TWI518033B - 二氧化矽膜之製造方法 - Google Patents

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Description

二氧化矽膜之製造方法
本發明係有關電子裝置中的二氧化矽膜之製造方法。更詳言之，本發明係有關在製造半導體元件等電子裝置時形成二氧化矽膜之方法，該二氧化矽膜係用於電子裝置所使用之絕緣膜的形成，例如淺溝槽隔離(shallow trench isolation)構造的形成。
一般而言，於半導體裝置之各種電子裝置中，半導體元件，例如電晶體、電阻及其他係配置於基板上，惟此等需電絕緣。因此，此等元件之間需有隔離元件用的隔離構造。
另一方面，在電子裝置領域中，近年來高密度化及高積體化係持續進展。若此種高密度及高積體化持續進展，則需形成符合所需積體度的細微隔離構造。作為合乎如此需求的新穎隔離構造之一，係可例舉溝槽隔離構造。此構造係於半導體基板表面形成細微的槽，再於該槽內部填充絕緣物，以將形成於槽兩側的元件之間電性隔離之構造。相較於習知方法，此種元件隔離用構造由於可縮小隔離區域，乃為可有效達成近來所要求之高積體度的元件隔離構造。且，擬將元件以三維方式積層而達高密度化時，亦需於導電性材料層之間設置絕緣層。作為此種絕緣膜係有金屬膜下絕緣膜、金屬配線層間絕緣膜等。
作為供形成此種構造之方法，已知有在具槽構造之基板的表面塗布含聚矽氮烷化合物之組成物將槽填埋後，進行燒成而形成氧化膜之方法。
此類燒成一般係於水蒸氣環境下進行，而為促進聚矽氮烷的氧化，已知有在過氧化氫的存在下進行燒成之技術。
舉例而言，專利文獻1中揭露有一種經由全氫矽氮烷聚合物的去水縮合來形成SOG膜之方法，亦揭示此去水縮合係藉由在含有水分(H2O)與臭氧(O3)的氣體環境下實施熱處理來進行，此時可於過氧化氫氣體環境下進行。惟，該專利文獻中對燒成溫度並未明確記載，且實施例中僅進行400℃左右的燒成。因此，該專利文獻所記載之方法中，燒成溫度較高。且，由其記載觀之，可知目的在於對所謂層間絕緣膜的應用，而非將氧化矽膜設置於例如塑膠等基材上。
專利文獻2中亦揭露有一種在過氧化氫蒸氣中對聚矽氮烷塗膜進行燒成而製得陶瓷之方法，惟該燒成溫度為500~1800℃。
然，根據本發明人等之探討，已知在高溫下進行燒成時，氣體環境中會存有飛散物，而有此影響導致所得之二氧化矽膜的收縮及膜應力增加的傾向。因此，專利文獻1或2記載之方法所形成的二氧化矽膜，由物性觀點言之，尚有進一步改良的空間。
此外，專利文獻3中揭露有一種藉由在塑膠薄膜上塗布聚矽氮烷，並使之與胺化合物及/或氧化合物接觸而 轉化為SiO2系陶瓷之方法。該專利文獻中，作為氧化合物之一係例舉過氧化氫，並在該過氧化氫蒸氣的存在下以25℃乾燥後，以水蒸氣環境下、95℃/85%RH之條件進行燒成，即得氧化矽膜。惟，根據本發明人等之探討，為獲得具優良特性之二氧化矽膜，係仍有進一步改良的空間。具體而言，以專利文獻3所記載之條件形成氧化膜時可知，與其說是僅以過氧化氫蒸氣來促進氧化反應，毋寧為僅賦予氧化反應開始之契機，氧化反應本身係由與過氧化氫蒸氣接觸後之水蒸氣處理所產生者。此外，專利文獻3所記載之方法中，可知所形成的氧化膜含有不可忽略的量的矽醇基(Si-OH基)。又可知該矽醇基接著經由所進行的燒成處理，產生去水縮合而最終形成二氧化矽膜，惟，伴隨去水縮合所致之水的脫離，隨之亦發生氧化膜的收縮。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平9-275135號公報[專利文獻2]美國專利第5,055,431號說明書[專利文獻3]日本特開平9-183663號公報段落[0067]
本發明係提供一種相對此種習知技術，可製造低收縮且低應力之絕緣膜之方法。
本發明之二氧化矽膜之製造方法，其特徵為包含以 下步驟而成：(A)塗布步驟，於基板表面塗布聚矽氮烷組成物而形成塗膜；及(B)氧化步驟，在過氧化氫氣體環境下以50~200℃將前述塗膜加熱。
另外，本發明之淺溝槽隔離構造之形成方法，其特徵為在表面具有槽構造之基板的表面，透過前述方法形成將前述槽填埋的二氧化矽膜。
根據本發明，相較於習知方法能以短時間形成特性優良的二氧化矽膜。特別是，由本發明形成之二氧化矽膜其矽醇基含量少，故具有低收縮且低應力之特徴。
二氧化矽膜之製造方法
本發明之二氧化矽膜之製造方法係以包含氧化步驟為其特徵之一，該氧化步驟係在過氧化氫氣體環境下以特定溫度範圍將含聚矽氮烷之塗膜加熱，藉以使聚矽氮烷轉化為二氧化矽。於此，如前述，在過氧化氫的存在下將聚矽氮烷氧化以轉化為二氧化矽係為已知者。惟，在過氧化氫氣體環境下進行加熱時，加熱溫度若過高，仍會發生最初存在於塗膜中之低分子量成分、氧化處理中所生成之低分子量成分的飛散、昇華，因而導致所得之二氧化矽膜的收縮率增大。相對於此，加熱溫度若過低，有時氧化反應本身未進行，或過氧化氫蒸氣未能充分滲透至塗膜中而難以使氧化反應進行。如此，為得到 具有充分特性的二氧化矽膜，則進行燒成之步驟的條件需滿足特定條件。對包含此種氧化步驟之本發明之二氧化矽膜之製造方法更詳細進行說明，如下所述。
(A)塗布步驟
首先，準備供形成二氧化矽膜之基板。本發明之二氧化矽膜之製造方法，其氧化步驟中的加熱溫度相對較低，故可由較一般二氧化矽膜之製造方法更廣的範圍選擇基板材料。具體而言，可任意選擇包含矽基板等半導體材料之基板、包含玻璃等無機材料之基板、包含塑膠等有機材料之基板等。
在此類基板的表面形成二氧化矽膜時，可使二氧化矽膜具有各種功能。舉例而言，可形成構成供隔離基板表面所配置之元件的淺溝槽隔離構造的絕緣層、或形成電路構造積層於基板上時的層間絕緣膜。
擬形成淺溝槽隔離構造時，係準備具有槽構造，即具有凹凸之基板。又擬在基板表面形成槽時，可採用任意方法。具體方法係如以下所示。
首先，於例如矽基板表面，以例如熱氧化法形成二氧化矽膜。此處所形成之二氧化矽膜的厚度一般為5~30nm。
視需求，於所形成之二氧化矽膜上，以例如減壓CVD法形成氮化矽膜。該氮化矽膜可發揮作為隨後蝕刻步驟中的遮罩、或後述研磨步驟中的擋止層(stop layer)的功能。形成氮化矽膜時，其一般形成厚100~400nm。
於如此形成之二氧化矽膜或氮化矽膜上塗布光阻。視需求使光阻膜乾燥或硬化後，依所要之圖案進行曝光及顯影而形成圖案。曝光方法可由光罩曝光、掃描曝光等任意方法來進行。此外，由解析度等觀點言之，光阻亦可任意選擇而使用。
以所形成之光阻膜作為遮罩，對氮化矽膜及位於其下之二氧化矽膜依序進行蝕刻。藉此作業，氮化矽膜及二氧化矽膜上便形成有所要之圖案。
以形成有圖案之氮化矽膜及二氧化矽膜作為遮罩對矽基板進行乾式蝕刻，形成溝槽隔離槽。
所形成之溝槽隔離槽的寬度係由對光阻膜進行曝光的圖案來決定。半導體元件之溝槽隔離槽的寬度可根據目標半導體元件而適當設定，惟本發明中，槽寬較佳為5~50nm，更佳為5~40nm。又，槽深對槽寬之比，即深寬比較佳為10~100，更佳為10~50。
次之，於如此製備之基板上塗布作為二氧化矽膜之材料的聚矽氮烷組成物，而形成塗膜。該聚矽氮烷組成物可採用溶劑中溶有習知任意聚矽氮烷化合物者。
本發明所使用之聚矽氮烷化合物並未特別限定，只要未損及本發明之效果則可任意選擇。彼等可為無機化合物或有機化合物之任一種。此等聚矽氮烷當中，作為較佳者可例舉包含下述通式(Ia)~(Ic)所示之單位的組合者： (式中，m1~m3為表示聚合度的數)
其中，作為特佳者，較佳為苯乙烯換算重量平均分子量為700~30,000者。
另外，作為其他聚矽氮烷之實例，可例舉如主要具有包含通式： (式中，R1、R2及R3各自獨立表示氫原子、烷基、烯基、環烷基、芳基、或此等基團以外之氟烷基等與矽直接鍵結之基團為碳的基團、烷矽基、烷胺基或烷氧基。惟，R1、R2及R3的至少一者為氫原子，n為表示聚合度的數)所示之結構單位所形成的骨架之數量平均分子量為約100~50,000的聚矽氮烷或其改性物。此等聚矽氮烷化合物亦可2種以上組合使用。
本發明所使用之聚矽氮烷組成物係含可溶解前述聚矽氮烷化合物之溶劑而成。此處所採用之溶劑係迥異於前述浸漬用溶液所採用之溶劑。作為此種溶劑，只要是可溶解前述各成分者則未特別限定，較佳之溶劑的具體實例可例舉如下： (a)芳香族化合物，例如苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、二乙基苯、三甲基苯、三乙基苯等；(b)飽和烴化合物，例如正戊烷、異戊烷、正己烷、異己烷、正庚烷、異庚烷、正辛烷、異辛烷、正壬烷、異壬烷、正癸烷、異癸烷等；(c)脂環烴化合物，例如乙基環己烷、甲基環己烷、環己烷、環己烯、對薄荷烷、十氫萘、二戊烯、檸檬酸等；(d)醚類，例如二丙醚、二丁醚、二乙醚、甲基三級丁醚(以下稱為「MTBE」)、苯甲醚等；及(e)酮類，例如甲基異丁基酮(以下稱為「MIBK」)等。此等當中，較佳為(b)飽和烴化合物、(c)脂環烴化合物、(d)醚類及(e)酮類。
此等溶劑亦可適當混合2種以上使用，以便調整溶劑之蒸發速度、降低對人體之有害性、或調整各成分之溶解性。
本發明所使用之聚矽氮烷組成物可視需求含有其他添加劑成分。作為此種成分，可例舉如可促進聚矽氮烷之交聯反應的交聯促進劑等、轉化為二氧化矽之反應的觸媒、供調整組成物之黏度的黏度調整劑等。又，當用於半導體裝置時，以鈉的吸氣(gettering)效果等為目的，亦可含有磷化合物，例如參(三甲矽烷基)磷酸酯等。
再者，前述各成分的含量可隨塗布條件、燒成條件等而變化。惟，聚矽氮烷化合物的含有率以聚矽氮烷組成物的總重量為基準，較佳為1~40重量%，更佳為2~35重量%。然，聚矽氮烷組成物所含之聚矽氮烷的濃度並不在此限，只要可於本發明中形成特定之溝槽隔離構 造，則能使用任意濃度的聚矽氮烷組成物。此外，聚矽氮烷以外的各種添加劑的含量係隨添加劑的種類等而變化，惟相對聚矽氮烷化合物之添加量較佳為0.001~40重量%，更佳為0.005~30重量%，再更佳為0.01~20重量%。
前述聚矽氮烷組成物可由任意方法塗布於基板上。具體上可例舉旋轉塗布、簾塗布、浸漬塗布及其他。此等中，由塗膜面之均勻性等觀點言之，特佳為旋轉塗布。所塗布之塗膜的厚度較佳為5~10,000nm，更佳為20~5,000nm。又，當基板表面形成有槽等時，係指基板表面無槽部分處的塗膜厚度。該塗膜的厚度若過厚，接近基板的部分處的氧化反應有時無法充分進行，另一方面膜厚若過薄，則無法形成膜厚夠厚的二氧化矽膜，因此需注意。
(B)氧化步驟
塗布步驟後，在過氧化氫氣體環境下將聚矽氮烷塗膜加熱，俾使塗膜整體轉化為二氧化矽膜。藉此加熱，聚矽氮烷便轉化為二氧化矽膜，即絕緣膜。對於加熱，只要是可控制溫度及過氧化氫氣體環境者，則可利用任意裝置，例如硬化爐、加熱板來進行。特佳為可透過供給過氧化氫水而將其轉換為過氧化氫氣體環境之裝置。例如在使用加熱板之裝置中，於加熱板上設置罩蓋予以密閉，並於此密閉空間內配置塗布完成之基板，進一步於此密閉空間內滴下過氧化氫水，由此利用加熱板的熱使過氧化氫以蒸氣形式存在於密閉空間內，便可滿足本發明之氧化步驟之條件。
若以過氧化氫水形式供給過氧化氫時，一般可使用5~90重量%濃度水溶液，使用市售之30w/v%亦甚為簡便而較佳。
一般上，過氧化氫氣體環境所含之過氧化氫濃度高者較可促進氧化反應並改善生產效率而較佳。因此，一般較佳為5mol%以上，更佳為7mol%以上。然，過氧化氫濃度過高時會有爆炸的危險性。因此，濃度較佳設為低於爆炸下限。爆炸下限亦隨溫度變化，惟本發明中過氧化氫濃度較佳為50mol%以下，更佳為28mol%以下。
過氧化氫氣體環境可進一步含有水蒸氣。氣體環境中含有水蒸氣可望促進聚矽氮烷的氧化反應。通常過氧化氫係以水溶液形式流通，因此直接使用之，即可容易地生成過氧化氫氣體環境。另一方面，水蒸氣濃度較低時，加熱時可望抑制矽醇基生成。因此，具體上氣體環境中的水蒸氣濃度較佳為5~90mol%，更佳為20~80mol%。又氣體環境可進一步含有其他惰性氣體，例如氮、氬。
氧化步驟中的溫度條件係隨使用之聚矽氮烷組成物的種類、步驟的組合方式而變化。一般而言溫度高者較有加快聚矽氮烷化合物轉化為二氧化矽膜之速度的傾向，且生產效率亦提高。然而氧化處理的溫度若過高，會發生最初存在之低分子量成分、氧化處理中所生成之低分子量成分的飛散、昇華，而導致二氧化矽膜的收縮增大。此外，當基板為矽基板時，亦有因基板氧化而對裝置特性造成不利影響的情況。由如此觀點，本發明之 方法中，氧化步驟中的溫度需為200℃以下，較佳為180℃以下。另一方面，氧化步驟中的溫度需為50℃以上，較佳為70℃以上，更佳為100℃以上。可視需求以分段式改變氧化步驟的加熱溫度。此外，根據本發明，能以較低之溫度形成二氧化矽膜，且該二氧化矽膜為低收縮及低應力，因此對於在丙烯酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯等塑膠基材的表面形成耐擦傷膜、鈍化膜、底塗膜(primer film)等係屬有效。
氧化步驟的加熱時間係以使氧化反應充分進行的方式來選擇。加熱時間一般設為0.5~60分鐘，較佳設為1~30分鐘。
藉此加熱，便可使存在於塗布膜中的聚矽氮烷化合物轉化為二氧化矽而獲得二氧化矽膜。如此所得之二氧化矽膜其收縮及膜應力低且濕式蝕刻抗性亦高，具有優良物性。
本發明之淺溝槽隔離構造之形成方法中，前述步驟(A)及(B)係不可或缺者，惟亦可視需求組合下述輔助步驟。
(a)溶劑除去步驟
可於塗布步驟後、燒成步驟前，對塗布有聚矽氮烷組成物的基板實施預烘烤處理。此步驟之目的在於去除塗膜中所含之溶劑的至少一部分。
通常，溶劑去除步驟可採用以實質上一定之溫度加熱之方法。此時，應以實質上未引起聚矽氮烷的氧化或聚合反應之條件進行溶劑的去除。因此，溶劑去除步驟 中的溫度通常在200℃以下，較佳為150℃以下，更佳為100℃以下進行。另一方面，為充分去除溶劑，溶劑去除步驟的溫度一般設為50℃以上。溶劑去除步驟的所需時間一般為0.5~10分鐘，較佳為1~5分鐘。此外，一般上，溶劑去除步驟的加熱溫度係以不超過溶劑去除步驟後接著進行之氧化步驟的溫度的方式來選擇。此為欲極力抑制溶劑乾燥步驟中飛散物的產生之故。
(b)水蒸氣氧化步驟
可將氧化步驟後的基板進一步在水蒸氣環境下加熱，使其進一步進行氧化反應。水蒸氣氧化係以使用硬化爐、加熱板，在含有水蒸氣之惰性氣體或氧氣環境下進行為佳。水蒸氣可有效使聚矽氮烷化合物充分轉化為二氧化矽，而氣體環境中的濃度較佳設為1mol%以上，更佳設為10mol%以上，最佳設為20mol%以上。特別是當水蒸氣濃度為20mol%以上時，氧化反應更容易進行、空隙等缺陷較少發生，二氧化矽膜的特性得以改良而較佳。使用惰性氣體作為氣體環境之氣體時，係使用氮、氬、或氦等。
水蒸氣氧化步驟中的溫度條件係隨使用之聚矽氮烷組成物的種類、步驟的組合方式而變化。一般而言溫度高者較有加快氧化反應的傾向，且生產效率亦提高。另一方面，當基板為矽基板時，有氧化或結晶構造變化對裝置特性所造成的不利影響減小的趨勢。此外，在先前的氧化步驟中由於係以較低溫進行氧化反應，因此在水蒸氣氧化步驟中縱然以更高溫度進行加熱，也幾乎不會 發生飛散物所導致的膜物性降低。由如此觀點，對於本發明之方法，水蒸氣氧化步驟中的溫度較佳為300~1000℃，更佳為350~700℃。此外，還可視需求以分段式改變水蒸氣氧化步驟的加熱溫度或水蒸氣濃度。
另外，根據本發明，即便未進行水蒸氣氧化，亦可使氧化反應充分進行。亦即，水蒸氣氧化對於輔助過氧化氫氣體環境下的氧化反應係不可或缺者。因此，過氧化氫氣體環境下的氧化只要可充分進行，由製造效率、製造成本方面言之，則以不進行水蒸氣氧化為佳。
(c)研磨步驟
氧化步驟後，去除所得之二氧化矽膜中不要的部分為較佳。為此，係首先經由研磨步驟，保留形成於基板上之槽部內側的二氧化矽膜，並以研磨去除形成於基板表面之平坦部上的二氧化矽膜。此步驟即為研磨步驟。此研磨步驟係於硬化處理後進行，此外若與溶劑去除步驟組合時，亦可於溶劑去除後隨即進行。
研磨一般係以CMP來進行。利用該CMP之研磨可由一般的研磨劑及研磨裝置來進行。具體而言，作為研磨劑可使用分散有二氧化矽、氧化鋁、或氧化鈰等研磨材、與視需求而添加的其他添加劑的水溶液等，作為研磨裝置可利用一般市售的CMP裝置。
(d)蝕刻步驟
於前述研磨步驟中，業已幾乎去除形成於基板表面之平坦部上的聚矽氮烷組成物所衍生的二氧化矽膜，而為去除殘留於基板表面之平坦部的二氧化矽膜，則以進 一步進行蝕刻處理為佳。蝕刻處理一般係採用蝕刻液，作為蝕刻液只要可去除二氧化矽膜則未特別限定，通常係使用含有氟化銨的氟酸水溶液。該水溶液的氟化銨濃度較佳為5%以上，更佳為30%以上。
利用各實例對本發明進行說明，則如下所述：
實施例1(過氧化氫之效果)
對矽基板以轉速1000rpm旋轉塗布聚矽氮烷溶液(20重量%二丁醚溶液)，並實施70℃之預烘烤3分鐘。由此製得膜厚600nm之聚矽氮烷塗膜。將其置於加熱至150℃的加熱板上，以石英培養皿覆蓋之。此培養皿的外側開有直徑3mm左右的孔。由此孔以0.2cc/min之速度滴下過氧化氫水(30重量%)。所滴下之過氧化氫水與加熱板接觸，而迅速由液相轉為氣相(蒸氣)，並均勻地遍布於培養皿中。又此時之培養皿內的過氧化氫濃度可算出為約25mol%、水蒸氣濃度可算出為約75mol%。進行此氧化處理10分鐘。對所得之二氧化矽膜進行紅外分光光譜測定的結果，可知聚矽氮烷中的矽氮烷鍵大部分已轉化為矽氧烷鍵，幾乎未殘留矽醇基。
測定紅外分光光譜後，進一步在氮氣環境下以850℃進行加熱30分鐘，其後進行所得之二氧化矽膜的收縮率、介電常數、絕緣破壞電壓的測定。所得之結果係如表1所示。
比較例1
相對於實施例1，除滴下取代過氧化氫水之純水，此外係以同樣方式對塗布完成之基板實施加熱處理。處 理後測定塗膜之紅外分光光譜的結果，氧化反應幾乎未進行，係與氧化前的聚矽氮烷幾乎相等。
比較例2
以與實施例1同樣的方式對矽基板塗布聚矽氮烷溶液，得聚矽氮烷膜。將該試料放置於350℃、80%H2O/O2之加熱水蒸氣環境中30分鐘後，在氮氣環境下以850℃加熱30分鐘。進行所得之二氧化矽膜的收縮率、介電常數、絕緣破壞電壓的測定。所得之結果係如表1所示。
比較例3
以與實施例1同樣的方式對矽基板塗布聚矽氮烷溶液，得聚矽氮烷膜。另一方面，將保溫於40℃之30重量%過氧化氫水溶液封入容器中，以準備內部氣體環境經調整為溫度25℃、相對濕度60%的保溫容器。將試料放置於該保溫容器內10分鐘，其後進一步放置於95℃、相對濕度80%的水蒸氣環境中5分鐘。此後進一步在氮氣環境下以850℃加熱30分鐘。測定所得之二氧化矽膜之紅外分光光譜的結果，於3300cm-1附近可見寬峰。茲認為此峰係歸屬於矽醇基，表示氧化反應未充分進行。進行所得之二氧化矽膜的收縮率、介電常數、絕緣破壞電壓的測定。所得之結果係如表1所示。
表中，應力之「+」表示拉伸應力、「-」表示壓縮應力。
由此結果可知，實施例1中得到的二氧化矽膜可達優良的收縮率與絕緣破壞電壓。又已知二氧化矽膜的介電常數一般為3.5~4.0左右，而比較例3之膜的介電常數係高於此，可推測反應未完全進行，致膜中有氮原子殘留。又關於應力，視二氧化矽膜的用途而定其較佳範圍亦改變，而在用於例如隔離構造的絕緣膜中係以較低者為佳，實施例1之二氧化矽膜於此方面亦優良。
實施例2及3
除將過氧化氫水的濃度改為10mol%(實施例2)或5mol%(實施例3)以外，係以與實施例1同樣的方式將聚矽氮烷塗膜加熱。當加熱時間為10分鐘時，實施例2及3之塗膜未能充分進行氧化反應，因此分別進一步持續進行加熱。已知實施例2以加熱時間15分鐘、實施例3以加熱時間40分鐘才可進行氧化反應至與實施例1相同程度。

Claims (13)

  1. 一種二氧化矽膜之製造方法，其特徵為包含以下步驟而成：(A)塗布步驟，於基板表面塗布聚矽氮烷組成物而形成塗膜；及(B)氧化步驟，在過氧化氫氣體環境下以50~200℃將前述塗膜加熱；且於前述氧化步驟後，進一步包含在水蒸氣環境下以300~1000℃加熱之水蒸氣氧化步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之二氧化矽膜之製造方法，其中以100~200℃之溫度進行前述氧化步驟。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之二氧化矽膜之製造方法，其中前述氧化步驟中之過氧化氫氣體環境所含的過氧化氫濃度為5~50mol%。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之二氧化矽膜之製造方法，其中前述氧化步驟中之過氧化氫氣體環境所含的水蒸氣濃度為5~50mol%。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之二氧化矽膜之製造方法，其中前述氧化步驟之加熱時間為0.5~60分鐘。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之二氧化矽膜之製造方法，其中前述塗布步驟與前述氧化步驟之間進一步包含溶劑去除步驟。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之二氧化矽膜之製造方法，其中以組成物的總重量為基準，前述聚矽氮烷組成物的固體成分含量為1~40重量%。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之二氧化矽膜之製造方法，其中前述塗布步驟中形成之塗膜的厚度為5~10,000nm。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之二氧化矽膜之製造方法，其中前述基板為塑膠材料。
  10. 一種隔離構造之製造方法，其係在表面具有槽或孔之基板的表面，透過如申請專利範圍第1至9項中任一項之製造方法，形成將前述槽或孔填埋的二氧化矽膜。
  11. 如申請專利範圍第10項之隔離構造之製造方法，其中前述二氧化矽膜為金屬膜下絕緣膜或金屬配線層間絕緣膜。
  12. 如申請專利範圍第10項之隔離構造之製造方法，其中前述二氧化矽膜係構成淺溝槽構造。
  13. 如申請專利範圍第12項之隔離構造之製造方法，其中前述槽之槽寬為5~50nm、深寬比為10~100。
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