JP4413694B2 - スピンオンガラスによるシリコン酸化膜の形成方法 - Google Patents
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本発明の一実施形態によって形成されたシリコン酸化膜の吸光度を評価するために、ポリシラザンを含むスピンオンガラス組成物を裸のテストウェーハに塗布し、約3,400Åの厚さを有するスピンオンガラス膜を形成した。前記スピンオンガラス膜を、酸素雰囲気下で約30分間、約400℃の温度でベーキングした。
(実験例1)
本発明によるポリシラザンを含むスピンオンガラス組成物を、裸のテストウェーハ上にスピンコーティングして、約3,400Åの厚さのスピンオンガラス膜を形成した。次いで、前記スピンオンガラス膜を約400℃の温度で約30分間ハードベーキングした後、本発明による酸化剤溶液中に約10分間浸漬させて、前記スピンオンガラス膜をシリコン酸化膜に転換させた。得られたシリコン酸化膜の厚さを測定した後、前記テストウェーハを緩衝酸化エッチング液(buffered oxide etchant、NH4F+HF緩衝溶液)の水溶液で25℃の温度で20秒間ウェットエッチングした。次いで、残ったシリコン酸化膜の厚さを測定し、この値を最初の測定値から引いて、除去された膜の厚さを算出した。その結果、エッチングによって除去された膜の厚さは、約1,570Åであった。
前記実験例1と同様の手法により、シリコン酸化膜を有するテストウェーハを調製した。その後、スピンオンガラス膜をシリコン酸化膜に転換させ、前記テストウェーハを大気中に1日間放置した。放置期間の完了後、前記テストウェーハを前記実験例1と同様の手法によりエッチングした。その結果、エッチングによって除去された膜の厚さは、約1,530Åであった。
前記実験例1と同様の手法により、シリコン酸化膜を有するテストウェーハを調製した。その後、スピンオンガラス膜をシリコン酸化膜に転換させ、前記テストウェーハを大気中に2日間放置した。放置期間の完了後、前記テストウェーハを前記実験例1と同様の手法によりエッチングした。その結果、エッチングによって除去された膜の厚さは、約1,520Åであった。
本発明によるポリシラザンを含むスピンオンガラス組成物を、裸のテストウェーハ上にスピンコーティングして、約3,400Åの厚さのスピンオンガラス膜を形成した。次いで、前記スピンオンガラス膜を約400℃の温度で約30分間ハードベーキングした後、前記テストウェーハを大気中に2日間放置した。放置期間が経過した後、前記テストウェーハ上の前記スピンオンガラス膜を、本発明の酸化剤溶液中に約10分間浸漬させて、前記スピンオンガラス膜をシリコン酸化膜に転換させた。得られたシリコン酸化膜の厚さを測定した後、前記テストウェーハを大気中に更に1日間放置した。放置期間が経過した後、前記テストウェーハを緩衝酸化エッチング液(NH4F+HF緩衝溶液)の水溶液で25℃の温度で20秒間ウェットエッチングした。次いで、残ったシリコン酸化膜の厚さを測定し、この値を最初の測定値から引いて、除去された膜の厚さを算出した。その結果、エッチングにより除去された膜の厚さは、約1,590Åであった。
ポリシラザンを含むスピンオンガラス組成物を、裸のテストウェーハ上にスピンコーティングして、約3,400Åの厚さのスピンオンガラス膜を形成した。次いで、前記スピンオンガラス膜を約400℃の温度で約30分間ハードベーキングした。ハードベーキングされたスピンオンガラス膜の厚さを測定した後、前記テストウェーハを緩衝酸化エッチング液の水溶液で25℃の温度で20秒間ウェットエッチングした。次いで、残ったシリコン酸化膜の厚さを測定し、この値を最初の測定値から引いて、除去された膜の厚さを算出した。その結果、エッチングによって除去された膜の厚さは、約2,670Åであった。
前記比較例1と同様の手法により、シリコン酸化膜を有するテストウェーハを調製した。次いで、ハードベーキングされたスピンオンガラス膜を有する前記テストウェーハを大気中に1日間放置した。放置期間が経過した後、前記テストウェーハを前記比較例1と同様の手法によりエッチングした。その結果、エッチングにより除去された膜の厚さは、約1,290Åであった。
12 溝、
13 第1のスピンオンガラス膜、
13a 第1のシリコン酸化膜、
14 酸化シリコン、
14a 酸化シリコンの上部表面、
16 ゲート酸化膜、
20 n型半導体領域、
22 フォトレジストパターン、
24a ポリシリコンパターン、
24b タングステンシリサイドパターン、
24c タングステンパターン、
24d シリコン窒化物パターン、
24Ga、24Gb、24Gc ゲート電極、
24WL ワード線、
25 p型不純物がドーピングされた領域、
26、27 n型不純物がドーピングされた領域、
30 p型ウェル、
32 シリコン窒化膜、
32a シリコン窒化膜スペーサ、
40 n型ウェル、
50 第2のスピンオンガラス膜、
50a 第2のシリコン酸化膜、
52 金属パターン、
54 第3のスピンオンガラス膜。
Claims (30)
- 第1の溶媒に溶解しているポリシラザンを含むスピンオンガラス組成物を半導体基板にスピンコーティングして、前記半導体基板上にスピンオンガラス塗膜を形成する段階と、
前記スピンオンガラス塗膜から前記第1の溶媒の実質的に全部が蒸発するように予備ベーキングしてスピンオンガラス膜を形成する段階と、
前記スピンオンガラス膜を緻密化するようにハードベーキングする段階と、
ハードベーキングされた前記スピンオンガラス膜を酸化剤溶液で処理して、前記酸化剤溶液の酸化作用により前記ポリシラザンを酸化シリコンに転換する段階と、
を含む半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。 - 前記予備ベーキングは、
前記スピンオンガラス塗膜から前記第1の溶媒の実質的に全部が蒸発するのに充分な時間、前記スピンオンガラス塗膜を400℃以下の温度で加熱することにより行われることを特徴とする請求項1記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。 - 前記酸化剤溶液は、オゾン、過酸化物、過マンガン酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、次亜臭素酸塩、亜臭素酸塩、臭素酸塩、次亜ヨウ素酸塩、亜ヨウ素酸塩、ヨウ素酸塩、硝酸、及び硫酸からなる群から選択される少なくとも一つの酸化剤を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記スピンオンガラス膜を処理する段階は、ディッピング法、スプレー法、又はパドリング法によって、第2の溶媒に溶解している前記酸化剤溶液を前記スピンオンガラス膜に塗布する段階を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記酸化剤溶液は、オゾン濃度が1〜200質量ppmのオゾン水溶液であることを特徴とする請求項3記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記酸化剤溶液は、20〜40℃の温度で5〜100質量ppmのオゾン濃度を有するオゾン水溶液であることを特徴とする請求項3記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記酸化剤溶液は、25〜90℃の温度で0.5〜30質量%の過酸化水素濃度を有する過酸化水素水溶液であることを特徴とする請求項3記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記過酸化水素水溶液は、水酸化アンモニウムの濃度が前記過酸化水素濃度に対して質量比(水酸化アンモニウム:過酸化水素)で1:3〜1:10である水酸化アンモニウム水溶液を更に含むことを特徴とする請求項7記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記酸化剤溶液は、40〜80℃の温度で3〜10質量%の過酸化水素を含み、0.5〜5質量%の水酸化アンモニウムを含む過酸化水素及び水酸化アンモニウムの水溶液であることを特徴とする請求項3記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記ハードベーキングは、
前記スピンオンガラス膜を緻密化するのに充分な時間、前記スピンオンガラス膜を300〜600℃の温度で加熱することにより行われることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。 - 前記ハードベーキングは、
前記スピンオンガラス膜のフッ化水素エッチング抵抗を少なくとも50%以上上昇させるのに充分な時間、前記スピンオンガラス膜を300〜600℃の温度で加熱することにより行われることを特徴とする請求項1記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。 - 前記ハードベーキングは、
前記スピンオンガラス膜を酸化雰囲気下において300℃〜500℃の温度で10〜120分間加熱して、二酸化シリコン及びポリシラザンを含む一部転換されたスピンオンガラス膜を形成する段階を含み、
前記スピンオンガラス膜を処理する段階は、
前記一部転換されたスピンオンガラス膜を酸化剤溶液で処理して、残留するポリシラザンを二酸化シリコンに転換して二酸化シリコン膜を形成する段階を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。 - 緻密化されたシリコン酸化膜を形成するのに充分な時間、前記シリコン酸化膜を600℃以上の温度でアニーリングする段階を更に含むことを特徴とする請求項1記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記緻密化されたシリコン酸化膜を平坦化させる段階を更に含むことを特徴とする請求項13記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記緻密化されたシリコン酸化膜を平坦化させる段階は、
前記緻密化されたシリコン酸化膜の上部を除去して前記半導体基板の上部表面を露出させる段階を更に含むことを特徴とする請求項14記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。 - 前記緻密化されたシリコン酸化膜を平坦化させる段階は、
前記緻密化されたシリコン酸化膜の上部を化学的機械研磨により除去して前記半導体基板の上部表面を露出させる段階と、
前記シリコン酸化膜をエッチングして前記半導体基板の上部表面より凹んでいる酸化面を形成する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項14記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。 - 前記半導体基板は、パターンを含むことを特徴とする請求項1記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記パターンは、導電性物質を含むことを特徴とする請求項17記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記導電性物質は、タングステン又はタングステンシリサイドを含むことを特徴とする請求項18記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記導電性物質は、アルミニウム又は銅を含むことを特徴とする請求項18記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記パターンは、前記半導体基板に形成された凹部を含むことを特徴とする請求項17記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記パターンは、前記半導体基板に形成されたシャロートレンチアイソレーションの開口部を含むことを特徴とする請求項21記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。
- 第1の溶媒に溶解しているポリシラザンを含むスピンオンガラス組成物を半導体基板にスピンコーティングして、前記半導体基板上にスピンオンガラス塗膜を形成する段階と、
前記スピンオンガラス塗膜から前記第1の溶媒の実質的に全部が蒸発するように予備ベーキングしてスピンオンガラス膜を形成する段階と、
前記スピンオンガラス膜を緻密化するようにハードベーキングする段階と、
ハードベーキングされた前記スピンオンガラス膜を酸化剤溶液で処理して、前記酸化剤溶液の酸化作用により前記ポリシラザンを酸化シリコンに転換する段階と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板上にアイソレーショントレンチ構造を形成する段階と、
前記アイソレーショントレンチ構造を前記スピンオンガラス膜で満たす段階と、
前記酸化シリコンの上部を除去して前記半導体基板の表面を露出させる段階と、を更に含むことを特徴とする請求項23記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板上にゲート電極構造を形成する段階と、
前記ゲート電極構造を前記スピンオンガラス膜で被覆する段階と、
前記酸化シリコンに開口部を形成して前記ゲート電極構造の一部を露出させる段階と、
前記酸化シリコン上に第1の金属層を形成する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項23記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板上に第1の導電性パターンを形成する段階と、
前記第1の導電性パターンを前記スピンオンガラス膜で被覆する段階と、
前記酸化シリコンに開口部を形成して前記第1の導電性パターンの一部を露出させる段階と、
前記酸化シリコン上に第2の導電層を形成する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項23記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板上に凹部を含むパターンを形成する段階と、
前記スピンオンガラス膜で前記パターンを被覆して前記凹部を満たす段階と、
前記酸化シリコンの上部を除去して前記半導体基板の表面を露出させる段階と、を更に含むことを特徴とする請求項23記載の半導体装置の製造方法。 - 前記酸化シリコンの付加的な部分を除去して、前記凹部に前記半導体基板の表面より凹んでいる酸化面を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項27記載の半導体装置の製造方法。
- 第1の溶媒に溶解しているポリシラザンを含むスピンオンガラス組成物を半導体基板にスピンコーティングして、前記半導体基板上にスピンオンガラス塗膜を形成する段階と、
前記スピンオンガラス塗膜から前記第1の溶媒の実質的に全部が蒸発するように予備ベーキングしてスピンオンガラス膜を形成する段階と、
前記スピンオンガラス膜を緻密化するようにハードベーキングする段階と、
ハードベーキングされた前記スピンオンガラス膜をベーキングして前記ポリシラザンの一部を酸化シリコンに転換する段階と、
前記スピンオンガラス膜を酸化剤溶液で処理して、残留しているポリシラザンを前記酸化剤溶液の酸化作用により酸化シリコンに転換する段階と、
を含む半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。 - 前記ハードベーキングは、酸化雰囲気下で行われ、前記酸化雰囲気は、酸素雰囲気又は水蒸気雰囲気であることを特徴とする請求項29記載の半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。
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