JPH07178866A - 熱線遮断膜とその製造方法 - Google Patents
熱線遮断膜とその製造方法Info
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- JPH07178866A JPH07178866A JP32418393A JP32418393A JPH07178866A JP H07178866 A JPH07178866 A JP H07178866A JP 32418393 A JP32418393 A JP 32418393A JP 32418393 A JP32418393 A JP 32418393A JP H07178866 A JPH07178866 A JP H07178866A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3613—Coatings of type glass/inorganic compound/metal/inorganic compound/metal/other
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- C03C17/366—Low-emissivity or solar control coatings
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Abstract
(57)【要約】
【構成】基体1上に酸化物膜2、金属膜3、酸化物膜
6、とが交互に積層された(2n+1)層(n≧1)に
おいて、酸化物膜のうち少なくとも1層は、ZnO−G
a2 O3 ターゲットを無酸素雰囲気でスパッタして得ら
れるGaを添加した酸化亜鉛膜である熱線遮断膜とその
製造方法。 【効果】無酸素雰囲気で製膜でき、金属バリア層が不要
となるとともに、可視光透過率、熱線遮断性能、生産性
が、著しく改善されている。
6、とが交互に積層された(2n+1)層(n≧1)に
おいて、酸化物膜のうち少なくとも1層は、ZnO−G
a2 O3 ターゲットを無酸素雰囲気でスパッタして得ら
れるGaを添加した酸化亜鉛膜である熱線遮断膜とその
製造方法。 【効果】無酸素雰囲気で製膜でき、金属バリア層が不要
となるとともに、可視光透過率、熱線遮断性能、生産性
が、著しく改善されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は生産性の優れた熱線遮断
膜とその製造方法に関する。
膜とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】基体表面に酸化物膜,Ag膜,酸化物膜
を順に積層した3層からなる膜、または酸化物膜,Ag
膜,酸化物膜,Ag膜,酸化物膜を順次積層した5層か
らなる膜等の(2n+1)層(n≧1)からなる膜は、Low−E
(Low-Emissivity)膜と呼ばれる熱線遮断膜であり、かか
るLow−E膜を形成したガラスは、Low−Eガラス
と呼ばれている。
を順に積層した3層からなる膜、または酸化物膜,Ag
膜,酸化物膜,Ag膜,酸化物膜を順次積層した5層か
らなる膜等の(2n+1)層(n≧1)からなる膜は、Low−E
(Low-Emissivity)膜と呼ばれる熱線遮断膜であり、かか
るLow−E膜を形成したガラスは、Low−Eガラス
と呼ばれている。
【0003】これは、室内からの熱線を反射することに
より室内の温度低下を防止できる機能ガラスであり、暖
房負荷を軽減する目的でおもに寒冷地で用いられてい
る。また、太陽熱の熱線遮断効果も有するため、自動車
の窓ガラスにも採用されている。また、透明でありかつ
導電性を示すため、電磁遮蔽ガラスとしての用途もあ
る。導電性プリント等からなるバスバー等の通電加熱手
段を設ければ、通電加熱ガラスとして用いることができ
る。
より室内の温度低下を防止できる機能ガラスであり、暖
房負荷を軽減する目的でおもに寒冷地で用いられてい
る。また、太陽熱の熱線遮断効果も有するため、自動車
の窓ガラスにも採用されている。また、透明でありかつ
導電性を示すため、電磁遮蔽ガラスとしての用途もあ
る。導電性プリント等からなるバスバー等の通電加熱手
段を設ければ、通電加熱ガラスとして用いることができ
る。
【0004】従来のLow−Eガラスとしては、3層系
のZnO/Ag/ZnO/ガラスや5層系のZnO/A
g/ZnO/Ag/ZnO/ガラスという膜構成を有す
るものが挙げられる。ZnO膜は通常、Znターゲット
を含酸素雰囲気中で直流スパッタすることにより得られ
るが、Ag膜上に直接ZnO膜を作製すると、酸素プラ
ズマによるAgの劣化がおこり、熱線遮断性能が著しく
低下する。この劣化を防ぐため、Ag層とZnO層の間
に20Å程度のZnなどの金属バリア層を介在させる。
バリア層は、ZnO層作製中に酸化されるが、完全に酸
化されず金属成分が残るため、可視光透過率が低くな
る。また、バリア層を施しても、酸素プラズマによるA
gの劣化は完全には防ぎきれないため、熱線遮断性能低
下がおこる。
のZnO/Ag/ZnO/ガラスや5層系のZnO/A
g/ZnO/Ag/ZnO/ガラスという膜構成を有す
るものが挙げられる。ZnO膜は通常、Znターゲット
を含酸素雰囲気中で直流スパッタすることにより得られ
るが、Ag膜上に直接ZnO膜を作製すると、酸素プラ
ズマによるAgの劣化がおこり、熱線遮断性能が著しく
低下する。この劣化を防ぐため、Ag層とZnO層の間
に20Å程度のZnなどの金属バリア層を介在させる。
バリア層は、ZnO層作製中に酸化されるが、完全に酸
化されず金属成分が残るため、可視光透過率が低くな
る。また、バリア層を施しても、酸素プラズマによるA
gの劣化は完全には防ぎきれないため、熱線遮断性能低
下がおこる。
【0005】日本、アメリカでは、法規制上、自動車用
フロントガラスは、合せガラスの状態で可視光透過率7
0%以上でなければならない。特に、5層以上の高熱線
遮断性能をもつLow−Eガラスを自動車用フロントガ
ラスとして用いる場合、前述の可視光透過率低下は重要
な問題となる。また、Low−Eガラスを寒冷地用住宅
窓として用いる場合では、室内が明るい方が好まれるた
め、高可視光透過率であることが望ましい。
フロントガラスは、合せガラスの状態で可視光透過率7
0%以上でなければならない。特に、5層以上の高熱線
遮断性能をもつLow−Eガラスを自動車用フロントガ
ラスとして用いる場合、前述の可視光透過率低下は重要
な問題となる。また、Low−Eガラスを寒冷地用住宅
窓として用いる場合では、室内が明るい方が好まれるた
め、高可視光透過率であることが望ましい。
【0006】以下に、従来の製造方法における問題点に
ついて説明する。
ついて説明する。
【0007】3層または5層などの上記構成のLow−
Eガラスを製造するには、スパッタリング法が用いられ
ている。通常、生産に用いられるコーターには、複数の
成膜室(マルチプロセスチャンバー)を持つコーター
と、単一の成膜室(シングルプロセスチャンバー)を持
つコーターの2種類がある。
Eガラスを製造するには、スパッタリング法が用いられ
ている。通常、生産に用いられるコーターには、複数の
成膜室(マルチプロセスチャンバー)を持つコーター
と、単一の成膜室(シングルプロセスチャンバー)を持
つコーターの2種類がある。
【0008】マルチプロセスチャンバーの代表例の簡略
図を図3に示す。カソードを複数個もつ成膜室が複数室
ある。それぞれの成膜室間は、スリットで区切られ、さ
らに真空ポンプで排気されているので、ガス分離が可能
である。したがって、第1成膜室と第2成膜室とで異な
るガスを用いてスパッタリングすることが可能である。
基板ガラスは、一方向にのみ移動する(1パスモー
ド)。
図を図3に示す。カソードを複数個もつ成膜室が複数室
ある。それぞれの成膜室間は、スリットで区切られ、さ
らに真空ポンプで排気されているので、ガス分離が可能
である。したがって、第1成膜室と第2成膜室とで異な
るガスを用いてスパッタリングすることが可能である。
基板ガラスは、一方向にのみ移動する(1パスモー
ド)。
【0009】マルチプロセスチャンバーを用いて、Zn
O/(Zn)/Ag/ZnO/ガラスからなるLow−
E膜を作製する場合について、図3をもとに説明する。
11,12,13,16,17,18,19をZnター
ゲット、14,15をAgターゲットとし、ガラス基板
10は左から右へと搬送されるとする。ガラス基板10
が第1成膜室を通過中に、Znターゲット(11,1
2,13)を含酸素雰囲気中でスパッタすることにより
ZnO層を作製する。次に、ガラス基板10は第2室へ
と送られ、Ar雰囲気中でAgターゲット(14,1
5)およびZnバリア層を作製する。最後に第3成膜室
で含酸素雰囲気中でZnターゲット(17,18,1
9)をスパッタすることによりZnO層を作製する。
O/(Zn)/Ag/ZnO/ガラスからなるLow−
E膜を作製する場合について、図3をもとに説明する。
11,12,13,16,17,18,19をZnター
ゲット、14,15をAgターゲットとし、ガラス基板
10は左から右へと搬送されるとする。ガラス基板10
が第1成膜室を通過中に、Znターゲット(11,1
2,13)を含酸素雰囲気中でスパッタすることにより
ZnO層を作製する。次に、ガラス基板10は第2室へ
と送られ、Ar雰囲気中でAgターゲット(14,1
5)およびZnバリア層を作製する。最後に第3成膜室
で含酸素雰囲気中でZnターゲット(17,18,1
9)をスパッタすることによりZnO層を作製する。
【0010】この方式では、ガラス基板を順次流せるた
め、スループットは極めて高い。しかし、3層構成では
最低3個の成膜室が、5層構成では最低5個の成膜室が
必要となり、装置コストが高くなる欠点がある。また自
動車ガラスのような曲線ガラスでは、成膜室間のスリッ
トを通過できないのでこの方式は使えない。
め、スループットは極めて高い。しかし、3層構成では
最低3個の成膜室が、5層構成では最低5個の成膜室が
必要となり、装置コストが高くなる欠点がある。また自
動車ガラスのような曲線ガラスでは、成膜室間のスリッ
トを通過できないのでこの方式は使えない。
【0011】シングルプロセスチャンバーの代表例の簡
略図を図4に示す。
略図を図4に示す。
【0012】カソードを複数個もつ成膜室が1室だけ存
在し、基板ガラスは成膜室内を何度も往復できるように
なっている(マルチパスモード)。
在し、基板ガラスは成膜室内を何度も往復できるように
なっている(マルチパスモード)。
【0013】成膜室が1室しかないので、1層形成毎に
雰囲気を変えなければならない(ガス交換)。また、ガ
ス交換後、プレスパッタが必要となる。
雰囲気を変えなければならない(ガス交換)。また、ガ
ス交換後、プレスパッタが必要となる。
【0014】例えば、シングルプロセスチャンバーを用
いて、ZnO/(Zn)/Ag/ZnO/ガラスの3層
構成からなるLow−E膜を作製する場合について図4
をもとに説明する。11,12,13,14をZnター
ゲット、15をAgターゲットとする。まず、ガラスを
左から右へと移動させる間に酸化雰囲気中でZnターゲ
ット(11,12,13,14)をスパッタすることに
よりZnO層を作製する(1パス目)。次に、ガラス交
換を行い、チャンバーをAr雰囲気中とした後、プレス
パッタを行う。ガラスを右から左へ移動させる間にAg
ターゲット(115)およびZnターゲット(14)を
スパッタすることによりAg層およびZn層を作製する
(2パス目)。再びチャンバーを含酸素雰囲気としプレ
スパッタを行い、ガラスを左から右へ移動させる間にZ
nターゲット(11,12,13,14)を用いてZn
O層を作製する(3パス目)。
いて、ZnO/(Zn)/Ag/ZnO/ガラスの3層
構成からなるLow−E膜を作製する場合について図4
をもとに説明する。11,12,13,14をZnター
ゲット、15をAgターゲットとする。まず、ガラスを
左から右へと移動させる間に酸化雰囲気中でZnターゲ
ット(11,12,13,14)をスパッタすることに
よりZnO層を作製する(1パス目)。次に、ガラス交
換を行い、チャンバーをAr雰囲気中とした後、プレス
パッタを行う。ガラスを右から左へ移動させる間にAg
ターゲット(115)およびZnターゲット(14)を
スパッタすることによりAg層およびZn層を作製する
(2パス目)。再びチャンバーを含酸素雰囲気としプレ
スパッタを行い、ガラスを左から右へ移動させる間にZ
nターゲット(11,12,13,14)を用いてZn
O層を作製する(3パス目)。
【0015】シングルプロセスチャンバーでは、スリッ
トがないので曲線ガラスにもコートできる。また、成膜
室が1つなので装置コストが低いというメリットがあ
る。しかし、3層なら2回、5層なら4回ガス交換およ
びプレスパッタが必要となる。さらに、パス数が3層な
ら3回、5層なら5回となるなど、作製に非常に時間が
かかるのでスループットは低下する。
トがないので曲線ガラスにもコートできる。また、成膜
室が1つなので装置コストが低いというメリットがあ
る。しかし、3層なら2回、5層なら4回ガス交換およ
びプレスパッタが必要となる。さらに、パス数が3層な
ら3回、5層なら5回となるなど、作製に非常に時間が
かかるのでスループットは低下する。
【0016】これまで述べた、マルチプロセスチャンバ
ーの欠点である装置コスト高、曲げガラスにコートでき
ないなどを解決し、更にシングルプロセスチャンバーで
の低生産性を解決するものとして、以下に示す方法があ
る。同一(雰囲気)ですべての層を形成し、シングルプ
ロセスチャンバーで1パスモードで作製する方法であ
る。この場合、酸化物膜としては、ITOまたはAl添
加ZnO(AZO)を使用し、これらの酸化物ターゲッ
トよりAr雰囲気で成膜する。
ーの欠点である装置コスト高、曲げガラスにコートでき
ないなどを解決し、更にシングルプロセスチャンバーで
の低生産性を解決するものとして、以下に示す方法があ
る。同一(雰囲気)ですべての層を形成し、シングルプ
ロセスチャンバーで1パスモードで作製する方法であ
る。この場合、酸化物膜としては、ITOまたはAl添
加ZnO(AZO)を使用し、これらの酸化物ターゲッ
トよりAr雰囲気で成膜する。
【0017】この方法で、5層構成のAZO/Ag/A
ZO/Ag/AZOからなるLow−E膜を作製する場
合について図4をもとに説明する。11,13,15を
AZOターゲット、12,14をAgターゲットとす
る。ガラスを左から右へと移動させながら、すべてのタ
ーゲットをAr雰囲気中でスパッタし、AZO、Ag,
AZO,Ag,AZOと順次析出させる。この方法は、
低装置コストで高スループットが期待できる。
ZO/Ag/AZOからなるLow−E膜を作製する場
合について図4をもとに説明する。11,13,15を
AZOターゲット、12,14をAgターゲットとす
る。ガラスを左から右へと移動させながら、すべてのタ
ーゲットをAr雰囲気中でスパッタし、AZO、Ag,
AZO,Ag,AZOと順次析出させる。この方法は、
低装置コストで高スループットが期待できる。
【0018】しかし、この方法で作製したITO膜やA
ZO膜は、若干吸収があり、可視光透過率が低下するの
で好ましくない。可視光透過率を高くするためにITO
膜やAZO膜作製時に酸素を少量導入することも可能で
あるが、上述のようなAgの劣化による熱線遮断性能低
下をもたらすので好ましくない。
ZO膜は、若干吸収があり、可視光透過率が低下するの
で好ましくない。可視光透過率を高くするためにITO
膜やAZO膜作製時に酸素を少量導入することも可能で
あるが、上述のようなAgの劣化による熱線遮断性能低
下をもたらすので好ましくない。
【0019】すなわち、従来の方法ではLow−E膜の
品質を損なうことなく生産性を向上させることができな
かった。
品質を損なうことなく生産性を向上させることができな
かった。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術が有していた上記の欠点を解決し、高熱線遮断性
能、高可視光透過率および生産性の優れた熱線遮断膜お
よびその製造方法を提供しようとするものである。
技術が有していた上記の欠点を解決し、高熱線遮断性
能、高可視光透過率および生産性の優れた熱線遮断膜お
よびその製造方法を提供しようとするものである。
【0021】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決すべくなされたものであり、基体上に酸化物膜、金
属膜、酸化物膜、と交互に積層された(2n+1)層(n≧1)か
らなる熱線遮断膜において、酸化物膜のうち少なくとも
1層は、ZnO−Ga2 O3 ターゲットを無酸素雰囲気
でスパッタして得られるGaを添加した酸化亜鉛膜であ
ることを特徴とする熱線遮断膜を提供するものである。
解決すべくなされたものであり、基体上に酸化物膜、金
属膜、酸化物膜、と交互に積層された(2n+1)層(n≧1)か
らなる熱線遮断膜において、酸化物膜のうち少なくとも
1層は、ZnO−Ga2 O3 ターゲットを無酸素雰囲気
でスパッタして得られるGaを添加した酸化亜鉛膜であ
ることを特徴とする熱線遮断膜を提供するものである。
【0022】本発明は、また、基体上に酸化物膜、金属
膜、酸化物膜、とが交互に積層された(2n+1)層(n≧1)か
らなる熱線遮断膜の製造方法において、酸化物膜のうち
少なくとも1層は、ZnO−Ga2 O3 ターゲットを用
いて得られたGaを添加した酸化亜鉛膜であり、すべて
の膜は無酸素雰囲気でスパッタされることを特徴とする
熱線遮断膜の製造方法を提供するものである。
膜、酸化物膜、とが交互に積層された(2n+1)層(n≧1)か
らなる熱線遮断膜の製造方法において、酸化物膜のうち
少なくとも1層は、ZnO−Ga2 O3 ターゲットを用
いて得られたGaを添加した酸化亜鉛膜であり、すべて
の膜は無酸素雰囲気でスパッタされることを特徴とする
熱線遮断膜の製造方法を提供するものである。
【0023】以下に本発明におけるGaドープZnO膜
の特性について説明する。表1に、GaドープZnO
(GZO)、AlドープZnO(AZO)、ITO、Z
nOの成膜速度および可視光透過率を示す。ITO、Z
nOはLow−E膜を構成する酸化物層として一般的な
酸化物膜である。GZO、AZO、ITOは酸化物ター
ゲットを用い、無酸素雰囲気(Arガス100%)中で
作製した。ZnO膜は、金属ターゲットを用いて含酸素
雰囲気(O2 :Ar=1:1)中で作製した。いずれも
直流スパッタ法により作製した。スパッタ電力密度は
1.1W/cm2 、スパッタガス圧は3.0 ×10-3Tor
r、基板温度は室温である。膜厚はすべて2000Åで
ある。
の特性について説明する。表1に、GaドープZnO
(GZO)、AlドープZnO(AZO)、ITO、Z
nOの成膜速度および可視光透過率を示す。ITO、Z
nOはLow−E膜を構成する酸化物層として一般的な
酸化物膜である。GZO、AZO、ITOは酸化物ター
ゲットを用い、無酸素雰囲気(Arガス100%)中で
作製した。ZnO膜は、金属ターゲットを用いて含酸素
雰囲気(O2 :Ar=1:1)中で作製した。いずれも
直流スパッタ法により作製した。スパッタ電力密度は
1.1W/cm2 、スパッタガス圧は3.0 ×10-3Tor
r、基板温度は室温である。膜厚はすべて2000Åで
ある。
【0024】表1より、GZO膜は、通常の方法による
ZnO膜と比較して成膜速度が約40%速いことがわか
る。AZOおよびITO膜と比較しても成膜速度が15
%程度速い。また、GZO膜は、同じ膜厚のAZO膜お
よびITO膜と比較して、可視光透過率が高いことがわ
かる。
ZnO膜と比較して成膜速度が約40%速いことがわか
る。AZOおよびITO膜と比較しても成膜速度が15
%程度速い。また、GZO膜は、同じ膜厚のAZO膜お
よびITO膜と比較して、可視光透過率が高いことがわ
かる。
【0025】上述のように本発明者らは、GZO膜が、
高成膜速度であること、および無酸素雰囲気中で作製し
ても高可視光透過率を示すことを見出した。
高成膜速度であること、および無酸素雰囲気中で作製し
ても高可視光透過率を示すことを見出した。
【0026】GZO膜をLow−E膜の酸化物層として
使用することで前述の3つの課題は解決できる。その理
由を以下にまとめる。GZO膜の成膜速度は従来の方法
によるZnO膜に比べて著しく速いため、GZO膜を酸
化物層として用いたLow−Eガラスでは、生産性が向
上する。さらに、GZO膜を酸化物層として用いたLo
w−Eガラスは、全ての層を無酸素雰囲気中で作製可能
なので、シングルプロセスチャンバーで1パスで生産で
きる。前述のようにこの方法では、装置コストが低く、
かつ、ガス交換およびプレスパッタが不要なので、大幅
な成膜時間短縮が可能である。その結果、かなりの生産
性向上につながる。また、ガス分離用スリットが必要な
いので、曲げガラスへのコートも同様に生産性向上が可
能である。
使用することで前述の3つの課題は解決できる。その理
由を以下にまとめる。GZO膜の成膜速度は従来の方法
によるZnO膜に比べて著しく速いため、GZO膜を酸
化物層として用いたLow−Eガラスでは、生産性が向
上する。さらに、GZO膜を酸化物層として用いたLo
w−Eガラスは、全ての層を無酸素雰囲気中で作製可能
なので、シングルプロセスチャンバーで1パスで生産で
きる。前述のようにこの方法では、装置コストが低く、
かつ、ガス交換およびプレスパッタが不要なので、大幅
な成膜時間短縮が可能である。その結果、かなりの生産
性向上につながる。また、ガス分離用スリットが必要な
いので、曲げガラスへのコートも同様に生産性向上が可
能である。
【0027】GZO膜は無酸素雰囲気中で熱線遮断層の
劣化をともなわず作製可能である。したがって、GZO
膜を酸化物層として用いたLow−Eガラスでは、熱線
遮断性能が優れている。
劣化をともなわず作製可能である。したがって、GZO
膜を酸化物層として用いたLow−Eガラスでは、熱線
遮断性能が優れている。
【0028】GZO膜を酸化物層として用いたLow−
Eガラスは、熱線遮断層の劣化防止用の金属バリア層が
不必要となるので、従来のZnO/Ag/ZnO/ガラ
スに見られるような可視光透過率低下が防げられる。ま
た、GZO膜自体の可視光透過率も高いので、かなりの
高可視光透過率化が可能である。自動車用合わせガラス
では、一般的に透過率を低めた着色ガラスを1枚または
2枚使用するので前述の5層膜で可視光透過率70%以
上の法規制を満たすのに有利となる。
Eガラスは、熱線遮断層の劣化防止用の金属バリア層が
不必要となるので、従来のZnO/Ag/ZnO/ガラ
スに見られるような可視光透過率低下が防げられる。ま
た、GZO膜自体の可視光透過率も高いので、かなりの
高可視光透過率化が可能である。自動車用合わせガラス
では、一般的に透過率を低めた着色ガラスを1枚または
2枚使用するので前述の5層膜で可視光透過率70%以
上の法規制を満たすのに有利となる。
【0029】図1および図2に本発明の熱線遮断膜の代
表例の断面図を示す。図1は、3層からなる熱線遮断膜
の断面図であり、図2は、5層からなる熱線遮断膜の断
面図である。1は基体、3、5は金属膜、2、4、6は
酸化物膜である。
表例の断面図を示す。図1は、3層からなる熱線遮断膜
の断面図であり、図2は、5層からなる熱線遮断膜の断
面図である。1は基体、3、5は金属膜、2、4、6は
酸化物膜である。
【0030】本発明における基体1としては、ガラス板
の他、プラスチック等のフィルムや板も使用できる。
2、4、6のうち少なくとも1層はGaをドープしたZ
nO(GZO)を含む酸化物膜である。GZO膜のGa
ドープ量は1%未満では成膜速度が遅くなる。ドープ量
が15原子%より多い場合、可視光透過率が低くなる傾
向にある。以上のことを考慮すると、Gaドープ量は、
Znとの総量に対して、1〜15原子%、好ましくは2
〜8原子%である。
の他、プラスチック等のフィルムや板も使用できる。
2、4、6のうち少なくとも1層はGaをドープしたZ
nO(GZO)を含む酸化物膜である。GZO膜のGa
ドープ量は1%未満では成膜速度が遅くなる。ドープ量
が15原子%より多い場合、可視光透過率が低くなる傾
向にある。以上のことを考慮すると、Gaドープ量は、
Znとの総量に対して、1〜15原子%、好ましくは2
〜8原子%である。
【0031】2、4、6のうち少なくとも1層がGZO
を含む酸化物膜であればよいが、熱線遮断性能、可視光
透過率、生産性の全てを最良にするには、全ての層をG
ZOを含む酸化物膜とすることが望ましい。酸化物膜
2、4、6は、2種以上の酸化物膜を積層させた多層膜
としてもよい。たとえば、化学的耐久性または機械的耐
久性を向上させるために、酸化物膜2、4、6は、IT
O、SnO2 、ZrSix Oy 、SnTix Oy などと
GZOを積層させてもよい。
を含む酸化物膜であればよいが、熱線遮断性能、可視光
透過率、生産性の全てを最良にするには、全ての層をG
ZOを含む酸化物膜とすることが望ましい。酸化物膜
2、4、6は、2種以上の酸化物膜を積層させた多層膜
としてもよい。たとえば、化学的耐久性または機械的耐
久性を向上させるために、酸化物膜2、4、6は、IT
O、SnO2 、ZrSix Oy 、SnTix Oy などと
GZOを積層させてもよい。
【0032】また、本発明の熱線遮断膜を内側にしてプ
ラスチック中間膜を介してもう1枚の基体と積層して合
わせガラスとする場合に、かかるプラスチック中間膜と
の接着力の調整の目的で中間膜と接する層として、酸化
物6は100Å以下の酸化物膜(例えば、酸化チタンと
酸化クロム膜の混合膜)を含んでもよい。
ラスチック中間膜を介してもう1枚の基体と積層して合
わせガラスとする場合に、かかるプラスチック中間膜と
の接着力の調整の目的で中間膜と接する層として、酸化
物6は100Å以下の酸化物膜(例えば、酸化チタンと
酸化クロム膜の混合膜)を含んでもよい。
【0033】GaドープZnO以外の酸化物の材料は、
特に限定されない。例として、ZnO、SnO2 、IT
O、ZnO−SnO2 を交互に2層以上積層させた膜、
Al、Si、B、Ti、Mg、Crのうち少なくとも一
つをZnとの総量に対し合計15原子%以下ドープした
ZnO膜等が使用できる。
特に限定されない。例として、ZnO、SnO2 、IT
O、ZnO−SnO2 を交互に2層以上積層させた膜、
Al、Si、B、Ti、Mg、Crのうち少なくとも一
つをZnとの総量に対し合計15原子%以下ドープした
ZnO膜等が使用できる。
【0034】酸化物膜2、6の膜厚は、特に限定されな
いが、熱線遮断膜全体の色調、可視光透過率を考慮する
と、200〜700Åが望ましい。酸化物膜4の膜厚
は、特に限定されないが、熱線遮断膜全体の色調、可視
光透過率を考慮すると、300〜1500Åが望まし
い。
いが、熱線遮断膜全体の色調、可視光透過率を考慮する
と、200〜700Åが望ましい。酸化物膜4の膜厚
は、特に限定されないが、熱線遮断膜全体の色調、可視
光透過率を考慮すると、300〜1500Åが望まし
い。
【0035】本発明における金属膜3、5としては、A
g、Au、Pdなどの貴金属を主成分とする熱線遮断性
能を有する膜が使用できる。金属膜3は、かかる熱線遮
断性能を有する金属膜の他に、各種の機能を有する金属
層を有していてもよい。例えば、熱線遮断性能を有する
金属膜と酸化物膜との間の接着力を調整する金属層や、
熱線遮断性能を有する金属膜からの金属の拡散防止機能
を有する金属層等が挙げられる。これらの機能を有する
金属層を構成する金属の例としては、Zn、Al、C
r、W、Ni、Tiや、これらのうち2種以上の金属の
合金等が挙げられる。これらの金属層を含む金属膜3、
5全体の膜厚としては、熱線遮断性能および可視光透過
率等とのかねあいを考慮して、50Å〜150Å、特に
70〜120Åが適当である。
g、Au、Pdなどの貴金属を主成分とする熱線遮断性
能を有する膜が使用できる。金属膜3は、かかる熱線遮
断性能を有する金属膜の他に、各種の機能を有する金属
層を有していてもよい。例えば、熱線遮断性能を有する
金属膜と酸化物膜との間の接着力を調整する金属層や、
熱線遮断性能を有する金属膜からの金属の拡散防止機能
を有する金属層等が挙げられる。これらの機能を有する
金属層を構成する金属の例としては、Zn、Al、C
r、W、Ni、Tiや、これらのうち2種以上の金属の
合金等が挙げられる。これらの金属層を含む金属膜3、
5全体の膜厚としては、熱線遮断性能および可視光透過
率等とのかねあいを考慮して、50Å〜150Å、特に
70〜120Åが適当である。
【0036】本発明の製造方法の代表例として、シング
ルプロセスチャンバーを用いて1パスモードで、5層構
成のGZO/Ag/GZO/Ag/GZO/ガラスから
なるLow−E膜を作製する場合について図4をもとに
説明する。11,13,15をGZOターゲット、1
2,14をAgターゲット、雰囲気はArが99%以上
含まれる雰囲気とする。ガラス基板を左から右へと移動
させながら、すべてのターゲット放電させる。基板がタ
ーゲット11,12,13,14,15の下を順に通過
していく際、GZO層、Ag層、GZO層、Ag層、G
ZO層と順次形成される。
ルプロセスチャンバーを用いて1パスモードで、5層構
成のGZO/Ag/GZO/Ag/GZO/ガラスから
なるLow−E膜を作製する場合について図4をもとに
説明する。11,13,15をGZOターゲット、1
2,14をAgターゲット、雰囲気はArが99%以上
含まれる雰囲気とする。ガラス基板を左から右へと移動
させながら、すべてのターゲット放電させる。基板がタ
ーゲット11,12,13,14,15の下を順に通過
していく際、GZO層、Ag層、GZO層、Ag層、G
ZO層と順次形成される。
【0037】本発明では、GZOターゲットを用い少な
くとも1層形成すればよいが、熱線遮断性能、可視光透
過率、生産性のすべてを最良にするには、すべての酸化
物層をGZOターゲットを用いて無酸素雰囲気中で作製
することが好ましい。
くとも1層形成すればよいが、熱線遮断性能、可視光透
過率、生産性のすべてを最良にするには、すべての酸化
物層をGZOターゲットを用いて無酸素雰囲気中で作製
することが好ましい。
【0038】本発明の無酸素雰囲気とは、意図的に酸素
ガスを導入しないAr雰囲気のことで、具体的にはAr
99%以上、酸素1%以下の雰囲気のことを示す。残留
ガス、チャンバー壁からの脱ガスやリーク(真空漏れ)
などを完全にはなくせないので、ある程度の酸素混入は
避けられない。しかし、熱線遮断層の劣化を防ぐために
は、なるべく酸素混入量を少なくするほうが好ましい。
ガスを導入しないAr雰囲気のことで、具体的にはAr
99%以上、酸素1%以下の雰囲気のことを示す。残留
ガス、チャンバー壁からの脱ガスやリーク(真空漏れ)
などを完全にはなくせないので、ある程度の酸素混入は
避けられない。しかし、熱線遮断層の劣化を防ぐために
は、なるべく酸素混入量を少なくするほうが好ましい。
【0039】
【作用】酸化物膜としてGaをZnとの総量に対し、1
〜15原子%、好ましくは2〜8原子%、ドープした酸
化亜鉛膜を少なくとも1層含むことにより従来の熱線遮
断膜に比べて熱線遮断性能、可視光透過率、生産性が著
しく改善される。これは、GaドープZnOが無酸素雰
囲気中で貴金属層の劣化をともなわず成膜が可能な材料
であり、かつ高可視光透過率および高成膜速度を満たす
材料であることによる。
〜15原子%、好ましくは2〜8原子%、ドープした酸
化亜鉛膜を少なくとも1層含むことにより従来の熱線遮
断膜に比べて熱線遮断性能、可視光透過率、生産性が著
しく改善される。これは、GaドープZnOが無酸素雰
囲気中で貴金属層の劣化をともなわず成膜が可能な材料
であり、かつ高可視光透過率および高成膜速度を満たす
材料であることによる。
【0040】酸化物タイプのターゲットであり、かつ導
電性のGZOターゲットを用いすべての層を同一(無酸
素)雰囲気で直流スパッタする方法をとれば、Low−
E膜の品質(熱線遮断性能、可視光透過率)を損なうこ
となく生産性をさらに高めることができる。これは、シ
ングルプロセスチャンバーで1パスで生産できるため、
装置コストが低くかつ成膜時間が短縮であることによ
る。また、曲げガラスへのコートの場合も同様に生産性
向上が可能である。
電性のGZOターゲットを用いすべての層を同一(無酸
素)雰囲気で直流スパッタする方法をとれば、Low−
E膜の品質(熱線遮断性能、可視光透過率)を損なうこ
となく生産性をさらに高めることができる。これは、シ
ングルプロセスチャンバーで1パスで生産できるため、
装置コストが低くかつ成膜時間が短縮であることによ
る。また、曲げガラスへのコートの場合も同様に生産性
向上が可能である。
【0041】
【表1】
【0042】
(実施例1)直流スパッタリング法により、2ミリ厚の
ソーダライムガラス基板上に、Arの3.0 ×10-3Torrの
雰囲気中で、膜厚450ÅのGaドープZnO(GZ
O)膜、膜厚90ÅのAg膜、膜厚450ÅのGZO膜
を順次積層させた。GZO膜はZnとの総量に対してG
aを5.0原子%含むZnO−Ga2 O3 焼結体をター
ゲットを用いて形成した。Ag膜はAgをターゲットを
用いて形成した。成膜中の基板温度は室温、スパッタ電
力密度はGZO膜の成膜時には1.1W/cm2 、Ag膜の
成膜時には0.7W/cm2 であった。
ソーダライムガラス基板上に、Arの3.0 ×10-3Torrの
雰囲気中で、膜厚450ÅのGaドープZnO(GZ
O)膜、膜厚90ÅのAg膜、膜厚450ÅのGZO膜
を順次積層させた。GZO膜はZnとの総量に対してG
aを5.0原子%含むZnO−Ga2 O3 焼結体をター
ゲットを用いて形成した。Ag膜はAgをターゲットを
用いて形成した。成膜中の基板温度は室温、スパッタ電
力密度はGZO膜の成膜時には1.1W/cm2 、Ag膜の
成膜時には0.7W/cm2 であった。
【0043】Low−E膜作製にかかったスパッタ時間
(プレスパッタ時間は除く)は、あわせて76秒であっ
た。上記熱線遮断膜の可視光透過率は87%。太陽エネ
ルギー反射率は27%。エミシビティは0.07であっ
た。
(プレスパッタ時間は除く)は、あわせて76秒であっ
た。上記熱線遮断膜の可視光透過率は87%。太陽エネ
ルギー反射率は27%。エミシビティは0.07であっ
た。
【0044】(実施例2)直流スパッタリング法によ
り、2ミリ厚のソーダライムガラス基板上に、Arの3.
0 ×10-3Torrの雰囲気中で、膜厚450ÅのGZO膜、
膜厚90ÅのAg膜、膜厚900ÅのGZO膜、膜厚9
0ÅのAg膜、膜厚450ÅのGZO膜を順次積層させ
た。GZO膜はZnとの総量に対してGaを5.0原子
%含むZnO−Ga2 O3 焼結体をターゲットを用いて
形成した。Ag膜はAgをターゲットを用いて形成し
た。成膜中の基板温度は室温、スパッタ電力密度は、G
ZO膜の成膜時には1.1W/cm2 、Ag膜の成膜時には
0.7W/cm2 であった。
り、2ミリ厚のソーダライムガラス基板上に、Arの3.
0 ×10-3Torrの雰囲気中で、膜厚450ÅのGZO膜、
膜厚90ÅのAg膜、膜厚900ÅのGZO膜、膜厚9
0ÅのAg膜、膜厚450ÅのGZO膜を順次積層させ
た。GZO膜はZnとの総量に対してGaを5.0原子
%含むZnO−Ga2 O3 焼結体をターゲットを用いて
形成した。Ag膜はAgをターゲットを用いて形成し
た。成膜中の基板温度は室温、スパッタ電力密度は、G
ZO膜の成膜時には1.1W/cm2 、Ag膜の成膜時には
0.7W/cm2 であった。
【0045】Low−E膜作製にかかったスパッタ時間
(プレスパッタ時間は除く)は、あわせて152秒であ
った。上記熱線遮断膜の可視光透過率は80%。太陽エ
ネルギー反射率は40%。エミシビティは0.04であ
った。
(プレスパッタ時間は除く)は、あわせて152秒であ
った。上記熱線遮断膜の可視光透過率は80%。太陽エ
ネルギー反射率は40%。エミシビティは0.04であ
った。
【0046】(比較例1)直流スパッタリング法によ
り、2ミリ厚のソーダライムガラス基板上に、膜厚45
0ÅのZnO膜、膜厚90ÅのAg膜、膜厚450Åの
ZnO膜を以下に示す方法で順次積層させた。まず、基
板上にAr:O2 =1:1の3.0 ×10-3Torrの雰囲気中
で、Zn金属をターゲットとして、ZnO膜を形成し
た。次いで、Arのみの 3.0×10-3Torrの雰囲気中で、
Agをターゲットとして、Ag膜を形成し、次いで雰囲
気を変えずに、Zn金属をターゲットとして、20Å程度
のごく薄いZnバリア膜を形成した。最後に、Ar:O
2 =1:1の 3.0×10-3Torrの雰囲気中で、Znをター
ゲットとして、ZnO膜を形成した。上記Zn層は、最
上層ZnO膜形成の際にほとんど酸化されて、ZnOと
なった。成膜中の基板温度は室温、スパッタ電力密度
は、ZnO膜の成膜時には1.1W/cm2 、Ag膜の成膜
時には0.7W/cm2 であった。
り、2ミリ厚のソーダライムガラス基板上に、膜厚45
0ÅのZnO膜、膜厚90ÅのAg膜、膜厚450Åの
ZnO膜を以下に示す方法で順次積層させた。まず、基
板上にAr:O2 =1:1の3.0 ×10-3Torrの雰囲気中
で、Zn金属をターゲットとして、ZnO膜を形成し
た。次いで、Arのみの 3.0×10-3Torrの雰囲気中で、
Agをターゲットとして、Ag膜を形成し、次いで雰囲
気を変えずに、Zn金属をターゲットとして、20Å程度
のごく薄いZnバリア膜を形成した。最後に、Ar:O
2 =1:1の 3.0×10-3Torrの雰囲気中で、Znをター
ゲットとして、ZnO膜を形成した。上記Zn層は、最
上層ZnO膜形成の際にほとんど酸化されて、ZnOと
なった。成膜中の基板温度は室温、スパッタ電力密度
は、ZnO膜の成膜時には1.1W/cm2 、Ag膜の成膜
時には0.7W/cm2 であった。
【0047】Low−E膜作製にかかったスパッタ時間
(プレスパッタ時間は除く)は、トータルで122秒で
あった。上記熱線遮断膜の可視光透過率は84%。太陽
エネルギー反射率は24%。エミシビティは0.09で
ある。
(プレスパッタ時間は除く)は、トータルで122秒で
あった。上記熱線遮断膜の可視光透過率は84%。太陽
エネルギー反射率は24%。エミシビティは0.09で
ある。
【0048】(比較例2)直流スパッタリング法によ
り、2ミリ厚のソーダライムガラス基板上に、膜厚45
0ÅのZnO膜、膜厚90ÅのAg膜、膜厚900Åの
ZnO膜、膜厚90ÅのAg膜、膜厚450ÅのZnO
膜を上記比較例と同様の方法で順次積層させた。すなわ
ち、基板上にAr:O2 =1:1の3.0 ×10-3Torrの雰
囲気中で、Zn金属をターゲットとして、ZnO膜を形
成した。次いで、Arのみの 3.0×10-3Torrの雰囲気中
で、AgをターゲットとしてAg膜を形成し、次いで雰
囲気を変えずに、Zn金属をターゲットとして、20Å程
度のごく薄いバリアZn膜を形成した。Zn膜上にA
r:O2 =1:1の3.0 ×10-3Torrの雰囲気中で、Zn
金属をターゲットとしてZnO膜を形成した。
り、2ミリ厚のソーダライムガラス基板上に、膜厚45
0ÅのZnO膜、膜厚90ÅのAg膜、膜厚900Åの
ZnO膜、膜厚90ÅのAg膜、膜厚450ÅのZnO
膜を上記比較例と同様の方法で順次積層させた。すなわ
ち、基板上にAr:O2 =1:1の3.0 ×10-3Torrの雰
囲気中で、Zn金属をターゲットとして、ZnO膜を形
成した。次いで、Arのみの 3.0×10-3Torrの雰囲気中
で、AgをターゲットとしてAg膜を形成し、次いで雰
囲気を変えずに、Zn金属をターゲットとして、20Å程
度のごく薄いバリアZn膜を形成した。Zn膜上にA
r:O2 =1:1の3.0 ×10-3Torrの雰囲気中で、Zn
金属をターゲットとしてZnO膜を形成した。
【0049】次いで、Arのみの 3.0×10-3Torrの雰囲
気中で、AgをターゲットとしてAg膜を形成し、次い
で雰囲気を変えずに、Zn金属をターゲットとして、20
Å程度のごく薄いZnバリア膜を形成した。最後に、A
r:O2 =1:1の3.0 ×10-3Torrの雰囲気中で、Zn
金属をターゲットとしてZnO膜を形成した。上記Zn
層は、ZnO膜形成の際にほとんど酸化されてZnOと
なった。成膜中の基板温度は室温、スパッタ電力密度
は、ZnO膜の成膜時には1.1W/cm2 、Ag膜の成膜
時には0.7W/cm2 であった。
気中で、AgをターゲットとしてAg膜を形成し、次い
で雰囲気を変えずに、Zn金属をターゲットとして、20
Å程度のごく薄いZnバリア膜を形成した。最後に、A
r:O2 =1:1の3.0 ×10-3Torrの雰囲気中で、Zn
金属をターゲットとしてZnO膜を形成した。上記Zn
層は、ZnO膜形成の際にほとんど酸化されてZnOと
なった。成膜中の基板温度は室温、スパッタ電力密度
は、ZnO膜の成膜時には1.1W/cm2 、Ag膜の成膜
時には0.7W/cm2 であった。
【0050】Low−E膜作製にかかったスパッタ時間
(プレスパッタ時間は除く)は、トータルで244 秒であ
った。上記熱線遮断膜の可視光透過率は73%。太陽エ
ネルギー反射率は31%。エミシビティは0.05であ
る。
(プレスパッタ時間は除く)は、トータルで244 秒であ
った。上記熱線遮断膜の可視光透過率は73%。太陽エ
ネルギー反射率は31%。エミシビティは0.05であ
る。
【0051】(比較例3)直流スパッタリング法によ
り、2ミリ厚のソーダライムガラス基板上に、Arの3.
0 ×10-3Torrの雰囲気中で、膜厚450ÅのITO膜、
膜厚90ÅのAg膜、膜厚900ÅのITO膜、膜厚9
0ÅのAg膜、膜厚450ÅのITO膜を順次積層させ
た。ITO膜は、Inとの総量に対してSnを5.0原
子%含むITO焼結体をターゲットとを用いて形成し
た。Ag膜はAgをターゲットを用いて形成した。成膜
中の基板温度は室温、スパッタ電力密度はGZO膜の成
膜時には1.1W/cm2 、Ag膜の成膜時には0.7W/cm
2 であった。
り、2ミリ厚のソーダライムガラス基板上に、Arの3.
0 ×10-3Torrの雰囲気中で、膜厚450ÅのITO膜、
膜厚90ÅのAg膜、膜厚900ÅのITO膜、膜厚9
0ÅのAg膜、膜厚450ÅのITO膜を順次積層させ
た。ITO膜は、Inとの総量に対してSnを5.0原
子%含むITO焼結体をターゲットとを用いて形成し
た。Ag膜はAgをターゲットを用いて形成した。成膜
中の基板温度は室温、スパッタ電力密度はGZO膜の成
膜時には1.1W/cm2 、Ag膜の成膜時には0.7W/cm
2 であった。
【0052】Low−E膜作製にかかったスパッタ時間
(プレスパッタ時間は除く)は、トータルで180秒で
あった。上記熱線遮断膜の可視光透過率は59%。太陽
エネルギー反射率は29%。エミシビティは0.07で
あった。
(プレスパッタ時間は除く)は、トータルで180秒で
あった。上記熱線遮断膜の可視光透過率は59%。太陽
エネルギー反射率は29%。エミシビティは0.07で
あった。
【0053】(比較例4)直流スパッタリング法によ
り、2ミリ厚のソーダライムガラス基板上に、Arの3.
0 ×10-3Torrの雰囲気中で、膜厚450ÅのAZO膜、
膜厚90ÅのAg膜、膜厚900ÅのAZO膜、膜厚9
0ÅのAg膜、膜厚450ÅのAZO膜を順次積層させ
た。AZO膜はZnとの総量に対してAlを4.0原子
%含むZnO−Al2 O3 焼結体をターゲットを用いて
形成した。Ag膜はAgをターゲットを用いて形成し
た。成膜中の基板温度は室温、スパッタ電力密度は、A
ZO膜の成膜時には1.1W/cm2 、Ag膜の成膜時には
0.7W/cm2 であった。
り、2ミリ厚のソーダライムガラス基板上に、Arの3.
0 ×10-3Torrの雰囲気中で、膜厚450ÅのAZO膜、
膜厚90ÅのAg膜、膜厚900ÅのAZO膜、膜厚9
0ÅのAg膜、膜厚450ÅのAZO膜を順次積層させ
た。AZO膜はZnとの総量に対してAlを4.0原子
%含むZnO−Al2 O3 焼結体をターゲットを用いて
形成した。Ag膜はAgをターゲットを用いて形成し
た。成膜中の基板温度は室温、スパッタ電力密度は、A
ZO膜の成膜時には1.1W/cm2 、Ag膜の成膜時には
0.7W/cm2 であった。
【0054】Low−E膜作製にかかったスパッタ時間
(プレスパッタ時間は除く)は、トータルで180秒で
あった。上記熱線遮断膜の可視光透過率は76%。太陽
エネルギー反射率は34%。エミシビティは0.05で
あった。
(プレスパッタ時間は除く)は、トータルで180秒で
あった。上記熱線遮断膜の可視光透過率は76%。太陽
エネルギー反射率は34%。エミシビティは0.05で
あった。
【0055】
【発明の効果】本発明の熱線遮断膜は、酸化物タイプの
ターゲットであり、かつ導電性のあるZnO−Ga2 O
3 ターゲットを用いているので、無酸素雰囲気で、かつ
直流スパッタリングで製膜でき、それ故、熱線遮断膜の
劣化防止のための金属バリア層が不要となるとともに、
可視光透過率、熱線遮断性能、生産性が、著しく改善さ
れている。また、従来の5層系などの多層膜の製膜にお
いて問題であったマルチパスモードやマルチプロセスチ
ャンバーの装置コスト高や曲げガラスに対応できないな
どの欠点を解決できるものである。
ターゲットであり、かつ導電性のあるZnO−Ga2 O
3 ターゲットを用いているので、無酸素雰囲気で、かつ
直流スパッタリングで製膜でき、それ故、熱線遮断膜の
劣化防止のための金属バリア層が不要となるとともに、
可視光透過率、熱線遮断性能、生産性が、著しく改善さ
れている。また、従来の5層系などの多層膜の製膜にお
いて問題であったマルチパスモードやマルチプロセスチ
ャンバーの装置コスト高や曲げガラスに対応できないな
どの欠点を解決できるものである。
【0056】本発明の熱線遮断膜は、金属膜を有してい
るため、熱線遮断性能とともに導電性もある。従って、
本発明の熱線遮断膜はこの導電性を利用して、種々の技
術分野に使用できる。例えば、エレクトロニクス分野に
おいては、電極として(太陽電池の電極などにも使用で
きる)、また、通電加熱窓においては、発熱体として、
あるいは、窓や電子部品においては、電磁波遮蔽膜とし
て使用できる。場合によっては、本発明の熱線遮断膜は
基体の上に各種の機能を有する膜を介して形成すること
もできる。このような場合には、本発明の熱線遮断膜の
各膜の最適膜厚を選択するなどにより、その用途に応じ
て、光学性能を調節することができる。
るため、熱線遮断性能とともに導電性もある。従って、
本発明の熱線遮断膜はこの導電性を利用して、種々の技
術分野に使用できる。例えば、エレクトロニクス分野に
おいては、電極として(太陽電池の電極などにも使用で
きる)、また、通電加熱窓においては、発熱体として、
あるいは、窓や電子部品においては、電磁波遮蔽膜とし
て使用できる。場合によっては、本発明の熱線遮断膜は
基体の上に各種の機能を有する膜を介して形成すること
もできる。このような場合には、本発明の熱線遮断膜の
各膜の最適膜厚を選択するなどにより、その用途に応じ
て、光学性能を調節することができる。
【0057】
【図1】本発明による3層系熱線遮断膜をガラス上に形
成した熱線遮断ガラスの一例の断面図
成した熱線遮断ガラスの一例の断面図
【図2】本発明による5層系熱線遮断膜をガラス上に形
成した熱線遮断ガラスの一例の断面図
成した熱線遮断ガラスの一例の断面図
【図3】マルチプロセスチャンバーの代表例の概略図
【図4】シングルプロセスチャンバーの代表例の概略図
【符号の説明】 1:基体 2:酸化物膜 3:金属膜 4:酸化物膜 5:金属膜 6:酸化物膜 10:ガラス基板 11、12、13、14、15、16、17、18、1
9:各種ターゲット
9:各種ターゲット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C08K 3/08 3/22 C23C 14/34 N 8414−4K
Claims (7)
- 【請求項1】基体上に酸化物膜、金属膜、酸化物膜、と
が交互に積層された(2n+1)層(n≧1)からなる熱線遮断膜
において、酸化物膜のうち少なくとも1層は、ZnO−
Ga2 O3 ターゲットを無酸素雰囲気でスパッタして得
られるGaを添加した酸化亜鉛膜であることを特徴とす
る熱線遮断膜。 - 【請求項2】前記酸化亜鉛膜は、GaがZnとの総量に
対し1〜15原子%ドープされたものであることを特徴
とする請求項1記載の熱線遮断膜。 - 【請求項3】前記金属膜はAg、Au、Pdのいずれか
を主成分とする金属膜であることを特徴とする請求項1
または2記載の熱線遮断膜。 - 【請求項4】基体上に酸化物膜、金属膜、酸化物膜、と
が交互に積層された(2n+1)層(n≧1)からなる熱線遮断膜
の製造方法において、酸化物膜のうち少なくとも1層は
ZnO−Ga2 O3 ターゲットを用いて得られたGaを
添加した酸化亜鉛膜であり、すべての膜は無酸素雰囲気
でスパッタされることを特徴とする熱線遮断膜の製造方
法。 - 【請求項5】基体上にGaを添加した酸化亜鉛膜、金属
膜、Gaを添加した酸化亜鉛膜、とが交互に積層された
(2n+1)層(n≧1)からなる熱線遮断膜の製造方法におい
て、ZnO−Ga2 O3 ターゲット、金属ターゲットと
がそれぞれ少なくとも1つ配されている1つのプロセス
チャンバー内に基体を導入し、無酸素雰囲気で直流スパ
ッタリングを行わしめ、基体面上に順次Gaを添加した
酸化亜鉛膜、金属膜、Gaを添加した酸化亜鉛膜、を形
成し、それらが交互に積層された(2n+1)層(n≧1)を形成
すること特徴とする熱線遮断膜の製造方法。 - 【請求項6】無酸素雰囲気が、アルゴンガス99%以上
の雰囲気であることを特徴とする請求項5記載の熱線遮
断膜の製造方法。 - 【請求項7】無酸素雰囲気が、酸素1%以下の雰囲気で
あることを特徴とする請求項5記載の熱線遮断膜の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32418393A JPH07178866A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 熱線遮断膜とその製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP32418393A JPH07178866A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 熱線遮断膜とその製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH07178866A true JPH07178866A (ja) | 1995-07-18 |
Family
ID=18163014
Family Applications (1)
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JP32418393A Pending JPH07178866A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 熱線遮断膜とその製造方法 |
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JP (1) | JPH07178866A (ja) |
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