CN110520390B - 具有含掺杂银的ir反射层的低-e涂层的涂覆制品 - Google Patents

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Abstract

本发明的示例性实施方案涉及一种具有低‑E涂层的涂覆制品，所述低‑E涂层包括至少一个掺杂有诸如SiAl、SiZn或SiZnCu的材料的银的红外(IR)反射层。IR反射层是低‑E涂层的一部分，并且可以夹在至少透明电介质层之间。与未掺杂的Ag IR反射层相比，以此种方式掺杂的基于银的IR反射层例如提供了改善的层和整个涂层的耐腐蚀性和化学耐久性，以及改善的稳定性，例如在任选的热处理(HT)下降低的雾度，同时保持良好的光学特性。

Description

具有含掺杂银的IR反射层的低-E涂层的涂覆制品
本申请涉及包括银的红外(IR)反射层的涂覆制品，所述银被掺杂以改善包括此种层的低-E涂层的特性。IR反射层是低辐射率(低-E)涂层的一部分，并且可以夹在至少透明电介质层之间。在某些示例性实施方案中，基于银(Ag)的IR反射层掺杂有硅(Si)和铝(Al)的组合，或者另选地掺杂有Si和锌(Zn)，或Si、Zn和铜(Cu)的组合。在某些示例性实施方案中，IR反射层可以具有或包括AgSiAl。已令人惊奇地发现，与未掺杂的Ag IR反射层相比，掺杂有Si和Al的基于银的IR反射层提供了改善的层和整个涂层的耐腐蚀性和化学耐久性，以及改善的稳定性，诸如在任选的热处理(HT)下降低的雾度，同时保持良好的光学特性。此类低-E涂层可用于诸如单片窗、绝缘玻璃(IG)窗单元等的应用中。
背景技术和发明内容
涂覆制品在本领域中已知用于窗应用，诸如中空玻璃(IG)窗单元、车窗、单片窗和/或类似应用。在某些示例性情况中，涂覆制品的设计者通常力图实现高可见光透射率、基本上中性的颜色、低发射率(或发射性)、低薄层电阻(Rs)、IG窗单元的背景下的低U值和/或低比电阻率的组合。高可见光透射率和基本上中性的颜色可允许涂覆制品用于其中需要这些特性的应用中，诸如在建筑或车窗应用中，而低发射率(低-E)、低薄层电阻和低比电阻率特性允许此类涂覆制品可阻挡大量的IR辐射，从而减少例如车辆或建筑物内部的不期望的加热。
具有至少一个基于银的IR反射层的低-E涂层在本领域中是已知的。例如，参见美国专利号5,344,718、6,576,349、8,945,714、9,371,684、9,028,956、9,556,070、8,945,714、9,028,983，它们都据此以引用方式并入本文。玻璃上的低-E涂层广泛用于商业和住宅建筑中以节省能量。双Ag低-E涂层是一种主要的低-E产品，因为它具有出色的低发射率特性和出色的太阳能热增益控制。
然而，具有银IR反射层的常规低-E涂层具有与化学耐久性和/或环境耐久性相关的问题，这限制了它们的应用。原因是银IR反射层不是很稳定，特别是对于双银型低-E涂层。一旦Ag衰败或损坏，银的光学、电学和热(发射率)特性就会降低。例如，具有玻璃/Si3N4/NiCr/Ag/NiCr/Si3N4的叠堆的太阳能控制低-E涂层提供有效的太阳能控制，但是不能合理地经受诸如HCl酸环境条件的化学环境。虽然市场上存在一些耐用的低-E涂层，但它们的性能很差，特别是在约1.0或更低的不希望的低光-太阳能增益比(LSG)值的情况下。LSG值越高，节省的能量越多。LSG计算为Tvis/SHGC，其中SHGC是根据NRFC 2001。
本发明的示例性实施方案通过提供具有改善的银耐久性(例如，化学耐久性)，同时保持高LSG值的低-E涂层解决了这些问题。本发明的示例性实施方案涉及一种涂覆制品，其包括银的红外(IR)反射层，所述银被掺杂以改善包括此种层的低-E涂层的特性。在某些示例性实施方案中，基于银(Ag)的IR反射层掺杂有硅(Si)和铝(Al)的组合。在某些示例性实施方案中，IR反射层可以具有或包括AgSiAl，或者另选地是掺杂有Si和锌(Zn)的Ag，或者掺杂有Si、Zn和铜(Cu)的组合的Ag。已令人惊奇地发现，与未掺杂的Ag IR反射层相比，掺杂有Si和Al，或Si和Zn，或Si、Zn和Cu的基于银的IR反射层提供了改善的层和整个涂层的耐腐蚀性和化学耐久性，以及改善的稳定性，诸如在任选的热处理(HT)下降低的雾度，同时保持良好的光学特性，诸如至少1.10(更优选至少1.20，并且有时至少1.30)的高LSG值。将SiAl掺杂到基于Ag的IR反射层中可以改善叠堆化学耐久性，同时保持良好的光学特性。此类低-E涂层可用于诸如单片窗、绝缘玻璃(IG)窗单元等的应用中。
在本发明的一个示例性实施方案中，提供了一种涂覆制品，其包括由玻璃基底支撑的涂层，所述涂层包括：第一电介质层，其在所述玻璃基底上；第一接触层，其在所述玻璃基底上在至少所述第一电介质层上方；包含掺杂有Si和Al的银的红外(IR)反射层，所述IR反射层在所述玻璃基底上定位在所述第一接触层上方并直接接触所述第一接触层；第二接触层，其在所述玻璃基底上定位在所述IR反射层上方并直接接触所述IR反射层；第二电介质层，其在所述玻璃基底上定位在至少所述第一接触层和第二接触层与所述IR反射层上方；并且其中所述涂层具有不大于11欧姆/□的薄层电阻(Rs)以及不大于0.2的法向发射率(En)。
在本发明的一个示例性实施方案中，提供了一种涂覆制品，其包括由玻璃基底支撑的涂层，所述涂层包括：第一电介质层，其在所述玻璃基底上；第一接触层，其在所述玻璃基底上在至少所述第一电介质层上方；包含掺杂有Zn和Si的银的红外(IR)反射层，所述IR反射层在所述玻璃基底上定位在所述第一接触层上方并直接接触所述第一接触层；第二接触层，其在所述玻璃基底上定位在所述IR反射层上方并直接接触所述IR反射层；第二电介质层，其在所述玻璃基底上定位在至少所述第一接触层和第二接触层与所述IR反射层上方；并且其中所述涂层具有不大于11欧姆/□的薄层电阻(Rs)以及不大于0.2的法向发射率(En)。
附图说明
图1为根据本发明的示例性实施方案的涂覆制品的剖视图。
具体实施方式
现在参考附图，其中相同的附图标号在若干视图中表示相同的部件。
本发明的示例性实施方案涉及一种涂覆制品，其包括银的红外(IR)反射层9，所述银被掺杂以改善包括此种层的低-E涂层的特性。在某些示例性实施方案中，基于银(Ag)的IR反射层9掺杂有硅(Si)和铝(Al)的组合。在某些示例性实施方案中，IR反射层9可以具有或包括AgSiAl、或AgSiZn、或AgSiZnCu。已令人惊奇地发现，与未掺杂的Ag IR反射层相比，掺杂有Si和Al，或Si和Zn，或Si、Zn和Cu的基于银的IR反射层9提供了改善的层和整个涂层的耐腐蚀性和化学耐久性，以及改善的稳定性，诸如在任选的热处理(HT)下降低的雾度，同时保持良好的光学特性，诸如至少1.10(更优选至少1.20，并且有时至少1.30)的高LSG值。以这种方式掺杂基于Ag的IR反射层可以改善叠堆化学耐久性，同时保持良好的光学特性。此类低-E涂层可用于诸如单片窗、绝缘玻璃(IG)窗单元等的应用中。
图1为根据本发明的示例性实施方案的涂覆制品的剖视图。涂覆制品包括玻璃基底1(例如，约1.0至10.0mm厚、更优选约1.0至6.0mm厚的透明、绿色、青铜或蓝绿色玻璃基底)和直接或间接地设置在基底1上的多层低-E涂层(或层体系)25。如图1所示，低-E涂层25具有或包括：具有或包括氮化硅(例如，Si3N4，或一些其他合适的化学计量)的电介质层2、含氧化锌的接触层7(例如，ZnOx，其中“x”可以是约1；或ZnAlOx)、包括或具有如本文所讨论的掺杂银的IR(红外)反射层9、具有或包括Ni和/或Cr的氧化物(例如，NiCrOx)的上接触层11，和外涂层，其具有或包括含氧化锡的电介质层13和含氮化硅的电介质层15。含氮化硅的层2和/或15可以进一步包括Al、氧等，并且氧化锡层13同样可以进一步包括其他材料，例如氮、锌等。在本发明的某些示例性实施方案中，也可在涂层中提供其他层和/或材料，并且在某些示例性情况中也可移除或分离某些层。此外，在本发明的某些示例性实施方案中，上面讨论的一个或多个层可掺杂有其他材料。
在单片情况下，涂覆制品仅包括一个基底，诸如玻璃基底1(参见图1)。然而，本文的单片涂覆制品可用于诸如IG窗单元的装置中，例如包括多个玻璃基底的装置。示例性IG窗单元例如在美国专利号5,770,321、5,800,933、6,524,714、6,541,084和US 2003/0150711中示出和描述，其公开内容都据此以引用方式并入本文。示例性IG窗单元可包括，例如，如图1中所示的涂覆玻璃基底1，其经由间隔物、密封剂等耦合到另一玻璃基底，玻璃基底间限定间隙。在IG单元实施方案中，基底之间的该间隙在某些情况下可填充有气体，诸如氩气(Ar)。示例性IG单元可包括一对间隔开的基本上透明的玻璃基底，每个玻璃基底约3-4mm厚，其中一个在某些示例性情况中涂覆有涂层，其中基底之间的间隙可为约5-30mm，更优选约10-20mm，并且最优选约12-16mm。在某些示例性情况中，涂层可以设置在内部或外部玻璃基底1的面向间隙的一侧上。
提供含氮化硅的透明电介质层2用于抗反射目的，并且已发现其允许减少色移。氮化硅层2可以是Si3N4。另选地，氮化硅层2可为富含Si的类型(非完全化学计量的)。此外，氮化硅层2和/或15中的一者或两者还可以包括诸如铝或不锈钢的掺杂剂和/或少量的氧。在某些示例性实施方案中，可以经由溅射或者经由任何其他合适的技术来沉积这些层。可能其他材料诸如氧化钛、锡酸锌或氧化锡可以用于电介质层2和/或15。
电介质接触层7具有或包括氧化锌(例如，ZnO)。在某些示例性实施方案中，层7的氧化锌也可包含其他材料，诸如Al(例如，以形成ZnAlOx)。例如，在本发明的某些示例性实施方案中，氧化锌层7可以掺杂有约1％至10％的Al(或B)，更优选约1％至5％的Al(或B)，最优选约2％至4％的Al(或B)。在层9中的银下方使用氧化锌7允许实现优异的银质量。在某些示例性实施方案中(例如，下面将讨论)，可以经由溅射陶瓷ZnO或金属可旋转磁控溅射靶来形成包含氧化锌的层7。已经发现，在某些示例性实施方案中使用陶瓷靶(例如，可以掺杂或不掺杂有Al、F等的ZnO)允许提供高质量的银，从而导致较低发射率的涂层。虽然在某些示例性实施方案中陶瓷靶中的Zn：0可以是化学计量的，但是至少一个包含ZnOx的亚化学计量陶瓷靶(例如，其中0.25≤x≤0.99，更优选0.50≤x≤0.97，并且甚至更优选0.70≤x≤0.96)可以替代地用于溅射沉积包含氧化锌的层7，其在某些情况下可以是亚化学计量的。可能在本发明的替代实施方案中，其他材料诸如锡酸锌、NiCr或NiCrOx可用于下接触层7。
透明红外(IR)反射层9优选是导电的，并且可以包括如本文所讨论的掺杂的银(Ag)或基本上由其组成。IR反射层9有助于使涂层具有低-E和/或良好的太阳能控制特性，诸如低发射率、低薄层电阻等。在本发明的某些实施方案中，IR反射层可以被轻微氧化。在某些示例性实施方案中，基于银(Ag)的IR反射层9掺杂有硅(Si)和铝(Al)的组合。在某些示例性实施方案中，IR反射层9可以具有或包括AgSiAl、或AgSiZn、或AgSiZnCu。在某些示例性实施方案中，IR反射层9包含80-99％的Ag，更优选90-99％的Ag；1-20％的Si，更优选1-10％的Si，和0.1-5％的Al，更优选0.3-4％的Al。在某些示例性实施方案中，IR反射层9包含80-99％的Ag，更优选90-99％的Ag；0.4-20％的Zn，更优选0.4-10％的Zn，和0.1-10％的Si，更优选0.3-5％的Si，和还任选地0.1-10％的Cu，更优选0.3-5％的Cu。在本发明的某些示例性实施方案中，可以使用银靶和SiAl靶或ZnSi靶或ZnSiCu靶经由共溅射来溅射沉积此种IR反射层9。已令人惊奇地发现，与未掺杂的Ag IR反射层相比，掺杂有Si和Al(或Si和Zn，或Si、Zn和Cu)的基于银的IR反射层9提供了改善的层和整个涂层的耐腐蚀性和化学耐久性，以及改善的稳定性，诸如在任选的热处理(HT)下降低的雾度，同时保持良好的光学特性，诸如至少1.10(更优选至少1.20，并且有时至少1.30)的高LSG值。以这种方式掺杂基于Ag的IR反射层可以改善叠堆化学耐久性，同时保持良好的光学特性。
基于银的IR反射层9可以掺杂有其他材料，诸如Cu或Zn。例如，IR反射层9可含有80-99％的Ag，更优选90-99％的Ag，和1-20％的Zn，更优选1-10％的Zn。又如，IR反射层9可含有80-99％的Ag，更优选90-99％的Ag，和1-20％的Cu，更优选1-10％的Cu。还发现银铜合金和银锌合金在本文讨论的关于改善的耐久性和在任选的HT(诸如热回火)下降低的雾度方面提供了良好的结果。
上接触层11可以具有或包括Ni和/或Cr的氧化物。在某些示例性实施方案中，上接触层11可以具有或包括NiCrMoOx、镍(Ni)氧化物、铬(chromium/chrome)(Cr)氧化物、TiOx、或镍合金氧化物诸如镍铬氧化物(NiCrOx)、或其他合适的材料。在该层11中使用例如NiCrOx或NiCrMoOx允许改善耐久性。在本发明的某些实施方案中，NiCrOx或NiCrMoOx层11可以完全氧化(即，完全化学计量)，或者另选地，可以仅部分氧化--亚化学计量(在任选的HT之前和/或之后)。在某些情况下，NiCrOx层11可以为至少约50％氧化。在本发明的不同实施方案中，接触层11(例如，具有Ni和/或Cr的氧化物或包括Ni和/或Cr的氧化物)可以或可以不是氧化分级的。氧化分级意味着层中的氧化程度通过层的厚度而变化，使得例如接触层可以被分级以便在与紧邻的IR反射层9的接触界面处比在接触层的与紧邻的IR反射层距离相距更远/最远的一部分处的氧化程度小。各种类型的氧化分级的接触层的描述在美国专利号6,576,349中提出，该专利的公开内容据此以引用方式并入本文。在本发明的不同实施方案中，接触层11(例如，具有Ni和/或Cr的氧化物或包括Ni和/或Cr的氧化物)跨整个IR反射层9可以是或可以不是连续的。
在某些示例性实施方案中，外涂层具有或包括透明电介质层13和15。在本发明的某些示例性实施方案中，电介质层13可以具有或包括金属氧化物，诸如氧化锡。提供包含金属氧化物的层13，诸如氧化锡或锡酸锌，用于防反射目的，并且还改善涂覆制品的发射率和制造方法的稳定性和效率。在本发明的某些示例性实施方案中，包含氧化锡的层13可以掺杂有其他材料，诸如氮和/或锌。基于氧化锡的层13提供良好的耐久性并改善可见光透射率。在本发明的某些示例性实施方案中，电介质层15可以具有或包括氮化硅(例如，Si3N4或其他合适的化学计量)或任何其他合适的材料，诸如氮氧化硅。在本发明的某些示例性实施方案中，氮化硅层15还可以包括其他材料，诸如铝作为掺杂剂或少量氧。任选地，在某些示例性情况中，可以在外涂层的层15上方提供其他层，诸如氧化锆外涂层。提供层15是为了耐久性目的，并保护下面的层。在某些示例性实施方案中，基于氮化硅的层15可具有约1.9至2.2、更优选约1.95至2.05的折射率(n)。在某些示例性实施方案中，可以在层15(或层2或层5)的氮化硅中提供Zr。因此，在本发明的某些示例性实施方案中，层2和/或15中的一者或多者可以具有或包括SiZrNx和/或氧化锆。
还可提供所示涂层下方或上方的其他层。因此，虽然层体系或涂层“在基底1上”或“由基底1支撑”(直接或间接)，但是可以在它们之间提供其他层。因此，例如，即使在层3和基底1之间提供其他层，图1的涂层也可以被认为是“在基底1上”和“由基底1支撑”。此外，在某些实施方案中可移除所示涂层的某些层，而在本发明的其他实施方案中，可以在各个层之间添加其他层，或者各个层可与在分离段之间添加的其他层分开而不脱离本发明某些实施方案的整体实质。
虽然可以在本发明的不同实施方案中使用各种厚度，但是图1实施方案中的玻璃基底1上的各个层的示例厚度和材料如下，从玻璃基底向外(例如，在某些示例性情况中，氧化锌层和氮化硅层中的Al含量可以为约1-10％，更优选约1-3％)：
表1(示例材料/厚度；图1实施方案)
Figure BDA0002219350460000071
在本发明的某些示例性实施方案中，本文的涂覆制品(例如，参见图1)在单片测量时在任何任选的热处理诸如热回火之前和/或之后可以具有以下表2中所示的低-E(低发射率)、太阳能和/或光学特性。
表2：低-E/太阳能特性(单片)
Figure BDA0002219350460000081
虽然在上面讨论的本发明的某些示例性实施方案中掺杂的银IR反射层9用于图1的涂层中，但是在其他低-E涂层中可以使用本文描述的任何实施方案的掺杂的IR反射层9中的一个或多个。例如但不限于，美国专利号5,344,718、6,576,349、8,945,714、9,371,684、9,028,956、9,556,070、8,945,714和/或9,028,983(均据此以引用方式并入本文中)中的低-E涂层中的基于银的IR反射层可以用本文结合本发明的任何和所有实施方案讨论的掺杂的银IR反射层9代替。换言之，例如，美国专利号5,344,718、6,576,349、8,945,714、9,371,684、9,028,956、9,556,070、8,945,714和/或9,028,983中任一者中的基于银的IR反射层可以用本文讨论的掺杂有SiAl、SiZn、SiZnCu、Cu、Zn或任何其他掺杂剂的银IR反射层9代替。
制备和测试根据本发明实施方案的实施例涂覆制品和对比例(CE)，每个涂覆制品具有相同的低-E涂层，不同之处在于在CE中IR反射层9是纯银并且在根据本发明实施例的实施例中，IR反射层是掺杂有约6％Si和约0.6％Al的银。接触层7和11都是NiCr。比较例(CE)具有玻璃/Si3N4/NiCr/Ag/NiCr/Si3N4的低-E涂层，其中IR反射层是纯Ag。同时，根据本发明实施方案的实施例具有与CE相同的层叠堆，不同之处为IR反射层9是掺杂有Si和Al的Ag。来自CE(纯Ag IR反射层9)和实施例(AgSiAl IR反射层9)的数据如下所述，都在约650℃下进行约12分钟的HT之前和之后。注意，在下面的图表中，薄层电阻(Rs)以欧姆/□为单位，并且“法向”代表法向发射率/发射率(En)。
Figure BDA0002219350460000082
Figure BDA0002219350460000091
CE和实施例在HT之前如上所示具有类似的透射率和颜色特性。
然而，在化学测试中，令人惊讶地发现，用Si和Al掺杂银IR反射层改善了化学耐久性。对CE和实施例应用的相同化学耐久性HCl浸泡测试表明，具有纯Ag IR反射层的CE涂层具有大量可见缺陷(图像中的白点)和在手电筒下反射的雾度，而具有掺杂有Si和Al的银IR反射层的实施例涂层具有更少许多的缺陷并且显著降低了雾度。由于用Si和Al掺杂Ag所致的这些令人惊讶和意想不到的结果提供了在任何任选的HT之前和之后都具有改善的化学耐久性的优异涂层。根据本发明的示例性实施方案的涂层优选在任何任选的HT之前具有不大于0.17(更优选不大于0.16)的雾度值，并且在任何任选的HT诸如热回火之后具有不大于0.22(更优选不大于0.20)的雾度值。
在本发明的一个示例性实施方案中，提供了一种涂覆制品，其包括由玻璃基底支撑的涂层，所述涂层包括：第一电介质层，其在所述玻璃基底上；第一接触层，其在所述玻璃基底上在至少所述第一电介质层上方；包含掺杂有Si和Al的银的红外(IR)反射层，所述IR反射层在所述玻璃基底上定位在所述第一接触层上方并直接接触所述第一接触层；第二接触层，其在所述玻璃基底上定位在所述IR反射层上方并直接接触所述IR反射层；第二电介质层，其在所述玻璃基底上定位在至少所述第一接触层和第二接触层与所述IR反射层上方；并且其中所述涂层具有不大于11欧姆/□的薄层电阻(Rs)以及不大于0.2的法向发射率(En)。
在前述一段的涂覆制品中，IR反射层可包含80-99％的Ag、1-20％的Si和0.1-5％的Al。
在前述两段中任一段的涂覆制品中，IR反射层可包含90-99％的Ag、1-10％的Si和0.3-4％的Al。
在前述三段中任一段的涂覆制品中，涂覆制品可具有至少40％、更优选至少50％的可见光透射率。
在前述四段中任一段的涂覆制品中，涂覆制品可具有至少1.10、更优选至少1.20、并且可能至少1.30的光-太阳能增益比(LSG)。
在前述五段中任一段的涂覆制品中，第一电介质层可包含氮化硅。
在前述六段中任一段的涂覆制品中，第一接触层可包含Ni和/或Cr、或氧化锌。
在前述七段中任一段的涂覆制品中，第二接触层可包含Ni和/或Cr，诸如NiCr、NiCrOx或NiCrMoOx。
在前述八段中任一段的涂覆制品中，第二电介质层可包含氮化硅。
在前述九段中任一段的涂覆制品中，涂层可具有不大于9欧姆/□的薄层电阻(Rs)和/或不大于0.11的法向发射率(En)。
在前述十段中任一段的涂覆制品中，涂层可以进一步包括另一红外(IR)反射层，该另一红外(IR)反射层包含掺杂有Si和Al的银。
在本发明的一个示例性实施方案中，提供了一种涂覆制品，其包括由玻璃基底支撑的涂层，所述涂层包括：第一电介质层，其在所述玻璃基底上；第一接触层，其在所述玻璃基底上在至少所述第一电介质层上方；包含掺杂有Zn和Si的银的红外(IR)反射层，所述IR反射层在所述玻璃基底上定位在所述第一接触层上方并直接接触所述第一接触层；第二接触层，其在所述玻璃基底上定位在所述IR反射层上方并直接接触所述IR反射层；第二电介质层，其在所述玻璃基底上定位在至少所述第一接触层和第二接触层与所述IR反射层上方；并且其中所述涂层具有不大于11欧姆/□的薄层电阻(Rs)和不大于0.2的法向发射率(En)。
在前一段的涂覆制品中，IR反射层可包含80-99％的Ag、0.4-20％的Zn和0.1-10％的Si。
在前两段中任一段的涂覆制品中，IR反射层可包含90-99％的Ag、0.4-10％的Zn和0.3-5％的Si。
在前三段中任一段的涂覆制品中，IR反射层可进一步包含0.1至10％的Cu，更优选0.3至5％的Cu。这些百分比全部为原子％。
在前四段中任一段的涂覆制品中，涂覆制品可具有至少40％、更优选至少50％的可见光透射率。
在前述五段中任一段的涂覆制品中，涂覆制品可具有至少1.10、更优选至少1.20、并且最优选至少1.30的光-太阳能增益比(LSG)。
虽然已经结合目前被认为是最实用和优选的实施方案描述了本发明，但应当理解，本发明不限于所公开的实施方案，而是相反，旨在涵盖包括在所附权利要求的实质和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种涂覆制品，其包括由玻璃基底支撑的涂层，所述涂层包括：
第一电介质层，其在所述玻璃基底上；
第一接触层，其在所述玻璃基底上并且在至少所述第一电介质层上方，其中所述第一接触层包含氧化锌；
唯一一个红外反射层，其包含Ag、Zn、Si和Cu，所述红外反射层在所述玻璃基底上并且定位在所述第一接触层上方并直接接触所述第一接触层，并且其中所述红外反射层包含按原子％计80-99％的Ag、0.4-20％的Zn、0.1-10％的Si和0.3-5％的Cu，其中所述红外反射层含有的Ag多于Zn、Si和Cu中的每一种；
第二接触层，其在所述玻璃基底上并且定位在所述红外反射层上方并直接接触所述红外反射层；
第二电介质层，其在所述玻璃基底上并且定位在至少所述第一接触层、第二接触层和所述红外反射层上方；并且
其中所述涂层具有不大于11欧姆/□的薄层电阻(Rs)和不大于0.2的法向发射率(En)；并且
其中所述涂覆制品具有至少1.10的光-太阳能增益比(LSG)。
2.根据权利要求1所述的涂覆制品，其中所述涂覆制品具有至少1.20的光-太阳能增益比(LSG)。
3.根据权利要求1所述的涂覆制品，其中所述涂覆制品具有至少40％的可见光透射率。
4.根据权利要求1所述的涂覆制品，其中所述涂覆制品具有至少50％的可见光透射率。
5.根据权利要求1所述的涂覆制品，其中所述涂覆制品具有至少1.30的光-太阳能增益比(LSG)。
6.根据权利要求1所述的涂覆制品，其中所述涂层具有不大于9欧姆/□的薄层电阻(Rs)和不大于0.11的法向发射率(En)。
7.根据权利要求1所述的涂覆制品，其中所述第二电介质层包含氮化硅。
8.根据权利要求1所述的涂覆制品，其中所述第一电介质层包含氮化硅。
9.根据权利要求1所述的涂覆制品，其中所述第二接触层包含Ni和/或Cr。
10.根据权利要求1所述的涂覆制品，其中所述第二接触层包含氧化物并且包含Ni、Cr和Mo。
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