JP4351213B2 - スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 - Google Patents
スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4351213B2 JP4351213B2 JP2005513604A JP2005513604A JP4351213B2 JP 4351213 B2 JP4351213 B2 JP 4351213B2 JP 2005513604 A JP2005513604 A JP 2005513604A JP 2005513604 A JP2005513604 A JP 2005513604A JP 4351213 B2 JP4351213 B2 JP 4351213B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- less
- cracks
- sputtering
- sintered body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/548—Controlling the composition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
この発明は、高密度であり、ターゲットの割れやクラック発生を抑制できる酸化物系スパッタリング用ターゲット及びその製造方法に関する。
Ｒａ１−ｘＡｘＢＯ３−α（Ｒａ：Ｙ，Ｓｃ及びランタノイドからなる希土類元素、Ａ：Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ｓｒ、Ｂ：Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ等の遷移金属元素）の化学式で表されるペロブスカイト型酸化物系セラミックス材料は、電気抵抗の低い酸化物材料として知られており、固体電解質型燃料電池の酸素極電極や半導体メモリーの電極材料として注目されている（例えば、特許文献１参照）。
また、この系は古くから低温で巨大磁気抵抗効果（ＣＭＲ）を示すことも知られており，この特性を利用した磁気センサーへ、あるいは近年発表されたＲＲＡＭへの応用も期待されている（例えば、非特許文献１参照）。
しかしながら，この系の薄膜をスパッタリング法で成膜するためのスパッタリング用ターゲットには、高密度の材料が存在しなかった。
しかしながら，この系の薄膜をスパッタリング法で成膜するためのスパッタリング用ターゲットには、高密度の材料が存在しなかった。
このようなペロブスカイト型酸化物系セラミックス材料をターゲットとした場合、密度が低く、十分な強度を有しない場合には、ターゲットの製造工程、搬送工程あるいはスパッタ操作中に割れやクラックが発生し、歩留りの低下となる問題がある。
また、成膜工程中にパーティクルの発生が増加し、品質の低下や不良品が増加するという問題がある。したがって、本セラミックス材料ターゲットの密度を向上させることが非常に大きな課題として存在していた。
また、成膜工程中にパーティクルの発生が増加し、品質の低下や不良品が増加するという問題がある。したがって、本セラミックス材料ターゲットの密度を向上させることが非常に大きな課題として存在していた。
この問題を解決するため、Ｒａサイトの置換量を規定し、不活性雰囲気でホットプレス焼結した後、大気あるいは酸化雰囲気中で熱処理することにより相対密度９５％以上、平均粒径１００μｍ以下、かつ比抵抗が１０Ωｃｍ以下のスパッタリングターゲットを作製できることを見出した。
より具体的には、（１）Ｒａ１−ｘＡｘＢＯ３−α（Ｒａ：Ｙ，Ｓｃ及びランタノイドからなる希土類元素、Ａ：Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ｓｒ、Ｂ：Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ等の遷移金属元素、０＜ｘ≦０．５）の化学式で表されるペロブスカイト型酸化物であって、相対密度が９５％以上、純度が３Ｎ以上であることを特徴とするスパッタリング用ターゲット（αは＜３の範囲の任意の数）、（２）平均結晶粒径が１００μｍ以下であることを特徴とする上記（１）のスパッタリング用ターゲット、（３）比抵抗が１０Ωｃｍ以下であることを特徴とする上記（１）又は（２）のスパッタリング用ターゲット、を提供するものである。
より具体的には、（１）Ｒａ１−ｘＡｘＢＯ３−α（Ｒａ：Ｙ，Ｓｃ及びランタノイドからなる希土類元素、Ａ：Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ｓｒ、Ｂ：Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ等の遷移金属元素、０＜ｘ≦０．５）の化学式で表されるペロブスカイト型酸化物であって、相対密度が９５％以上、純度が３Ｎ以上であることを特徴とするスパッタリング用ターゲット（αは＜３の範囲の任意の数）、（２）平均結晶粒径が１００μｍ以下であることを特徴とする上記（１）のスパッタリング用ターゲット、（３）比抵抗が１０Ωｃｍ以下であることを特徴とする上記（１）又は（２）のスパッタリング用ターゲット、を提供するものである。
これによって、ターゲットの製造工程、搬送工程あるいはスパッタ操作中に割れやクラックが発生し、歩留りの低下を著しく低減することが可能となり、またスパッタリング中のパーティクル発生が少なく、品質の低下や不良品の発生を抑制することができ、成膜プロセスの歩留まり向上に大きく貢献できることが分かった。
Ｒａ１−ｘＡｘＢＯ３−α（Ｒａ：Ｙ，Ｓｃ及びランタノイドからなる希土類元素、Ａ：Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ｓｒ、Ｂ：Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ等の遷移金属元素、）の化学式で表されるペロブスカイト型酸化物を、下記の実施例に示すように、目的とするターゲットを構成するそれぞれ３Ｎ以上の高純度酸化物原料を用い、０＜ｘ≦０．５の範囲でｘの量を調整する。
各高純度酸化物原料を秤量・混合した後、大気中６００〜１３００°Ｃの範囲で仮焼を行い、ペロブスカイト構造が主となる結晶相の粉末を得る。この粉末を湿式ボールミルで粉砕し、大気中で乾燥後、Ａｒガス等の不活性ガス雰囲気中、８００〜１５００°Ｃ、１００ｋｇ／ｃｍ２以上で、０．５時間以上ホットプレス焼結する。更に、このホットプレスした焼結体を８００〜１５００°Ｃで、１時間程度大気中で熱処理して焼結体ターゲットを得る。
各高純度酸化物原料を秤量・混合した後、大気中６００〜１３００°Ｃの範囲で仮焼を行い、ペロブスカイト構造が主となる結晶相の粉末を得る。この粉末を湿式ボールミルで粉砕し、大気中で乾燥後、Ａｒガス等の不活性ガス雰囲気中、８００〜１５００°Ｃ、１００ｋｇ／ｃｍ２以上で、０．５時間以上ホットプレス焼結する。更に、このホットプレスした焼結体を８００〜１５００°Ｃで、１時間程度大気中で熱処理して焼結体ターゲットを得る。
このようにして得たＲａ１−ｘＡｘＢＯ３−αのペロブスカイト型酸化物は、純度が３Ｎ（９９．９％）以上で、相対密度９５％以上の高密度ターゲットとなる。また、このようにして得られたターゲットの組織は、平均結晶粒径が１００μｍ以下となり、比抵抗が１０Ωｃｍ以下を達成することが可能となった。
次に、実施例について説明する。なお、本実施例は発明の一例を示すためのものであり、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に含まれる他の態様及び変形を含むものである。
次に、実施例について説明する。なお、本実施例は発明の一例を示すためのものであり、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に含まれる他の態様及び変形を含むものである。
純度４ＮのＲａにＹ２Ｏ３、ＡにＳｒＣＯ３及びＣａＣＯ３、ＭｎＯ２粉末を原料として用いた。Ｙ１−ｘＣａｘＭｎＯ３−α、Ｙ１−ｘＳｒｘＭｎＯ３−α（ｘ＝０．１、０．３、０．５）組成となるように秤量・混合した後、大気中１０００°Ｃで仮焼を行いペロブスカイト構造が主となる結晶相の粉末を得た。
この粉末を湿式ボールミルで粉砕し、大気中で乾燥後、Ａｒガス雰囲気中１２００°Ｃ、３００ｋｇ／ｃｍ２で２時間 ホットプレス焼結した。更にホットプレス焼結体を１０００°Ｃで２時間、大気中で熱処理して焼結体を得た。この得られたターゲット材となる焼結体の密度および結晶粒径を測定した。この結果を表１に示す。
この粉末を湿式ボールミルで粉砕し、大気中で乾燥後、Ａｒガス雰囲気中１２００°Ｃ、３００ｋｇ／ｃｍ２で２時間 ホットプレス焼結した。更にホットプレス焼結体を１０００°Ｃで２時間、大気中で熱処理して焼結体を得た。この得られたターゲット材となる焼結体の密度および結晶粒径を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示すように、相対密度はいずれも９８．４％以下、平均粒径５０μｍ以下、比抵抗２Ωｃｍ以下となっており、低抵抗かつ高密度の優れた特性が得られていることが分かる。後述するように、このようなターゲットを用いてスパッタリングすると割れやクラックの発生がなく、パーティクル発生も著しく減少するという結果が得られた。
（比較例１）
Ｃａ及びＳｒ置換量ｘを０及び０．７とした以外は、実施例１と同様の条件でＹ１−ｘＣａｘＭｎＯ３−α、Ｙ１−ｘＳｒｘＭｎＯ３−α組成の焼結体を作製した。ｘ＝０ではＣａ、Ｓｒとも相対密度９５％以上、平均粒径１００μｍ以下の焼結体を得ることができたが、焼結体の比抵抗は１００Ωｃｍ以上で、スパッタリング後、ターゲットに多数のクラックが発生していた。また、膜上のパーティクル発生量も著しく高かった。一方、ｘ＝０．７の組成では、ホットプレス焼結後の大気中熱処理によって焼結体表面に多数のクラックが発生しており、機械加工で割れが生じた。
Ｃａ及びＳｒ置換量ｘを０及び０．７とした以外は、実施例１と同様の条件でＹ１−ｘＣａｘＭｎＯ３−α、Ｙ１−ｘＳｒｘＭｎＯ３−α組成の焼結体を作製した。ｘ＝０ではＣａ、Ｓｒとも相対密度９５％以上、平均粒径１００μｍ以下の焼結体を得ることができたが、焼結体の比抵抗は１００Ωｃｍ以上で、スパッタリング後、ターゲットに多数のクラックが発生していた。また、膜上のパーティクル発生量も著しく高かった。一方、ｘ＝０．７の組成では、ホットプレス焼結後の大気中熱処理によって焼結体表面に多数のクラックが発生しており、機械加工で割れが生じた。
Ｒａに純度４ＮのＬａ２（ＣＯ３）３とした以外は、実施例１と同条件で焼結体を作製し、同様の評価を行った。得られた焼結体の相対密度はいずれも９５％以上であり、平均粒径は１００μｍ以下であった。この結果を表２に示す。
また、成膜評価の結果、８インチウエハ上のパーティクル発生量は１００ケ以下であり、スパッタリング評価後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。
また、成膜評価の結果、８インチウエハ上のパーティクル発生量は１００ケ以下であり、スパッタリング評価後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。
Ｒａに純度４ＮのＣｅＯ２とした以外は実施例１と同条件で焼結体を作製し、同様の評価を行った。得られた焼結体の相対密度はいずれも９５％以上であり、平均粒径は１００μｍ以下であった。
また、成膜評価の結果、8インチウエハ上のパーティクル発生量は１００ケ以下であり、スパッタリング評価後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表３に示す。
また、成膜評価の結果、8インチウエハ上のパーティクル発生量は１００ケ以下であり、スパッタリング評価後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表３に示す。
Ｒａに純度４ＮのＰｒ６Ｏ１１とした以外は、実施例１と同条件で焼結体を作製し、同様の評価を行った。得られた焼結体の相対密度はいずれも９５％以上であり、平均粒径は１００μｍ以下であった。
また、成膜評価の結果、８インチウエハ上のパーティクル発生量は１００ケ以下であり、スパッタリング評価後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表４に示す。
また、成膜評価の結果、８インチウエハ上のパーティクル発生量は１００ケ以下であり、スパッタリング評価後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表４に示す。
Ｒａに純度４ＮのＮｄ２Ｏ３とした以外は、実施例１と同条件で焼結体を作製し、同様の評価を行った。得られた焼結体の相対密度はいずれも９５％以上であり、平均粒径は１００μｍ以下であった。
また、成膜評価の結果、８インチウエハ上のパーティクル発生量は１００ケ以下であり、スパッタリング評価後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表５に示す。
また、成膜評価の結果、８インチウエハ上のパーティクル発生量は１００ケ以下であり、スパッタリング評価後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表５に示す。
Ｒａに純度４ＮのＳｍ２Ｏ３とした以外は、実施例１と同条件で焼結体を作製し、同様の評価を行った。得られた焼結体の相対密度はいずれも９５％以上であり、平均粒径は１００μｍ以下であった。
また、成膜評価の結果、８インチウエハ上のパーティクル発生量は１００ケ以下であり、スパッタリング評価後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表６に示す。
また、成膜評価の結果、８インチウエハ上のパーティクル発生量は１００ケ以下であり、スパッタリング評価後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表６に示す。
Ｒａに純度４ＮのＥｕ２Ｏ３とした以外は、実施例１と同条件で焼結体を作製し、同様の評価を行った。得られた焼結体の相対密度はいずれも９５％以上であり、平均粒径は１００μｍ以下であった。
また、成膜評価の結果、８インチウエハ上のパーティクル発生量は１００ケ以下であり、スパッタリング評価後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表７に示す。
また、成膜評価の結果、８インチウエハ上のパーティクル発生量は１００ケ以下であり、スパッタリング評価後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表７に示す。
Ｒａに純度４ＮのＧｄ２Ｏ３とした以外は、実施例１と同条件で焼結体を作製し、同様の評価を行った。得られた焼結体の相対密度はいずれも９５％以上であり、平均粒径は１００μｍ以下であった。
また、成膜評価の結果、８インチウエハ上のパーティクル発生量は１００ケ以下であり、スパッタリング評価後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表８に示す。
また、成膜評価の結果、８インチウエハ上のパーティクル発生量は１００ケ以下であり、スパッタリング評価後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表８に示す。
Ｒａに純度４ＮのＤｙ２Ｏ３とした以外は、実施例１と同条件で焼結体を作製し、同様の評価を行った。得られた焼結体の相対密度はいずれも９５％以上であり、平均粒径は１００μｍ以下であった。
また、成膜評価の結果、８インチウエハ上のパーティクル発生量は１００ケ以下であり、スパッタリング評価後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表９に示す。
また、成膜評価の結果、８インチウエハ上のパーティクル発生量は１００ケ以下であり、スパッタリング評価後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表９に示す。
実施例１〜９で作製したＲａ０．９Ｃａ０．１ＭｎＯ３（Ｒａ：Ｔ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｄｙ）の焼結体をスパッタリング特性を評価するためターゲット形状に加工し、ＤＣスパッタリングで成膜してパーティクル発生量およびスパッタリング後の割れの有無を調べた。
この結果を実施例１０に示す。その結果、いずれのターゲットも６インチウエハに成膜した膜上のパーティクル発生量は５０ケ以下と良好な結果であり、またスパッタリング試験終了後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表１０に示す。
この結果を実施例１０に示す。その結果、いずれのターゲットも６インチウエハに成膜した膜上のパーティクル発生量は５０ケ以下と良好な結果であり、またスパッタリング試験終了後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表１０に示す。
実施例１〜９で作製したＲａ０．９Ｓｒ０．１ＭｎＯ３（Ｒａ：Ｌａ，Ｎｄ，Ｅｕ，Ｇｄ）の焼結体を、スパッタリング特性を評価するためターゲット形状に加工し、ＤＣスパッタリングで成膜してパーティクル発生量およびスパッタリング後の割れの有無を調べた。
その結果を表１１に示す。いずれのターゲットも６インチウエハに成膜した膜上のパーティクル発生量は５０ケ以下と良好な結果であり、またスパッタリング試験終了後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表１１に示す。
その結果を表１１に示す。いずれのターゲットも６インチウエハに成膜した膜上のパーティクル発生量は５０ケ以下と良好な結果であり、またスパッタリング試験終了後のターゲットに割れ、クラックの発生は認められなかった。この結果を表１１に示す。
（比較例２）
ＲａをＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙとした以外は、比較例１と同条件で焼結体を作製し評価を行った。ＣａあるいはＳｒ置換量ｘが０．７の場合、いずれの焼結体も熱処理後に多数のクラックが発生し、ターゲット加工ができなかった。
また、ｘ＝１．０では、比抵抗が１００Ωｃｍ以上となり、ＤＣスパッタリング後、ターゲットに多数のクラックおよび割れが生じていた。また，パーティクル数も１００ケ以上であった。
以上から、本発明の０＜ｘ≦０．５の条件は極めて重要であることが分かる。
ＲａをＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙとした以外は、比較例１と同条件で焼結体を作製し評価を行った。ＣａあるいはＳｒ置換量ｘが０．７の場合、いずれの焼結体も熱処理後に多数のクラックが発生し、ターゲット加工ができなかった。
また、ｘ＝１．０では、比抵抗が１００Ωｃｍ以上となり、ＤＣスパッタリング後、ターゲットに多数のクラックおよび割れが生じていた。また，パーティクル数も１００ケ以上であった。
以上から、本発明の０＜ｘ≦０．５の条件は極めて重要であることが分かる。
本発明のＲａ１−ｘＡｘＢＯ３−α（Ｒａ：Ｙ，Ｓｃ及びランタノイドからなる希土類元素、Ａ：Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ｓｒ、Ｂ：Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ等の遷移金属元素）の化学式で表されるペロブスカイト型酸化物系セラミックス材料は、電気抵抗の低い酸化物材料として有用であり、固体電解質型燃料電池の酸素極電極や半導体メモリーの電極材料として利用できる。また、この系は低温で巨大磁気抵抗効果（ＣＭＲ）を示し、この特性を利用した磁気センサーへ、あるいは近年注目を集めているＲＲＡＭへの利用も可能である。
以上の成膜材料として、本発明の高密度のスパッタリング用ターゲットは極めて重要である。
以上の成膜材料として、本発明の高密度のスパッタリング用ターゲットは極めて重要である。
Claims (2)
- Ｒａ１−ｘＡｘＢＯ３−α（Ｒａ：Ｙ，Ｓｃ及びランタノイドからなる希土類元素、Ａ：Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ｓｒ、Ｂ：Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒの遷移金属元素、０＜ｘ≦０．５）の化学式で表されるペロブスカイト型酸化物であって、相対密度が９５％以上、純度が３Ｎ以上、平均結晶粒径が１００μｍ以下、比抵抗が１０Ωｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
- Ｒａ １−ｘ Ａ ｘ ＢＯ ３−α （Ｒａ：Ｙ，Ｓｃ及びランタノイドからなる希土類元素、Ａ：Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ｓｒ、Ｂ：Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒの遷移金属元素）の化学式で表されるペロブスカイト型酸化物を、ターゲットを構成するそれぞれ３Ｎ以上の高純度酸化物原料を用い、０＜ｘ≦０．５の範囲でｘの量を調整すると共に、各高純度酸化物原料を秤量・混合した後、大気中６００〜１３００°Ｃの範囲で仮焼を行い、ペロブスカイト構造が主となる結晶相の粉末を得、さらにこの粉末を粉砕した後、Ａｒガス等の不活性ガス雰囲気中、８００〜１５００°Ｃ、１００ｋｇ／ｃｍ ２ 以上で、０．５時間以上ホットプレス焼結し、更にこのホットプレスした焼結体を８００〜１５００°Ｃ、大気中又は酸化雰囲気中で熱処理して焼結体ターゲットを得ることを特徴とするスパッタリング用ターゲットの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003310930 | 2003-09-03 | ||
| JP2003310930 | 2003-09-03 | ||
| PCT/JP2004/009981 WO2005024091A1 (ja) | 2003-09-03 | 2004-07-07 | スパッタリング用ターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2005024091A1 JPWO2005024091A1 (ja) | 2006-11-02 |
| JP4351213B2 true JP4351213B2 (ja) | 2009-10-28 |
Family
ID=34269685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005513604A Expired - Fee Related JP4351213B2 (ja) | 2003-09-03 | 2004-07-07 | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070111894A1 (ja) |
| JP (1) | JP4351213B2 (ja) |
| KR (1) | KR20060061366A (ja) |
| TW (1) | TWI248471B (ja) |
| WO (1) | WO2005024091A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8728285B2 (en) | 2003-05-23 | 2014-05-20 | Demaray, Llc | Transparent conductive oxides |
| JP5095412B2 (ja) | 2004-12-08 | 2012-12-12 | シモーフィックス，インコーポレーテッド | ＬｉＣｏＯ２の堆積 |
| JP4727664B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2011-07-20 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット用酸化クロム粉末及びスパッタリングターゲット |
| US7838133B2 (en) * | 2005-09-02 | 2010-11-23 | Springworks, Llc | Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications |
| US8304754B2 (en) * | 2008-11-12 | 2012-11-06 | Sandisk 3D Llc | Metal oxide materials and electrodes for Re-RAM |
| JP2017014551A (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-19 | Tdk株式会社 | スパッタリングターゲット |
| CN107287564B (zh) * | 2017-06-07 | 2019-04-12 | 昆明理工大学 | 一种增大syco-314薄膜激光感生电压的方法 |
| KR102253914B1 (ko) * | 2019-10-14 | 2021-05-20 | 가천대학교 산학협력단 | 금속산화물 타겟의 제조 방법, 및 이를 이용하여 제조된 다중 유전 박막 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2723082B2 (ja) * | 1995-06-26 | 1998-03-09 | 日本電気株式会社 | 酸化物磁性体及びそれを用いた磁気検出素子 |
| JPH0974015A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-03-18 | Masuo Okada | 磁気抵抗効果組成物および磁気抵抗効果素子 |
| JP3803132B2 (ja) * | 1996-01-31 | 2006-08-02 | 出光興産株式会社 | ターゲットおよびその製造方法 |
| JPH09260139A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Ykk Corp | 磁気抵抗効果型素子とその製造方法 |
| JP3346167B2 (ja) * | 1996-05-27 | 2002-11-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 高強度誘電体スパッタリングターゲットおよびその製造方法並びに膜 |
| JPH10297962A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット用ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３系焼結体およびその製造方法 |
| JPH11172423A (ja) * | 1997-12-10 | 1999-06-29 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性高密度酸化チタンターゲットの製造方法 |
| US6214194B1 (en) * | 1999-11-08 | 2001-04-10 | Arnold O. Isenberg | Process of manufacturing layers of oxygen ion conducting oxides |
| EP1233082B1 (en) * | 1999-11-25 | 2009-01-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target, transparent conductive oxide, and method for preparing sputtering target |
| JP4790118B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2011-10-12 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 酸化物焼結体及びその製造方法 |
| JP4544501B2 (ja) * | 2002-08-06 | 2010-09-15 | 日鉱金属株式会社 | 導電性酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット及びこれらの製造方法 |
-
2004
- 2004-07-07 JP JP2005513604A patent/JP4351213B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-07 KR KR1020067004348A patent/KR20060061366A/ko active Search and Examination
- 2004-07-07 WO PCT/JP2004/009981 patent/WO2005024091A1/ja active Application Filing
- 2004-07-07 US US10/566,300 patent/US20070111894A1/en not_active Abandoned
- 2004-07-09 TW TW093120546A patent/TWI248471B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2005024091A1 (ja) | 2005-03-17 |
| TWI248471B (en) | 2006-02-01 |
| KR20060061366A (ko) | 2006-06-07 |
| TW200510556A (en) | 2005-03-16 |
| US20070111894A1 (en) | 2007-05-17 |
| JPWO2005024091A1 (ja) | 2006-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5445640B2 (ja) | 半導体磁器組成物の製造方法 | |
| KR20080072069A (ko) | 산화물 자성 재료 및 그의 제조 방법, 및 페라이트 소결자석 및 그의 제조 방법 | |
| JP6596828B2 (ja) | フェライト焼結磁石及びそれを備えるモータ | |
| JP2009249187A (ja) | 酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、電極 | |
| JP4351213B2 (ja) | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 | |
| JP6596829B2 (ja) | フェライト焼結磁石及びそれを備えるモータ | |
| WO2010021274A1 (ja) | 複合酸化物焼結体、複合酸化物焼結体の製造方法、スパッタリングターゲット、及び薄膜の製造方法 | |
| JP2015222780A (ja) | 圧電セラミックス、その製造方法及び圧電体素子 | |
| KR20150079633A (ko) | 세라믹스 재료 및 스퍼터링 타겟 부재 | |
| JP5673794B2 (ja) | 熱電変換材料および熱電変換素子 | |
| JP6927404B1 (ja) | フェライト仮焼体、フェライト焼結磁石及びその製造方法 | |
| JP2006165107A (ja) | 静電チャック用誘電体セラミックス及びその製造方法 | |
| JP5873366B2 (ja) | セラミックス材料の製造方法、セラミックス材料及びスパッタリングターゲット部材 | |
| JP2004068073A (ja) | 導電性酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット及びこれらの製造方法 | |
| Park et al. | Positive Temperature Coefficient of Resistance Effect in Heavily Niobium‐Doped Barium Titanate by the Growth of the Double‐Twinned Seeds | |
| JP6468158B2 (ja) | 蒸着用ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３系酸化物焼結体タブレットとその製造方法 | |
| TWI580809B (zh) | Ceramic materials and sputtering target parts | |
| JPH11112050A (ja) | 圧電磁器 | |
| JP5662731B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JP2004311588A (ja) | 負特性サーミスタの製造方法、及び負特性サーミスタ | |
| JP2007223899A (ja) | スパッタリング用ＢａｘＳｒ１−ｘＴｉＯ３−ｙターゲット材の製造方法 | |
| JPH0974015A (ja) | 磁気抵抗効果組成物および磁気抵抗効果素子 | |
| TWI538893B (zh) | Ceramic material, member for semiconductor manufacturing apparatus, sputtering ring target member and manufacturing method of ceramic material | |
| JP2024052568A (ja) | フェライト焼結磁石の製造方法 | |
| JP2001003164A (ja) | 高速成膜しても割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081111 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090108 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090721 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090723 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130731 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |