JP4465961B2 - 六塩化二珪素の製造方法 - Google Patents
六塩化二珪素の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4465961B2 JP4465961B2 JP2002517427A JP2002517427A JP4465961B2 JP 4465961 B2 JP4465961 B2 JP 4465961B2 JP 2002517427 A JP2002517427 A JP 2002517427A JP 2002517427 A JP2002517427 A JP 2002517427A JP 4465961 B2 JP4465961 B2 JP 4465961B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- distillation
- disilicon hexachloride
- distillation step
- chlorine
- silicon tetrachloride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 49
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 152
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 50
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 47
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims description 47
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 claims description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 claims description 15
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- VYFXMIAQVGXIIN-UHFFFAOYSA-N trichloro(chlorosilyl)silane Chemical compound Cl[SiH2][Si](Cl)(Cl)Cl VYFXMIAQVGXIIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims description 3
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 21
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 20
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 6
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 2
- 229910000519 Ferrosilicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000998 batch distillation Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001944 continuous distillation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTQGILPNLZZOJH-UHFFFAOYSA-N disilicon Chemical compound [Si]#[Si] NTQGILPNLZZOJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000026683 transduction Effects 0.000 description 1
- 238000010361 transduction Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/10—Compounds containing silicon, fluorine, and other elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/03—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of silicon halides or halosilanes or reduction thereof with hydrogen as the only reducing agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
本発明は、高純度多結晶シリコン製造工程で排出される排ガスから六塩化二珪素(Si2Cl6)を効率よく回収する六塩化二珪素の製造方法に関する。また、好ましくは、六塩化二珪素と共にテトラクロロジシラン(Si2H2Cl4)を回収する製造方法に関する。
〔背景技術〕
六塩化二珪素(Si2Cl6)は、非晶質シリコン薄膜の原料、光ファイバー用ガラス母材の原料、あるいはジシランの原料などとして有用である。この六塩化二珪素の製造方法として、シリコン含有合金の粉末を塩素化してポリクロロシランの混合ガスとし、これを冷却凝縮し、さらに蒸留して六塩化二珪素を分離する方法(特開昭59−195519号)、攪拌混合式横型反応管を用いてフェロシリコンを塩素ガスと反応させる方法(特開昭60−145908号)などが従来知られている。ところが、これらの製造方法は何れも粗シリコン(金属シリコングレード)を原料としており、原料からの汚染が避けられないので高純度品を得るのが難しい。特に、チタンやアルミニウムが混在すると、これらの塩化物(TiCl4、AlCl3)は六塩化二珪素と沸点が近いので蒸留精製が困難である。
〔発明の開示〕
本発明は、六塩化二珪素の製造方法における従来の上記課題を解決したものであり、高純度の六塩化二珪素を効率よく得ることができる方法を提供することを目的とする。すなわち、本発明は、高純度の原料ガスが用いられている多結晶シリコンの製造工程に注目し、この排ガス中には未反応の水素ガスやトリクロロシランガスおよび副生した四塩化珪素ガスの他に高純度の六塩化二珪素などのポリマー(四塩化珪素より高沸点の成分をポリマーと称する)が含まれていることを見出し、これから六塩化二珪素を容易に回収できるようにしたものである。また更に、このポリマーにはテトラクロロジシランも多量に含まれており、六塩化二珪素の回収に際してテトラクロロジシランをも回収する方法をも提供する。
すなわち、本発明によれば以下の構成からなる六塩化二珪素の製造方法が提供される。
〔1〕高温下におけるクロロシランの熱分解ないし水素還元によって多結晶シリコンを析出させるシリコン反応系から排出された排ガスについて、この排ガスを冷却して凝縮液とし、この凝縮液を蒸留して六塩化二珪素を回収することを特徴とする六塩化二珪素の製造方法。
〔2〕多結晶シリコンの生成反応系から排出された排ガスを冷却して水素を分離した凝縮液とし、この凝縮液を蒸留して未反応のクロロシランおよび副生した四塩化珪素を分離した後に、六塩化二珪素を留出させて回収する上記(1)の製造方法
〔3〕水素ガスを分離した凝縮液を蒸留して未反応のクロロシランを留出させる第1蒸留工程と、第1蒸留工程の残液を蒸留して四塩化珪素を留出させる第2蒸留工程と、第2蒸留工程の残液を蒸留して六塩化二珪素を留出させる第3蒸留工程とを有する上記(1)または(2)の製造方法。
〔4〕水素ガスを分離した凝縮液を蒸留して未反応のクロロシランと四塩化珪素とを連続して留出させる蒸留工程と、この蒸留工程の残液を蒸留して六塩化二珪素を留出させる蒸留工程とを有する上記(1)または(2)の製造方法。
〔5〕六塩化二珪素の蒸留工程において、初留をカットした後に六塩化二珪素を主体とする高温蒸留部分を回収する上記(1)〜(4)の何れかに記載する製造方法。
〔6〕六塩化二珪素の蒸留工程において、初留をカットした後に、テトラクロロジシランを主体とする中間留分を回収し、さらに六塩化二珪素を主体とする高温蒸留部分を回収する上記(1)〜(4)の何れかに記載する製造方法。
〔7〕クロロシランの蒸留工程、四塩化珪素の蒸留工程、および六塩化二珪素の蒸留工程が各々の蒸留塔によって順に連続して行われる上記(1)〜(6)の何れかに記載する製造方法。
〔8〕クロロシランの蒸留工程と四塩化珪素の蒸留工程との間、あるいは四塩化珪素の蒸留工程と六塩化二珪素の蒸留工程との間、あるいは四塩化珪素の蒸留工程の中、あるいは六塩化二珪素の蒸留工程の中に塩素導入工程を設けた上記(1)〜(7)の何れかに記載する製造方法。
〔9〕上記(8)の製造方法において、各々の蒸留工程に塩素を導入して塩素化を進めた後に、残液に残留した塩素を脱気する製造方法。
〔10〕上記(9)の製造方法において、不活性ガスを残液に導入してバブリングすることにより塩素を脱気する製造方法。
〔11〕クロロシランの蒸留工程、四塩化珪素の蒸留工程、六塩化二珪素の蒸留工程の少なくとも何れかの蒸留工程の後に、残液に塩素を導入して塩素化を進めた後に残留塩素を脱気し、この残液を次の蒸留工程に導くか、あるいは、残液に塩素を導入して塩素化を進めた後に、この残液を次の蒸留工程に導いて塩素を脱気する上記(8)、(9)または(10)の製造方法。
本発明の製造方法によれば、クロロシラン類と水素を原料とする多結晶シリコンの製造炉から排出される排ガスから六塩化二珪素を高い収率で回収することができる。また、本発明の方法によれば六塩化二珪素と共にテトラクロロジシランを回収することができる。さらに、本発明の方法によって回収される六塩化二珪素およびテトラクロロジシランは、半導体材料として用いられる多結晶シリコンの反応排出ガスから回収したものであるので、従来の金属シリコンを原料にするものに比べて純度が格段に高い。また、本発明の処理方法において、蒸留する溶液に塩素を導入して塩素化を進めることにより六塩化二珪素の回収率を高めることができ、さらにこの場合、塩素を導入した溶液から残留塩素を脱気することにより、蒸留時の微粒子の発生を防止することができる。
〔発明を実施するための最良の形態〕
以下、本発明を図示する実施形態に基づいて詳細に説明する。図1は本発明に係る製造方法の一例を示す工程図である。なお、%は特に示さない限り重量%である。また、以下の説明において示す蒸留温度等は塔内圧力や蒸留方法などに応じて具体的に定められる。
本発明の製造方法は、高温下におけるクロロシランガスの熱分解ないし水素還元によって加熱体に多結晶シリコンを析出させるシリコン気相析出反応系から排出された排ガスから六塩化二珪素を回収する方法である。すなわち、この排ガスを冷却して水素ガスを分離した凝縮液とし、この凝縮液からトリクロロシラン(SiHCl3)等の未反応のクロロシランガス、および副生した四塩化珪素(SiCl4)を蒸留分離し、さらに蒸留を行って六塩化二珪素(Si2Cl6)を回収する製造方法である。なお、この排ガスには六塩化二珪素の他にテトラクロロジシラン(Si2H2Cl4)も多量に含まれており、本発明の方法は六塩化二珪素の回収に際してテトラクロロジシランをも回収することができる方法である。なお、多結晶シリコンの製造原料であるクロロシランとしては主にトリクロロシランが使用されるが、これに限らず、ジクロロシラン(SiH2Cl2)や四塩化珪素を用いても良く、これらの混合物を用いても良い。
図1に示す製造工程例では、反応炉10から排出される排ガスを冷却して水素ガスを分離する凝縮工程(コンデンサ11)、この凝縮液からトリクロロシランを蒸留して分離する工程(蒸留塔1)、さらに四塩化珪素を蒸留して分離する工程(蒸留塔2)、および六塩化二珪素を蒸留して回収する工程(蒸留塔3)が設けられている。なお、四塩化珪素の蒸留分離工程と六塩化二珪素の蒸留回収工程の間に塩素導入工程が設けられているが、これは必要に応じて設ければよい。
半導体材料となる高純度の多結晶シリコンの製造方法としてシーメンス法が従来から知られている。この製造方法の一例は、トリクロロシランと水素の混合ガスを原料ガスとして用い、これを高温下の反応炉に供給し、原料ガスの熱分解および水素還元によって生じたシリコン結晶を炉内の赤熱したシリコン芯棒(約800〜1200℃)の表面に析出させ、次第に径の太い多結晶シリコン棒に成長させる製造方法である。
この製造方法では、主にトリクロロシランの水素還元(SiHCl3+H2→Si+3HCl)および熱分解反応(4SiHCl3→Si+3SiCl4+2H2)によってシリコンが析出するが、熱分解の反応が速いので四塩化珪素が副生し、炉内から排出される排ガスには多量の未反応水素ガスおよび未反応トリクロロシランガスと共にかなりの量の四塩化珪素ガスが含まれる。更に、この他に高温下の反応で副生したモノクロロシラン(SiH3Cl)、ジクロロシラン(SiH2Cl2)、あるいは高分子塩化珪素化合物が含まれている。
本発明の製造方法は、このようなクロロシラン、四塩化珪素、未反応水素などを含む排ガスを原料として用いる。この排ガスを最初に凝縮工程(コンデンサ11)に導いて−60℃付近(例えば、−65℃〜−55℃)に冷却し、ここでガス状のまま残る水素を分離し、他のガス成分を液化して凝縮液とする。回収した水素ガスは精製し、原料ガスの一部としてシリコン反応炉10に戻して再利用する。
上記凝縮液にはトリクロロシラン、モノクロロシラン、ジクロロシランなどのクロロシラン、四塩化珪素、その他の塩化珪素化合物からなるポリマーが含まれているので、これを最初の蒸留分離工程(蒸留塔1)に導き、塔頂温度をトリクロロシランの蒸留温度に設定し、留出したトリクロロシランを回収する。蒸留温度はトリクロロシランの沸点以上であって四塩化珪素の沸点以下の温度範囲、例えば、0〜0.1MPaGの圧力下で33℃〜55℃に設定される。
回収したトリクロロシランはシリコン製造原料の一部として反応炉10に返送して再利用することができる。なお、排ガスに含まれているモノクロロシラン(沸点約−30℃)やジクロロシラン(沸点約8.2℃)はトリクロロシラン(沸点約33℃)より沸点が低く、トリクロロシランに先立って留出するので、これを先に回収することによりトリクロロシランと分離して回収することができる。このモノクロロシランやジクロロシランは高純度であるので電子材料用の金属シリコンや非晶質シリコンの原料として用いることができる。また、四塩化珪素の沸点(約58℃)はこれらのクロロシラン類よりも高いので、この蒸留工程では塔底より排出される。
次に、上記蒸留分離工程(蒸留塔1)から排出された液分を次の蒸留分離工程(蒸留塔2)に導き、塔頂温度を四塩化珪素の蒸留温度に設定し、留出した四塩化珪素を回収する。蒸留温度は四塩化珪素の沸点以上であって六塩化二珪素の沸点以下の温度範囲、例えば、0〜0.1MPaG圧下で57〜80℃に設定される。この蒸留工程において、四塩化珪素が留出する一方、高沸分を含むポリマーが液分に残る。回収した四塩化珪素はトリクロロシランの製造原料などに再利用することができる。
図1に示す製造工程例は、水素ガスを分離した凝縮液を蒸留して未反応のクロロシランを留出させる第1蒸留工程と、第1蒸留工程の残液を蒸留して四塩化珪素を留出させる第2蒸留工程と、第2蒸留工程の残液を蒸留して六塩化二珪素を留出させる第3蒸留工程とが各々の蒸留塔によって独立に実施されているが、第1蒸留工程と第2蒸留工程を併合し、未反応のクロロシランと四塩化珪素とを連続して留出させた後に、この蒸留工程の残液を蒸留して六塩化二珪素を留出させても良い。
四塩化珪素の蒸留工程(蒸留塔2)から排出された液分を六塩化二珪素(Si2Cl6)の蒸留回収工程(蒸留塔3)に導き、塔頂温度を六塩化二珪素の蒸留温度に設定し、留出した六塩化二珪素を回収する。蒸留温度は六塩化二珪素の沸点以上であって高沸分の沸点以下の温度範囲、例えば、0〜0.1MPaG圧下で144〜165℃に設定される。このとき、蒸留温度が低い初期の留分には液に残留した四塩化珪素が含まれているのでこれをカットする。次いで、しだいに蒸留温度が上昇するとテトラクロロジシラン(Si2H2Cl4:沸点約135℃〜約140℃)が留出するので、この中間留分をカットするか、あるいは必要に応じこれを分離して回収する。さらに蒸留温度が六塩化二珪素の沸点(沸点約144℃)に達すると純度の高い六塩化二珪素が留出するのでこれを回収する。
一例として、135℃未満の初留には四塩化珪素が多く含まれ、135℃〜149℃の中間留分には主としてテトラクロロジシランが含まれる。これより高温の149℃〜150℃の留分には主に六塩化二珪素が含まれる。150℃を超えると高沸化合物が留出するので、これが留出しないうちに蒸留を止める。残留液分(缶残)には八塩化三珪素や十塩化四珪素などが含まれている。なお、蒸留塔3の六塩化二珪素の蒸留回収工程は以上のような回分蒸留に限らず連続蒸留でも良い。
上記製造工程において、四塩化珪素の蒸留分離工程と六塩化二珪素の蒸留回収工程との間に塩素導入工程を設け、四塩化珪素の蒸留分離工程から排出された残液に塩素ガスを加えてポリマー成分の分解、塩素化、脱水素化を進め、これを六塩化二珪素の蒸留工程に導くことによって六塩化二珪素の収率を高めることができる。導入する塩素ガス量は四塩化珪素の蒸留分離工程から排出された液量に対して5%〜10%程度であれば良い。また、塩素導入工程は、四塩化珪素の蒸留分離工程と六塩化二珪素の蒸留回収工程との間に限らず、トリクロロシランの蒸留工程と四塩化珪素の蒸留工程との間、あるいは四塩化珪素の蒸留工程の中、あるいは六塩化二珪素の蒸留工程の中に設けても良く、何れの場合も六塩化二珪素の収率を高めることができる。
このように、蒸留後の残液に塩素を加えて塩素化を進めることにより、六塩化二珪素の収率を高めることができる。ただし、このとき、残液に塩素が残留していると、蒸留中に残留塩素と蒸留成分が反応して粉末が発生する場合がある。この粉末は蒸留系内に付着してスケールを発生させ、液やガスの流れを悪くしたり、流量計の表示に誤差を生じて蒸留が不安定になる等の悪影響を及ぽす。また、この粉末が留出した六塩化二珪素中に混入して回収した六塩化二珪素の純度を低下させる。そこで、蒸留後の残液に塩素ガスを導入する場合には、残留する塩素を脱気する工程をその後に設けるのが好ましい。塩素ガスの脱気手段としては、塩素を導入した残液に窒素やアルゴン等の不活性ガスを導入してバブリングする方法や、真空加熱する方法などがある。導入する不活性ガスの量は先に導入した塩素ガスの約3倍程度であれば良い。
塩素導入と残留塩素の脱気は任意の蒸留工程の間、あるいは蒸留工程において行うことができ、また段階的に行っても良い。さらに残留塩素の脱気工程は塩素の導入後に連続して行っても良く、あるいは次の蒸留工程において行っても良い。すなわち、クロロシランの蒸留工程、四塩化珪素の蒸留工程、六塩化二珪素の蒸留工程の少なくとも何れかの蒸留工程の後に、残液に塩素を導入して塩素化を進めた後に残留塩素を脱気し、この残液を次の蒸留工程に導く。あるいは残液に塩素を導入して塩素化を進めた後に、この残液を次の蒸留工程に導いて塩素を脱気する。
以上の述べた製造工程において、図示する製造工程例では、トリクロロシランの蒸留工程(蒸留塔1)、四塩化珪素の蒸留工程(蒸留塔2)、および六塩化二珪素の蒸留工程(蒸留塔3)が個別の蒸留塔1、2、3によって順に連続して行われているが、このような態様に限らず、蒸留温度を制御することによって蒸留塔1、2、または蒸留塔2、3を同一の蒸留塔で実施しても良く、あるいは上記各蒸留工程を任意に組み合わせて実施しても良い。
本発明を以下の実施例によって具体的に示す。
〔実施例1〕
トリクロロシランと水素の混合ガスを密閉した反応炉10で1000℃前後の高温下で熱分解および水素還元して多結晶シリコンを加熱体表面に析出させる反応系において、図1に示すように、反応炉10から排出された排ガス6910Nm3/hrをコンデンサー11に導いて−55℃に冷却し、未凝縮の水素ガスを回収して反応炉10に回送する一方、凝縮水4.2m3/hrを蒸留塔1に導き、蒸留温度を52℃(at 0.1MPaG)に設定して留分3.7T/hrを回収した。この留分をガスクロマトグラフによって分析したところトリクロロシランの量は97.1%であった(他はジクロロシラン)。
次いで、蒸留塔1の残液を蒸留塔2に導き、塔頂温度を79℃(at 0.1MPaG)に設定して留分1.9T/hrを回収した。この留分をガスクロマトグラフによって分析したところ四塩化珪素の量は99.3%であった(他はトリクロロシラン)。
引き続き、蒸留塔2から排出された残液(仕込液)について、塩素ガスを導入せずに蒸留塔3に導き、塔頂温度を150℃に設定して蒸留を行った。まず、蒸留温度が31℃〜135℃未満の初留を分離し、さらに135℃〜149℃の留出部分(中間留分)を分離した後に、149℃〜150℃の留出部分(製品)を回収した。150℃以上の蒸留成分は缶残としてカットした。回収したガス成分をガスクロマトグラフによって分析し、回収量と共に表1に示した。また、これに対比して仕込液の成分を表1に示した。この結果に示すように、本方法によれば仕込量に対して19%の六塩化二珪素が回収された。
〔実施例2〕
仕込液(77.1kg)に塩素ガス(4.2kg)を導入した以外は実施例1と同様にして蒸留を行った。この結果を表1に示した。本方法によれば仕込量に対して79%の六塩化二珪素が回収された。
〔実施例3〕
本発明の製造方法によって得た六塩化二珪素の原液(蒸留塔2から排出されたポリマーを含む)を蒸留塔3に導いて精製した。精製した六塩化二珪素に含まれる不純物を表2に示した。一方、比較例として、従来の方法に従って、金属シリコンを原料として製造した六塩化二珪素の原液を蒸留塔3に導入して精製した。この不純物量を実施例3に対比して表2に示した。この結果に示すように、本発明の製造方法によって得た六塩化二珪素は従来の製造方法で得たものより格段に不純物が少なく、高純度の製品が得られる。
〔実施例4〕
実施例1と同様の蒸留工程において、仕込液を75.5kgとし、四塩化珪素の蒸留工程から排出した残液に塩素ガス(4.1kg)を導入して塩素化を進めた後に、窒素ガスを50L/minの流量で197分間導入(導入量12.3kg)してバブリングし、液中の塩素を除去した。この脱気処理した溶液を六塩化二珪素の蒸留塔に導き、蒸留時の粉末の発生をパーティクルカウンターで測定した。この結果を表3に示した。一方、本例と同様の蒸留処理において、仕込液を77.1kgとし、四塩化珪素の蒸留工程から排出した残液に塩素ガス(4.2kg)を導入して塩素化を進めた後には窒素バグリングを行わず、この溶液を六塩化二珪素の蒸留塔に導き、蒸留時の粉末の発生をパーティクルカウンターで測定した。この結果を比較例として表3に示した。
実施例2に示すように、蒸留する溶液に塩素を導入して塩素化を進めることによって六塩化二珪素の収率を大幅に高めることができるが、本実施例の表3に示すように、塩素導入後にさらに脱気処理を行うことにより、蒸留時の微粒子の発生を防止することができる。塩素導入後に脱気処理を行わないものは5μm以下の微粒子が多数発生した。
〔産業上の利用可能性〕
本発明の製造方法によれば、クロロシラン類と水素を原料とする多結晶シリコンの製造炉から排出される排ガスから六塩化二珪素を高い収率で容易に回収することができる。従来、この排ガスから六塩化二珪素を回収する方法は知られておらず、本発明の製造方法は排ガスの再利用方法としても有用である。また、本発明の方法によれば六塩化二珪素と共にテトラクロロジシランを回収することができる。さらに、本発明の方法によって回収される六塩化二珪素およびテトラクロロジシランは半導体材料として用いられる多結晶シリコンの反応排出ガスから回収したものであるので従来の金属シリコンを原料にするものに比べて純度が格段に高い。また、蒸留する溶液に塩素を導入して塩素化を進めることによって六塩化二珪素の回収率を高めることができ、さらに塩素を導入した溶液から残留塩素を脱気することによって蒸留時の微粒子の発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
図1は本発明の製造方法の一例を示す工程図である。
Claims (11)
- 高温下におけるクロロシランの熱分解ないし水素還元によって多結晶シリコンを析出させるシリコン反応系から排出された排ガスについて、この排ガスを冷却して凝縮液とし、この凝縮液を蒸留して六塩化二珪素を回収することを特徴とする六塩化二珪素の製造方法。
- 多結晶シリコンの生成反応系から排出された排ガスを冷却して水素を分離した凝縮液とし、この凝縮液を蒸留して未反応のクロロシランおよび副生した四塩化珪素を分離した後に、六塩化二珪素を留出させて回収する請求の範囲1の製造方法
- 水素ガスを分離した凝縮液を蒸留して未反応のクロロシランを留出させる第1蒸留工程と、第1蒸留工程の残液を蒸留して四塩化珪素を留出させる第2蒸留工程と、第2蒸留工程の残液を蒸留して六塩化二珪素を留出させる第3蒸留工程とを有する請求の範囲1または2の製造方法。
- 水素ガスを分離した凝縮液を蒸留して未反応のクロロシランと四塩化珪素とを連続して留出させる蒸留工程と、この蒸留工程の残液を蒸留して六塩化二珪素を留出させる蒸留工程とを有する請求の範囲1または2の製造方法。
- 六塩化二珪素の蒸留工程において、初留をカットした後に六塩化二珪素を主体とする高温蒸留部分を回収する請求の範囲1〜4の何れかに記載する製造方法。
- 六塩化二珪素の蒸留工程において、初留をカットした後に、テトラクロロジシランを主体とする中間留分を回収し、さらに六塩化二珪素を主体とする高温蒸留部分を回収する請求の範囲1〜4の何れかに記載する製造方法。
- クロロシランの蒸留工程、四塩化珪素の蒸留工程、および六塩化二珪素の蒸留工程が各々の蒸留塔によって順に連続して行われる請求の範囲1〜6の何れかに記載する製造方法。
- クロロシランの蒸留工程と四塩化珪素の蒸留工程との間、あるいは四塩化珪素の蒸留工程と六塩化二珪素の蒸留工程との間、あるいは四塩化珪素の蒸留工程の中、あるいは六塩化二珪素の蒸留工程の中に塩素導入工程を設けた請求の範囲1〜7の何れかに記載する製造方法。
- 請求の範囲8の製造方法において、各々の蒸留工程に塩素を導入して塩素化を進めた後に、残液に残留した塩素を脱気する製造方法。
- 請求の範囲9の製造方法において、不活性ガスを残液に導入してバブリングすることにより塩素を脱気する製造方法。
- クロロシランの蒸留工程、四塩化珪素の蒸留工程、六塩化二珪素の蒸留工程の少なくとも何れかの蒸留工程の後に、残液に塩素を導入して塩素化を進めた後に残留塩素を脱気し、この残液を次の蒸留工程に導くか、あるいは、残液に塩素を導入して塩素化を進めた後に、この残液を次の蒸留工程に導いて塩素を脱気する請求の範囲8、9または10の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000234621 | 2000-08-02 | ||
PCT/JP2001/006450 WO2002012122A1 (fr) | 2000-08-02 | 2001-07-26 | Procédé de production d'hexachlorure de disilicium |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4465961B2 true JP4465961B2 (ja) | 2010-05-26 |
Family
ID=18726966
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002517427A Expired - Lifetime JP4465961B2 (ja) | 2000-08-02 | 2001-07-26 | 六塩化二珪素の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6846473B2 (ja) |
EP (1) | EP1264798B1 (ja) |
JP (1) | JP4465961B2 (ja) |
KR (1) | KR100731558B1 (ja) |
CN (1) | CN1193932C (ja) |
TW (1) | TWI226873B (ja) |
WO (1) | WO2002012122A1 (ja) |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2836839B1 (fr) † | 2002-03-07 | 2004-07-09 | Cit Alcatel | Procede de traitement de rejets gazeux provenant d'une unite de fabrication d'une preforme de fibre optique |
US20050186513A1 (en) * | 2004-02-24 | 2005-08-25 | Martin Letz | Liquid and method for liquid immersion lithography |
CN101107196B (zh) * | 2005-04-07 | 2011-03-30 | 东亚合成株式会社 | 六氯化二硅的精制方法和高纯度六氯化二硅 |
DE102006009954A1 (de) | 2006-03-03 | 2007-09-06 | Wacker Chemie Ag | Wiederverwertung von hochsiedenden Verbindungen innerhalb eines Chlorsilanverbundes |
DE102006009953A1 (de) * | 2006-03-03 | 2007-09-06 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Wiederverwertung von hochsiedenden Verbindungen innerhalb eines Chlorsilanverbundes |
JP2007269679A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sumitomo Titanium Corp | 高純度アルキルシランの製造方法 |
JP4594271B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2010-12-08 | 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ | 六塩化二珪素の製造方法 |
DE102006034061A1 (de) * | 2006-07-20 | 2008-01-24 | REV Renewable Energy Ventures, Inc., Aloha | Polysilanverarbeitung und Verwendung |
DE102006043929B4 (de) * | 2006-09-14 | 2016-10-06 | Spawnt Private S.À.R.L. | Verfahren zur Herstellung von festen Polysilanmischungen |
CN101528813B (zh) * | 2006-10-24 | 2011-10-26 | 陶氏康宁公司 | 含新戊硅烷的组合物及其制备方法 |
JP5435188B2 (ja) | 2006-11-14 | 2014-03-05 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコンの製造方法および多結晶シリコン製造設備 |
KR20100021432A (ko) * | 2007-06-07 | 2010-02-24 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | 반도체용 난연성 용매 |
DE102007000841A1 (de) | 2007-10-09 | 2009-04-16 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Hexachlordisilan |
EP2067745B1 (en) * | 2007-11-30 | 2017-07-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for separating and recovering conversion reaction gas |
DE102008000052A1 (de) | 2008-01-14 | 2009-07-16 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Abscheidung von polykristallinem Silicium |
KR101573933B1 (ko) | 2008-02-29 | 2015-12-02 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 트리클로로실란의 제조 방법 및 제조 장치 |
JP5444839B2 (ja) * | 2008-05-28 | 2014-03-19 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
WO2010002815A2 (en) * | 2008-06-30 | 2010-01-07 | Memc Electronic Materials, Inc. | Fluidized bed reactor systems and methods for reducing the deposition of silicon on reactor walls |
JP5316291B2 (ja) | 2008-08-05 | 2013-10-16 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
JP5316290B2 (ja) | 2008-08-05 | 2013-10-16 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
JP5206334B2 (ja) * | 2008-11-07 | 2013-06-12 | 東亞合成株式会社 | クロロポリシランの製造方法 |
US8168123B2 (en) * | 2009-02-26 | 2012-05-01 | Siliken Chemicals, S.L. | Fluidized bed reactor for production of high purity silicon |
US20120070361A1 (en) * | 2009-03-30 | 2012-03-22 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for collection of hexachlorodisilane and plant for the method |
EP2421640A1 (en) * | 2009-04-20 | 2012-02-29 | Ae Polysilicon Corporation | Methods and system for cooling a reaction effluent gas |
AU2010239350A1 (en) | 2009-04-20 | 2011-11-10 | Ae Polysilicon Corporation | A reactor with silicide-coated metal surfaces |
DE102009056438B4 (de) | 2009-12-02 | 2013-05-16 | Spawnt Private S.À.R.L. | Verfahren zur Herstellung von Hexachlordisilan |
US8828324B2 (en) * | 2009-12-29 | 2014-09-09 | Sunedison, Inc. | Fluidized bed reactor systems and distributors for use in same |
DE102010002812A1 (de) | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Entsorgung Hexachlordisilan-haltiger Dämpfe |
CN101857606B (zh) * | 2010-06-25 | 2012-08-08 | 天津大学 | 甲基氯硅烷并联双效精馏方法 |
JP5630412B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2014-11-26 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
CN102417183B (zh) * | 2011-08-31 | 2013-03-27 | 上海优华系统集成技术有限公司 | 改进的多晶硅制备中尾气回收冷凝系统 |
US8875728B2 (en) | 2012-07-12 | 2014-11-04 | Siliken Chemicals, S.L. | Cooled gas distribution plate, thermal bridge breaking system, and related methods |
CN103011173B (zh) * | 2012-12-18 | 2014-04-16 | 江南大学 | 六氯乙硅烷的合成方法 |
CN103112859A (zh) * | 2013-02-26 | 2013-05-22 | 天津大学 | 连续式氯硅烷残液回收处理装置及方法 |
CN103101914B (zh) * | 2013-02-26 | 2014-11-12 | 天津大学 | 从氯硅烷残液中回收和提纯六氯乙硅烷的间歇操作方法及装置 |
DE102013207444A1 (de) | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Polychlorsilanen |
DE102013207447A1 (de) | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Octachlortrisilan |
DE102013207441A1 (de) | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Hexachlordisilan durch Spaltung von höheren Polychlorsilanen wie Octachlortrisilan |
DE102014203810A1 (de) | 2014-03-03 | 2015-09-03 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung reiner Octachlortrisilane und Decachlortetrasilane |
DE102014007685B4 (de) * | 2014-05-21 | 2022-04-07 | Sven Holl | Verfahren zur Herstellung von Hexachlordisilan |
CN104140103B (zh) * | 2014-07-28 | 2016-04-13 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 处理多晶硅还原尾气的系统 |
CN104140106B (zh) * | 2014-07-28 | 2016-08-24 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 处理多晶硅还原尾气的方法 |
DE102014018435A1 (de) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | Silicon Products Bitterfeld GmbH&CO.KG | Verfahren zur Gewinnung von Hexachlordisilan aus in Prozessabgasströmen enthaltenen Gemischen von Chlorsilanen |
EP3088359B1 (de) | 2015-04-28 | 2018-09-12 | Evonik Degussa GmbH | Verfahren zur herstellung von octachlortrisilan und höherer polychlorsilane unter verwertung von hexachlordisilan |
CN105271246B (zh) * | 2015-04-30 | 2017-12-22 | 宁夏胜蓝化工环保科技有限公司 | 一种利用多晶硅副产物制备氯代乙硅烷的方法 |
CN105314638B (zh) * | 2015-11-26 | 2018-01-05 | 新疆大全新能源有限公司 | 三氯氢硅合成料中四氯化硅回收利用及除高沸物的方法和装置 |
JP7028604B2 (ja) * | 2017-10-24 | 2022-03-02 | デンカ株式会社 | ヘキサクロロジシランの製造方法 |
US12098075B2 (en) | 2020-02-20 | 2024-09-24 | Wacker Chemie Ag | Method for obtaining hexachlorodisilane by reacting at least one partially hydrogenated chlorodisilane on a solid unfunctionalized adsorber |
CN111643916B (zh) * | 2020-05-22 | 2022-07-15 | 湖北晶星科技股份有限公司 | 一种制备高纯度六氯乙硅烷的工艺 |
CN112479213B (zh) * | 2020-12-18 | 2023-09-19 | 武汉新硅科技潜江有限公司 | 连续精馏法生产电子级六氯二硅烷的方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1129937B (de) * | 1959-09-28 | 1962-05-24 | Siemens Ag | Verfahren und Anordnung zur Rueckgewinnung der unverbrauchten Ausgangsstoffe bei derHerstellung von Reinstsilicium mittels Reduktion von Silanen durch Wasserstoff |
DE2918078A1 (de) * | 1979-05-04 | 1980-11-13 | Siemens Ag | Verfahren zur rueckgewinnung von bei der abscheidung von silicium durch thermische zersetzung anfallenden restgasen |
JPS57140309A (en) * | 1981-02-19 | 1982-08-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Manufacture of silicon |
DE3139705C2 (de) * | 1981-10-06 | 1983-11-10 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur Aufarbeitung der bei der Siliciumabscheidung und der Siliciumtetrachlorid-Konvertierung anfallenden Restgase |
US4390510A (en) * | 1982-02-16 | 1983-06-28 | General Electric Company | Process for treating spent silicon-containing reaction masses to produce halosilanes |
JPS59195519A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-06 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ヘキサクロロジシランの製造法 |
JPS60145908A (ja) | 1984-01-09 | 1985-08-01 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 六塩化硅素の製造方法 |
JPS60176915A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-11 | Central Glass Co Ltd | ジシランの製造法 |
JP2664048B2 (ja) * | 1995-03-27 | 1997-10-15 | 科学技術庁金属材料技術研究所長 | 六フッ化二ケイ素の合成法 |
JP3878278B2 (ja) * | 1997-05-12 | 2007-02-07 | 株式会社トクヤマ | 燐含有量の少ない多結晶シリコンの製造方法 |
JPH11253741A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-21 | Tokuyama Corp | シラン類の処理方法 |
US20020187096A1 (en) * | 2001-06-08 | 2002-12-12 | Kendig James Edward | Process for preparation of polycrystalline silicon |
-
2001
- 2001-07-26 WO PCT/JP2001/006450 patent/WO2002012122A1/ja active Application Filing
- 2001-07-26 EP EP01955536.6A patent/EP1264798B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-26 CN CNB018030076A patent/CN1193932C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-26 JP JP2002517427A patent/JP4465961B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-26 KR KR1020027004239A patent/KR100731558B1/ko active IP Right Grant
- 2001-07-31 TW TW090118535A patent/TWI226873B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-04-02 US US10/113,982 patent/US6846473B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030147798A1 (en) | 2003-08-07 |
US6846473B2 (en) | 2005-01-25 |
TWI226873B (en) | 2005-01-21 |
WO2002012122A1 (fr) | 2002-02-14 |
KR100731558B1 (ko) | 2007-06-22 |
EP1264798A4 (en) | 2005-07-20 |
EP1264798A1 (en) | 2002-12-11 |
CN1392862A (zh) | 2003-01-22 |
EP1264798B1 (en) | 2016-08-31 |
CN1193932C (zh) | 2005-03-23 |
KR20020074447A (ko) | 2002-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4465961B2 (ja) | 六塩化二珪素の製造方法 | |
JP5311014B2 (ja) | 転換反応ガスの分離回収方法。 | |
US4676967A (en) | High purity silane and silicon production | |
US9533279B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing trichlorosilane | |
TWI436946B (zh) | 多晶矽之製造方法以及多晶矽製造設備 | |
WO2003040036A1 (fr) | Procede de production de silicium | |
JP2007001791A (ja) | 三塩化シランの精製方法 | |
JP6287081B2 (ja) | テトラクロロシラン回収方法及び多結晶シリコン製造方法 | |
JP6586405B2 (ja) | トリクロロシランの精製システムおよび多結晶シリコンの製造方法 | |
US20120177559A1 (en) | Apparatus and method for producing polycrystalline silicon having a reduced amount of boron compounds by forming phosphorus-boron compounds | |
JP5742622B2 (ja) | トリクロロシラン製造方法及び製造装置 | |
JP2006169012A (ja) | ヘキサクロロジシラン及びその製造方法 | |
JP5657493B2 (ja) | ホウ素化合物の不純物を減じたトリクロロシラン製造方法 | |
US20130121908A1 (en) | Method for producing trichlorosilane with reduced boron compound impurities | |
JPH01226712A (ja) | ジクロルシランの製造方法 | |
JP2006176357A (ja) | ヘキサクロロジシランの製造方法 | |
JP3889409B2 (ja) | 高純度四塩化けい素とその製造方法 | |
JP7313270B2 (ja) | 高純度トリクロロシランの精製方法 | |
JPH0352408B2 (ja) | ||
CA1151395A (en) | High purity silane and silicone production | |
JP4594271B2 (ja) | 六塩化二珪素の製造方法 | |
JP2000178018A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法および高純度シリカの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061110 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20070428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100202 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4465961 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140305 Year of fee payment: 4 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |