上述之實施例，沉積該第一層及該第二層之步驟包括有：濺鍍銅-鎵、銦或銅之至少兩個以及蒸鍍鎵以及硒。
根據上述之實施例，沉積該第一層及該第二層之步驟包括：濺鍍銦及銅之至少兩個以及蒸鍍鎵及硒。
根據上述之實施例，沉積該第一層及該第二層之步驟包括：提供來自於一銦源、一鎵源及一硒源之材料；提供來自於一銅源之材料；以及提供來自於該銦源及該鎵源之材料。
根據上述之實施例，該第一層具有至少1.0之一銅鎵銦比例。
根據上述之實施例，該第二層具有低於0.7之一銅鎵銦比例。
根據上述之實施例，該第一層具有至少1.0之一銅鎵銦比例以及該第二層具有低於0.7之一銅鎵銦比例，以使得該吸收物層具有一銅鎵銦比例係介於0.85與0.95之間。
本發明之另一實施例提供一種成型前驅物層堆疊於太陽能電池之底材上之方法，其包括：沉積具有硒、銅以及鎵或銦之至少一個之一第一層於一太陽能電池底材之一下電極之一表面之至少一部分之上，其中，該第一層具有一第一銅濃度；以及沉積具有硒以及銅、鎵或銦之至少一個之一第二層於該表面之該至少一部分之上，其中，該第二層具有一第二銅 濃度，以及該第二銅濃度係小於該第一銅濃度。
本發明之又一實施例提供一種成型太陽能電池之吸收物層之方法，其包括：成型複數個前驅物層於一太陽能電池底材之一下電極之一表面之上，包括：利用一濺鍍源或一蒸鍍源沉積具有硒以及鎵或銦之至少一個之一第一層於該表面之至少一部分之上；沉積具有硒、銅以及鎵或銦之至少一個之一第二層於該表面之該至少一部分之上；以及沉積具有硒以及鎵或銦之至少一個之一第三層於該表面之該至少一部分之上；以及回火該等前驅物層以形成一吸收物層。
根據上述之實施例，該第一層具有硒、鎵及銦，該第二層具有銅及硒，以及該該第三層具有硒、鎵及銦。
根據上述之實施例，沉積該第一層及該第三層之步驟包括：濺鍍銦以及蒸鍍鎵及硒。
根據上述之實施例，沉積該第二層之步驟包括：濺鍍銅以及蒸鍍硒。
根據上述之實施例，該吸收物層具有一銅鎵銦比例係介於0.85與0.95之間。
為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例並配合所附圖式做詳細說明。
20A、20B‧‧‧堆疊
21‧‧‧層、下層
22‧‧‧層、富含銅層
23‧‧‧層、含少量銅層
24‧‧‧層、硒層
30、40、100‧‧‧太陽能電池成型裝置
31、41、105‧‧‧殼體
32、42、120‧‧‧可旋轉底材裝置
33、43、130‧‧‧底材
34‧‧‧濺鍍源、第一濺鍍源
35‧‧‧濺鍍源、第二濺鍍源
36‧‧‧濺鍍源、第三濺鍍源
37‧‧‧濺鍍源、第四濺鍍源
38、39、46、47、140‧‧‧蒸鍍源
44‧‧‧濺鍍源、第一濺鍍源、銦源
45‧‧‧濺鍍源、第二濺鍍源、銅源
46‧‧‧硒源
47‧‧‧鎵源
110‧‧‧旋轉鼓
115‧‧‧加熱器裝置
117‧‧‧加熱器
122‧‧‧表面、蒸鍍源材料
135‧‧‧濺鍍源、第一濺鍍源、第二濺鍍源
137‧‧‧濺鍍靶材
152‧‧‧隔離幫浦、真空幫浦
155‧‧‧緩衝次室
160‧‧‧監視裝置
170‧‧‧隔離擋板
182‧‧‧裝載室
184‧‧‧卸載室
第1圖係顯示根據本發明之實施例之一太陽能電池成型裝置之俯視示意圖； 第2A-2E圖係顯示根據本發明之實施例之被使用於成型一吸收物層之各種前驅物層化合物結合之示意圖；第3圖係顯示根據本發明之實施例之一太陽能電池成型裝置之簡化俯視示意圖；第4圖係顯示根據本發明之實施例之另一太陽能電池成型裝置之俯視示意圖；第5圖係顯示根據本發明之實施例之被使用於成型一吸收物層之一前驅物層化合物結合之示意圖；第6圖係顯示根據本發明之實施例之成型一太陽能電池吸收物層於一底材上之一方法之流程圖；第7圖係顯示根據本發明之實施例之成型一太陽能電池吸收物層於一底材上之另一方法之流程圖；以及第8圖係顯示根據本發明之實施例之成型一太陽能電池之一方法之流程圖。
茲配合圖式說明本發明之較佳實施例。
有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之一較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。以下實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。
用於製造薄膜太陽能電池或薄膜太陽能電池之吸收物層之改良的裝置及製程是被提供的。藉由結合蒸鍍及濺鍍製程至製造薄膜太陽能電池之一裝置及/或方法之中，吸收物 層原子之一改良之混合可以被獲得。提升或加速原子擴散之技術係降低了製造時間、成本以及資源。原子或原子擴散是一種製程，其中，在一固體中之原子的任意熱致動移動會導致原子從較高濃度之一區域至較低濃度之一區域的淨傳送。
第1圖係顯示根據本發明之實施例之一太陽能電池成型裝置100之俯視示意圖。太陽能電池成型裝置100包括有界定一真空室之一殼體105。在各種實施例之中，殼體105可以被成型為一多邊形。舉例來說，殼體105可以是八邊形的。在各種實施例之中，殼體105具有一或多個可移除之門。在此，可移除之門是被建置於真空室之一或多個側邊之上。殼體105可以是由不鏽鋼或其他金屬及合金所構成。舉例來說，殼體105能夠界定一單一真空室，其具有大約2.4公尺之高度以及大約9.8公尺之長度與寬度。
在一些實施例之中，太陽能電池成型裝置100包括有一可旋轉底材裝置120。可旋轉底材裝置120係用於固持複數個底材130於複數個表面122之上，其中，每一個表面122係被設置面對真空室之一內部表面。在一些實施例之中，每一個底材130具有一適當之材料，例如，玻璃。在其他實施例之中，複數個底材130之一或多個具有一彈性材料。在一些實施例之中，彈性材料包括有不鏽鋼。在其他實施例之中，彈性材料包括有塑膠。在各種實施例之中，可旋轉底材裝置120是被成型成一多邊形。舉例來說，複數個底材130是被固持於在一實質上八邊形之可旋轉底材裝置120中之複數個表面122之上。在其他實施例之中，可旋轉底材裝置120可以是矩形的。然而，任 何適當之形狀能夠被使用於可旋轉底材裝置120。
如第1圖所示，可旋轉底材裝置120是繞著真空室中之一軸心旋轉。第1圖係顯示可旋轉底材裝置120之一順時針旋轉方向。在一些實施例之中，可旋轉底材裝置120係旋轉於一逆時針旋轉方向之中。在各種實施例之中，可旋轉底材裝置120是連接於一驅動軸、一馬達或其他機構。在一些實施例之中，可旋轉底材裝置120是以大約5至100RPM之速度旋轉。在各種實施例之中，可旋轉底材裝置120之一轉速是被選擇去使在複數個底材130上之吸收成分之過多沉積最小化。在一些實施例之中，可旋轉底材裝置120是以大約80RPM之速度旋轉。在一些實施例之中，太陽能電池成型裝置100包括有一旋轉鼓110。旋轉鼓110是被設置於真空室之內，並且旋轉鼓110是連接於真空室之一第一表面。如第1圖所示，旋轉鼓110能夠是被設置於真空室之內。此外，旋轉鼓110是連接於可旋轉底材裝置120。如第1圖所示，旋轉鼓110具有一形狀實質上配合於可旋轉底材裝置120之形狀。然而，旋轉鼓110亦可以具有任何適當之形狀。
在各種實施例之中，太陽能電池成型裝置100包括有一第一濺鍍源135。第一濺鍍源135係用於沉積一第一型式之複數個吸收物層原子於複數個底材130之一表面之至少一部分之上。在所示之實施例之中，第一濺鍍源135能夠是被設置於位在可旋轉底材裝置120與殼體105間之一真空室之內。第一濺鍍源135能夠是連接於真空室之一表面。舉例來說，第一濺鍍源135能夠是一磁電管、一離子束源、一RF產生器等，以沉積 一第一型式之複數個吸收物層原子於複數個底材130之一表面之至少一部分之上。在一些實施例之中，第一濺鍍源135具有至少一個濺鍍靶材137。第一濺鍍源135能夠使用一濺鍍氣體。在一些實施例之中，濺鍍是以一氬氣來被執行。其他可能之濺鍍氣體括有氪氣、氙氣、氖氣和類似的惰性氣體。
如第1圖所示，太陽能電池成型裝置100能夠包括有一第一濺鍍源135以及一第二濺鍍源135。第一濺鍍源135是被設置於真空室之內，並且係用於沉積一第一型式之複數個吸收物層原子於複數個底材130之一表面之至少一部分之上。第二濺鍍源135是被設置於真空室之內，並且是相對於第一濺鍍源135。第二濺鍍源135係用於沉積一第二型式之複數個吸收物層原子於複數個底材130之一表面之至少一部分之上。在其他實施例之中，第一濺鍍源135以及第二濺鍍源135是被設置鄰接於彼此，於真空室之內。在一些實施例之中，第一濺鍍源135以及第二濺鍍源135能夠具有至少一個濺鍍靶材137。
在各種實施例之中，一第一濺鍍源135係用於沉積一第一型式(例如，銅)之複數個吸收物層原子於複數個底材130之一表面之至少一部分之上。一第二濺鍍源135係用於沉積一第二型式(例如，銦)之複數個吸收物層原子於複數個底材130之一表面之至少一部分之上。在一些實施例之中，第一濺鍍源135係用於沉積一第一型式(例如，銅)及一第三型式(例如，鎵)之複數個吸收物層原子於複數個底材130之一表面之至少一部分之上。在一些實施例之中，一第一濺鍍源135具有一或多個銅-鎵濺鍍靶材137，以及一第二濺鍍源135具有一或多個銦濺 鍍靶材137。舉例來說，一第一濺鍍源135能夠具有兩個銅-鎵濺鍍靶材137，以及一第二濺鍍源135能夠具有兩個銦濺鍍靶材137。在一些實施例之中，一銅-鎵濺鍍靶材137包括有大約70%-80%銅與大約20%-30%鎵之一材料。在各種實施例之中，太陽能電池成型裝置100包括有一第一銅-鎵濺鍍靶材137於一第一銅：鎵濃度以及一第二銅-鎵濺鍍靶材137於一第二銅：鎵濃度，用於等級組成濺鍍。舉例來說，一第一銅-鎵濺鍍靶材能夠具有65%銅與35%鎵之一材料，以控制單層沉積至一第一梯度鎵濃度，以及一第二銅-鎵濺鍍靶材能夠具有85%銅與15%鎵之一材料，以控制單層沉積至一第二梯度鎵濃度。複數個濺鍍靶材137能夠是任何適當之尺寸。舉例來說，複數個濺鍍靶材137能夠是大約15公分寬的與大約1.9公尺高的。
在一些實施例之中，用於沉積銦之複數個吸收物層原子於複數個底材130之表面之至少一部分上之一濺鍍源135能夠以鈉被摻雜。舉例來說，一濺鍍源135之一銦濺鍍靶材137能夠以鈉元素被摻雜。以鈉摻雜一銦濺鍍靶材137可以使沉積一鹼矽酸鹽層於太陽能電池中之需求最小化。在一些實施例之中，一濺鍍源135係為一摻雜鈉之銅源，其具有大約2%與10%之間的鈉。在各種實施例之中，一銦濺鍍源135能夠以其他鹼性元素所摻雜，例如，鉀。在其他實施例之中，太陽能電池成型裝置100能夠包括有多個銅-鎵濺鍍源135以及多個鈉摻雜銦濺鍍源135。舉例來說，太陽能電池成型裝置100能夠具有一65：35銅-鎵濺鍍源135以及一85：15銅-鎵濺鍍源135，用於等級組成濺鍍。
在各種實施例之中，太陽能電池成型裝置100包括有一蒸鍍源140。蒸鍍源140係用於沉積一第四型式之複數個吸收物層原子於複數個底材130之一表面之至少一部分之上。在各種實施例之中，第四型式係為非毒性元素硒。第四型式能夠具有任何適當之蒸鍍源材料。在一些實施例之中，蒸鍍源140係用於產生第四型式之一蒸鍍源材料之蒸氣。在各種實施例之中，蒸氣能夠凝結於一或多個底材130之上。舉例來說，蒸鍍源140能夠是一蒸發舟、坩堝、燈絲線圈、電子束蒸鍍源等。在一些實施例之中，蒸鍍源140是被設置於真空室110之一第一次室之中。在各種實施例之中，第四型式蒸鍍源材料之蒸氣能夠利用一離子化放電器被離子化，在凝結於底材之上前。在所示之實施例之中，一第一及第二濺鍍源135是被設置於真空室之相對側邊之上，並且是實質上等距於蒸鍍源140。
在各種實施例之中，太陽能電池成型裝置100包括有一第一隔離源，例如，一隔離幫浦152。隔離幫浦152係用於隔離一蒸鍍源140於一第一濺鍍源135。舉例來說，隔離幫浦152能夠具有一真空幫浦。第一隔離源能夠防止來自於蒸鍍源140之第四型式材料免於污染第一濺鍍源135。在其他實施例之中，太陽能電池成型裝置100包括有複數個隔離幫浦152。在各種實施例之中，隔離源能夠具有一隔離幫浦152與一隔離次室(未顯示)之結合。
在一些實施例之中，第一隔離幫浦能夠具有一真空幫浦152。真空幫浦152是被設置於真空室之一第一次室之內，以維持在第一次室中之壓力低於在第一次室外之真空室中 之壓力。舉例來說，第一隔離幫浦152能夠被設置於圍住蒸鍍源140之真空室之一第一次室之內，以維持在第一次室中之壓力低於在第一次室外之真空室中之壓力以及隔離蒸鍍源140於第一濺鍍源。在各種實施例之中，隔離源152能夠是一撤空源152(例如，一真空幫浦152)，以用於撤空來自於真空室之原子，以防止一濺鍍源135之污染。舉例來說，隔離源152能夠是被設置於真空室之一第一次室內之一真空幫浦152，並且隔離源152能夠是用於撤空蒸鍍源材料原子，以防止一濺鍍源135之污染。在各種實施例之中，隔離源152能夠是沿著真空室之一周圍表面之一真空幫浦，並且隔離源152能夠是用於撤空來自於真空室之原子(例如，蒸鍍源材料原子)，以防止一濺鍍源135之污染。
在具有複數個濺鍍源135及/或複數個蒸鍍源140之實施例之中，太陽能電池成型裝置100能夠包括有複數個隔離源去隔離每一個蒸鍍源於每一個濺鍍源135。舉例來說，在具有第一及第二濺鍍源135設置於一真空室之相對側邊上以及一蒸鍍源設置於真空室之一周緣表面之實施例之中，太陽能電池成型裝置100能夠包括有設置於濺鍍源135與蒸鍍源140間之一第一隔離幫浦152以及設置於濺鍍源135與蒸鍍源140間之一第二隔離幫浦152。在所示之實施例之中，太陽能電池成型裝置100能夠包括有設置於蒸鍍源140與兩濺鍍源135之一之間的一隔離幫浦152。
太陽能電池成型裝置100能夠包括有一或多個加熱器117去加熱設置於可旋轉底材裝置120之複數個表面122上 之複數個底材130。在所示之實施例之中，複數個加熱器是被設置於一加熱器裝置115之中，以加熱複數個底材130。如第1圖所示，加熱器裝置115能夠包括有實質上配合於底材裝置之一形狀。在所示之實施例之中，複數個加熱器117是被顯示定位於一實質上八邊形之形狀配置，在一加熱器裝置115之內。然而，加熱器裝置115能夠包括有任何適當之形狀。在各種實施例之中，加熱器裝置115是被設置去維持一實質上均勻之距離對於可旋轉底材裝置120之周緣。在所示之實施例之中，加熱器裝置115是被設置於可旋轉底材裝置120之一內部表面處。在一些實施例之中，加熱器裝置115是被設置於一旋轉鼓110之一內部表面處。加熱器裝置115之一電源能夠延伸通過旋轉鼓110之一表面。在各種實施例之中，可旋轉底材裝置120是繞著加熱器裝置115轉動。在一些實施例之中，加熱器裝置115是被設置於一旋轉鼓110之一外部表面處。在一些實施例之中，加熱器裝置115能夠是連接於真空室之一表面。加熱器裝置115能夠是可旋轉的。在其他實施例之中，加熱器裝置115是不可旋轉的。此一或多個加熱器117能夠包括有紅外線加熱器、鹵素燈泡加熱器、電阻式加熱器，但不以此為限，以在一沉積製程中加熱一底材130。在一些實施例之中，加熱器裝置115能夠加熱一底材至大約攝氏300度與攝氏550度之間。
如第1圖所示，太陽能電池成型裝置100能夠包括有一隔離擋板170。隔離擋板170是設置於蒸鍍源140處。隔離擋板170能夠導引一蒸鍍源材料之一蒸氣至複數個底材130之一表面之一特殊部分處。隔離擋板170能夠導引一蒸鍍源材料 之一蒸氣遠離於濺鍍源135。除了一或多個隔離源，太陽能電池成型裝置100能夠選擇性地包括有一隔離擋板170，以使一或多個濺鍍源135之蒸鍍源材料122之污染最小化。隔離擋板170能夠是由不鏽鋼或其他類似之金屬及金屬合金所構成。在一些實施例之中，隔離擋板170係為可拋棄式的。在其他實施例之中，隔離擋板170係為可清洗的。在其他實施例之中，無隔離擋板是被使用的。
在一些實施例之中，太陽能電池成型裝置100能夠包括有一或多個監視裝置160去監視製程參數(例如，溫度、室壓、薄膜厚度等。在各種實施例之中，太陽能電池成型裝置100能夠包括有一裝載室182及/或一卸載室184。在一些實施例之中，太陽能電池成型裝置100能夠包括有一緩衝次室155(例如，一緩衝層沉積次室)。在一些實施例之中，一緩衝層沉積次室155具有一濺鍍源(未顯示)，其具有一或多個濺鍍靶材(未顯示)。在各種實施例之中，太陽能電池成型裝置100包括有一濺鍍源(未顯示)，其乃是被設置於真空室之一次室之中以及是被用於沉積一緩衝層於複數個底材130之一表面之上。在各種實施例之中，太陽能電池成型裝置100包括有一隔離源去隔離緩衝層濺鍍源於一蒸鍍源及/或一吸收物單層濺鍍源。舉例來說，緩衝層能夠包括有非毒性之ZnS-O或CdS。
本發明並不局限於以上所述之太陽能電池成型裝置100。本實施例在此一般係涵蓋依序沉積前驅物層，藉由一交織方法，其係能被進行於室溫或低溫處。因此，在一些實施例之中，堆疊之層能夠被回火於高溫，以製造之黃銅礦相成型。
第2A-2E圖係顯示各種層結合或堆疊20A-20B之示意圖。這些層之每一個能夠被濺鍍、蒸發或沉積於底材之上，以形成前驅物。在第2A-2E圖之各種層結合之中，層21包括有In-Se或In-Ga-Se或Ga-Se，層22包括有Cu-In-Ga-Se或Cu-Ga-Se或Cu-Se或Cu-In-Se，層23包括有Cu-In-Ga-Se或Cu-Ga-Se或In-Se或Ga-Se或In-Ga-Se，以及層24包括有Se，其係為一選擇性之層。
層22是被已知為一富含銅之層，以及層23是被已知為一含少量銅之層，由於它們關聯於被指涉為銅鎵銦或CGI比例之一周緣。CGI比例是被定義為下列之Cu莫爾/(Ga莫爾+In莫爾)之比例。當CGI≧1時，層是被視為富含銅，其將會有利於CuSe相出現。當CGI<0.7時，層是被視為含少量銅。典型地，一良好之CIGS吸收物層係擁有大約0.85-0.95之一CIG比例。因此，富含銅及含少量銅層之結合是被使用去獲得一理想之最後CIG比例對於吸收物層。
如上所述，被顯示於第2A-2E圖中之層的變化包括有至少一富含銅層22以及一含少量銅層23。在第2A圖之中，堆疊20A包括有一下層21。下層21具有In-Se或In-Ga-Se或Ga-Se結合於一富含銅層22以及一含少量銅層23。在第2B圖之中，堆疊20B只具有一富含銅層22以及一含少量銅層23。第2C圖之堆疊20C包括有一下層，其具有一富含銅層22、一含少量銅層23及另一富含銅層22。第2D圖之堆疊20D包括有一富含銅層22、一含少量銅層23及另一富含銅層22。第2E圖之堆疊20E包括有一富含銅層22、一含少量銅層23、另一富含銅層22及一選擇性 之硒層24。
第3圖係顯示根據本發明之實施例之一太陽能電池成型裝置30之簡化俯視示意圖。太陽能電池成型裝置30包括有界定一真空室之一殼體31。在各種實施例之中，殼體31可以被成型為一圓形鼓或一多邊形，如第1圖之敘述一般。殼體31能夠是由不鏽鋼或其他金屬與合金所構成。太陽能電池成型裝置30更包括有一可旋轉底材裝置32。可旋轉底材裝置32係用以固持複數個底材33於複數個表面之上。在一些實施例之中，每一個底材33包括有一適當之材料，例如，玻璃。在其他實施例之中，一或多個底材33包括有一彈性材料，例如，金箔。在一些實施例之中，彈性材料包括有不鏽鋼。在其他實施例之中，彈性材料包括有聚亞醯胺。任何適當之形狀能夠被使用於可旋轉底材裝置32。在一些實施例之中，太陽能電池成型裝置30能夠是一複合系統，其包括有濺鍍源及/或蒸鍍源。
在各種實施例之中，太陽能電池成型裝置30包括有兩個或更多個濺鍍源34-37。濺鍍源34-37係用以沉積複數個吸收物層原子於複數個底材33之一表面之至少一部分之上。一第一濺鍍源34能夠被設置做為介於可旋轉底材裝置32與殼體31間之一真空室的部分。第一濺鍍源34能夠連接於真空室之一表面。舉例來說，第一濺鍍源34能夠是一磁電管、一離子束源、一RF產生器等，以沉積一第一型式之複數個吸收物層原子於複數個底材33之一表面之至少一部分之上。第一濺鍍源34能夠使用一濺鍍氣體。在一些實施例之中，濺鍍是以一氬氣來被執行。其他可能之濺鍍氣體括有氪氣、氙氣、氖氣和類似的惰性 氣體。
在各種實施例之中，第一濺鍍源34係用於沉積一第一型式(例如，銅-鎵)之複數個吸收物層原子。在各種實施例之中，一第二濺鍍源35以及一第三濺鍍源36係用於沉積一第二型式(例如，銦)之複數個吸收物層原子於複數個底材33之一表面之至少一部分之上，以及一第四濺鍍源37係用於沉積一第三型式(例如，銅)之複數個吸收物層原子於複數個底材33之一表面之至少一部分之上。
在各種實施例之中，太陽能電池成型裝置30包括有一或多個蒸鍍源38及39。蒸鍍源38及39係用於沉積複數個吸收物層原子於複數個底材33之一表面之至少一部分之上。在各種實施例之中，蒸鍍源38係為一非毒性元素硒。在一些實施例之中，蒸鍍源39能夠提供鎵。在一些實施例之中，蒸鍍源38或39係用於產生一蒸鍍源材料之蒸氣，其能夠凝結於一或多個底材33之上。舉例來說，蒸鍍源38或39能夠是一蒸發舟、坩堝、燈絲線圈、電子束蒸鍍源等。在各種實施例之中，蒸鍍源材料之蒸氣能夠利用一離子化放電器被離子化，在凝結於底材之上前。在一些實施例之中，濺鍍源及蒸鍍源之結合以及沉積材料一般係能夠配合以第2A-2E圖所述之層的結合。
太陽能電池成型裝置30係執行步驟於前驅物沉積之中。在前驅物沉積之後，底材係持續一回火製程，其能夠包含任何之熱製程。如此之熱製程能夠包括有爐回火、快速熱回火或爐回火與快速熱回火之結合。在一些實施例之中，用於回火之空氣包括有一真空與N2、H2、Ar、H2Se、H2S、Se、S。
第4圖係顯示根據本發明之實施例之另一太陽能電池成型裝置40之俯視示意圖。太陽能電池成型裝置40包括有界定一真空室之一殼體41。太陽能電池成型裝置40更包括有一可旋轉底材裝置42。可旋轉底材裝置42係用以固持複數個底材43於複數個表面之上。
在各種實施例之中，太陽能電池成型裝置40包括有兩個或更多個濺鍍源44-45。濺鍍源44-45係用以沉積複數個吸收物層原子於複數個底材43之一表面之至少一部分之上。一第一濺鍍源44能夠被設置做為介於可旋轉底材裝置42與殼體41間之一真空室的部分。在各種實施例之中，第一濺鍍源44係用於沉積一第一型式(例如，銦)之複數個吸收物層原子。在各種實施例之中，一第二濺鍍源45係用於沉積一第二型式(例如，銅)之複數個吸收物層原子於複數個底材43之一表面之至少一部分之上。
在各種實施例之中，太陽能電池成型裝置40包括有一或多個蒸鍍源46及47。蒸鍍源46及47係用於沉積複數個吸收物層原子於複數個底材43之一表面之至少一部分之上。在各種實施例之中，蒸鍍源46係為一非毒性元素硒。在一些實施例之中，蒸鍍源47能夠提供鎵。在一些實施例之中，蒸鍍源46或47係用於產生一蒸鍍源材料之蒸氣，其能夠凝結於一或多個底材43之上。舉例來說，蒸鍍源46或47能夠是一蒸發舟、坩堝、燈絲線圈、電子束蒸鍍源等。在各種實施例之中，蒸鍍源材料之蒸氣能夠利用一離子化放電器被離子化，在凝結於底材之上前。濺鍍源及蒸鍍源之結合以及沉積材料一般係能夠配合以第 5圖所述之層的結合。
第5圖之堆疊50包括有一富含銅層22。富含銅層22是被堆疊於一層21之上。層21具有In-Se或In-Ga-Se或Ga-Se。值得注意的是，此種配置不包括有一富含銅層及一含少量銅層。在一實施例之中，層21能夠包括有In-Ga-Se於一下層21、Cu-Se於層22以及In-Ga-Se於一上層21。
第6圖係顯示根據本發明之實施例之成型一太陽能電池吸收物層於一底材上之一方法60之流程圖。
在步驟61以及參閱第4圖，銦源44、鎵源47及硒源46是被打開。步驟61是對應於第5圖之下層21之提供。
在步驟62，銦源44及鎵源47是被關掉，以及銅源45是被打開，而硒源46是保持打開的。步驟62是對應於富含銅層22之提供。
在步驟63，銅源45是被關掉，以及銦源44及鎵源47是被打開，而硒源46是繼續保持打開的。步驟63是對應於上層21。
在步驟64，前驅物沉積製程是藉由關掉銦源44、鎵源47及硒源46而被完成。
在步驟65，前驅物製程是由回火所追隨進行。
請參閱第7圖，成型一太陽能電池之一方法70包括有步驟71，其係沉積複數個底材於一底材裝置之複數個表面之上。底材裝置是旋轉於一真空室之內。底材裝置能夠透過一前驅物層沉積製程攜載複數個底材。
在步驟72，底材裝置是被旋轉。
在步驟73，方法70係藉由沉積至少一第一層及一第二層執行一前驅物層於複數個底材之表面之上，其中，第一層及第二層皆具有至少複數個硒原子以及每一個層包括有銅、銦或鎵之不同結合。層之各種結合是被顯示於第2A-2E圖及第5圖之中。
在步驟74，前驅物層是藉由反應複數個銅、鎵、銦及硒原子而被成型。根據一些實施例，硒原子係存在於每一個被沉積層之中，以及每一個層包括有銅、鎵或銦之一些結合。
在步驟75，吸收物層是藉由回火前驅物層而被成型。
請參閱第8圖，製造一太陽能電池之一流程圖之一範例是被顯示。
在步驟81，一玻璃底材是被提供與清洗。
在步驟82，一背接觸層是藉由濺鍍鉬而被成型於底材之上。
在步驟83，P1線之刻畫是被執行。
在步驟84，一吸收物層是使用連續交織而被成型於背接觸層之上。依序交織係交織銅、鎵、銦及硒之結合之層於多個結合之中。如上所述，這些結合包括有硒於每一層之中。
在一些實施例之中，步驟84能夠提供銅、鎵、銦及硒之共蒸鍍。在其他實施例之中，步驟84能夠提供Cu、In、CuGa及CuInGa之濺鍍。在其他實施例之中，步驟84能夠提供Cu、In、CuGa及CuInGa+Se之蒸鍍。
在步驟85，方法係藉由硫化鎘或硫化鋅化學浴沉 積所繼續，以形成一緩衝層。
在步驟85之後，在步驟86之P2刻畫能夠被執行。
在步驟87，TCO是被沉積。
在步驟88，P3刻畫是被執行。
在步驟89，適當之邊緣刪除是被執行。
在步驟90，匯流排是結合於底材。
在步驟91，轉移或分層步驟係發生於一太陽能電池組件部分之一抽出部分之分離是被分離處以及然後被黏著於另一個底材。
在步驟92，太陽能電池能夠使用一I-V測試而被測試。
調整一濺鍍源(例如，第3圖之濺鍍源34-37)之一電源能夠控制一濺鍍速率以及被濺鍍銅、銅-鎵及/或銦原子被沉積於底材33上之一濃度。同樣地，調整一蒸鍍源38或39之一電源係能夠控制一蒸鍍速率以及沉積於底材33上之被蒸鍍硒原子或鎵原子之一濃度。可旋轉底材裝置32之旋轉速度及/或方向亦能夠影響被濺鍍銅、銅-鎵及/或銦原子之速率及數量以及沉積於底材33上之被蒸鍍硒或鎵原子之數量。如上所述，選擇銅-鎵濃度於一或多個濺鍍源(例如，34-37)或蒸鍍源(39)之一或多個銅-鎵濺鍍靶材係能夠控制被濺鍍銅及鎵原子之濃度至一所需梯度濃度。在各種實施例之中，每一個濺鍍源及每一個蒸鍍源之一或多個電源、每一個濺鍍源之濺鍍速率以及每一個蒸鍍源之蒸鍍速率是被控制去形成一前驅物層之一預定組成。在各種實施例之中，被成型之前驅物層包括有20%至24%銅、4% 至14%鎵、10%至24%銦以及49%至53%硒之組成。在一些實施例之中，組成是23%銅、9%鎵、17%銦以及51%硒。其他變化之濃度亦是適當的，只要所導致之CIG比例程度保持於0.85與0.95之範圍之內以及每一個層包括有硒即可。
在各種實施例之中，在此使用前驅物層之反應係導致較佳的均勻度以及一更為一致與所需能帶隙於吸收物層之中。在此所敘述之成型前驅物層之依序交織方法係導致一更為精確及改善之製程，以達成一所需前驅層組成。在一些實施例之中，離子化複數個第二吸收成分(例如，硒)能夠增加反應速率。
如第1圖至第8圖所示，各種改良之CIGS薄膜已被敘述。
雖然本發明已以較佳實施例揭露於上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧太陽能電池成型裝置
105‧‧‧殼體
110‧‧‧旋轉鼓
115‧‧‧加熱器裝置
117‧‧‧加熱器
120‧‧‧可旋轉底材裝置
122‧‧‧表面、蒸鍍源材料
130‧‧‧底材
135‧‧‧濺鍍源、第一濺鍍源、第二濺鍍源
137‧‧‧濺鍍靶材
140‧‧‧蒸鍍源
152‧‧‧隔離幫浦、真空幫浦
155‧‧‧緩衝次室
160‧‧‧監視裝置
170‧‧‧隔離擋板
182‧‧‧裝載室
184‧‧‧卸載室

Claims (10)

  1. 一種成型太陽能電池之吸收物層之方法，包括：成型複數個前驅物層於一太陽能電池底材之一下電極之一表面之上，包括：利用一濺鍍源或一蒸鍍源沉積具有硒、銅及鎵或銦之至少一個之一第一層於該表面之至少一部分之上，其中，該第一層具有一第一銅濃度；沉積具有硒及銅、鎵或銦之至少一個之一第二層於該表面之該至少一部分之上，其中，該第二層具有一第二銅濃度，以及該第二銅濃度係小於該第一銅濃度；以及回火該等前驅物層以形成一吸收物層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之成型太陽能電池之吸收物層之方法，更包括：利用另一濺鍍源沉積一緩衝層於該吸收物層之上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之成型太陽能電池之吸收物層之方法，其中，沉積該第一層及該第二層之步驟包括：濺鍍銅-鎵、銦或銅之至少兩個以及蒸鍍鎵及硒。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之成型太陽能電池之吸收物層之方法，其中，沉積該第一層及該第二層之步驟包括：濺鍍銦及銅之至少兩個以及蒸鍍鎵及硒。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之成型太陽能電池之吸收物層之方法，其中，沉積該第一層及該第二層之步驟包括：提供來自於一銦源、一鎵源及一硒源之材料；提供來自於一銅源之材料；以及 提供來自於該銦源及該鎵源之材料。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之成型太陽能電池之吸收物層之方法，其中，該第一層具有至少1.0之一銅鎵銦比例以及該第二層具有低於0.7之一銅鎵銦比例，以使得該吸收物層具有一銅鎵銦比例係介於0.85與0.95之間。
  7. 一種成型太陽能電池之吸收物層之方法，包括：成型複數個前驅物層於一太陽能電池底材之一下電極之一表面之上，包括：利用一濺鍍源或一蒸鍍源沉積具有硒及鎵或銦之至少一個之一第一層於該表面之至少一部分之上；沉積具有硒、銅及鎵或銦之至少一個之一第二層於該表面之該至少一部分之上；沉積具有硒及鎵或銦之至少一個之一第三層於該表面之該至少一部分之上；以及回火該等前驅物層以形成一吸收物層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之成型太陽能電池之吸收物層之方法，其中，該第一層具有硒、鎵及銦，該第二層具有銅及硒，以及該該第三層具有硒、鎵及銦。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之成型太陽能電池之吸收物層之方法，其中，沉積該第一層及該第三層之步驟包括：濺鍍銦以及蒸鍍鎵及硒。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之成型太陽能電池之吸收物層之方法，其中，沉積該第二層之步驟包括：濺鍍銅以及蒸鍍硒。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105070784A (zh) * 2015-07-17 2015-11-18 邓杨 一种全新的低成本高效率cigs电池吸收层制备工艺
CN110323292A (zh) * 2019-05-06 2019-10-11 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层及其制备方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2249201A (en) * 1999-11-16 2001-05-30 Midwest Research Institute A novel processing approach towards the formation of thin-film Cu(In,Ga)Se2
JP2007123532A (ja) * 2005-10-27 2007-05-17 Honda Motor Co Ltd 太陽電池
US8252621B2 (en) * 2008-02-08 2012-08-28 Solopower, Inc. Method for forming copper indium gallium chalcogenide layer with optimized gallium content at its surface
CN101740660B (zh) * 2008-11-17 2011-08-17 北京华仁合创太阳能科技有限责任公司 铜铟镓硒太阳能电池、其吸收层薄膜及该薄膜的制备方法、设备
US20110030794A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Edward Teng Apparatus And Method For Depositing A CIGS Layer
CN101768729B (zh) * 2010-03-05 2012-10-31 中国科学院上海硅酸盐研究所 磁控溅射法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的方法

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