JP3053668B2 - 熱線遮断膜 - Google Patents
熱線遮断膜Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は耐久性、特に耐湿性や耐
酸性の優れた熱線遮断膜に関する。
酸性の優れた熱線遮断膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】基体表面に酸化物膜、Ａｇ膜、酸化物膜
を順に積層した３層からなる膜、または酸化物膜、Ａｇ
膜、酸化物膜、Ａｇ膜、酸化物膜を順次積層した５層か
らなる膜等の（２ｎ＋１）層（ｎ≧１）からなる膜は、
Ｌｏｗ−Ｅ（Ｌｏｗ−Ｅｍｉｓｓｉｖｉｔｙ）膜と呼ば
れる熱線遮断膜であり、かかるＬｏｗ−Ｅ膜を形成した
ガラスは、Ｌｏｗ−Ｅガラスと呼ばれている。
を順に積層した３層からなる膜、または酸化物膜、Ａｇ
膜、酸化物膜、Ａｇ膜、酸化物膜を順次積層した５層か
らなる膜等の（２ｎ＋１）層（ｎ≧１）からなる膜は、
Ｌｏｗ−Ｅ（Ｌｏｗ−Ｅｍｉｓｓｉｖｉｔｙ）膜と呼ば
れる熱線遮断膜であり、かかるＬｏｗ−Ｅ膜を形成した
ガラスは、Ｌｏｗ−Ｅガラスと呼ばれている。
【０００３】これは、室内からの熱線を反射することに
より室内の温度低下を防止できる機能ガラスであり、暖
房負荷を軽減する目的でおもに寒冷地で用いられてい
る。また、太陽熱の熱線遮断効果も有するため、自動車
の窓ガラスにも採用されている。透明でありかつ導電性
を示すため、電磁遮蔽ガラスとしての用途もある。導電
性プリント等からなるバスバー等の通電加熱手段を設け
れば、通電加熱ガラスとして用いることができる。
より室内の温度低下を防止できる機能ガラスであり、暖
房負荷を軽減する目的でおもに寒冷地で用いられてい
る。また、太陽熱の熱線遮断効果も有するため、自動車
の窓ガラスにも採用されている。透明でありかつ導電性
を示すため、電磁遮蔽ガラスとしての用途もある。導電
性プリント等からなるバスバー等の通電加熱手段を設け
れば、通電加熱ガラスとして用いることができる。
【０００４】おもなＬｏｗ−Ｅガラスとしては、ＺｎＯ
／Ａｇ／ＺｎＯ／ガラスという膜構成を有するものが挙
げられる。しかし、このような膜では、耐擦傷性、化学
的安定性などの耐久性に欠けるため、単板で使うことが
できず、合わせガラスまたは複層ガラスにする必要があ
った。
／Ａｇ／ＺｎＯ／ガラスという膜構成を有するものが挙
げられる。しかし、このような膜では、耐擦傷性、化学
的安定性などの耐久性に欠けるため、単板で使うことが
できず、合わせガラスまたは複層ガラスにする必要があ
った。
【０００５】 特に耐湿性にも問題があり、空気中の湿度
や合わせガラスとする場合の中間膜に含まれる水分によ
り、白色斑点や白濁を生じる。また、ＺｎＯは耐酸性も
不十分であるため、空気中の酸性物質によって劣化する
不安があった。このようなことから、単板での保管やハ
ンドリングに注意を要していた。
や合わせガラスとする場合の中間膜に含まれる水分によ
り、白色斑点や白濁を生じる。また、ＺｎＯは耐酸性も
不十分であるため、空気中の酸性物質によって劣化する
不安があった。このようなことから、単板での保管やハ
ンドリングに注意を要していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術が有していた上記の欠点を解決し、耐久性、特に耐
湿性や耐酸性の優れた熱線遮断膜を提供しようとするも
のである。
技術が有していた上記の欠点を解決し、耐久性、特に耐
湿性や耐酸性の優れた熱線遮断膜を提供しようとするも
のである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決すべくなされたものであり、基体上に酸化物膜、金
属膜、酸化物膜、と交互に積層された（２ｎ＋１）層
（ｎ≧１）からなる熱線遮断膜において、基体から見
て、基体から最も離れた金属膜（Ａ）の反対側に形成さ
れた酸化物膜（Ｂ）は、酸化亜鉛を主成分とする膜を少
なくとも１層有する膜であり、酸化亜鉛の結晶系が六方
晶であり、該熱線遮断膜のＣｕＫα線を用いたＸ線回折
法による六方晶酸化亜鉛の（００２）回折線の回折角２
θ（重心位置）の値が３３．８８°以上３５．００°以
下であることを特徴とする熱線遮断膜を提供する。
解決すべくなされたものであり、基体上に酸化物膜、金
属膜、酸化物膜、と交互に積層された（２ｎ＋１）層
（ｎ≧１）からなる熱線遮断膜において、基体から見
て、基体から最も離れた金属膜（Ａ）の反対側に形成さ
れた酸化物膜（Ｂ）は、酸化亜鉛を主成分とする膜を少
なくとも１層有する膜であり、酸化亜鉛の結晶系が六方
晶であり、該熱線遮断膜のＣｕＫα線を用いたＸ線回折
法による六方晶酸化亜鉛の（００２）回折線の回折角２
θ（重心位置）の値が３３．８８°以上３５．００°以
下であることを特徴とする熱線遮断膜を提供する。
【０００８】以下に酸化物膜（Ｂ）について説明する。
【０００９】上述のように、従来のＬｏｗ−Ｅガラス
（膜構成：ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ／ガラス）の場合、単
板で室内放置すると、空気中の湿気により白色斑点や白
濁を生じる。
（膜構成：ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ／ガラス）の場合、単
板で室内放置すると、空気中の湿気により白色斑点や白
濁を生じる。
【００１０】 白色斑点や白濁の存在する膜を走査型電子
顕微鏡（ＳＥＭ）で観察することにより、膜の表面にひ
びわれやしわの存在、及び膜の剥離の存在が確認され
た。
顕微鏡（ＳＥＭ）で観察することにより、膜の表面にひ
びわれやしわの存在、及び膜の剥離の存在が確認され
た。
【００１１】この膜の剥離部について、ＡｇおよびＺｎ
の各元素について元素分析を行ったところ、Ａｇは剥離
の有無にかかわらずほぼ一定量存在するのに対して、Ｚ
ｎは剥離部で検出量がほぼ半分になっていた。つまり、
剥離は最上層のＺｎＯ層とＡｇ層の界面で起きているこ
とがわかった。
の各元素について元素分析を行ったところ、Ａｇは剥離
の有無にかかわらずほぼ一定量存在するのに対して、Ｚ
ｎは剥離部で検出量がほぼ半分になっていた。つまり、
剥離は最上層のＺｎＯ層とＡｇ層の界面で起きているこ
とがわかった。
【００１２】次に、耐湿試験（５０℃、相対湿度９５％
雰囲気中、６日間放置）前後の試料をＣｕＫα線を用い
たＸ線回折法で調べた。六方晶酸化亜鉛の（００２）回
折線、立方晶Ａｇの（１１１）回折線について、回折角
２θ（ピークの重心位置）、結晶面間隔ｄ、積分幅Ｉ．
Ｗ．をそれぞれ表１に示す。
雰囲気中、６日間放置）前後の試料をＣｕＫα線を用い
たＸ線回折法で調べた。六方晶酸化亜鉛の（００２）回
折線、立方晶Ａｇの（１１１）回折線について、回折角
２θ（ピークの重心位置）、結晶面間隔ｄ、積分幅Ｉ．
Ｗ．をそれぞれ表１に示す。
【００１３】Ｘ線回折法におけるピークのずれの程度に
より内部応力による格子歪の程度を検出することができ
る。ＺｎＯ（ｂ）／Ａｇ／ＺｎＯ（ａ）／ガラスという
試料の場合、最上層のＺｎＯ（ｂ）によるピークが、Ｚ
ｎＯ（ａ）によるピークの５〜１５倍の強さで検出され
るため、試料全体におけるＸ線回折法のＺｎＯのピーク
は、若干ＺｎＯ（ａ）による影響があるかもしれない
が、ほとんど最上層の六方晶ＺｎＯ（ｂ）によるピーク
と考えてよい。
より内部応力による格子歪の程度を検出することができ
る。ＺｎＯ（ｂ）／Ａｇ／ＺｎＯ（ａ）／ガラスという
試料の場合、最上層のＺｎＯ（ｂ）によるピークが、Ｚ
ｎＯ（ａ）によるピークの５〜１５倍の強さで検出され
るため、試料全体におけるＸ線回折法のＺｎＯのピーク
は、若干ＺｎＯ（ａ）による影響があるかもしれない
が、ほとんど最上層の六方晶ＺｎＯ（ｂ）によるピーク
と考えてよい。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１より、耐湿試験前のＬｏｗ−Ｅ膜のＺ
ｎＯの（００２）回折線は、ＺｎＯ粉末の２θ＝３４．
４４°と比較するとかなり位置がずれている。これは、
結晶歪の存在を示唆している。この結晶歪は、膜の内部
応力によるものと考えられる。耐湿試験前サンプルで
は、結晶面間隔ｄ002 ＝２．６５０Åとなっており、Ｚ
ｎＯ粉末のｄ002 ＝２．６０２Åと比較すると１．８％
大きい。このことから、結晶がかなり大きな圧縮応力を
受けていることがわかる。耐湿試験後のサンプルでは、
ｄ002 ＝２．６４１Åとなっており、やや結晶歪が小さ
くなっている。これは、最上層の六方晶ＺｎＯの内部応
力が、ひび、しわ、剥離により一部緩和されたことと対
応している。
ｎＯの（００２）回折線は、ＺｎＯ粉末の２θ＝３４．
４４°と比較するとかなり位置がずれている。これは、
結晶歪の存在を示唆している。この結晶歪は、膜の内部
応力によるものと考えられる。耐湿試験前サンプルで
は、結晶面間隔ｄ002 ＝２．６５０Åとなっており、Ｚ
ｎＯ粉末のｄ002 ＝２．６０２Åと比較すると１．８％
大きい。このことから、結晶がかなり大きな圧縮応力を
受けていることがわかる。耐湿試験後のサンプルでは、
ｄ002 ＝２．６４１Åとなっており、やや結晶歪が小さ
くなっている。これは、最上層の六方晶ＺｎＯの内部応
力が、ひび、しわ、剥離により一部緩和されたことと対
応している。
【００１６】Ａｇの（１１１）回折線に関しては、耐湿
試験後の積分幅が小さくなっていることから、耐湿試験
を施すことにより、Ａｇが粒成長すると考えられる。
試験後の積分幅が小さくなっていることから、耐湿試験
を施すことにより、Ａｇが粒成長すると考えられる。
【００１７】つまり、白濁発生のメカニズムは、最上層
のＺｎＯ膜が内部応力に耐えきれず、Ａｇ膜との界面か
ら剥離、破損し、次に銀の劣化、即ち粒径が増大し、か
かる破損した表面および大きな銀粒子により光が散乱さ
れて白濁して見えるものと考えられる。表１の例では、
内部応力は圧縮応力であるが、内部応力には圧縮応力と
引張応力の２種類があり、いずれも膜破損の原因となる
と考えられる。以上のことから、湿気による白濁を抑え
るためには、最上層ＺｎＯ膜の内部応力低減が有効であ
ることを見出した。
のＺｎＯ膜が内部応力に耐えきれず、Ａｇ膜との界面か
ら剥離、破損し、次に銀の劣化、即ち粒径が増大し、か
かる破損した表面および大きな銀粒子により光が散乱さ
れて白濁して見えるものと考えられる。表１の例では、
内部応力は圧縮応力であるが、内部応力には圧縮応力と
引張応力の２種類があり、いずれも膜破損の原因となる
と考えられる。以上のことから、湿気による白濁を抑え
るためには、最上層ＺｎＯ膜の内部応力低減が有効であ
ることを見出した。
【００１８】図１に本発明の熱線遮断膜の代表例の断面
図を示す。図１（ａ）は、３層からなる熱線遮断膜の断
面図、図１（ｂ）は、（２ｎ＋１）層からなる熱線遮断
膜の断面図である。１は基体、２は酸化物膜、３は金属
膜、４は内部応力の低い酸化物膜（Ｂ）である。本発明
における基体１としては、ガラス板の他、プラスチック
等のフィルムや板も使用できる。
図を示す。図１（ａ）は、３層からなる熱線遮断膜の断
面図、図１（ｂ）は、（２ｎ＋１）層からなる熱線遮断
膜の断面図である。１は基体、２は酸化物膜、３は金属
膜、４は内部応力の低い酸化物膜（Ｂ）である。本発明
における基体１としては、ガラス板の他、プラスチック
等のフィルムや板も使用できる。
【００１９】酸化物膜（Ｂ）の内部応力は、成膜条件に
より大きく異なり、低内部応力の膜を成膜するときは、
成膜条件を精密に制御する必要がある。膜の内部応力を
低減化できる傾向を示す方法としては、成膜時（特にス
パッタリング法による場合）の成膜雰囲気の圧力（スパ
ッタ圧力）を高くする、成膜中に基板加熱を施す等、成
膜条件を変える方法や、成膜後に加熱処理を施す方法等
が挙げられる。それぞれの具体的な条件は、成膜装置に
応じて選べばよく特に限定されない。
より大きく異なり、低内部応力の膜を成膜するときは、
成膜条件を精密に制御する必要がある。膜の内部応力を
低減化できる傾向を示す方法としては、成膜時（特にス
パッタリング法による場合）の成膜雰囲気の圧力（スパ
ッタ圧力）を高くする、成膜中に基板加熱を施す等、成
膜条件を変える方法や、成膜後に加熱処理を施す方法等
が挙げられる。それぞれの具体的な条件は、成膜装置に
応じて選べばよく特に限定されない。
【００２０】酸化物膜（Ｂ）の膜材料としては、特に限
定されない。１層でもよいし、多層でもよい。例えば、
本発明の熱線遮断膜を内側にしてプラスチック中間膜を
介してもう１枚の基体と積層して合わせガラスとする場
合に、かかるプラスチック中間膜との接着力の調整、も
しくは、耐久性向上の目的で中間膜と接する層として、
１００Å以下の酸化物膜（例えば、酸化クロム膜）を形
成する場合があるが、このような膜を含めて２層以上の
構成とすることもできる。
定されない。１層でもよいし、多層でもよい。例えば、
本発明の熱線遮断膜を内側にしてプラスチック中間膜を
介してもう１枚の基体と積層して合わせガラスとする場
合に、かかるプラスチック中間膜との接着力の調整、も
しくは、耐久性向上の目的で中間膜と接する層として、
１００Å以下の酸化物膜（例えば、酸化クロム膜）を形
成する場合があるが、このような膜を含めて２層以上の
構成とすることもできる。
【００２１】酸化物膜（Ｂ）を構成する具体的な膜とし
ては、特に限定されない。例えば、ＺｎＯを主成分とす
る膜、ＳｎＯ2 を主成分とする膜、ＴｉＯ2 を主成分と
する膜、これらの２種以上を含む積層膜などが挙げられ
る。これらの膜に、酸化状態でＺｎ2+よりイオン半径の
小さい他の元素を添加すると、成膜条件によりかなりの
バラツキがあるが、その膜の内部応力を低減できる傾向
がある。
ては、特に限定されない。例えば、ＺｎＯを主成分とす
る膜、ＳｎＯ2 を主成分とする膜、ＴｉＯ2 を主成分と
する膜、これらの２種以上を含む積層膜などが挙げられ
る。これらの膜に、酸化状態でＺｎ2+よりイオン半径の
小さい他の元素を添加すると、成膜条件によりかなりの
バラツキがあるが、その膜の内部応力を低減できる傾向
がある。
【００２２】特に、酸化物膜（Ｂ）を構成するＺｎＯ膜
に関しては、上述のように、六方晶酸化亜鉛の内部応力
と、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折による回折角２θ（重
心位置）とがほぼ対応している。酸化亜鉛を主成分とす
る膜の結晶系は六方晶である。本発明の熱線遮断膜の耐
久性向上のためには、熱線遮断膜のＣｕＫα線を用いた
Ｘ線回折において、六方晶酸化亜鉛の（００２）回折線
の回折角２θ（重心位置）が３３．８８°から３５．０
０°までの間の値、特に、３４．００°から３４．８８
°までの値であることが好ましい。回折角２θが３４．
４４°以下の値は圧縮応力、３４．４４°以上の値は引
張応力、を示す。
に関しては、上述のように、六方晶酸化亜鉛の内部応力
と、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折による回折角２θ（重
心位置）とがほぼ対応している。酸化亜鉛を主成分とす
る膜の結晶系は六方晶である。本発明の熱線遮断膜の耐
久性向上のためには、熱線遮断膜のＣｕＫα線を用いた
Ｘ線回折において、六方晶酸化亜鉛の（００２）回折線
の回折角２θ（重心位置）が３３．８８°から３５．０
０°までの間の値、特に、３４．００°から３４．８８
°までの値であることが好ましい。回折角２θが３４．
４４°以下の値は圧縮応力、３４．４４°以上の値は引
張応力、を示す。
【００２３】ＺｎＯ膜に、酸化状態でＺｎ2+よりイオン
半径の小さい他の元素を添加（ドープ）する場合にも、
成膜条件により異なるが、内部応力を低減できる傾向が
あり、かかる元素としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｔｉ、Ｓ
ｎ、Ｍｇ、Ｃｒ等が挙げられる。したがってこれらのう
ちから少なくとも１種をドープしたＺｎＯを主成分とす
る膜も、ＺｎＯ膜と同様に使用できる。ドープ量は、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｒのうち少なくと
も１種を、Ｚｎとの合計量に対して、原子比で１０％以
上としても、内部応力低減効果は変わらないことが多い
ので、１０％以下程度で十分である。このような、他の
元素をドープしたＺｎＯ膜についても、六方晶酸化亜鉛
の（００２）回折線の回折角２θ（重心位置）に関し
て、ＺｎＯ膜と同様のことがいえる。
半径の小さい他の元素を添加（ドープ）する場合にも、
成膜条件により異なるが、内部応力を低減できる傾向が
あり、かかる元素としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｔｉ、Ｓ
ｎ、Ｍｇ、Ｃｒ等が挙げられる。したがってこれらのう
ちから少なくとも１種をドープしたＺｎＯを主成分とす
る膜も、ＺｎＯ膜と同様に使用できる。ドープ量は、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｒのうち少なくと
も１種を、Ｚｎとの合計量に対して、原子比で１０％以
上としても、内部応力低減効果は変わらないことが多い
ので、１０％以下程度で十分である。このような、他の
元素をドープしたＺｎＯ膜についても、六方晶酸化亜鉛
の（００２）回折線の回折角２θ（重心位置）に関し
て、ＺｎＯ膜と同様のことがいえる。
【００２４】酸化物膜（Ｂ）の膜厚は、特に限定されな
いが、熱線遮断膜全体の色調、可視光透過率を考慮する
と、２００〜７００Åが望ましい。
いが、熱線遮断膜全体の色調、可視光透過率を考慮する
と、２００〜７００Åが望ましい。
【００２５】酸化物膜（Ｂ）を酸素含有雰囲気中で反応
性スパッタリングにより成膜する場合は、金属膜（Ａ）
の酸化を防ぐために、まず金属膜（Ａ）上に酸素の少な
い雰囲気中で薄い金属膜もしくは酸化不充分な金属酸化
物膜を形成するのが望ましい。この薄い金属膜は、酸化
物膜（Ｂ）の成膜中に酸化されて酸化物膜となる。した
がって上述の酸化物膜（Ｂ）の好ましい膜厚は、かかる
薄い金属膜が酸化されてできた酸化物膜の膜厚も含んだ
膜厚である。本明細書において、金属膜３上に形成する
酸化物膜に関しても、同様である。
性スパッタリングにより成膜する場合は、金属膜（Ａ）
の酸化を防ぐために、まず金属膜（Ａ）上に酸素の少な
い雰囲気中で薄い金属膜もしくは酸化不充分な金属酸化
物膜を形成するのが望ましい。この薄い金属膜は、酸化
物膜（Ｂ）の成膜中に酸化されて酸化物膜となる。した
がって上述の酸化物膜（Ｂ）の好ましい膜厚は、かかる
薄い金属膜が酸化されてできた酸化物膜の膜厚も含んだ
膜厚である。本明細書において、金属膜３上に形成する
酸化物膜に関しても、同様である。
【００２６】酸化物膜（Ｂ）としては、高内部応力の膜
と低内部応力の膜を組み合わせて２層以上の構成とした
多層膜を用いることもできる。低内部応力の膜として
は、成膜条件によるが、比較的、７．０×１０9 ｄｙｎ
／ｃｍ2 以下の内部応力の低い膜が形成しやすい、Ｓｎ
Ｏ2 膜が挙げられる。具体的な例としては、ＺｎＯ／Ｓ
ｎＯ2 ／ＺｎＯや、ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／ＳｎＯ2 のよう
な３層系や、ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／Ｚ
ｎＯや、ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／ＳｎＯ
2 のような５層系、あるいは同様に交互に積層した７層
系、９層系など、ＺｎＯ膜と、ＳｎＯ2 膜を交互に積層
したものが挙げられる。酸化亜鉛１層の膜厚は２００Å
以下、好ましくは１８０Å以下とするのがよい。特に好
ましくは１００Å以下として上記５層系で構成するのが
望ましい。成膜時の生産性を考慮すると、各層の成膜速
度に比例した膜厚に調整して全体で４５０Å程度の上記
５層系の積層膜が好ましい。
と低内部応力の膜を組み合わせて２層以上の構成とした
多層膜を用いることもできる。低内部応力の膜として
は、成膜条件によるが、比較的、７．０×１０9 ｄｙｎ
／ｃｍ2 以下の内部応力の低い膜が形成しやすい、Ｓｎ
Ｏ2 膜が挙げられる。具体的な例としては、ＺｎＯ／Ｓ
ｎＯ2 ／ＺｎＯや、ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／ＳｎＯ2 のよう
な３層系や、ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／Ｚ
ｎＯや、ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／ＳｎＯ
2 のような５層系、あるいは同様に交互に積層した７層
系、９層系など、ＺｎＯ膜と、ＳｎＯ2 膜を交互に積層
したものが挙げられる。酸化亜鉛１層の膜厚は２００Å
以下、好ましくは１８０Å以下とするのがよい。特に好
ましくは１００Å以下として上記５層系で構成するのが
望ましい。成膜時の生産性を考慮すると、各層の成膜速
度に比例した膜厚に調整して全体で４５０Å程度の上記
５層系の積層膜が好ましい。
【００２７】この場合、これらの積層膜を有する酸化物
膜（Ｂ）全体の内部応力は、１．１×１０10ｄｙｎ／ｃ
ｍ2 以下であることが好ましい。
膜（Ｂ）全体の内部応力は、１．１×１０10ｄｙｎ／ｃ
ｍ2 以下であることが好ましい。
【００２８】このように、酸化物膜（Ｂ）として高内部
応力の膜と低内部応力の膜を組み合わせて２層以上の構
成とした多層膜を用いる場合、合計２００〜７００Åで
あることが好ましい。積層数及び１層の膜厚は、装置に
応じて選べばよく特に限定されない。また、各層の膜厚
がそれぞれ異なってもよい。
応力の膜と低内部応力の膜を組み合わせて２層以上の構
成とした多層膜を用いる場合、合計２００〜７００Åで
あることが好ましい。積層数及び１層の膜厚は、装置に
応じて選べばよく特に限定されない。また、各層の膜厚
がそれぞれ異なってもよい。
【００２９】酸化物膜（Ｂ）１層（４５０Å）の内部応
力、および、ガラス／ＺｎＯ（４５０Å）／Ａｇ（１０
０Å）の上に同様の酸化物膜（Ｂ）（４５０Å）をスパ
ッタリング法により形成した熱線遮断膜の六方晶酸化亜
鉛の（００２）回折線の回折角２θ（重心位置）と、か
かる熱線遮断膜の耐湿性の関係を表２に示す。
力、および、ガラス／ＺｎＯ（４５０Å）／Ａｇ（１０
０Å）の上に同様の酸化物膜（Ｂ）（４５０Å）をスパ
ッタリング法により形成した熱線遮断膜の六方晶酸化亜
鉛の（００２）回折線の回折角２θ（重心位置）と、か
かる熱線遮断膜の耐湿性の関係を表２に示す。
【００３０】
【表２】
【００３１】耐湿性は、５０℃、相対湿度９５％の雰囲
気中に６日間放置するという試験を行い、評価した。
気中に６日間放置するという試験を行い、評価した。
【００３２】 評価基準は、膜の端部付近に白濁がなく、
直径１ｍｍ以上の白色斑点が現れなければ○、膜の端部
付近に白濁がなく、直径１〜２ｍｍの白色斑点が現れた
ものを△、膜の端部付近に白濁が現れたものまたは直径
２ｍｍ以上の白色斑点が現れたものを×とした。
直径１ｍｍ以上の白色斑点が現れなければ○、膜の端部
付近に白濁がなく、直径１〜２ｍｍの白色斑点が現れた
ものを△、膜の端部付近に白濁が現れたものまたは直径
２ｍｍ以上の白色斑点が現れたものを×とした。
【００３３】 Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｒ
のドープ量は、すべて、Ｚｎとの総量に対して原子比で
４％である。
のドープ量は、すべて、Ｚｎとの総量に対して原子比で
４％である。
【００３４】 サンプル２は、サンプル１より、成膜時の
雰囲気の圧力を高くしたもの、サンプル３は、サンプル
１より、成膜時の基板温度を高くしたもの、サンプル４
は、成膜した後に加熱したものである。
雰囲気の圧力を高くしたもの、サンプル３は、サンプル
１より、成膜時の基板温度を高くしたもの、サンプル４
は、成膜した後に加熱したものである。
【００３５】 表２より、熱線遮断膜の耐湿性は、膜材料
や、単層、多層によらず、内部応力や、ＺｎＯの（００
２）回折線の回折角２θ（重心位置）によることがわか
る。
や、単層、多層によらず、内部応力や、ＺｎＯの（００
２）回折線の回折角２θ（重心位置）によることがわか
る。
【００３６】 酸化物膜（Ｂ）以外の酸化物膜２の材料
は、特に限定されない。ＺｎＯ、ＳｎＯ2 、ＴｉＯ2 、
これらの２種以上を含む積層膜、これらに他の元素を添
加した膜等が使用できるが、さらに、生産性を考慮する
と、ＺｎＯ膜、ＳｎＯ2 膜、ＺｎＯとＳｎＯ2 とを交互
に２層以上積層させた膜、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｔｉ、Ｓ
ｎ、Ｍｇ、Ｃｒのうち少なくとも一つをＺｎとの総量に
対し合計１０原子％以下添加したＺｎＯ膜が好ましい。
は、特に限定されない。ＺｎＯ、ＳｎＯ2 、ＴｉＯ2 、
これらの２種以上を含む積層膜、これらに他の元素を添
加した膜等が使用できるが、さらに、生産性を考慮する
と、ＺｎＯ膜、ＳｎＯ2 膜、ＺｎＯとＳｎＯ2 とを交互
に２層以上積層させた膜、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｔｉ、Ｓ
ｎ、Ｍｇ、Ｃｒのうち少なくとも一つをＺｎとの総量に
対し合計１０原子％以下添加したＺｎＯ膜が好ましい。
【００３７】色調、可視光透過率を考慮すると、酸化物
膜２は２００Å〜７００Åであることが望ましい。積層
膜の場合、合計２００Å〜７００Åであればよく、それ
ぞれの層の膜厚は限定されない。
膜２は２００Å〜７００Åであることが望ましい。積層
膜の場合、合計２００Å〜７００Åであればよく、それ
ぞれの層の膜厚は限定されない。
【００３８】 特に、酸化物膜、金属膜、酸化物膜、金属
膜、酸化物膜、という５層構成、あるいは５層以上の膜
構成の熱線遮断膜の場合、最外層の酸化物膜（Ｂ）以外
の酸化物膜２の内部応力は１．１×１０10ｄｙｎ／ｃｍ
2 以下であることが望ましい。
膜、酸化物膜、という５層構成、あるいは５層以上の膜
構成の熱線遮断膜の場合、最外層の酸化物膜（Ｂ）以外
の酸化物膜２の内部応力は１．１×１０10ｄｙｎ／ｃｍ
2 以下であることが望ましい。
【００３９】本発明における金属膜３としては、Ａｇ
膜、またはＡｕ、Ｃｕ、Ｐｄのうちの少なくとも一つを
含むＡｇを主成分とする膜などの、熱線遮断性能を有す
る膜が使用できる。金属膜３は、かかる熱線遮断性能を
有する金属膜の他に、各種の機能を有する金属層を有し
ていてもよい。例えば、熱線遮断性能を有する金属膜と
酸化物膜（Ｂ）や酸化物膜２との間の接着力を調整する
金属層や、熱線遮断性能を有する金属膜からの金属の拡
散防止機能を有する金属層等が挙げられる。
膜、またはＡｕ、Ｃｕ、Ｐｄのうちの少なくとも一つを
含むＡｇを主成分とする膜などの、熱線遮断性能を有す
る膜が使用できる。金属膜３は、かかる熱線遮断性能を
有する金属膜の他に、各種の機能を有する金属層を有し
ていてもよい。例えば、熱線遮断性能を有する金属膜と
酸化物膜（Ｂ）や酸化物膜２との間の接着力を調整する
金属層や、熱線遮断性能を有する金属膜からの金属の拡
散防止機能を有する金属層等が挙げられる。
【００４０】 これらの機能を有する金属層を構成する金
属の例としては、Ｚｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ
や、これらのうち２種以上の金属の合金等が挙げられ
る。
属の例としては、Ｚｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ
や、これらのうち２種以上の金属の合金等が挙げられ
る。
【００４１】これらの金属層を含む金属膜３全体の膜厚
としては、熱線遮断性能及び可視光透過率等とのかねあ
いを考慮して、５０Å〜１５０Å、特に１００Å程度が
適当である。
としては、熱線遮断性能及び可視光透過率等とのかねあ
いを考慮して、５０Å〜１５０Å、特に１００Å程度が
適当である。
【００４２】
【実施例】（実施例１） 直流スパッタリング法により、ガラス基板上に、Ａｒ：
Ｏ2 ＝２：８の６．５×１０-3Ｔｏｒｒの雰囲気中で、
ＡｌをＺｎとの総量に対してＡｌを３．０原子％含む金
属をターゲットとして、ＡｌドープＺｎＯ膜を４５０Å
形成し、次いで、Ａｒのみの６．５×１０-3Ｔｏｒｒの
雰囲気中で、Ａｇをターゲットとして、Ａｇ膜を１００
Å形成し、次いで雰囲気を変えずに、ＡｌをＺｎとの総
量に対して３．０原子％添加した金属をターゲットとし
て、２０Å程度のごく薄いＡｌドープＺｎ膜を形成し、
最後に、Ａｒ：Ｏ2 ＝２：８の６．５×１０-3Ｔｏｒｒ
の雰囲気中で、ＡｌをＺｎとの総量に対して３．０原子
％添加した金属をターゲットとして、上記Ａｇ膜上にＡ
ｌドープＺｎＯ膜を形成した。
Ｏ2 ＝２：８の６．５×１０-3Ｔｏｒｒの雰囲気中で、
ＡｌをＺｎとの総量に対してＡｌを３．０原子％含む金
属をターゲットとして、ＡｌドープＺｎＯ膜を４５０Å
形成し、次いで、Ａｒのみの６．５×１０-3Ｔｏｒｒの
雰囲気中で、Ａｇをターゲットとして、Ａｇ膜を１００
Å形成し、次いで雰囲気を変えずに、ＡｌをＺｎとの総
量に対して３．０原子％添加した金属をターゲットとし
て、２０Å程度のごく薄いＡｌドープＺｎ膜を形成し、
最後に、Ａｒ：Ｏ2 ＝２：８の６．５×１０-3Ｔｏｒｒ
の雰囲気中で、ＡｌをＺｎとの総量に対して３．０原子
％添加した金属をターゲットとして、上記Ａｇ膜上にＡ
ｌドープＺｎＯ膜を形成した。
【００４３】ＡｌドープＺｎＯ膜の成膜中に、Ａｌドー
プＺｎ膜が酸化雰囲気中で酸化されてＡｌドープＺｎＯ
膜となったので、Ａｇ膜上に形成されたＡｌドープＺｎ
Ｏ膜の総膜厚は、４５０Åであった。成膜中の基板温度
は室温、スパッタ電力密度は、ＡｌドープＺｎＯ膜の成
膜時には２．７Ｗ／ｃｍ2 、Ａｇ膜の成膜時には、０．
７Ｗ／ｃｍ2 であった。
プＺｎ膜が酸化雰囲気中で酸化されてＡｌドープＺｎＯ
膜となったので、Ａｇ膜上に形成されたＡｌドープＺｎ
Ｏ膜の総膜厚は、４５０Åであった。成膜中の基板温度
は室温、スパッタ電力密度は、ＡｌドープＺｎＯ膜の成
膜時には２．７Ｗ／ｃｍ2 、Ａｇ膜の成膜時には、０．
７Ｗ／ｃｍ2 であった。
【００４４】得られた熱線遮断膜をＸ線回折法で調べた
ところ、ＺｎＯの（００２）回折線の回折角２θ（重心
位置）は３４．１２°であった。同様の条件で作製した
ＡｌドープＺｎＯ膜１層（４５０Å）の内部応力は６．
２×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 であった。
ところ、ＺｎＯの（００２）回折線の回折角２θ（重心
位置）は３４．１２°であった。同様の条件で作製した
ＡｌドープＺｎＯ膜１層（４５０Å）の内部応力は６．
２×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 であった。
【００４５】上記熱線遮断膜について、５０℃、相対湿
度９５％の雰囲気中に６日間放置するという耐湿試験を
行った。耐湿試験後の外観は、ごく微小の斑点は見られ
たものの、目立った白色斑点及び白濁は観察されず良好
であった。耐湿試験後の膜表面のＳＥＭ写真において、
膜表面に、ひびわれ、しわ、剥離はほとんど観察されな
かった。
度９５％の雰囲気中に６日間放置するという耐湿試験を
行った。耐湿試験後の外観は、ごく微小の斑点は見られ
たものの、目立った白色斑点及び白濁は観察されず良好
であった。耐湿試験後の膜表面のＳＥＭ写真において、
膜表面に、ひびわれ、しわ、剥離はほとんど観察されな
かった。
【００４６】上記熱線遮断膜を形成したガラスを、膜を
内側にして、プラスチック中間膜を介してもう１枚のガ
ラス板と積層して合わせガラスとした。かかる合わせガ
ラスについても同様の耐湿試験を行った。耐湿試験１４
日目でも白濁や斑点は全く生じていなかった。
内側にして、プラスチック中間膜を介してもう１枚のガ
ラス板と積層して合わせガラスとした。かかる合わせガ
ラスについても同様の耐湿試験を行った。耐湿試験１４
日目でも白濁や斑点は全く生じていなかった。
【００４７】（実施例２） ＲＦ（高周波）スパッタリング法により、ガラス基板上
にＺｎＯ膜、Ａｇ膜、ＡｌドープＺｎＯ膜をそれぞれ４
５０Å、１００Å、４５０Åの膜厚で、順次積層させ
て、熱線遮断膜を作成した。ターゲットは、それぞれ、
ＺｎＯ、Ａｇ、Ａｌ2 Ｏ3 を含むＺｎＯ（ＺｎＯ ９８
重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ２重量％）を用い、Ａｒガスにより
スパッタリングを行った。スパッタ圧力は１．８×１０
-3Ｔｏｒｒ、基板温度は室温、ＲＦスパッタ電力密度は
３Ｗ／ｃｍ2 であった。
にＺｎＯ膜、Ａｇ膜、ＡｌドープＺｎＯ膜をそれぞれ４
５０Å、１００Å、４５０Åの膜厚で、順次積層させ
て、熱線遮断膜を作成した。ターゲットは、それぞれ、
ＺｎＯ、Ａｇ、Ａｌ2 Ｏ3 を含むＺｎＯ（ＺｎＯ ９８
重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ２重量％）を用い、Ａｒガスにより
スパッタリングを行った。スパッタ圧力は１．８×１０
-3Ｔｏｒｒ、基板温度は室温、ＲＦスパッタ電力密度は
３Ｗ／ｃｍ2 であった。
【００４８】得られた熱線遮断膜をＸ線回折法で調べた
ところ、ＺｎＯの（００２）回折線の回折角２θ（重心
位置）は３４．００°であった。上記と同様の条件で作
製したＡｌドープＺｎＯ膜の内部応力は６．２×１０9
ｄｙｎ／ｃｍ2 であった。以上の膜について、上記実施
例１と同様の耐湿試験を行った。試験後の膜は、ごく微
小の班点は存在するが、目立った白色斑点及び白濁は見
られず、耐湿性は良好であった。
ところ、ＺｎＯの（００２）回折線の回折角２θ（重心
位置）は３４．００°であった。上記と同様の条件で作
製したＡｌドープＺｎＯ膜の内部応力は６．２×１０9
ｄｙｎ／ｃｍ2 であった。以上の膜について、上記実施
例１と同様の耐湿試験を行った。試験後の膜は、ごく微
小の班点は存在するが、目立った白色斑点及び白濁は見
られず、耐湿性は良好であった。
【００４９】（実施例３） 上記実施例２と同様の方法により、ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／
ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ／ガラスとい
う膜構成のＬｏｗ−Ｅ膜を作製した。Ａｇは１００Å、
Ａｇとガラスの間のＺｎＯは４５０Å、Ａｇの上のＺｎ
ＯおよびＳｎＯ2 膜はいずれも９０Åであった。ＺｎＯ
及びＡｇはＺｎＯ及びＡｇターゲットをＡｒガスでスパ
ッタリングし、ＳｎＯ2 はＳｎＯ2 ターゲットをＡｒと
Ｏ2 との混合ガスでスパッタリングして得た。スパッタ
圧力、基板温度、ＺｎＯ及びＡｇ成膜の際のスパッタ電
力は上記実施例と同様である。ＳｎＯ2 成膜の際はスパ
ッタ電力密度は１Ｗ／ｃｍ2 、Ａｒ：Ｏ2 ガス流量比は
８：２であった。
ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ／ガラスとい
う膜構成のＬｏｗ−Ｅ膜を作製した。Ａｇは１００Å、
Ａｇとガラスの間のＺｎＯは４５０Å、Ａｇの上のＺｎ
ＯおよびＳｎＯ2 膜はいずれも９０Åであった。ＺｎＯ
及びＡｇはＺｎＯ及びＡｇターゲットをＡｒガスでスパ
ッタリングし、ＳｎＯ2 はＳｎＯ2 ターゲットをＡｒと
Ｏ2 との混合ガスでスパッタリングして得た。スパッタ
圧力、基板温度、ＺｎＯ及びＡｇ成膜の際のスパッタ電
力は上記実施例と同様である。ＳｎＯ2 成膜の際はスパ
ッタ電力密度は１Ｗ／ｃｍ2 、Ａｒ：Ｏ2 ガス流量比は
８：２であった。
【００５０】上記と同様の条件で作製した、ＺｎＯ／Ｓ
ｎＯ2 ／ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ膜の内部応力は９．
２×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 であった。ここで得た熱線遮
断膜の耐湿性は、上記実施例と同様良好であった。
ｎＯ2 ／ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ膜の内部応力は９．
２×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 であった。ここで得た熱線遮
断膜の耐湿性は、上記実施例と同様良好であった。
【００５１】（実施例４） 上記実施例３と同様の方法により、ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／
ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／
ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／ガラスという膜構成の熱線
遮断膜を作製した。Ａｇは１００Å、ＺｎＯおよびＳｎ
Ｏ2 膜はいずれも１層９０Åであった。ターゲット及び
スパッタリングガス、スパッタ圧力、基板温度、パワー
密度は実施例３と同様であった。
ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／
ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／ガラスという膜構成の熱線
遮断膜を作製した。Ａｇは１００Å、ＺｎＯおよびＳｎ
Ｏ2 膜はいずれも１層９０Åであった。ターゲット及び
スパッタリングガス、スパッタ圧力、基板温度、パワー
密度は実施例３と同様であった。
【００５２】この条件で作製した、ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／
ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ膜の内部応力は９．２×１０
9 ｄｙｎ／ｃｍ2 であった。得られた熱線遮断膜の耐湿
性は、上記実施例と同様良好であった。
ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ膜の内部応力は９．２×１０
9 ｄｙｎ／ｃｍ2 であった。得られた熱線遮断膜の耐湿
性は、上記実施例と同様良好であった。
【００５３】（実施例５） 上記実施例２と同様の方法により、ガラス基板上にＺｎ
Ｏ膜、Ａｇ膜、ＺｎＯ膜をそれぞれ４５０Å、１００
Å、４５０Åの膜厚で、順次積層させた。ターゲット
は、ＺｎＯ、Ａｇを用い、Ａｒガスによりスパッタリン
グを行った。スパッタ圧力、基板温度、スパッタ電力密
度は実施例２と同様である。成膜後の膜をＮ2 雰囲気中
４００℃で１時間加熱処理を行った。
Ｏ膜、Ａｇ膜、ＺｎＯ膜をそれぞれ４５０Å、１００
Å、４５０Åの膜厚で、順次積層させた。ターゲット
は、ＺｎＯ、Ａｇを用い、Ａｒガスによりスパッタリン
グを行った。スパッタ圧力、基板温度、スパッタ電力密
度は実施例２と同様である。成膜後の膜をＮ2 雰囲気中
４００℃で１時間加熱処理を行った。
【００５４】加熱処理後の熱線遮断膜をＸ線回折法で調
べたところ、ＺｎＯ（００２）回折線の回折角２θ（重
心位置）は３４．４２°であった。この熱線遮断膜の耐
湿性は、上記実施例と同様良好であった。
べたところ、ＺｎＯ（００２）回折線の回折角２θ（重
心位置）は３４．４２°であった。この熱線遮断膜の耐
湿性は、上記実施例と同様良好であった。
【００５５】（比較例１） 上記実施例と同様の方法により、ガラス基板上にＺｎＯ
膜、Ａｇ膜、ＺｎＯ膜をそれぞれ４５０Å、１００Å、
４５０Åの膜厚で、順次積層させた。ターゲットは、Ｚ
ｎＯ、Ａｇを用い、Ａｒガスによりスパッタリングを行
った。スパッタ圧力、基板温度、スパッタ電力密度は実
施例２と同様である。
膜、Ａｇ膜、ＺｎＯ膜をそれぞれ４５０Å、１００Å、
４５０Åの膜厚で、順次積層させた。ターゲットは、Ｚ
ｎＯ、Ａｇを用い、Ａｒガスによりスパッタリングを行
った。スパッタ圧力、基板温度、スパッタ電力密度は実
施例２と同様である。
【００５６】得られた熱線遮断膜をＸ線回折法で調べた
ところ、ＺｎＯ（００２）回折線の回折角２θ（重心位
置）は３３．７８°であった。この条件で作製したＺｎ
Ｏ膜の内部応力は１．５×１０10ｄｙｎ／ｃｍ2 であっ
た。
ところ、ＺｎＯ（００２）回折線の回折角２θ（重心位
置）は３３．７８°であった。この条件で作製したＺｎ
Ｏ膜の内部応力は１．５×１０10ｄｙｎ／ｃｍ2 であっ
た。
【００５７】耐湿試験後の熱線遮断膜は、全面がうすく
白濁しており、直径１ｍｍ以上のはっきりした白色斑点
もかなり見られた。耐湿試験後のＳＥＭ写真によれば、
膜表面全体にわたって、ひびわれがひろがっており、膜
の破損が著しいことがわかった。
白濁しており、直径１ｍｍ以上のはっきりした白色斑点
もかなり見られた。耐湿試験後のＳＥＭ写真によれば、
膜表面全体にわたって、ひびわれがひろがっており、膜
の破損が著しいことがわかった。
【００５８】上記熱線遮断膜を形成したガラスを、膜を
内側にして、プラスチック中間膜を介してもう１枚のガ
ラス板と積層して合わせガラスとした。かかる合わせガ
ラスについても同様の耐湿試験を行った。耐湿試験１４
日目には白濁や斑点がはっきり認められた。
内側にして、プラスチック中間膜を介してもう１枚のガ
ラス板と積層して合わせガラスとした。かかる合わせガ
ラスについても同様の耐湿試験を行った。耐湿試験１４
日目には白濁や斑点がはっきり認められた。
【００５９】（実施例６） Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇの金属ターゲットをそれぞれ用いて、
Ａｇ膜はアルゴン雰囲気中で直流スパッタリング法によ
り、ＳｎＯ2 膜、ＺｎＯ膜は酸素含有雰囲気中で反応性
直流スパッタリング法により、ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／Ｚｎ
Ｏ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／Ｚｎ
Ｏ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／ガラスという膜構成の熱線遮断
膜を作製した。Ａｇは１００Å、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 はい
ずれも１層９０Åであった。かかる熱線遮断膜付きガラ
スの可視光線透過率は８６％、エミッシビティは０．０
６であった。
Ａｇ膜はアルゴン雰囲気中で直流スパッタリング法によ
り、ＳｎＯ2 膜、ＺｎＯ膜は酸素含有雰囲気中で反応性
直流スパッタリング法により、ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／Ｚｎ
Ｏ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ／ＳｎＯ2 ／Ｚｎ
Ｏ／ＳｎＯ2 ／ＺｎＯ／ガラスという膜構成の熱線遮断
膜を作製した。Ａｇは１００Å、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 はい
ずれも１層９０Åであった。かかる熱線遮断膜付きガラ
スの可視光線透過率は８６％、エミッシビティは０．０
６であった。
【００６０】この熱線遮断膜付きガラスを１規定の塩酸
に浸漬するという耐酸性試験を行った。浸漬後２分まで
は変化がなかったが、３分後には、膜の端から一部茶色
っぽく変色しはじめ、５分後には、膜の一部に剥離して
いる部分が見られた。
に浸漬するという耐酸性試験を行った。浸漬後２分まで
は変化がなかったが、３分後には、膜の端から一部茶色
っぽく変色しはじめ、５分後には、膜の一部に剥離して
いる部分が見られた。
【００６１】（比較例２） Ｚｎ、Ａｇの金属ターゲットをそれぞれ用いて、Ａｇ膜
はアルゴン雰囲気中で直流スパッタリング法により、Ｚ
ｎＯ膜は酸素含有雰囲気中で反応性直流スパッタリング
法により、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ／ガラスという膜構成
の熱線遮断膜を作製した。Ａｇは１００Å、ＺｎＯは４
５０Åであった。かかる熱線遮断膜付きガラスの可視光
線透過率は８６％、エミッシビティは０．０６であっ
た。
はアルゴン雰囲気中で直流スパッタリング法により、Ｚ
ｎＯ膜は酸素含有雰囲気中で反応性直流スパッタリング
法により、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ／ガラスという膜構成
の熱線遮断膜を作製した。Ａｇは１００Å、ＺｎＯは４
５０Åであった。かかる熱線遮断膜付きガラスの可視光
線透過率は８６％、エミッシビティは０．０６であっ
た。
【００６２】この熱線遮断膜付きガラスを１規定の塩酸
に浸漬するという耐酸性試験を行った。浸漬直後から膜
が剥離し始め、５分後には、熱線遮断膜が全部ガラスか
ら剥離し、消失した。
に浸漬するという耐酸性試験を行った。浸漬直後から膜
が剥離し始め、５分後には、熱線遮断膜が全部ガラスか
ら剥離し、消失した。
【００６３】
【発明の効果】本発明による熱線遮断膜は、耐湿性およ
び耐酸性が著しく改善されている。このため、単板での
取扱が容易になると考えられる。また単板での室内長期
保存が可能になる。さらに、自動車用、建築用熱線遮断
ガラスの信頼性向上につながる。また、合わせガラスと
した際にも中間膜が含有している水分によって劣化する
ことがないので、自動車用、建築用等の合わせガラスの
耐久性が向上する。
び耐酸性が著しく改善されている。このため、単板での
取扱が容易になると考えられる。また単板での室内長期
保存が可能になる。さらに、自動車用、建築用熱線遮断
ガラスの信頼性向上につながる。また、合わせガラスと
した際にも中間膜が含有している水分によって劣化する
ことがないので、自動車用、建築用等の合わせガラスの
耐久性が向上する。
【００６４】本発明の熱線遮断膜は、金属膜を有してい
るため、熱線遮断性能とともに導電性もある。したがっ
て、本発明の熱線遮断膜は、この導電性を利用して、種
々の技術分野に使用できる。例えば、エレクトロニクス
分野においては、電極として（太陽電池の電極などにも
使用できる）、また、通電加熱窓においては、発熱体と
して、窓や電子部品においては、電磁波遮蔽膜として、
使用できる。場合によっては、本発明の熱線遮断膜は、
基体の上に、各種の機能を有する膜を介して形成するこ
ともできる。このような場合には、本発明の熱線遮断膜
の各膜の最適膜厚を選択するなどにより、その用途に応
じて、光学性能を調節できる。
るため、熱線遮断性能とともに導電性もある。したがっ
て、本発明の熱線遮断膜は、この導電性を利用して、種
々の技術分野に使用できる。例えば、エレクトロニクス
分野においては、電極として（太陽電池の電極などにも
使用できる）、また、通電加熱窓においては、発熱体と
して、窓や電子部品においては、電磁波遮蔽膜として、
使用できる。場合によっては、本発明の熱線遮断膜は、
基体の上に、各種の機能を有する膜を介して形成するこ
ともできる。このような場合には、本発明の熱線遮断膜
の各膜の最適膜厚を選択するなどにより、その用途に応
じて、光学性能を調節できる。
【図１】本発明による熱線遮断膜をガラス上に形成した
熱線遮断ガラスの一例の断面図
熱線遮断ガラスの一例の断面図
１ 基体 ２ 酸化物膜 ３ 金属膜 ４ 酸化物膜（Ｂ）
Claims (3)
- 【請求項１】基体上に酸化物膜、金属膜、酸化物膜、と
交互に積層された（２ｎ＋１）層（ｎ≧１）からなる熱
線遮断膜において、基体から見て、基体から最も離れた
金属膜（Ａ）の反対側に形成された酸化物膜（Ｂ）は、
酸化亜鉛を主成分とする膜を少なくとも１層有する膜で
あり、酸化亜鉛の結晶系が六方晶であり、該熱線遮断膜
のＣｕＫα線を用いたＸ線回折法による六方晶酸化亜鉛
の（００２）回折線の回折角２θ（重心位置）の値が３
３．８８°以上３５．００°以下であることを特徴とす
る熱線遮断膜。 - 【請求項２】ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法による六方
晶酸化亜鉛の（００２）回折線の回折角２θ（重心位
置）の値が３４．００°以上３４．８８°以下である請
求項１記載の熱線遮断膜。 - 【請求項３】前記金属膜（Ａ）はＡｇを主成分とする金
属膜である請求項１または２記載の熱線遮断膜。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3191063A JP3053668B2 (ja) | 1990-07-05 | 1991-07-05 | 熱線遮断膜 |
| SG1996006339A SG46590A1 (en) | 1990-11-29 | 1991-11-21 | A low emissivity film |
| EP19910119845 EP0488048B1 (en) | 1990-11-29 | 1991-11-21 | A low emissivity film |
| ES91119845T ES2094181T3 (es) | 1990-11-29 | 1991-11-21 | Pelicula de bajo poder de emision. |
| DE1991622046 DE69122046T2 (de) | 1990-11-29 | 1991-11-21 | Beschichtung mit niedriger Emittierung |
| US07/799,306 US5419969A (en) | 1990-07-05 | 1991-11-27 | Low emissivity film |
| CA 2056524 CA2056524C (en) | 1990-11-29 | 1991-11-28 | A low emissivity film |
| KR1019910021714A KR100187963B1 (ko) | 1990-11-29 | 1991-11-29 | 저 방사 필름 |
| US08/305,812 US5532062A (en) | 1990-07-05 | 1994-09-14 | Low emissivity film |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-176282 | 1990-07-05 | ||
| JP17628290 | 1990-07-05 | ||
| JP2-321273 | 1990-11-27 | ||
| JP32127390 | 1990-11-27 | ||
| JP3191063A JP3053668B2 (ja) | 1990-07-05 | 1991-07-05 | 熱線遮断膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357025A JPH04357025A (ja) | 1992-12-10 |
| JP3053668B2 true JP3053668B2 (ja) | 2000-06-19 |
Family
ID=27324232
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