JPH11172423A - 導電性高密度酸化チタンターゲットの製造方法 - Google Patents
導電性高密度酸化チタンターゲットの製造方法Info
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- JPH11172423A JPH11172423A JP9339751A JP33975197A JPH11172423A JP H11172423 A JPH11172423 A JP H11172423A JP 9339751 A JP9339751 A JP 9339751A JP 33975197 A JP33975197 A JP 33975197A JP H11172423 A JPH11172423 A JP H11172423A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸化チタン薄膜を形成にするための導電性高
密度酸化チタンターゲットの製造方法を提供する。 【解決手段】 酸化チタン原料粉末を非酸化雰囲気中で
焼結またはホットプレスすることにより導電性高密度酸
化チタンターゲットを製造する方法において、前記酸化
チタン原料粉末として、アタナーゼ型結晶構造の二酸化
チタン粉末（以下、アタナーゼ型粉末という）とルチル
結晶構造の二酸化チタン粉末（以下、ルチル型粉末とい
う）を、０．０１≦（アタナーゼ型粉末）／（アタナー
ゼ型粉末＋ルチル型粉末）≦１の割合に配合し混合して
得られた混合粉末を使用することを特徴とする。
密度酸化チタンターゲットの製造方法を提供する。 【解決手段】 酸化チタン原料粉末を非酸化雰囲気中で
焼結またはホットプレスすることにより導電性高密度酸
化チタンターゲットを製造する方法において、前記酸化
チタン原料粉末として、アタナーゼ型結晶構造の二酸化
チタン粉末（以下、アタナーゼ型粉末という）とルチル
結晶構造の二酸化チタン粉末（以下、ルチル型粉末とい
う）を、０．０１≦（アタナーゼ型粉末）／（アタナー
ゼ型粉末＋ルチル型粉末）≦１の割合に配合し混合して
得られた混合粉末を使用することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、導電性高密度酸
化チタンターゲットの製造方法、特に光触媒用酸化チタ
ン薄膜を形成するための比抵抗：０．００１〜１Ω・ｃ
ｍ、密度比：９５〜１００％を有し、組成がＴｉＯ
x （ｘ＝１．８００〜１．９９９）である導電性高密度
酸化チタンターゲットの製造方法に関するものであり、
さらに、この製造方法により製造した比抵抗：０．００
１〜１Ω・ｃｍ、密度比：９５〜１００％を有し、組成
がＴｉＯx （ｘ＝１．８００〜１．９９９）である導電
性高密度酸化チタンターゲットを用いてスパッタリング
して得られた酸化チタン薄膜、特に光触媒用酸化チタン
薄膜に関するものである。
化チタンターゲットの製造方法、特に光触媒用酸化チタ
ン薄膜を形成するための比抵抗：０．００１〜１Ω・ｃ
ｍ、密度比：９５〜１００％を有し、組成がＴｉＯ
x （ｘ＝１．８００〜１．９９９）である導電性高密度
酸化チタンターゲットの製造方法に関するものであり、
さらに、この製造方法により製造した比抵抗：０．００
１〜１Ω・ｃｍ、密度比：９５〜１００％を有し、組成
がＴｉＯx （ｘ＝１．８００〜１．９９９）である導電
性高密度酸化チタンターゲットを用いてスパッタリング
して得られた酸化チタン薄膜、特に光触媒用酸化チタン
薄膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光触媒用酸化チタン薄膜の成膜方法とし
て、現在、塗布法、蒸着法による成膜方法が主に用いら
れているが、スパッタリングによる成膜も試みられてい
る。スパッタリングによる成膜方法として、金属チタン
による反応性スパッタリング法および導電性酸化チタン
焼結体ターゲットによる直流スパッタリング法が知られ
ている（特開平４−１４１５７７号公報、特開平７−２
３３４６９号公報、特開平８−１３４６３８号公報参
照）。
て、現在、塗布法、蒸着法による成膜方法が主に用いら
れているが、スパッタリングによる成膜も試みられてい
る。スパッタリングによる成膜方法として、金属チタン
による反応性スパッタリング法および導電性酸化チタン
焼結体ターゲットによる直流スパッタリング法が知られ
ている（特開平４−１４１５７７号公報、特開平７−２
３３４６９号公報、特開平８−１３４６３８号公報参
照）。
【０００３】金属チタンによる反応性スパッタリング法
では、活性なターゲットの表面の酸化反応により早い成
膜速度が得られないこと、および僅かな酸素分圧の変化
によってターゲット表面に生成する酸化物の影響により
安定した膜特性を得ることが難しいなどの問題点がある
ところから、近年、酸化チタン焼結体ターゲットを用い
たスパッタリングによる成膜が主流になりつつある。
では、活性なターゲットの表面の酸化反応により早い成
膜速度が得られないこと、および僅かな酸素分圧の変化
によってターゲット表面に生成する酸化物の影響により
安定した膜特性を得ることが難しいなどの問題点がある
ところから、近年、酸化チタン焼結体ターゲットを用い
たスパッタリングによる成膜が主流になりつつある。
【０００４】この酸化チタン焼結体ターゲットを製造す
るには、原料粉末の酸化チタン粉末を成形して成形体を
作製し、この成形体を大気中または還元雰囲気中、温
度：１３５０℃、２時間保持の条件で焼結する方法、ま
たは還元雰囲気中、圧力：５０〜１００ｋｇ／ｃｍ2 、
温度：１１００〜１４００℃、１時間保持の条件でホッ
トプレスする方法により製造することができる。前記焼
結して得られた酸化チタン焼結体またはホットプレスし
て得られたホットプレス体を熱処理したのち所定のター
ゲット形状に加工して仕上げる。この様にして得られた
酸化チタンターゲットはＴｉＯx （１＜ｘ＜２）の組成
となることも知られている。この酸化チタンターゲット
は裏面に銅メッキを施したのち純銅製冷却板の上にろう
付けされ、スパッタリング装置内部にセットしてスパッ
タリングし、酸化チタン薄膜を形成する。
るには、原料粉末の酸化チタン粉末を成形して成形体を
作製し、この成形体を大気中または還元雰囲気中、温
度：１３５０℃、２時間保持の条件で焼結する方法、ま
たは還元雰囲気中、圧力：５０〜１００ｋｇ／ｃｍ2 、
温度：１１００〜１４００℃、１時間保持の条件でホッ
トプレスする方法により製造することができる。前記焼
結して得られた酸化チタン焼結体またはホットプレスし
て得られたホットプレス体を熱処理したのち所定のター
ゲット形状に加工して仕上げる。この様にして得られた
酸化チタンターゲットはＴｉＯx （１＜ｘ＜２）の組成
となることも知られている。この酸化チタンターゲット
は裏面に銅メッキを施したのち純銅製冷却板の上にろう
付けされ、スパッタリング装置内部にセットしてスパッ
タリングし、酸化チタン薄膜を形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の酸化チタンター
ゲットをスパッタリングして酸化チタン薄膜を形成する
と、異常放電回数が多く、その結果パーティクルの発生
は避けられないという課題があった
ゲットをスパッタリングして酸化チタン薄膜を形成する
と、異常放電回数が多く、その結果パーティクルの発生
は避けられないという課題があった
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
かかる課題を解決すべく研究を行なった結果、（ａ）ア
タナーゼ型結晶構造の二酸化チタン粉末（以下、アタナ
ーゼ型粉末という）とルチル結晶構造の二酸化チタン粉
末（以下、ルチル型粉末という）を、０．０１≦（アタ
ナーゼ型粉末）／（アタナーゼ型粉末＋ルチル型粉末）
≦１となるように配合し混合して得られた混合粉末をプ
レス成形して成形体を作製し、得られた成形体を、非酸
化性雰囲気（真空雰囲気または還元性雰囲気）中で焼結
する方法、または（ｂ）０．０１≦（アタナーゼ型粉
末）／（アタナーゼ型粉末＋ルチル型粉末）≦１となる
ように配合し混合して得られた混合粉末をホットプレス
する方法、により得られた酸化チタンターゲットは、高
密度でかつ導電性に優れ、この酸化チタンターゲットを
使用してスパッタリングすると、異常放電回数が少ない
ところからパーティクルの発生が従来よりも少なく、さ
らに成膜速度の向上も認められるという知見を得たので
ある。
かかる課題を解決すべく研究を行なった結果、（ａ）ア
タナーゼ型結晶構造の二酸化チタン粉末（以下、アタナ
ーゼ型粉末という）とルチル結晶構造の二酸化チタン粉
末（以下、ルチル型粉末という）を、０．０１≦（アタ
ナーゼ型粉末）／（アタナーゼ型粉末＋ルチル型粉末）
≦１となるように配合し混合して得られた混合粉末をプ
レス成形して成形体を作製し、得られた成形体を、非酸
化性雰囲気（真空雰囲気または還元性雰囲気）中で焼結
する方法、または（ｂ）０．０１≦（アタナーゼ型粉
末）／（アタナーゼ型粉末＋ルチル型粉末）≦１となる
ように配合し混合して得られた混合粉末をホットプレス
する方法、により得られた酸化チタンターゲットは、高
密度でかつ導電性に優れ、この酸化チタンターゲットを
使用してスパッタリングすると、異常放電回数が少ない
ところからパーティクルの発生が従来よりも少なく、さ
らに成膜速度の向上も認められるという知見を得たので
ある。
【０００７】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、（１）酸化チタン原料粉末をプレス成
形して成形体を作製し、得られた成形体を、非酸化性雰
囲気中で焼結することにより導電性高密度酸化チタンタ
ーゲットを製造する方法において、前記酸化チタン原料
粉末は、アタナーゼ型粉末およびルチル型粉末を０．０
１≦（アタナーゼ型粉末）／（アタナーゼ型粉末＋ルチ
ル型粉末）≦１となるように配合し混合して得られた混
合粉末を使用することを特徴とする導電性高密度酸化チ
タンターゲットの製造方法、（２）酸化チタン原料粉末
を非酸化性雰囲気中でホットプレスすることにより導電
性高密度酸化チタンターゲットを製造する方法におい
て、前記酸化チタン原料粉末は、アタナーゼ型粉末およ
びルチル型粉末を、０．０１≦（アタナーゼ型粉末）／
（アタナーゼ型粉末＋ルチル型粉末）≦１となるように
配合し混合して得られた混合粉末を使用することを特徴
とする導電性高密度酸化チタンターゲットの製造方法、
に特徴を有するものである。
たものであって、（１）酸化チタン原料粉末をプレス成
形して成形体を作製し、得られた成形体を、非酸化性雰
囲気中で焼結することにより導電性高密度酸化チタンタ
ーゲットを製造する方法において、前記酸化チタン原料
粉末は、アタナーゼ型粉末およびルチル型粉末を０．０
１≦（アタナーゼ型粉末）／（アタナーゼ型粉末＋ルチ
ル型粉末）≦１となるように配合し混合して得られた混
合粉末を使用することを特徴とする導電性高密度酸化チ
タンターゲットの製造方法、（２）酸化チタン原料粉末
を非酸化性雰囲気中でホットプレスすることにより導電
性高密度酸化チタンターゲットを製造する方法におい
て、前記酸化チタン原料粉末は、アタナーゼ型粉末およ
びルチル型粉末を、０．０１≦（アタナーゼ型粉末）／
（アタナーゼ型粉末＋ルチル型粉末）≦１となるように
配合し混合して得られた混合粉末を使用することを特徴
とする導電性高密度酸化チタンターゲットの製造方法、
に特徴を有するものである。
【０００８】この発明の製造方法により得られた酸化チ
タンターゲットは、ＴｉＯx （ｘ＝１．８００〜１．９
９９）の組成となり、ルチル結晶構造の二酸化チタンの
真密度を４．２５ｇ／ｃｍ3 とすると、密度比が９５％
以上になり、比抵抗も０．００１〜１Ω・ｃｍとなっ
て、導電性に優れかつ高密度となり、この酸化チタンタ
ーゲットを用いてスパッタリングすると、成膜速度が大
きくかつ異常放電が少ない結果パーティクルの発生が少
ないという効果がある。なお、この発明の導電性高密度
酸化チタンターゲットの製造方法で用いる酸化チタン原
料粉末は、アタナーゼ型粉末およびルチル型粉末を、
０．５≦（アタナーゼ型粉末）／（アタナーゼ型粉末＋
ルチル型粉末）≦１となるように配合し混合して得られ
た混合粉末を使用することが一層好ましい。
タンターゲットは、ＴｉＯx （ｘ＝１．８００〜１．９
９９）の組成となり、ルチル結晶構造の二酸化チタンの
真密度を４．２５ｇ／ｃｍ3 とすると、密度比が９５％
以上になり、比抵抗も０．００１〜１Ω・ｃｍとなっ
て、導電性に優れかつ高密度となり、この酸化チタンタ
ーゲットを用いてスパッタリングすると、成膜速度が大
きくかつ異常放電が少ない結果パーティクルの発生が少
ないという効果がある。なお、この発明の導電性高密度
酸化チタンターゲットの製造方法で用いる酸化チタン原
料粉末は、アタナーゼ型粉末およびルチル型粉末を、
０．５≦（アタナーゼ型粉末）／（アタナーゼ型粉末＋
ルチル型粉末）≦１となるように配合し混合して得られ
た混合粉末を使用することが一層好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】原料粉末として、平均粒径：０．
５μｍのアタナーゼ型ＴｉＯ2 粉末および平均粒径：
０．３μｍのルチル型ＴｉＯ2 粉末を用意し、これらア
タナーゼ型ＴｉＯ2 粉末およびルチル型ＴｉＯ2 粉末
を、（アタナーゼ型ＴｉＯ2 粉末）／（アタナーゼ型Ｔ
ｉＯ2 粉末＋ルチル型ＴｉＯ2 粉末）の値が表１に示さ
れる値となるように配合し混合することにより混合粉末
Ａ〜Ｊを作製した。
５μｍのアタナーゼ型ＴｉＯ2 粉末および平均粒径：
０．３μｍのルチル型ＴｉＯ2 粉末を用意し、これらア
タナーゼ型ＴｉＯ2 粉末およびルチル型ＴｉＯ2 粉末
を、（アタナーゼ型ＴｉＯ2 粉末）／（アタナーゼ型Ｔ
ｉＯ2 粉末＋ルチル型ＴｉＯ2 粉末）の値が表１に示さ
れる値となるように配合し混合することにより混合粉末
Ａ〜Ｊを作製した。
【００１０】
【表１】 （＊印は本発明外の値を示す）
【００１１】実施例１ 表１に示される混合粉末Ａ〜Ｊを直径：１６０ｍｍ、厚
さ：１０ｍｍのゴム型に充填し、圧力：２ｔｏｎ／ｃｍ
2 で冷間静水圧プレス成形して成形体を作製した。この
成形体を５０メッシュアンダーの高純度グラファイト粉
末中に埋め込み、表２および表３に示される条件で真空
焼結することにより本発明法１〜８、比較法１および従
来法１を実施した。本発明法１〜８、比較法１および従
来法１により得られた焼結体の比抵抗を直流４端子法に
より測定した後、さらにチル結晶構造の二酸化チタンの
真密度を４．２５ｇ／ｃｍ3 とするときの焼結体の密度
比を測定し、その結果を表２および表３に示した。
さ：１０ｍｍのゴム型に充填し、圧力：２ｔｏｎ／ｃｍ
2 で冷間静水圧プレス成形して成形体を作製した。この
成形体を５０メッシュアンダーの高純度グラファイト粉
末中に埋め込み、表２および表３に示される条件で真空
焼結することにより本発明法１〜８、比較法１および従
来法１を実施した。本発明法１〜８、比較法１および従
来法１により得られた焼結体の比抵抗を直流４端子法に
より測定した後、さらにチル結晶構造の二酸化チタンの
真密度を４．２５ｇ／ｃｍ3 とするときの焼結体の密度
比を測定し、その結果を表２および表３に示した。
【００１２】これら焼結体を直径：１２５ｍｍ、厚さ：
５ｍｍの寸法に湿式研磨加工し、これを厚さ：１０ｍｍ
の無酸素銅製バッキングプレーにＩｎ−Ｓｎ共晶はんだ
を用いてはんだ付けしたのち、通常の直流スパッタ装置
に取り付け、下記の条件、 基板：Ｓｉウエハー（直径：１００ｍｍ）、 基板温度：２０℃、 基板とターゲットの距離：６０ｍｍ、 雰囲気：１．３×１０-2ＴｏｒｒのＡｒ／Ｏ2 雰囲気
（Ａｒ／Ｏ2 ＝９／１）、 直流出力：５００ｗ、 成膜時間：５分、 にてスパッタすることにより前記基板である直径：１０
０ｍｍのＳｉウエハ上に酸化チタン薄膜を形成し、異常
放電回数および市販のパーティクルカウンターにてＳｉ
ウエハ上に形成された粒径：０．５μｍ以上のパーティ
クル数を数え、さらに成膜速度を測定し、その結果を表
２および表３に示した。
５ｍｍの寸法に湿式研磨加工し、これを厚さ：１０ｍｍ
の無酸素銅製バッキングプレーにＩｎ−Ｓｎ共晶はんだ
を用いてはんだ付けしたのち、通常の直流スパッタ装置
に取り付け、下記の条件、 基板：Ｓｉウエハー（直径：１００ｍｍ）、 基板温度：２０℃、 基板とターゲットの距離：６０ｍｍ、 雰囲気：１．３×１０-2ＴｏｒｒのＡｒ／Ｏ2 雰囲気
（Ａｒ／Ｏ2 ＝９／１）、 直流出力：５００ｗ、 成膜時間：５分、 にてスパッタすることにより前記基板である直径：１０
０ｍｍのＳｉウエハ上に酸化チタン薄膜を形成し、異常
放電回数および市販のパーティクルカウンターにてＳｉ
ウエハ上に形成された粒径：０．５μｍ以上のパーティ
クル数を数え、さらに成膜速度を測定し、その結果を表
２および表３に示した。
【００１３】
【表２】
【００１４】
【表３】
【００１５】実施例２ 表１に示される混合粉末Ａ〜Ｊを内径が１３０ｍｍのグ
ラファイト製モールドに充填し、表４に示される条件で
ホットプレスすることにより本発明法９〜１６、比較法
２および従来法２を実施した。本発明法９〜１６、比較
法２および従来法２により得られたホットプレス体の比
抵抗を直流４端子法により測定した後、さらにチル結晶
構造の二酸化チタンの真密度を４．２５ｇ／ｃｍ3 とす
るときのホットプレス体の密度比を測定し、その結果を
表４に示した。
ラファイト製モールドに充填し、表４に示される条件で
ホットプレスすることにより本発明法９〜１６、比較法
２および従来法２を実施した。本発明法９〜１６、比較
法２および従来法２により得られたホットプレス体の比
抵抗を直流４端子法により測定した後、さらにチル結晶
構造の二酸化チタンの真密度を４．２５ｇ／ｃｍ3 とす
るときのホットプレス体の密度比を測定し、その結果を
表４に示した。
【００１６】これらホットプレス体を直径：１２５ｍ
ｍ、厚さ：５ｍｍの寸法に湿式研磨加工し、これを厚
さ：１０ｍｍの無酸素銅製バッキングプレーにＩｎ−Ｓ
ｎ共晶はんだを用いてはんだ付けしたのち、高周波を重
畳した直流スパッタ装置に取り付け、下記の条件、 基板：Ｓｉウエハー（直径：１００ｍｍ）、 基板温度：２０℃、 基板とターゲットの距離：６０ｍｍ、 雰囲気：１．３×１０-2ＴｏｒｒのＡｒ／Ｏ2 雰囲気
（Ａｒ／Ｏ2 ＝９／１）、 直流出力：５００ｗ、 成膜時間：５分、 にてスパッタすることにより前記基板である直径：１０
０ｍｍのＳｉウエハ上に酸化チタン薄膜を形成し、異常
放電回数および市販のパーティクルカウンターにてＳｉ
ウエハ上に形成された粒径：１μｍ以上のパーティクル
数を数え、さらに成膜速度を測定し、その結果を表４に
示した。
ｍ、厚さ：５ｍｍの寸法に湿式研磨加工し、これを厚
さ：１０ｍｍの無酸素銅製バッキングプレーにＩｎ−Ｓ
ｎ共晶はんだを用いてはんだ付けしたのち、高周波を重
畳した直流スパッタ装置に取り付け、下記の条件、 基板：Ｓｉウエハー（直径：１００ｍｍ）、 基板温度：２０℃、 基板とターゲットの距離：６０ｍｍ、 雰囲気：１．３×１０-2ＴｏｒｒのＡｒ／Ｏ2 雰囲気
（Ａｒ／Ｏ2 ＝９／１）、 直流出力：５００ｗ、 成膜時間：５分、 にてスパッタすることにより前記基板である直径：１０
０ｍｍのＳｉウエハ上に酸化チタン薄膜を形成し、異常
放電回数および市販のパーティクルカウンターにてＳｉ
ウエハ上に形成された粒径：１μｍ以上のパーティクル
数を数え、さらに成膜速度を測定し、その結果を表４に
示した。
【００１７】
【表４】
【００１８】
【発明の効果】表１〜表４に示される結果から、（アタ
ナーゼ型ＴｉＯ2 粉末）／（アタナーゼ型ＴｉＯ2 粉末
＋ルチル型ＴｉＯ2 粉末）の割合が０．０１〜１となる
ように配合し混合して得られた混合粉末を用いる本発明
法１〜１６により作られたターゲットは、比抵抗が０．
００１〜１Ω・cmで導電性に優れかつ密度比が９５％以
上の高密度を有するターゲットを製造することができ、
このターゲットはスパッタリングに際して異常放電回数
が少ない結果パーティクル発生が少なく、成膜速度が大
きいことが分かる。しかし、（アタナーゼ型ＴｉＯ2 粉
末）／（アタナーゼ型ＴｉＯ2 粉末＋ルチル型ＴｉＯ2
粉末）の割合が０．０１未満の混合粉末を用いる比較法
１〜２および従来法１〜２で得られたターゲットは密度
が低い結果、パーティクル発生が極めて多く成膜速度も
低いことが分かる。
ナーゼ型ＴｉＯ2 粉末）／（アタナーゼ型ＴｉＯ2 粉末
＋ルチル型ＴｉＯ2 粉末）の割合が０．０１〜１となる
ように配合し混合して得られた混合粉末を用いる本発明
法１〜１６により作られたターゲットは、比抵抗が０．
００１〜１Ω・cmで導電性に優れかつ密度比が９５％以
上の高密度を有するターゲットを製造することができ、
このターゲットはスパッタリングに際して異常放電回数
が少ない結果パーティクル発生が少なく、成膜速度が大
きいことが分かる。しかし、（アタナーゼ型ＴｉＯ2 粉
末）／（アタナーゼ型ＴｉＯ2 粉末＋ルチル型ＴｉＯ2
粉末）の割合が０．０１未満の混合粉末を用いる比較法
１〜２および従来法１〜２で得られたターゲットは密度
が低い結果、パーティクル発生が極めて多く成膜速度も
低いことが分かる。
【００１９】上述のように、この発明は、光触媒用酸化
チタン薄膜を効率よく形成するための導電性高密度ター
ゲットの製造方法を提供することができ、産業の発展に
大いに貢献し得るものである。
チタン薄膜を効率よく形成するための導電性高密度ター
ゲットの製造方法を提供することができ、産業の発展に
大いに貢献し得るものである。
Claims (4)
- 【請求項１】 酸化チタン原料粉末をプレス成形して成
形体を作製し、得られた成形体を、非酸化雰囲気中で焼
結することにより導電性高密度酸化チタンターゲットを
製造する方法において、 前記酸化チタン原料粉末は、アタナーゼ型結晶構造の二
酸化チタン粉末（以下、アタナーゼ型粉末という）とル
チル結晶構造の二酸化チタン粉末（以下、ルチル型粉末
という）を、０．０１≦（アタナーゼ型粉末）／（アタ
ナーゼ型粉末＋ルチル型粉末）≦１となるように配合し
混合して得られた混合粉末を使用することを特徴とする
導電性高密度酸化チタンターゲットの製造方法。 - 【請求項２】 酸化チタン原料粉末を非酸化雰囲気中で
ホットプレスすることにより導電性高密度酸化チタンタ
ーゲットを製造する方法において、 前記酸化チタン原料粉末は、アタナーゼ型結晶構造の二
酸化チタン粉末（以下、アタナーゼ型粉末という）とル
チル結晶構造の二酸化チタン粉末（以下、ルチル型粉末
という）を、０．０１≦（アタナーゼ型粉末）／（アタ
ナーゼ型粉末＋ルチル型粉末）≦１となるように配合し
混合して得られた混合粉末を使用することを特徴とする
導電性高密度酸化チタンターゲットの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の方法で製造した
ことを特徴とする比抵抗：０．００１〜１Ω・ｃｍ、密
度比：９５〜１００％を有し、組成がＴｉＯ x （ｘ＝
１．８００〜１．９９９）である導電性高密度酸化チタ
ンターゲット。 - 【請求項４】 請求項３記載の導電性高密度酸化チタン
ターゲットを用いてスパッタリングして得られた光触媒
用酸化チタン膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9339751A JPH11172423A (ja) | 1997-12-10 | 1997-12-10 | 導電性高密度酸化チタンターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9339751A JPH11172423A (ja) | 1997-12-10 | 1997-12-10 | 導電性高密度酸化チタンターゲットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11172423A true JPH11172423A (ja) | 1999-06-29 |
Family
ID=18330472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9339751A Pending JPH11172423A (ja) | 1997-12-10 | 1997-12-10 | 導電性高密度酸化チタンターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11172423A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004346357A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Mitsubishi Materials Corp | 強度および耐スパッタ割れ性に優れた酸化チタンターゲットの製造方法 |
| WO2005024091A1 (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-17 | Nikko Materials Co., Ltd. | スパッタリング用ターゲット |
| JP2009227513A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Mitsubishi Materials Corp | 高密度および低比抵抗を有する酸化チタンターゲットの製造方法 |
| CN116143512A (zh) * | 2023-02-15 | 2023-05-23 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种高纯二氧化钛平面靶材及其制备方法 |
-
1997
- 1997-12-10 JP JP9339751A patent/JPH11172423A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004346357A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Mitsubishi Materials Corp | 強度および耐スパッタ割れ性に優れた酸化チタンターゲットの製造方法 |
| WO2005024091A1 (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-17 | Nikko Materials Co., Ltd. | スパッタリング用ターゲット |
| JP2009227513A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Mitsubishi Materials Corp | 高密度および低比抵抗を有する酸化チタンターゲットの製造方法 |
| CN116143512A (zh) * | 2023-02-15 | 2023-05-23 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种高纯二氧化钛平面靶材及其制备方法 |
| CN116143512B (zh) * | 2023-02-15 | 2024-02-27 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种高纯二氧化钛平面靶材及其制备方法 |
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