JPH09118978A - タングステンシリサイドスパッタリング用ターゲット - Google Patents
タングステンシリサイドスパッタリング用ターゲットInfo
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- JPH09118978A JPH09118978A JP7297509A JP29750995A JPH09118978A JP H09118978 A JPH09118978 A JP H09118978A JP 7297509 A JP7297509 A JP 7297509A JP 29750995 A JP29750995 A JP 29750995A JP H09118978 A JPH09118978 A JP H09118978A
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- silicide
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高電力をかけて高速成膜してもパーティクル
発生数の少ない優れたタングステンシリサイド薄膜を高
速成膜することのできるスパッタリング用ターゲットを
提供する。 【解決手段】 Ｘ線回折によるＳｉ（２２０）の半値幅
が０．２５０〜０．３００度でかつＷＳｉ2 （２００）
の半値幅が０．１４５〜０．１８５度のタングステンシ
リサイド焼結体からなるスパッタリング用ターゲット。
発生数の少ない優れたタングステンシリサイド薄膜を高
速成膜することのできるスパッタリング用ターゲットを
提供する。 【解決手段】 Ｘ線回折によるＳｉ（２２０）の半値幅
が０．２５０〜０．３００度でかつＷＳｉ2 （２００）
の半値幅が０．１４５〜０．１８５度のタングステンシ
リサイド焼結体からなるスパッタリング用ターゲット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体メモリー
にタングステンシリサイドの薄膜を形成する際に使用す
るタングステンシリサイドスパッタリング用ターゲット
に関するものである。
にタングステンシリサイドの薄膜を形成する際に使用す
るタングステンシリサイドスパッタリング用ターゲット
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、４Ｍや１６ＭＤＲＭなど半導体
メモリーの配線部分にはタングステンシリサイド薄膜が
使用されている。この薄膜は、タングステンシリサイド
の焼結体からなるターゲットを用いてスパッタリングす
ることにより形成される。
メモリーの配線部分にはタングステンシリサイド薄膜が
使用されている。この薄膜は、タングステンシリサイド
の焼結体からなるターゲットを用いてスパッタリングす
ることにより形成される。
【０００３】このタングステンシリサイドスパッタリン
グ用ターゲットは、まずＷ粉末とＳｉ粉末の混合粉末を
焼成して製造したタングステンシリサイド粉末を、１×
１０-4〜１×１０-3Ｔｏｒｒの真空雰囲気中、圧力：２
００ｋｇ／ｃｍ2 、温度：１２５０〜１４００℃、４時
間保持の条件でホットプレスし、所定のターゲット形状
に加工して仕上げられる。
グ用ターゲットは、まずＷ粉末とＳｉ粉末の混合粉末を
焼成して製造したタングステンシリサイド粉末を、１×
１０-4〜１×１０-3Ｔｏｒｒの真空雰囲気中、圧力：２
００ｋｇ／ｃｍ2 、温度：１２５０〜１４００℃、４時
間保持の条件でホットプレスし、所定のターゲット形状
に加工して仕上げられる。
【０００４】この様にして得られたタングステンシリサ
イドスパッタリング用ターゲットは、ＷＳｉ2 粒をＳｉ
膜で接着したような組織となっており、その成分組成も
ＷＳｉx （２．６≦ｘ≦３．０）の範囲内にあるように
調整されている。このタングステンシリサイドスパッタ
リング用ターゲットは、裏面に銅メッキしたのち銅製冷
却板の上にろう付けされ、スパッタリングが行われる。
ターゲットの径が大きくなるほどスパッタリング効率は
向上し、またターゲットに大きなパワーをかけるほど成
膜速度は速くなる。さらに、スパッタリングにより形成
されたタングステンシリサイド薄膜に付着するパーティ
クルの数が少ないほど良質な薄膜であるといわれてい
る。
イドスパッタリング用ターゲットは、ＷＳｉ2 粒をＳｉ
膜で接着したような組織となっており、その成分組成も
ＷＳｉx （２．６≦ｘ≦３．０）の範囲内にあるように
調整されている。このタングステンシリサイドスパッタ
リング用ターゲットは、裏面に銅メッキしたのち銅製冷
却板の上にろう付けされ、スパッタリングが行われる。
ターゲットの径が大きくなるほどスパッタリング効率は
向上し、またターゲットに大きなパワーをかけるほど成
膜速度は速くなる。さらに、スパッタリングにより形成
されたタングステンシリサイド薄膜に付着するパーティ
クルの数が少ないほど良質な薄膜であるといわれてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、スパッタリング
の高能率化および成膜速度のさらなる高速化が求められ
ており、そのためにタングステンシリサイドターゲット
に高電力をかけて高速成膜を行うが、タングステンシリ
サイドターゲットに高電力をかけ、高速成膜して得られ
たタングステンシリサイド薄膜には、粗大パーティクル
が数多く発生するなどの課題があった。かかる粗大パー
ティクルの発生を抑制する手段として、タングステンシ
リサイドターゲットの組織を微細化する手段が知られて
いるが、組織の微細化だけではタングステンシリサイド
薄膜に付着する粗大パーティクルの発生を抑制するには
不十分であった。
の高能率化および成膜速度のさらなる高速化が求められ
ており、そのためにタングステンシリサイドターゲット
に高電力をかけて高速成膜を行うが、タングステンシリ
サイドターゲットに高電力をかけ、高速成膜して得られ
たタングステンシリサイド薄膜には、粗大パーティクル
が数多く発生するなどの課題があった。かかる粗大パー
ティクルの発生を抑制する手段として、タングステンシ
リサイドターゲットの組織を微細化する手段が知られて
いるが、組織の微細化だけではタングステンシリサイド
薄膜に付着する粗大パーティクルの発生を抑制するには
不十分であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
高電力をかけてスパッタリングしてもタングステンシリ
サイド薄膜に付着する粗大パーティクルの発生の少ない
タングステンシリサイドターゲットを開発すべく研究を
行なった結果、Ｗ粉末およびＳｉ粉末からなる混合粉末
を加熱してシリサイド合成して得られたタングステンシ
リサイド粉末をプレス成形して圧粉体を形成し、この圧
粉体を１×１０-4〜１×１０-3Ｔｏｒｒの真空雰囲気中
で通常より高圧の圧力（２００〜４００ｋｇ／ｃｍ2 ）
をかけながら、通常より高温（１３５０〜１４２０℃）
保持の条件でホットプレスすることによりホットプレス
体を作製し、前記ホットプレス体を常温まで炉冷した
後、再度３００〜７００℃まで昇温保持し、ついで水冷
の急冷処理を施すと、Ｘ線回折によるＳｉ（２２０）の
半値幅が０．２５０〜０．３００度でかつＷＳｉ2 （２
００）の半値幅が０．１４５〜０．１８５度を有するタ
ングステンシリサイド焼結体からなるスパッタリング用
ターゲットが得られ、このＳｉ（２２０）の半値幅が
０．２５０〜０．３００度でかつＷＳｉ2 （２００）の
半値幅が０．１４５〜０．１８５度を有するタングステ
ンシリサイド焼結体からなるターゲットを用いて高電力
をかけながら高速成膜しても、得られたタングステンシ
リサイド薄膜に付着する粗大パーティクルの数は極めて
少ない、という知見を得たのである。
高電力をかけてスパッタリングしてもタングステンシリ
サイド薄膜に付着する粗大パーティクルの発生の少ない
タングステンシリサイドターゲットを開発すべく研究を
行なった結果、Ｗ粉末およびＳｉ粉末からなる混合粉末
を加熱してシリサイド合成して得られたタングステンシ
リサイド粉末をプレス成形して圧粉体を形成し、この圧
粉体を１×１０-4〜１×１０-3Ｔｏｒｒの真空雰囲気中
で通常より高圧の圧力（２００〜４００ｋｇ／ｃｍ2 ）
をかけながら、通常より高温（１３５０〜１４２０℃）
保持の条件でホットプレスすることによりホットプレス
体を作製し、前記ホットプレス体を常温まで炉冷した
後、再度３００〜７００℃まで昇温保持し、ついで水冷
の急冷処理を施すと、Ｘ線回折によるＳｉ（２２０）の
半値幅が０．２５０〜０．３００度でかつＷＳｉ2 （２
００）の半値幅が０．１４５〜０．１８５度を有するタ
ングステンシリサイド焼結体からなるスパッタリング用
ターゲットが得られ、このＳｉ（２２０）の半値幅が
０．２５０〜０．３００度でかつＷＳｉ2 （２００）の
半値幅が０．１４５〜０．１８５度を有するタングステ
ンシリサイド焼結体からなるターゲットを用いて高電力
をかけながら高速成膜しても、得られたタングステンシ
リサイド薄膜に付着する粗大パーティクルの数は極めて
少ない、という知見を得たのである。
【０００７】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、Ｘ線回折によるＳｉ（２２０）の半値
幅が０．２５０〜０．３００度でかつＷＳｉ2 （２０
０）の半値幅が０．１４５〜０．１８５度を有するタン
グステンシリサイド焼結体からなるタングステンシリサ
イドスパッタリング用ターゲットに特徴を有するもので
ある。
たものであって、Ｘ線回折によるＳｉ（２２０）の半値
幅が０．２５０〜０．３００度でかつＷＳｉ2 （２０
０）の半値幅が０．１４５〜０．１８５度を有するタン
グステンシリサイド焼結体からなるタングステンシリサ
イドスパッタリング用ターゲットに特徴を有するもので
ある。
【０００８】この発明のタングステンシリサイドスパッ
タリング用ターゲットを構成するタングステンシリサイ
ド焼結体のＸ線回折によるＳｉ（２２０）の半値幅が
０．２５０度未満でありかつＷＳｉ2 （２００）の半値
幅が０．１４５度未満であると、粗大パーティクルの数
が極めて多くなり、一方、Ｓｉ（２２０）の半値幅が
０．３００度を越えかつＷＳｉ2 （２００）の半値幅が
０．１８５度を越えるとターゲットにクラックが入りや
すくなるところから、タングステンシリサイドスパッタ
リング用ターゲットのＳｉ（２２０）の半値幅を０．２
５０〜０．３００度、ＷＳｉ2 （２００）の半値幅を
０．１４５〜０．１８５度にそれぞれ定めた。Ｘ線回折
によるＳｉ（２２０）の半値幅の一層好ましい範囲は、
０．２５４〜０．２８１度であり、かつＷＳｉ2 （２０
０）の半値幅の一層好ましい範囲は０．１５０〜０．１
８５度である。
タリング用ターゲットを構成するタングステンシリサイ
ド焼結体のＸ線回折によるＳｉ（２２０）の半値幅が
０．２５０度未満でありかつＷＳｉ2 （２００）の半値
幅が０．１４５度未満であると、粗大パーティクルの数
が極めて多くなり、一方、Ｓｉ（２２０）の半値幅が
０．３００度を越えかつＷＳｉ2 （２００）の半値幅が
０．１８５度を越えるとターゲットにクラックが入りや
すくなるところから、タングステンシリサイドスパッタ
リング用ターゲットのＳｉ（２２０）の半値幅を０．２
５０〜０．３００度、ＷＳｉ2 （２００）の半値幅を
０．１４５〜０．１８５度にそれぞれ定めた。Ｘ線回折
によるＳｉ（２２０）の半値幅の一層好ましい範囲は、
０．２５４〜０．２８１度であり、かつＷＳｉ2 （２０
０）の半値幅の一層好ましい範囲は０．１５０〜０．１
８５度である。
【０００９】
【発明の実施の形態】原料粉末として、いずれも粒径：
２０μｍ以下に分級された純度：９９．９９９重量％以
上の市販のＷ粉末およびＳｉ粉末を用意し、これら原料
粉末を表１〜表２に示される割合に配合し、Ｖ型混合器
に入れて混合粉末を作製した。この混合粉末を５×１０
-4Ｔｏｒｒの真空雰囲気中、１３００℃で２時間加熱し
てシリサイド合成反応を行い、得られたタングステンシ
リサイドをボールミルを用いて不活性ガス雰囲気中で粉
砕し、得られたタングステンシリサイド粉末をさらに５
×１０-4Ｔｏｒｒの真空雰囲気中で２００トンの荷重を
かけながら１３８０℃で１時間保持の条件のホットプレ
スを行い、直径：３５０ｍｍ、厚さ：７．５ｍｍの寸法
を有するホットプレス体を作製した。
２０μｍ以下に分級された純度：９９．９９９重量％以
上の市販のＷ粉末およびＳｉ粉末を用意し、これら原料
粉末を表１〜表２に示される割合に配合し、Ｖ型混合器
に入れて混合粉末を作製した。この混合粉末を５×１０
-4Ｔｏｒｒの真空雰囲気中、１３００℃で２時間加熱し
てシリサイド合成反応を行い、得られたタングステンシ
リサイドをボールミルを用いて不活性ガス雰囲気中で粉
砕し、得られたタングステンシリサイド粉末をさらに５
×１０-4Ｔｏｒｒの真空雰囲気中で２００トンの荷重を
かけながら１３８０℃で１時間保持の条件のホットプレ
スを行い、直径：３５０ｍｍ、厚さ：７．５ｍｍの寸法
を有するホットプレス体を作製した。
【００１０】これらホットプレス体をステンレス缶の中
に入れ、この缶の内部をロータリーポンプで１×１０-1
Ｔｏｒｒまで真空引きし吸入口を封じた後、表１〜表２
に示される熱処理温度まで昇温し、１時間保持後、水中
に投入して急冷処理を行った。ついで缶から熱処理した
ホットプレス体を取り出し、これら熱処理したホットプ
レス体の組織観察をＳＥＭで行い、熱処理によるクラッ
ク発生の有無を観察し、その結果を表１〜表２に示し
た。
に入れ、この缶の内部をロータリーポンプで１×１０-1
Ｔｏｒｒまで真空引きし吸入口を封じた後、表１〜表２
に示される熱処理温度まで昇温し、１時間保持後、水中
に投入して急冷処理を行った。ついで缶から熱処理した
ホットプレス体を取り出し、これら熱処理したホットプ
レス体の組織観察をＳＥＭで行い、熱処理によるクラッ
ク発生の有無を観察し、その結果を表１〜表２に示し
た。
【００１１】さらに熱処理したホットプレス体の外周部
より放電加工によってＸ線回折用の試料を切り出し、こ
れら試料をＸ線回折してＳｉ（２２０）およびＷＳｉ2
（２００）の半値幅を測定し、その結果を表１〜表２に
示した。
より放電加工によってＸ線回折用の試料を切り出し、こ
れら試料をＸ線回折してＳｉ（２２０）およびＷＳｉ2
（２００）の半値幅を測定し、その結果を表１〜表２に
示した。
【００１２】一方、試料を切り出した残りのホットプレ
ス体を機械加工して直径：３２４ｍｍ、厚さ：６ｍｍの
寸法に仕上げ、本発明タングステンシリサイドスパッタ
リング用ターゲット（以下、本発明ターゲットという）
１〜１０および比較タングステンシリサイドスパッタリ
ング用ターゲット（以下、比較ターゲットという）１〜
８を作製し、これら本発明ターゲット１〜１０および比
較ターゲット１〜８の片面にイオンプレーティングで厚
さ：８μｍのＣｕ薄膜を形成し、直径：３２４ｍｍ、厚
さ：１０ｍｍの無酸素銅製冷却板にＩｎ−Ｓｎ共晶はん
だを用いてはんだ付けし、通常の高周波マグネトロンス
パッタ装置に取り付け、直径：６インチＳｉ基板の表面
に下記の条件でスパッタリングを行った。
ス体を機械加工して直径：３２４ｍｍ、厚さ：６ｍｍの
寸法に仕上げ、本発明タングステンシリサイドスパッタ
リング用ターゲット（以下、本発明ターゲットという）
１〜１０および比較タングステンシリサイドスパッタリ
ング用ターゲット（以下、比較ターゲットという）１〜
８を作製し、これら本発明ターゲット１〜１０および比
較ターゲット１〜８の片面にイオンプレーティングで厚
さ：８μｍのＣｕ薄膜を形成し、直径：３２４ｍｍ、厚
さ：１０ｍｍの無酸素銅製冷却板にＩｎ−Ｓｎ共晶はん
だを用いてはんだ付けし、通常の高周波マグネトロンス
パッタ装置に取り付け、直径：６インチＳｉ基板の表面
に下記の条件でスパッタリングを行った。
【００１３】スパッタリング条件 雰囲気ガス：Ａｒガス、 雰囲気圧力：１Ｐａ、 Ｓｉ基板表面温度：２００℃、 スパッタ出力：１ＫＷ、 ターゲットとＳｉ基板の距離：５ｃｍ、 スパッタ時間：１分、
【００１４】前記条件でスパッタリングを行い，Ｓｉ基
板表面に厚さ：２０００オングストロームのタングステ
ンシリサイド薄膜を形成した後、このタングステンシリ
サイド薄膜に付着した直径：０．５μｍ以上の大きさの
パーティクル数を数え、その結果を表１〜表２に示し
た。
板表面に厚さ：２０００オングストロームのタングステ
ンシリサイド薄膜を形成した後、このタングステンシリ
サイド薄膜に付着した直径：０．５μｍ以上の大きさの
パーティクル数を数え、その結果を表１〜表２に示し
た。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】
【発明の効果】表１〜表２に示される結果から、タング
ステンシリサイドのＸ線回折によるＳｉ（２２０）の半
値幅が０．２５０〜０．３００度でかつＷＳｉ2 （２０
０）の半値幅が０．１４５〜０．１８５度を有する本発
明ターゲット１〜１０は、これら範囲から外れた比較タ
ーゲット１〜８に比べて、パーティクル数が少なく、ま
た割れが生ずることがないことが分かる。したがって、
この発明のタングステンシリサイドスパッタリング用タ
ーゲットを用いると、パーティクル発生数の少ない優れ
たタングステンシリサイド薄膜を高速成膜することので
き、産業上優れた効果を奏するものである。
ステンシリサイドのＸ線回折によるＳｉ（２２０）の半
値幅が０．２５０〜０．３００度でかつＷＳｉ2 （２０
０）の半値幅が０．１４５〜０．１８５度を有する本発
明ターゲット１〜１０は、これら範囲から外れた比較タ
ーゲット１〜８に比べて、パーティクル数が少なく、ま
た割れが生ずることがないことが分かる。したがって、
この発明のタングステンシリサイドスパッタリング用タ
ーゲットを用いると、パーティクル発生数の少ない優れ
たタングステンシリサイド薄膜を高速成膜することので
き、産業上優れた効果を奏するものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｘ線回折によるＳｉ（２２０）の半値幅
が０．２５０〜０．３００度でかつＷＳｉ2 （２００）
の半値幅が０．１４５〜０．１８５度を有するタングス
テンシリサイド焼結体からなることを特徴とするタング
ステンシリサイドスパッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7297509A JPH09118978A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | タングステンシリサイドスパッタリング用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7297509A JPH09118978A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | タングステンシリサイドスパッタリング用ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09118978A true JPH09118978A (ja) | 1997-05-06 |
Family
ID=17847444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7297509A Withdrawn JPH09118978A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | タングステンシリサイドスパッタリング用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09118978A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002038261A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2002038260A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| CN112225565A (zh) * | 2020-10-14 | 2021-01-15 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钨硅靶坯的制备方法 |
| CN114293158A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-04-08 | 先导薄膜材料有限公司 | 一种钨硅合金靶材的制备方法 |
-
1995
- 1995-10-20 JP JP7297509A patent/JPH09118978A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002038261A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2002038260A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| CN112225565A (zh) * | 2020-10-14 | 2021-01-15 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钨硅靶坯的制备方法 |
| CN114293158A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-04-08 | 先导薄膜材料有限公司 | 一种钨硅合金靶材的制备方法 |
| CN114293158B (zh) * | 2021-12-13 | 2023-09-05 | 先导薄膜材料(安徽)有限公司 | 一种钨硅合金靶材的制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |