JPH06199544A - 透明層系を備えた透明基板及び該系の製法 - Google Patents

透明層系を備えた透明基板及び該系の製法

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JPH06199544A
JPH06199544A JP5293115A JP29311593A JPH06199544A JP H06199544 A JPH06199544 A JP H06199544A JP 5293115 A JP5293115 A JP 5293115A JP 29311593 A JP29311593 A JP 29311593A JP H06199544 A JPH06199544 A JP H06199544A
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ラッツ ルードルフ
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オッカー ベルトホルト
Roland Schneider
シュナイダー ローラント
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高い光透過率及び僅かな電気抵抗を有する透
明層系を備えた透明基板及び該系の製法。 【構成】 金属層及び、該金属層を可視範囲内で反射防
止する被覆層からなり、この場合、金属層は、基板の高
い透明度を維持する程度の膜厚を有する透明層系を備え
た透明基板において、金属層が、被覆中又は被覆層の形
成後に基板の加熱によって熱処理されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属層及び、該金属層
を可視範囲内で反射防止する被覆層からなり、この場
合、金属層は、基板の高い透明度を維持する程度の膜厚
を有する透明層系を備えた透明基板に関する。さらに本
発明は、透明層系を備えたこのような基板の製法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】透明部材の場合にはしばしば、透過率が
本質的に低下されることなく、導電層又は赤外線もしく
はマイクロ波を反射する層を透明部材が備えていること
が要求される。ディスプレイの場合には、例えば薄い被
覆として形成された電極がガラス表面に施与される。冒
頭に記載された特徴を有するディスプレイは、例えばPa
tents Abstracts of Japan, P-1329、１９９２年３月２
６日、第１６巻、第１２１号に記載されている。
【０００３】オーブンもしくは電子レンジのガラス板並
びに建築ガラスは、放射線をできるかぎり十分に阻止し
なければならない。しかしながら、この目的に適当であ
る被覆にもかかわらず、該被覆を有している基板は、な
おできるかぎり良好に透明でなければならない。このよ
うな使用ケースに対しても、ごく薄い金属層及び該金属
層を反射防止する被覆層を有する層系は公知であり、こ
れについてはドイツ連邦共和国特許出願公開第４０ ０
６ ８０４号明細書に示されている。
【０００４】公知の層系の場合に、ディスプレイに対し
てほとんどの場合に要求されている１００μΩ・ｃｍ未
満の僅かな比抵抗が達成されることが望まれる場合に
は、比較的高価でありかつ被覆された基板の透明度が不
利に著しく低下させられる原因になる比較的厚いＩＴＯ
層を予め考慮に入れておかなければならない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、透明
基板に僅かな製造コストで、高い光透過率及び１００μ
Ω・ｃｍ未満の僅かな電気抵抗を有する層系を施与する
ことである。さらに、このような基板の製法が提供され
なければならない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第一に掲げられた課題
は、本発明によれば、基板の加熱によって被覆中もしく
は被覆層の形成後に金属層に熱処理が行なわれることに
よって解決される。
【０００７】
【作用】このような熱処理によって８〜１２ｎｍのみの
厚さを有する金属層の場合には１００μΩ・ｃｍ未満の
電気抵抗が達成することができる。金属層の性質に応じ
て、該熱処理は基板の加熱によって被覆の際にか又はあ
とからの被覆層の施与後に行なわれる。銀からなる金属
層に特に該当する熱処理の際の引裂の傾向を金属層が示
す場合には、後者の被覆層の施与後の熱処理が不可欠で
ある。銀は１５０℃を超える温度でひび割れが生じ、か
つ、さらに引裂及び小瘤形成が生じる。しかしながら被
覆層が施与されると直ちに、金属層は、光学的性質に不
利な意味では熱作用によってもはや変化することは不可
能であり、むしろ熱作用によって該金属層の吸収率及び
反射率が減少することができる。
【０００８】金属層の下で下地層が基板上に施与されて
おりかつ該下地層及び被覆層がインジウム−錫−オキシ
ド（ＩＴＯ層）からなる基板が実際に試みられた。この
場合には下地層は、拡散遮断層として、部分的に被覆層
と一緒に反射防止層として、並びに金属層のための付着
助剤として作用する。このような層系を用いて特に高い
透過率が、層の１００μΩ・ｃｍ未満の比抵抗で達成す
ることができる。しかしながら、本発明は、下地層及び
被覆層のための他の材料、例えばＳｉＯ2又はＳｎＯ2を
用いても実施することができる。
【０００９】金属層が銀からなりかつ熱処理が被覆層の
形成後に行なわれている場合には、ディスプレイとして
の使用のために、僅かな出費で十分に良好な光学的値及
び電気的値が達成することができる。後からのこの熱処
理によって銀層は、引裂の危険なしに３００℃まで加熱
することができる。
【００１０】本発明のさらなる他の実施態様によれば、
金属層が金、銅又は、熱処理の際に引裂傾向を示さな
い、銀、金もしくは銅からの合金からなり、かつ熱処理
が金属層及びＩＴＯ層の形成の際に基板の加熱によって
行なわれる場合には、加熱は、層の形成中に既に行なう
ことができる。金属層としての合金は、純粋な銀もしく
は金と比較して、金属層の硬度が高められていることに
よって層系の高い引裂抵抗及び引掻抵抗が得られるとい
う利点を有している。
【００１１】本発明のさらなる他の実施態様によれば金
属層が、銀、金もしくは銅及び僅かな含量の合金成分、
例えばジルコニウム、バナジウム、ニッケル、クロム、
モリブデン、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウ
ム、珪素もしくはタングステンからの合金である場合に
は、金属層は、透過率の本質的な減少なしに特にきわめ
て硬くなり、その結果、層パケットは全体で機械的に特
に抵抗性である。
【００１２】また、金属層が請求項６で特徴づけられた
組成を有している場合も有利である。
【００１３】特に硬い銀−銅合金は、請求項７記載の合
金含量によって得られる。
【００１４】銀合金が請求項８記載の組成を有している
場合には、銀合金は、良好な硬度で特に微細なキメを有
する。
【００１５】また硬質銀合金も、該合金が請求項９記載
の組成を有している場合には可能である。
【００１６】銀、金及び銅からの特に硬質である合金
は、請求項１０に定められた合金成分によって得られ
る。
【００１７】さらに、高い金含量を有する合金にとっ
て、請求項１１から１５までのいずれか１項に記載され
た合金含量は有利である。
【００１８】ホワイトゴールド合金もまた、該ホワイト
ゴールド合金が請求項１６に従って金少なくとも５０重
量％及び付加的な合金成分としてニッケル、パラジウム
もしくは銀を有している場合には考慮の対象とされる。
【００１９】有利に下地層は４０〜２００ｎｍの厚さで
なけれなならず、被覆層は４０〜６０ｎｍの厚さでなけ
れなならず、かつ金属層は８〜１５ｎｍの厚さでなけれ
なならない。下地層が４８．８ｎｍの厚さのＩＴＯ層で
あり、金属層が１０ｎｍの厚さの銀層であり、かつ被覆
層が４４ｎｍの厚さのＩＴＯ層である場合には、層の僅
かな電気抵抗の場合の層パケットによるガラスの透過率
の特に著しく僅かな悪化が達成することができる。ディ
スプレイとしてのこのような被覆された基板の使用は別
として、該基板は、オーブン及び電子レンジの場合には
前面ガラスとして、又は建築物の場合には建築ガラスと
して使用することができ、それというのも、層が赤外線
及びマイクロ波を著しく良好に反射し、その結果、この
ような前面ガラスが不利に加熱されず、かつ熱が透過し
ないからである。
【００２０】第二に掲げられた課題、即ち、透明基板上
の伝導性透明層系の製法の実施は、本発明によれば、基
板の加熱によって被覆中か又は被覆層の形成後に３００
℃までの熱処理が金属層に行なわれることによって解決
される。このような方法を用いて比較的僅かな出費で良
好な導電性を示す層が施与することができ、この層によ
って透過率はたいしたことではない程度でしか減少しな
い。
【００２１】金属層として銀層が選択される場合には、
基板が被覆後に真空装置もしくは焼鈍炉中で３００℃ま
での温度で１時間まで焼き鈍されることによって熱処理
が行なわれる場合が有利である。意外にも、被覆層の保
護作用によって金属層の不利な変化、例えば引裂形成も
しくは小瘤形成が生じないことが示されている。
【００２２】酸素分圧が約１０-4ミリバールを超えてい
ないＩＴＯターゲットからの部分反応性スパッタによっ
て被覆層が得られる場合には、特に有利に被覆層が施与
される。このような条件下で被覆層の施与の際に金属層
は変化しない。
【００２３】直接基板に、金属層のスパッタ前に、イン
ジウム−錫−オキシドからなる下地層がスパッタ蒸着さ
れる場合には、基板の不純物は金属層に影響を及ぼさな
い。このような下地層は、拡散遮断層として作用し、か
つ同時に金属層のための付着助剤を形成する。
【００２４】ほぼ完全に酸化されたＩＴＯターゲットが
下地層及び被覆層の形成に使用される場合には、銀ター
ゲットを用いたマグネトロンカソードのプラズマ中の酸
素分圧は、僅かな酸素量のみの添加によって僅かな程度
に維持することができる。
【００２５】ＩＴＯターゲットがＩｎ2Ｏ3８５〜９５重
量％、特に９０重量％及びＳｎＯ2１５〜５重量％、特
に１０重量％を有している場合には、上記方法によって
特に良好な層が提供される。
【００２６】本発明のさらなる実施態様に従って種々の
膜厚がマグネトロンカソードの種々のスパッタ率によっ
て、並びに、材料ごとのマグネトロンカソードの種々の
個数によって生じる場合には、被覆すべき基板は、均一
な速度でマグネトロンカソードを通過することができ
る。
【００２７】熱処理が被覆中に基板の裏面からの加熱に
よって行なわれる場合には、基板の熱処理は特に穏やか
である。
【００２８】本発明は、種々の実施態様が可能である。
次に本発明を図につき詳説する。
【００２９】図１には、光線の波長に応じたガラス上の
銀層の光学的値を示す線図が示されており、図２には、
本発明による被覆基板についての、図１に相応する線図
及び層系を備えた基板の断面図が示されており、図３に
は、本発明による被覆方法の第１の実施態様を実施する
ためのスパッタ装置の概略図が示されており、図４に
は、本発明による被覆方法の第２の実施態様を実施する
ためのスパッタ装置の概略図が示されている。
【００３０】
【実施例】図１の線図には、１０ｎｍの銀層を備えたガ
ラスからなる基板の光学的値が示されている。上よりの
線１は透過率を示し、比較的低く引かれている線２は反
射率を示し、かつ下よりの線３は吸収率を示している。
例えば、波長５００ｎｍに対しては、高い反射率値及び
吸収率値のために透過率はかろうじて６０％を超えてお
り、その結果、このような基板は例えばディスプレイと
しては該基板の僅かすぎる程度の透明度のために不適当
であることがわかる。
【００３１】図２の線図中には、ガラスからなる、本発
明による基板４が示されている。基板４に、加熱、グロ
ー又はスパッタエッチングによる清浄化工程後に、イン
ジウム−錫−オキシド（ＩＴＯ層）からなる、厚さ４
８．８ｎｍの透明下地層５をスパッタ蒸着した。引き続
き、該下地層５に金属層６を施与し、この場合、該金属
層の有利な実施例は、膜厚１０ｎｍの銀層であった。下
地層は、相応する前処理がガラス基板に行なわれてお
り、基板又は既に基板上に存在する接触層中への銀の拡
散が不可能であり、かつ光透過率が重要視されていない
場合には、不要とすることができる。引き続き、金属層
６に、またもやインジウム−錫−オキシド層である膜厚
４４ｎｍの被覆層７を施与し、この場合、約１０-4ミリ
バールを超えていない酸素分圧でマグネトロンカソード
及びＤＣ放電を用いてＩＴＯターゲットから部分反応性
スパッタによって施与した。この処理工程の場合には、
金属層６の温度が一定の値を超えないことが重要であ
る。この値は、銀については約１５０℃である。より高
い温度の場合には、金属層６の不均一な形成が生じた。
【００３２】図２の線図には、最も上よりの線１によっ
て、光の波長５００ｎｍに対して透過率がほぼ９０％に
あることがわかる。即ち、該透過率は、反射防止作用を
有する本発明による被覆層を有していない銀層の場合よ
り本質的に高い。線１の下には、約３００℃で約１時間
の焼鈍過程後に得られた被覆基板に対して得られた透過
率を示す線１ｂが示されている。
【００３３】層系の焼鈍過程によって、光学的値の改善
の他に電気抵抗の減少も生じる。このようにして本発明
による層系の場合には面積抵抗は、６Ω／□から３．２
Ω／□に減少させることができた。
【００３４】線２は、この場合にも反射率を示し、かつ
線３は、吸収率を示す。２ｂ及び３ｂは、焼鈍過程後に
得られた相応する線を示している。焼鈍によって生じる
光学的値の改善及び、特に図１の場合との比較におけ
る、被覆層７及び下地層５による改善が示されている。
【００３５】より僅かな厚さの金属層、例えば８ｎｍの
銀層から出発する場合には、層系全体で若干高められた
電気抵抗及び同時に若干高められた光透過率が得られ
た。この厚さより厚い金属層の膜厚約１２ｎｍの場合に
は、減少された電気抵抗が若干減少された光透過率で得
られた。従って、一定の範囲内で金属層の膜厚の選択に
よって透過率を犠牲にして抵抗を低下させることがで
き、かつ反対に抵抗を犠牲にして透過率を高めることが
できた。この場合には、最適に反射防止を達成するため
に、金属層の厚さに応じて下地層及び被覆層の厚さも調
節されなければならない。
【００３６】本発明による方法をさらに詳しく説明する
ために図３には、僅かな基板温度での基板へのＩＴＯ、
銀及び再びＩＴＯからの被覆の施与並びに引き続いての
熱処理（焼鈍）のために製造されている垂直スパッタ装
置が図示されている。
【００３７】このようなスパッタ装置中を、図２で示さ
れた基板４を両側外面に固定することができる、ｕ字形
断面を有する運搬キャリッジ８が移動する。積載ステー
ション９の通過後に運搬キャリッジ８は第１の導入モジ
ュール(Einschleusmodul)１０中に導入される。引き続
き、該運搬キャリッジは第２の導入モジュール１１に到
達し、この箇所では基板４の清浄化が、プラズマグロー
放電によってか又は１００℃を超える短時間の加熱によ
って行なわれる。その後に運搬キャリッジ８はスパッタ
工程室１２中に移動し、このスパッタ工程室では該運搬
キャリッジは、マグネトロンカソード１３、１４、１５
及び１３ａ、１４ａ、１５ａを用いたスパッタによって
順次ＩＴＯ、金属及び再度ＩＴＯで被覆される。これら
の工程がスパッタ工程室１２中で同時に進行することが
できるようにするために、銀ターゲットを用いたマグネ
トロンカソード１４及び１４ａのプラズマ中の酸素分圧
は一定の値を超えてはならず、それというのも、そうで
なければ銀層の層性質が損なわれるからである。従っ
て、良好な層性質が達成されるために、ＩＴＯ層のスパ
ッタ蒸着にはほぼ完全に酸化されたＩＴＯターゲットが
使用されなければならず、その結果、酸素添加が不可欠
ではなくなるか又は著しく僅かな酸素添加のみが不可欠
となる。
【００３８】ＩＴＯターゲットとして、Ｉｎ2Ｏ3８５〜
９５重量％及びＳｎＯ2１５〜５重量％を有しているタ
ーゲットが選択することができ、Ｉｎ2Ｏ3９０重量％及
びＳｎＯ2１０重量％の組成が有利とされる。
【００３９】基板４を有する運搬キャリッジ８がマグネ
トロンカソード１３、１４、１５；１３ａ、１４ａ、１
５ａに沿って移動する際の速度は、全てのマグネトロン
カソードの前で同じである。従って種々の膜厚は、マグ
ネトロンカソード１３、１４、１５；１３ａ、１４ａ、
１５ａの種々のスパッタ率によって調整される。このス
パッタ率はとりわけ、相応するスパッタ電流供給のＤＣ
−もしくはＨＦ電力によって調整することができる。
【００４０】層系が基板４に施与された後に、基板を有
する運搬キャリッジ８はスパッタ工程室１２から出て、
さらに第１の導出モジュール(Ausschleusmodul)１６中
に移動し、該導出モジュールで基板４は加熱装置１７に
よって３００℃までに加熱される。加熱装置１７は、運
搬キャリッジ８のｕ字形領域内に嵌入しており、かつ従
って基板４の間に存在している。相応する加熱装置は、
第２の導入モジュール１１中及びスパッタ工程室１２中
にも備えられている。
【００４１】第１の導出モジュール１６中での一定の滞
留時間後に、被覆基板を有する運搬キャリッジ８は第２
の導出モジュール１８経由でスパッタ装置から出て、か
つ積卸ステーション１９に到達する。この積卸ステーシ
ョンで被覆基板が運搬キャリッジ８から除去され、引き
続き、この運搬キャリッジは、新たな基板が積載される
ために積載ステーション９に返送される。
【００４２】排気に必要なポンプは、図３に同様に示さ
れている。第１の導入モジュール１０及び第２の導出モ
ジュール１８が例えばルーツポンプ(Rootspumpe)２０及
びトリバクポンプ(Trivacpumpe)２１のみをプレポンプ
システムとして備えている一方で、第２の導入モジュー
ル１１、スパッタ工程室１２及び第１の導出モジュール
１６の場合には高真空ポンプ２２、例えばターボモレキ
ュラーポンプ(Turbomolekularpumpen)が接続されてい
る。
【００４３】図４によるスパッタ装置は、第１の導出モ
ジュール１６が加熱装置を有していない点が、図３によ
る場合と異なっている。先に記載されたスパッタ装置と
異なって、基板は既に第２の導入モジュール１１中で、
加熱装置１７とまったく同様にして配置されている加熱
装置２３によって３００℃までの高い温度に加熱され
る。スパッタ工程室１２中での被覆中、この温度は中央
の発熱体２４、２５、２６、２７によって維持される。
これらの発熱体２４、２５、２６、２７及びまた加熱装
置２３は、上から運搬キャリッジ８のｕ字形の彎曲部分
の中へと突出しており、かつ従って基板は裏面から加熱
される。その他については、後からの熱処理が省略され
ることは別として、図３によるスパッタ装置の場合とま
ったく同様にして処理が進行する。
【００４４】図３及び図４による導入モジュール１１並
びに図３による第１の導出モジュール１６の場合にはそ
れぞれ、基板をより迅速に加熱することができるように
するために、中央に配置された加熱装置１７、２３に加
えて各壁に、図示されていない別の加熱装置が取り付け
られていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】光線の波長に応じたガラス上の銀層の光学的値
を示す線図である。
【図２】本発明による層系を備えた基板の断面図を有す
る、該基板についての、図１の場合に相応する線図であ
る。
【図３】本発明による被覆方法の第１の実施態様を実施
するためのスパッタ装置を示す図である。
【図４】本発明による被覆方法の第２の実施態様を実施
するためのスパッタ装置を示す図である。
【符号の説明】
４ 基板、 ５ 下地層、 ６ 金属層、 ７ 被覆層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ローラント シュナイダー ドイツ連邦共和国 ハーナウ フィリップ スルーアー アレー ２

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属層（６）及び、該金属層（６）を可
    視範囲内で反射防止する被覆層（７）からなり、この場
    合、金属層（６）は、基板（４）の高い透明度を維持す
    る程度の膜厚を有する透明層系を備えた透明基板におい
    て、金属層（６）が、被覆中又は被覆層（７）の形成後
    に基板の加熱によって熱処理されていることを特徴とす
    る、透明層系を備えた透明基板。
  2. 【請求項２】 金属層（６）の下で下地層（５）が基板
    （４）上に施与されており、かつ該下地層（５）及び被
    覆層（７）がインジウム−錫−オキシド（ＩＴＯ層）か
    らなる、請求項１記載の基板。
  3. 【請求項３】 金属層（６）が銀からなっており、かつ
    熱処理が被覆層の形成後に行なわれている、請求項１又
    は２記載の基板。
  4. 【請求項４】 金属層（６）が金、銅又は、熱処理の際
    に引裂傾向を示さない、銀、金もしくは銅からの合金か
    らなっており、かつ熱処理が金属層及びＩＴＯ層の形成
    の際に基板の加熱によって行なわれている、請求項１か
    ら３までのいずれか１項に記載の基板。
  5. 【請求項５】 金属層（６）が銀、金もしくは銅及び僅
    かな含量の合金成分、例えばジルコニウム、バナジウ
    ム、ニッケル、クロム、モリブデン、白金、パラジウ
    ム、ロジウム、イリジウム、珪素又はタングステンから
    なる合金である、請求項１から４までのいずれか１項に
    記載の基板。
  6. 【請求項６】 金属層（６）がａ）銀及び銅、ｂ）銀及
    び金又はｃ）銀、金及び銅を含有している合金であり、
    この場合、該合金は、さらに別の僅かな含量の合金成
    分、例えばジルコニウム、バナジウム、ニッケル、クロ
    ム、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、珪素、
    タングステン又はモリブデンが添加されている、請求項
    １から５までのいずれか１項に記載の基板。
  7. 【請求項７】 銀合金が銀７１．９重量％及び銅２８．
    １重量％からなる、請求項１記載の基板。
  8. 【請求項８】 銀合金が銀９９．８５重量％及びニッケ
    ル０．１５重量％を含有している、請求項１記載の基
    板。
  9. 【請求項９】 銀合金が銀９８．５重量％及び珪素１．
    ５重量％からなる、請求項１記載の基板。
  10. 【請求項１０】 銀、金及び銅からなる合金が銀５３．
    ３重量％、金３３．３重量％及び銅１３．４重量％を含
    有している、請求項１記載の基板。
  11. 【請求項１１】 銀、金及び銅からなる合金が金３３．
    ３重量％、銀３３．４重量％及び銅３３．３重量％を含
    有している、請求項１記載の基板。
  12. 【請求項１２】 銀、金及び銅からなる合金が金３３．
    ３重量％、銀５３．３重量％及び銅１３．４重量％を含
    有している、請求項１記載の基板。
  13. 【請求項１３】 銀、金及び銅からなる合金が金５８．
    ５重量％、銀１３．８重量％及び銅２７．７重量％を含
    有している、請求項１記載の基板。
  14. 【請求項１４】 銀、金及び銅からなる合金が金５８．
    ５重量％、銀２０．８重量％及び銅２０．７重量％を含
    有している、請求項１記載の基板。
  15. 【請求項１５】 銀、金及び銅からなる合金が金５８．
    ５重量％、銀２４．９重量％及び銅１６．６重量％を含
    有している、請求項１記載の基板。
  16. 【請求項１６】 合金が金少なくとも５０重量％及び、
    付加的な合金成分としてニッケル、パラジウムもしくは
    銀を有している、請求項１記載の基板。
  17. 【請求項１７】 下地層（５）が４０〜２００ｎｍの厚
    さであり、被覆層（７）が４０〜６０ｎｍの厚さであ
    り、かつ金属層（６）が８〜１５ｎｍの厚さである、請
    求項１から１６までのいずれか１項に記載の基板。
  18. 【請求項１８】 下地層（５）が４８．８ｎｍの厚さの
    ＩＴＯ層であり、金属層（６）が１０ｎｍの厚さの銀層
    であり、かつ被覆層（７）が４４ｎｍの厚さのＩＴＯ層
    である、ガラスからなる、請求項１から１７までのいず
    れか１項に記載の基板。
  19. 【請求項１９】 基板に先ず、高い透明度を維持する程
    度の膜厚を有している金属層を施与し、かつ引き続き、
    金属層を反射防止する透明被覆層をスパッタ蒸着するこ
    とによる、透明基板上の透明導電層系を製造する方法に
    おいて、金属層（６）を被覆中又は被覆層（７）の形成
    後に基板の加熱によって３００℃までの温度で熱処理す
    ることを特徴とする、透明層系の製法。
  20. 【請求項２０】 基板を被覆後に真空装置もしくは焼鈍
    炉中で３００℃までの温度で１時間まで焼き鈍すことに
    よって熱処理を行なう、請求項１９記載の方法。
  21. 【請求項２１】 酸素分圧が約１０-4ミリバールを超え
    ていない、ＩＴＯターゲットからの部分反応性スパッタ
    によって被覆層を得る、請求項１９又は２０記載の方
    法。
  22. 【請求項２２】 金属層のスパッタ蒸着前に基板に直
    接、インジウム−錫−オキシドからなる下地層をスパッ
    タ蒸着する、請求項１９から２１までのいずれか１項に
    記載の方法。
  23. 【請求項２３】 下地層及び被覆層の形成に、ほぼ完全
    に酸化されたＩＴＯターゲットを使用する、請求項19か
    ら22までのいずれか１項に記載の方法。
  24. 【請求項２４】 ＩＴＯターゲットがＩｎ2Ｏ3８５〜９
    ５重量％及びＳｎＯ2１５〜５重量％を有している、請
    求項１９から２３までのいずれか１項に記載の方法。
  25. 【請求項２５】 ＩＴＯターゲットがＩｎ2Ｏ3９０重量
    ％及びＳｎＯ2１０重量％を有している、請求項２４記
    載の方法。
  26. 【請求項２６】 種々の膜厚をマグネトロンカソードの
    種々のスパッタ率によって生じさせる、請求項１９から
    ２５までのいずれか１項に記載の方法。
  27. 【請求項２７】 種々の膜厚を材料ごとのマグネトロン
    カソードの種々の個数によって生じさせる、請求項19か
    ら26までのいずれか１項に記載の方法。
  28. 【請求項２８】 基板の熱処理を被覆中に基板の裏面か
    らの加熱によって行なう、請求項１９から２７までのい
    ずれか１項に記載の方法。
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