JPH11335825A - スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲット及びその製造方法Info
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- JPH11335825A JPH11335825A JP10155251A JP15525198A JPH11335825A JP H11335825 A JPH11335825 A JP H11335825A JP 10155251 A JP10155251 A JP 10155251A JP 15525198 A JP15525198 A JP 15525198A JP H11335825 A JPH11335825 A JP H11335825A
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- sintering
- forming
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高電力で高速スパッタリングしても割れや剥
離が生じることがなく、かつ使用回数増大による径年変
化のない強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを
提供する。 【解決手段】 鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成用
のスパッタリングセラミックスターゲットを粒径４μｍ
以上の結晶粒で構成するとともに、密度が理論密度の９
７％以上である高緻密体とする。
離が生じることがなく、かつ使用回数増大による径年変
化のない強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを
提供する。 【解決手段】 鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成用
のスパッタリングセラミックスターゲットを粒径４μｍ
以上の結晶粒で構成するとともに、密度が理論密度の９
７％以上である高緻密体とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体メモリーな
どのキャパシタ用薄膜形成やＳｉマイクロマシーニング
に用いられる強誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
トおよびその製造方法に関するものである。
どのキャパシタ用薄膜形成やＳｉマイクロマシーニング
に用いられる強誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
トおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成用
スパッタリングターゲットが、半導体メモリー等に用い
られるキャパシタ用薄膜形成やマイクロマシーン用アク
チュエーター膜形成のスパッタリングターゲットとして
用いられることは、一般に知られている。
スパッタリングターゲットが、半導体メモリー等に用い
られるキャパシタ用薄膜形成やマイクロマシーン用アク
チュエーター膜形成のスパッタリングターゲットとして
用いられることは、一般に知られている。
【０００３】前記鉛系ペロブスカイト構造を有する強誘
電体膜形成用スパッタリングターゲットを製造するに
は、薄膜材料をジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）とした
場合、まず原料粉末のＰｂＯ粉末、ＺｒＯ2 粉末および
ＴｉＯ2 粉末を所定の割合で配合し、ボールミルに入れ
て混合し、得られた混合粉末を成形後ＭｇＯルツボに入
れ大気雰囲気中、温度８５０〜９００℃×３〜１０時間
保持の条件で焼成し、ボールミルで粉砕することにより
ＰＺＴ複合酸化物粉末を作製する。得られたＰＺＴ複合
酸化物粉末にさらに前記条件の焼成および粉砕を２回繰
り返し施した後、造粒・成形（圧力１０００ｋｇ／ｃｍ
2 ）・焼成（温度１０００〜１３００℃×１〜３時間）
により焼結体を得る。そして、この焼結体を機械加工し
て所定のターゲット形状に仕上げる。
電体膜形成用スパッタリングターゲットを製造するに
は、薄膜材料をジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）とした
場合、まず原料粉末のＰｂＯ粉末、ＺｒＯ2 粉末および
ＴｉＯ2 粉末を所定の割合で配合し、ボールミルに入れ
て混合し、得られた混合粉末を成形後ＭｇＯルツボに入
れ大気雰囲気中、温度８５０〜９００℃×３〜１０時間
保持の条件で焼成し、ボールミルで粉砕することにより
ＰＺＴ複合酸化物粉末を作製する。得られたＰＺＴ複合
酸化物粉末にさらに前記条件の焼成および粉砕を２回繰
り返し施した後、造粒・成形（圧力１０００ｋｇ／ｃｍ
2 ）・焼成（温度１０００〜１３００℃×１〜３時間）
により焼結体を得る。そして、この焼結体を機械加工し
て所定のターゲット形状に仕上げる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体メモリー
やマイクロマシーン用強誘電体薄膜応用素子の大量生産
とコストダウンのために、高出力でスパッタリングし、
高速成膜することにより短時間で強誘電体膜を形成する
試みがなされている。
やマイクロマシーン用強誘電体薄膜応用素子の大量生産
とコストダウンのために、高出力でスパッタリングし、
高速成膜することにより短時間で強誘電体膜を形成する
試みがなされている。
【０００５】しかし、従来の強誘電体膜形成用スパッタ
リングターゲットを用いて成膜速度１００Å／ｍｉｎ以
上の高速スパッタリング成膜を行うと、ターゲット全体
が割れてしまったり、バッキングプレートとの接合部に
おいてターゲット表面が鱗片状に剥離したりすることが
あった。また、ターゲット初期の成膜膜質（主に鉛組
成）に変化が生じるだけでなく、ターゲット使用限界ま
での期間を中期・後期と区切った場合、その期間におい
て成膜される膜質に変化（すなわち使用回数に対する膜
質変化）が伴うことが認められている。このことは、タ
ーゲット破壊の面で歩留りを低くし、また成膜の一定品
質保証の点で問題になっていた。
リングターゲットを用いて成膜速度１００Å／ｍｉｎ以
上の高速スパッタリング成膜を行うと、ターゲット全体
が割れてしまったり、バッキングプレートとの接合部に
おいてターゲット表面が鱗片状に剥離したりすることが
あった。また、ターゲット初期の成膜膜質（主に鉛組
成）に変化が生じるだけでなく、ターゲット使用限界ま
での期間を中期・後期と区切った場合、その期間におい
て成膜される膜質に変化（すなわち使用回数に対する膜
質変化）が伴うことが認められている。このことは、タ
ーゲット破壊の面で歩留りを低くし、また成膜の一定品
質保証の点で問題になっていた。
【０００６】本発明は上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的は成膜時の破損や、接合部での剥離がな
く、かつ使用回数増大による径年変化のない強誘電体膜
形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を
提供することにある。
で、その目的は成膜時の破損や、接合部での剥離がな
く、かつ使用回数増大による径年変化のない強誘電体膜
形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、高電力をか
けて高速スパッタリング成膜しても割れ・剥離が生じる
ことがなく、かつ径年変化のないスパッタリングターゲ
ットを作製するため、鋭意検討を重ねてきた。その結
果、（ａ）従来の強誘電体膜形成用スパッタリングター
ゲットを構成する結晶粒サイズが前記高速スパッタリン
グ成膜時のターゲットの割れおよび剥離に大きく影響を
及ぼすこと、（ｂ）ターゲットの熱伝導性が高速スパッ
タリング成膜時のターゲットの割れおよび剥離に大きく
影響すること、（ｃ）ターゲットを構成する結晶粒のサ
イズ、ターゲットの熱伝導性およびターゲットの作製法
の改善によって、径年変化のないスパッタリングターゲ
ットが得られることを確認し、本発明を完成した。
けて高速スパッタリング成膜しても割れ・剥離が生じる
ことがなく、かつ径年変化のないスパッタリングターゲ
ットを作製するため、鋭意検討を重ねてきた。その結
果、（ａ）従来の強誘電体膜形成用スパッタリングター
ゲットを構成する結晶粒サイズが前記高速スパッタリン
グ成膜時のターゲットの割れおよび剥離に大きく影響を
及ぼすこと、（ｂ）ターゲットの熱伝導性が高速スパッ
タリング成膜時のターゲットの割れおよび剥離に大きく
影響すること、（ｃ）ターゲットを構成する結晶粒のサ
イズ、ターゲットの熱伝導性およびターゲットの作製法
の改善によって、径年変化のないスパッタリングターゲ
ットが得られることを確認し、本発明を完成した。
【０００８】請求項１に記載のスパッタリングターゲッ
トは、鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成用のスパッ
タリングセラミックスターゲットであって、粒径が４μ
ｍ以上の結晶粒で構成したことを特徴とする。
トは、鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成用のスパッ
タリングセラミックスターゲットであって、粒径が４μ
ｍ以上の結晶粒で構成したことを特徴とする。
【０００９】セラミックスターゲットを構成しているセ
ラミック結晶粒は、高出力スパッタリング中のターゲッ
トの割れ、バッキングプレートとの接合部での剥離に大
きく影響を及ぼす。また、バッチ処理回数の増大に伴っ
て成膜膜質が変化する結晶粒サイズには、ある領域が存
在する。詳細な検討の結果（後述する実施例）、この粒
径が４．５μｍ以上であれば、上記問題点が解消される
ことが確認された。
ラミック結晶粒は、高出力スパッタリング中のターゲッ
トの割れ、バッキングプレートとの接合部での剥離に大
きく影響を及ぼす。また、バッチ処理回数の増大に伴っ
て成膜膜質が変化する結晶粒サイズには、ある領域が存
在する。詳細な検討の結果（後述する実施例）、この粒
径が４．５μｍ以上であれば、上記問題点が解消される
ことが確認された。
【００１０】請求項２に記載のスパッタリングターゲッ
トは、鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成用のスパッ
タリングセラミックスターゲットであって、密度が理論
密度の９７％以上であることを特徴とする。
トは、鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成用のスパッ
タリングセラミックスターゲットであって、密度が理論
密度の９７％以上であることを特徴とする。
【００１１】ターゲットの割れ、ターゲットとバッキン
グプレートとの接合部における剥離は、ターゲットを構
成するセラミックス材料の熱伝導性に依存し、高緻密体
のセラミックス材料を形成することで熱伝導性が向上
し、先述の問題が解決される。具体的には、セラミック
ス焼結体の密度が理論密度に対して９７％以上になって
いれば良好な結果が得られる。理論密度とは、セラミッ
クス仕込み時に用いる化学式とＸＲＤ測定で求まる格子
定数により（前者は１格子の質量、後者はその体積）算
術的に求まる値であり、焼結体の実密度はアルキメデス
法により算出し、この実密度の理論密度に対する比：実
密度／理論密度で定義される。ただし、仕込み時の過剰
鉛については考慮しないで、１格子の質量を算出する。
グプレートとの接合部における剥離は、ターゲットを構
成するセラミックス材料の熱伝導性に依存し、高緻密体
のセラミックス材料を形成することで熱伝導性が向上
し、先述の問題が解決される。具体的には、セラミック
ス焼結体の密度が理論密度に対して９７％以上になって
いれば良好な結果が得られる。理論密度とは、セラミッ
クス仕込み時に用いる化学式とＸＲＤ測定で求まる格子
定数により（前者は１格子の質量、後者はその体積）算
術的に求まる値であり、焼結体の実密度はアルキメデス
法により算出し、この実密度の理論密度に対する比：実
密度／理論密度で定義される。ただし、仕込み時の過剰
鉛については考慮しないで、１格子の質量を算出する。
【００１２】従来技術では、目的とする薄膜組成は鉛の
蒸気圧が高いことにより一般に、成膜された膜組成はタ
ーゲット組成と異なることが報告されている。ＰＴＺを
作製する場合、Ｚｒ，Ｔｉは良いものの、Ｐｂの欠損が
生じる。このためターゲット組成に関しては、欠損鉛量
だけ鉛分を過剰に仕込むことが行われてきた。しかしこ
の過剰量の鉛は、あらゆる面において不具合を生じてい
る。それは、本発明が解決しようとする問題点すなわち
ターゲットの割れ、バッキングプレートとの接合部にお
けるターゲット剥離およびターゲットの径年変化であ
る。本発明では極力、化学量論比に近づけ、請求項１，
２に記載のターゲットを構成することで上記問題点を解
決したものである。
蒸気圧が高いことにより一般に、成膜された膜組成はタ
ーゲット組成と異なることが報告されている。ＰＴＺを
作製する場合、Ｚｒ，Ｔｉは良いものの、Ｐｂの欠損が
生じる。このためターゲット組成に関しては、欠損鉛量
だけ鉛分を過剰に仕込むことが行われてきた。しかしこ
の過剰量の鉛は、あらゆる面において不具合を生じてい
る。それは、本発明が解決しようとする問題点すなわち
ターゲットの割れ、バッキングプレートとの接合部にお
けるターゲット剥離およびターゲットの径年変化であ
る。本発明では極力、化学量論比に近づけ、請求項１，
２に記載のターゲットを構成することで上記問題点を解
決したものである。
【００１３】請求項３に記載のスパッタリングターゲッ
トは、鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成用のスパッ
タリングセラミックスターゲットであって、ターゲット
の焼結助剤としてリチウム、硼素、シリコン、ゲルマニ
ウム、ビスマス、亜鉛、鉛の各酸化物のうち少なくとも
一種を添加し、液相焼結させたことを特徴とする。
トは、鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成用のスパッ
タリングセラミックスターゲットであって、ターゲット
の焼結助剤としてリチウム、硼素、シリコン、ゲルマニ
ウム、ビスマス、亜鉛、鉛の各酸化物のうち少なくとも
一種を添加し、液相焼結させたことを特徴とする。
【００１４】本発明では、セラミックスターゲットを得
るためのセラミックス焼結に際し、焼結助剤を用いるの
が有効である。この助剤は焼結温度以下の温度において
液相を形成し、焼結に寄与する物質の移送を容易にさせ
るものである。上記液相形成用の材料としてはＬｉ，
Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｐｂが効果的である。こ
れらの添加物は強誘電体特性に影響を与えるため、その
適正な添加量が存在する。実験結果により、この適正量
は添加物材料種にもよるが概ね４ｗｔ％以下、より好ま
しくは２ｗｔ％以下である。さらに、添加量はセラミッ
クス仮焼粉に対して秤量されるべきものであり、所望の
助剤をこの仮焼分に対し重量で２％添加し、本焼成終了
後に１ｗｔ％以下の割合で存在させることが望ましい。
るためのセラミックス焼結に際し、焼結助剤を用いるの
が有効である。この助剤は焼結温度以下の温度において
液相を形成し、焼結に寄与する物質の移送を容易にさせ
るものである。上記液相形成用の材料としてはＬｉ，
Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｐｂが効果的である。こ
れらの添加物は強誘電体特性に影響を与えるため、その
適正な添加量が存在する。実験結果により、この適正量
は添加物材料種にもよるが概ね４ｗｔ％以下、より好ま
しくは２ｗｔ％以下である。さらに、添加量はセラミッ
クス仮焼粉に対して秤量されるべきものであり、所望の
助剤をこの仮焼分に対し重量で２％添加し、本焼成終了
後に１ｗｔ％以下の割合で存在させることが望ましい。
【００１５】請求項４に記載のスパッタリングターゲッ
トの製造方法は、鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成
用のスパッタリングセラミックスターゲットを製造する
方法であって、原料粉末として各種金属酸化物、または
金属炭酸塩の粉末を用意し、これらの粉末を混合し、得
られた混合粉末を大気中で予備焼結して予備焼結体を作
製し、この予備焼結体を粉砕して鉛系複合酸化物粉末を
作製し、この粉末をプレス成形し、焼結して焼結体とし
た後、該焼結体を機械加工してスパッタリングターゲッ
トとする方法において、第１次焼結を予備焼結温度より
高い温度で実施した後、第２次焼結を予備焼結温度より
高く、かつ第１次焼結より低い温度で実施することを特
徴とする。
トの製造方法は、鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成
用のスパッタリングセラミックスターゲットを製造する
方法であって、原料粉末として各種金属酸化物、または
金属炭酸塩の粉末を用意し、これらの粉末を混合し、得
られた混合粉末を大気中で予備焼結して予備焼結体を作
製し、この予備焼結体を粉砕して鉛系複合酸化物粉末を
作製し、この粉末をプレス成形し、焼結して焼結体とし
た後、該焼結体を機械加工してスパッタリングターゲッ
トとする方法において、第１次焼結を予備焼結温度より
高い温度で実施した後、第２次焼結を予備焼結温度より
高く、かつ第１次焼結より低い温度で実施することを特
徴とする。
【００１６】本発明方法では、請求項４に記載の２段階
焼結を行うことで、良好なセラミックスターゲットを得
ることができる。２段階焼結は、鉛系ペロブスカイト型
セラミックスを作製する場合、特にＰｂを焼結助剤とし
て用いるときに有効であり、１段目の焼結で仮焼粉間の
焼結を完了させた後、２段目の焼結において、粒界に偏
析している過剰鉛量を適正化するものである。
焼結を行うことで、良好なセラミックスターゲットを得
ることができる。２段階焼結は、鉛系ペロブスカイト型
セラミックスを作製する場合、特にＰｂを焼結助剤とし
て用いるときに有効であり、１段目の焼結で仮焼粉間の
焼結を完了させた後、２段目の焼結において、粒界に偏
析している過剰鉛量を適正化するものである。
【００１７】請求項５に記載のスパッタリングターゲッ
トの製造方法は、鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成
用のスパッタリングセラミックスターゲットを製造する
方法であって、鉛系ペロブスカイト型強誘電体セラミッ
クスの鉛サイト以外の構成元素群を複合酸化物として形
成した後、該複合酸化物を酸化鉛と固相反応させること
により、目的とする鉛系ペロブスカイト型強誘電体セラ
ミックスを得ることを特徴とする。すなわち本発明で
は、先述のセラミックス仮焼粉の作製において、結晶構
造中の鉛サイト以外の構成元素群を複合酸化物として形
成した後、これを酸化鉛と固相反応させることにより、
良好な仮焼粉を得ることができる。
トの製造方法は、鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成
用のスパッタリングセラミックスターゲットを製造する
方法であって、鉛系ペロブスカイト型強誘電体セラミッ
クスの鉛サイト以外の構成元素群を複合酸化物として形
成した後、該複合酸化物を酸化鉛と固相反応させること
により、目的とする鉛系ペロブスカイト型強誘電体セラ
ミックスを得ることを特徴とする。すなわち本発明で
は、先述のセラミックス仮焼粉の作製において、結晶構
造中の鉛サイト以外の構成元素群を複合酸化物として形
成した後、これを酸化鉛と固相反応させることにより、
良好な仮焼粉を得ることができる。
【００１８】請求項６に記載の強誘電体膜形成用スパッ
タリングターゲットの製造方法は、請求項５において、
前記鉛系ペロブスカイト型強誘電体セラミックスにおけ
る酸化鉛は、仕込み段階で化学量論比に対して５モル％
以下の範囲で過剰に仕込み、本焼成後のセラミックスタ
ーゲット中に０．５モル％以下の過剰量で存在させるこ
とを特徴とする。
タリングターゲットの製造方法は、請求項５において、
前記鉛系ペロブスカイト型強誘電体セラミックスにおけ
る酸化鉛は、仕込み段階で化学量論比に対して５モル％
以下の範囲で過剰に仕込み、本焼成後のセラミックスタ
ーゲット中に０．５モル％以下の過剰量で存在させるこ
とを特徴とする。
【００１９】本発明においては、セラミックス原料粉仕
込み時に５モル％以下の過剰鉛組成にして仮焼粉を作製
する。この仮焼粉では８５０℃，９００℃の２回の仮焼
を行い、次に第１の本焼成として、これらの仮焼温度よ
り高温で焼結させる。この工程の目的は焼結を終了させ
ることにあり、結果として粒成長させる点にある。焼結
温度、組成により一概には限定できないが、後述の実施
例に示されているように５モル％以上の過剰鉛量の場合
には、粒成長が阻害されるため好ましくなく、過剰鉛量
を５モル％以下の範囲で適正化する必要がある。次の２
段目の焼結は、粒界部に偏析した過剰成分の自己制御的
な組成の適正化を実施するもので、過剰鉛の蒸発が生じ
る温度以上、すなわち仮焼工程の温度以上の温度、粒成
長の生じない温度、すなわち１段目焼成温度以下の温度
範囲、および処理時間にて最適化されるものである。そ
して２段階で処理された焼結体中の過剰鉛の割合を０．
５モル％以下に抑えることで良好な結果が得られる。
込み時に５モル％以下の過剰鉛組成にして仮焼粉を作製
する。この仮焼粉では８５０℃，９００℃の２回の仮焼
を行い、次に第１の本焼成として、これらの仮焼温度よ
り高温で焼結させる。この工程の目的は焼結を終了させ
ることにあり、結果として粒成長させる点にある。焼結
温度、組成により一概には限定できないが、後述の実施
例に示されているように５モル％以上の過剰鉛量の場合
には、粒成長が阻害されるため好ましくなく、過剰鉛量
を５モル％以下の範囲で適正化する必要がある。次の２
段目の焼結は、粒界部に偏析した過剰成分の自己制御的
な組成の適正化を実施するもので、過剰鉛の蒸発が生じ
る温度以上、すなわち仮焼工程の温度以上の温度、粒成
長の生じない温度、すなわち１段目焼成温度以下の温度
範囲、および処理時間にて最適化されるものである。そ
して２段階で処理された焼結体中の過剰鉛の割合を０．
５モル％以下に抑えることで良好な結果が得られる。
【００２０】請求項７に記載の強誘電体膜形成用スパッ
タリングターゲットの製造方法は、請求項５において、
前記鉛系ペロブスカイト型強誘電体セラミックスにおけ
る液相焼結助剤は、該助剤の割合が仕込み段階で２ｗｔ
％以下となる量を添加し、本焼成後のセラミックスター
ゲット中の割合を１ｗｔ％以下とすることを特徴とする
ものである。
タリングターゲットの製造方法は、請求項５において、
前記鉛系ペロブスカイト型強誘電体セラミックスにおけ
る液相焼結助剤は、該助剤の割合が仕込み段階で２ｗｔ
％以下となる量を添加し、本焼成後のセラミックスター
ゲット中の割合を１ｗｔ％以下とすることを特徴とする
ものである。
【００２１】上記鉛系ペロブスカイト型セラミックスの
製造には、以下の物質すなわちジルコン酸チタン酸鉛
（ＰＺＴ系）、マグネシウムニオブ酸鉛（ＰＭＮ系）、
ニッケルニオブ酸鉛（ＰＮＮ系）、マンガンニオブ酸
鉛、アンチモンスズ酸鉛、亜鉛ニオブ酸鉛、チタン酸
鉛、マグネシウムタンタル酸鉛、ニッケルタンタル酸鉛
をそれぞれ主成分とする材料または、これらの複合材料
等が用いられる。
製造には、以下の物質すなわちジルコン酸チタン酸鉛
（ＰＺＴ系）、マグネシウムニオブ酸鉛（ＰＭＮ系）、
ニッケルニオブ酸鉛（ＰＮＮ系）、マンガンニオブ酸
鉛、アンチモンスズ酸鉛、亜鉛ニオブ酸鉛、チタン酸
鉛、マグネシウムタンタル酸鉛、ニッケルタンタル酸鉛
をそれぞれ主成分とする材料または、これらの複合材料
等が用いられる。
【００２２】また、上記主成分材料に副成分としてラン
タン、バリウム、ストロンチウム、ニオブ、亜鉛、セリ
ウム、カドミウム、クロム、コバルト、アンチモン、
鉄、イットリウム、タンタル、タングステン、ニッケ
ル、マンガン等の酸化物、その他の化合物を適宜量添加
することもできる。
タン、バリウム、ストロンチウム、ニオブ、亜鉛、セリ
ウム、カドミウム、クロム、コバルト、アンチモン、
鉄、イットリウム、タンタル、タングステン、ニッケ
ル、マンガン等の酸化物、その他の化合物を適宜量添加
することもできる。
【００２３】
【実施例】実施例１ 結晶粒サイズが異なる種々のＰＺＴターゲットを作製し
た。組成はＰＺＴ（５２／４８）−Ｎｂ０．５ｗｔ％添
加である。ターゲットを水冷銅板にＩｎ−Ｓｎハンダで
接合し、これを高周波マグネトロンスパッタ装置内にセ
ットし、雰囲気ガスをＡｒと酸素の混合ガス（Ａｒ：Ｏ
＝０．９５：０．０５）、スパッタ圧力０．１Ｐａ、周
波数１３．５６ＭＨｚ、出力３Ｗ／ｃｍ2 の条件で成膜
した。
た。組成はＰＺＴ（５２／４８）−Ｎｂ０．５ｗｔ％添
加である。ターゲットを水冷銅板にＩｎ−Ｓｎハンダで
接合し、これを高周波マグネトロンスパッタ装置内にセ
ットし、雰囲気ガスをＡｒと酸素の混合ガス（Ａｒ：Ｏ
＝０．９５：０．０５）、スパッタ圧力０．１Ｐａ、周
波数１３．５６ＭＨｚ、出力３Ｗ／ｃｍ2 の条件で成膜
した。
【００２４】また、１回の成膜時間を１時間に固定し
（この堆積時間で１．５μｍ成膜された）、処理後のタ
ーゲットの割れを目視にて判定した。さらに、この成膜
操作を５０回繰り返した後のターゲット変質および膜組
成変動の有無をＩＣＰ分析により確認した。なお、分析
や特性評価用の成膜に供した基板は、Ｐｔ下部電極を成
膜した熱酸化膜付きＳｉウェハである。結果を［表１］
に示す。
（この堆積時間で１．５μｍ成膜された）、処理後のタ
ーゲットの割れを目視にて判定した。さらに、この成膜
操作を５０回繰り返した後のターゲット変質および膜組
成変動の有無をＩＣＰ分析により確認した。なお、分析
や特性評価用の成膜に供した基板は、Ｐｔ下部電極を成
膜した熱酸化膜付きＳｉウェハである。結果を［表１］
に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】実施例２ 実施例１と同じく、種々の密度のターゲットを作製し
（ターゲット組成は先述）、同様の評価を行った。結果
を［表２］に示す。
（ターゲット組成は先述）、同様の評価を行った。結果
を［表２］に示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】実施例３ 以下に示す焼結助剤を添加することでターゲットの結晶
粒成長、高緻密化を実施した。用いた焼結助剤はＰｂＯ
−Ｂ2 Ｏ3 ，ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ，ＰｂＯ−Ｇ
ｅＯ2 ，ＰｂＯ−ＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 ，Ｌｉ2 Ｏ−Ｂｉ
2 Ｏ3 で、これらの添加量は仕込み量で０．５〜８ｗｔ
％とした。添加量と得られる膜の特性劣化との関係を調
べた結果、概ね上記助剤で共通して２ｗｔ％まで劣化は
観測されなかった。組成は０．５Ｐｂ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 −０．５Ｐｂ（Ｚｒ0.3Ｔｉ 0.7）Ｏ3 と
し、焼成温度を１１５０℃、焼成時間を８時間とした。
粒成長、高緻密化を実施した。用いた焼結助剤はＰｂＯ
−Ｂ2 Ｏ3 ，ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ，ＰｂＯ−Ｇ
ｅＯ2 ，ＰｂＯ−ＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 ，Ｌｉ2 Ｏ−Ｂｉ
2 Ｏ3 で、これらの添加量は仕込み量で０．５〜８ｗｔ
％とした。添加量と得られる膜の特性劣化との関係を調
べた結果、概ね上記助剤で共通して２ｗｔ％まで劣化は
観測されなかった。組成は０．５Ｐｂ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 −０．５Ｐｂ（Ｚｒ0.3Ｔｉ 0.7）Ｏ3 と
し、焼成温度を１１５０℃、焼成時間を８時間とした。
【００２９】各添加物種と濃度と結晶粒サイズ（μ
ｍ）、焼結体密度（％）、得られた膜特性の判定結果
（○，△または×）との関係を［表３］に示す。この表
において、○は無添加膜のＰｒ（強誘電特性の残留分極
値）の５％以内の減少範囲を、△は更にＥｃ（抗電界）
が１０％以上増加したものを、×はＰｒが１０％減少、
またはＥｃが５０％以上増加したもそれぞれ示してい
る。
ｍ）、焼結体密度（％）、得られた膜特性の判定結果
（○，△または×）との関係を［表３］に示す。この表
において、○は無添加膜のＰｒ（強誘電特性の残留分極
値）の５％以内の減少範囲を、△は更にＥｃ（抗電界）
が１０％以上増加したものを、×はＰｒが１０％減少、
またはＥｃが５０％以上増加したもそれぞれ示してい
る。
【００３０】先述の助剤組成は、 ＰｂＯ：Ｂ2 Ｏ3 ＝０．８７５：０．１２５（融点４
９３℃）、 ＰｂＯ：Ｂ2 Ｏ3 ：ＳｉＯ2＝０．９：０．０７５：
０．０２５（融点４６０℃）、 Ｐｂ5 Ｇｅ3 Ｏ12（融点７３８℃）、 Ｐｂ5（Ｇｅ2.4 Ｓｉ0.4 ）Ｏ11（融点７４２℃）、 Ｌｉ2 Ｂｉ2 Ｏ4 （融点６９０℃） であり、添加方法として各種酸化物をボールミルで混合
する方法を採用した。
９３℃）、 ＰｂＯ：Ｂ2 Ｏ3 ：ＳｉＯ2＝０．９：０．０７５：
０．０２５（融点４６０℃）、 Ｐｂ5 Ｇｅ3 Ｏ12（融点７３８℃）、 Ｐｂ5（Ｇｅ2.4 Ｓｉ0.4 ）Ｏ11（融点７４２℃）、 Ｌｉ2 Ｂｉ2 Ｏ4 （融点６９０℃） であり、添加方法として各種酸化物をボールミルで混合
する方法を採用した。
【００３１】
【表３】
【００３２】上記［表３］において例えば「４．５／９
７／○」は結晶粒サイズ（μｍ）、焼結体密度（％）、
膜特性の判定結果を示している。なお、無添加品は平均
粒径３．７μｍ、相対密度９７％であった。無添加品が
平均粒径４．５μｍに至らなかったことは、本発明にお
いて焼結助剤添加が必須であることを示しているわけで
はない。［表３］の結果は、焼成温度１１５０℃におけ
る結果であり、この温度の上昇により平均粒径４．５μ
ｍ以上を得ることは可能であった。
７／○」は結晶粒サイズ（μｍ）、焼結体密度（％）、
膜特性の判定結果を示している。なお、無添加品は平均
粒径３．７μｍ、相対密度９７％であった。無添加品が
平均粒径４．５μｍに至らなかったことは、本発明にお
いて焼結助剤添加が必須であることを示しているわけで
はない。［表３］の結果は、焼成温度１１５０℃におけ
る結果であり、この温度の上昇により平均粒径４．５μ
ｍ以上を得ることは可能であった。
【００３３】実施例４ ＰＬＺＴを例に２段階焼成の実施例を示す。ＰＬＺＴの
仮焼粉作製に当たり、下記［化１］に基づいて各酸化物
を秤量した。
仮焼粉作製に当たり、下記［化１］に基づいて各酸化物
を秤量した。
【００３４】
【化１】
【００３５】具体的には、ＰＬＺＴ（ｘ／ｙ／ｚ）＝Ｐ
ＬＺＴ（９／６５／３５）とし、過剰鉛量を５モル％と
した。用いた酸化物粉体は純度９９．９％のものであ
る。ただし、酸化ジルコニウムに関しては不純物として
のＨｆ量は計数していない。これらの酸化物をエタノー
ルを用いた湿式のボールミル（ジルコニアボールを使
用）にて粉砕した後、混合・乾燥して混合粉を得た。こ
れを成形した後、８５０℃×８時間で１次仮焼を行い、
成形体を粉砕した後、９５０℃×８時間の条件で２次仮
焼を行った。この成形体を同様にしてボールミルで粉砕
し、最終的に比表面積３〜５ｇ／ｍ2 のＰＬＺＴ粉体を
得た。この粉体を成形し、マグネシアのルツボを用いて
サンドベット法により１２５０℃×８時間の条件で第１
焼成を行った。ついで、第２焼成を１１５０℃×１５時
間の条件で行った。得られたセラミックスの平均結晶粒
径は８．７μｍ、相対密度は９９．４％に達していた。
この焼結体をターゲット形状に加工し、実施例１と同様
に成膜実験を行い評価したところ、何ら問題のない結果
が得られた。
ＬＺＴ（９／６５／３５）とし、過剰鉛量を５モル％と
した。用いた酸化物粉体は純度９９．９％のものであ
る。ただし、酸化ジルコニウムに関しては不純物として
のＨｆ量は計数していない。これらの酸化物をエタノー
ルを用いた湿式のボールミル（ジルコニアボールを使
用）にて粉砕した後、混合・乾燥して混合粉を得た。こ
れを成形した後、８５０℃×８時間で１次仮焼を行い、
成形体を粉砕した後、９５０℃×８時間の条件で２次仮
焼を行った。この成形体を同様にしてボールミルで粉砕
し、最終的に比表面積３〜５ｇ／ｍ2 のＰＬＺＴ粉体を
得た。この粉体を成形し、マグネシアのルツボを用いて
サンドベット法により１２５０℃×８時間の条件で第１
焼成を行った。ついで、第２焼成を１１５０℃×１５時
間の条件で行った。得られたセラミックスの平均結晶粒
径は８．７μｍ、相対密度は９９．４％に達していた。
この焼結体をターゲット形状に加工し、実施例１と同様
に成膜実験を行い評価したところ、何ら問題のない結果
が得られた。
【００３６】実施例５ 実施例３に示したＰＮＮ−ＰＺＴ系セラミックスや、化
学式が０．３７５Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ０．６
２５Ｐｂ（Ｚｒ0.4 Ｔｉ0.6 ）Ｏ3 で示されるＰＭＮ−
ＰＺＴでは、あらかじめＺｒＴｉＯ4 ，ＮｉＮｂ
2 Ｏ5 ，ＭｇＮｂ2 Ｏ5 を複合酸化物として形成してお
き、その後にＰｂＯと固相反応させ、最終的なセラミッ
クスを得た。ＰＮＮ−ＰＺＴ系では、ＮｉＮｂｏｘｉｄ
ｅを共沈法にて析出させ、その後９００℃の熱処理にて
均一なＮｉＮｂｏｘｉｄｅを作製した。また、ＭｇＮｂ
ｏｘｉｄｅでは一般的な水熱合成法、または先述の共沈
法を使用した。この場合の利点は、過剰鉛量を正確に導
入できる点にある。通常の酸化物混合法によりセラミッ
クス仮焼粉を作製した場合には、強誘電体には望ましく
ない準安定結晶相であるパイロクロア相の混入が認めら
れる。これに対し、ＮｉＮｂｏｘｉｄｅを固相反応にて
作製した場合には、最終的なセラミックス粉にパイロク
ロア相の混入は認められなかった。さらに、先述の化学
的処方によりＮｉＮｂｏｘｉｄｅを作製した場合、最終
的なセラミックス粉の粒径分布がシャープになり、かつ
比表面積も６〜８ｇ／ｍ2 に増加し、仮焼粉として理想
的な状態に近づいた。
学式が０．３７５Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ０．６
２５Ｐｂ（Ｚｒ0.4 Ｔｉ0.6 ）Ｏ3 で示されるＰＭＮ−
ＰＺＴでは、あらかじめＺｒＴｉＯ4 ，ＮｉＮｂ
2 Ｏ5 ，ＭｇＮｂ2 Ｏ5 を複合酸化物として形成してお
き、その後にＰｂＯと固相反応させ、最終的なセラミッ
クスを得た。ＰＮＮ−ＰＺＴ系では、ＮｉＮｂｏｘｉｄ
ｅを共沈法にて析出させ、その後９００℃の熱処理にて
均一なＮｉＮｂｏｘｉｄｅを作製した。また、ＭｇＮｂ
ｏｘｉｄｅでは一般的な水熱合成法、または先述の共沈
法を使用した。この場合の利点は、過剰鉛量を正確に導
入できる点にある。通常の酸化物混合法によりセラミッ
クス仮焼粉を作製した場合には、強誘電体には望ましく
ない準安定結晶相であるパイロクロア相の混入が認めら
れる。これに対し、ＮｉＮｂｏｘｉｄｅを固相反応にて
作製した場合には、最終的なセラミックス粉にパイロク
ロア相の混入は認められなかった。さらに、先述の化学
的処方によりＮｉＮｂｏｘｉｄｅを作製した場合、最終
的なセラミックス粉の粒径分布がシャープになり、かつ
比表面積も６〜８ｇ／ｍ2 に増加し、仮焼粉として理想
的な状態に近づいた。
【００３７】実施例６ ＰＬＺＴの実施例において過剰鉛が５モル％の場合を示
す。ここでは過剰量を０〜１５モル％の範囲で変化させ
たときに最適値が存在することを示す。得られたセラミ
ックスの粒径、相対密度は［表４］、［表５］に示すと
おりである。［表４］は２段階焼成における第１焼成の
条件を１２５０℃×８時間、第２焼成の条件を１１５０
℃×１５時間とした場合である。また、［表５］は２段
階焼成における第１焼成の条件を１３００℃×３０時
間、第２焼成の条件を１０５０℃×３０時間とした場合
である。これらの表に示す評価は、膜特性において５モ
ル％を基準（○）とし、Ｐｒ，Ｅｃの変化についての評
価は先述の基準に従った。
す。ここでは過剰量を０〜１５モル％の範囲で変化させ
たときに最適値が存在することを示す。得られたセラミ
ックスの粒径、相対密度は［表４］、［表５］に示すと
おりである。［表４］は２段階焼成における第１焼成の
条件を１２５０℃×８時間、第２焼成の条件を１１５０
℃×１５時間とした場合である。また、［表５］は２段
階焼成における第１焼成の条件を１３００℃×３０時
間、第２焼成の条件を１０５０℃×３０時間とした場合
である。これらの表に示す評価は、膜特性において５モ
ル％を基準（○）とし、Ｐｒ，Ｅｃの変化についての評
価は先述の基準に従った。
【００３８】
【表４】
【００３９】
【表５】
【００４０】上記［表４］、［表５］について説明する
と、過剰鉛の量が仕込み時に１０モル％以上の場合、粒
界部のＰｂが粒成長を阻害し、結晶粒は結果として成長
しない。また、最終焼結品に鉛が０．６モル％以上過剰
に含まれる場合には、膜特性において抵抗率の低下を招
き、特性の劣化が認められる。さらに、過剰鉛がない場
合には鉛欠損により残留分極の低下、抗電界の増加を招
く。
と、過剰鉛の量が仕込み時に１０モル％以上の場合、粒
界部のＰｂが粒成長を阻害し、結晶粒は結果として成長
しない。また、最終焼結品に鉛が０．６モル％以上過剰
に含まれる場合には、膜特性において抵抗率の低下を招
き、特性の劣化が認められる。さらに、過剰鉛がない場
合には鉛欠損により残留分極の低下、抗電界の増加を招
く。
【００４１】実施例７ 実施例３では各種助剤濃度による影響を調べたが、ここ
では仕込み時のＬｉ2Ｏ−Ｂｉ2 Ｏ3 濃度、焼成後の濃
度をＰＺＴ（５２／４８）０．５ｗｔ％Ｎｂ添加とした
セラミックスについての結果を［表６］に示す。焼結は
２段階焼成とし、第１焼成の条件を１２５０℃×２時
間、第２焼成の条件を１０５０℃×１０時間とした。こ
のセラミックスにおける最適な過剰鉛量は３モル％であ
った。
では仕込み時のＬｉ2Ｏ−Ｂｉ2 Ｏ3 濃度、焼成後の濃
度をＰＺＴ（５２／４８）０．５ｗｔ％Ｎｂ添加とした
セラミックスについての結果を［表６］に示す。焼結は
２段階焼成とし、第１焼成の条件を１２５０℃×２時
間、第２焼成の条件を１０５０℃×１０時間とした。こ
のセラミックスにおける最適な過剰鉛量は３モル％であ
った。
【００４２】
【表６】
【００４３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば以下の効果が得られる。 （１）請求項１の発明 スパッタリング用セラミックスターゲットを構成する結
晶粒の平均粒径を適正化することで、成膜時における破
損や接合部での剥離がなく、かつ使用回数増大による径
年変化のない強誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
トを提供することができる。
よれば以下の効果が得られる。 （１）請求項１の発明 スパッタリング用セラミックスターゲットを構成する結
晶粒の平均粒径を適正化することで、成膜時における破
損や接合部での剥離がなく、かつ使用回数増大による径
年変化のない強誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
トを提供することができる。
【００４４】（２）請求項２の発明 相対密度の最適化により、成膜時におけるターゲット破
損や接合部での剥離がなく、かつ使用回数増大による径
年変化のない強誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
トを提供することができる。
損や接合部での剥離がなく、かつ使用回数増大による径
年変化のない強誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
トを提供することができる。
【００４５】（３）請求項３の発明 焼結助剤を用いることで、高緻密で結晶粒サイズが適正
化された強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを
得ることができる。
化された強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを
得ることができる。
【００４６】（４）請求項４の発明 ２段階焼成により、高緻密で結晶粒サイズが適正化され
た強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを得るこ
とができる。
た強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを得るこ
とができる。
【００４７】（５）請求項５の発明 均一な仮焼粉を作製でき、高緻密で結晶粒サイズが適正
化された強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを
効果的に得ることができる。
化された強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを
効果的に得ることができる。
【００４８】（６）請求項６の発明 過剰鉛量の最適化により、高緻密で結晶粒サイズが適正
化された強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを
得ることができる。
化された強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを
得ることができる。
【００４９】（７）請求項７の発明 焼結助剤添加量の最適化により、高緻密で結晶粒サイズ
が適正化された強誘電体膜形成用スパッタリングターゲ
ットを得ることができる。
が適正化された強誘電体膜形成用スパッタリングターゲ
ットを得ることができる。
Claims (7)
- 【請求項１】 鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成用
のスパッタリングセラミックスターゲットであって、粒
径が４μｍ以上の結晶粒で構成したことを特徴とするス
パッタリングターゲット。 - 【請求項２】 鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成用
のスパッタリングセラミックスターゲットであって、密
度が理論密度の９７％以上であることを特徴とするスパ
ッタリングターゲット。 - 【請求項３】 鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成用
のスパッタリングセラミックスターゲットであって、該
ターゲットの焼結助剤としてリチウム、硼素、シリコ
ン、ゲルマニウム、ビスマス、亜鉛、鉛の各酸化物のう
ち少なくとも一種を添加し、液相焼結させたことを特徴
とするスパッタリングターゲット。 - 【請求項４】 鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成用
のスパッタリングセラミックスターゲットの製造方法で
あって、原料粉末として各種金属酸化物、または金属炭
酸塩の粉末を用意し、これらの粉末を混合し、得られた
混合粉末を大気中で予備焼結して予備焼結体を作製し、
この予備焼結体を粉砕して鉛系複合酸化物粉末を作製
し、この粉末をプレス成形し、焼結して焼結体とした
後、該焼結体を機械加工してスパッタリングターゲット
とする方法において、第１次焼結を予備焼結温度より高
い温度で実施した後、第２次焼結を予備焼結温度より高
く、かつ第１次焼結より低い温度で実施することを特徴
とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項５】 鉛系ペロブスカイト型強誘電体膜形成用
のスパッタリングセラミックスターゲットの製造方法に
おいて、鉛系ペロブスカイト型強誘電体セラミックスの
鉛サイト以外の構成元素群を複合酸化物として形成した
後、該複合酸化物を酸化鉛と固相反応させることによ
り、目的とする鉛系ペロブスカイト型強誘電体セラミッ
クスを得ることを特徴とするスパッタリングターゲット
の製造方法。 - 【請求項６】 前記鉛系ペロブスカイト型強誘電体セラ
ミックスにおける酸化鉛は、仕込み段階で化学量論比に
対して５モル％以下の範囲で過剰に仕込み、本焼成後の
セラミックスターゲット中に０．５モル％以下の過剰量
で存在させることを特徴とする請求項５に記載のスパッ
タリングターゲットの製造方法。 - 【請求項７】 前記鉛系ペロブスカイト型強誘電体セラ
ミックスにおける液相焼結助剤は、該助剤の割合が仕込
み段階で２ｗｔ％以下となる量を添加し、本焼成後のセ
ラミックスターゲット中の割合を１ｗｔ％以下とするこ
とを特徴とする請求項５に記載のスパッタリングターゲ
ットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10155251A JPH11335825A (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10155251A JPH11335825A (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11335825A true JPH11335825A (ja) | 1999-12-07 |
Family
ID=15601848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10155251A Pending JPH11335825A (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11335825A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003063860A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 焼結体ターゲット，それを利用した誘電体薄膜及びその製造方法，それを利用した電子部品 |
| JP2007191351A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Seiko Epson Corp | 絶縁性ターゲット材料の製造方法 |
| JP2009215629A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | レーザ蒸着用ターゲットおよびその製造方法 |
| US7731933B2 (en) | 2005-08-30 | 2010-06-08 | Seiko Epson Corporation | Insulating target material, method of manufacturing insulating target material, insulating complex oxide film, and device |
| WO2011108536A1 (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-09 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化アルミニウム－酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
| JP6042520B1 (ja) * | 2015-11-05 | 2016-12-14 | デクセリアルズ株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2017179416A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | Tdk株式会社 | 圧電磁器スパッタリングターゲット、非鉛圧電薄膜およびそれを用いた圧電薄膜素子 |
-
1998
- 1998-05-20 JP JP10155251A patent/JPH11335825A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003063860A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 焼結体ターゲット，それを利用した誘電体薄膜及びその製造方法，それを利用した電子部品 |
| US7731933B2 (en) | 2005-08-30 | 2010-06-08 | Seiko Epson Corporation | Insulating target material, method of manufacturing insulating target material, insulating complex oxide film, and device |
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| JP6042520B1 (ja) * | 2015-11-05 | 2016-12-14 | デクセリアルズ株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2017088932A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | デクセリアルズ株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
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| CN107235724A (zh) * | 2016-03-29 | 2017-10-10 | Tdk株式会社 | 压电陶瓷溅射靶材、无铅压电薄膜以及压电薄膜元件 |
| US10700260B2 (en) | 2016-03-29 | 2020-06-30 | Tdk Corporation | Piezoelectric ceramic sputtering target, lead-free piezoelectric thin film and piezoelectric thin film element using the same |
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