JPS6249673A - 光起電力装置 - Google Patents

光起電力装置

Info

Publication number
JPS6249673A
JPS6249673A JP60190803A JP19080385A JPS6249673A JP S6249673 A JPS6249673 A JP S6249673A JP 60190803 A JP60190803 A JP 60190803A JP 19080385 A JP19080385 A JP 19080385A JP S6249673 A JPS6249673 A JP S6249673A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate
aluminum
substrate
insulating layer
stainless steel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60190803A
Other languages
English (en)
Inventor
Zenichiro Ito
伊藤 善一郎
Koshiro Mori
森 幸四郎
Koichi Yamasaka
山坂 孝一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP60190803A priority Critical patent/JPS6249673A/ja
Publication of JPS6249673A publication Critical patent/JPS6249673A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548Amorphous silicon PV cells

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明け、非晶質シリコンを用いた太陽電池などの光起
電力装置の複合基板に関するものである。
従来の技術 最近、非晶質シリコン光起電力素子を用いた太陽電池あ
るいは光センサなどの光起電力装置が注目されれている
。それは非晶質シリコンの場合、基板上に通常1μm程
度の薄膜を低温のプラズマcvn装置等により形成すれ
ばよく、省資源、省エネルギーとなり、低コスト化の可
能性が大きいためである。また螢光灯などの低照度の室
内光下で比較的出力が大きいと云う特長があり、電卓な
どの民生機器の電源、あるいは光センサとして種々の用
途に向けて開発が進められている。上記非晶質シリコン
光起電力素子は単素子当りの出力電圧が0.6〜0.8
vと低いため、民生機器などに用いるには、複数個の素
子を直列接続する必要がある。そのため、絶縁材である
ガラス板に複数のパターニングされた透明電極を設けた
基板上に、非晶質シリコンを堆積させ、その上面に裏面
電極としてパターニングされた金属電極を配設して、同
一基板上で複数の素子が直列接続されるようにした通常
「集積型」と呼ばれる光起電力装置が、従来から電卓用
などに作られてきた。しかし、ガラス基板式のものは、
衝撃に弱くて破損しゃすく、可撓性にも乏しいことなど
から、可搬型、薄形の機器には不十分な点があった。そ
の改良案として、光沢研摩したステンレス鋼板の表面に
ポリイミド樹脂などの耐熱性の樹脂絶縁材料を塗着した
基板が考えられた。これはフレキシブルで、耐衝撃性に
すぐれるが、非晶質シリコン堆積時などの加熱により、
ガス発生が生じやすく性能低下の原因となったり、ステ
ンレス鋼の研摩加工に手間がかかるどで基板として高価
に、なる等の問題があった。
さらに別の案として、特開昭59−152675号公報
に示されたように加工性のすぐれたアルミニウムの薄板
を用い、その表面を陽極酸化法などで酸化処理しム12
03を主体とする絶縁層を形成し、ガラス基板の代りに
用いるものもある。第4図は、その−例を示すもので、
同一基板上に4セルの非晶質シリコン光起電力素子を直
列接続されるように配設した光起電力装置を、厚さ方向
に拡大して示した斜視図である。図中21は、厚さ0.
3〜0.5 IIIの純アルミニウム板21+Lの上面
を硫酸あるいはシュウ酸溶液中で、陽極酸化処理を行な
うことにより、2〜10μmの厚さの酸化膜、すなわち
アルマイト化した絶縁層21bを設けたアルミニウム基
板である。前記絶縁層21bの上面に、チタン、クロム
、ニッケル又はその合金などのメタル電極22をマスク
を用いて所定の形状に4分割して真空蒸着などによって
形成する。次いで、その上面にシラン等のプラズマ分解
によってp−1−n層から成る厚さ約0・6μmの非晶
質シリコン層23を堆積する。その上面に、マスクを用
いるか又はホトエツチング法によりメタル電極22に対
応した形状にITO膜などの透明電極24を真空蒸着法
で形成する。この際、各透明電極の延長部240は隣り
のメタル電極22と接続するように、また負極端子部2
42L、正極端子部24bを形成するように透明電極を
蒸着する。さらに上面(矢印P)から、透明エポキシ樹
脂等のパッジベージロン塗膜(図示せず)と設けて電卓
用等屋内民生用の光起電力装置を完成する。この光起電
力装置は、落下衝撃に耐え、比較的に軽量で、若干の円
弧状面に沿って取付けが可能であり、基板コストも比較
的安価であるなどの特徴を有する。
発明が解決しようとする問題点 上記第4図に示した従来の光起電力装置のアルミニウム
基板21の場合、加工性は良好であるが、機械的強度が
低く、弾性力に乏しい。この基板にプラズマCVD装置
を用いて非晶質シリコン層23を堆積したり、透明電極
24を蒸着する際に、基板は200〜3oo℃に加熱さ
れることによって焼鈍効果が生じて軟化し、さらに強度
低下してしまう。その結果、厚さが0・3u以下の基板
では、工程中で変形したり、使用時の僅かな外力で変形
し、絶縁層21bを形成するアルミナが硬質であるため
亀裂を生じて、絶縁性が低下し、一部の素子が短絡した
りする問題があった。
厚さが0.5 f1以上の基板では比較的変形しにくく
はなるが、可撓性に乏しくなってしまいアルミニウム基
板を用いる特徴が減少してしまうという問題があった。
本発明はこのような問題点を、アルミニウム又はアルミ
ニウム合金板に、これらよりも耐熱性及び弾性率が高い
金属板を圧着した複合基板を使用するにより解決するこ
とを目的とするものである。
問題点を解決するための手段 本発明は、上記アルミニウム基板の問題点を解決するた
めに、アルミニウム又はアルミニウム合金板に、これら
よりも耐熱性及び弾性率が高い金属、例えばステンレス
鋼板を圧着し、このアルミニウム又はアルミニウム合金
の表面を陽極酸化法などの酸化処理によって絶縁層化し
て、表面が電気的に絶縁された複合基板上に複数の非晶
質シリコン光起電力素子を形成したものである。
作用 このようにアルミニウム又はアルミニウム合金よりも高
い耐熱性及び弾性率を有するステンレス鋼などの金属板
を、加工性のよいアルミニウム又はアルミニウム合金と
圧着し、その表面に酸化によって絶縁層を形成した基板
では、前記したように、工程中で200〜300 ’C
に加熱され、アルミニウム又はアルミニウム合金層が軟
化しても、これに圧着したステンレス鋼等の金属板は軟
化せず、全体として弾性力などの機械的強度を維持する
ことができる。
実施例 以下、本発明の一実施例を図面にもとづいて説明する。
第1図において、1は複合基板であり、5US304バ
ネ用鋼板などのようにアルミニウム又はアルミニウム合
金板より、耐熱性1機械的強度のある弾性を有する金属
板1aの上面にアルミニウムの薄板1bを圧着し、陽極
酸化法によってアルミニウム薄板の表面を酸化させて絶
縁層1cを設けたものである。その製法の一例を次に述
べる。
第2図は圧延ロールによって、弾性を有する金属板とア
ルミニウム板とを同時に圧延し圧着す、る方法(通称ロ
ール圧着クラッド法と呼ばれる)を示し、31a−31
b、32a ・32b、33a−33bの3対の圧延ロ
ールにより、順次圧延度を犬にして2枚の金属板を一体
化するものである。
図において、1&は弾性を有する金属板として厚さ0.
1ff(7)SUS304.5US430などノステン
レス鋼板で65.1bは厚さ0.1jffのアルミニウ
ム板(純度99.99%)で、この2枚を重ねて3対の
ロールにより順次圧延度を増加し、最終厚さを0.12
5MNに調整し一体化しクラツド板とした。このとき、
ステンレス鋼部1aの厚さは0−081111、アルミ
ニウム板部1bのそれは0.045麿となった。このク
ラツド板のアルミニウム部1bの表面を、シュウ酸溶液
中で電気化学的に陽極として通電する陽極酸化法によっ
て処理し、2〜5μm厚さの酸化アルミニウム(アルマ
イト)から成る絶縁層1Cを設け(図示せず)、第1図
の複合基板1を得る。この複合基板1の絶縁層1Cの上
面に、チタン又はクロムを、メタルマスクを用いて蒸着
し、4個の独立した所定パターンの厚さ20oOムのメ
タル電極2を設ける。次いで、プラズマCVD装置に入
れ、複合基板1を250″Cに加熱し、シラン及びドー
ピングガスを所定量流してグロー放電によりプラズマ分
解し、n層(約5ooX)、i層114000A)、p
層(約1ooX)から成る非晶質シリコン層3を堆積す
る。次に、メタル電極に対応する所定形状のパターンに
なるよう、メタルマスクを用いて複合基板1全体を約2
60°Cに加熱しながら、酸化インジウム:酸化スズが
95:6の重量比の酸化物を、真空蒸着機により真空蒸
着し、4分割された厚さ700人の透明電極4、負極端
子部4a、正極端子部4bを形成する。この際、各分割
された透明電極からの延長部は第4図に示した従来例の
場合と同様に隣りの素子のメタル電極上に蒸着され、各
素子間が直列に接続される。透明電極4の上面から、透
明エポキシ樹脂を20μm厚さで、スクリーン印刷法で
端子部42L 、4bを除いて塗着し熱硬化させ、4個
の非晶質シリコ/光起電力素子が直列接続された太陽電
池光起電力装置が完成する。
本発明の利点を確実なものとするには、複合基板1の構
成条件がポイントであり、基板全体の弾性度、機械強度
を得るためには、第1図1aの耐熱性に優れ弾性を有す
る金属板として、ステンレス鋼、特にバネ用材、あるい
はバネ鋼材、ニッケル鋼材など弾性率の強い、機械強度
の大なる鋼材から選択すること。及び、圧着した後の弾
性を有する金属部1aとアルミニウム部1bの厚さ比率
に注意することであり、アルミニウム部の厚さ比率は、
60%以下、好ましくは15〜40%とするのが適切で
ある。この比率にすることによって、弾性度の大きい復
元性のある光起電力装置を得ることができる。またコス
ト面でも、アルミニウム単独基板とほぼ同程度の低コス
トな基板価格になり、ステンレス鋼板にポリイミド等の
耐熱樹脂を塗着した基板と同等のフレキシブルな、強度
のあるものとすることができる。
次に本発明の第2の実施例を第3図によって説明する。
図において、11は複合基板で、5US301バネ用ス
テンレス鋼板11a1の上下面にアルミニウム板11b
、11cを圧着し、アルミニウムの表面を陽極酸化法に
より2μm厚さの絶縁層(アルマイト層)11dを設け
たものである。
この場合、絶縁層11dは上側のアルミニウム上面側だ
けとしてもよい。圧着後の厚さを0.1611IIII
とした場合、ステンレス鋼部11aは、約0.9M1g
上下のアルミニウム部は各々約0.3 ztx (アル
ミニウムの厚さ比率は20%+20%−40%)である
尚、実施例において、アルミニウムの表面を酸化する方
法として陽極酸化法を用いたが、他の酸化剤を用いる方
法、あるいけ水蒸気処理を併用してもよい。また、複合
基板の圧着法として爆着法を用いてもよい。
発明の効果 以上述べたように本発明は、アルミニウム又はアルミニ
ウム合金と、これらよりも機械的強度が大きく弾性を有
する金属板とを適切比率で圧着したもののアルミニウム
面を酸化処理して絶縁層化した複合基板を用いることK
より、小型民生用、特にポケッタブルな薄型機器などフ
レキシブル性で、機械強度を要求する機器に適した光起
電力装置を提供することができる。また、ステンレス鋼
に、ポリイミドなどの耐熱性樹脂を塗着した基板と比べ
て、低コストで、工程中でガス発生が無く、安定した電
池特性を得ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例における光起電力装置を示
す斜視図、第2図は同党起電力装置の複合基板を製作す
る圧着工程を示す図、第3図は別の実施例を示す斜視図
、第4図は従来のアルミニウム基板を用いた光起電力装
置を示す斜視図である。 1・・・・・・複合基板、1&、112L・・・・・・
弾性を有する金属部(ステンレス鋼)、1 b 、 1
 lb、110・・・・・・アルミニウム部、10.1
1(1・・・・・・酸化処理によって形成された絶縁層
(アルマイト層)、2・・・・・・メタル電極、3・・
・・・・非晶質シリコン層、4・・・・・・透明電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 九 12  図 第3図 先 第4図光

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. アルミニウム又はアルミニウム合金板に、これらよりも
    耐熱性及び弾性率が高い金属板を圧着し、前記アルミニ
    ウム又はアルミニウム合金板の表面を酸化処理によって
    絶縁層を形成した複合基板上に、複数の非晶質シリコン
    光起電力素子を構成したことを特徴とする光起電力装置
JP60190803A 1985-08-29 1985-08-29 光起電力装置 Pending JPS6249673A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60190803A JPS6249673A (ja) 1985-08-29 1985-08-29 光起電力装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60190803A JPS6249673A (ja) 1985-08-29 1985-08-29 光起電力装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6249673A true JPS6249673A (ja) 1987-03-04

Family

ID=16264001

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60190803A Pending JPS6249673A (ja) 1985-08-29 1985-08-29 光起電力装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6249673A (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010212336A (ja) * 2009-03-09 2010-09-24 Fujifilm Corp 光電変換素子とその製造方法、及び太陽電池
JP4629153B1 (ja) * 2009-03-30 2011-02-09 富士フイルム株式会社 太陽電池および太陽電池の製造方法
WO2011093065A1 (en) * 2010-02-01 2011-08-04 Fujifilm Corporation Insulating metal substrate and semiconductor device
US20110186102A1 (en) * 2010-02-01 2011-08-04 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion element, thin-film solar cell, and photoelectric conversion element manufacturing method
US20110186103A1 (en) * 2010-02-01 2011-08-04 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion element, thin-film solar cell, and photoelectric conversion element manufacturing method
JP2011159685A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Fujifilm Corp 太陽電池の製造方法
JP2011165790A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Fujifilm Corp 太陽電池およびその製造方法
JP2011171379A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Fujifilm Corp 金属複合基板およびその製造方法
JP2011181746A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Fujifilm Corp 太陽電池モジュール及び太陽電池装置
JP2011233874A (ja) * 2010-04-07 2011-11-17 Fujifilm Corp 絶縁層付金属基板および光電変換素子
WO2012008149A1 (ja) * 2010-07-14 2012-01-19 富士フイルム株式会社 電子デバイス用基板および該基板を備えた光電変換装置
WO2012095954A1 (ja) * 2011-01-12 2012-07-19 株式会社Neomaxマテリアル 太陽電池用金属基板および太陽電池用金属基板の製造方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010212336A (ja) * 2009-03-09 2010-09-24 Fujifilm Corp 光電変換素子とその製造方法、及び太陽電池
EP2415081A1 (en) * 2009-03-30 2012-02-08 FUJIFILM Corporation Solar cell device and solar cell device manufacturing method
JP4629153B1 (ja) * 2009-03-30 2011-02-09 富士フイルム株式会社 太陽電池および太陽電池の製造方法
JP2011124526A (ja) * 2009-03-30 2011-06-23 Fujifilm Corp 太陽電池および太陽電池の製造方法
EP2415081A4 (en) * 2009-03-30 2013-11-20 Fujifilm Corp SOLAR CELL DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL DEVICE
JP2011159685A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Fujifilm Corp 太陽電池の製造方法
WO2011093065A1 (en) * 2010-02-01 2011-08-04 Fujifilm Corporation Insulating metal substrate and semiconductor device
US20110186102A1 (en) * 2010-02-01 2011-08-04 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion element, thin-film solar cell, and photoelectric conversion element manufacturing method
US20110186103A1 (en) * 2010-02-01 2011-08-04 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion element, thin-film solar cell, and photoelectric conversion element manufacturing method
KR101378053B1 (ko) * 2010-02-01 2014-03-28 후지필름 가부시키가이샤 절연성 금속 기판 및 반도체 장치
JP2011165790A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Fujifilm Corp 太陽電池およびその製造方法
JP2011171379A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Fujifilm Corp 金属複合基板およびその製造方法
JP2011181746A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Fujifilm Corp 太陽電池モジュール及び太陽電池装置
JP2011233874A (ja) * 2010-04-07 2011-11-17 Fujifilm Corp 絶縁層付金属基板および光電変換素子
JP2012023180A (ja) * 2010-07-14 2012-02-02 Fujifilm Corp 電子デバイス用基板および該基板を備えた光電変換装置
WO2012008149A1 (ja) * 2010-07-14 2012-01-19 富士フイルム株式会社 電子デバイス用基板および該基板を備えた光電変換装置
WO2012095954A1 (ja) * 2011-01-12 2012-07-19 株式会社Neomaxマテリアル 太陽電池用金属基板および太陽電池用金属基板の製造方法
JPWO2012095954A1 (ja) * 2011-01-12 2014-06-09 株式会社Neomaxマテリアル 太陽電池用金属基板および太陽電池用金属基板の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4754544A (en) Extremely lightweight, flexible semiconductor device arrays
JPS6289369A (ja) 光起電力装置
JPS6249673A (ja) 光起電力装置
JPH1065198A (ja) 直角三角形型太陽電池モジュール及びその製造方法
JPS61234082A (ja) 太陽電池のアレイを製造する方法
JPH0864850A (ja) 薄膜太陽電池及びその製造方法
JPS5861678A (ja) 非晶質シリコン太陽電池
JPS6130080A (ja) 装飾機能付太陽電池
JPH04118975A (ja) 光起電力装置及び製造方法
JPH11186576A (ja) 薄膜太陽電池とその製造方法
GB2117971A (en) Amorphous silicon photovoltaic device
JPS62128571A (ja) アモルフアスシリコン太陽電池
JPS61193488A (ja) 非晶質太陽電池の製造方法
JPS61265872A (ja) 太陽電池
JPS6141261Y2 (ja)
JPS5950571A (ja) 非晶質シリコン太陽電池の製造方法
JPS62113483A (ja) 薄膜太陽電池
JP4397091B2 (ja) 電子機器及び太陽電池モジュール
JPH01134976A (ja) 太陽電池の製造方法
JPS62147784A (ja) 非晶質太陽電池及びその製造方法
JPS639158A (ja) 太陽電池用透明導電膜
JPH0370184A (ja) 光起電力装置の製造方法
JPH1197723A (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法
JPS59167071A (ja) アモルフアスシリコン太陽電池
JPS60117685A (ja) 非晶質シリコン太陽電池