JPS6220381A - 二セレン化インジウム銅半導体膜の製造方法 - Google Patents

二セレン化インジウム銅半導体膜の製造方法

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JPS6220381A
JPS6220381A JP61119426A JP11942686A JPS6220381A JP S6220381 A JPS6220381 A JP S6220381A JP 61119426 A JP61119426 A JP 61119426A JP 11942686 A JP11942686 A JP 11942686A JP S6220381 A JPS6220381 A JP S6220381A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ウム銅（ＯＩ８　）を有する薄いフィルムのへテロ接合
光電池（　ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ　ｃｅｌｌ　）に
関しそしてさらに特定的にはそのよりなＯＩ８フィルム
を形成する方法に関する。
ＯＩ８半導体層を含む光起電カブ・々イス（　ｐｈｏｔ
ｏ　−ｖｏｌｌａｉｃ　ｄｅｖｉｃｅｓ　）の背景を説
明する参考文献は米国特許第４，３　３　５，２　６　
６号及び米国特許第４，４６　５、５　７　５号を包含
する。この特許の両方は参照することにより本明細書に
組み入れられる。米国特許第４，３　３　５，２　６　
６号はＯＩＳ／硫化カドミウム（Ｏｄ８）光電池の開発
に関するかなシの背景情報を提供する。前記米国特許第
４，３　３　５，２　６　６号は二つのわずかに異なる
領域におけるＯＩ８フィルムの溶着を包含するＯＩＳ溶
着（　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）方法における改良を教
示している。第１の領域は過剰の銅を有し、一方ではＯ
ｄＳ層に究極的に隣接している第２の領域は銅に不足し
ている。二つの領域間の拡散はデノ々イス接合での純銅
小塊（　ｎｏｄｕｌｅ　）の形成の可能性を減少させる
一方で所望のＯＩＳ層を形成する。前記米国特許第４，
３　３　５，２　６　６号では三種の元素が加熱された
基体上に同時に蒸着され、溶着されるにつれて化合物半
導体を形成する反応性蒸着技術を用いてＯＩ８材料が溶
着される。
前記米国特許第４，４　６　５，５　７　５号は前記米
国特許第４，３　３　５，２　６　６号と同じタイプの
デノ々イスを製造するための異なる反応性溶着方法を教
示している。主な違いは銅、インジウム及びセレンを溶
着するためにＤｏマグネトロ／スパッタリング装置を使
用することである。好ましい形態において、前記米国特
許第４，４　６　５，５　７　５号はＯＩ８フィルムを
溶着するためにＯｕ２８ｅ及びＩｎ２８ｅ３ターゲツト
を使用する。別法として、上記米国特許第４，４６　５
、５　７　５号は反応性溶着方法において元素軟銅、イ
ンジウム及びセレ／の共溶着を教示している。
種々の他の技術が捷たＯＩＳフィルムを溶着するために
使用されて来た。例えば刊行物ソーラーエネルギーマテ
リアルズ（Ｓｏｌａｒ　Ｅｎｅｒｇｙ　ＭａｔｅＢａｌ
ｓ）２（１９８０）第３６２〜３７２頁のジエー．ビー
コスゼブスキー（　Ｊ　、Ｐｌｅｋｏｓｚｅｗｓｋｉ　
ｌ等による”Ｆｔｌ？−スノぞツタリングされたＯｕＩ
ｎ８ｅ２薄いフィルム（　ＦＬＦ−８ｐｕｔｔｅｒｅｄ
　ＯｕＩｎＳｅ２　Ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓｌ”は合成さ
れたターゲットから加熱された基体上へＲＦスノぞツタ
リングによるＯＩ８フィルムの溶着を教示している。前
記ピーコスゼブスキーの書ハターゲットがプレスされる
粉末の粒子寸法が最終フィルムの品質の点から臨界的で
あることを教示している。したがって微細な粉末が使用
された場合、得られたフィルムはセレンに不足しており
そしてインジウムに富んでいた。刊行物ジャーナルオブ
エレクトロケミカルソサイアテイ（　Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｃ　−ｈｅｍ．８ｏｃ．　３　１　９　８　４年９月
第２１８２頁のティ。
エル．チュー（Ｔ．Ｌ．Ｏｈｕ）等による“大きな粒子
のニセレ／化インジウム銅フィルム（Ｌ　ａｒｇｅ　Ｇ
ｒａ−ｉｎ　Ｏｏｐｐｅｒ　Ｉｎｄｉｕｍ　Ｄｉｓｅｌ
ｅｎｉｄｅ　Ｆｉｌｍｓ　＋　−におい−（−二つの他
のフィルム溶着技術が論じｃ−）ｉｒしている。
？′７１ｒ）の技術ｔ、１別々σ）銅及びインジウムノ
・ｆルムを６空蒸着するか牛たは電気メッキ・−ζ−る
かのいずノ１かを行ブｒいイ゛し２で次に±し７ノを含
イ１する雰囲気中にｉ？いて得ら１１．　＊化合物フィ
ルム金熱処理す、礼ことを包含する。この刊行物は銅対
インミクウノ、比のコントロールが必須であ１】そして
別々の溶着−７１稈の使用が溶着される林料の比ｆ’Ｊ
ント「レールすイ）ｉｌ−！力分増人−することを認め
−ｌ−いる。
２つの他の刊行物ｋｔ　（１１８″ノイルノ・を溶着す
る他の方法ケ論じτおり７そ［４，てＯＩＳフィルムと
酸化非錯との間に接合が形成される光か−！、４　’ｊ
ｌｉ　’、、ｊＪ横竜を教示している。これらの第１は
薄い固体フィルム（Ｔｈ１ｎ　　Ｒｎ目ｄ　　Ｆｌｌｒ
ｎＪ９０（１９８２３第４　１　９　□＝４２３はの上
ム　ｘス７トマ−（Ｍ　、　８　、　Ｔｏｍｅ　ｒ　）
　’Ｊに２しる表題”スプレー熱分ｊ竹により全体的に
つくらｔ１／’ｒ、　Ｚｎ（’）／ｐ−０ｕＩｎＳｅ２
　′ｆＩＸりいフィルス・太陽重油。
（Ａ　Ｚｎｒ）／ｐ−０ｕＴｎ８ｅ２’ｌ”ｈｉｎ　Ｆ
ｉｌｍ　５ｏｌａｒ　Ｃｅ１ｌＰｒｅｐａｒｅｄ　　Ｅ
ｎｔｉｒｅｌｙ　Ｂｙ　５ｐｒａｙ　Ｐｙｒｏｌｙｓｉ
ｓ”ｆある。
トマ−のｒ？ｆＪ掲書に４？いて、３；１０〜５５０℃
の基体温用゛アスプレー熱分Ｗｆにより酸化錫被覆ガラ
ス基体上に酸化１ｉｆｊ鉛が溶着さハる。（］■８層の
同様な溶着後、約２係の効率の光起電力応答が測定され
〃−ｏポリソー　ラーイ／−１ボレー−−−−フツド（
Ｐｏ１ｙ　５ｏ−１ａｒ　Ｉｒ＋ｃｏｒｐｏｌａｌｅ＋
口による最終レボニート１９８４年３月の５ＥＲＩ／８
’Ｉ’ｌ（、、−２１１２２４７中の表題７化学的蒸気
溶着さね〃ニニセレ／什インジウノ・銅薄いフィルム材
利研９　（（ｊｈｅｍｉｅａｌ　Ｖａｐｏｒ　１）ｅｐ
ｏｓ−目ｅｄ　　（ｌｏｐｐｅ＋ｒ　　Ｉｎｄｉｕｍ　
　Ｄｉｌｉｅｌｅｎｉｄｅ　　’Ｉ’ｈｊｎ　　Ｘ肖１
ｍＭａ−１ｅｒｉａｌｓ　［Ｌｅｓｅａｒｃｌｉｌ”　
レポートにおいて近接した空間の化学蒸気輸送技術によ
り溶着され／こＯＩ　Ｓノイルム＃−Ｖ（１酸４Ｂ％鉛
ノイルムがイオンビームスパッタリング処理される。２
〜３係の範囲の光起電力効率がぞのようなデノ々イスで
達成された１、−に記診照特〆１゛及び刊行物＋、ｒ　
Ｍ好な光起１Ｍ、カデパイ、スを１）くるのに使用１”
る／Ｃめの高い品質のＯＩＳフ・イルムを溶着するため
の実際的技術全開発するために多くの努力がなされプこ
ことを示している。
非常に小さな面積の研究タイプのデ／セイスについては
かなりの効率が達成されたけ′！１ども、大きな面積、
例工ば少々くとも＋（０，４８ｃｍ　Ｘ　３０．４８　
ｅｎｒ（１フイー　トメ１フイー　ト）のデノ薯イスの
製肩ニつい公情好な方法は見いだされて〃がっｋｏ種々
の刊行物ｉｌＣおいて認めら第１る。Ｌうに適当な化学
ｔ１論的此の＋Ａ料がフィルムを形成Ｊ−るために溶着
さＩることが必須的である４、これ目？ｌＪｉ　守のデ
フ２イスにｈいてさえ困難であることが判明１．、−、
、　ｆｒ、。大き力市販用のデノよ・イスにノ二つ−Ｃ
１繰り返すことができる基板−Ｌ犬きガ表面積にわたつ
で非常に良好な均一性が達成されなければならない。
Ｌ、、、　７’ｒ：かって、本発明の目的ＩＴ、　Ｋい
品質の二−セＩ／ン化インジウノ・銅フィルムを＃着す
る／こめの改良されたＪＪ法ｆ揖供することである。
別々のＤＯマグネト１」ンスバッタリングノ１ソードケ
用いて第１に銅のフィルムを溶着［７、次に第１の銅フ
ィルム上にインジウムの別のフィルム金溶着し、そ１．
て次にセレン全含有するガスの存在下に鉋及びインジウ
ノ・の複合フイルノ、ケ加ＭＬ、て三種の元素の相互拡
散を生じさ伊ぞしてそれに↓り高品質のニセレン什イン
ジウム銅薄いフィルムを形成すＺ）ことにより本発明に
従って二十しン什インジウム銅フィルムが溶着される。
本発明の好ま１−２い形態において、銅フィルムの溶着
のまえに光起電力ヂノ々イスＮ極がまた別のｒ）　０マ
グネｌ−１：１ンスノゼツタリングカソ−ドにより基体
」二に溶着されそ１．て・すべてのフィルム、すなわち
その電極、銅及びインジウムは単一の真空室中において
順次溶着される。
添（＝ｊ図而面関連して次の好ましい態様の詳細な記載
を読むことにより本発明はより良く理解さ）することが
できる。
第１図は本発明による光起電力デノ々イスの横断面図で
ある。
第２図しｔ本発明において使用されるマグネトロンスパ
ッタリング装置の図１である。
ここで第１図に関して、本発明の方法を使用してつくら
れる光→電池１０の一部分の横断面図が提供される。電
池１０は約１〜３ξリメートルであるガラス基体１２、
好ましくはソーダ石灰ガラス上に構造的に支持される。
後方接触子は基体１２上に溶着された金属層１４からな
る。層１４は０．２〜２．０ミクロンの厚さにスパッタ
リングによす溶着されたモリブデンのフィルムから主と
してなる。好ましい形態において、１００〜５００オン
グストロームの厚さを有するクロムの最初のフィルムが
、基体１２への全体のデノ々イスのｊＬ［な接着を確実
にするためにガラス１２上にまず溶着される。デノ々イ
ス１０の第１の活性領域は約０．２〜２ミクロンの全体
的厚さを有するｐ−タイプの二セレン什インジウム鉋で
ある半導体層１６を含む。
層１６を溶着するための改良された方法は下にさらに詳
細に記載される。デノ々イス１０の第２の活性部分はａ
ｔＬｓまたはＺｎＯのようなｎ−タイプの半導体材料の
層１Ｂ及び２０を含む。好ましい態様において層１８及
び２０は主として酸化亜鉛から形成されそしてしたがっ
て本質的に太陽光線透過性である。層１８は高い抵抗率
を有しそして約１００〜２０００オングストロームの範
囲の厚さを有する比較的に純粋か酸化亜鉛である。他方
、層２０は導電性を増大させるために種々のドープ処理
または合金タイプの材料でありそして約２゜１０．００
０オングストロームの厚さを有する。デノ々イス１０は
列えばスパッタリング、蒸着ｔｆＣはメッキにより溶着
されたアルミニウムであってよい狭い金属の細片の形で
の一連の前面接触子２２によって児成される。
第２図に関連して、ここで、ブロック線図形で例示され
たカソードを有する本発明において有用なり（ｌｖグネ
トロンスパッタリング装置の側面図が提供される。その
ような装置は周知でそして市販されている。好ましい態
様において使用される装置は９９００シリーズの名称の
もとにカリフォルニア州フレモントのサーキットプロセ
スインクアパラタスインコーポレーテツｔ’　（Ｃ１ｒ
ｃｕｉｔｓＰｒｏｃｅｓ＋ｓｉｎｇ　Ａｐｐａｒａｔｕ
ｓ、Ｉｎｃ、ｌから手に入れられた。
簡略化のために第２図において５個だけが例示されてい
るけれどもこの装置は１０個のカソードを包含していた
。図示されていないけわども第２図の装置は基体１２が
室の中に入れられたりそして室から取り出されｆｃりす
るのを可能にするためにロードロック（Ｉｏａｄｌｏｃ
ｋｓ　Ｊを備えた真空室中に収納されている。その装置
の主要な機能的部分は一般的に配置において一列に並び
そして真空室を横切って延びてｂるＤＯマグネトロンス
パッタリングカンード２４を包含する。本発明の方法を
開発するのに使用された装置は１０個のマグネトロンス
パッタリングカソード２４を包含した。その装置はまた
一連のローラー２６上に支持された一対のコンベアチェ
ーン２５及びコントロールさｎ、＊速度で室中で基体１
２を動かす運転手段２８を包含する。その装置のさらに
詳細は上記米国特許第４．４６５，５７５号において提
供され、この目的のために特にこの特許を参照すること
によシ本明細書中に組み入れる。カソード２４は基体１
２の上方にあるように例示されているけれど本、それら
はまた上記米国特許第４，４６５，５７５号において例
示されているように基体１２の下で真空室の底に置かれ
ていてもよい。下に記載されているサンプルは上手にあ
るカソードを用いてつくられた。
第１図において例示されている構造を有するサンプルデ
ノ々イスは第２図において例示されているようが装置を
用いて造られた。これらのサンプルの製造において金属
のターゲットがカソード２４の表面に結合されそして３
７．’ｌ　８３　ｔｔｎ　（１４ａイ７チＪの長さ、１
２．０６５α（４フインチ）の幅及び０．６３５　ｃｒ
ｎ　（ａイ１ンチ］の厚さを有した。複数種の元素が一
つの定められたカソードからスパッタリングされる上記
米国特許第４，４６５，５７５号の反応性スパッタリン
グ技術とは対照的にたつｆｃ１種の元素が第２図のカソ
ード２４の各々からスパッタリングされる。これらの元
素はクロム、モリブデン、銅及びインジウムを包含１−
１各々の元素は特定された大きさを有するターゲットと
して提供される。すべての溶着のために真空室はアルゴ
ンガスの１０ミリトルの圧力で維持されそして基体１２
は加熱されないしまた冷却もされない。
２９５〜３０５ｙＮルトのカソード電圧及び５．０〜５
．５　ｍａ／ｃＪ（ミリアンペア／平方センチノー　ト
ル）の甫流密ｍ′全提供することによりソー　ダ石灰ノ
ｒラス基体１２トに約５００オンゲスｌ−ｏ−ムのＩｆ
さのクロムの第１層、が溶着されに０こ′ｔ１らの条件
は約２１オングストローム／秒の溶着速層二を生じた。
３４０へ〜３５０．ゼルトＩ）　（ｉのカソード′市川
及び２８．５へ−２９，６ｍａ／ｃｒｌの電流密度（ｉ
−提供することによりモリブデンの約２ミクロンの厚さ
の層が溶ｒｆさ、ｉｋｏこわらの条件に１、約１２５オ
／ゲスｌ−。
−ム／秒のモリブデン溶着速度全提供した。３８８・〜
；３９５ボルトＩ）（）のカソード電圧及び５．２＝５
．５ｍ　ａ　／−の電流密度全提供することにより銅の
２Ｏｆ’ｌＱ副ングストロ−ムの厚さの層が溶着された
。鋼溶）′？速度し１：約６４オンゲス□トローム／秒
であっｆ？：、。
４００−４１０ポルト［）０のカッ−ド電圧及び５．２
〜５　、５　Ｔｌｌ　ａ　／ｃＪの電流密度全提供する
ことによりインジウムが溶着され、この条件は約６６オ
ングストローム／秒の溶着速度を提供し／ζ。カソード
構造を運〈基体の一定速度について、溶着される全体の
フィルムの厚さけカッ−ド電圧及び得られる電流全調節
することによりかなりの範囲にわたって調節されること
ができる。より厚いフィルムは同じ材料について２つま
たはそれ以ヒのカソード全相いることにより達成される
ことができる。
製造状態において、これらの層の各々はｍ−の真空室に
おいてそ１−１て宰中の基体１２の一回の通過で順次に
溶着されることができた。製造さ７″１に実験用研究デ
ノ々イスについては、真空室中を基体１２が一回通過す
る際に１種の＋Ａ−料のみ、が溶着さノ］た。このこと
は勿論その処理のより良いコントロール全可能にしそし
て適当に溶着されるのを調べるだめの各層の観察ま／こ
は測定を可能にする。
、　５ｐの溶着速度で成る層、列えはモリブデンの最終
厚さは２回連続的通過の際同じ材料の溶着によ妙達成さ
れた。室は１０個のカソード構造を有１〜たけれどもサ
ンプル全製造するのに４個だけが利用されたことが分か
ることが出来る。製造状態において二回通過の均等性は
勿論、同じ材料、例えばモリブデンを溶着するために２
個のカソードを用いることにより達成されることが出来
る。
したがって方法が今斗で記載されたようにして約４００
０オングストロームの厚さのインジウムの層が約２００
０ｎングストロームのＪ９−さの銅の層上に溶着さｔｌ
こわは約１．０の所望の原子比を提供する。次に第１図
のニセレン化インジウム銅半導体層１６がセレン化とし
て知られている方法により形成された。複合鋼及びイン
ジウムフィルムを有する基体が別の炉中に置かれ、そこ
でそれはアルゴン中に希釈されたセレン、好捷しくは３
チ〜１５チＨ２Ｓ　ｅを含有するガスの存在下約１時間
約４００℃に加熱されそしてその後で同じ温度でさらに
２時間その材料を焼き入れした。この方法の結果と（２
て、銅、インジウム及びセレ７　ハ相互拡散しそして反
応して約１．５〜２．０ミクロンの厚さを有する高品質
のニセレン化インジウム銅フィルムを形成する。
したがって良好なＯＩＳフィルムを形成Ｌ＊ならはその
一ヒに種々の窓層材料を溶着することにより光起電力デ
ノ々イスが児成されることが出来る。上記参照特許によ
り例示されているように硫化カドミウムは窓層として使
用される典型的な物質である。しかしながら、好ましい
態様において、本質的に透明な酸化亜鉛フィルムがこの
目的のために使用された。このフィルムは什宝的蒸気溶
着（ＯＶＤＩ法により溶着された。フィルム１６を有す
る基体１２け加熱された支持体−にで真空室におかれた
。室は真空排気されそして基体温度は約１５０℃に調節
されそして約２０分間放置して安定化された。はじめの
温度を維持しながら約０．８６　）ルの圧力で８　ｓｅ
ｃｍ　（標準立方センナメートル７分）のジエチル亜鉛
、１０　ｓｅｃｍ　Ｈ２Ｏ及び１８６　ｇｃｃｍのアル
ゴンを含む反応性ガスを提供することにより、約９２９
．０３−（１平方フイートリの全基体面積にわたって、
扁い抵抗率の酸化亜鉛層１８が形成された。これらの条
件下、７００〜２０００オングストロームの厚さの酸化
亜鉛フィルムは２〜６分の時間で溶着されることができ
る。次に層２０は異なる反応性ガス混合物を用いてその
方法を続けることにより溶着された。この混合物は８　
ｓｅｃｍ　　ジエチル亜鉛、１０　ｓｅｃｍ　Ｈ２Ｏ，
０，０７５ｓｒｃｍ　８２Ｈ６及び２００　ｓｅｃｍの
アルゴンを包含した。
約１ミクロンの厚さを有する高導電性層２０は約３０分
の処理時間でこれらの条件下溶着されることが出来る。
金属集電グリッド２２は任意の周知の方法によ鍛 り溶着されたアルミニウム甘たは続金属を用いて層２０
上に形成されることができる。
この方法により製造されたデノ々イスは７チを越える光
起電力効率全提供した。層１８及び２０が上記米国特許
第４．３３５，２６６号及び同第４，４６５．５７５号
において教示されているとおりにして形成されたがしか
しその他の点で同一であったサンプルデノ々イスはまた
７係を越える効率を提供した。そのサンプルデノ々イス
は多くの報告された研究デ・々イスに比較して比較的に
太きかつｆｃ４平方センチメートルの面ｎＲを有した。
その方法は実際には約３０．４８ｃｒｎＸ　３０．４８
ｃｒｎ（１フイート×１フイート）全体的大きさを有す
るキャリヤ上に置かれた各々１０１ｙｎ×１０ｃｒｎの
正方形の基体の３×３の配列上で行なわれた。上に記載
したようにカソードターゲットは３７．７８３ｅｍ（１
４−インチ）の全体的長さを有した。００マグネトロン
スパツタリングの技術において知られているように、各
々のカソードの末端での約７．６２　ｃｍ　（３インチ
）の領琥にわたって若干の縁効果（ｅｄｇｅ　ｅｆｆｅ
ｃｔ　Ｉ、即ち非均一性がある。しかしながら、そのよ
うな非均一性は一つのカソードから次のカソードへと比
較的に繰り返すことが出来る。上に記載されているよう
にそして種々の参考文献に記載されているように良好な
ＯＩ８フィルムを達成するのに最も臨界的な要素は溶着
される銅対インジウムの適当な比を与えることである。
したがって、０■Ｓフィルムの厚さはカソード２４の末
端近くで変化する可能性があるけれども適当な銅対イン
ジウム比が依然として達成されることが出来るのでこの
ことは全体的なデノ々イス品質上へのほんの二次的効果
を有するのにすぎない傾向である。製造状態において、
本質的に任意の所望の長さを有するカソードが使用され
、それにより良好な化学着論的比ばかりでなく、１２１
．９２ｃｒｎ（４フイートＪまたはそれ以上の寸法を有
する基体の全体の幅にわたって非常に均一なフィルムの
厚さもまた挿供する。
上に引用した参考文献は多くの技術が混合された結果を
有する（”ｌＩ８フィルムを溶着するために使用された
ことを例示するけれども上記本方法は製造状態のために
最適であると思われる。上に記載したように、一定のデ
ノ々イスをつくるために必要とされる多くの層は一つの
真空室中の一回の通過で溶着されることができる。別々
のカソードから別々の物質を溶着することにより、各々
の層の溶着においてより良い正確さ及び均一性が本質的
に同時の処理において達成されることが出来る。したが
って、各々のカソードからの溶着の速度はかなりの範囲
にわたって　　　　−、　　′速遣市膜←トヂ０嘲媚ボ
士すθイカソード電力の調節により容易にコントロール
される、上に記載したように有効な溶着速度はまた一定
の材料について複数のカソードを用いることにより簡単
に増大されることが出来る。あらゆる場合において溶着
速度の電気的コントロールは自動的コ／ピユータ−操作
コントロールに十分に適合させる、別のセレン化工程は
処理時間及び複雑性を増大するように思われるだろうけ
れどもそれは製造状態において費用を減少するだろう。
これは、一部分は、セレンが銅及びインジウムとは全く
異なりそして金属を溶着する真空室に含有させた場合多
くの問題を生ずる事実による。このことは基体が加熱さ
れなければならない反応性溶着法において特に真実であ
る。高い温度は真空室の多くの部品、列えはコンベアＲ
ルト及びローラーに作用する。
セレンの高い蒸気圧は、加熱されたシステムにおいて、
室のすべての部品がセレンにさらされそしてセレンによ
り損傷される可能性があり、例えばターゲット材料がセ
レ／と反応する傾向がありこの有害作用が溶着処理のコ
ントロールを妨げるということを確実にする。加熱され
たシステムにおいてのセレンの存在はまた室から危険な
物質の損失の危険を増大する。本発明は真空システムか
ら＋１〜パ／を［余人しイーＬパＣ杯１１及びインク１
ジノ、の溶矛イ中宰ｆＦ＝Ａ−（″操作するこ〕−によ
り（”力らσ）問題４−避しする。
セ１／′ン什は熱により冒。〜Ｊ［る連軸部品４・・Ｊ
ｆｌい〃い別の炉中で行なわ）′１イー（、−ｒ）大気
用Ｃ遂イイさ第１−．４ｊとが出来る。回分１（処理力
式で操作するｔｔ７１ども、炉は大きな容積を＊ｊ−４
乙と−とかできぞシ２．でイーれ故Ｖ（′傳ｊい処理能
１　’）Ｊ　ｔイ」するＣとかできる１、と゛のＪフ法
の純結果は４体重費用の減少Ｔ”ある４、本４（、明（
′り第１１点の全１．は鉢１フイ、ルー／、及び−イン
ジウノ・フィルムの溶宥の順序に関係なく達成さ第１る
ことが出来ることが認めｒ）第１よう。即ち、インジウ
ムがまず溶着されることが出来るだろうし２またはフイ
ルノ、類はより薄い層の一リーンドイツブーま〃−は重
ねとじで溶着されることが１１）来るだろう。好−ま（
２い態様ｔｉ１銅の１つの層の上にインジウノ・の−っ
の層Ｊ）方法を使用する、何故ならばイーれは他の溶着
法１１１Ｊ・川される＋＋ｇ序に相当１−２子して辱え
られた良好な結果分有するからである。
本発明は特定の装置及び操作方法に関【７て列ノｆ＜ζ
ハぞ（−２て配謔、さ）またけれども種々の修正及び変
１Ｆが特泊１清求σ）訓）囲の２１１５囲１”１　′（
’本発明Ｖ（−おいてなされることがでペイ）仁と１−
明らかＣあろう。
【図面の簡単な説明】
第１　ＪＸＩは木兄８１４によるｙ（：起重カデノにイ
スの横断面１．第２１でｋ）る。 ２ｆ九２［１ン：ｉｔ奉倫１明（で−おいて使用され７
、マグネトロ／スフ七ツタリング装置の［ツ［でアル。 １０・・・尤宵池、１２・・・ガラス基体、１４・・・
金属層、１６・・・−ミセレン什イン・ジウト銅″Ｉ′
−導体層、１８・・・ロータイブ半導体層、２０・・・
ロー２タイプ半導体層、２２・・・前面接触イ、２４・
・・マダ不ｌ・「ｌンスパッタリングカソー　ド、２５
・・・コンペア　チェーン、２６・−・ロー　ラー、２
８・・・運転手段。 代理人　弁理士　　秋　　沢　　政　　光他Ｉ名

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ＤＯマグネトロンスパツタリングにより基体上に
    銅の第１フィルムを溶着し、 ＤＯマグネトロンスパツタリングにより前 記第１フィルム上にインジウムの第２フィルムを溶着し
    、 前記第１フィルム及び第２フィルム及びセ レンの相互拡散を生じさせて二セレン化インジウム銅フ
    ィルムを形成するように選ばれた温度でそして選ばれた
    時間の間、セレン含有ガスの存在下前記第１フィルム及
    び第２フィルムを加熱することを特徴とする 二セレン化インジウム銅半導体フィルムの製造方法。
  2. （２）別々のスパツタリングカソードを通過して前記基
    体を、連続的に動かすことにより単一の真空室中で前記
    第１フィルム及び第２フィルムが順次溶着される特許請
    求の範囲第１項に記載の方法。
  3. （３）前記基体が金属性の集電フィルムを包含しそして
    前記フィルムがＤＯマグネトロンスパツタリングにより
    、前記第１フィルムの溶着前に前記基体上に溶着される
    特許請求の範囲第１項に記載の方法。
  4. （４）前記集電フィルムが、 ＤＯマグネトロンスパツタリングにより前 記基体上にクロムの層を溶着し、そして ＤＯマグネトロンスパツタリングにより前 記クロム層上にモリブデンの層を溶着する ことにより溶着される特許請求の範囲第３項に記載の方
    法。
  5. （５）別々のスパツタリングカソードを通過して前記基
    体を連続的に動かすことにより単一の真空室中で前記集
    電フィルム、銅の前記第１フィルム及びインジウムの前
    記第２フィルムが順次溶着される特許請求の範囲第４項
    に記載のフィルム。
  6. （６）前記基体が前記溶着工程中加熱されてないしまた
    冷却もされていない特許請求の範囲第１項に記載の方法
    。
  7. （７）銅の前記第１フィルムが約２００〜２０００オン
    グストロームの厚さに溶着され、そしてインジウムの前
    記第２フィルムが約４００〜４０００オングストローム
    の厚さに溶着され、しかも該厚さが約１．０の銅対イン
    ジウムの原子比を与えるように選ばれる、 特許請求の範囲第１項に記載の方法。
  8. （８）ＤＯマグネトロンスパツタリングにより基体上に
    インジウムの第１層を溶着し、 ＤＯマグネトロンスパツタリングにより前 記第１層上に銅の第２層を溶着し、 該第１層及び第２層及びセレンの相互拡散 を生じさせて二セレン化インジウム銅フィルムを形成す
    るように選ばれた温度でそして選ばれた時間セレンを含
    有するガスの存在下該第１層及び第２層を加熱する、こ
    とを特徴とする 二セレン 化インジウム銅半導体フィルムの製 造方法。
JP61119426A 1985-07-16 1986-05-26 二セレン化インジウム銅半導体膜の製造方法 Granted JPS6220381A (ja)

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