JPS59167071A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池Info
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- JPS59167071A JPS59167071A JP58040039A JP4003983A JPS59167071A JP S59167071 A JPS59167071 A JP S59167071A JP 58040039 A JP58040039 A JP 58040039A JP 4003983 A JP4003983 A JP 4003983A JP S59167071 A JPS59167071 A JP S59167071A
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- JP
- Japan
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- substrate
- layer
- solar battery
- thickness
- amorphous silicon
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PIN type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属基板上に、例えばｐ −ｉ −ｎ構造４）
ような異なる性質のアモルファスシリコン層のヰ層構造
が形成され、基板と反対側より入射する光によって光起
電力を生ずるアモルファスシリコ（４１Ｊ ；＜以下ａ
−８ｉと記す）太陽電池に関する。
ような異なる性質のアモルファスシリコン層のヰ層構造
が形成され、基板と反対側より入射する光によって光起
電力を生ずるアモルファスシリコ（４１Ｊ ；＜以下ａ
−８ｉと記す）太陽電池に関する。
、、Ｑ Ｓ ＝太陽電池はプラズマグロー放電法１反応
・蛙°スパッター法、真空蒸着法等通常の薄膜製造技術
により形成でき、またそれに使用される基板の材質も２
００乃至４００℃の耐熱性があれば、金属。
・蛙°スパッター法、真空蒸着法等通常の薄膜製造技術
により形成でき、またそれに使用される基板の材質も２
００乃至４００℃の耐熱性があれば、金属。
ガラス、有機材等選択の自由度がかなり大きく、単結晶
太陽電池や多結晶太陽電池に比べて材料コスト及び製造
コストを大幅に低減できる可能性がある。特に金属基板
の場合、ステンレス鋼板という比較的低価格な材料を用
いることが出来、太陽電池の実用化に対して有望である
。しかし、ｉｓようにするには、基板表面を鏡面状態に
仕上げる必要があり、これがａ−８ｉ太陽電池の材料コ
ストを増大させ、低価格化への障害となっている。
太陽電池や多結晶太陽電池に比べて材料コスト及び製造
コストを大幅に低減できる可能性がある。特に金属基板
の場合、ステンレス鋼板という比較的低価格な材料を用
いることが出来、太陽電池の実用化に対して有望である
。しかし、ｉｓようにするには、基板表面を鏡面状態に
仕上げる必要があり、これがａ−８ｉ太陽電池の材料コ
ストを増大させ、低価格化への障害となっている。
本発明は、基板表面状態の影響を低減させ、鏡面仕上げ
による材料コストの上昇を押え、低価格で安定なａ −
Ｓ ｉ太陽電池を提供することを目的と」二る。
による材料コストの上昇を押え、低価格で安定なａ −
Ｓ ｉ太陽電池を提供することを目的と」二る。
、この目的は、金属基板上に異なる性質のａ −Ｓ ｉ
゛ζ職−５積層された太陽電池において、基板に隣接す
２１層の厚さが１０００＾以上とすることによって達成
される。
゛ζ職−５積層された太陽電池において、基板に隣接す
２１層の厚さが１０００＾以上とすることによって達成
される。
”本８発明は金属基板の表面粗さが異なる層の間の痰１
谷に及ぼす影響を金属基板に隣接する層の厚さ；を−厚
くすることにより低減するとの考えに基づいている。た
ゾし厚すぎると抵恍が大きくなり、元起電流？こよる損
失が増加するので、その層の抵抗率にもよるが通常２０
０ＯＡ以下に抑えられる。
谷に及ぼす影響を金属基板に隣接する層の厚さ；を−厚
くすることにより低減するとの考えに基づいている。た
ゾし厚すぎると抵恍が大きくなり、元起電流？こよる損
失が増加するので、その層の抵抗率にもよるが通常２０
０ＯＡ以下に抑えられる。
以下、図と試験結果を引用して本発明の効果について説
明する。金属基板として表面粗さの異なる５種類のステ
ンレス鋼板を用意した。試料Ａは従来の太陽電池に用い
られている鏡面仕上げの基板であり、試料Ｂ、Ｃ，Ｄは
それと研摩の度合いの異なる基板、試料Ｅは研摩なしの
圧延のままの基板である。これらの基板を用いて第１図
に示すように基板１の上置８ｉＨ４とＰＨｓの混合ガス
からのプラズマグロー放電法によりｎ型ａ −８ｉ層２
を堆積し、次いで同様に８ｉＨ４のみおよび８ ｉ層４
とＢ２Ｈ６の混合ガスから１層３，９層４を積層した。
明する。金属基板として表面粗さの異なる５種類のステ
ンレス鋼板を用意した。試料Ａは従来の太陽電池に用い
られている鏡面仕上げの基板であり、試料Ｂ、Ｃ，Ｄは
それと研摩の度合いの異なる基板、試料Ｅは研摩なしの
圧延のままの基板である。これらの基板を用いて第１図
に示すように基板１の上置８ｉＨ４とＰＨｓの混合ガス
からのプラズマグロー放電法によりｎ型ａ −８ｉ層２
を堆積し、次いで同様に８ｉＨ４のみおよび８ ｉ層４
とＢ２Ｈ６の混合ガスから１層３，９層４を積層した。
上［Ｊｐｎ層２の厚みは本発明の実施例としての太陽電
池譚は１０００ないし２００ＯＡ 、比較例としての太
陽電池では従来と同様２００ないし５００＾、１層３．
９１層４の厚さはいずれもそれぞれ４０００ないし１９
ｏｏＡ 、 ５０ないし１５０Ｘ とした。これら
の太陽電池の使用可能か否かの判断を下す性能指数とし
て、光照射時の開放電圧（Ｖｏｃ ）をとり上げ、Ｖｏ
ｃの平均値より２０チ以上低いＶｏｃを示した太陽電池
を不良と判断した。各基板の表面粗さは■東京精密製表
面粗さ計画品名サーフコム３００Ａを使用し、ＪＩ８Ｂ
Ｏ６０１に従って十点平均粗さで測定した。第１表に各
基板を用いた比較例、本発明の実施例の太陽電池におけ
る不良発生率を示す。
池譚は１０００ないし２００ＯＡ 、比較例としての太
陽電池では従来と同様２００ないし５００＾、１層３．
９１層４の厚さはいずれもそれぞれ４０００ないし１９
ｏｏＡ 、 ５０ないし１５０Ｘ とした。これら
の太陽電池の使用可能か否かの判断を下す性能指数とし
て、光照射時の開放電圧（Ｖｏｃ ）をとり上げ、Ｖｏ
ｃの平均値より２０チ以上低いＶｏｃを示した太陽電池
を不良と判断した。各基板の表面粗さは■東京精密製表
面粗さ計画品名サーフコム３００Ａを使用し、ＪＩ８Ｂ
Ｏ６０１に従って十点平均粗さで測定した。第１表に各
基板を用いた比較例、本発明の実施例の太陽電池におけ
る不良発生率を示す。
第 １ 表
第１表から明らかなように、従来の基板ではｎ層の厚さ
による差はないが、表面粗さの太きいものでは本発明に
よりｎ層を厚くした場合に著しくＸ：１発生率が減少す
る。すなわち、ａ −８ｉ太陽電池を製造する場合、基
板に隣接する第一層の膜厚をユＯＯＯλ以上とすること
により、従来０．０４〜０−０６μｍＲｚの表面粗さに
研摩仕上げをしなければならなかった金属基板を、表面
粗さ０．２〜０．３μｍＲｚまで引き下げることができ
るようになった。
による差はないが、表面粗さの太きいものでは本発明に
よりｎ層を厚くした場合に著しくＸ：１発生率が減少す
る。すなわち、ａ −８ｉ太陽電池を製造する場合、基
板に隣接する第一層の膜厚をユＯＯＯλ以上とすること
により、従来０．０４〜０−０６μｍＲｚの表面粗さに
研摩仕上げをしなければならなかった金属基板を、表面
粗さ０．２〜０．３μｍＲｚまで引き下げることができ
るようになった。
この表面粗さは研摩なしの金属表面でも得ることができ
、低価格太陽電池を容易に製造できるため得られる効果
はすこぶる大きい。
、低価格太陽電池を容易に製造できるため得られる効果
はすこぶる大きい。
なお上記の効果は金属基板側からｐ層、ｉ層。
ｎ層を順に積層したａ−８ｉ太陽電池のｐ層の厚さに関
しても同様に得ることができる。
しても同様に得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の太陽電池の断面図である。
１・・・金属基板、２・・・ｎ層、３・・・ｉ層、４・
・・ｐ層。 幇１図
・・ｐ層。 幇１図
Claims (1)
- １）金属基板上に異なる性質のアモルファスシリコン層
が積層されたものにおいて、基板に隣接する層の厚さが
１００ＯＡ以上であることを特徴とするアモルファスシ
リコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040039A JPS59167071A (ja) | 1983-03-12 | 1983-03-12 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040039A JPS59167071A (ja) | 1983-03-12 | 1983-03-12 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59167071A true JPS59167071A (ja) | 1984-09-20 |
Family
ID=12569764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58040039A Pending JPS59167071A (ja) | 1983-03-12 | 1983-03-12 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59167071A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102447000A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-05-09 | 杭州赛昂电力有限公司 | 薄膜太阳能电池及其形成方法 |
| CN102446990A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-05-09 | 杭州赛昂电力有限公司 | 基于晶硅的薄膜太阳能电池及其形成方法 |
| CN103107236A (zh) * | 2012-12-06 | 2013-05-15 | 杭州赛昂电力有限公司 | 异质结太阳能电池及其制作方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55121685A (en) * | 1979-03-12 | 1980-09-18 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of photovoltaic device |
| JPS564287A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-17 | Rca Corp | Amorphous silicon solar battery |
-
1983
- 1983-03-12 JP JP58040039A patent/JPS59167071A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55121685A (en) * | 1979-03-12 | 1980-09-18 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of photovoltaic device |
| JPS564287A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-17 | Rca Corp | Amorphous silicon solar battery |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102447000A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-05-09 | 杭州赛昂电力有限公司 | 薄膜太阳能电池及其形成方法 |
| CN102446990A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-05-09 | 杭州赛昂电力有限公司 | 基于晶硅的薄膜太阳能电池及其形成方法 |
| CN103107236A (zh) * | 2012-12-06 | 2013-05-15 | 杭州赛昂电力有限公司 | 异质结太阳能电池及其制作方法 |
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