JP5710308B2 - 二酸化ケイ素膜の製造方法 - Google Patents
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Description
(A)基板表面にポリシラザン組成物を塗布して塗膜を形成させる塗布工程、
(B)前記塗膜を過酸化水素雰囲気下、50〜200℃で加熱する酸化工程
を含んでなることを特徴とするものである。
本発明による二酸化ケイ素膜の製造方法は、ポリシラザンを含む塗膜を過酸化水素雰囲気下で特定の温度範囲で加熱することによりポリシラザンを二酸化ケイ素に転化させる酸化工程を含むことをひとつの特徴としている。ここで、前記したとおり、過酸化水素の存在下にポリシラザンを酸化して二酸化ケイ素に転化されることは知られていた。しかし、過酸化水素雰囲気で加熱する場合であっても、加熱温度が高すぎると塗膜中に最初から存在する低分子量成分や酸化処理中に生成した低分子量成分の飛散や昇華が生じ、その結果、得られる二酸化ケイ素膜の収縮率が大きくなってしまう。これに対して、加熱温度が低すぎれば酸化反応そのものが進行せず、また過酸化水素蒸気が塗膜中に十分に浸透せずに酸化反応が進行しにくいこともある。このように、十分な特性を有する二酸化ケイ素膜を得るためには焼成を行う工程の条件が特定の条件を満たす必要がある。このような酸化工程を含む本発明による二酸化ケイ素膜の製造方法について、より詳細に説明すると以下の通りである。
まず、二酸化ケイ素膜を形成させる基板を準備する。本発明による二酸化ケイ素膜の製造方法は、酸化工程における加熱温度が相対的に低いため、一般的な二酸化ケイ素膜の製造方法よりもより広範な範囲から基板の材料を選択することができる。具体的には、シリコン基板などの半導体材料からなる基板、ガラスなどの無機材料からなる基板、プラスチックなどの有機材料からなる基板など、任意に選択することができる。
このような基板の表面に二酸化ケイ素膜を形成させる場合、二酸化ケイ素膜に種々の機能をもたせることができる。例えば、基板の表面に配置された素子を分離するためのシャロー・トレンチ・アイソレーション構造を構成する絶縁層にしたり、基板上に回路構造を積層する際の層間絶縁膜にすることもできる。
このうち、特に好ましいものとしてスチレン換算重量平均分子量が700〜30,000であるものが好ましい。
(a)芳香族化合物、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、トリエチルベンゼン等、(b)飽和炭化水素化合物、例えばn−ペンタン、i−ペンタン、n−ヘキサン、i−ヘキサン、n−ヘプタン、i−ヘプタン、n−オクタン、i−オクタン、n−ノナン、i−ノナン、n−デカン、i−デカン等、(c)脂環式炭化水素化合物、例えばエチルシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、p−メンタン、デカヒドロナフタレン、ジペンテン、リモネン等、(d)エーテル類、例えばジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルターシャリーブチルエーテル(以下、MTBEという)、アニソール等、および(e)ケトン類、例えばメチルイソブチルケトン(以下、MIBKという)等。これらのうち、(b)飽和炭化水素化合物、(c)脂環式炭化水素化合物(d)エーテル類、および(e)ケトン類がより好ましい。
塗布工程に引き続き、過酸化水素雰囲気下でポリシラザン塗膜を加熱して、塗膜全体を二酸化ケイ素膜に転化させる。この加熱によって、ポリシラザンが二酸化ケイ素膜、すなわち絶縁膜に転化される。加熱は、温度および過酸化水素雰囲気を制御できるものであれば任意の装置、例えば硬化炉やホットプレートを用いて行うことができる。特に、過酸化水素水を供給することにより、それを過酸化水素雰囲気に転換することできる装置が好ましい。例えば、ホットプレートを用いた装置では、ホットプレート上にカバーを設けて密閉し、その密閉された空間内に塗布済み基板を配置し、さらにその密閉空間内に過酸化水素水を滴下することにより、ホットプレートの熱により過酸化水素が密閉空間内に蒸気として存在することになり、本発明の酸化工程の条件を満たすことができる。
塗布工程後、焼成工程に先立って、ポリシラザン組成物が塗布された基板をプリベーク処理をすることができる。この工程では、塗膜中に含まれる溶媒の少なくとも一部を除去することを目的とする。
酸化工程後の基板を、さらに水蒸気雰囲気下で加熱して、さらに酸化反応を進行させることができる。水蒸気酸化は、硬化炉やホットプレートを用いて、水蒸気を含んだ不活性ガスまたは酸素雰囲気下で行うことが好ましい。水蒸気はポリシラザン化合物を二酸化ケイ素に十分に転化させるのに有効であり、雰囲気中の濃度は、好ましくは1モル%以上、より好ましくは10モル%以上、最も好ましくは20モル%以上とする。特に水蒸気濃度が20モル%以上であると、酸化反応がより進行しやすくなり、ボイドなどの欠陥が発生が少なくなり、二酸化ケイ素膜の特性が改良されるので好ましい。雰囲気ガスとして不活性ガスを用いる場合には、窒素、アルゴン、またはヘリウムなどを用いる。
酸化工程後、得られた二酸化ケイ素膜の不要な部分は除去することが好ましい。そのために、まず研磨工程により、基板上の溝部内側に形成された二酸化ケイ素膜を残し、基板表面の平坦部上に形成された二酸化ケイ素膜を研磨により除去する。この工程が研磨工程である。この研磨工程は、硬化処理の後に行うほか、溶媒除去工程を組み合わせる場合には、溶媒除去直後に行うこともできる。
前記の研磨工程において、基板表面の平坦部上に形成されたポリシラザン組成物に由来する二酸化ケイ素膜はほとんど除去されるが、基板表面の平坦部に残存している二酸化ケイ素膜を除去するために、さらにエッチング処理を行うことが好ましい。エッチング処理はエッチング液を用いるのが一般的であり、エッチング液としては、二酸化ケイ素膜を除去できるものであれば特に限定されないが、通常はフッ化アンモニウムを含有するフッ酸水溶液を用いる。この水溶液のフッ化アンモニウム濃度は5%以上であることが好ましく、30%以上であることがより好ましい。
シリコン基板にポリシラザン溶液(20重量%ジブチルエーテル溶液)を回転数1000rpmにてスピン塗布し、70℃のプリベークを3分間ほどこした。これにより膜厚600nmのポリシラザン塗膜を得た。これを150℃に加熱したホットプレート上に置き、石英シャーレで覆った。このシャーレの外側には直径3mmほどの穴が開けられていた。この穴から過酸化水素水(30重量%)を0.2cc/minの速度で滴下した。滴下された過酸化水素水はホットプレートに接触し、速やかに液相から気相(蒸気)に変わり、シャーレの中に一様に行き渡った。なおこの時のシャーレ内の過酸化水素濃度は約25mo1%、水蒸気濃度は約75mo1%と算出される。この酸化処理を10分間行った。得られた二酸化ケイ素膜を赤外分光スペクトルを測定したところ、ポリシラザン中のシラザン結合のほとんどがシロキサン結合に変わっており、シラノール基はほとんど残存していないことが分かった。
実施例1に対して、過酸化水素水の代わりに純水を滴下し、その他は同様にして塗布済み基板を加熱処理した。処理後に塗膜の赤外分光スペクトルを測定したところ、酸化反応がほとんど進行しておらず、酸化前のポリシラザンとほぼ同等であった。
実施例1と同様にしてシリコン基板にポリシラザン溶液を塗布し、ポリシラザン膜を得た。この試料を350℃80%H2O/O2の過熱水蒸気雰囲気中に30分間放置した後、窒素雰囲気下850℃で30分間加熱した。得られた二酸化ケイ素膜の収縮率、誘電率、絶縁破壊電圧の測定を行った。得られた結果は表1に示すとおりであった。
実施例1と同様にしてシリコン基板にポリシラザン溶液を塗布し、ポリシラザン膜を得た。一方、容器中に40℃に保温した30重量%過酸化水素水溶液を封入し、内部雰囲気が温度25℃相対湿度60%になるよう調整した保温容器を準備した。この保温容器内に試料を10分間放置し、さらにその後95℃相対湿度80%の水蒸気雰囲気中に5分間放置した。さらにその後窒素雰囲気下850℃で30分間加熱した。得られた二酸化ケイ素膜の赤外分光スペクトルを測定したところ、3300cm−1付近にブロードなピークが認められた。このピークは、シラノール基に帰属するものと考えられ、酸化反応が十分に進行していないことを示していた。得られた二酸化ケイ素膜の収縮率、誘電率、絶縁破壊電圧の測定を行った。得られた結果は表1に示すとおりであった。
過酸化水素水の濃度を10モル%(実施例2)または5モル%(実施例3)に変更したほかは、実施例1と同様にしてポリシラザン塗膜を加熱した。加熱時間が10分の場合、実施例2および3の塗膜は十分に酸化反応が進行していなかったので、それぞれさらに過熱を継続させた。実施例2は加熱時間15分で、実施例3は加熱時間40分で実施例1と同程度まで酸化反応が進行することがわかった。
Claims (13)
- (A)基板表面にポリシラザン組成物を塗布して塗膜を形成させる塗布工程、および
(B)前記塗膜を過酸化水素雰囲気下、50〜200℃で加熱する酸化工程
を含んでなり、かつ、前記酸化工程の後に、水蒸気雰囲気下、300〜1000℃で加熱する水蒸気酸化工程をさらに含むことを特徴とする、二酸化ケイ素膜の製造方法。 - 前記酸化工程を100〜200℃の温度で行う、請求項1に記載の二酸化ケイ素膜の製造方法。
- 前記酸化工程における過酸化水素雰囲気に含まれる過酸化水素濃度が、5〜50モル%である、請求項1または2に記載の二酸化ケイ素膜の製造方法。
- 前記酸化工程における過酸化水素雰囲気に含まれる水蒸気濃度が、5〜50モル%である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の二酸化ケイ素膜の製造方法。
- 前記酸化工程の加熱時間が0.5〜60分間である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の二酸化ケイ素膜の製造方法。
- 前記塗布工程と前記酸化工程との間に、溶媒除去工程をさらに含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の二酸化ケイ素膜の製造方法。
- 前記ポリシラザン組成物の固形分含有量が組成物の総重量を基準として、1〜40重量%である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の二酸化ケイ素膜の製造方法。
- 前記塗布工程において形成された塗膜の厚さが5〜10,000nmである、請求項1〜7のいずれか1項に記載の二酸化ケイ素膜の製造方法。
- 前記基板がプラスチック材料である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の二酸化ケイ素膜の製造方法。
- 表面に溝または孔を有する基板の表面に、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法により、前記溝または孔を埋設する二酸化ケイ素膜を形成させることを特徴とする、アイソレーション構造の製造方法。
- 前記二酸化ケイ素膜が、金属膜下絶縁膜または金属配線層間絶縁膜である、請求項10に記載のアイソレーション構造の製造方法。
- 前記二酸化ケイ素膜が、シャロー・トレンチ・アイソレーション構造を構成する、請求項10に記載のアイソレーション構造の形成方法。
- 前記溝の溝幅が5〜50nm、アスペクト比が10〜100である、請求項12に記載のアイソレーション構造の形成方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10985017B2 (en) | 2018-03-27 | 2021-04-20 | Kokusai Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6085209B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-02-22 | 株式会社神戸製鋼所 | SiO2膜被覆アルミニウム板の製造方法 |
JP6134576B2 (ja) * | 2013-04-30 | 2017-05-24 | サムスン エスディアイ カンパニー,リミテッドSamsung Sdi Co.,Ltd. | 改質シリカ膜の製造方法、塗工液、及び改質シリカ膜 |
US9528028B2 (en) | 2013-04-30 | 2016-12-27 | Cheil Industries, Inc. | Method for preparing modified silica film and modified silica film prepared from the same |
JP2014213318A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | チェイル インダストリーズインコーポレイテッド | 改質シリカ膜の製造方法、塗工液、及び改質シリカ膜 |
WO2015016180A1 (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理方法、基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 |
JP6151789B2 (ja) | 2013-10-10 | 2017-06-21 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
WO2016151684A1 (ja) * | 2015-03-20 | 2016-09-29 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、記録媒体及び基板処理装置 |
WO2017056188A1 (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 |
EP3543211B1 (en) | 2016-11-16 | 2022-04-20 | IHI Corporation | Method for hydrolyzing chlorosilane polymers |
SG11201908474WA (en) | 2017-03-23 | 2019-10-30 | Kokusai Electric Corp | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and program |
JP6950737B2 (ja) | 2017-04-17 | 2021-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜の成膜方法、絶縁膜の成膜装置及び基板処理システム |
WO2019049735A1 (ja) | 2017-09-11 | 2019-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜の成膜方法、基板処理装置及び基板処理システム |
KR102155047B1 (ko) * | 2018-11-30 | 2020-09-11 | 한국생산기술연구원 | 내염기성 코팅 조성물 및 이의 제조 방법 |
CN111599675A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-08-28 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种自对准双重图形化的方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5055431A (en) | 1985-04-26 | 1991-10-08 | Sri International | Polysilazanes and related compositions, processes and uses |
JPH09183663A (ja) | 1995-10-30 | 1997-07-15 | Tonen Corp | プラスチックフィルムにSiO2系セラミックスを被覆する方法 |
KR100317569B1 (ko) * | 1995-07-13 | 2001-12-24 | 다마호리 다메히코 | 세라믹스질 물질 형성용 조성물 및 세라믹스질 물질의제조 방법 |
JP2904110B2 (ja) | 1996-04-02 | 1999-06-14 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3993330B2 (ja) * | 1999-01-04 | 2007-10-17 | クラリアント インターナショナル リミティド | SiO2系セラミックス膜の形成方法 |
KR100499171B1 (ko) * | 2003-07-21 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 스핀온글래스에 의한 산화실리콘막의 형성방법 |
US7192891B2 (en) * | 2003-08-01 | 2007-03-20 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Method for forming a silicon oxide layer using spin-on glass |
JP5177617B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2013-04-03 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 酸化シリコン薄膜形成装置 |
JP5242941B2 (ja) * | 2007-05-07 | 2013-07-24 | 敏夫 寺中 | 医療用部材の製造方法 |
KR100908821B1 (ko) * | 2007-11-08 | 2009-07-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 절연막 형성방법 |
KR100955935B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2010-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
JP2010003983A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Az Electronic Materials Kk | シャロー・トレンチ・アイソレーション構造とその形成方法 |
KR20100082170A (ko) * | 2009-01-08 | 2010-07-16 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 산화막 패턴 및 소자 분리막 형성 방법 |
KR101171020B1 (ko) * | 2009-07-03 | 2012-08-08 | 주식회사 메카로닉스 | 이산화실리콘 증착을 위한 박막 증착 방법 |
JP2012060000A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | シリコン酸化膜の製造装置 |
-
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Cited By (1)
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