JP4375560B2 - トランジスタ型強誘電体メモリの製造方法 - Google Patents
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Description
IV族半導体層と、
前記IV族半導体層の上方に形成された酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の上方に形成された強誘電体層と、
前記強誘電体層の上方に形成されたゲート電極と、
前記IV族半導体層に形成されたソース領域およびドレイン領域と、
を含む。
前記IV族半導体層と前記酸化物半導体層とは、pn接合を有することができる。かかるpn接合を有することによって、IV族半導体層と酸化物半導体層との界面に空乏層が形成される。pn接合が形成される態様としては、前記IV族半導体層はp型であり、前記酸化物半導体層はn型である場合、前記IV族半導体層はn型であり、前記酸化物半導体層はp型である場合がある。
前記ソース領域およびドレイン領域は、その端部が前記酸化物半導体層の一部において接触していることができる。このような構成を取ることによって、IV族半導体層と酸化物半導体層との間での電荷(キャリア)の移動がよりスムーズに行われる。
n型の前記酸化物半導体層は、ZnO、TiO2、SnO2、CdO、MnOおよびFeOから選択される少なくとも1種の酸化物半導体から構成されることができる。
p型の前記酸化物半導体層は、CuAlO2、NiO、CoO、Cu2O、MnFe2O4、NiFe2O4、In2O3、MnOおよびFeOから選択される少なくとも1種の酸化物半導体から構成されることができる。
前記強誘電体層は、ABO3または(Bi2O2)2+(Am−1BmO3m+1)2−(式中、AはLi、Na、K、Rb、Pb、Ca、Sr、Ba、Bi、LaおよびHfから選択される少なくとも1種の元素、BはRu、Fe、Ti、Zr、Nb、Ta、V、WおよびMoから選択される少なくとも1種の元素、mは5以下の自然数である。)、で表されるペロブスカイトまたはビスマス層状構造の酸化物、A0.5BO3(正方ブロンズ構造)またはA0.3BO3(六方ブロンズ構造)(式中、AはLi、Na、K、Rb、Cs、Pb、Ca、Sr、Ba、Bi、Laから選択される少なくとも1種の元素、BはRu、Fe、Ti、Zr、Nb、Ta、V、WおよびMoからなる群から選択される少なくとも1種の元素)、で表されるタングステンブロンズ構造の酸化物のいずれかから構成されることができる。
前記酸化物半導体層は、該酸化物半導体層を構成する金属元素と価数が異なり、ドナーあるいはアクセプターとして機能するドーパントを含むことができる。このようなドーパントを含むことにより、キャリアの移動度を大きくすることができ、動作速度を早くできる。
IV族半導体層の上方に酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層の上方に強誘電体層を形成する工程と、
前記強誘電体層の上方にゲート電極を形成する工程と、
前記IV族半導体層にソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、
を含む。
前記IV族半導体層と前記酸化物半導体層とは、互いに逆極性を有し、pn接合を構成するように形成される。pn接合は、前記IV族半導体層はp型であり、前記酸化物半導体層はn型である場合、前記IV族半導体層はn型であり、前記酸化物半導体層はp型である場合がある。
前記酸化物半導体層を形成する工程の前に、前記IV族半導体層の表面に、該IV族半導体層を構成する元素の酸化物より生成エンタルピーが小さい(生成エンタルピーが負の方向に大きい)元素の層を非酸化条件下で形成する工程を有することができる。
図1は、本実施形態のトランジスタ型強誘電体メモリ100の一例を模式的に示す断面図である。
本実施形態にかかるトランジスタ型強誘電体メモリの製造方法は、以下の工程を含むことができる。この製造方法について図1,図2を参照しながら説明する。
この工程では、例えばシリコン基板などのIV族半導体層10上に、例えばレーザアブレーション、RFスパッタ、DCスパッタ、蒸着法などの方法によって、酸化物半導体層20を形成する。その際、IV族半導体層10と酸化物半導体層20とは、互いに逆極性を有し、pn接合を構成するように形成される。具体的には、図1に示すように、IV族半導体層10がp型であるときは、酸化物半導体層20はn型である。また、図2に示すように、IV族半導体層がn型であるときには、酸化物半導体層20はp型となるように形成される。酸化物半導体層20の極性は、該酸化物半導体層20を構成する酸化物半導体の種類、あるいはドープされるドナーやアクセプターの種類で特定することができる。
次いで、酸化物半導体層20の上に強誘電体層30を形成する。強誘電体層の材質は、特に限定されないが、前述したものを用いることができる。
次いで、強誘電体層30の上にゲート電極40を形成する。ゲート電極40の材質は、特に限定されず、強誘電体の種類やゲート電極の成膜法などによって選択できる。ゲート電極としては、例えば前述した白金、イリジウムなどの白金系金属などを用いることができる。
ソース領域12およびドレイン領域14は、ゲート電極40をマスクとして、MOSトランジスタのソース領域およびドレイン領域と同様に、IV族半導体層10にp型またはn型の不純物をイオン注入によって導入して形成される。
[実施例1]
本実施例では、図1に示すような、Pt/PZTN/n−ZnO/p−Si構造を有するトランジスタ型強誘電体メモリ(1T型FeRAM)を作成した。
本実施例では、Pt/PZTN/p−CuAlO2/n−Si構造を有するIT型FeRAMを作成した。まず、シリコン基板上に蒸着によりAl層を30nmの膜厚で形成した。次に、蒸着によりAl層上にCu層を30nmの膜厚で形成した。次に、Cu層上にPb(Zr,Ti,Nb)O3からなる強誘電体層をゾルゲル法により形成した。具体的には、Pbを15%過剰に含んだPbZr0.35Ti0.45Nb0.2O3形成用ゾルゲル溶液を用いて、スピンコート法で膜形成し、予め300℃に加熱したホットプレート上で有機成分を除去し、総膜厚が120nmのアモルファスPZTN薄膜を形成した。次に酸素雰囲気中で、焼成温度650℃で膜厚120nmのPbZr0.35Ti0.45Nb0.2O3結晶層を形成した。
図13は、本比較例にかかるサンプルの構造を示す。本比較例は、実施例1における強誘電体層がない他は、同様の層構造を有する。このサンプルについて、C−V特性を求めたところ図14に示す結果が得られた。図14から、IV族半導体層と酸化物半導体層との積層体からなるダイオードでは、実施例で得られた、強誘電体のヒステリシスを反映した2つのしきい値を有しないことが確認された。
Claims (4)
- IV族半導体層の表面に、該IV族半導体層を構成する元素の酸化物よりその酸化物の生成エンタルピーが小さい元素の膜を非酸化条件下で形成した後、該膜を構成する元素がドナー又はアクセプターとなる酸化物半導体層を酸素雰囲気中で形成する工程と、
前記酸化物半導体層の上方に強誘電体層を形成する工程と、
前記強誘電体層の上方にゲート電極を形成する工程と、
前記IV族半導体層にソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、
を含む、トランジスタ型強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項1において、
前記IV族半導体層と前記酸化物半導体層とは、互いに逆極性を有し、pn接合を構成する、トランジスタ型強誘電体メモリの製造方法 - 請求項2において、
前記IV族半導体層はp型であり、前記酸化物半導体層はn型である、トランジスタ型強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項2において、
前記IV族半導体層はn型であり、前記酸化物半導体層はp型である、トランジスタ型強誘電体メモリの製造方法。
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