JP2000247739A - 高密度Ｐｔ系金属含有金属導電性酸化物およびその製造方法 - Google Patents
高密度Ｐｔ系金属含有金属導電性酸化物およびその製造方法Info
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- JP2000247739A JP2000247739A JP11048277A JP4827799A JP2000247739A JP 2000247739 A JP2000247739 A JP 2000247739A JP 11048277 A JP11048277 A JP 11048277A JP 4827799 A JP4827799 A JP 4827799A JP 2000247739 A JP2000247739 A JP 2000247739A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｐｔ系金属とアルカリ土類金属とを含
む、焼結特性の改善された高密度を有する金属導電性酸
化物およびその製造方法の提供。 【解決手段】 周期表８〜１０族Ｐｔ系金属酸化物、ま
たはＰｔ系金属とアルカリ土類金属とを含む金属導電性
酸化物に、周期表１２〜１５族の金属またはその化合物
を０．００１〜０．５ｍｏｌ添加し、焼結する。
む、焼結特性の改善された高密度を有する金属導電性酸
化物およびその製造方法の提供。 【解決手段】 周期表８〜１０族Ｐｔ系金属酸化物、ま
たはＰｔ系金属とアルカリ土類金属とを含む金属導電性
酸化物に、周期表１２〜１５族の金属またはその化合物
を０．００１〜０．５ｍｏｌ添加し、焼結する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度の周期表第
８〜１０族Ｐｔ系金属酸化物、および該Ｐｔ系金属とア
ルカリ土類金属とを含む高密度の金属導電性酸化物、な
らびにその製造方法に関する。この高密度の酸化物は電
極材薄膜用ターゲットとして有用である。
８〜１０族Ｐｔ系金属酸化物、および該Ｐｔ系金属とア
ルカリ土類金属とを含む高密度の金属導電性酸化物、な
らびにその製造方法に関する。この高密度の酸化物は電
極材薄膜用ターゲットとして有用である。
【０００２】
【従来の技術】誘電体材料であるＰｂＺｒxＴｉ1-xＯ3
（ＰＴＺ、０＜ｘ≦１）やＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9（ＳＢ
Ｔ）の薄膜を用いたＤＲＡＭ、ＦＲＡＭ等のメモリーの
開発が盛んに行われている。この誘電体薄膜メモリーの
一般的な構造を図１に示す。誘電体薄膜メモリーで特に
重要となっているのが膜の疲労特性とデータ保持特性で
あり、材料や成膜法の工夫により劣化の少ない膜が開発
されつつある。特に鍵を握る技術として注目されている
のが、図１に示す構造における電極（Ｐｔ電極）３の材
料の開発である。この電極３は、基板（ｐ−Ｓｉ）１上
に設けられたＳｉＯ2２上に形成され、電極３は所定の
部分が強誘電体薄膜４（例えば、ＰＺＴ、ＳＢＴ等）で
覆われる。これまで電極としてＰｔ電極を用いる方式が
一般的であったが、Ｐｔの触媒効果により強誘電体薄膜
が水素劣化することが報告された(Y.Shimamoto,K.Kushi
da-Abdelghafar,H.Miki および Y.Fujisaki,Appl.Phys.
Lett.,70,1997,3096)。
（ＰＴＺ、０＜ｘ≦１）やＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9（ＳＢ
Ｔ）の薄膜を用いたＤＲＡＭ、ＦＲＡＭ等のメモリーの
開発が盛んに行われている。この誘電体薄膜メモリーの
一般的な構造を図１に示す。誘電体薄膜メモリーで特に
重要となっているのが膜の疲労特性とデータ保持特性で
あり、材料や成膜法の工夫により劣化の少ない膜が開発
されつつある。特に鍵を握る技術として注目されている
のが、図１に示す構造における電極（Ｐｔ電極）３の材
料の開発である。この電極３は、基板（ｐ−Ｓｉ）１上
に設けられたＳｉＯ2２上に形成され、電極３は所定の
部分が強誘電体薄膜４（例えば、ＰＺＴ、ＳＢＴ等）で
覆われる。これまで電極としてＰｔ電極を用いる方式が
一般的であったが、Ｐｔの触媒効果により強誘電体薄膜
が水素劣化することが報告された(Y.Shimamoto,K.Kushi
da-Abdelghafar,H.Miki および Y.Fujisaki,Appl.Phys.
Lett.,70,1997,3096)。
【０００３】そこで、Ｐｔに代わる電極材の探索が盛ん
に行われ、酸化物誘電体とのマッチングの良い酸化物材
料（ＩｒＯ2、ＲｕＯ2、ＳｒＲｕＯ3、ＣａＲｕＯ3、Ｓ
ｒＩｒＯ3）の利用が有望視された。これらの酸化物材
料からなる電極をＰｔ電極の代わりに用いるか、または
図１に示すように、強誘電体薄膜４の上に金属導電性酸
化物電極５の層を設け、さらにその上にＰｔ電極３’を
積層する方法が、誘電体特性の劣化を防ぐ有効な方法と
して提案されていた。特に、周期表８〜１０族Ｐｔ系金
属とアルカリ土類金属とを含む酸化物（ＳｒＲｕＯ3、
ＣａＲｕＯ3、ＳｒＩｒＯ3等）材は、そのバルクの抵抗
率が１０-5（３００Ｋ）Ω・ｍ以下であり、優れた電極
材であるといえる。かかる金属導電性酸化物からなる薄
膜は誘電体メモリー特性の劣化防止効果の高いことが周
知の事実となってきている。しかし、メモリーの性能と
しては、まだまだ満足のいくものではなく、ＳｒＲｕＯ
3等の薄膜の均一性、表面モフォロジー等が悪く、改善
の余地を残している。その主な原因として、スパッタリ
ング法で用いるＳｒＲｕＯ3等のターゲットの密度が非
常に低いことがあげられる。
に行われ、酸化物誘電体とのマッチングの良い酸化物材
料（ＩｒＯ2、ＲｕＯ2、ＳｒＲｕＯ3、ＣａＲｕＯ3、Ｓ
ｒＩｒＯ3）の利用が有望視された。これらの酸化物材
料からなる電極をＰｔ電極の代わりに用いるか、または
図１に示すように、強誘電体薄膜４の上に金属導電性酸
化物電極５の層を設け、さらにその上にＰｔ電極３’を
積層する方法が、誘電体特性の劣化を防ぐ有効な方法と
して提案されていた。特に、周期表８〜１０族Ｐｔ系金
属とアルカリ土類金属とを含む酸化物（ＳｒＲｕＯ3、
ＣａＲｕＯ3、ＳｒＩｒＯ3等）材は、そのバルクの抵抗
率が１０-5（３００Ｋ）Ω・ｍ以下であり、優れた電極
材であるといえる。かかる金属導電性酸化物からなる薄
膜は誘電体メモリー特性の劣化防止効果の高いことが周
知の事実となってきている。しかし、メモリーの性能と
しては、まだまだ満足のいくものではなく、ＳｒＲｕＯ
3等の薄膜の均一性、表面モフォロジー等が悪く、改善
の余地を残している。その主な原因として、スパッタリ
ング法で用いるＳｒＲｕＯ3等のターゲットの密度が非
常に低いことがあげられる。
【０００４】周期表８〜１０族Ｐｔ系金属とアルカリ土
類金属とを含む金属導電性酸化物は、Ｐｔ系金属または
Ｐｔ系金属酸化物にアルカリ土類金属またはアルカリ土
類金属を含む炭酸塩、硝酸塩もしくは酸化物を混合し、
大気中または酸素雰囲気中で熱処理して合成されてい
た。金属から直接焼結する方法もあるが、この方法では
酸化物が形成される段階で体積膨張するため、酸化物を
合成してから焼結するのが一般的である。酸化物ＡＢＯ
3（Ａ＝Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ；Ｂ＝Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ；）の粉末も同様の方法で合成されていた。例えば、
ＲｕとＳｒＣＯ3を１：１のモル比で秤量し、エタノー
ルを媒体としてボールミル混合し、乾燥後、１０００〜
１２００℃で０．５〜３時間仮焼し、粉砕し、得られた
粉末を加圧成形し、次いで、得られた成形体を炉内にセ
ットし、１０００〜１３５０℃で０．５〜６時間焼結
し、目的物を得ていた。このようにして得られたＳｒＲ
ｕＯ3について、焼結温度に対する相対密度の変化を図
２に示す。ここで相対密度とは、ＳｒＲｕＯ3の理論密
度ρ＝６．４７（ｇ／ｃｍ3）を１００％とした場合の
実密度の相対値を示すものとする。図２から明らかなよ
うに、いずれの温度で焼結しても、得られた焼結体の相
対密度は６５％より低かった。１２５０℃で焼結したも
ののＳＥＭ像を図３に示す。図３から、殆ど粒成長が見
られず、焼結が進行していないことが分かる。このよう
に、得られた焼結体の相対密度が非常に低いのは、粒成
長が起こり難く、焼結性が非常に悪いためである。参考
としてＲｕＯ 2の解離圧について図４に示す（田部浩
三、清水哲郎、笛木和雄、金属酸化物と複合酸化物、講
談社、第２８４頁）。通常のセラミックスでは焼結温度
が高くなる程密度が上がるのに対し、この酸化物は、焼
結温度が高くなる程、Ｒｕ酸化物（ＲｕＯ3、ＲｕＯ4）
の揮発量が増加し、逆に密度低下を引き起こしてしまう
のである。
類金属とを含む金属導電性酸化物は、Ｐｔ系金属または
Ｐｔ系金属酸化物にアルカリ土類金属またはアルカリ土
類金属を含む炭酸塩、硝酸塩もしくは酸化物を混合し、
大気中または酸素雰囲気中で熱処理して合成されてい
た。金属から直接焼結する方法もあるが、この方法では
酸化物が形成される段階で体積膨張するため、酸化物を
合成してから焼結するのが一般的である。酸化物ＡＢＯ
3（Ａ＝Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ；Ｂ＝Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ；）の粉末も同様の方法で合成されていた。例えば、
ＲｕとＳｒＣＯ3を１：１のモル比で秤量し、エタノー
ルを媒体としてボールミル混合し、乾燥後、１０００〜
１２００℃で０．５〜３時間仮焼し、粉砕し、得られた
粉末を加圧成形し、次いで、得られた成形体を炉内にセ
ットし、１０００〜１３５０℃で０．５〜６時間焼結
し、目的物を得ていた。このようにして得られたＳｒＲ
ｕＯ3について、焼結温度に対する相対密度の変化を図
２に示す。ここで相対密度とは、ＳｒＲｕＯ3の理論密
度ρ＝６．４７（ｇ／ｃｍ3）を１００％とした場合の
実密度の相対値を示すものとする。図２から明らかなよ
うに、いずれの温度で焼結しても、得られた焼結体の相
対密度は６５％より低かった。１２５０℃で焼結したも
ののＳＥＭ像を図３に示す。図３から、殆ど粒成長が見
られず、焼結が進行していないことが分かる。このよう
に、得られた焼結体の相対密度が非常に低いのは、粒成
長が起こり難く、焼結性が非常に悪いためである。参考
としてＲｕＯ 2の解離圧について図４に示す（田部浩
三、清水哲郎、笛木和雄、金属酸化物と複合酸化物、講
談社、第２８４頁）。通常のセラミックスでは焼結温度
が高くなる程密度が上がるのに対し、この酸化物は、焼
結温度が高くなる程、Ｒｕ酸化物（ＲｕＯ3、ＲｕＯ4）
の揮発量が増加し、逆に密度低下を引き起こしてしまう
のである。
【０００５】上記したように、周期表８〜１０族Ｐｔ系
金属とアルカリ土類金属とを含む金属導電性酸化物の高
密度焼結体を得ることは非常に困難であった。そこで、
ＳｒＲｕＯ3等の金属導電性酸化物の密度を上げる方法
の開発が望まれていた。
金属とアルカリ土類金属とを含む金属導電性酸化物の高
密度焼結体を得ることは非常に困難であった。そこで、
ＳｒＲｕＯ3等の金属導電性酸化物の密度を上げる方法
の開発が望まれていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したような従来の
金属酸化物製造方法によれば、得られる周期表８〜１０
族Ｐｔ系金属酸化物、または該Ｐｔ系金属とアルカリ土
類金属とを含む金属導電性酸化物の相対密度は６５％程
度より低く、これ以上の相対密度を有する焼結体を得る
ことができなかった。密度の低い酸化物材からなるター
ゲットでは、操作時に割れや欠けが起こり易く、また投
入パワーが上げられず、さらにはスパッタ装置の真空引
き時に時間を要してしまい量産性が低いといった問題を
抱えていた。そこで、本発明は、相対密度６５％以上、
好ましくは７０％以上を有する、周期表８〜１０族Ｐｔ
系金属酸化物、および該Ｐｔ系金属とアルカリ土類金属
とを含む金属導電性酸化物、ならびにその製造方法を提
供することを課題とする。
金属酸化物製造方法によれば、得られる周期表８〜１０
族Ｐｔ系金属酸化物、または該Ｐｔ系金属とアルカリ土
類金属とを含む金属導電性酸化物の相対密度は６５％程
度より低く、これ以上の相対密度を有する焼結体を得る
ことができなかった。密度の低い酸化物材からなるター
ゲットでは、操作時に割れや欠けが起こり易く、また投
入パワーが上げられず、さらにはスパッタ装置の真空引
き時に時間を要してしまい量産性が低いといった問題を
抱えていた。そこで、本発明は、相対密度６５％以上、
好ましくは７０％以上を有する、周期表８〜１０族Ｐｔ
系金属酸化物、および該Ｐｔ系金属とアルカリ土類金属
とを含む金属導電性酸化物、ならびにその製造方法を提
供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のＰｔ系金属含有
金属導電性酸化物は、周期表８〜１０族のＰｔ系金属酸
化物、または該Ｐｔ系金属とアルカリ土類金属とを含む
金属導電性酸化物に、周期表１２〜１５族の少なくとも
一種の金属またはこの金属を含む化合物を添加し、焼結
したものである。本発明によれば、高密度の焼結体を得
ることの難しいＰｔ系金属酸化物材料、または該Ｐｔ系
金属とアルカリ土類金属とを含む金属導電性酸化物電極
材料の粉末に、周期表１２〜１５族金属またはこの金属
を含む化合物を所定量、通常０．００１〜０．５ｍｏ
ｌ、好ましくは０．０１〜０．０７ｍｏｌ、さらに好ま
しくは０．０３〜０．０５ｍｏｌ添加することにより、
焼結特性を改善して、容易に高密度の金属導電性酸化物
電極材料が製造され得る。該周期表１２〜１５族金属ま
たはこの金属を含む化合物の添加量が、０．００１ｍｏ
ｌ未満だと得られる焼結体の相対密度が低くなり、スパ
ッタリング用ターゲットとして用いるには好ましくない
という問題があり、また、０．５ｍｏｌを超えると主成
分である金属導電性酸化物に対する添加成分を多く加え
ることにより異種化合物の生成量が増加し、導電性を損
なうという問題がある。
金属導電性酸化物は、周期表８〜１０族のＰｔ系金属酸
化物、または該Ｐｔ系金属とアルカリ土類金属とを含む
金属導電性酸化物に、周期表１２〜１５族の少なくとも
一種の金属またはこの金属を含む化合物を添加し、焼結
したものである。本発明によれば、高密度の焼結体を得
ることの難しいＰｔ系金属酸化物材料、または該Ｐｔ系
金属とアルカリ土類金属とを含む金属導電性酸化物電極
材料の粉末に、周期表１２〜１５族金属またはこの金属
を含む化合物を所定量、通常０．００１〜０．５ｍｏ
ｌ、好ましくは０．０１〜０．０７ｍｏｌ、さらに好ま
しくは０．０３〜０．０５ｍｏｌ添加することにより、
焼結特性を改善して、容易に高密度の金属導電性酸化物
電極材料が製造され得る。該周期表１２〜１５族金属ま
たはこの金属を含む化合物の添加量が、０．００１ｍｏ
ｌ未満だと得られる焼結体の相対密度が低くなり、スパ
ッタリング用ターゲットとして用いるには好ましくない
という問題があり、また、０．５ｍｏｌを超えると主成
分である金属導電性酸化物に対する添加成分を多く加え
ることにより異種化合物の生成量が増加し、導電性を損
なうという問題がある。
【０００８】従来、周期表８〜１０族Ｐｔ系金属酸化
物、またはＰｔ系金属とアルカリ土類金属とを含む導電
性金属酸化物からなる電極材料を形成するために用いら
れるスパッタリング用ターゲットは、助剤なしで焼結す
る方法により得られており、その焼結体の相対密度は６
５％程度より低かった。これらの金属酸化物に低融点の
周期表１２〜１５族の金属、またはその酸化物（例え
ば、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ 2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｔｌ2Ｏ3、
Ｉｎ2Ｏ3等）等の化合物を所定量添加することにより、
低温で粒成長し、揮発成分の揮発を抑制して緻密化が進
行し、高密度のＰｔ系金属酸化物、またはＰｔ系金属と
アルカリ土類金属とを含む高密度の金属導電性酸化物が
得られるので、かかる高密度酸化物からなる電極材を得
ることが可能となる。電極材に誘電体薄膜材料を含むこ
とで積層膜となった場合の、膜の密着強度の改善および
誘電体成分（ＰＺＴのＰｂ、ＳＢＴのＢｉ）の電極材へ
の拡散抑止効果も期待できる。そのため、最終的には高
性能なメモリーの製造に貢献できる。
物、またはＰｔ系金属とアルカリ土類金属とを含む導電
性金属酸化物からなる電極材料を形成するために用いら
れるスパッタリング用ターゲットは、助剤なしで焼結す
る方法により得られており、その焼結体の相対密度は６
５％程度より低かった。これらの金属酸化物に低融点の
周期表１２〜１５族の金属、またはその酸化物（例え
ば、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ 2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｔｌ2Ｏ3、
Ｉｎ2Ｏ3等）等の化合物を所定量添加することにより、
低温で粒成長し、揮発成分の揮発を抑制して緻密化が進
行し、高密度のＰｔ系金属酸化物、またはＰｔ系金属と
アルカリ土類金属とを含む高密度の金属導電性酸化物が
得られるので、かかる高密度酸化物からなる電極材を得
ることが可能となる。電極材に誘電体薄膜材料を含むこ
とで積層膜となった場合の、膜の密着強度の改善および
誘電体成分（ＰＺＴのＰｂ、ＳＢＴのＢｉ）の電極材へ
の拡散抑止効果も期待できる。そのため、最終的には高
性能なメモリーの製造に貢献できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明で用いる周期表８〜１０族
Ｐｔ系金属は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、ＩｒおよびＰ
ｔであり、好ましくはＲｕ、Ｒｈ、ＩｒおよびＰｔであ
る。アルカリ土類金属は、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａである。金
属導電性酸化物には、例えばＳｒＲｕＯ3、ＳｒＩｒ
Ｏ3、ＣａＲｕＯ3、ＢａＲｕＯ3、Ｓｒ2ＲｕＯ4、Ｓｒ2
ＩｒＯ4、Ｂａ0.67Ｓｒ0.33ＩｒＯ3等、およびその混合
物が含まれる。本発明で用いる周期表１２族金属は、亜
鉛、カドミウム、水銀であり、好ましくは亜鉛であり、
１３族金属は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎおよびＴｌであ
り、好ましくはＩｎおよびＴｌであり、１４族金属は、
Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＰｂであり、好ましくはＳ
ｎおよびＰｂであり、また、１５族金属は、Ｎ、Ｐ、Ａ
ｓ、ＳｂおよびＢｉであり、好ましくはＢｉである。こ
れらの金属を少なくとも一種含む化合物としては、酸化
物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、水酸化物、塩化物、フッ
化物、硫化物、もしくはヨウ化物、またはその混合物等
を用いることができ、例えば、ＰｂＯ、Ｐｂ2Ｏ、Ｐｂ3
Ｏ4、Ｐｂ2Ｏ3、ＢｉＯ、Ｂｉ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ 5、Ｓｎ
Ｏ2、Ｔｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＰｂＣＯ3、Ｐｂ
(ＮＯ3)2、ＴｌＮＯ3、Ｂｉ(ＮＯ3)3、ＰｂＳＯ4、Ｂｉ
(ＯＨ)3、Ｐｂ(ＯＨ)2、ＰｂＣｌ2、ＰｂＣｌ4、ＳｎＣ
ｌ4、ＢｉＣｌ3、ＰｂＦ2、ＴｌＦ、ＴｌＦ3、ＢｉＳ、
Ｂｉ2Ｓ3、ＴｌＳ、Ｉｎ2Ｓ、もしくはＰｂＩ2等、また
はその混合物が好ましい。
Ｐｔ系金属は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、ＩｒおよびＰ
ｔであり、好ましくはＲｕ、Ｒｈ、ＩｒおよびＰｔであ
る。アルカリ土類金属は、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａである。金
属導電性酸化物には、例えばＳｒＲｕＯ3、ＳｒＩｒ
Ｏ3、ＣａＲｕＯ3、ＢａＲｕＯ3、Ｓｒ2ＲｕＯ4、Ｓｒ2
ＩｒＯ4、Ｂａ0.67Ｓｒ0.33ＩｒＯ3等、およびその混合
物が含まれる。本発明で用いる周期表１２族金属は、亜
鉛、カドミウム、水銀であり、好ましくは亜鉛であり、
１３族金属は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎおよびＴｌであ
り、好ましくはＩｎおよびＴｌであり、１４族金属は、
Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＰｂであり、好ましくはＳ
ｎおよびＰｂであり、また、１５族金属は、Ｎ、Ｐ、Ａ
ｓ、ＳｂおよびＢｉであり、好ましくはＢｉである。こ
れらの金属を少なくとも一種含む化合物としては、酸化
物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、水酸化物、塩化物、フッ
化物、硫化物、もしくはヨウ化物、またはその混合物等
を用いることができ、例えば、ＰｂＯ、Ｐｂ2Ｏ、Ｐｂ3
Ｏ4、Ｐｂ2Ｏ3、ＢｉＯ、Ｂｉ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ 5、Ｓｎ
Ｏ2、Ｔｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＰｂＣＯ3、Ｐｂ
(ＮＯ3)2、ＴｌＮＯ3、Ｂｉ(ＮＯ3)3、ＰｂＳＯ4、Ｂｉ
(ＯＨ)3、Ｐｂ(ＯＨ)2、ＰｂＣｌ2、ＰｂＣｌ4、ＳｎＣ
ｌ4、ＢｉＣｌ3、ＰｂＦ2、ＴｌＦ、ＴｌＦ3、ＢｉＳ、
Ｂｉ2Ｓ3、ＴｌＳ、Ｉｎ2Ｓ、もしくはＰｂＩ2等、また
はその混合物が好ましい。
【００１０】前記周期表１４族金属としてＰｂまたはＰ
ｂ酸化物のようなＰｂ化合物を添加することにより、高
密度焼結体電極材料中にＰｂを含ませることができ、Ｐ
ｂを含むＰｂＴｉＯ3、Ｐｂ(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ3、(Ｐｂ，
Ｌａ)(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ3等の誘電体材料との組合せに適す
る電極材料を得ることができる。周期表１５族金属とし
てＢｉまたはＢｉ酸化物のようなＢｉ化合物を添加する
ことにより、高密度焼結体電極材料中にＢｉを含ませる
ことができ、Ｂｉを含むＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9、ＳｒＢｉ2
ＴａＮｂＯ9等のＢｉ層状化合物誘電体材料との組合せ
に適する電極材料を得ることができる。また、鉛または
鉛化合物とＢｉまたはＢｉ化合物とを所望の比率で混合
したものを添加することにより、高密度焼結体電極材料
中にＢｉとＰｂとを含ませることができ、ＢｉおよびＰ
ｂを含むＰｂＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9、ＰｂＢｉ2ＴａＮｂＯ9等
のＢｉ層状化合物誘電体材料との組合せに適する電極材
料を得ることができる。さらにまた、鉛化合物とＢｉ化
合物とその他の金属化合物とを混合したものを添加する
ことにより、高密度焼結体電極材料中にＢｉとＰｂとそ
の他の元素とを含ませることができ、Ｂｉ、Ｐｂおよび
その他の元素を含む誘電体材料との組合せに適するもの
を得ることができる。
ｂ酸化物のようなＰｂ化合物を添加することにより、高
密度焼結体電極材料中にＰｂを含ませることができ、Ｐ
ｂを含むＰｂＴｉＯ3、Ｐｂ(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ3、(Ｐｂ，
Ｌａ)(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ3等の誘電体材料との組合せに適す
る電極材料を得ることができる。周期表１５族金属とし
てＢｉまたはＢｉ酸化物のようなＢｉ化合物を添加する
ことにより、高密度焼結体電極材料中にＢｉを含ませる
ことができ、Ｂｉを含むＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9、ＳｒＢｉ2
ＴａＮｂＯ9等のＢｉ層状化合物誘電体材料との組合せ
に適する電極材料を得ることができる。また、鉛または
鉛化合物とＢｉまたはＢｉ化合物とを所望の比率で混合
したものを添加することにより、高密度焼結体電極材料
中にＢｉとＰｂとを含ませることができ、ＢｉおよびＰ
ｂを含むＰｂＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9、ＰｂＢｉ2ＴａＮｂＯ9等
のＢｉ層状化合物誘電体材料との組合せに適する電極材
料を得ることができる。さらにまた、鉛化合物とＢｉ化
合物とその他の金属化合物とを混合したものを添加する
ことにより、高密度焼結体電極材料中にＢｉとＰｂとそ
の他の元素とを含ませることができ、Ｂｉ、Ｐｂおよび
その他の元素を含む誘電体材料との組合せに適するもの
を得ることができる。
【００１１】本発明のＰｔ系金属含有金属導電性酸化物
は、上記した酸化物ＡＢＯ3を製造する従来技術の方法
と同様にして得られる。例えば、Ｐｔ系金属と、アルカ
リ土類金属を含む炭酸塩、硝酸塩または酸化物等とをほ
ぼ等モル比で秤量し、エタノール等の有機溶媒を媒体と
してボールミル混合し、乾燥後、約１０００〜１２００
℃で約０．５〜３時間仮焼し、粉砕し、得られた粉末に
周期表１２〜１５族金属またはこの金属を含む化合物を
加えて、エタノール等の有機溶媒を媒体としてボールミ
ル混合し、従来と同様な条件で加圧成形し、次いで、得
られた成形体を炉内にセットし、約１０００〜１３５０
℃で約０．５〜６時間焼結することにより、目的物を得
ることができる。
は、上記した酸化物ＡＢＯ3を製造する従来技術の方法
と同様にして得られる。例えば、Ｐｔ系金属と、アルカ
リ土類金属を含む炭酸塩、硝酸塩または酸化物等とをほ
ぼ等モル比で秤量し、エタノール等の有機溶媒を媒体と
してボールミル混合し、乾燥後、約１０００〜１２００
℃で約０．５〜３時間仮焼し、粉砕し、得られた粉末に
周期表１２〜１５族金属またはこの金属を含む化合物を
加えて、エタノール等の有機溶媒を媒体としてボールミ
ル混合し、従来と同様な条件で加圧成形し、次いで、得
られた成形体を炉内にセットし、約１０００〜１３５０
℃で約０．５〜６時間焼結することにより、目的物を得
ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。 （実施例１）ＩｒＯ2粉末に、Ｂｉ2Ｏ3を０．０２〜
０．１０ｍｏｌ加え、エタノールを媒体としてボールミ
ル混合した。乾燥後、０．５〜１．０ｔｏｎ／ｃｍ2の
条件で加圧成形し、得られた成形体を１０００〜１３０
０℃で０．５〜６．０時間焼結した。対照として、Ｂｉ
2Ｏ3を添加せずに同様にして焼結体を得た。得られたＩ
ｒＯ2焼結体のＢｉ2Ｏ3添加量に対する相対密度の変化
を図５に示す。ＩｒＯ2の理論密度は１１．６５ｇ／ｃ
ｍ3である。図５より、Ｂｉ2Ｏ3を添加することで、相
対密度が６５％以上に向上することが確認でき、相対密
度が７２％以上のＩｒＯ2焼結体も得られることが分か
る。Ｂｉ2Ｏ3を添加しないＩｒＯ2焼結体、およびＢｉ2
Ｏ3を０．０５ｍｏｌ添加したＩｒＯ2焼結体破断面のＳ
ＥＭ像を、それぞれ図６および７に示す。図６と図７と
を比べると、Ｂｉ2Ｏ3を添加することにより、明らかに
結晶粒径に変化が見られ、焼結が進行していることが明
らかである。このようにして得られた高密度焼結体から
なるスパッタリング用ターゲットを用いて、均一な、表
面モフォロジーの良い、劣化の少ないＩｒＯ2薄膜電極
が得られた。また、この薄膜の抵抗率は、Ｂｉ2Ｏ3を
０．０５ｍｏｌ添加時、１．５×１０-6Ω・ｍであっ
た。
する。 （実施例１）ＩｒＯ2粉末に、Ｂｉ2Ｏ3を０．０２〜
０．１０ｍｏｌ加え、エタノールを媒体としてボールミ
ル混合した。乾燥後、０．５〜１．０ｔｏｎ／ｃｍ2の
条件で加圧成形し、得られた成形体を１０００〜１３０
０℃で０．５〜６．０時間焼結した。対照として、Ｂｉ
2Ｏ3を添加せずに同様にして焼結体を得た。得られたＩ
ｒＯ2焼結体のＢｉ2Ｏ3添加量に対する相対密度の変化
を図５に示す。ＩｒＯ2の理論密度は１１．６５ｇ／ｃ
ｍ3である。図５より、Ｂｉ2Ｏ3を添加することで、相
対密度が６５％以上に向上することが確認でき、相対密
度が７２％以上のＩｒＯ2焼結体も得られることが分か
る。Ｂｉ2Ｏ3を添加しないＩｒＯ2焼結体、およびＢｉ2
Ｏ3を０．０５ｍｏｌ添加したＩｒＯ2焼結体破断面のＳ
ＥＭ像を、それぞれ図６および７に示す。図６と図７と
を比べると、Ｂｉ2Ｏ3を添加することにより、明らかに
結晶粒径に変化が見られ、焼結が進行していることが明
らかである。このようにして得られた高密度焼結体から
なるスパッタリング用ターゲットを用いて、均一な、表
面モフォロジーの良い、劣化の少ないＩｒＯ2薄膜電極
が得られた。また、この薄膜の抵抗率は、Ｂｉ2Ｏ3を
０．０５ｍｏｌ添加時、１．５×１０-6Ω・ｍであっ
た。
【００１３】（実施例２）ＲｕとＳｒＣＯ3を１：１の
モル比で秤量し、エタノールを媒体としてボールミル混
合した。乾燥後、１０００〜１２００℃で１時間仮焼
し、粉砕した。得られた仮焼粉末に０．０１〜０．０６
ｍｏｌのＰｂＯを加えて、ボールミル混合し、０．５〜
１．０ｔｏｎ／ｃｍ2の条件で加圧成形し、得られた成
形体を１０００〜１３５０℃で０．５〜６時間焼結し
た。対照として、ＰｂＯを添加せずに同様にして焼結体
を得た。得られたＳｒＲｕＯ3焼結体のＰｂＯ添加量に
対する相対密度の変化を図８に示す。図８より、ＰｂＯ
を添加することで、相対密度が６５％以上に向上するこ
とが確認でき、相対密度が８０％以上のＳｒＲｕＯ3も
得られることが分かる。０．０６ｍｏｌのＰｂＯ添加Ｓ
ｒＲｕＯ3焼結体破断面のＳＥＭ像を図９に示す。図３
と図９とを比べると、ＰｂＯを添加することにより、明
らかに結晶粒径に変化が見られ、焼結が進行しているこ
とが明らかである。このようにして得られた高密度焼結
体からなるスパッタリング用ターゲットを用いて、均一
な、表面モフォロジーの良い、劣化の少ないＳｒＲｕＯ
3薄膜電極が得られた。また、この薄膜の抵抗率は、Ｐ
ｂＯを０．０６ｍｏｌ添加時、６．０×１０-6Ω・ｍで
あった。
モル比で秤量し、エタノールを媒体としてボールミル混
合した。乾燥後、１０００〜１２００℃で１時間仮焼
し、粉砕した。得られた仮焼粉末に０．０１〜０．０６
ｍｏｌのＰｂＯを加えて、ボールミル混合し、０．５〜
１．０ｔｏｎ／ｃｍ2の条件で加圧成形し、得られた成
形体を１０００〜１３５０℃で０．５〜６時間焼結し
た。対照として、ＰｂＯを添加せずに同様にして焼結体
を得た。得られたＳｒＲｕＯ3焼結体のＰｂＯ添加量に
対する相対密度の変化を図８に示す。図８より、ＰｂＯ
を添加することで、相対密度が６５％以上に向上するこ
とが確認でき、相対密度が８０％以上のＳｒＲｕＯ3も
得られることが分かる。０．０６ｍｏｌのＰｂＯ添加Ｓ
ｒＲｕＯ3焼結体破断面のＳＥＭ像を図９に示す。図３
と図９とを比べると、ＰｂＯを添加することにより、明
らかに結晶粒径に変化が見られ、焼結が進行しているこ
とが明らかである。このようにして得られた高密度焼結
体からなるスパッタリング用ターゲットを用いて、均一
な、表面モフォロジーの良い、劣化の少ないＳｒＲｕＯ
3薄膜電極が得られた。また、この薄膜の抵抗率は、Ｐ
ｂＯを０．０６ｍｏｌ添加時、６．０×１０-6Ω・ｍで
あった。
【００１４】（実施例３）ＲｕとＳｒＣＯ3を１：１の
モル比で秤量し、エタノールを媒体としてボールミル混
合した。乾燥後、１０００〜１２００℃で０．５〜３時
間仮焼し、粉砕した。得られたＳｒＲｕＯ3仮焼粉末に
０．０１〜０．０６ｍｏｌのＢｉ2Ｏ3を加えて、ボール
ミル混合し、０．５〜１．０ｔｏｎ／ｃｍ2の条件で加
圧成形し、得られた成形体を１０００〜１３５０℃で
０．５〜６時間焼結した。対照としてＢｉ2Ｏ3を添加せ
ずに同様にして焼結体を得た。得られたＳｒＲｕＯ3焼
結体のＢｉ2Ｏ3添加量に対する相対密度の変化を図１０
に示す。図１０より、Ｂｉ2Ｏ3を添加することで、相対
密度が６５％以上に向上することが確認でき、相対密度
が８５％以上のＳｒＲｕＯ3も得られることが分かる。
０．０６ｍｏｌのＢｉ2Ｏ 3添加ＳｒＲｕＯ3焼結体破断
面のＳＥＭ像を図１１に示す。図３と図１１とを比べる
と、Ｂｉ2Ｏ3を添加することにより、明らかに結晶粒径
に変化が見られ、焼結が進行していることが明らかであ
る。このようにして得られた高密度焼結体からなるスパ
ッタリング用ターゲットを用いて、均一な、表面モフォ
ロジーの良い、劣化の少ないＳｒＲｕＯ3薄膜電極が得
られた。また、この薄膜の抵抗率は、Ｂｉ2Ｏ3を０．０
６ｍｏｌ添加時、３．０×１０-6Ω・ｍであった。
モル比で秤量し、エタノールを媒体としてボールミル混
合した。乾燥後、１０００〜１２００℃で０．５〜３時
間仮焼し、粉砕した。得られたＳｒＲｕＯ3仮焼粉末に
０．０１〜０．０６ｍｏｌのＢｉ2Ｏ3を加えて、ボール
ミル混合し、０．５〜１．０ｔｏｎ／ｃｍ2の条件で加
圧成形し、得られた成形体を１０００〜１３５０℃で
０．５〜６時間焼結した。対照としてＢｉ2Ｏ3を添加せ
ずに同様にして焼結体を得た。得られたＳｒＲｕＯ3焼
結体のＢｉ2Ｏ3添加量に対する相対密度の変化を図１０
に示す。図１０より、Ｂｉ2Ｏ3を添加することで、相対
密度が６５％以上に向上することが確認でき、相対密度
が８５％以上のＳｒＲｕＯ3も得られることが分かる。
０．０６ｍｏｌのＢｉ2Ｏ 3添加ＳｒＲｕＯ3焼結体破断
面のＳＥＭ像を図１１に示す。図３と図１１とを比べる
と、Ｂｉ2Ｏ3を添加することにより、明らかに結晶粒径
に変化が見られ、焼結が進行していることが明らかであ
る。このようにして得られた高密度焼結体からなるスパ
ッタリング用ターゲットを用いて、均一な、表面モフォ
ロジーの良い、劣化の少ないＳｒＲｕＯ3薄膜電極が得
られた。また、この薄膜の抵抗率は、Ｂｉ2Ｏ3を０．０
６ｍｏｌ添加時、３．０×１０-6Ω・ｍであった。
【００１５】（実施例４）実施例２において、ＰｂＯの
代わりにＰｂＯとＢｉ2Ｏ3とを用いたことを除いて、実
施例２の方法を繰り返したところ、同様の結果が得られ
る。 （実施例５）実施例２および３において、ＰｂＯ、Ｂｉ
2Ｏ3の添加量を０．１〜０．５ｍｏｌとし、実施例２の
方法を繰り返した。得られた焼結体の相対密度の変化を
図１２および図１３に示す。本添加量においても添加剤
による相対密度の向上が確認できた。
代わりにＰｂＯとＢｉ2Ｏ3とを用いたことを除いて、実
施例２の方法を繰り返したところ、同様の結果が得られ
る。 （実施例５）実施例２および３において、ＰｂＯ、Ｂｉ
2Ｏ3の添加量を０．１〜０．５ｍｏｌとし、実施例２の
方法を繰り返した。得られた焼結体の相対密度の変化を
図１２および図１３に示す。本添加量においても添加剤
による相対密度の向上が確認できた。
【００１６】上記実施例では、Ｐｔ系金属としてＲｕ、
Ｉｒ、アルカリ土類金属含有化合物としてＳｒ炭酸塩、
周期表１２〜１５族金属含有化合物としてＰｂ酸化物お
よびＢｉ酸化物を用いたが、上記したその他のＰｔ系金
属、アルカリ土類金属含有化合物、ならびに周期表１２
〜１５族金属およびその化合物を用いても、同様に高密
度の焼結体が得られ、この焼結体からなるスパッタリン
グ用ターゲットは所望の酸化物薄膜電極を得るのに有用
である。
Ｉｒ、アルカリ土類金属含有化合物としてＳｒ炭酸塩、
周期表１２〜１５族金属含有化合物としてＰｂ酸化物お
よびＢｉ酸化物を用いたが、上記したその他のＰｔ系金
属、アルカリ土類金属含有化合物、ならびに周期表１２
〜１５族金属およびその化合物を用いても、同様に高密
度の焼結体が得られ、この焼結体からなるスパッタリン
グ用ターゲットは所望の酸化物薄膜電極を得るのに有用
である。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、周期表８〜１０族Ｐｔ
系金属を含む酸化物に周期表１２〜１１５族の金属また
はその化合物を所定量添加し、焼結することにより、焼
結特性の改善された、高密度を有する金属導電性酸化物
電極材料が提供される。この電極材料を用いることによ
り、所望の酸化物電極が得られ、最終的に誘電体薄膜メ
モリー素子の高品質化、量産性、高性能化が達成され
る。
系金属を含む酸化物に周期表１２〜１１５族の金属また
はその化合物を所定量添加し、焼結することにより、焼
結特性の改善された、高密度を有する金属導電性酸化物
電極材料が提供される。この電極材料を用いることによ
り、所望の酸化物電極が得られ、最終的に誘電体薄膜メ
モリー素子の高品質化、量産性、高性能化が達成され
る。
【図１】従来の一般的強誘電体メモリーの断面構造を示
す模式的断面図。
す模式的断面図。
【図２】無添加のＳｒＲｕＯ3の焼結温度に対する相対
密度の変化を示すグラフ。
密度の変化を示すグラフ。
【図３】無添加のＳｒＲｕＯ3焼結体破断面のＳＥＭ像
を示す写真。
を示す写真。
【図４】ＲｕＯ2の温度に対する解離圧の変化を示すグ
ラフ。
ラフ。
【図５】Ｂｉ2Ｏ3添加量に対するＩｒＯ2焼結体の相対
密度の変化を示すグラフ。
密度の変化を示すグラフ。
【図６】無添加のＩｒＯ2焼結体破断面のＳＥＭ像を示
す写真。
す写真。
【図７】０．０５ｍｏｌのＢｉ2Ｏ3添加ＩｒＯ2焼結体
破断面のＳＥＭ像を示す写真。
破断面のＳＥＭ像を示す写真。
【図８】ＰｂＯ添加量に対するＳｒＲｕＯ3焼結体の相
対密度の変化を示すグラフ。
対密度の変化を示すグラフ。
【図９】０．０６ｍｏｌのＰｂＯ添加ＳｒＲｕＯ3焼結
体破断面のＳＥＭ像を示す写真。
体破断面のＳＥＭ像を示す写真。
【図１０】Ｂｉ2Ｏ3添加量に対するＳｒＲｕＯ3焼結体
の相対密度の変化を示すグラフ。
の相対密度の変化を示すグラフ。
【図１１】０．０６ｍｏｌのＢｉ2Ｏ3添加ＳｒＲｕＯ3
焼結体破断面のＳＥＭ像を示す写真。
焼結体破断面のＳＥＭ像を示す写真。
【図１２】高濃度ＰｂＯ添加量に対するＳｒＲｕＯ3焼
結体の相対密度の変化を示すグラフ。
結体の相対密度の変化を示すグラフ。
【図１３】高濃度Ｂｉ2Ｏ3添加量に対するＳｒＲｕＯ3
焼結体の相対密度の変化を示すグラフ。
焼結体の相対密度の変化を示すグラフ。
１ 基板（ｐ−Ｓｉ） ２ ＳｉＯ2 ３ 電極（Ｐｔ電極） ４ 強誘電体膜
（ＰＺＴ、ＳＢＴ等） ５ 金属導電性酸化物電極
（ＰＺＴ、ＳＢＴ等） ５ 金属導電性酸化物電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長山 五月 鹿児島県姶良郡横川町上ノ3313 ユーマッ ト株式会社九州工場内 (72)発明者 野沢 義晴 鹿児島県姶良郡横川町上ノ3313 ユーマッ ト株式会社九州工場内 Ｆターム(参考） 4G030 AA09 AA15 AA40 AA43 AA55 AA58 BA02 GA04 GA22 GA27 4K029 AA06 BA02 BA42 BA43 BA50 BA51 BB02 BC03 BD01 CA05 5G301 CA01 CA02 CA05 CA08 CA13 CA21 CA30 CD04 CD10 CE02
Claims (5)
- 【請求項１】 周期表８〜１０族のＰｔ系金属酸化物、
または該Ｐｔ系金属とアルカリ土類金属とを含む金属導
電性酸化物に、周期表１２〜１５族の少なくとも一種の
金属またはこの金属を含む化合物を添加し、焼結してな
ることを特徴とする高密度Ｐｔ系金属含有金属導電性酸
化物。 - 【請求項２】 前記周期表１２〜１５族金属またはこの
金属を含む化合物の添加量が０．００１〜０．５ｍｏｌ
であることを特徴とする請求項１記載の高密度Ｐｔ系金
属含有導電性酸化物。 - 【請求項３】 周期表８〜１０族のＰｔ系金属酸化物、
または該Ｐｔ系金属とアルカリ土類金属とを含む金属導
電性酸化物に、周期表１２〜１５族の少なくとも一種の
金属またはこの金属を含む化合物を添加し、焼結して、
高密度焼結体を得ることを特徴とする高密度Ｐｔ系金属
含有金属導電性酸化物の製造方法。 - 【請求項４】 前記周期表１２〜１５族金属を含む化合
物が、酸化物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、水酸化物、塩
化物、フッ化物、硫化物、もしくはヨウ化物、またはそ
れらの混合物であり、該化合物を０．００１〜０．５ｍ
ｏｌ添加することにより相対密度６５％以上の高密度焼
結体を得ることを特徴とする請求項３記載の高密度Ｐｔ
系金属含有金属導電性酸化物の製造方法。 - 【請求項５】 前記周期表１４〜１５族の少なくとも一
種の金属またはこの金属を含む化合物として、鉛もしく
は鉛化合物を添加すること、またはＢｉもしくはＢｉ化
合物を添加すること、または鉛もしくは鉛化合物とＢｉ
もしくはＢｉ化合物とを混合したものを添加すること、
または鉛化合物とＢｉ化合物とその他の金属化合物とを
混合したものを添加することを特徴とする請求項３また
は４記載の高密度Ｐｔ系金属含有金属導電性酸化物の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11048277A JP2000247739A (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | 高密度Ｐｔ系金属含有金属導電性酸化物およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11048277A JP2000247739A (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | 高密度Ｐｔ系金属含有金属導電性酸化物およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000247739A true JP2000247739A (ja) | 2000-09-12 |
Family
ID=12798953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11048277A Pending JP2000247739A (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | 高密度Ｐｔ系金属含有金属導電性酸化物およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000247739A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002193668A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Nikko Materials Co Ltd | 酸化物焼結体及びその製造方法 |
| JP2002293629A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-09 | Fujitsu Ltd | 導電性セラミックス材料、電極部品、静電偏向器及び荷電粒子ビーム露光装置 |
| WO2004016824A1 (ja) * | 2002-08-06 | 2004-02-26 | Nikko Materials Co., Ltd. | 導電性酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット及びこれらの製造方法 |
| WO2020031459A1 (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-13 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット、グラニュラ膜および垂直磁気記録媒体 |
-
1999
- 1999-02-25 JP JP11048277A patent/JP2000247739A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2002193668A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Nikko Materials Co Ltd | 酸化物焼結体及びその製造方法 |
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| US7252794B2 (en) * | 2002-08-06 | 2007-08-07 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Electroconductive oxide sintered compact, sputtering target comprising the sintered compact and methods for producing them |
| WO2020031459A1 (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-13 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット、グラニュラ膜および垂直磁気記録媒体 |
| JPWO2020031459A1 (ja) * | 2018-08-09 | 2021-08-02 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット、グラニュラ膜および垂直磁気記録媒体 |
| US11591688B2 (en) | 2018-08-09 | 2023-02-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target, granular film and perpendicular magnetic recording medium |
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