JP2020090420A - 黒鉛製またはセラミックス製の基板、基板の製造方法、炭化珪素の成膜方法および炭化珪素基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の基板は、化学蒸着によって表面に炭化珪素膜を成膜させるための支持基板であり、黒鉛基板や、アルミナやジルコニアなどのセラミックス基板を用いることができる。これらの基板であれば、1300℃を超えるような条件で蒸着を行う熱CVD法においても、軟化や形状の変形等が発生しないため、軟化点が1000℃付近にあるSi基板のように、軟化や形状の変形等の発生によるSiC膜の反りが発生しない。また、これらの基板は、二酸化珪素膜(SiO2膜)を溶解させるフッ酸溶液等の酸によって溶解しないため、炭化珪素膜を分離後、再度支持基板として使用することができる。
本発明の基板は、表面に二酸化珪素膜を備えており、その平均膜厚は5nm〜10μmである。平均膜厚は、例えば基板の断面をSEM(走査型電子顕微鏡)により観察し、任意の3点の膜厚の平均を求めることで算出できる。
本発明の基板は、その厚みが0.5mm〜10mmであることが好ましい。厚みが0.5mm未満の場合には、成膜したSiC膜の内部応力により、支持基板にSiC膜が成膜した状態で反りが発生し、不具合を招来するおそれがある。また、厚みが10mmよりも厚いと、成膜装置のチャンバ−へ設置できる基板の数が少なくなるため、一度の成膜処理によってSiC膜を化学蒸着させることのできる支持基板の枚数が少なくなり、生産性が低下するおそれがある。基板の厚みが0.5mm〜10mmであれば、上記のような反りが発生せず、また、生産性が低下することもない。
次に、本発明の基板の製造方法について、その一態様を説明する。かかる製造方法は、上記した本発明の基板を製造する方法であって、以下に説明する塗付工程と、焼成工程とを含む。これらの工程により、表面に二酸化珪素膜を備える基板を製造することができる。
本工程は、加水分解により二酸化珪素を形成するシラン化合物を基板に塗付する工程である。後にSiCを成膜する対象となる基板の表面全体に、例えば、スピンコート、ディップコート、ローラー塗り、刷毛塗り、スプレー塗り等により塗付することができる。また、二酸化珪素膜として平均膜厚が5nm〜10μmとなるように、シラン化合物の塗付量や塗付回数を適宜調整することができる。
シラン化合物としては、加水分解により二酸化珪素を形成することのできるものを使用することができる。例えば、アルコキシシランやシラザンが挙げられ、これらを単独で使用、または併用することができる。より具体的には、オルガノアルコキシシランやペルヒドロポリシラザンが挙げられる。これらは、以下の反応式によって加水分解され、二酸化珪素となる。特に、副生成物として発生するアンモニアや水素が不具合を生じさせるおそれのある場合には、ペルヒドロポリシラザンよりもオルガノアルコキシシランを用いることが好ましい。
オルガノアルコキシシラン:Si(OC2H5)4 + 2H2O → SiO2 + 4C2H5OH (1)
ペルヒドロポリシラザン:SiH2NH + 2H2O →SiO2 + NH3 + 2H2 (2)
本工程は、シラン化合物を塗付した基板を焼成する工程である。この工程により、基板の表面に二酸化珪素の連続膜を形成することができる。焼成条件は特に限定されないが、大気中で焼成すれば良く、例えば、空気雰囲気中にて150〜250℃で1〜10分間加熱する条件により、焼成することができる。
本発明の基板の製造方法は、上記の工程以外の工程を含んでもよい。例えば、塗付工程前に支持基盤を洗浄する洗浄工程、塗布工程後にシラン化合物の溶液の溶媒を蒸発させる乾燥工程が挙げられる。
次に、本発明の炭化珪素の成膜方法について、その一態様を説明する。かかる炭化珪素の成膜方法は、上記した本発明の基板の表面に、化学蒸着によって炭化珪素の多結晶膜を成膜する成膜工程を含む。この工程により、本発明の基板の表面に、炭化珪素の多結晶膜(SiC多結晶膜)を成膜することができる。
SiC多結晶膜は化学的気相成長法(CVD法)により化学蒸着させることで成膜される。例えば、本発明の基板を成膜装置の反応炉内に固定し、減圧状態でAr等の不活性ガスを流しながら炉内を反応温度まで昇温させる。反応温度に達したら、不活性ガスを止め、原料ガスおよびキャリアガスを流すことで、本発明の基板に成膜されたSiC多結晶膜を得ることができる。
原料ガスとしては、SiC多結晶膜を成膜することができれば、特に限定されず、一般的に使用されるSi系原料ガスやC系原料ガスを用いることができる。Si系原料ガスとしては、例えば、シラン(SiH4)を用いることができるほか、モノクロロシラン(SiH3Cl)、ジクロロシラン(SiH2Cl2)、トリクロロシラン(SiHCl3)、テトラクロロシラン(SiCl4)などのエッチング作用があるClを含む塩素系Si原料含有ガス(クロライド系原料)を用いることもできる。また、C系原料ガスとしては、例えば、メタン(CH4)、プロパン(C3H8)、アセチレン(C2H2)等の炭化水素ガスを用いることができる。また、上記のほか、トリクロロメチルシラン(CH3Cl3Si)、トリクロロフェニルシラン(C6H5Cl3Si)、ジクロロメチルシラン(CH4Cl2Si)、ジクロロジメチルシラン((CH3)2SiCl2)、クロロトリメチルシラン((CH3)3SiCl)等のSiとCとを両方含むガスも、原料ガスとして用いることができる。
キャリアガスとしては、成膜を阻害することなく、原料ガスを基板へ展開することができれば、一般的に使用されるキャリアガスを用いることができる。例えば、熱伝導率に優れ、SiCに対してエッチング作用がある水素(H2)を用いることができる。
また、これらの原料ガスおよびキャリアガスと同時に、第3のガスとして、不純物ドーピングガスを同時に供給することもできる。例えば、導電型をn型とする場合には窒素(N2)ガス、p型とする場合にはトリメチルアルミニウム(TMA)ガスを用いることができる。
本発明の炭化珪素の成膜方法は、成膜工程以外にも、他の工程を含むことができる。例えば、成膜装置内の基板ホルダーに本発明の基板を複数枚セットする工程や、セットした基板を加熱する工程、化学蒸着前の基板に、成膜を阻害するような何らかの反応が生じないよう、基板を不活性雰囲気下とするべく、アルゴン等の不活性ガスを流通させる工程等が挙げられる。
次に、本発明の炭化珪素基板の製造方法について、その一態様を説明する。かかる製造方法は、以下に説明する露出工程と除去工程とを含む。この方法により、炭化珪素の多結晶基板を製造することができる。
露出工程の一例としては、上記した本発明の炭化珪素の成膜方法により得た、表面にSiC多結晶膜が成膜した基板に対し、成膜したSiC多結晶膜の端部を除去して二酸化珪素膜を露出させる工程が挙げられる。この工程により、二酸化珪素膜が露出され、後述する除去工程により二酸化珪素膜を溶解させ易くなる。
除去工程の一例としては、露出工程後、二酸化珪素膜を溶解して除去する工程が挙げられる。この工程により、二酸化珪素膜が消滅してSiC多結晶膜が残って、これがSiC多結晶基板となる。また、二酸化珪素膜が消滅した後の支持基板は、再利用可能であり、表面に二酸化珪素膜を形成させることで本発明の基板となる。
本発明の炭化珪素基板の製造方法は、除去工程後、成膜した炭化珪素の多結晶膜の表面を研磨する研磨工程を含んでもよい。炭化珪素基板は、半導体の製造に用いられる基板とするのであれば、半導体製造プロセスで使用できる面精度が必要となる。そこで、本工程により、炭化珪素基板700の表面を平滑化することが好ましい。
本発明の炭化珪素基板の製造方法は、上記の工程以外にも、他の工程を含むことができる。例えば、除去工程後の炭化珪素基板から酸溶液を除去するための洗浄工程等が挙げられる。
(基板110の製造)
支持基板10として、直径4インチで厚みが500μmの黒鉛基板を使用した。支持基板10上にシリコン化合物の溶液(東京応化工業製:OCD T−7 10000−T)を塗付して毎分1000回転でスピンコート後、空気中にて200℃で3分間加熱して、シリコン化合物の乾燥塗膜を形成した。乾燥塗膜は、支持基板10の両面の全面に形成した。この乾燥塗膜付の支持基板10を、窒素雰囲気中にて400℃で30分間焼成し、両面に膜厚100nmの二酸化珪素膜20を備える基板110を得た。なお、炭化珪素膜20の膜厚は、分光光度計により観察し、任意の3点の膜厚の平均とした。
上記方法にて製造した基板110に、炭化珪素多結晶膜として厚み0.6mmのSiC多結晶膜50を基板110の両面に成膜した。成膜条件は、成膜室内の圧力を25kPa、温度を1350℃とし、SiCl4ガスとCH4ガスを各800sccm、キャリアガスとして水素ガスを5000sccm(1気圧、0℃での値に換算したガス流量)で導入し、20時間の成膜を実施してSiC多結晶膜50を成膜した(図2(b))。
SiC多結晶膜50を成膜後、端面加工装置を使用し、SiC多結晶膜50が成膜した基板110の外周部を研磨することで、二酸化珪素膜20の側面を露出させた(図2(c))。その後、HF濃度が49%のフッ酸とNH4F濃度が40%のフッ化アンモニウムを質量比1:6の比率で混合した緩衝フッ酸溶液中に、SiC多結晶膜50が成膜した基板110を24時間浸漬することで、二酸化珪素膜20を融解させ、支持基板10とSiC多結晶膜50を分離し、SiC多結晶基板60を得た(図2(d))。
支持基板10上に二酸化珪素膜20を形成せずに、支持基板10をそのまま使用したこと以外は、実施例1と同様にSiC多結晶膜50を支持基板10の両面に成膜した。
支持基板10としてSi基板を用いた以外は、実施例1と同様に支持基板10の両面に二酸化珪素膜20を形成し、SiC多結晶膜50を支持基板10の両面にある二酸化珪素膜20の表面に成膜した。
以上より、本発明によれば、反り量が少なくクラックの発生しないSiC多結晶基板を容易に製造することができる。また、SiC多結晶基板の製造に用いた支持基板の再利用が可能となる。
20 二酸化珪素膜
50 SiC多結晶膜
60 SiC多結晶基板
100 基板
110 基板
Claims (7)
- 表面に平均膜厚5nm〜10μmの二酸化珪素膜を備える黒鉛製またはセラミックス製の基板。
- 基板の厚みが0.5mm〜10mmである、請求項1に記載の基板。
- 請求項1または2に記載の基板の製造方法であって、
加水分解により二酸化珪素を形成するシラン化合物を基板に塗付する塗付工程と、
シラン化合物を塗付した基板を焼成する焼成工程と
を含む、基板の製造方法。 - 前記シラン化合物が、アルコキシシランおよび/またはシラザンである、請求項3に記載の基板の製造方法。
- 請求項1または2に記載の基板の表面に、化学蒸着によって炭化珪素の多結晶膜を成膜する成膜工程を含む、炭化珪素の成膜方法。
- 請求項5に記載の成膜方法により得た、表面に炭化珪素の多結晶膜が成膜した基板に対し、成膜した前記炭化珪素の端部を除去して二酸化珪素膜を露出させる露出工程と、
前記露出工程後、前記二酸化珪素膜を溶解して除去する除去工程と、を含む、炭化珪素基板の製造方法。 - 前記除去工程後、成膜した前記炭化珪素の多結晶膜の表面を研磨する研磨工程を含む、請求項6に記載の炭化珪素基板の製造方法。
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