WO2005024091A1 - スパッタリング用ターゲット - Google Patents

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Ryo Suzuki
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Nikko Materials Co., Ltd.
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    • C23C14/548—Controlling the composition

Definitions

  • the present invention relates to a bright target for oxide-based sputtering, which has a high density and can suppress the generation of cracks and cracks in the target.
  • Ra! _ x A x B 0 3 - ff R a: rare earth element consisting of Y, S c and lanthanide, A: C a, M g, B a, S r, ⁇ : ⁇ , F e, N ⁇
  • a transition metal element represented by the following formula: is a transition metal element such as C, C, or C r), and is known as an oxide material having a low electric resistance. Attention has been paid to electrodes and electrode materials for semiconductor memories (see, for example, JP-A-1-200560).
  • this system has been known for a long time to exhibit a giant magnetoresistance effect (CMR) at low temperatures, and is expected to be applied to a magnetic sensor using this characteristic or to a recently announced RRAM (for example, refer to NIKKEI ELECTRONICS 2003.1.20, 98-105, "Principle change aiming at low cost with the appearance of spin injection and RRAM").
  • CMR giant magnetoresistance effect
  • the target is such a perovskite-type oxide-based ceramic material
  • the density is low and the strength is not sufficient, cracks and cracks may occur during the target manufacturing process, transport process, or sputtering operation.
  • yield is reduced.
  • the generation of particles increases during the film forming process, resulting in a decrease in quality and an increase in defective products. Therefore, improving the density of the ceramic material of the present invention has been a very important issue. Disclosure of the invention
  • the amount of substitution of the Ra site is specified, hot-press sintering is performed in an inert atmosphere, and then heat treatment is performed in air or an oxidizing atmosphere to obtain a relative density of 95% or more and an average grain size. It has been found that a sputtering target having a diameter of 100 m or less and a specific resistance of 100 ⁇ cm or less can be produced.
  • R ai - x A x B0 3 - u R a: Y, S c and run-evening rare earth elements consisting noisydo, A: C a, Mg, B a, S r, B: transition metal element such as Mn, Fe, Ni, Co, Cr, etc., which is a perovskite oxide represented by the chemical formula 0 ⁇ x ⁇ 0.5), and has a relative density of 95%
  • R a ⁇ x A x B ⁇ 3 _ a
  • R a rare earth element composed of Y, S c and lanthanide, A: C a, M g, B a, S r, B: Mn, F e, Transition metal elements such as N i, C o, C r, etc., and a perovskite oxide represented by the chemical formula Adjust the amount of X within the range of 0 and x ⁇ 0.5 using the high-purity oxide raw material.
  • each high-purity oxide raw material After mass-mixing each high-purity oxide raw material, it is calcined in the air at a temperature of 600 to 130 ° C. to obtain a powder of a crystal phase mainly composed of a perovskite structure (this powder It was pulverized with a wet ball mill, dried in air, in an inert gas atmosphere such as a r gas, at 8 0 0 ⁇ 1 5 0 0 ° C, 1 0 0 kg / cm 2 or more, 0.5 hours or more Hot press sintering.
  • a powder of a crystal phase mainly composed of a perovskite structure this powder It was pulverized with a wet ball mill, dried in air, in an inert gas atmosphere such as a r gas, at 8 0 0 ⁇ 1 5 0 0 ° C, 1 0 0 kg / cm 2 or more, 0.5 hours or more Hot press sintering.
  • the hot-pressed sintered body is heat-treated at 800 to 150 ° C. for about one hour in the air to obtain a sintered body target.
  • Such R at- obtained by the X A Berobusukai preparative oxide X B_ ⁇ 3 a is a purity 3 N (9 9. 9%) or more, the relative density of 95% or more dense Target Tsu DOO It becomes.
  • the target structure thus obtained had an average crystal grain size of 100 / m or less and a specific resistance of 10 ⁇ cm or less.
  • Example 1 is merely an example of the present invention, and the present invention is not limited to these embodiments. That is, the present invention includes other aspects and modifications included in the technical idea of the present invention.
  • Example 1 is merely an example of the present invention, and the present invention is not limited to these embodiments. That is, the present invention includes other aspects and modifications included in the technical idea of the present invention.
  • the powder was pulverized with a wet pole mill, dried in the air, and then subjected to hot press sintering at 1200 ° (300 kgZcm 2) for 2 hours in an Ar gas atmosphere.
  • a sintered body was obtained by heat treatment in the air for 2 hours at C. The density and crystal grain size of the obtained sintered body as a target material were measured.
  • a sintered body was prepared under the same conditions as in Example 1 except that Ra was La 2 (C ⁇ 3 ) 3 having a purity of 4N, and the same evaluation was performed.
  • the relative density of each of the obtained sintered bodies was 95% or more, and the average particle size was 100 / ⁇ m or less. Table 2 shows the results.
  • the amount of particles generated on the 8-inch wafer was 100 or less, and no cracks or cracks were found in the target after the sputtering evaluation.
  • Example 2 Except that the C e 0 2 purity 4 N in R a will produce a sintered body under the same conditions as in Example 1 was subjected to the same evaluation.
  • the relative density of each of the obtained sintered bodies was 95% or more, and the average particle size was 100 m or less.
  • the amount of particles generated on the 8-inch wafer was 100 or less, and no cracks or cracks were observed in the target after the sputtering evaluation.
  • Table 3 shows the results.
  • a sintered body was produced under the same conditions as in Example 1 except that Ra was 4 N PureOu and the same evaluation was performed.
  • the relative density of each of the obtained sintered bodies was 95% or more, and the average particle size was 100 m or less.
  • the amount of particles generated on the 8-inch wafer was 100 or less, and no cracks or cracks were found in the target after the sputtering evaluation.
  • Table 4 shows the results.
  • a sintered body was produced under the same conditions as in Example 1 except that Ra was changed to Nd 2 ⁇ 3 having a purity of 4 ⁇ , and the same evaluation was performed.
  • the relative density of each of the obtained sintered bodies was 95% or more, and the average particle size was 100 ⁇ m or less.
  • Example 2 Except that the S m 2 0 3 of purity 4 N to R a is to produce a sintered body under the same conditions as in Example 1 was subjected to the same evaluation.
  • the relative density of each of the obtained sintered bodies was 95% or more, and the average particle size was 100 m or less.
  • the amount of particles generated on the 8-inch wafer was 100 or less, and no cracks or cracks were observed in the target after the sputtering evaluation.
  • Table 6 shows the results.
  • Example 1 Except that the E u 2 0 3 of purity 4 N to R a is to produce a sintered body under the same conditions as in Example 1 was subjected to the same evaluation.
  • the relative density of each of the obtained sintered bodies was 95% or more, and the average particle size was 100 m or less.
  • the amount of particles generated on the 8-inch wafer was 100 or less, and no cracks or cracks were found in the target after the sputtering evaluation.
  • Table 7 shows the results.
  • Example 1 Except that the Dy 2 0 3 of purity of 4N to R a is to produce a sintered body under the same conditions as in Example 1 was subjected to the same evaluation.
  • the relative density of each of the obtained sintered bodies was 95% or more, and the average particle size was 100 m or less.
  • the amount of particles generated on the 8-inch wafer was 100 or less, and no cracks or cracks were observed in the target after the sputtering evaluation.
  • Table 9 shows the results.
  • the sintered body of R ao. GC ao ⁇ MnOs R a:! ⁇ , C e : Pr, Sm, Dy) produced in Examples 1 to 9 was processed into a target shape in order to evaluate sputtering characteristics, The film was formed by sputtering, and the amount of generated particles and the presence or absence of cracks after sputtering were examined.
  • Example 10 The results are shown in Example 10. As a result, for all targets, the amount of particles generated on the film formed on a 6-inch wafer was good, being 50 or less, and no cracks or cracks were found in the target after the sputtering test. . The results are shown in Table 10.
  • the sintered body of Rao.gSi ⁇ .iMnOgCRa-La.Nd, Eu, Gd) produced in Examples 1 to 9 was processed into a target shape in order to evaluate sputtering characteristics.
  • the film was formed by sputtering, and the amount of generated particles and the presence or absence of cracks after spattering were examined.
  • Table 11 shows the results. In all cases, the amount of particles generated on the film formed on the 6-inch wafer was good at 50 or less. Was. Table 11 shows the results. 2
  • a sintered body was prepared and evaluated under the same conditions as in Comparative Example 1, except that Ra was changed to La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, and Dy. In the case of 0 & ⁇ , the replacement amount of 3 1 "X was 0.7, all of the sintered bodies generated many cracks after the heat treatment, and the target processing could not be performed.
  • the specific resistance was 100 ⁇ cm or more, and many cracks and cracks occurred in the evening get after DC sputtering.
  • the number of particles was more than 100.
  • R a ⁇ x A x B 0 3 of the present invention - a (R a: Y, S c and lanthanoid de or Ranaru rare earth element, A: C a, Mg, B a, S r, B: Mn, F e , Ni, Co, Cr and other transition metal elements) are useful as oxide materials with low electric resistance, and are suitable for oxygen in solid oxide fuel cells. It can be used as electrode and electrode material for semiconductor memory. In addition, this system exhibits a giant magnetoresistance effect (CMR) at low temperatures, and can be used for magnetic sensors that take advantage of this characteristic, or for RRAM, which has recently attracted attention. As the above film forming material, the high-density sputtering target of the present invention is extremely important.

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Abstract

Ra1-xAxBO3-a(Ra:Y,Sc及びランタノイドからなる希土類元素、A:Ca,Mg,Ba,Sr、B:Mn,Fe,Ni,Co,Cr等の遷移金属元素、0<x≦0.5)の化学式で表されるペロブスカイト型酸化物であって、相対密度が95%以上、純度が3N以上であることを特徴とするスパッタリング用夕ーゲット。ペロブスカイト型酸化物系セラミックス材料からなるターゲットの密度を向上させ、強度を上げてターゲットの製造工程、搬送工程あるいはスパッタ操作中の割れやクラックの発生を防止し、歩留りを向上させる。また、成膜中のパーティクルの発生を抑制して、品質を向上させ不良品の発生を減少させることを課題とする。

Description

スパッタリング用ターゲット
技術分野
この発明は、 高密度であり、 ターゲッ トの割れやクラック発生を抑制 できる酸化物系スパッタリング用明ターゲットに関する。
細 背景技術
R a！ _x Ax B 03-ff (R a : Y, S c及びランタノイ ドからなる希 土類元素、 A : C a, M g , B a , S r、 Β : Μη, F e , N ί , C o， C r等の遷移金属元素） の化学式で表されるベロブスカイ ト型酸化物系セラミ ックス材料は、 電気抵抗の低い酸化物材料として知られており、 固体電解質 型燃料電池の酸素極電極や半導体メモリーの電極材料として注目されている (例えば、 特開平 1— 200 560参照） 。
また、 この系は古くから低温で巨大磁気抵抗効果 （CMR) を示すこ とも知られており， この特性を利用した磁気センサーへ、 あるいは近年発表 された RR AMへの応用も期待されている （例えば、 「スピン注入や RRA M登場低コスト目指し原理変更」 NIKKEI ELECTRONICS 2003.1.20, 98〜105参 照） 。
しかしながら， この系の薄膜をスパッタリング法で成膜するためのス パッタリング用夕ーゲッ卜には、 高密度の材料が存在しなかった。
このようなベロブスカイ ト型酸化物系セラミックス材料をターゲット とした場合、 密度が低く、 十分な強度を有しない場合には、 ターゲットの製 造工程、 搬送工程あるいはスパッ夕操作中に割れやクラックが発生し、 歩留 りの低下となる問題がある。 また、 成膜工程中にパ一ティクルの発生が増加し、 品質の低下や不良 品が増加するという問題がある。 したがって、 本セラミックス材料夕一ゲッ トの密度を向上させることが非常に大きな課題として存在していた。 発明の開示
この問題を解決するため、 R aサイ トの置換量を規定し、 不活性雰囲 気でホットプレス焼結した後、 大気あるいは酸化雰囲気中で熱処理すること により相対密度 9 5 %以上、 平均粒径 1 0 0 m以下、 かつ比抵抗が 1 0 Ω c m以下のスパッ夕リングターゲットを作製できることを見出した。
より具体的には、 （ 1) R a i— xAxB03— u (R a ： Y, S c及びラ ン夕ノィドからなる希土類元素、 A : C a, Mg, B a, S r、 B ： Mn, F e， N i , C o, C r等の遷移金属元素、 0<x≤ 0. 5) の化学式で表 されるベロブスカイト型酸化物であって、 相対密度が 9 5 %以上、 純度が 3 N以上であることを特徴とするスパッタリング用ターゲット （ αは < 3の範 囲の任意の数） 、 （2) 平均結晶粒径が 1 0 0 μπι以下であることを特徴と する上記 （ 1) のスパッタリング用ターゲッ ト、 （3) 比抵抗が 1 0 Ω cm 以下であることを特徴とする上記 （ 1 ) 又は （2) のスパッタリング用夕一 ゲット、 を提供するものである。 発明の効果
これによつて、 ターゲッ トの製造工程、 搬送工程あるいはスパッタ操 作中に割れやクラックが発生し、 歩留りの低下を著しく低減することが可能 となり、 またスパッタリング中のパーティクル発生が少なく、 品質の低下や 不良品の発生を抑制することができ、 成膜プロセスの歩留まり向上に大きく 貢献できることが分かった。 発明を実施するための最良の形態
R a ^ xAx B〇3_a (R a : Y, S c及びランタノィ ドからなる希 土類元素、 A : C a, M g, B a , S r、 B : Mn, F e , N i , C o, C r等の遷移金属元素、 ） の化学式で表されるベロブスカイ ト型酸化物を、 下 記の実施例に示すように、 目的とするターゲットを構成するそれぞれ 3 N以 上の高純度酸化物原料を用い、 0く x≤ 0. 5の範囲で Xの量を調整する。
各高純度酸化物原料を抨量 ·混合した後、 大気中 6 0 0〜 1 3 0 0 ° Cの範囲で仮焼を行い、 ぺロプスカイト構造が主となる結晶相の粉末を得る ( この粉末を湿式ボールミルで粉砕し、 大気中で乾燥後、 A rガス等の不活性 ガス雰囲気中、 8 0 0〜 1 5 0 0 ° C、 1 0 0 k g/ c m2以上で、 0. 5 時間以上ホッ トプレス焼結する。
更に、 このホッ トプレスした焼結体を 8 0 0〜 1 5 0 0 ° Cで、 1時 間程度大気中で熱処理して焼結体夕ーゲットを得る。
このようにして得た R a t— XAXB〇3 aのベロブスカイ ト型酸化物 は、 純度が 3 N ( 9 9. 9 % ) 以上で、 相対密度 9 5 %以上の高密度ターゲ ットとなる。 また、 このようにして得られたターゲッ トの組織は、 平均結晶 粒径が 1 0 0 / m以下となり、 比抵抗が 1 0 Ω c m以下を達成することが可 能となった。
次に、 実施例について説明する。 なお、 本実施例は発明の一例を示す ためのものであり、 本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。 す なわち、 本発明の技術思想に含まれる他の態様及び変形を含むものである。 実施例 1
純度 4Nの R aに Y 203、 Αに S r C〇3及び C a C03、 Mn02粉 末を原料として用いた。 Y — XC axMn〇 3— tt、 Y — x S r x M n〇 3 _ α (x = 0. 1、 0. 3、 0. 5) 組成となるように枰量 '混合した後、 大気 中 1000 ° Cで仮焼を行いべロブスカイト構造が主となる結晶相の粉末を 得た。
この粉末を湿式ポールミルで粉碎し、 大気中で乾燥後、 A rガス雰囲 気中 1200 ° (：、 300 k gZcm2で 2時間 ホッ トプレス焼結した。 更にホッ トプレス焼結体を 1 000 ° Cで 2時間、 大気中で熱処理して焼結 体を得た。 この得られたターゲット材となる焼結体の密度および結晶粒径を 測定した。 この結果を表 1に示す。
表 1 (Υ,— xAxMn03)
Figure imgf000005_0001
表 1に示すように、 相対密度はいずれも 98. 4%以下、 平均粒径 5 O ^m以下、 比抵抗 2 Ω cm以下となっており、 低抵抗かつ高密度の優れた 特性が得られていることが分かる。 後述するように、 このようなターゲット を用いてスパッ夕リングすると割れやクラックの発生がなく、 パーティクル 発生も著しく減少するという結果が得られた。 (比較例 1)
C a及び S r置換量 xを 0及び 0. 7とした以外は、 実施例 1と同様 の条件で Yi— XC axMn〇3— a、 Y !_x S r x M n O 3 tt組成の焼結体を作 製した。 x = 0では C a、 S rとも相対密度 95 %以上、 平均粒径 100 m以下の焼結体を得ることができたが、 焼結体の比抵抗は 1 00 Ω cm以上 で、 スパッタリング後、 ターゲットに多数のクラックが発生していた。 また、 膜上のパーティクル発生量も著しく高かった。
一方、 x= 0. 7の組成では、 ホッ トプレス焼結後の大気中熱処理に よつて焼結体表面に多数のクラックが発生しており、 機械加工で割れが生じ た。
実施例 2
R aに純度 4Nの L a2 (C〇3) 3とした以外は、 実施例 1と同条件 で焼結体を作製し、 同様の評価を行った。 得られた焼結体の相対密度はいず れも 95 %以上であり、 平均粒径は 1 00 /^m以下であった。 この結果を表 2に示す。
また、 成膜評価の結果、 8インチウェハ上のパーティクル発生量は 1 00ケ以下であり、 スパッタリング評価後のターゲットに割れ、 クラックの 発生は認められなかった。
表 2 (La,., Α,ΜηΟ,)
Figure imgf000007_0001
実施例 3
R aに純度 4 Nの C e 02とした以外は実施例 1 と同条件で焼結体を 作製し、 同様の評価を行った。 得られた焼結体の相対密度はいずれも 9 5 % 以上であり、 平均粒径は 1 0 0 m以下であった。
また、 成膜評価の結果、 8インチウェハ上のパーティクル発生量は 1 0 0ケ以下であり、 スパッタリング評価後のターゲッ トに割れ、 クラックの 発生は認められなかった。 この結果を表 3に示す。
表 3 (Ce,.x AxMn03) 相対密度 平均粒径 比抵抗
置換量 X
(%) ( im) ( Qcm)
0.1 98.8 30 5
Ca 0.3 97.4 34 8x 10一1
0.5 96.8 35 8 X 10-3
0.1 98.9 28 4
Sr 0.3 98 32 9 X 10一2
0.5 97.4 36 1 X 10—3 実施例 4
R aに純度 4 Nの P r eOuとした以外は、 実施例 1と同条件で焼結 体を作製し、 同様の評価を行った。 得られた焼結体の相対密度はいずれも 9 5 %以上であり、 平均粒径は 1 0 0 m以下であった。
また、 成膜評価の結果、 8インチウェハ上のパーティクル発生量は 1 0 0ケ以下であり、 スパッタリング評価後のターゲットに割れ、 クラックの 発生は認められなかった。 この結果を表 4に示す。
表 4 (Pr,.xAxM½)
Figure imgf000008_0001
実施例 5
R aに純度 4Νの Nd 2〇3とした以外は、 実施例 1と同条件で焼結体 を作製し、 同様の評価を行った。 得られた焼結体の相対密度はいずれも 9 5 %以上であり、 平均粒径は 1 0 0 ^m以下であった。
また、 成膜評価の結果、 8インチウェハ上のパーティクル発生量は 1 0 0ケ以下であり、 スパッタリング評価後のターゲットに割れ、 クラックの 発生は認められなかった。 この結果を表 5に示す。 W
8 表 5 (Nd ,-人 ΜηΟ,)
Figure imgf000009_0002
実施例 6
R aに純度 4 Nの S m 2 0 3とした以外は、 実施例 1 と同条件で焼結体 を作製し、 同様の評価を行った。 得られた焼結体の相対密度はいずれも 9 5 %以上であり、 平均粒径は 1 0 0 m以下であった。
また、 成膜評価の結果、 8インチウェハ上のパーティクル発生量は 1 0 0ケ以下であり、 スパッタリング評価後のターゲッ トに割れ、 クラックの 発生は認められなかった。 この結果を表 6に示す。
表 6 ( Sni,.xAxMnOj
Figure imgf000009_0001
実施例 7
R aに純度 4 Nの E u 2 0 3とした以外は、 実施例 1と同条件で焼結体 を作製し、 同様の評価を行った。 得られた焼結体の相対密度はいずれも 9 5 %以上であり、 平均粒径は 1 0 0 m以下であった。
また、 成膜評価の結果、 8インチウェハ上のパーティクル発生量は 1 0 0ケ以下であり、 スパッタリング評価後のターゲットに割れ、 クラックの 発生は認められなかった。 この結果を表 7に示す。
表 7 (Eu,.x AxMn03)
Figure imgf000010_0001
実施例 8
R aに純度 4 Nの G d 2〇3とした以外は、 実施例 1と同条件で焼結体 を作製し、 同様の評価を行った。 得られた焼結体の相対密度はいずれも 9 5 %以上であり、 平均粒径は 1 0 0 i m以下であった。
また、 成膜評価の結果、 8インチウェハ上のパーティクル発生量は 1 0 0ケ以下であり、 スパッタリング評価後のターゲッ トに割れ、 クラックの 発生は認められなかった。 この結果を表 8に示す。 表 8 (Gd,.v AxMn03)
Figure imgf000011_0001
実施例 9
R aに純度 4Nの Dy 203とした以外は、 実施例 1と同条件で焼結体 を作製し、 同様の評価を行った。 得られた焼結体の相対密度はいずれも 9 5 %以上であり、 平均粒径は 1 0 0 m以下であった。
また、 成膜評価の結果、 8インチウェハ上のパーティクル発生量は 1 0 0ケ以下であり、 スパッタリング評価後のターゲッ トに割れ、 クラックの 発生は認められなかった。 この結果を表 9に示す。
表 9 (Dy,.x AxMn03) 相対密度 平均粒径 比抵抗
置換量 X
(%) ( U ) ( Qcm)
0.1 99.6 44 8
Ca 0.3 99.1 36 8x10
0.5 99 30 1 x10
0.1 99.7 39 5
Sr 0.3 99.5 37 6x 10-2
0.5 98.8 30 4 X 10—3 実施例 1 0
実施例 1〜 9で作製した R ao. gC ao^MnOs R a : !^, C e: P r， Sm, Dy) の焼結体をスパッタリング特性を評価するためターゲッ ト形状に加工し、 D Cスパッ夕リングで成膜してパーティクル発生量および スパッタリング後の割れの有無を調べた。
この結果を実施例 10に示す。 その結果、 いずれのターゲットも 6ィ ンチウェハに成膜した膜上のパーティクル発生量は 50ケ以下と良好な結果 であり、 またスパッタリング試験終了後のターゲットに割れ、 クラックの発 生は認められなかった。 この結果を表 1 0に示す。
表 10
Figure imgf000012_0001
実施例 1 1
実施例 1〜 9で作製した R ao. gS i^. iMnOg CR a - L a. N d， Eu, G d) の焼結体を、 スパッタリング特性を評価するためターゲッ ト形状に加工し、 DCスパッタリングで成膜してパーティクル発生量および スパッ夕リング後の割れの有無を調べた。
その結果を表 1 1に示す。 いずれの夕ーゲッ トも 6ィンチウェハに成 膜した膜上のパーティクル発生量は 50ケ以下と良好な結果であり、 またス パッタリング試験終了後のターゲッ 卜に割れ、 クラックの発生は認められな かった。 この結果を表 1 1に示す。 2
Figure imgf000013_0001
(比較例 2)
R aを L a, C e， P r， N d , Sm， E u , G d , D yとした以外 は、 比較例 1と同条件で焼結体を作製し評価を行った。 0 &ぁるぃは3 1"置 換量 Xが 0. 7の場合、 いずれの焼結体も熱処理後に多数のクラックが発生 し、 ターゲッ ト加工ができなかった。
また、 x= l . 0では、 比抵抗が 1 0 0 Ω c m以上となり、 D Cスパ ッ夕リング後、 夕一ゲットに多数のクラックおよび割れが生じていた。 また， パーティクル数も 1 0 0ケ以上であった。
以上から、 本発明の 0 <x≤ 0. 5の条件は極めて重要であることが 分かる。 産業上の利用可能性
本発明の R a ^ xAxB 03— a (R a : Y， S c及びランタノイ ドか らなる希土類元素、 A : C a, Mg， B a, S r、 B : Mn, F e, N i , C o， C r等の遷移金属元素） の化学式で表されるベロブスカイ ト型酸化物 系セラミックス材料は、 電気抵抗の低い酸化物材料として有用であり、 固体 電解質型燃料電池の酸素極電極や半導体メモリーの電極材料として利用でき る。 また、 この系は低温で巨大磁気抵抗効果 （CMR) を示し、 この特性 を利用した磁気センサ一へ、 あるいは近年注目を集めている R RAMへの利 用も可能である。 以上の成膜材料として、 本発明の高密度のスパッタリング 用夕ーゲットは極めて重要である。

Claims

請 求 の 範 囲
1. R aい xAxB03— a (R a : Y, S c及びランタノイ ドからなる希 土類元素、 A : C a， M g, B a , S r、 B : Mn, F e , N i , Co， C r等の遷移金属元素、 0く χ^Ο. 5) の化学式で表されるベロブスカイ ト 型酸化物であって、 相対密度が 95%以上、 純度が 3N以上であることを特 徴とするスパッタリング用夕一ゲット。
2. 平均結晶粒径が 1 00 以下であることを特徴とする請求の範囲第 1項記載のスパッタリング用ターゲッ 卜。
3. 比抵抗が 1 0 Ω c m以下であることを特徴とする請求の範囲第 1項又 は第 2項記載のスパッタリング用夕一ゲッ 卜。
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