JP3749631B2 - BaxSr1−xTiO3−αスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、LSIメモリー等の半導体装置に用いられる誘電体薄膜形成用BaxSr1−xTiO3−αスパッタリングターゲットに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
BaTiO3、SrTiO3またはこれらの複合酸化物は、高い誘電特性を示すことから1GB以上の半導体メモリーのキャパシタ薄膜として有望な材料である。
このキャパシタ薄膜をスパッタリング法で成膜する場合、BaTiO3、SrTiO3またはこれらの複合酸化物のターゲットが用いられている。
近年、半導体メモリーの大量生産とコストダウンの観点から、高速成膜するために高出力でのスパッタリングが行われるようになってきている。
【0003】
しかし、BaTiO3、SrTiO3またはこれらの複合酸化物であるBaxSr1−xTiO3−αは、元来絶縁材料であるため、高出力でスパッタリングすると絶縁破壊あるいは発熱による熱破壊を起こすと言う問題があった。
これを解決するため、ターゲットに酸素欠損を導入して電気伝導性を持たせることが提案されている。
しかし、ターゲット内に電気伝導性のばらつきがあると、スパッタリング中に局所的な発熱による破壊やスパークが生じると言う問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記の問題点に鑑み、高出力での高速スパッタリングを行ってもターゲットの破壊やスパークが生じないBaxSr1−xTiO3−α組成のスパッタリングターゲットを安定し、かつ低コストで製造できる誘電体薄膜形成用BaxSr1−xTiO3−αスパッタリングターゲットが要求されている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明者らはBaxSr1−xTiO3−α組成のスパッタリングターゲットを、低酸素分圧下での焼結プロセスあるいは焼成後の熱処理により、ターゲットの比抵抗を調節し、ターゲット内の比抵抗のばらつきを抑えることにより上記問題点を解決できることの知見を得た。
この知見に基づき、本発明は、
1 スパッタリング法を用いてBaxSr1−xTiO3−α(0≦x≦1、0.02<α<0.05)組成の誘電膜を基板上に成膜するためのターゲットであって、4端針法で測定した比抵抗が50mΩcm以下であり、且つターゲット内の比抵抗値のばらつきが5mΩcm以下であることを特徴とするBaxSr1−xTiO3−αスパッタリングターゲット
2 ターゲットの相対密度が98%以上、平均結晶粒径が5μm以下であることを特徴とする上記1記載のBaxSr1−xTiO3−αスパッタリングターゲット
3 Na、K、Mg、Fe、Ni、Co、Cr、Cu、Alの各元素含有量の総和が10ppm以下、U、Thの各元素含有量が1ppb以下であることを特徴とする上記1または2記載のBaxSr1−xTiO3−αスパッタリングターゲット
4 BaxSr1−xTiO3組成の粉末を成形後1300°C〜1450°Cで常圧焼結し、次いで1250〜1400°C、500〜1500Kg/cm2、1時間以上の条件でHIP処理を行うことを特徴とする4端針法で測定した比抵抗が50mΩcm以下であり、且つターゲット内の比抵抗値のばらつきが5mΩcm以下であることを特徴とするBaxSr1−xTiO3−α(0≦x≦1、0.02<α<0.05)スパッタリングターゲットの製造方法
、を提供するものである。
【0006】
【発明の実施の形態】
本発明のターゲットは、4端針法で測定した比抵抗が50mΩcm以下であり、且つターゲット内の比抵抗値のばらつきが5mΩcm以下とするものであるが、
比抵抗が50mΩcmを超え、またターゲット内の比抵抗値のばらつきが5mΩcmを超えると、高出力でスパッタリングを実施した場合、発熱による熱破壊を起こし易くなり、使用中にターゲットの割れやスパークが発生し、安定した成膜ができない。このため、上記の比抵抗およびばらつきの範囲をとする。
【0007】
ターゲットの相対密度が98%未満であり、また平均結晶粒径が5μmを超えるような粗大化した結晶粒がターゲット中に存在すると、ターゲットの強度が低下し、形成されたスパッタ膜の成分組成のばらつきが出てくるとともに、上記と同様にターゲットの割れが生じ易くなるので、密度および平均結晶粒径が5μm以下の緻密なBaxSr1−xTiO3−αターゲットであることが望ましい。また、xは0≦x≦1の範囲であり、したがってBaTiO3−αターゲットおよびSrTiO3−αターゲットを含むものである。0.02<α<0.05とするのは、酸素欠損を持たせ比抵抗を50mΩcm以下とすることに必要な条件である。
【0008】
半導体装置等に使用される薄膜は一層薄くかつ短小化される方向にあり、相互間の距離が極めて小さく集積密度は向上しているために、薄膜を構成する物質あるいはその薄膜に含まれる不純物が隣接する薄膜に拡散するという問題が発生する。これにより自膜および隣接膜の構成物質のバランスが崩れ、また膜の機能を破壊し、本来所有していなければならない膜の機能が低下するという大きな問題が起こる。
このような薄膜の製造工程において、数百度に加熱される場合があり、また半導体装置を組み込んだ電子機器の使用中にも温度が上昇する。このような温度上昇は前記物質の拡散係数をさらに上げ、拡散による電子機器の機能低下に大きな問題を生ずることとなる。
【0009】
半導体装置では特に、不純物であるNaおよびKのアルカリ金属はMOS界面特性の劣化を引き起こし、Mg、Fe、Ni、Co、Cr、Cu、Al等の遷移金属、高融点金属、軽金属等は界面準位の発生や接合リークを起こし、またU、Th等放射性元素は放射線によるMOSへの影響がある。
したがって、BaxSr1−xTiO3−α誘電体薄膜からの汚染源とならないように、BaxSr1−xTiO3−αスパッタリングターゲット中のNa、K、Mg、Fe、Ni、Co、Cr、Cu、Alの各元素含有量の総和を10ppm以下とし、またU、Thの各元素含有量を1ppb以下とするのが望ましい。
【0010】
BaxSr1−xTiO3−α(0≦x≦1、0.02<α<0.05)スパッタリングターゲットの製造に際しては、BaCO3、SrCO3およびTiO2を出発原料として、それぞれBa:Sr:Ti=1:1:2(モル比)となるように各原料粉を秤量し、これらをボールミルにより混合する。また、これらの原料粉の段階で、不純物であるNaおよびKのアルカリ金属、Mg、Fe、Ni、Co、Cr、Cu、Al等の遷移金属、高融点金属、軽金属、U、Th等放射性元素を減少させた材料を用いる。
【0011】
得られた混合粉を大気中で培焼してBaxSr1−xTiO3単相粉体を作製し、これに有機バインダーを添加して成形体を作製する。次に、この成形体を大気中1300°C〜1450°Cで常圧焼結する。これにより、バインダーを逸散させると同時に開気孔を消滅させる。さらに、これを1250〜1400°C、500〜1500Kg/cm2、1時間以上の条件でHIP処理を行う。そして、これをターゲット形状に成形加工する。
以上の工程により、4端針法で測定した比抵抗が50mΩcm以下であり、且つターゲット内の比抵抗値のばらつきが5mΩcm以下である、使用中にターゲットの割れやスパークが発生することのないBaxSr1−xTiO3−αスパッタリングターゲットが得られる。
【0012】
【実施例および比較例】
次に、本発明を実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例および比較例はあくまで本発明の理解を容易にするための例であり、これらの例によって本発明が制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲の他の態様および例は、当然本発明に含まれるものである。
【0013】
(実施例)
Ba(NO3)2およびSr(NO3)2の再結晶化生成によってNa、K、Mg、Fe、Ni、Co、Cr、Cu、Alの各元素含有量の総和が10ppm以下、UおよびThの各元素含有量が1ppb以下としたBaCO3およびSrCO3ならびに純度4N以上のTiO2を出発原料として、Ba:Sr:Ti=1:1:2(モル比)となるように各原料粉を秤量し、湿式ボールミルにより混合した。
得られた混合粉を大気中で培焼し、BaxSr1−xTiO3単相粉体を作製し、有機バインダーを添加して400mmφの成形体を作製した。
次に、この成形体を大気中、1400°Cで2時間常圧焼結し、バインダーを除去すると同時に開気孔を消滅させ、その後1300°C×1500Kg/cm2×2時間、1350°C×1500Kg/cm2×2時間および1400°C×1000Kg/cm2×1時間の3条件でHIP処理を行った。
【0014】
得られた焼結体の密度は98%以上であり、平均結晶粒径も5μm以下であった。この焼結体を平面加工、円周加工し20mm角のマトリックスに細分化して4端針法により焼結体の比抵抗を測定した。その結果、平均比抵抗とそのばらつきを表1に示す。
また、同様にして作製した焼結体を用い、高周波マグネロロンスパッタでアルゴン−酸素の混合ガス中、4.5kWの出力で50時間スパッタリングし、ターゲットの割れやスパークの痕跡の有無を調べた。その結果を同表1に示す。
その結果、表1に示すように本ターゲットの平均結晶粒径は5μm以下、比抵抗はそれぞれ50mΩcm以下、且つターゲット内の比抵抗のばらつきはそれぞれ5mΩcm以下であり、ターゲットの割れやスパークの痕跡は全く認められなかった。以上から、比抵抗はそれぞれ50mΩcm以下、且つターゲット内の比抵抗のばらつきを5mΩcm以下とすることは重要であり(下記比較例との対比からも明らかなように)、これによって安定したBaxSr1−xTiO3−α組成の成膜を得ることができる。
【0015】
【表1】
【0016】
(比較例1)
常圧焼結を1250°Cで10時間及び1500°Cで30分行い、次いでこの焼結体を1350°C×1500Kg/cm2×2時間、HIP処理した。なお、比較例1における常圧焼結の温度は、本発明の同焼結温度の範囲(下限または上限)および時間を逸脱している条件で実施した。
上記以外の処理は実施例と同条件でターゲットを作製し、同様の評価を行った。その結果を表2に示す。
この表2から明らかなように、比較例1のdは平均比抵抗が77mΩcmと高く、比抵抗のばらつきも大きい。そしてスパークの発生が認められた。また、比較例1のeは平均結晶粒径が63μmと極めて大きく、比抵抗のばらつきも大きい。そして、ターゲットに割れが発生した。
【0017】
【表2】
【0018】
(比較例2)
HIP処理を1200°C×1500Kg/cm2×5時間および1450°C×1000Kg/cm2×2時間行った。この処理以外は実施例と同条件でターゲットを作製し、同様の評価を行った。なお、比較例2におけるHIP処理の温度は、本発明の同処理温度の範囲(下限または上限)を逸脱している条件で実施した。その結果を表3に示す。
この表3から明らかなように、比較例2のfは平均比抵抗が221mΩcmと極めて高く、比抵抗のばらつきも46mΩcmと大きい。そして、ターゲットに割れが発生するとともに、スパークの発生が認められた。また、比較例2のgは平均結晶粒径42μmと著しく大きく、ターゲットに割れが発生した。
【0019】
【表3】
【0020】
(比較例3)
BaxSr1−xTiO3−α組成の単相粉末を作製する工程までは実施例と同条件で作製した。次に、この粉体を300mmφのグラファイトダイスに充填し、Ar雰囲気中、1400°C、300Kg/cm2×2時間ホットプレスした。
得られた焼結体は密度98.8%、平均結晶粒径38μmと大きく、平均比抵抗は18mΩcmと小さかったが、そのばらつきは10mΩcmと大きかった。この焼結体を用いて実施例と同様のスパッタリング試験を行ったところ、約20時間でターゲットに割れが生じ、またスパークの痕跡も認められた。
【0021】
【発明の効果】
本発明による比抵抗50mΩcm以下、ターゲット内の比抵抗のばらつき5mΩcm以下、且つ密度が98%以上、結晶粒径が5μm以下のBaxSr1−xTiO3−α組成からなるスパッタリング用ターゲットを用いることにより、高出力での高速成膜が可能となり、大量生産およびコスト低減等の効果が期待でき半導体産業界に広く貢献するものである。
Claims (4)
- スパッタリング法を用いてBaxSr1−xTiO3−α(0≦x≦1、0.02<α<0.05)組成の誘電膜を基板上に成膜するためのターゲットであって、4端針法で測定した比抵抗が50mΩcm以下であり、且つターゲット内の比抵抗値のばらつきが5mΩcm以下であることを特徴とするBaxSr1−xTiO3−αスパッタリングターゲット。
- ターゲットの相対密度が98%以上、平均結晶粒径が5μm以下であることを特徴とする請求項1記載のBaxSr1−xTiO3−αスパッタリングターゲット。
- Na、K、Mg、Fe、Ni、Co、Cr、Cu、Alの各元素含有量の総和が10ppm以下、U、Thの各元素含有量が1ppb以下であることを特徴とする請求項1または2記載のBaxSr1−xTiO3−αスパッタリングターゲット。
- BaxSr1−xTiO3組成の粉末を成形後1300°C〜1450°Cで常圧焼結し、次いで1250〜1400°C、500〜1500Kg/cm2、1時間以上の条件でHIP処理を行うことを特徴とする4端針法で測定した比抵抗が50mΩcm以下であり、且つターゲット内の比抵抗値のばらつきが5mΩcm以下であることを特徴とするBaxSr1−xTiO3−α(0≦x≦1、0.02<α<0.05)スパッタリングターゲットの製造方法。
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