JPH06196736A - 太陽電池用反射膜およびその形成方法 - Google Patents
太陽電池用反射膜およびその形成方法Info
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- JPH06196736A JPH06196736A JP43A JP34301692A JPH06196736A JP H06196736 A JPH06196736 A JP H06196736A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 34301692 A JP34301692 A JP 34301692A JP H06196736 A JPH06196736 A JP H06196736A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属酸化物膜が成膜される下地である金属膜
または合金膜の酸化を防止する。 【構成】 ＳＵＳ基板２０１上に、反射膜であるＡｌ膜
２０２とＺｎＯ膜２０４、ａ−Ｓｉ膜２０５，２０６，
２０７、透明導電膜２０８、集電電極２０９が形成され
た太陽電池において、反射膜を構成するＡｌ膜２０２上
にＺｎ膜２０３を設けた。
または合金膜の酸化を防止する。 【構成】 ＳＵＳ基板２０１上に、反射膜であるＡｌ膜
２０２とＺｎＯ膜２０４、ａ−Ｓｉ膜２０５，２０６，
２０７、透明導電膜２０８、集電電極２０９が形成され
た太陽電池において、反射膜を構成するＡｌ膜２０２上
にＺｎ膜２０３を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は太陽電池用反射膜の形成
方法に関し、特に太陽電池用反射膜をスパッタリング等
の薄膜形成方法により成膜する際の成膜方法に関するも
のである。
方法に関し、特に太陽電池用反射膜をスパッタリング等
の薄膜形成方法により成膜する際の成膜方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】環境破壊やエコロジー等が重要な問題と
なっている今日において、主要なエネルギー源として太
陽電池が期待されている。その中でも、量産効果が高
く、低価格化が可能な薄膜半導体太陽電池の研究開発が
盛んに行われている。ところが薄膜半導体太陽電池は、
結晶シリコン太陽電池等の他の太陽電池に比べて、変換
効率（光電変換効率）が低いという難点がある。
なっている今日において、主要なエネルギー源として太
陽電池が期待されている。その中でも、量産効果が高
く、低価格化が可能な薄膜半導体太陽電池の研究開発が
盛んに行われている。ところが薄膜半導体太陽電池は、
結晶シリコン太陽電池等の他の太陽電池に比べて、変換
効率（光電変換効率）が低いという難点がある。
【０００３】図３に、薄膜半導体太陽電池における従来
の層構成の一例を示した。図３においてＳＵＳ基板３０
１上には、Ａｌ膜３０２、ＺｎＯ膜３０３、ｐｉｎ型の
ａ−Ｓｉ膜３０４，３０５，３０６（３０４がｎ層、３
０５がｉ層、３０６がｐ層を示している）が設けられ、
更に透明導電膜３０７や集電電極３０８が形成される。
この内、Ａｌ膜３０２とＺｎＯ膜３０３は合わせて特に
反射膜と呼ばれる。
の層構成の一例を示した。図３においてＳＵＳ基板３０
１上には、Ａｌ膜３０２、ＺｎＯ膜３０３、ｐｉｎ型の
ａ−Ｓｉ膜３０４，３０５，３０６（３０４がｎ層、３
０５がｉ層、３０６がｐ層を示している）が設けられ、
更に透明導電膜３０７や集電電極３０８が形成される。
この内、Ａｌ膜３０２とＺｎＯ膜３０３は合わせて特に
反射膜と呼ばれる。
【０００４】上記の反射膜は、光の吸収効率を上げ、電
池部の短絡の増大を防ぐ等の役割を持つため、膜の性質
から見ると、高透過率及び高反射率であり、且つ適度な
抵抗値を持つことが必要となる。この反射膜の性能を向
上させることで、太陽電池の変換効率向上や太陽電池と
しての信頼性向上が図れる。この反射膜の構成の一例と
しては、上記のようにＺｎＯ／Ａｌの２層構造が考えら
れており、高透過率且つ適切なテクスチャー構造を持つ
ＺｎＯ膜と高反射率を持つＡｌ膜によって光の吸収率を
上げるとともに、適度な抵抗を持つＺｎＯ膜により電池
部の短絡の増大を防いでいる。
池部の短絡の増大を防ぐ等の役割を持つため、膜の性質
から見ると、高透過率及び高反射率であり、且つ適度な
抵抗値を持つことが必要となる。この反射膜の性能を向
上させることで、太陽電池の変換効率向上や太陽電池と
しての信頼性向上が図れる。この反射膜の構成の一例と
しては、上記のようにＺｎＯ／Ａｌの２層構造が考えら
れており、高透過率且つ適切なテクスチャー構造を持つ
ＺｎＯ膜と高反射率を持つＡｌ膜によって光の吸収率を
上げるとともに、適度な抵抗を持つＺｎＯ膜により電池
部の短絡の増大を防いでいる。
【０００５】またこれらの薄膜を作る方法としてはスパ
ッタリング等の薄膜形成方法による成膜方法が用いられ
ている。例えばスパッタリング法の場合、金属酸化膜に
関しては、酸化金属ターゲットを用いＡｒガスを放電ガ
スとするスパッタリング方法、同様に酸化金属ターゲッ
トを用いＡｒとＯ2 ガスを放電ガスとする反応性スパッ
タリング方法、並びに金属ターゲットを用いＯ2 を反応
ガスとする反応性スパッタリング方法等の成膜方法があ
る。
ッタリング等の薄膜形成方法による成膜方法が用いられ
ている。例えばスパッタリング法の場合、金属酸化膜に
関しては、酸化金属ターゲットを用いＡｒガスを放電ガ
スとするスパッタリング方法、同様に酸化金属ターゲッ
トを用いＡｒとＯ2 ガスを放電ガスとする反応性スパッ
タリング方法、並びに金属ターゲットを用いＯ2 を反応
ガスとする反応性スパッタリング方法等の成膜方法があ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにスパッタリング等によって金属酸化膜を成膜する
際、下地である金属または合金膜が酸化されるという傾
向が見られた。そしてこの酸化により、金属酸化膜を有
するデバイスとしての抵抗値が異常に高くなり、太陽電
池用反射膜としての役割を果たさないという不都合が発
生した。
ようにスパッタリング等によって金属酸化膜を成膜する
際、下地である金属または合金膜が酸化されるという傾
向が見られた。そしてこの酸化により、金属酸化膜を有
するデバイスとしての抵抗値が異常に高くなり、太陽電
池用反射膜としての役割を果たさないという不都合が発
生した。
【０００７】この酸化の最も大きな原因として、反応性
ガスや放電ガスとしてのＯ2 ガスが考えられる。その他
にも、Ａｒのみを放電ガスとして、酸化金属ターゲット
を用い成膜を行った場合も同様な酸化が起こることが分
かった。この酸化の原因は、酸化金属ターゲット自体の
金属と酸素のスパッタ率に違いがあるために、酸素が抜
けやすく、この酸素が下地の金属または合金膜を酸化さ
せたのではないかと考えられる。
ガスや放電ガスとしてのＯ2 ガスが考えられる。その他
にも、Ａｒのみを放電ガスとして、酸化金属ターゲット
を用い成膜を行った場合も同様な酸化が起こることが分
かった。この酸化の原因は、酸化金属ターゲット自体の
金属と酸素のスパッタ率に違いがあるために、酸素が抜
けやすく、この酸素が下地の金属または合金膜を酸化さ
せたのではないかと考えられる。
【０００８】従って、スパッタリング等により金属膜ま
たは合金膜上に金属酸化膜を成膜するに当り、反応性ガ
スや放電ガスとしてのＯ2 ガスによる酸化に加えて、タ
ーゲット自体からも酸素が離脱すると考えられ、この酸
素が下地の金属または合金膜に酸化の影響を与える場合
もあるという問題点がある。
たは合金膜上に金属酸化膜を成膜するに当り、反応性ガ
スや放電ガスとしてのＯ2 ガスによる酸化に加えて、タ
ーゲット自体からも酸素が離脱すると考えられ、この酸
素が下地の金属または合金膜に酸化の影響を与える場合
もあるという問題点がある。
【０００９】また、成膜過程で酸化されず、低抵抗の膜
が成膜されたとしても、この膜がアニール、または次工
程での高温成膜時に高抵抗化するという結果が得られ
た。これは、成膜された金属酸化膜中の酸素が何らかの
形で下地の金属または合金膜と反応し、これにより界面
が酸化されるものと考えられる。
が成膜されたとしても、この膜がアニール、または次工
程での高温成膜時に高抵抗化するという結果が得られ
た。これは、成膜された金属酸化膜中の酸素が何らかの
形で下地の金属または合金膜と反応し、これにより界面
が酸化されるものと考えられる。
【００１０】以上の通り、金属酸化膜を成膜する場合、
下地の金属または合金膜が酸化されやすい材質であれば
あるほど、成膜過程及び膜自体からの酸化の影響を受け
ることが問題となる。
下地の金属または合金膜が酸化されやすい材質であれば
あるほど、成膜過程及び膜自体からの酸化の影響を受け
ることが問題となる。
【００１１】それ故に本発明は、上記のような下地の金
属膜または合金膜における酸化を確実に防止できる方法
を提供することを目的としている。
属膜または合金膜における酸化を確実に防止できる方法
を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記のよう
な酸化の影響を防ぐ手段として、成膜過程の方法ではな
く、膜を積層することに注目した。
な酸化の影響を防ぐ手段として、成膜過程の方法ではな
く、膜を積層することに注目した。
【００１３】即ち本発明によれば、金属膜または合金膜
上に金属酸化膜を成膜してなる太陽電池用反射膜であっ
て、前記金属膜または合金膜上に前記金属酸化膜に含有
される金属からなる中間金属膜が成膜されていることを
特徴とする太陽電池用反射膜が得られる。金属膜または
合金膜における酸化を確実に防止し且つ反射膜における
反射率を良好に保つため、前記中間金属膜の膜厚は、好
ましくは２０Å〜２００Åであり、特に好ましくは５０
Å〜１００Å である。
上に金属酸化膜を成膜してなる太陽電池用反射膜であっ
て、前記金属膜または合金膜上に前記金属酸化膜に含有
される金属からなる中間金属膜が成膜されていることを
特徴とする太陽電池用反射膜が得られる。金属膜または
合金膜における酸化を確実に防止し且つ反射膜における
反射率を良好に保つため、前記中間金属膜の膜厚は、好
ましくは２０Å〜２００Åであり、特に好ましくは５０
Å〜１００Å である。
【００１４】また本発明の太陽電池用反射膜の形成方法
は、金属膜または合金膜上に金属酸化膜を成膜してなる
太陽電池用反射膜の形成方法であって、前記金属膜また
は合金膜上に前記金属酸化膜に含有される金属からなる
中間金属膜を成膜した後、前記金属酸化膜を成膜するこ
とを特徴とする。
は、金属膜または合金膜上に金属酸化膜を成膜してなる
太陽電池用反射膜の形成方法であって、前記金属膜また
は合金膜上に前記金属酸化膜に含有される金属からなる
中間金属膜を成膜した後、前記金属酸化膜を成膜するこ
とを特徴とする。
【００１５】
【作用】成膜過程および金属酸化膜自体によって下地の
金属膜や合金膜が酸化されるため、これら下地の上に金
属酸化膜に含有される金属からなる中間金属膜を成膜
し、その上に金属酸化膜を積層することにより、成膜過
程の際や金属酸化膜による金属膜や合金膜の酸化を防ぐ
ことができる。
金属膜や合金膜が酸化されるため、これら下地の上に金
属酸化膜に含有される金属からなる中間金属膜を成膜
し、その上に金属酸化膜を積層することにより、成膜過
程の際や金属酸化膜による金属膜や合金膜の酸化を防ぐ
ことができる。
【００１６】その場合、中間金属膜の膜厚が薄いと酸化
防止が不十分となり、また逆に厚いと反射率が失われて
しまう。そして上記の適当な厚さの中間金属膜を積層す
ることで、例え反応ガスとしてＯ2 を大量に使用する金
属ターゲットを用いるリアクティブスパッタであっても
下地の金属膜や合金膜の酸化防止が図れ、また次行程で
の高温成膜時における酸化防止も図れる。
防止が不十分となり、また逆に厚いと反射率が失われて
しまう。そして上記の適当な厚さの中間金属膜を積層す
ることで、例え反応ガスとしてＯ2 を大量に使用する金
属ターゲットを用いるリアクティブスパッタであっても
下地の金属膜や合金膜の酸化防止が図れ、また次行程で
の高温成膜時における酸化防止も図れる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１８】（実施例１）本発明の一実施例として、金
属酸化膜をＺｎＯ、下地の金属膜をＡｌとした時の層構
成について説明する。Ａｌからなる下地の上に以下に示
す成膜方法によりＺｎＯ膜を成膜した時の比抵抗の値を
調べた。 （ａ）ターゲット：ZnO 放電ガス：Ar SUS基
板＋Al＋ZnO （ｂ）ターゲット：ZnO 放電ガス：Ar＋O2 SUS基
板＋Al＋ZnO （ｃ）ターゲット：Zn 放電ガス：Ar＋O2 SUS基
板＋Al＋ZnO （ｄ）ターゲット：ZnO 放電ガス：Ar SUS基
板＋Al＋Zn＋ZnO （ｅ）ターゲット：ZnO 放電ガス：Ar＋O2 SUS基
板＋Al＋Zn＋ZnO （ｆ）ターゲット：Zn 放電ガス：Ar＋O2 SUS基
板＋Al＋Zn＋ZnO それぞれの膜厚は、Ａｌ＝１５００Å、Ｚｎ＝５０Å、
ＺｎＯ＝４０００Åである。
属酸化膜をＺｎＯ、下地の金属膜をＡｌとした時の層構
成について説明する。Ａｌからなる下地の上に以下に示
す成膜方法によりＺｎＯ膜を成膜した時の比抵抗の値を
調べた。 （ａ）ターゲット：ZnO 放電ガス：Ar SUS基
板＋Al＋ZnO （ｂ）ターゲット：ZnO 放電ガス：Ar＋O2 SUS基
板＋Al＋ZnO （ｃ）ターゲット：Zn 放電ガス：Ar＋O2 SUS基
板＋Al＋ZnO （ｄ）ターゲット：ZnO 放電ガス：Ar SUS基
板＋Al＋Zn＋ZnO （ｅ）ターゲット：ZnO 放電ガス：Ar＋O2 SUS基
板＋Al＋Zn＋ZnO （ｆ）ターゲット：Zn 放電ガス：Ar＋O2 SUS基
板＋Al＋Zn＋ZnO それぞれの膜厚は、Ａｌ＝１５００Å、Ｚｎ＝５０Å、
ＺｎＯ＝４０００Åである。
【００１９】図１に、本実施例において使用した薄膜形
成装置を示した。この薄膜形成装置は、成膜室１０１、
ガス導入バルブ１０２、ＳＵＳ基板１０３、成膜室１０
１を排気するための真空バルブ１０４、排気装置１０
５、ターゲット１０６、電源１０７から構成される。
成装置を示した。この薄膜形成装置は、成膜室１０１、
ガス導入バルブ１０２、ＳＵＳ基板１０３、成膜室１０
１を排気するための真空バルブ１０４、排気装置１０
５、ターゲット１０６、電源１０７から構成される。
【００２０】上記の薄膜形成装置において、まず成膜室
１０１を真空バルブ１０４、排気装置１０５を用いて所
定の圧力まで真空引きした後、ガス導入バルブ１０２よ
りガスを導入し、スパッタリング方式によりＳＵＳ基板
１０３に成膜する。この時の成膜条件は、以下の通りで
ある。
１０１を真空バルブ１０４、排気装置１０５を用いて所
定の圧力まで真空引きした後、ガス導入バルブ１０２よ
りガスを導入し、スパッタリング方式によりＳＵＳ基板
１０３に成膜する。この時の成膜条件は、以下の通りで
ある。
【００２１】 （ａ）ZnO 膜：DC Power3kW Ar流量100sccm 圧力1P
a （ｂ）ZnO 膜：DC Power3.5kW Ar流量 90sccm O2
流量10sccm 圧力1Pa （ｃ）ZnO 膜：DC Power2.5kW Ar流量 50sccm O2
流量50sccm 圧力1Pa （ｄ）ZnO 膜：DC Power3kW Ar流量100sccm 圧力1P
a Zn 膜：DC Power3kW Ar流量100sccm 圧力1Pa （ｅ）ZnO 膜：DC Power3.5kW Ar流量 90sccm O2
流量10sccm 圧力1Pa Zn 膜：DC Power3kW Ar流量100sccm 圧力1Pa （ｆ）ZnO 膜：DC Power2.5kW Ar流量 50sccm O2
流量50sccm 圧力1Pa Zn 膜：DC Power3kW Ar流量100sccm 圧力1Pa 上記の成膜法によって成膜した膜の縦方向の比抵抗を調
べた。更にそれらを３００℃でアニールし、その後の比
抵抗値を再度測定した。この時の結果を表１に示した。
a （ｂ）ZnO 膜：DC Power3.5kW Ar流量 90sccm O2
流量10sccm 圧力1Pa （ｃ）ZnO 膜：DC Power2.5kW Ar流量 50sccm O2
流量50sccm 圧力1Pa （ｄ）ZnO 膜：DC Power3kW Ar流量100sccm 圧力1P
a Zn 膜：DC Power3kW Ar流量100sccm 圧力1Pa （ｅ）ZnO 膜：DC Power3.5kW Ar流量 90sccm O2
流量10sccm 圧力1Pa Zn 膜：DC Power3kW Ar流量100sccm 圧力1Pa （ｆ）ZnO 膜：DC Power2.5kW Ar流量 50sccm O2
流量50sccm 圧力1Pa Zn 膜：DC Power3kW Ar流量100sccm 圧力1Pa 上記の成膜法によって成膜した膜の縦方向の比抵抗を調
べた。更にそれらを３００℃でアニールし、その後の比
抵抗値を再度測定した。この時の結果を表１に示した。
【００２２】
【表１】 表１より分かるように、Ａｌ膜の上に直接ＺｎＯ膜を成
膜した場合には、成膜過程においてＯ2 ガスを使用しな
いことからＡｌ膜の高抵抗化を防ぐことができる。とこ
ろがこのＡｌ膜を３００℃でアニールすると、低抵抗で
あったものが、かなり高抵抗化することが分かる。
膜した場合には、成膜過程においてＯ2 ガスを使用しな
いことからＡｌ膜の高抵抗化を防ぐことができる。とこ
ろがこのＡｌ膜を３００℃でアニールすると、低抵抗で
あったものが、かなり高抵抗化することが分かる。
【００２３】また、ＺｎＯ膜の下地としてＺｎ膜をＡｌ
の上に成膜したものは、反応性ガスとしてＯ2 を大量に
使用するリアクティブスパッタでもかなり低い比抵抗値
となっている。また、これらを３００℃でアニールして
もその比抵抗値はほとんど変化がない。
の上に成膜したものは、反応性ガスとしてＯ2 を大量に
使用するリアクティブスパッタでもかなり低い比抵抗値
となっている。また、これらを３００℃でアニールして
もその比抵抗値はほとんど変化がない。
【００２４】以上のことより、ＺｎＯ膜の下地としてＺ
ｎ膜をつけることにより、Ａｌ膜の酸化すなわち高抵抗
化を防ぐことができることが分かった。
ｎ膜をつけることにより、Ａｌ膜の酸化すなわち高抵抗
化を防ぐことができることが分かった。
【００２５】（実施例２）実施例１で示した（ｄ）の条
件、即ちＺｎＯ膜の下地としてＺｎ膜を成膜する際にお
いて、Ｚｎ膜の膜厚を種々変化させた時の結果について
説明する。
件、即ちＺｎＯ膜の下地としてＺｎ膜を成膜する際にお
いて、Ｚｎ膜の膜厚を種々変化させた時の結果について
説明する。
【００２６】即ちＡｌ膜の上にＺｎ膜を膜厚を１０，２
０，５０，２００，３００Åと変化させ成膜し、その上
にＺｎＯ膜を成膜した。成膜条件は（ｄ）と同様であ
る。この時の、縦方向の比抵抗値、アニール後の比抵抗
値、また反射率の結果を表２に示した。
０，５０，２００，３００Åと変化させ成膜し、その上
にＺｎＯ膜を成膜した。成膜条件は（ｄ）と同様であ
る。この時の、縦方向の比抵抗値、アニール後の比抵抗
値、また反射率の結果を表２に示した。
【００２７】
【表２】 表２より、Ｚｎ膜が１０Å以下の厚さである場合には酸
化防止膜としての役割を果たさず、Ａｌ下地の上に、直
接ＺｎＯ膜を成膜した時のように、下地膜が酸化され高
抵抗となることが分かる。また、Ｚｎ膜を厚くしていく
と、比抵抗は低くなっていくが、金属としてのＺｎの色
がつき、反射率が悪くなってしまい、前述したような、
反射膜としての機能が果たせなくなってしまうという問
題が発生する。これより、Ａｌ膜の酸化防止のためのＺ
ｎ膜も、その性質上適切な膜厚で用いることが必要であ
ることが分かる。
化防止膜としての役割を果たさず、Ａｌ下地の上に、直
接ＺｎＯ膜を成膜した時のように、下地膜が酸化され高
抵抗となることが分かる。また、Ｚｎ膜を厚くしていく
と、比抵抗は低くなっていくが、金属としてのＺｎの色
がつき、反射率が悪くなってしまい、前述したような、
反射膜としての機能が果たせなくなってしまうという問
題が発生する。これより、Ａｌ膜の酸化防止のためのＺ
ｎ膜も、その性質上適切な膜厚で用いることが必要であ
ることが分かる。
【００２８】（実施例３）実施例１で示した（ａ）〜
（ｆ）の６種類の成膜条件によって反射膜を成膜し、そ
の上に更にａ−Ｓｉを成膜し、太陽電池素子とし、その
変換効率を調べた。結果を表３に示した。表３におい
て、（ａ),（ｂ),（ｃ）は図３に示す従来の層構成であ
り、また（ｄ),（ｅ),（ｆ）は図２に示す本発明に係わ
るａ−Ｓｉ太陽電池の層構成である。図２において本発
明に係わる反射膜は、Ａｌ膜２０２、Ｚｎ膜２０３、並
びにＺｎＯ膜２０４の３層構成となっている。
（ｆ）の６種類の成膜条件によって反射膜を成膜し、そ
の上に更にａ−Ｓｉを成膜し、太陽電池素子とし、その
変換効率を調べた。結果を表３に示した。表３におい
て、（ａ),（ｂ),（ｃ）は図３に示す従来の層構成であ
り、また（ｄ),（ｅ),（ｆ）は図２に示す本発明に係わ
るａ−Ｓｉ太陽電池の層構成である。図２において本発
明に係わる反射膜は、Ａｌ膜２０２、Ｚｎ膜２０３、並
びにＺｎＯ膜２０４の３層構成となっている。
【００２９】
【表３】 表３から分かるように、Ａｌ基板上にＺｎＯ膜を直接つ
けたものは変換効率がかなり低くなっている。これに対
し、Ｚｎ膜をＺｎＯ膜の下地としたものは変換効率は高
くなっている。従って、ＺｎＯ膜の下地としてＺｎ膜を
つけることにより、太陽電池素子として検討した場合に
も、変換効率の点でかなりの効果が見られることが分か
った。
けたものは変換効率がかなり低くなっている。これに対
し、Ｚｎ膜をＺｎＯ膜の下地としたものは変換効率は高
くなっている。従って、ＺｎＯ膜の下地としてＺｎ膜を
つけることにより、太陽電池素子として検討した場合に
も、変換効率の点でかなりの効果が見られることが分か
った。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、金
属膜または合金膜の上に金属膜を成膜した層構成を持つ
太陽電池用反射膜において、金属酸化膜の下地として、
この金属酸化膜に含有される金属からなる中間金属膜を
成膜する構成としたので、金属膜または合金膜における
成膜過程の際や金属酸化膜による酸化が防止され、低抵
抗の膜とすることできる。そして、従来法では酸化のた
めに成膜法が限られてきたが、本発明によれば下地基板
である金属膜あるいは合金膜の酸化の影響が除かれるの
で、多種の材料及び成膜方法によりこれらの上に金属酸
化膜を成膜することが可能となる。
属膜または合金膜の上に金属膜を成膜した層構成を持つ
太陽電池用反射膜において、金属酸化膜の下地として、
この金属酸化膜に含有される金属からなる中間金属膜を
成膜する構成としたので、金属膜または合金膜における
成膜過程の際や金属酸化膜による酸化が防止され、低抵
抗の膜とすることできる。そして、従来法では酸化のた
めに成膜法が限られてきたが、本発明によれば下地基板
である金属膜あるいは合金膜の酸化の影響が除かれるの
で、多種の材料及び成膜方法によりこれらの上に金属酸
化膜を成膜することが可能となる。
【図１】本発明の実施例で使用した薄膜形成装置を示す
説明図である。
説明図である。
【図２】本発明に係わるａ−Ｓｉ太陽電池の層構成の一
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図３】従来のａ−Ｓｉ太陽電池の層構成を示す断面図
である。
である。
１０１ 成膜室、 １０２ ガス導入バルブ、 １０３ ＳＵＳ基板、 １０４ 真空バルブ、 １０５ 排気装置、 １０６ ターゲット、 １０７ 電源、 ２０１ ＳＵＳ基板、 ２０２ Ａｌ膜、 ２０３ Ｚｎ膜、 ２０４ ＺｎＯ膜、 ２０５ ａ−Ｓｉ層（ｎ層）、 ２０６ ａ−Ｓｉ層（ｉ層）、 ２０７ ａ−Ｓｉ層（ｐ層）、 ２０８ 透明導電膜、 ２０９ 集電電極、 ３０１ ＳＵＳ基板、 ３０２ Ａｌ膜、 ３０３ ＺｎＯ膜、 ３０４ ａ−Ｓｉ膜（ｎ層）、 ３０５ ａ−Ｓｉ膜（ｉ層）、 ３０６ ａ−Ｓｉ膜（ｐ層）、 ３０７ 透明導電膜、 ３０８ 集電電極。
Claims (3)
- 【請求項１】 金属膜または合金膜上に金属酸化膜を成
膜してなる太陽電池用反射膜であって、 前記金属膜または合金膜上に前記金属酸化膜に含有され
る金属からなる中間金属膜が成膜されていることを特徴
とする太陽電池用反射膜。 - 【請求項２】 前記中間金属膜の膜厚が２０Å〜２００
Åであることを特徴とする請求項１記載の太陽電池用反
射膜。 - 【請求項３】 金属膜または合金膜上に金属酸化膜を成
膜してなる太陽電池用反射膜の形成方法であって、 前記金属膜または合金膜上に前記金属酸化膜に含有され
る金属からなる中間金属膜を成膜した後、前記金属酸化
膜を成膜することを特徴とする太陽電池用反射膜の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4343016A JP2886014B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 太陽電池陽反射膜及びその形成方法並びに太陽電池及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP4343016A JP2886014B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 太陽電池陽反射膜及びその形成方法並びに太陽電池及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196736A true JPH06196736A (ja) | 1994-07-15 |
| JP2886014B2 JP2886014B2 (ja) | 1999-04-26 |
Family
ID=18358291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4343016A Expired - Fee Related JP2886014B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 太陽電池陽反射膜及びその形成方法並びに太陽電池及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2886014B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5620530A (en) * | 1994-08-24 | 1997-04-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Back reflector layer, method for forming it, and photovoltaic element using it |
| CN100389478C (zh) * | 2002-07-18 | 2008-05-21 | 佳能株式会社 | 叠层体形成方法以及光电器件的制造方法 |
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-
1992
- 1992-12-24 JP JP4343016A patent/JP2886014B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5620530A (en) * | 1994-08-24 | 1997-04-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Back reflector layer, method for forming it, and photovoltaic element using it |
| CN100389478C (zh) * | 2002-07-18 | 2008-05-21 | 佳能株式会社 | 叠层体形成方法以及光电器件的制造方法 |
| US8040054B2 (en) | 2008-01-31 | 2011-10-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Organic electroluminescence type display apparatus and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2886014B2 (ja) | 1999-04-26 |
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