JP2004068073A - 導電性酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット及びこれらの製造方法 - Google Patents
導電性酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット及びこれらの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004068073A JP2004068073A JP2002228165A JP2002228165A JP2004068073A JP 2004068073 A JP2004068073 A JP 2004068073A JP 2002228165 A JP2002228165 A JP 2002228165A JP 2002228165 A JP2002228165 A JP 2002228165A JP 2004068073 A JP2004068073 A JP 2004068073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- oxide sintered
- conductive oxide
- srruo
- sputtering target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 24
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910016062 BaRuO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020684 PbZr Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011268 mixed slurry Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/486—Fine ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/486—Fine ceramics
- C04B35/488—Composites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3227—Lanthanum oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3229—Cerium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9607—Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
【解決手段】相対密度が93%以上であることを特徴とするSrRuO3系導電性酸化物焼結体。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、DRAM、FRAM等の誘電体薄膜メモリーの電極に好適な導電性酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット及びこれらの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、DRAM、FRAM等の誘電体薄膜メモリーの電極としてPt電極が使用されてきたが、Pt電極の触媒作用により強誘電体薄膜が水素劣化することが指摘され、このPt電極に替わるものとして、いくつかの導電性酸化物が提案された。 このような導電性酸化物としては、SrRuO3、SrIrO3、CaRuO3、BaRuO3、Sr2RuO4、Sr2IrO4などがある。
一方、誘電体材料としてはPTZ(PbZrxTi1−xO3)あるいはBST(BaSrTi3)が使用されているが、上記導電性酸化物はこれらに対して材質上の適合性があり、しかもバルク抵抗が低いので極めて有望視されている。
【0003】
しかし、上記に挙げた導電性酸化物は、いずれも焼結性が悪いために焼結密度が著しく低いという問題がある。このような低密度の焼結体から得られたスパッタリングターゲットは、該ターゲット中の気孔形態が開気孔となっているため、ターゲット加工時に切削粉等が残り、電極用の薄膜を形成する際のスパッタリング時にパーティクル発生を著しく増加させる問題がある。
また、焼結密度の低いターゲットは、製造工程や操作時さらにはスパッタリング時に割れや欠けが発生し易く、歩留りが低下し、またスパッタリング時にスパッタパワーを上げることができないので、量産コストが低下するという欠点がある。
【0004】
このようなことから、焼結密度を上げるために焼結助剤を添加する提案がなされた。例えば特開2000−247739文献にはBi2O3を0.001mol〜0.5mol添加し相対密度を85%〜90%にまで上げる試みがなされている。
しかし、同文献において相対密度を向上させても、最大90%以下であって、満足できるターゲット密度の向上が得られているとは言えない。
したがって、依然として薄膜を形成する際のスパッタリング時におけるパーティクル発生が多く、品質及び歩留の低下を効果的に抑制することはできなかった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題を解決するために、Bi2O3の添加量及び焼結条件を改善することにより、SrRuO3系導電性酸化物焼結体の相対密度の向上を図り、薄膜を形成する際のスパッタリング時におけるパーティクル発生を抑制し、品質及び歩留を向上させた導電性酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット及びこれらの製造方法を提供する課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
1.相対密度が93%以上であることを特徴とするSrRuO3系導電性酸化物焼結体
2.比抵抗が500μΩcm以下であることを特徴とする上記1記載の導電性酸化物焼結体
3.比抵抗が300μΩcm以下であることを特徴とする上記1記載の導電性酸化物焼結体
4.Bi2O3を0.3mol〜1.2mol含有することを特徴とする上記1〜3のそれぞれに記載の導電性酸化物焼結体
5.Bi2O3を0.5(超)mol〜1.0mol含有することを特徴とする上記1〜3のそれぞれに記載の導電性酸化物焼結体
を提供する。
【0007】
また、本発明は
6.相対密度が93%以上であることを特徴とするSrRuO3系導電性酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット
7.比抵抗が500μΩcm以下であることを特徴とする上記6記載の導電性酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット
8.比抵抗が300μΩcm以下であることを特徴とする上記6記載の導電性酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット
9.Bi2O3を0.3mol〜1.2mol含有することを特徴とする上記6〜8のそれぞれに記載の導電性酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット10.Bi2O3を0.5(超)mol〜1.0mol含有することを特徴とする上記6〜8のそれぞれに記載の導電性酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット
を提供する。
【0008】
また、本発明は
11.SrRuO3系導電性酸化物焼結体の製造に際し、焼結助剤としてBi2O3を0.3mol〜1.2mol添加することを特徴とするSrRuO3系導電性酸化物焼結体又は同焼結体からなるスパッタリングターゲットの製造方法
12.SrRuO3系導電性酸化物焼結体の製造に際し、焼結助剤としてBi2O3を0.5(超)mol〜1.0mol添加することを特徴とするSrRuO3系導電性酸化物焼結体又は同焼結体からなるスパッタリングターゲットの製造方法
13.SrRuO3系導電性酸化物焼結体の製造に際し、焼結温度1400〜1700°Cで焼結することを特徴とするSrRuO3系導電性酸化物焼結体又は同焼結体からなるスパッタリングターゲットの製造方法
14.SrRuO3系導電性酸化物焼結体の製造に際し、焼結温度1400〜1700°Cで焼結することを特徴とする上記11又は12記載のSrRuO3系導電性酸化物焼結体又は同焼結体からなるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明は、スパッタリングターゲットの材料として、DRAM、FRAM等の誘電体薄膜メモリー用薄膜電極等の形成に利用することができるペロブスカイト型SrRuO3系導電性酸化物に関するものであり、SrRuO3系導電性酸化物の密度向上を目途として改良を重ねた結果、相対密度が93%以上であるSrRuO3系導電性酸化物焼結体及びスパッタリングターゲットを得ることが可能となった。本発明は、さらにこれらの製造方法を提供するものである。
本発明のSrRuO3系導電性酸化物焼結体及びスパッタリングターゲットは、比抵抗500μΩcm以下、さらに比抵抗300μΩcm以下である材料を得ることができ、電極材料として好適な導電性を得ることができる。相対密度が向上すると比抵抗がさらに減少する傾向がある。
従来の技術において、比抵抗500μΩcm以下であり、かつ相対密度が93%以上であるSrRuO3系導電性酸化物は存在せず、本発明において初めて達成されたものである。
【0010】
本発明のSrRuO3系導電性酸化物焼結体の製造に際しては、焼結助剤としてBi2O3を0.3mol〜1.2mol添加する。好ましくはBi2O3を0.5(超)mol〜1.0mol添加して焼結する。これによって、SrRuO3系導電性酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット中には、Bi2O30.3mol〜1.2mol、好ましくはBi2O30.5(超)mol〜1.0molが含有される。
焼結性を改善し、高密度のSrRuO3系導電性酸化物焼結体を得るためには、Bi2O3を0.3mol以上添加することが必要であり、より好ましくはBi2O30.5molを超えて添加するのが望ましい。Bi2O30.3mol未満では、密度93%以上を達成することができない。
但し、SrRuO3系導電性酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット中のBi2O3が増加すると、スパッタ膜中のBi2O3が増え、比抵抗が高くなる傾向がある。また、1.2molを超えると、スパッタ膜中に第2層ができ、これがBSTO膜あるいはPZT膜との界面にBi化合物が生じ、誘電特性を低下させる問題を生ずる。以上から、添加量の上限を1.2mol、より好ましくは1.0molとした。
【0011】
さらに、SrRuO3系導電性酸化物焼結体の製造において、焼結温度1400〜1700°Cで焼結することが望ましい。焼結温度1400°Cとすることにより焼結性を著しく改善することができ、高密度ターゲットを製造することができる。
焼結温度が1700°Cを超えるとRuO2の蒸発が激しくなり、Sr2RuO4が生成し、導電性が低下するので、1700°C以下とする必要がある。
以上によって得られた相対密度が93%以上である高密度SrRuO3系導電性酸化物焼結体ターゲットは、該ターゲット中の気孔形態が閉気孔となっている(開気孔が残存していない)ため、ターゲット加工時の切削粉等が残存することがなく、スパッタリングによる電極用の薄膜を形成する際に、パーティクル発生を著しく減少させることができる。
高密度ターゲットは、上記のように比抵抗を減少させる効果があり、また製造工程や操作時さらにはスパッタリング時に割れや欠けが発生することなく、製品歩留りを向上させることができという著しい利点がある。さらに、スパッタリング時にスパッタパワーを上げることができ生産コストも向上させることができるという効果がある。
【0012】
【実施例及び比較例】
次に、実施例について説明する。なお、本実施例は発明の一例を示すためのものであり、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に含まれる他の態様及び変形を含むものである。
【0013】
(実施例1〜3、比較例1〜2)
純度5N(99.999%)のSrCO3粉及び純度4N(99.99%)のRuO2粉を出発原料とし、両粉末をモル比1:1となるように秤量後、純水を媒体としてボールミル混合した。得られたスラリーを乾燥した後、大気中、1000°C×10時間の条件で熱合成を行い、SrRuO3単相粉末を作製した。
次に、純度4NのBi2O3粉末をSrRuO3粉末に対し、0(無添加)、0.2、0.5、0.8、1.0及び1.2モル%添加してそれぞれ個別の試料とし、これらを再びボールミルで混合・粉砕を実施した。
この混合スラリーを乾燥した後、有機バインダーを添加して一軸プレス成形で予備成形した後、1500kg/cm2の圧力でCIP成形した。各成形体を半密閉のアルミナ容器内にセットし、1300°C(比較例1)、1400°C(実施例1)、1600°C(実施例2)、1700°C(実施例3)、1750°C(比較例2)で焼成した。
焼結後、焼結体の表面からRuO2欠損層を除去した後、密度及び比抵抗を測定した。その結果を表1に示す。
【0014】
【表1】
【0015】
表1において、○印は比抵抗300μΩcm以下であることを示すが、比較例1の焼成温度1300°Cにおいても、Bi2O3添加量が多い場合は、300μΩcm以下を示すが、93%以上の十分な密度が得られていないことが分かる。
しかし、実施例1〜3である1400°C〜1700°Cでは93%以上の十分な密度が得られている。比較例2に示すように、1750°Cの焼成温度で一部、93%の高密度焼結体が得られているが、上記のように、焼結温度が1700°Cを超えるとRuO2の蒸発が激しくなり、Sr2RuO4が生成し膜の性質が変化するという問題があるので、避ける必要がある。
1700°Cで焼成した場合のBi2O3添加量と相対密度の関係は、図1に示すように、相対密度は添加量0.3mol%以上で93%以上となり、Bi2O3添加量の増加と共に、相対密度が上昇する傾向にある。
また、1700°Cで焼成した場合のBi2O3添加量と比抵抗の関係を同様に図1に示す。この図1に示すように、Bi2O3添加量0.2mol%以上で、比抵抗が300μΩcm以下を達成することができる。
【0016】
次に、1700°Cで焼成したBi2O3添加量0.2、0.3、0.8mol%の焼結体を、機械加工によりφ200mm×6mmtのターゲットに作製した。
このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングを行い、6インチ型ウエハー上のパーティクルを測定した。この結果0.3μm以上の寸法のパーティクルがそれぞれ89、14、13ヶであった。
本発明の範囲内に入るターゲットの相対密度はいずれも93%以上であり、またパーティクル数は20ヶ以下であった。そして、1400°C〜1700°Cでの最適な焼結条件下で、相対密度の向上を達成することができた。
しかし、本発明の範囲を外れる密度が低い焼結体ターゲットは、パーティクルの発生も多いという結果となった。
以上から、本発明の実施例の優位性は明らかであり、優れた特性を有することが分かる。
【0017】
【発明の効果】
本発明の相対密度が93%以上である高密度SrRuO3系導電性酸化物焼結体ターゲットは、該ターゲット中の気孔形態が閉気孔となっている(開気孔が残存していない)ため、ターゲット加工時の切削粉等が残存することがなく、スパッタリングによる電極用の薄膜を形成する際に、パーティクル発生を著しく減少させることができる。
また、高密度ターゲットは、比抵抗をより減少させる効果があり、また製造工程や操作時さらにはスパッタリング時に割れや欠けが発生することなく、製品歩留りを向上させることができという著しい利点がある。さらに、スパッタリング時にスパッタパワーを上げることができ生産コストも向上させることができるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】1700°Cで焼成した場合のBi2O3添加量と比抵抗及び相対密度との関係を示す図である。
Claims (14)
- 相対密度が93%以上であることを特徴とするSrRuO3系導電性酸化物焼結体。
- 比抵抗が500μΩcm以下であることを特徴とする請求項1記載の導電性酸化物焼結体。
- 比抵抗が300μΩcm以下であることを特徴とする請求項1記載の導電性酸化物焼結体。
- Bi2O3を0.3mol〜1.2mol含有することを特徴とする請求項1〜3のそれぞれに記載の導電性酸化物焼結体。
- Bi2O3を0.5(超)mol〜1.0mol含有することを特徴とする請求項1〜3のそれぞれに記載の導電性酸化物焼結体。
- 相対密度が93%以上であることを特徴とするSrRuO3系導電性酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。
- 比抵抗が500μΩcm以下であることを特徴とする請求項6記載の導電性酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。
- 比抵抗が300μΩcm以下であることを特徴とする請求項6記載の導電性酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。
- Bi2O3を0.3mol〜1.2mol含有することを特徴とする請求項6〜8のそれぞれに記載の導電性酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。
- Bi2O3を0.5(超)mol〜1.0mol含有することを特徴とする請求項6〜8のそれぞれに記載の導電性酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。
- SrRuO3系導電性酸化物焼結体の製造に際し、焼結助剤としてBi2O3を0.3mol〜1.2mol添加することを特徴とするSrRuO3系導電性酸化物焼結体又は同焼結体からなるスパッタリングターゲットの製造方法。
- SrRuO3系導電性酸化物焼結体の製造に際し、焼結助剤としてBi2O3を0.5(超)mol〜1.0mol添加することを特徴とするSrRuO3系導電性酸化物焼結体又は同焼結体からなるスパッタリングターゲットの製造方法。
- SrRuO3系導電性酸化物焼結体の製造に際し、焼結温度1400〜1700°Cで焼結することを特徴とするSrRuO3系導電性酸化物焼結体又は同焼結体からなるスパッタリングターゲットの製造方法。
- SrRuO3系導電性酸化物焼結体の製造に際し、焼結温度1400〜1700°Cで焼結することを特徴とする請求項11又は12記載のSrRuO3系導電性酸化物焼結体又は同焼結体からなるスパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002228165A JP4544501B2 (ja) | 2002-08-06 | 2002-08-06 | 導電性酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット及びこれらの製造方法 |
US10/522,263 US7252794B2 (en) | 2002-08-06 | 2003-06-12 | Electroconductive oxide sintered compact, sputtering target comprising the sintered compact and methods for producing them |
KR1020057001336A KR100642929B1 (ko) | 2002-08-06 | 2003-06-12 | 도전성 산화물 소결체, 이 소결체로부터 이루어진스퍼터링 타겟트 및 이들의 제조방법 |
PCT/JP2003/007483 WO2004016824A1 (ja) | 2002-08-06 | 2003-06-12 | 導電性酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット及びこれらの製造方法 |
TW092116229A TWI227744B (en) | 2002-08-06 | 2003-06-16 | Electroconductive oxide sintered compact, sputtering target comprising the sintered compact and methods for producing them |
MYPI20032836A MY142079A (en) | 2002-08-06 | 2003-07-29 | Conductive oxide sintered body, sputtering target formed from said sintered body, and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002228165A JP4544501B2 (ja) | 2002-08-06 | 2002-08-06 | 導電性酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット及びこれらの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004068073A true JP2004068073A (ja) | 2004-03-04 |
JP2004068073A5 JP2004068073A5 (ja) | 2005-07-28 |
JP4544501B2 JP4544501B2 (ja) | 2010-09-15 |
Family
ID=31884317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002228165A Expired - Lifetime JP4544501B2 (ja) | 2002-08-06 | 2002-08-06 | 導電性酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット及びこれらの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7252794B2 (ja) |
JP (1) | JP4544501B2 (ja) |
KR (1) | KR100642929B1 (ja) |
MY (1) | MY142079A (ja) |
TW (1) | TWI227744B (ja) |
WO (1) | WO2004016824A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020031459A1 (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-13 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット、グラニュラ膜および垂直磁気記録媒体 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060061366A (ko) * | 2003-09-03 | 2006-06-07 | 가부시키 가이샤 닛코 마테리알즈 | 스퍼터링용 타겟트 |
CN100552068C (zh) * | 2004-03-01 | 2009-10-21 | 日矿金属株式会社 | 高纯度Ru粉末、溅射靶、薄膜和高纯度Ru粉末的制造方法 |
US7686985B2 (en) * | 2005-06-28 | 2010-03-30 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd | Gallium oxide-zinc oxide sputtering target, method of forming transparent conductive film, and transparent conductive film |
US7682529B2 (en) * | 2005-06-28 | 2010-03-23 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Gallium oxide-zinc oxide sputtering target, method for forming transparent conductive film, and transparent conductive film |
CN101389784B (zh) * | 2006-02-22 | 2011-04-20 | Jx日矿日石金属株式会社 | 含有高熔点金属的烧结体溅射靶 |
JP4552950B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2010-09-29 | 住友金属鉱山株式会社 | ターゲット用酸化物焼結体、その製造方法、それを用いた透明導電膜の製造方法、及び得られる透明導電膜 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5624542A (en) | 1992-05-11 | 1997-04-29 | Gas Research Institute | Enhancement of mechanical properties of ceramic membranes and solid electrolytes |
JPH0656503A (ja) | 1992-08-10 | 1994-03-01 | Showa Denko Kk | Ito焼結体 |
DE4421007A1 (de) | 1994-06-18 | 1995-12-21 | Philips Patentverwaltung | Elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP3710021B2 (ja) | 1997-06-03 | 2005-10-26 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化錫−酸化第一アンチモン焼結体ターゲットおよびその製造方法 |
JP3636914B2 (ja) | 1998-02-16 | 2005-04-06 | 株式会社日鉱マテリアルズ | 高抵抗透明導電膜及び高抵抗透明導電膜の製造方法並びに高抵抗透明導電膜形成用スパッタリングターゲット |
JP3768007B2 (ja) | 1998-06-17 | 2006-04-19 | 株式会社日鉱マテリアルズ | 高純度SrxBiyTa2O5+x+3y/2スパッタリングターゲット材 |
JP2000034563A (ja) | 1998-07-14 | 2000-02-02 | Japan Energy Corp | 高純度ルテニウムスパッタリングターゲットの製造方法及び高純度ルテニウムスパッタリングターゲット |
JP2000128638A (ja) | 1998-10-30 | 2000-05-09 | Kyocera Corp | ルテニウム酸ストロンチウム焼結体とその製造方法及びこれを用いたスパッタリングターゲット |
US6132487A (en) | 1998-11-11 | 2000-10-17 | Nikko Materials Company, Limited | Mixed powder for powder metallurgy, sintered compact of powder metallurgy, and methods for the manufacturing thereof |
JP2000247739A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-09-12 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 高密度Pt系金属含有金属導電性酸化物およびその製造方法 |
JP3745553B2 (ja) | 1999-03-04 | 2006-02-15 | 富士通株式会社 | 強誘電体キャパシタ、半導体装置の製造方法 |
JP4790118B2 (ja) | 2000-12-26 | 2011-10-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化物焼結体及びその製造方法 |
JP2002211978A (ja) | 2001-01-11 | 2002-07-31 | Hitachi Metals Ltd | ストロンチウム・ルテニウム酸化物焼結体の製造方法およびストロンチウム・ルテニウム酸化物焼結体 |
-
2002
- 2002-08-06 JP JP2002228165A patent/JP4544501B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-06-12 KR KR1020057001336A patent/KR100642929B1/ko active IP Right Grant
- 2003-06-12 WO PCT/JP2003/007483 patent/WO2004016824A1/ja active Application Filing
- 2003-06-12 US US10/522,263 patent/US7252794B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-06-16 TW TW092116229A patent/TWI227744B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-07-29 MY MYPI20032836A patent/MY142079A/en unknown
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020031459A1 (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-13 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット、グラニュラ膜および垂直磁気記録媒体 |
JPWO2020031459A1 (ja) * | 2018-08-09 | 2021-08-02 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット、グラニュラ膜および垂直磁気記録媒体 |
US11591688B2 (en) | 2018-08-09 | 2023-02-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target, granular film and perpendicular magnetic recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7252794B2 (en) | 2007-08-07 |
JP4544501B2 (ja) | 2010-09-15 |
KR20050030211A (ko) | 2005-03-29 |
US20060071197A1 (en) | 2006-04-06 |
TWI227744B (en) | 2005-02-11 |
KR100642929B1 (ko) | 2006-11-10 |
MY142079A (en) | 2010-08-30 |
WO2004016824A1 (ja) | 2004-02-26 |
TW200402476A (en) | 2004-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6440243B1 (en) | Methods of forming ceramic compositions | |
JP6724266B2 (ja) | ニオブ酸カリウムナトリウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
KR100477166B1 (ko) | 산화물 소결체 및 그 제조방법 | |
JPH0817245A (ja) | 強誘電体薄膜およびその製造方法 | |
US10700260B2 (en) | Piezoelectric ceramic sputtering target, lead-free piezoelectric thin film and piezoelectric thin film element using the same | |
JP2004068073A (ja) | 導電性酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット及びこれらの製造方法 | |
CN107235723A (zh) | 压电陶瓷溅射靶材、无铅压电薄膜及压电薄膜元件 | |
US6780394B2 (en) | High pressure production of perovskites and resulting products | |
JP4351213B2 (ja) | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 | |
JPH11335825A (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JPH07235405A (ja) | サーミスタ焼結体 | |
JP4017220B2 (ja) | スパッタリング用BaxSr1−xTiO3−yターゲット材 | |
JP3749631B2 (ja) | BaxSr1−xTiO3−αスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP2007223899A (ja) | スパッタリング用BaxSr1−xTiO3−yターゲット材の製造方法 | |
JP5662731B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
JPH10226572A (ja) | ビスマス系層状ペロブスカイト焼結体およびその製造法並びにその用途 | |
JP7064205B2 (ja) | 非鉛強誘電体薄膜 | |
JP2004307247A (ja) | 導電性酸化物焼結体、その製造方法及びそれを用いて得られるスパッタリングターゲット | |
JPH11131223A (ja) | 誘電体スパッタリングターゲット | |
JP2021123799A (ja) | 金属酸窒化物薄膜および容量素子 | |
JP3164640B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
JPH08337423A (ja) | 酸化物圧電材料の製造方法 | |
KR100572679B1 (ko) | 스퍼터링용 납-지르코늄-티타늄 타겟 제조방법 | |
JPH0754137A (ja) | 耐熱衝撃性のすぐれたスパッタリング焼結ターゲット材 | |
JPH09165676A (ja) | 残留炭素含有量の低い(a、b)o3 型酸化物誘電体薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲット材の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041221 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080415 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080701 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100624 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4544501 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 Year of fee payment: 3 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |