JPH09260139A - 磁気抵抗効果型素子とその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型素子とその製造方法Info
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- JPH09260139A JPH09260139A JP8094660A JP9466096A JPH09260139A JP H09260139 A JPH09260139 A JP H09260139A JP 8094660 A JP8094660 A JP 8094660A JP 9466096 A JP9466096 A JP 9466096A JP H09260139 A JPH09260139 A JP H09260139A
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- thin film
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/40—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials of magnetic semiconductor materials, e.g. CdCr2S4
- H01F1/401—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials of magnetic semiconductor materials, e.g. CdCr2S4 diluted
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気媒体より信号を読みとる磁気センサに
用いる磁気抵抗効果型素子を提供する。 【解決手段】 ＬａとＭｎと酸素を主たる元素としたペ
ロブスカイト構造Ｌａ1-xＡxＭｎＯ3（Ａ：Ｋ，Ｒｂ，
Ｃｓ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂの元素のうち少なくとも
一種の元素、０．０５≦ｘ＜０．５、２．７≦ｚ≦３．
１５）をもつ酸化物で、Ｍｎ／（Ｌａ＋Ａ）＜１である
もので、例えば下記一般式で示される。 一般式：Ｌａ1-xＡxＭｎyＯz （ただし、０．７≦ｙ＜１．０、Ａ，ｘ，ｚは上記と同
じ） 又、上記酸化物が得られる組成のターゲットを用い、
０．１〜２Ｔｏｒｒの酸化性雰囲気下で蒸着法により薄
膜を形成し、ついで該薄膜を５００〜１０００℃で熱処
理する製造法である。
用いる磁気抵抗効果型素子を提供する。 【解決手段】 ＬａとＭｎと酸素を主たる元素としたペ
ロブスカイト構造Ｌａ1-xＡxＭｎＯ3（Ａ：Ｋ，Ｒｂ，
Ｃｓ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂの元素のうち少なくとも
一種の元素、０．０５≦ｘ＜０．５、２．７≦ｚ≦３．
１５）をもつ酸化物で、Ｍｎ／（Ｌａ＋Ａ）＜１である
もので、例えば下記一般式で示される。 一般式：Ｌａ1-xＡxＭｎyＯz （ただし、０．７≦ｙ＜１．０、Ａ，ｘ，ｚは上記と同
じ） 又、上記酸化物が得られる組成のターゲットを用い、
０．１〜２Ｔｏｒｒの酸化性雰囲気下で蒸着法により薄
膜を形成し、ついで該薄膜を５００〜１０００℃で熱処
理する製造法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気媒体より信号
を読みとる磁気センサに用いる磁気抵抗効果型素子およ
びその製造方法に関する。
を読みとる磁気センサに用いる磁気抵抗効果型素子およ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果型素
子は、高感度で、比較的大きな出力が得られるため、磁
気センサー、磁気ヘッドとして広く利用されている。こ
のような磁気センサ、磁気ヘッドにおいては、感度を高
めるためおよび線形応答に近づけるためにバイアスとし
て直流磁界を印加している。従来、磁気抵抗効果型素子
には２％程度の磁気抵抗変化率を示し、膜の磁化のし易
さの目安となる異方性磁界が５Ｏｅ程度と小さく、バイ
アスがかかり易いパーマロイ合金薄膜が広く用いられて
いる。又、磁気抵抗の変化を大きくする方法として、非
磁性体／強磁性体の人工格子膜（多層膜、積層膜）が報
告されているが、抵抗変化が１００％程度と小さく、増
幅の信号処理が必要となるため高価で複雑なシステムが
必要となる問題を有する。
子は、高感度で、比較的大きな出力が得られるため、磁
気センサー、磁気ヘッドとして広く利用されている。こ
のような磁気センサ、磁気ヘッドにおいては、感度を高
めるためおよび線形応答に近づけるためにバイアスとし
て直流磁界を印加している。従来、磁気抵抗効果型素子
には２％程度の磁気抵抗変化率を示し、膜の磁化のし易
さの目安となる異方性磁界が５Ｏｅ程度と小さく、バイ
アスがかかり易いパーマロイ合金薄膜が広く用いられて
いる。又、磁気抵抗の変化を大きくする方法として、非
磁性体／強磁性体の人工格子膜（多層膜、積層膜）が報
告されているが、抵抗変化が１００％程度と小さく、増
幅の信号処理が必要となるため高価で複雑なシステムが
必要となる問題を有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、電
気抵抗の変化率が大きく、その作製が容易に行えると共
に、信号処理が簡単となる磁気抵抗効果型素子及びその
製造方法を提供するものである。
気抵抗の変化率が大きく、その作製が容易に行えると共
に、信号処理が簡単となる磁気抵抗効果型素子及びその
製造方法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１発明は、Ｌ
ａとＭｎと酸素を主たる元素としたペロブスカイト構造
Ｌａ1-xＡxＭｎＯz（Ａ：Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａ，Ｐｂの元素のうち少なくとも一種の元素、
０．０５≦ｘ＜０．５、２．７≦ｚ≦３．１５）をもつ
酸化物で、Ｍｎと（Ｌａ＋Ａ）の組成比がＭｎ／（Ｌａ
＋Ａ）＜１であることを特徴とする磁気抵抗効果型素子
である。
ａとＭｎと酸素を主たる元素としたペロブスカイト構造
Ｌａ1-xＡxＭｎＯz（Ａ：Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａ，Ｐｂの元素のうち少なくとも一種の元素、
０．０５≦ｘ＜０．５、２．７≦ｚ≦３．１５）をもつ
酸化物で、Ｍｎと（Ｌａ＋Ａ）の組成比がＭｎ／（Ｌａ
＋Ａ）＜１であることを特徴とする磁気抵抗効果型素子
である。
【０００５】上記化合物は下記一般式に示すものであ
る。 一般式：Ｌａ1-xＡxＭｎyＯz （ただし、０．７≦ｙ＜１．０）
る。 一般式：Ｌａ1-xＡxＭｎyＯz （ただし、０．７≦ｙ＜１．０）
【０００６】Ｍｎの欠損のないＬａ1-xＡxＭｎＯ3でも
同様に磁気抵抗効果は得られることは公知の事実である
が、Ｍｎの欠損により更に大きな磁気抵抗効果が得られ
る。ここでＭｎの欠損とは、Ｍｎサイトの空隙だけでな
く、他の遷移金属との置換も含まれる。さらに酸素の欠
損も、磁気抵抗効果を大きくする。
同様に磁気抵抗効果は得られることは公知の事実である
が、Ｍｎの欠損により更に大きな磁気抵抗効果が得られ
る。ここでＭｎの欠損とは、Ｍｎサイトの空隙だけでな
く、他の遷移金属との置換も含まれる。さらに酸素の欠
損も、磁気抵抗効果を大きくする。
【０００７】ここで、磁気抵抗効果の点から、結晶のサ
イズは１０ｎｍ〜１００μｍであることが好ましく、１
０ｎｍ未満の結晶サイズでは結晶粒界の電気抵抗が無視
できなくなり、１００μｍを超えると基板の熱膨脹、た
わみの影響を受けやすく、安定した磁気抵抗効果が得ら
れにくい。
イズは１０ｎｍ〜１００μｍであることが好ましく、１
０ｎｍ未満の結晶サイズでは結晶粒界の電気抵抗が無視
できなくなり、１００μｍを超えると基板の熱膨脹、た
わみの影響を受けやすく、安定した磁気抵抗効果が得ら
れにくい。
【０００８】ここでＭｎ欠損型ペロブスカイト化合物
は、Ｍｎの価数が磁気抵抗効果化合物の中で＋３価と＋
４価の２つの価数をとり得る元素で、このときＭｎ元素
における＋４価の比率と、磁気転移（磁気的に規則←→
磁気的に不規則）により、高い磁気抵抗効果を生じさせ
る点から下記（１）、（２）に示される組成のものが望
ましい。
は、Ｍｎの価数が磁気抵抗効果化合物の中で＋３価と＋
４価の２つの価数をとり得る元素で、このときＭｎ元素
における＋４価の比率と、磁気転移（磁気的に規則←→
磁気的に不規則）により、高い磁気抵抗効果を生じさせ
る点から下記（１）、（２）に示される組成のものが望
ましい。
【０００９】（１）一般式：Ｌａ1-xＡxＭｎyＯz（ただ
し、ＡはＫ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂの元
素のうち少なくとも一種の元素、０．０５≦ｘ＜０．
５、０．７≦ｙ＜１．０、２．７≦ｚ≦３．１５） （２）上記一般式におけるＭｎサイトの０．３以下を各
遷移元素（ＴＭ：Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，
Ｃｕ，Ｚｎの少なくとも１種の元素）で置換してなる組
成。なお、上記割合は原子量比（原子割合）である。
し、ＡはＫ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂの元
素のうち少なくとも一種の元素、０．０５≦ｘ＜０．
５、０．７≦ｙ＜１．０、２．７≦ｚ≦３．１５） （２）上記一般式におけるＭｎサイトの０．３以下を各
遷移元素（ＴＭ：Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，
Ｃｕ，Ｚｎの少なくとも１種の元素）で置換してなる組
成。なお、上記割合は原子量比（原子割合）である。
【００１０】上記（１）の一般式におけるｘの値が０．
０５未満であると、磁気転移温度が液体窒素以下で磁気
抵抗効果が得られ難く、また、ｘの値が０．５以上でも
磁気転移温度が低く、電気抵抗も高くなるため磁気抵抗
効果が小さい。より好ましい値は、ｘの値が０．１〜
０．４の範囲がよい。又、上記（１）、（２）のｙは１
以上であれば磁気抵抗効果は小さく、０．７未満ではＭ
ｎ間の酸素を介した相互作用が少なくなるため磁気抵抗
効果は小さくなる。より好ましい値はｙの値が０．７５
以上０．０２以下の範囲がよい。
０５未満であると、磁気転移温度が液体窒素以下で磁気
抵抗効果が得られ難く、また、ｘの値が０．５以上でも
磁気転移温度が低く、電気抵抗も高くなるため磁気抵抗
効果が小さい。より好ましい値は、ｘの値が０．１〜
０．４の範囲がよい。又、上記（１）、（２）のｙは１
以上であれば磁気抵抗効果は小さく、０．７未満ではＭ
ｎ間の酸素を介した相互作用が少なくなるため磁気抵抗
効果は小さくなる。より好ましい値はｙの値が０．７５
以上０．０２以下の範囲がよい。
【００１１】本発明において、上記酸化物のペロブスカ
イト構造および歪を受けたペロブスカイト構造の格子定
数が平衡状態の格子定数よりも０．２％から２．５％以
上大きいことがよい。すなわち、平衡状態（大気中１２
００℃で熱処理したもの）では磁気抵抗効果は得られる
が、その大きさは数百％に止まり、上記格子定数をもっ
た非平衡状態ではより高い磁気抵抗効果が得られる。
イト構造および歪を受けたペロブスカイト構造の格子定
数が平衡状態の格子定数よりも０．２％から２．５％以
上大きいことがよい。すなわち、平衡状態（大気中１２
００℃で熱処理したもの）では磁気抵抗効果は得られる
が、その大きさは数百％に止まり、上記格子定数をもっ
た非平衡状態ではより高い磁気抵抗効果が得られる。
【００１２】本発明におけるＡ元素は価数が＋１価およ
び＋２価の元素である必要がある。これは＋３価のＬａ
に対し、＋１価もしくは＋２価の元素を置換することで
一部のＭｎの価数を＋３価から＋４価に変えることで、
磁気抵抗効果を生じさせることができるためである。
び＋２価の元素である必要がある。これは＋３価のＬａ
に対し、＋１価もしくは＋２価の元素を置換することで
一部のＭｎの価数を＋３価から＋４価に変えることで、
磁気抵抗効果を生じさせることができるためである。
【００１３】本発明は又、前記一般式の酸化物が得られ
るように、Ｌａ、Ａ、Ｍｎを主として含む所定割合のタ
ーゲットあるいはさらに遷移元素を含むターゲットを用
い、０．１〜２Ｔｏｒｒの酸化性雰囲気下で蒸着法によ
り薄膜を形成し、ついで該薄膜を５００〜１０００℃で
熱処理することを特徴とする磁気抵抗効果型素子の製造
方法である。
るように、Ｌａ、Ａ、Ｍｎを主として含む所定割合のタ
ーゲットあるいはさらに遷移元素を含むターゲットを用
い、０．１〜２Ｔｏｒｒの酸化性雰囲気下で蒸着法によ
り薄膜を形成し、ついで該薄膜を５００〜１０００℃で
熱処理することを特徴とする磁気抵抗効果型素子の製造
方法である。
【００１４】ペロブスカイト化合物を作製する手段とし
ては、焼結法、溶融法、蒸着法などの手段があるが、酸
化性雰囲気で酸素濃度を制御可能な蒸着法特にスパッタ
法、レーザー蒸着法で柱状晶の上記磁気抵抗効果型素子
薄膜を容易に作製できる。本発明はこれらの蒸着法を用
いて薄膜を作製することにより、次工程である熱処理
で、薄膜内の歪みを低減、結晶性を高めると共に、酸素
の組成比を制御することができる。
ては、焼結法、溶融法、蒸着法などの手段があるが、酸
化性雰囲気で酸素濃度を制御可能な蒸着法特にスパッタ
法、レーザー蒸着法で柱状晶の上記磁気抵抗効果型素子
薄膜を容易に作製できる。本発明はこれらの蒸着法を用
いて薄膜を作製することにより、次工程である熱処理
で、薄膜内の歪みを低減、結晶性を高めると共に、酸素
の組成比を制御することができる。
【００１５】蒸着においては、酸化性雰囲気を０．１〜
２Ｔｏｒｒとすることにより、柱状晶となり、次工程で
の熱処理における熱膨脹、たわみを避けることができ
る。また、基板を単結晶とすることにより柱状晶ではあ
るが、膜全体としては結晶方位の揃った高品質の薄膜と
なる。さらに次工程で５００℃〜１０００℃の熱処理を
することにより、結晶性の改善がなされ、酸素量も最適
化される。ここで５００℃未満では構造緩和の改善、酸
素の制御が困難で、１０００℃を超えると拡散を生じて
Ｍｎの有効な欠損が得られなくなり、本発明の目的であ
る大きな磁気抵抗効果が得られない。
２Ｔｏｒｒとすることにより、柱状晶となり、次工程で
の熱処理における熱膨脹、たわみを避けることができ
る。また、基板を単結晶とすることにより柱状晶ではあ
るが、膜全体としては結晶方位の揃った高品質の薄膜と
なる。さらに次工程で５００℃〜１０００℃の熱処理を
することにより、結晶性の改善がなされ、酸素量も最適
化される。ここで５００℃未満では構造緩和の改善、酸
素の制御が困難で、１０００℃を超えると拡散を生じて
Ｍｎの有効な欠損が得られなくなり、本発明の目的であ
る大きな磁気抵抗効果が得られない。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に実施例によって本発明をさら
に詳細に説明する。表１に示す組成（原子比）の焼結体
もしくはＬａ、Ａ、Ｍｎ、ＴＭの元素を含む酸化物（Ｌ
ａ2Ｏ3，ＭｎＯ2，Ｆｅ3Ｏ4，ＴｉＯ2）、炭酸化物（Ｃ
ａＣＯ3，ＳｒＣＯ3，ＢａＣＯ3，Ｋ2ＣＯ3）を厚さ５
ｍｍ直径２０ｍｍペレットに成形して蒸発源として用い
た。
に詳細に説明する。表１に示す組成（原子比）の焼結体
もしくはＬａ、Ａ、Ｍｎ、ＴＭの元素を含む酸化物（Ｌ
ａ2Ｏ3，ＭｎＯ2，Ｆｅ3Ｏ4，ＴｉＯ2）、炭酸化物（Ｃ
ａＣＯ3，ＳｒＣＯ3，ＢａＣＯ3，Ｋ2ＣＯ3）を厚さ５
ｍｍ直径２０ｍｍペレットに成形して蒸発源として用い
た。
【００１７】◇
【表１】
【００１８】薄膜は図１に示すようなレーザーアブレー
ション法により作製した。成膜条件は酸素ガス圧を１０
-7Ｔｏｒｒから１Ｔｏｒｒの範囲で、レーザー密度は約
１Ｊ／ｃｍ2とした。基板は単結晶ＬａＡｌＯ3の（１０
０）面、および単結晶ＭｇＯ（１００）面、単結晶Ｓｉ
（１００）面を用い、基板温度は６５０℃、７００℃、
７５０℃、８００℃とした。成膜終了後、基板温度を速
やかに下げたのち、大気中および大気圧の酸素中で熱処
理を９００℃で約１時間行った。
ション法により作製した。成膜条件は酸素ガス圧を１０
-7Ｔｏｒｒから１Ｔｏｒｒの範囲で、レーザー密度は約
１Ｊ／ｃｍ2とした。基板は単結晶ＬａＡｌＯ3の（１０
０）面、および単結晶ＭｇＯ（１００）面、単結晶Ｓｉ
（１００）面を用い、基板温度は６５０℃、７００℃、
７５０℃、８００℃とした。成膜終了後、基板温度を速
やかに下げたのち、大気中および大気圧の酸素中で熱処
理を９００℃で約１時間行った。
【００１９】成膜したそれぞれの薄膜をＸ線回折法によ
って構造分析を行い、抵抗は４端子法により３０Ｋから
室温まで行った。印加磁場は５．５Ｔまで調べた。磁気
抵抗効果のガス圧依存性を図２に示す。ここで用いてい
る磁気抵抗比（ＭＲ比）を以下に定義する。 ＭＲ比＝（ρ０−ρＨ）／ρＨ（×１００％） ρ０：磁界ゼロの電気抵抗率、ρＨ：磁界Ｈの電気抵抗
率
って構造分析を行い、抵抗は４端子法により３０Ｋから
室温まで行った。印加磁場は５．５Ｔまで調べた。磁気
抵抗効果のガス圧依存性を図２に示す。ここで用いてい
る磁気抵抗比（ＭＲ比）を以下に定義する。 ＭＲ比＝（ρ０−ρＨ）／ρＨ（×１００％） ρ０：磁界ゼロの電気抵抗率、ρＨ：磁界Ｈの電気抵抗
率
【００２０】これらの各基板温度で１００％以上の磁気
抵抗効果が得られ、酸素ガス圧が変化する。９００℃で
１時間という熱処理条件では７５０℃の基板温度で７０
０ｍＴｏｒｒの成膜条件が最も磁気抵抗効果が大きくな
り、電気抵抗が磁界により４万分の１にまで低下した。
図３に示すように、作成した薄膜の格子定数と磁気抵抗
効果との間の明確な相関が認められ、格子定数が平衡状
態よりも０．２％〜２．５％大きい薄膜で磁気抵抗効果
が高い。ここで横軸は各薄膜を１２００℃で熱処理した
ときの格子定数を１と規格化して表現している。さらに
結晶構造は酸素ガス圧が高いにもかかわらず、ペロブス
カイト構造で、図４に示すようにエピタキシャル成長し
ており、結晶性が非常に高いことがわかる。さらに組織
は図５のような柱状晶を呈していることから、基板と膜
の熱膨張の差を吸収し、割れを防ぐため、再現性の高い
磁気抵抗効果を示す。
抵抗効果が得られ、酸素ガス圧が変化する。９００℃で
１時間という熱処理条件では７５０℃の基板温度で７０
０ｍＴｏｒｒの成膜条件が最も磁気抵抗効果が大きくな
り、電気抵抗が磁界により４万分の１にまで低下した。
図３に示すように、作成した薄膜の格子定数と磁気抵抗
効果との間の明確な相関が認められ、格子定数が平衡状
態よりも０．２％〜２．５％大きい薄膜で磁気抵抗効果
が高い。ここで横軸は各薄膜を１２００℃で熱処理した
ときの格子定数を１と規格化して表現している。さらに
結晶構造は酸素ガス圧が高いにもかかわらず、ペロブス
カイト構造で、図４に示すようにエピタキシャル成長し
ており、結晶性が非常に高いことがわかる。さらに組織
は図５のような柱状晶を呈していることから、基板と膜
の熱膨張の差を吸収し、割れを防ぐため、再現性の高い
磁気抵抗効果を示す。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、絶縁体から導電体もし
くはそれに近い電気抵抗の変化を示すために、磁気電気
変換素子として増幅が必要のない簡単な構成となる。こ
れにより低コストのセンサーシステムまたはデバイスを
提供できる。又、本発明の製造方法によれば、機械的に
変形が可能であり、複雑な部位および変形する部位にも
用いることができる。
くはそれに近い電気抵抗の変化を示すために、磁気電気
変換素子として増幅が必要のない簡単な構成となる。こ
れにより低コストのセンサーシステムまたはデバイスを
提供できる。又、本発明の製造方法によれば、機械的に
変形が可能であり、複雑な部位および変形する部位にも
用いることができる。
【図１】薄膜製造の説明図である。
【図２】磁気抵抗効果のガス圧依存性を示すグラフであ
る。
る。
【図３】格子定数と磁気抵抗効果の関係を示すグラフで
ある。
ある。
【図４】実施例の結晶構造を示す電子顕微鏡写真であ
る。
る。
【図５】実施例の結晶構造を示す電子顕微鏡写真であ
る。
る。
Claims (5)
- 【請求項１】 ＬａとＭｎと酸素を主たる元素としたペ
ロブスカイト構造Ｌａ1-xＡxＭｎＯz（Ａ：Ｋ，Ｒｂ，
Ｃｓ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂの元素のうち少なくとも
一種の元素、０．０５≦ｘ＜０．５、２．７≦ｚ≦３．
１５）をもつ酸化物で、Ｍｎと（Ｌａ＋Ａ）の組成比が
Ｍｎ／（Ｌａ＋Ａ）＜１であることを特徴とする磁気抵
抗効果型素子。 - 【請求項２】 化合物が下記一般式で示される組成をも
つ請求項１記載の磁気抵抗効果型素子。 一般式：Ｌａ1-xＡxＭｎyＯz （ただし、０．７≦ｙ≦１．０） - 【請求項３】 上記一般式におけるＭｎサイトの０．３
以下をＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ
のうち少なくとも１種からなる遷移金属元素で置換して
なる請求項１又は２記載の磁気抵抗効果型素子。 - 【請求項４】 請求項１ないし３記載の一般式でペロブ
スカイト構造を持つ化合物の格子定数が大気中１２００
℃で熱処理した平衡状態の薄膜の格子定数よりも０．２
％から２．５％大きいことを特徴とする請求項１ないし
３のいずれかに記載の磁気抵抗効果型素子。 - 【請求項５】 一般式：Ｌａ1-xＡxＭｎyＯz （ただし、ＡはＫ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｐ
ｂの元素のうち少なくとも一種の元素、０．１≦ｘ＜
０．４、０．７＜ｙ＜１．０、２．７≦ｚ≦３．１５）
の酸化物が得られるように、Ｌａ、Ａ、Ｍｎを主として
含む所定割合のターゲットあるいはさらに遷移元素を含
むターゲットを用い、０．１〜２Ｔｏｒｒの酸化性雰囲
気下で蒸着法により薄膜を形成し、ついで該薄膜を５０
０〜１０００℃で熱処理することを特徴とする磁気抵抗
効果型素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8094660A JPH09260139A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 磁気抵抗効果型素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8094660A JPH09260139A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 磁気抵抗効果型素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260139A true JPH09260139A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=14116416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8094660A Pending JPH09260139A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 磁気抵抗効果型素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260139A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005024091A1 (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-17 | Nikko Materials Co., Ltd. | スパッタリング用ターゲット |
-
1996
- 1996-03-26 JP JP8094660A patent/JPH09260139A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005024091A1 (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-17 | Nikko Materials Co., Ltd. | スパッタリング用ターゲット |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040108 |