JPH08125206A - 薄膜太陽電池 - Google Patents
薄膜太陽電池Info
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- JPH08125206A JPH08125206A JP6263505A JP26350594A JPH08125206A JP H08125206 A JPH08125206 A JP H08125206A JP 6263505 A JP6263505 A JP 6263505A JP 26350594 A JP26350594 A JP 26350594A JP H08125206 A JPH08125206 A JP H08125206A
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- solar cell
- thin
- glass
- titanium
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
Abstract
(57)【要約】
【目的】熱処理しても導電膜やＣｕＩｎＳｅ2 合金膜が
剥がれず、高歩留り、低コストで製造できる薄膜太陽電
池を提供する。 【構成】軟質ガラス基板１の上にＴｉＮ膜１１、Ｍｏ膜
２を形成し、その上に分散めっき法でＣｕ−Ｉｎ／Ｓｅ
分散めっき膜３を形成し、Ｓｅを含むガス雰囲気中で熱
処理してＣｕＩｎＳｅ2 膜４に転換する。ＣｕＩｎＳｅ
2 膜４の上にＣｄＳ膜５、反射防止膜６、透明電極膜７
を形成して薄膜太陽電池とする。ＴｉＮ膜１１は、熱膨
張率が軟質ガラスと近く、かつガラスとＭｏの両方に良
くなじむので、熱処理しても導電膜やＣｕＩｎＳｅ2 合
金膜４が剥がれず、高歩留り、低コストで薄膜太陽電池
を製造できる。ＴｉＮの代わりにＴｉＣを用いることも
でき、またＭｏ膜２を省くこともできる。
剥がれず、高歩留り、低コストで製造できる薄膜太陽電
池を提供する。 【構成】軟質ガラス基板１の上にＴｉＮ膜１１、Ｍｏ膜
２を形成し、その上に分散めっき法でＣｕ−Ｉｎ／Ｓｅ
分散めっき膜３を形成し、Ｓｅを含むガス雰囲気中で熱
処理してＣｕＩｎＳｅ2 膜４に転換する。ＣｕＩｎＳｅ
2 膜４の上にＣｄＳ膜５、反射防止膜６、透明電極膜７
を形成して薄膜太陽電池とする。ＴｉＮ膜１１は、熱膨
張率が軟質ガラスと近く、かつガラスとＭｏの両方に良
くなじむので、熱処理しても導電膜やＣｕＩｎＳｅ2 合
金膜４が剥がれず、高歩留り、低コストで薄膜太陽電池
を製造できる。ＴｉＮの代わりにＴｉＣを用いることも
でき、またＭｏ膜２を省くこともできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス基板の上に導電
膜を設け、その上にＣｕＩｎＳｅ2 膜を吸収層として設
けた薄膜太陽電池に関する。
膜を設け、その上にＣｕＩｎＳｅ2 膜を吸収層として設
けた薄膜太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、優れた光電変換効率を有し、大面
積の薄膜太陽電池を低コストで製造できるものとして周
期律表の１Ｂ族−３Ｂ族−６Ｂ族の元素からなる化合物
半導体が注目されており、特にＣｕＩｎＳｅ2 は、
（１）吸収係数αが１０5 ／ｃｍ程度と高く、２μｍ程
度の薄膜でも十分に太陽光を吸収できること、（２）禁
止帯幅が１．１ｅＶであり、太陽光の光電変換に適して
いること、（３）光劣化がアモルファス・シリコンと比
べて著しく小さいこと等の特徴を有していることから最
も注目されている。大面積の薄膜太陽電池を低コストで
製造するため、特表平５−５０６３３４号（国際公開Ｗ
Ｏ９２／０５５８６号）公報に開示されているように、
分散めっき法を利用した太陽電池の製造方法が提案され
ている。
積の薄膜太陽電池を低コストで製造できるものとして周
期律表の１Ｂ族−３Ｂ族−６Ｂ族の元素からなる化合物
半導体が注目されており、特にＣｕＩｎＳｅ2 は、
（１）吸収係数αが１０5 ／ｃｍ程度と高く、２μｍ程
度の薄膜でも十分に太陽光を吸収できること、（２）禁
止帯幅が１．１ｅＶであり、太陽光の光電変換に適して
いること、（３）光劣化がアモルファス・シリコンと比
べて著しく小さいこと等の特徴を有していることから最
も注目されている。大面積の薄膜太陽電池を低コストで
製造するため、特表平５−５０６３３４号（国際公開Ｗ
Ｏ９２／０５５８６号）公報に開示されているように、
分散めっき法を利用した太陽電池の製造方法が提案され
ている。
【０００３】図１１は従来の薄膜太陽電池の製造方法の
第１の例を説明するための工程順に示した断面図であ
る。
第１の例を説明するための工程順に示した断面図であ
る。
【０００４】まず、図１１（ａ）に示すように、ソーダ
ライムガラス等の軟質ガラス基板１の上に蒸着、スパッ
タなどの方法によりＭｏ膜２を形成した基板を用意す
る。Ｍｏ膜２の上に分散めっき法でＣｕ−Ｉｎ／Ｓｅ分
散めっき膜３を形成する。めっきは、例えば下記の割合
で調合しためっき液を用い、電流密度３Ａ／ｄｍ2 で行
う。 スルファミン酸第２銅 ０．０１Ｍ スルファミン酸インジウム ０．５ Ｍ Ｓｅ粉末 （１８０ｇ／ｌ） ２．３ Ｍ ここで、Ｍはモル／リットルを示す。Ｓｅ粉末は、比重
が４．７９で水よりかなり重く、沈殿し易いので、平均
粒度１．０μｍの微粉末を用いるが、それでも沈殿する
ので、めっき液を攪拌しながらめっきを行う。Ｓｅ粉末
は、水との親和性がよくないので、表面活性剤を添加す
ることも行われる。
ライムガラス等の軟質ガラス基板１の上に蒸着、スパッ
タなどの方法によりＭｏ膜２を形成した基板を用意す
る。Ｍｏ膜２の上に分散めっき法でＣｕ−Ｉｎ／Ｓｅ分
散めっき膜３を形成する。めっきは、例えば下記の割合
で調合しためっき液を用い、電流密度３Ａ／ｄｍ2 で行
う。 スルファミン酸第２銅 ０．０１Ｍ スルファミン酸インジウム ０．５ Ｍ Ｓｅ粉末 （１８０ｇ／ｌ） ２．３ Ｍ ここで、Ｍはモル／リットルを示す。Ｓｅ粉末は、比重
が４．７９で水よりかなり重く、沈殿し易いので、平均
粒度１．０μｍの微粉末を用いるが、それでも沈殿する
ので、めっき液を攪拌しながらめっきを行う。Ｓｅ粉末
は、水との親和性がよくないので、表面活性剤を添加す
ることも行われる。
【０００５】次に、図１１（ｂ）に示すように、Ａｒガ
スとＨ2 Ｓｅガスを混合したＡｒ＋Ｈ2 Ｓｅガス雰囲気
中またはＡｒガスとＳｅ蒸気を混合したＡｒ＋Ｓｅガス
雰囲気中で熱処理してＣｕＩｎＳｅ2 合金膜４に転換す
る。熱処理は、図１２に示すように、室温から３０℃／
分の速度で２００℃〜２５０℃に上げ、この温度に約３
０〜６０分保持し、次に３０℃／分の速度で４００℃〜
４５０℃に上げ、この温度に約２〜４時間保持し、次に
室温まで冷却する条件で行われる。２００℃〜２５０℃
の温度は合金化が始まる温度、４００℃〜４５０℃はＣ
ｕＩｎＳｅ2 の結晶が成長する温度といわれている。
スとＨ2 Ｓｅガスを混合したＡｒ＋Ｈ2 Ｓｅガス雰囲気
中またはＡｒガスとＳｅ蒸気を混合したＡｒ＋Ｓｅガス
雰囲気中で熱処理してＣｕＩｎＳｅ2 合金膜４に転換す
る。熱処理は、図１２に示すように、室温から３０℃／
分の速度で２００℃〜２５０℃に上げ、この温度に約３
０〜６０分保持し、次に３０℃／分の速度で４００℃〜
４５０℃に上げ、この温度に約２〜４時間保持し、次に
室温まで冷却する条件で行われる。２００℃〜２５０℃
の温度は合金化が始まる温度、４００℃〜４５０℃はＣ
ｕＩｎＳｅ2 の結晶が成長する温度といわれている。
【０００６】次に、図１１（ｃ）に示すように、ＣｕＩ
ｎＳｅ2 膜４の上にＣｄＳ膜５を形成する。この上にＺ
ｎＯ等の反射防止膜６を形成し、その上にＡｕまたはＩ
ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等を用いて
透明電極膜７を形成する。ＣｕＩｎＳｅ2 膜は、Ｃｕ／
Ｉｎ＞１でｐ型、Ｃｕ／Ｉｎ＜１でｎ型になるが、Ｃｕ
／Ｉｎ＞１にした方が安定した特性が得られるので、ｐ
型にするのが普通である。それ故、ＣｕＩｎＳｅ2 膜４
をｐ型にし、その上にｎ型のＣｄＳ膜５を堆積してｐ−
ｎ接合を形成する。このようにしてｐ−ｎ接合を有する
第１の例の薄膜太陽電池が製造される。
ｎＳｅ2 膜４の上にＣｄＳ膜５を形成する。この上にＺ
ｎＯ等の反射防止膜６を形成し、その上にＡｕまたはＩ
ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等を用いて
透明電極膜７を形成する。ＣｕＩｎＳｅ2 膜は、Ｃｕ／
Ｉｎ＞１でｐ型、Ｃｕ／Ｉｎ＜１でｎ型になるが、Ｃｕ
／Ｉｎ＞１にした方が安定した特性が得られるので、ｐ
型にするのが普通である。それ故、ＣｕＩｎＳｅ2 膜４
をｐ型にし、その上にｎ型のＣｄＳ膜５を堆積してｐ−
ｎ接合を形成する。このようにしてｐ−ｎ接合を有する
第１の例の薄膜太陽電池が製造される。
【０００７】上記例において、ＣｕＩｎＳｅ2 合金化の
熱処理を行うと、図１３に示すように、Ｍｏ膜２とガラ
ス基板１との間に剥がれが発生することがある。これ
は、Ｍｏ膜２とガラス基板１との間にかなりの熱膨張率
差があるためである。この剥がれを防止するためにガラ
ス基板１とＭｏ膜２との間にＣｒ膜を挟むことが行われ
た。熱膨張率は、 ソーダライムガラス ８．５×１０-6／℃ Ｍｏ ５．１×１０-6／℃ Ｃｒ ８．４×１０-6／℃ で、Ｃｒはソーダライムガラスに近い熱膨張率をもって
おり、ソーダライムガラスとなじみも良く、剥がれを生
ずることは殆どない。ＣｒとＭｏの熱膨張率はかなりは
なれているが、共に熱膨張率差に起因する応力を吸収す
る柔軟性を有し、かつ金属間結合も強く、剥がれを生ず
ることが殆どないからである。
熱処理を行うと、図１３に示すように、Ｍｏ膜２とガラ
ス基板１との間に剥がれが発生することがある。これ
は、Ｍｏ膜２とガラス基板１との間にかなりの熱膨張率
差があるためである。この剥がれを防止するためにガラ
ス基板１とＭｏ膜２との間にＣｒ膜を挟むことが行われ
た。熱膨張率は、 ソーダライムガラス ８．５×１０-6／℃ Ｍｏ ５．１×１０-6／℃ Ｃｒ ８．４×１０-6／℃ で、Ｃｒはソーダライムガラスに近い熱膨張率をもって
おり、ソーダライムガラスとなじみも良く、剥がれを生
ずることは殆どない。ＣｒとＭｏの熱膨張率はかなりは
なれているが、共に熱膨張率差に起因する応力を吸収す
る柔軟性を有し、かつ金属間結合も強く、剥がれを生ず
ることが殆どないからである。
【０００８】図１４は従来の薄膜太陽電池の製造方法の
第２の例を説明するための工程順に示した断面図であ
る。
第２の例を説明するための工程順に示した断面図であ
る。
【０００９】まず、図１４（ａ）に示すように、ソーダ
ライムガラス等の軟質ガラス基板１の上にＣｒ膜８を形
成し、その上にＭｏ膜２を形成した基板を用意する。Ｃ
ｒ膜８を設けるのは上記理由による。めっき法またはス
パッタ法等でＭｏ膜２の上にＣｕ膜９、Ｉｎ膜１０を形
成する。Ｃｕ膜９とＩｎ膜１０とは必ずしも別々に設け
る必要はなく、Ｃｕ−Ｉｎ合金めっき膜を設けても良い
し、第１の例のように、Ｃｕ−Ｉｎ／Ｓｅ分散めっき膜
３を設けても良い。
ライムガラス等の軟質ガラス基板１の上にＣｒ膜８を形
成し、その上にＭｏ膜２を形成した基板を用意する。Ｃ
ｒ膜８を設けるのは上記理由による。めっき法またはス
パッタ法等でＭｏ膜２の上にＣｕ膜９、Ｉｎ膜１０を形
成する。Ｃｕ膜９とＩｎ膜１０とは必ずしも別々に設け
る必要はなく、Ｃｕ−Ｉｎ合金めっき膜を設けても良い
し、第１の例のように、Ｃｕ−Ｉｎ／Ｓｅ分散めっき膜
３を設けても良い。
【００１０】次に、図１４（ｂ）に示すように、第１の
例と同じように、Ｓｅを含むガス雰囲気中で熱処理して
ＣｕＩｎＳｅ2 合金膜４を形成する。
例と同じように、Ｓｅを含むガス雰囲気中で熱処理して
ＣｕＩｎＳｅ2 合金膜４を形成する。
【００１１】次に、図１４（ｃ）に示すように、ＣｕＩ
ｎＳｅ2 膜４の上にＣｄＳ膜５を形成する。この上に反
射防止膜６を形成し、その上に透明電極膜７を形成す
る。このようにして第２の例の薄膜太陽電池が製造され
る。
ｎＳｅ2 膜４の上にＣｄＳ膜５を形成する。この上に反
射防止膜６を形成し、その上に透明電極膜７を形成す
る。このようにして第２の例の薄膜太陽電池が製造され
る。
【００１２】Ｍｏ膜またはＣｕＩｎＳｅ2 膜の剥がれの
原因を明らかにするため、Ｓｅを含むガス雰囲気中で熱
処理してＣｕＩｎＳｅ2 合金膜４を形成するとき、Ｓｅ
とＭｏまたはＣｒとの間にどのような反応があるかを調
べた。
原因を明らかにするため、Ｓｅを含むガス雰囲気中で熱
処理してＣｕＩｎＳｅ2 合金膜４を形成するとき、Ｓｅ
とＭｏまたはＣｒとの間にどのような反応があるかを調
べた。
【００１３】図１５は導電膜の反応性を調べるサンプル
の作成方法を説明するための断面図である。
の作成方法を説明するための断面図である。
【００１４】図１５（ａ）に示すように、ガラス基板１
の上にＣｒ膜８、Ｍｏ膜２、Ｃｕ−Ｉｎ／Ｓｅ分散めっ
き膜３をを形成したサンプルと、容器２１ａと蓋２１ｂ
からなるカーボン・ボックス２１とを用意する。容器２
１ａ内にサンプルと重さ２３ｍｇのＳｅ球（固体セレ
ン）２２を入れ、蓋２１ｂを被せて密閉する。
の上にＣｒ膜８、Ｍｏ膜２、Ｃｕ−Ｉｎ／Ｓｅ分散めっ
き膜３をを形成したサンプルと、容器２１ａと蓋２１ｂ
からなるカーボン・ボックス２１とを用意する。容器２
１ａ内にサンプルと重さ２３ｍｇのＳｅ球（固体セレ
ン）２２を入れ、蓋２１ｂを被せて密閉する。
【００１５】次に、図１５（ｂ）に示すように、４５０
℃で３０分熱処理を行った。熱処理したサンプルをカー
ボン・ボックス２１から取り出し、Ｘ線回折装置（Ｘ−
ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｏｍｅｔｅｒ）およびエネル
ギー分散型Ｘ線分析装置（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒ
ｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ａｎａｌｙｓｅｒ）で分析し
た。
℃で３０分熱処理を行った。熱処理したサンプルをカー
ボン・ボックス２１から取り出し、Ｘ線回折装置（Ｘ−
ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｏｍｅｔｅｒ）およびエネル
ギー分散型Ｘ線分析装置（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒ
ｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ａｎａｌｙｓｅｒ）で分析し
た。
【００１６】図１６は図１５に示すサンプルのＸ線回折
パターンを示す図である。
パターンを示す図である。
【００１７】図１６において、横軸は回折角度、縦軸は
スペクトル強度（電子の毎秒当たりのカウント数）を示
す。図１６にＭｏＳｅの回折パターンが見られることか
らＭｏとＳｅは反応してＭｏＳｅ化合物を作っているこ
とが分かる。
スペクトル強度（電子の毎秒当たりのカウント数）を示
す。図１６にＭｏＳｅの回折パターンが見られることか
らＭｏとＳｅは反応してＭｏＳｅ化合物を作っているこ
とが分かる。
【００１８】図１７は図１５に示すサンプルの蛍光Ｘ線
スペクトル図であり、図１７（ａ）は正常な状態の場所
の蛍光Ｘ線スペクトルを示し、図１７（ｂ）はＭｏ膜が
剥がれて浮き上がっている場所の蛍光Ｘ線スペクトルを
示す。図１７（ａ），（ｂ）において、横軸はエネルギ
ー（ｋｅＶ）、縦軸はスペクトル強度（電子の毎秒当た
りのカウント数）を示す。
スペクトル図であり、図１７（ａ）は正常な状態の場所
の蛍光Ｘ線スペクトルを示し、図１７（ｂ）はＭｏ膜が
剥がれて浮き上がっている場所の蛍光Ｘ線スペクトルを
示す。図１７（ａ），（ｂ）において、横軸はエネルギ
ー（ｋｅＶ）、縦軸はスペクトル強度（電子の毎秒当た
りのカウント数）を示す。
【００１９】図１７（ａ）に示すように、正常な状態の
場所ではＭｏ膜２がＣｒ膜８を覆っているのでＣｒのス
ペクトルは検出されない。これに対して、図１７（ｂ）
に示すように、Ｍｏ膜が剥がれて浮き上がっている場所
では、Ｃｒのスペクトルが検出され、Ｍｏスペクトル強
度が非常に小さくなっている。このことは、Ｍｏ膜にピ
ンホールがあったか、またはＭｏ膜が極めて薄くなって
いて、ＳｅがＣｒ膜と接触し反応して化合物を作り、そ
の化合物がＭｏ膜を押し上げたのであろうと思われる。
場所ではＭｏ膜２がＣｒ膜８を覆っているのでＣｒのス
ペクトルは検出されない。これに対して、図１７（ｂ）
に示すように、Ｍｏ膜が剥がれて浮き上がっている場所
では、Ｃｒのスペクトルが検出され、Ｍｏスペクトル強
度が非常に小さくなっている。このことは、Ｍｏ膜にピ
ンホールがあったか、またはＭｏ膜が極めて薄くなって
いて、ＳｅがＣｒ膜と接触し反応して化合物を作り、そ
の化合物がＭｏ膜を押し上げたのであろうと思われる。
【００２０】このことを図面を用いて構造的に考えてみ
る。図１８（ａ）に示すように、ピンホール４２がある
Ｍｏ膜２の上にＣｕ−Ｉｎ／Ｓｅ分散めっき膜３が被着
されていたとする。Ｃｕ−Ｉｎ／Ｓｅ分散めっき膜３の
中にはＳｅ粒子４１が分散しており、Ｓｅ粒子４１の中
にはピンホール４２の所に位置するものが存在している
であろう。この状態で熱処理すると、図１３（ｂ）に示
すように、Ｓｅが気化してピンホール４２の中に入り、
その下のＣｒと反応して、ＣｒＳｅ化合物４３が生成
し、体積膨張してＣｕＩｎＳｅ2 合金膜４押し上げ、Ｃ
ｕＩｎＳｅ2 合金膜４が剥がれるものと考えられる。
る。図１８（ａ）に示すように、ピンホール４２がある
Ｍｏ膜２の上にＣｕ−Ｉｎ／Ｓｅ分散めっき膜３が被着
されていたとする。Ｃｕ−Ｉｎ／Ｓｅ分散めっき膜３の
中にはＳｅ粒子４１が分散しており、Ｓｅ粒子４１の中
にはピンホール４２の所に位置するものが存在している
であろう。この状態で熱処理すると、図１３（ｂ）に示
すように、Ｓｅが気化してピンホール４２の中に入り、
その下のＣｒと反応して、ＣｒＳｅ化合物４３が生成
し、体積膨張してＣｕＩｎＳｅ2 合金膜４押し上げ、Ｃ
ｕＩｎＳｅ2 合金膜４が剥がれるものと考えられる。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、熱膨張
差による剥がれを防ぐためにＣｒを間に挿入しても、も
しＭｏ膜にピンホールがあると、ＣｕＩｎＳｅ2 膜への
転換の熱処理において、Ｍｏ膜やＣｕＩｎＳｅ2 合金膜
に剥がれが発生することがある。剥がれは、それ程多く
発生するわけではないが、たとえ小量であっても剥がれ
が起こる以上は全製品について検査し、剥がれ不良品を
取り除かねばならないので、検査と選別に多大の工数を
要し、製品歩留り低下もあるので、太陽電池のコストが
高くなるという問題があった。
差による剥がれを防ぐためにＣｒを間に挿入しても、も
しＭｏ膜にピンホールがあると、ＣｕＩｎＳｅ2 膜への
転換の熱処理において、Ｍｏ膜やＣｕＩｎＳｅ2 合金膜
に剥がれが発生することがある。剥がれは、それ程多く
発生するわけではないが、たとえ小量であっても剥がれ
が起こる以上は全製品について検査し、剥がれ不良品を
取り除かねばならないので、検査と選別に多大の工数を
要し、製品歩留り低下もあるので、太陽電池のコストが
高くなるという問題があった。
【００２２】本発明の目的は、熱処理しても導電膜やＣ
ｕＩｎＳｅ2 合金膜が剥がれない構造を有し、高歩留
り、低コストで製造できる薄膜太陽電池を提供すること
にある。
ｕＩｎＳｅ2 合金膜が剥がれない構造を有し、高歩留
り、低コストで製造できる薄膜太陽電池を提供すること
にある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明は、表面に導電膜
を有するガラス基板の前記導電膜の上に銅−インジウム
−セレン合金膜を吸収層として有する薄膜太陽電池にお
いて、前記導電膜が少なくともチタンまたはチタン化合
物の膜を有することを特徴とする。
を有するガラス基板の前記導電膜の上に銅−インジウム
−セレン合金膜を吸収層として有する薄膜太陽電池にお
いて、前記導電膜が少なくともチタンまたはチタン化合
物の膜を有することを特徴とする。
【００２４】本発明は、前記導電膜がチタンまたはチタ
ン化合物の膜とモリブデン膜とからなる二重膜であるこ
とを特徴とする。
ン化合物の膜とモリブデン膜とからなる二重膜であるこ
とを特徴とする。
【００２５】本発明は、前記ガラスが軟質ガラスである
場合、前記チタン化合物が窒化チタンまたは炭化チタン
であることを特徴とする。
場合、前記チタン化合物が窒化チタンまたは炭化チタン
であることを特徴とする。
【００２６】本発明は、前記ガラスが硬質ガラスである
場合、前記チタン化合物がホウ化チタンであることを特
徴とする。
場合、前記チタン化合物がホウ化チタンであることを特
徴とする。
【００２７】
【作用】チタンまたはチタン化合物には、軟質ガラスま
たは硬質ガラスの熱膨張率に近い熱膨張率を有するもの
が存在し、ガラス基板が軟質ガラスであるか硬質ガラス
であるかによって、それに合うチタンまたはチタン化合
物を選ぶことができる。また、チタンまたはチタン化合
物は、両方のガラスに良くなじみ、かつ電気抵抗も小さ
いので、導電膜として使用するのに適している。チタン
またはチタン化合物を少なくとも有する膜を導電膜とし
て使用すると、熱処理において導電膜或いはその上に形
成されるＣｕＩｎＳｅ2 合金膜が剥がれことはなく、高
歩留り、低コストで薄膜太陽電池を製造することができ
る。
たは硬質ガラスの熱膨張率に近い熱膨張率を有するもの
が存在し、ガラス基板が軟質ガラスであるか硬質ガラス
であるかによって、それに合うチタンまたはチタン化合
物を選ぶことができる。また、チタンまたはチタン化合
物は、両方のガラスに良くなじみ、かつ電気抵抗も小さ
いので、導電膜として使用するのに適している。チタン
またはチタン化合物を少なくとも有する膜を導電膜とし
て使用すると、熱処理において導電膜或いはその上に形
成されるＣｕＩｎＳｅ2 合金膜が剥がれことはなく、高
歩留り、低コストで薄膜太陽電池を製造することができ
る。
【００２８】チタンまたはチタン化合物は、ガラスとモ
リブデンの両方に良くなじむので、チタンまたはチタン
化合物とモリブデンとからなる二重膜にすると、モリブ
デン膜の剥がれを防止でき、しかも電気伝導度を大きく
できる効果がえられる。
リブデンの両方に良くなじむので、チタンまたはチタン
化合物とモリブデンとからなる二重膜にすると、モリブ
デン膜の剥がれを防止でき、しかも電気伝導度を大きく
できる効果がえられる。
【００２９】ガラスが軟質ガラスである場合、熱膨張率
が近いチタン化合物として窒化チタンまたは炭化チタン
が適する。
が近いチタン化合物として窒化チタンまたは炭化チタン
が適する。
【００３０】ガラスが硬質ガラスである場合、熱膨張率
が近いチタン化合物としてホウ化チタンが適する。
が近いチタン化合物としてホウ化チタンが適する。
【００３１】
【実施例】図１は本発明の薄膜太陽電池の第１の実施例
の製造方法を説明するための工程順に示した断面図であ
る。
の製造方法を説明するための工程順に示した断面図であ
る。
【００３２】まず、図１（ａ）に示すように、ソーダラ
イムガラス等の軟質ガラス基板１の上にＴｉＮ膜１１、
Ｍｏ膜２を形成したものを用意する。ＴｉＮ膜１１は、
表１に示すように、ソーダライムガラスの熱膨張率に近
い熱膨張率９．３×１０-6／℃を有し、かつ電気抵抗も
小さい。ＴｉＮ膜１１は、軟質ガラス基板１とＭｏ膜２
の両方によくなじみ、Ｍｏ膜２が剥がれるのを防止す
る。
イムガラス等の軟質ガラス基板１の上にＴｉＮ膜１１、
Ｍｏ膜２を形成したものを用意する。ＴｉＮ膜１１は、
表１に示すように、ソーダライムガラスの熱膨張率に近
い熱膨張率９．３×１０-6／℃を有し、かつ電気抵抗も
小さい。ＴｉＮ膜１１は、軟質ガラス基板１とＭｏ膜２
の両方によくなじみ、Ｍｏ膜２が剥がれるのを防止す
る。
【００３３】
【表１】
【００３４】次に、図１（ｂ）に示すように、Ｍｏ膜２
の上に分散めっき法でＣｕ−Ｉｎ／Ｓｅ分散めっき膜３
を形成する。分散めっき法は、先に説明した従来の第１
の例と同じである。
の上に分散めっき法でＣｕ−Ｉｎ／Ｓｅ分散めっき膜３
を形成する。分散めっき法は、先に説明した従来の第１
の例と同じである。
【００３５】次に、図１（ｃ）に示すように、Ａｒガス
とＳｅ蒸気を混合したＡｒ＋Ｓｅガス雰囲気中で熱処理
してＣｕＩｎＳｅ2 膜４に転換した。熱処理も、先に説
明した従来の第１の例と同じである。
とＳｅ蒸気を混合したＡｒ＋Ｓｅガス雰囲気中で熱処理
してＣｕＩｎＳｅ2 膜４に転換した。熱処理も、先に説
明した従来の第１の例と同じである。
【００３６】次に、図１（ｄ）に示すように、ＣｕＩｎ
Ｓｅ2 膜４の上にＣｄＳ膜５、反射防止膜６、透明電極
膜７を形成する。これも、先に説明した従来の第１の例
と同じである。ＴｉＮ膜１１は、ソーダライムガラスに
近い熱膨張率を有し、かつガラスとＭｏの両方によくな
じむので、熱処理してもＭｏ膜２やＣｕＩｎＳｅ2 合金
膜４が剥がれるというような不良発生は起こらず、歩留
りを向上させ、コストを低減することができる。
Ｓｅ2 膜４の上にＣｄＳ膜５、反射防止膜６、透明電極
膜７を形成する。これも、先に説明した従来の第１の例
と同じである。ＴｉＮ膜１１は、ソーダライムガラスに
近い熱膨張率を有し、かつガラスとＭｏの両方によくな
じむので、熱処理してもＭｏ膜２やＣｕＩｎＳｅ2 合金
膜４が剥がれるというような不良発生は起こらず、歩留
りを向上させ、コストを低減することができる。
【００３７】次に、ＴｉＮ膜を使用したときの状態をＸ
線を用いて調べた。図２に示すように、ガラス基板１の
上にＴｉＮ膜１１、Ｍｏ膜２を形成したサンプルと、容
器２１ａと蓋２１ｂからなるカーボン・ボックス２１と
を用意する。容器２１ａ内にサンプルと重さ５ｍｇのＳ
ｅ球（固体セレン）２２を入れ、蓋２１ｂを被せて密閉
する。そして４００℃で２０分熱処理を行った。熱処理
したサンプルをエネルギー分散型Ｘ線分析装置（Ｅｎｅ
ｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙＡｎａｌｙ
ｓｅｒ）で分析した。
線を用いて調べた。図２に示すように、ガラス基板１の
上にＴｉＮ膜１１、Ｍｏ膜２を形成したサンプルと、容
器２１ａと蓋２１ｂからなるカーボン・ボックス２１と
を用意する。容器２１ａ内にサンプルと重さ５ｍｇのＳ
ｅ球（固体セレン）２２を入れ、蓋２１ｂを被せて密閉
する。そして４００℃で２０分熱処理を行った。熱処理
したサンプルをエネルギー分散型Ｘ線分析装置（Ｅｎｅ
ｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙＡｎａｌｙ
ｓｅｒ）で分析した。
【００３８】図３は図２に示すサンプルの蛍光Ｘ線スペ
クトル図であり、図３（ａ）はＭｏ膜２が剥がれずに残
っている場所の蛍光Ｘ線スペクトルを示し、図３（ｂ）
はＭｏ膜２が剥がれてしまって残っていない場所の蛍光
Ｘ線スペクトルを示す。図３（ａ），（ｂ）において、
横軸はエネルギー（ｋｅＶ）、縦軸はスペクトル強度
（電子の毎秒当たりのカウント数）を示す。
クトル図であり、図３（ａ）はＭｏ膜２が剥がれずに残
っている場所の蛍光Ｘ線スペクトルを示し、図３（ｂ）
はＭｏ膜２が剥がれてしまって残っていない場所の蛍光
Ｘ線スペクトルを示す。図３（ａ），（ｂ）において、
横軸はエネルギー（ｋｅＶ）、縦軸はスペクトル強度
（電子の毎秒当たりのカウント数）を示す。
【００３９】図３（ａ）に示すように、Ｍｏ膜２が剥が
れなかった場所ではＭｏとＳｅが検出され、ＴｉＮは検
出されないが、図３（ｂ）に示すように、Ｍｏ膜２が剥
がれて残っていない場所ではＳｅとＴｉＮのＴｉとガラ
スの成分のＮａ，Ｍｇ，Ｃａが検出されている。このこ
とは、Ｍｏ膜２が存在するとＴｉＮ膜１１はＭｏ膜２に
遮蔽されて表面に出てこないこと、ＴｉＮ膜１１とガラ
スとの密着性が非常に強くＭｏ膜２が剥がれてもＴｉＮ
膜１１は剥がれずに残っており、ＴｉＮ膜１１が導電膜
として作用し、太陽電池を不良にしないことを示してい
る。図３（ｂ）に示すように、ＳｅとＴｉＮが共存し
て、しかもＴｉＮ膜が剥がれなかったことから、Ｓｅと
ＴｉＮは反応しないものと思われる。
れなかった場所ではＭｏとＳｅが検出され、ＴｉＮは検
出されないが、図３（ｂ）に示すように、Ｍｏ膜２が剥
がれて残っていない場所ではＳｅとＴｉＮのＴｉとガラ
スの成分のＮａ，Ｍｇ，Ｃａが検出されている。このこ
とは、Ｍｏ膜２が存在するとＴｉＮ膜１１はＭｏ膜２に
遮蔽されて表面に出てこないこと、ＴｉＮ膜１１とガラ
スとの密着性が非常に強くＭｏ膜２が剥がれてもＴｉＮ
膜１１は剥がれずに残っており、ＴｉＮ膜１１が導電膜
として作用し、太陽電池を不良にしないことを示してい
る。図３（ｂ）に示すように、ＳｅとＴｉＮが共存し
て、しかもＴｉＮ膜が剥がれなかったことから、Ｓｅと
ＴｉＮは反応しないものと思われる。
【００４０】このように、ガラス基板１とＭｏ膜２との
間にＴｉＮ膜１１を設けると、熱処理してもＭｏ膜２が
ガラス基板１から剥がれるというような不良発生を防ぐ
ことができる。また、気化したＳｅがＭｏ膜２のピンホ
ールの中に入ったとしても、ＴｉＮはＳｅと反応しない
ので、従来品のＣｒ−Ｓｅ化合物のような化合物を生成
することがなく、ＣｕＩｎＳｅ2 合金膜４が剥がれると
いうような不良発生は起こらない。従って、歩留りを向
上させ、コストを低減することができる。
間にＴｉＮ膜１１を設けると、熱処理してもＭｏ膜２が
ガラス基板１から剥がれるというような不良発生を防ぐ
ことができる。また、気化したＳｅがＭｏ膜２のピンホ
ールの中に入ったとしても、ＴｉＮはＳｅと反応しない
ので、従来品のＣｒ−Ｓｅ化合物のような化合物を生成
することがなく、ＣｕＩｎＳｅ2 合金膜４が剥がれると
いうような不良発生は起こらない。従って、歩留りを向
上させ、コストを低減することができる。
【００４１】図４は本発明の薄膜太陽電池の第２の実施
例の断面図である。
例の断面図である。
【００４２】第２の実施例は、第１の実施例におけるＭ
ｏ膜２を省略し、ＴｉＮ膜１１のみで導電膜を構成した
もので、これ以外は第１の実施例と同じである。表１に
示すように、ＴｉＮは電気抵抗も小さく、Ｓｅと反応し
ないので、従来品のＣｒ−Ｓｅ化合物のような化合物を
生成することがなく、ＣｕＩｎＳｅ2 合金膜４が剥がれ
るというような不良発生は起こらない。従って、ＴｉＮ
のみで導電膜を構成しても導電膜の剥がれ不良発生を防
ぎ、歩留りを向上させ、コストを低減することができ
る。
ｏ膜２を省略し、ＴｉＮ膜１１のみで導電膜を構成した
もので、これ以外は第１の実施例と同じである。表１に
示すように、ＴｉＮは電気抵抗も小さく、Ｓｅと反応し
ないので、従来品のＣｒ−Ｓｅ化合物のような化合物を
生成することがなく、ＣｕＩｎＳｅ2 合金膜４が剥がれ
るというような不良発生は起こらない。従って、ＴｉＮ
のみで導電膜を構成しても導電膜の剥がれ不良発生を防
ぎ、歩留りを向上させ、コストを低減することができ
る。
【００４３】図５は本発明の薄膜太陽電池の第３の実施
例の断面図である。
例の断面図である。
【００４４】第３の実施例は、第１の実施例におけるＴ
ｉＮ膜１１の代わりにＴｉＣ膜１２を用いたもので、こ
れ以外は第１の実施例と同じである。表１に示すよう
に、ＴｉＣは、熱膨張率が軟質ガラスとＭｏとの中間に
あるので、軟質ガラスとＭｏとの間の熱膨張率差に起因
する応力を緩和し、かつガラスとのなじみも良いのでＭ
ｏ膜の剥がれを防止する。また、電気抵抗も小さく、Ｓ
ｅと反応しないので、Ｍｏ膜２にピンホールがあっても
Ｓｅとの化合物を生成せず、不良発生を防ぎ、歩留りを
向上させ、コストを低減することができる。
ｉＮ膜１１の代わりにＴｉＣ膜１２を用いたもので、こ
れ以外は第１の実施例と同じである。表１に示すよう
に、ＴｉＣは、熱膨張率が軟質ガラスとＭｏとの中間に
あるので、軟質ガラスとＭｏとの間の熱膨張率差に起因
する応力を緩和し、かつガラスとのなじみも良いのでＭ
ｏ膜の剥がれを防止する。また、電気抵抗も小さく、Ｓ
ｅと反応しないので、Ｍｏ膜２にピンホールがあっても
Ｓｅとの化合物を生成せず、不良発生を防ぎ、歩留りを
向上させ、コストを低減することができる。
【００４５】図６は本発明の薄膜太陽電池の第４の実施
例の断面図である。
例の断面図である。
【００４６】第２の実施例は、第３の実施例におけるＭ
ｏ膜２を省略し、ＴｉＣ膜１２のみで導電膜を構成した
もので、これ以外は第３の実施例と同じである。表１に
示すように、ＴｉＣは電気抵抗も小さく、かつＳｅと反
応しないので、ＴｉＣのみで導電膜を構成しても導電膜
やＣｕＩｎＳｅ2 合金膜４の剥がれ不良を発生すること
がなく、歩留りを向上させ、コストを低減することがで
きる。
ｏ膜２を省略し、ＴｉＣ膜１２のみで導電膜を構成した
もので、これ以外は第３の実施例と同じである。表１に
示すように、ＴｉＣは電気抵抗も小さく、かつＳｅと反
応しないので、ＴｉＣのみで導電膜を構成しても導電膜
やＣｕＩｎＳｅ2 合金膜４の剥がれ不良を発生すること
がなく、歩留りを向上させ、コストを低減することがで
きる。
【００４７】図７は本発明の薄膜太陽電池の第５の実施
例の断面図である。
例の断面図である。
【００４８】第５の実施例は、第１の実施例におけるＴ
ｉＮ膜１１の代わりにＴｉ膜１３を用いたもので、これ
以外は第１の実施例と同じである。表１に示すように、
Ｔｉは、熱膨張率がソーダライムガラス等の軟質ガラス
と非常に近く、かつ軟質ガラス基板１とＭｏ膜２の両方
に良くなじむので、Ｍｏ膜２が剥がれるのを防止する。
また、電気抵抗も小さく、Ｓｅと反応しないので、Ｍｏ
膜２にピンホールがあってもＳｅとの化合物を生成せ
ず、不良発生を防ぎ、歩留りを向上させ、コストを低減
することができる。
ｉＮ膜１１の代わりにＴｉ膜１３を用いたもので、これ
以外は第１の実施例と同じである。表１に示すように、
Ｔｉは、熱膨張率がソーダライムガラス等の軟質ガラス
と非常に近く、かつ軟質ガラス基板１とＭｏ膜２の両方
に良くなじむので、Ｍｏ膜２が剥がれるのを防止する。
また、電気抵抗も小さく、Ｓｅと反応しないので、Ｍｏ
膜２にピンホールがあってもＳｅとの化合物を生成せ
ず、不良発生を防ぎ、歩留りを向上させ、コストを低減
することができる。
【００４９】図８は本発明の薄膜太陽電池の第６の実施
例の断面図である。
例の断面図である。
【００５０】第６の実施例は、第５の実施例におけるＭ
ｏ膜２を省略し、Ｔｉ膜１３のみで導電膜を構成したも
ので、これ以外は第５の実施例と同じである。表１に示
すように、Ｔｉは電気抵抗も小さく、かつＳｅと反応し
ないので、Ｔｉのみで導電膜を構成しても導電膜やＣｕ
ＩｎＳｅ2 合金膜４の剥がれ不良を発生することがな
く、歩留りを向上させ、コストを低減することができ
る。
ｏ膜２を省略し、Ｔｉ膜１３のみで導電膜を構成したも
ので、これ以外は第５の実施例と同じである。表１に示
すように、Ｔｉは電気抵抗も小さく、かつＳｅと反応し
ないので、Ｔｉのみで導電膜を構成しても導電膜やＣｕ
ＩｎＳｅ2 合金膜４の剥がれ不良を発生することがな
く、歩留りを向上させ、コストを低減することができ
る。
【００５１】図９は本発明の太陽電池の第７の実施例の
断面図である。
断面図である。
【００５２】第７の実施例は、第１の実施例における軟
質ガラス基板１の代わりにバリウムホウ珪酸ガラスの硬
質ガラス基板２１を用い、ＴｉＮ膜１１の代わりにＴｉ
Ｂ2膜１４を用いたもので、これ以外は第１の実施例と
同じである。表１に示すように、ＴｉＢ2 は、熱膨張率
がバリウムホウ珪酸ガラスとほぼ等しく、かつ硬質ガラ
ス基板２１とＭｏ膜２の両方に良くなじむので、Ｍｏ膜
２が剥がれるのを防止する。また、電気抵抗も小さく、
Ｓｅと反応しないので、Ｍｏ膜２にピンホールがあって
もＳｅとの化合物を生成せず、不良発生を防ぎ、歩留り
を向上させ、コストを低減することができる。
質ガラス基板１の代わりにバリウムホウ珪酸ガラスの硬
質ガラス基板２１を用い、ＴｉＮ膜１１の代わりにＴｉ
Ｂ2膜１４を用いたもので、これ以外は第１の実施例と
同じである。表１に示すように、ＴｉＢ2 は、熱膨張率
がバリウムホウ珪酸ガラスとほぼ等しく、かつ硬質ガラ
ス基板２１とＭｏ膜２の両方に良くなじむので、Ｍｏ膜
２が剥がれるのを防止する。また、電気抵抗も小さく、
Ｓｅと反応しないので、Ｍｏ膜２にピンホールがあって
もＳｅとの化合物を生成せず、不良発生を防ぎ、歩留り
を向上させ、コストを低減することができる。
【００５３】図１０は本発明の薄膜太陽電池の第８の実
施例の断面図である。
施例の断面図である。
【００５４】第８の実施例は、第７の実施例におけるＭ
ｏ膜２を省略し、ＴｉＢ2 膜１４のみで導電膜を構成し
たもので、これ以外は第７の実施例と同じである。表１
に示すように、ＴｉＢ2 は電気抵抗も小さく、かつＳｅ
と反応しないので、ＴｉＢ2のみで導電膜を構成しても
ＣｕＩｎＳｅ2 合金膜４の剥がれ不良を発生することが
なく、歩留りを向上させ、コストを低減することができ
る。
ｏ膜２を省略し、ＴｉＢ2 膜１４のみで導電膜を構成し
たもので、これ以外は第７の実施例と同じである。表１
に示すように、ＴｉＢ2 は電気抵抗も小さく、かつＳｅ
と反応しないので、ＴｉＢ2のみで導電膜を構成しても
ＣｕＩｎＳｅ2 合金膜４の剥がれ不良を発生することが
なく、歩留りを向上させ、コストを低減することができ
る。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、ガラ
ス基板の上にチタンまたはチタン化合物膜を単独に、あ
るいはＭｏ膜との二重膜にして設けるようにしたので、
Ｍｏ膜あるいはＣｕＩｎＳｅ2 合金膜の剥がれを防止で
き、歩留りを向上させ、コストを低減することができ
る。
ス基板の上にチタンまたはチタン化合物膜を単独に、あ
るいはＭｏ膜との二重膜にして設けるようにしたので、
Ｍｏ膜あるいはＣｕＩｎＳｅ2 合金膜の剥がれを防止で
き、歩留りを向上させ、コストを低減することができ
る。
【図１】本発明の薄膜太陽電池の第１の実施例の製造方
法を説明するための工程順に示した断面図である。
法を説明するための工程順に示した断面図である。
【図２】導電膜の反応性を調べるサンプルの作成方法を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図３】図２に示すサンプルの蛍光Ｘ線スペクトル図で
ある。
ある。
【図４】本発明の薄膜太陽電池の第２の実施例の断面図
である。
である。
【図５】本発明の薄膜太陽電池の第３の実施例の断面図
である。
である。
【図６】本発明の薄膜太陽電池の第４の実施例の断面図
である。
である。
【図７】本発明の薄膜太陽電池の第５の実施例の断面図
である。
である。
【図８】本発明の薄膜太陽電池の第６の実施例の断面図
である。
である。
【図９】本発明の薄膜太陽電池の第７の実施例の断面図
である。
である。
【図１０】本発明の薄膜太陽電池の第８の実施例の断面
図である。
図である。
【図１１】従来の薄膜太陽電池の製造方法の第１の例を
説明するための工程順に示した断面図である。
説明するための工程順に示した断面図である。
【図１２】従来の薄膜太陽電池の製造において実施する
熱処理条件を示す温度プロファィル図である。
熱処理条件を示す温度プロファィル図である。
【図１３】図９の第１の例の薄膜太陽電池におけるＭｏ
膜の剥がれを説明する断面図である。
膜の剥がれを説明する断面図である。
【図１４】従来の薄膜太陽電池の製造方法の第２の例を
説明するための工程順に示した断面図である。
説明するための工程順に示した断面図である。
【図１５】導電膜の反応性を調べるサンプルの作成方法
を説明する断面図である。
を説明する断面図である。
【図１６】図１５に示すサンプルのＸ線回折パターンを
示す図である。
示す図である。
【図１７】図１５に示すサンプルの蛍光Ｘ線スペクトル
図である。
図である。
【図１８】図１２の第２の例の薄膜太陽電池における不
良発生の機構を説明する断面図である。
良発生の機構を説明する断面図である。
１ 軟質ガラス基板 ２ Ｍｏ膜 ３ Ｃｕ−Ｉｎ／Ｓｅ分散めっき膜 ４ ＣｕＩｎＳｅ2 合金膜 ５ ＣｄＳ膜 ６ 反射防止膜 ７ 透明電極膜 ８ Ｃｒ膜 ９ Ｃｕ膜 １０ Ｉｎ膜 １１ ＴｉＮ膜 １２ ＴｉＣ膜 １３ ＴｉＢ2 膜 １４ Ｔｉ膜
Claims (4)
- 【請求項１】 ガラス基板の上に設けられた導電膜の上
に銅−インジウム−セレン合金膜を吸収層として有する
薄膜太陽電池において、 前記導電膜が少なくともチタンまたはチタン化合物の膜
を有することを特徴とする薄膜太陽電池。 - 【請求項２】 前記導電膜がチタンまたはチタン化合物
の膜とモリブデン膜とからなる二重膜であることを特徴
とする請求項１記載の薄膜太陽電池。 - 【請求項３】 前記ガラスが軟質ガラスである場合、前
記チタン化合物が窒化チタンまたは炭化チタンであるこ
とを特徴とする請求項１または請求項２記載の薄膜太陽
電池。 - 【請求項４】 前記ガラスが硬質ガラスである場合、前
記チタン化合物がホウ化チタンであることを特徴とする
請求項１または請求項２記載の薄膜太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6263505A JPH08125206A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6263505A JPH08125206A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 薄膜太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125206A true JPH08125206A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17390466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6263505A Pending JPH08125206A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08125206A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN110342601A (zh) * | 2019-05-29 | 2019-10-18 | 西安电子科技大学 | 一种基于CuInSe2/MXene纳米复合材料的海水淡化结构 |
-
1994
- 1994-10-27 JP JP6263505A patent/JPH08125206A/ja active Pending
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