JP4223551B2 - フローティングゲート不揮発性メモリデバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
用語「ポリ」は以下の説明において短縮して用いるものであり、この用語は単結晶シリコンだけでなくアモルファスシリコンも含むものである。
この半導体デバイス及びこの半導体デバイスの製造方法は、本願人の米国特許第5395778号から既知である。このメモリ素子及び多数の同様な素子は、通常EEPROM又は(フラッシュ)EPROMの名称で広く知られている不揮発性メモリの一部を構成する。このメモリ素子は孤立型とすることができ、その場合半導体デバイスは主としてメモリとこのメモリ用に必要な周辺電子回路とで構成することができる。従って、上述した第1のMOSトランジスタは周辺回路のトランジスタにより構成することができるが、メモリ半導体と共にメモリセルを構成する選択トランジスタにより構成することもできる。特に限定されるものではないが、本発明が特に重要になる別の例において、メモリは埋込形成することができ、半導体デバイスは組み込まれている不揮発性メモリを有する集積化した信号処理回路とすることができる。このような回路を製造するためには、信号処理部分(以後、ロジックと称する)のメモリのための数個の付加的な処理工程を含む標準のCMOSプロセスが広く用いられる。一般的に知られているように、情報は、フローティングゲートに蓄積されトランジスタの閾値電圧を規定する電荷の形態として書込まれる。制御電極に適切な電圧を印加すれば、トランジスタが導通するか否かが確認されるので、情報を読み出すことができる。
上記米国特許第5395778号は、フローティングゲート及び制限電極が、ロジックゲートを形成するために必要なポリ堆積が2個の工程で行なわれる分割ポリプロセスにより形成されるプロセスについて記載している。第1の工程において、ロジック用の第1の部分層がフローティングゲートのポリ層と共に形成され、次にこの層に層間誘電体が形成される。第2の工程において、ポリ層の残りの部分がロジックゲート用に形成され、同時に制御電極用のポリがフローティングゲートのポリ層上に層間誘電体により電気的に絶縁されて形成される。
このプロセスにおいて、ロジックのポリ層はメモリの制御電極のポリ層の厚さよりも一層厚い厚さを有し、これはある状況下において欠点となる。すなわち、制御電極及びロジックの絶縁ゲートを同時に規定しエッチングする場合、メモリ部分をオーバエッチングする必要が生ずる。別の欠点は、堆積及び酸化層のエッチバックにより制御電極及び絶縁ゲートの側部にスペーサが形成される場合に生ずるおそれがある。この場合、ポリ層間の厚さの差異の結果としてメモリ部分の酸化層が相対的にエッチングされ過ぎる可能性がある。これにより、既知のサリサイドプロセスにおいてソース及びドレイン領域並びにゲートにシリサイドのコンタクトが形成される場合、短絡(橋絡)が生ずるおそれがある。
本発明の目的は、これらの欠点を少なくともほとんど除去することにある。この目的を達成するため、本発明においては、明細書の冒頭部で述べた型式の半導体デバイスにおいて、前記絶縁ゲートの厚さを、前記フローティングゲートの厚さに等しいか又はそれ以上とすると共に、前記制御電極の厚さに等しいか又は少なくともほぼ等しくしたことを特徴とする。メモリトランジスタの制御電極をMOSロジックトランジスタの絶縁ゲートと同一の厚さにすれば、上述した課題を解消することができる。
絶縁ゲートが単一のポリ層から形成される利点を有する本発明の第1実施例は、フローティングゲート及び絶縁ゲートを、等しい厚さとすると共に共通の第1の堆積したシリコン層から形成し、前記制御電極を第2の堆積したシリコン層から形成することを特徴とする。フローティングゲートの厚さをロジックゲートの厚さから独立して選択することができる利点を有する本発明の第2実施例は、絶縁ゲート及び制御電極が、前記フローティングゲートよりも厚い厚さを有することを特徴とする。本例のポリ層の厚さは薄くすることができるので、得られる構造体は比較的平面的になるので、その後の処理工程において好ましいものとなる。
直列抵抗の小さい利点が得られる本発明による半導体デバイスの別の実施例は、制御電極、絶縁ゲート及びMOSトランジスタのソース領域及びドレイン領域に、シリコンと金属との合金の比較的低オーミックのシリサイドの上側層を設けたことを特徴とする。シリサイドは、好ましくは例えばTi層により自己整列した方法(サリサイド)により形成され、このTi層はシリコンと接触してシリサイドを形成し、酸化物と接触しても変化せず、しかも酸化物の区域おいて選択的に除去することができる。
本発明によれば、明細書の冒頭部で述べた型式の方法において、
前記半導体本体の表面に、第1のMOSトランジスタのための第1のアクティブ領域及び第2のMOSトランジスタのための領域2のアクティブ領域を規定し、
前記第1及び第2のアクティブ領域に電気的に絶縁性の層を設けて第1及び第2のMOSトランジスタのゲート誘電体層をそれぞれ形成し、
前記第1及び第2のアクティブ領域上に前記絶縁層により分離された第1の多結晶又はアモルファスシリコンの層を堆積し、
前記第1のシリコン層上に誘電体層を形成し、
前記第1のシリコン層上に前記誘電体層により分離された第2の多結晶又はアモルファスシリコンの層を堆積し、この第2のシリコン層の厚さを第1のシリコン層の厚さに少なくともほぼ等しくし、
第1のアクティブ領域の第2のシリコン層を除去し、
前記堆積したシリコン層から前記フローティングゲート、制御電極、及び絶縁ゲートを規定することを特徴とする。上述した課題はこの方法により簡単に解消することができる。このプロセスは、第1のポリ層を堆積した後、表面のロジック領域を第1のポリ層でマスクしながら、始めにフローティングゲートを次にメモリトランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成し、次に第2の処理工程においてロジック部分を形成するように行うことができる。これにより、米国特許第5395778号に記載されているプロセスの利点を達成することができ、その内容は本明細書において参考とし記載する。
簡単な方法で小さい直列抵抗を得ることができる本発明による方法の重要な別の実施例は、MOSトランジスタのソース領域及びドレイン領域、制御電極及び絶縁ゲートに、サリサイド処理によりシリコンと金属との合金のシリサイドの上側層を形成することを特徴とする。
以下添付図面及び実施例を参照して本発明を詳細に説明する。
図1〜8は本発明による半導体デバイスの製造工程における断面を示す。
図9は製造中のデバイスの変形例を示す。
図1〜7に基づき、以下ポリA,B及びCと称する多結晶シリコンの3個の層を有する集積回路の第1実施例について説明する。第1導電型、本例の場合p形の面2と隣接する表面領域1を有するシリコン本体を用いて処理を開始する。フィールド酸化膜3のパターンにより表面領域1にアクティブ領域を規定し、2個のアクティブ領域を領域4及び5として図示する。アクティブ領域4はメモリセル用のものとし、領域5は以後MOSTと称するロジックMOSトランジスタ用のものとする。フィールド酸化膜は例えばシリコン本体の局部酸化のような通常の方法で形成することができ、例えば550nmの厚さを有する。酸化工程の後酸化マスクを除去し、所望の場合種々のイオン注入を行うことができ、例えば形成すべきpチャネルトランジスタ用のnウエルイオン注入を行う。次の工程において、表面上に例えば12nmの厚さのシリコン酸化膜の形態のゲート誘電体層6を形成する。本例のゲート誘電体層は、アクティブ領域で同一の厚さを有するが、必ずしもこのようにする必要はない。従って、MOSTのゲート酸化膜の厚さはメモリトランジスタのゲート酸化膜の厚さとは異なる。第1の多結晶又はアモルファスシリコン層7、すなわちポリAは、例えば150nmの厚さに堆積する。このポリ層はは堆積中に又は堆積後にn形の不純物が添加され、例えばリンを用いてcm3当たり約1.3×1019原子の濃度で添加する。本例のポリ層7は、酸化からポリ層をマスクする層8により覆われ、この層8はオキシナイトライド層又はシリコン酸化層とナイトライドとの複合層で構成される。次に、フォトレジストマスク9を形成し、ロジックMOSTのアクティブ領域5を覆うと共にメモリセルのアクティブ領域4のフローティングゲートを規定する。次に、層8及びポリ層7をパターンにエッチングし、これによりフローティングゲート10をアクティブ領域4に形成する。アクティブ領域5はその全表面にわたってポリ層Aで覆ったままに維持する。この工程を図1に示す。
この工程でマスク9を除去し、例えばcm2当たり3×1015の不純物濃度で約60keVのエネルギーで砒素をイオン注入することにより、メモリトランジスタのn形ソース領域及びドレイン領域11及び12を形成する。所望の場合、例えばOTP(One Time Programable)メモリの場合、図2に領域13及び14として線図的に示すように、領域11及び12付近のボロンの背景濃度はcm2当たり1014の不純物濃度で約20keVのエネルギーでボロンをイオン注入することにより増強することができる。これらのp形領域は、図面に示す次の工程では図示しないことにする。フラッシュメモリの場合、この工程においてp形領域13の代わりにソース領域11の付近に比較的低い濃度の不純物が添加された領域を形成する。次に、熱酸化により酸化層15をこのポリ層の側部に成長させ、この間にポリ層の上側を層8によりマスクする。図2はこの製造工程におけるデバイスを示す。
次の工程において、層8を除去し、メモリセルのフローティングゲートと制御電極との間の層間ポリ誘電体(IPD)を構成する約35nmの厚さの層16を形成する。本例では、この層はシリコンオキシナイトライド層とするが、約35nmの厚さの複合酸化層−窒化層−酸化層(OND)により構成することができるが、変形例として例えば酸化層だけで構成することもできること明らかである。第2のポリ(又はアモルファス)層17、すなわちポリBを層16上に堆積する。この層17は、第1のポリ層の厚さに等しいか又は少なくともほぼ等しい厚さ、すなわち約150nmの厚さを有する。この層17は、ポリAの濃度に等しいか又はほぼ等しい濃度でリンをイオン注入することによりn形の不純物が添加される。次に、メモリ領域4をフォトマスク18によりマスクする。この工程を図3に示す。
マスク18によりマスクされていない位置、すなわちアクティブ領域5のポリ層17及び層16を除去し、厚さポリ層17の厚さに等しいポリ層だけをアクティブ領域に残存させる。次に、フォトマスク18を除去する。この工程のデバイスを図4に示す。
次の工程において、第3のポリ層19、すなわちポリCを堆積し、このポリ層は以前のポリ層の濃度に等しいか又はほぼ等しい濃度のn形の不純物が添加されている。本例のポリ層の厚さは同様に150nmとし、ポリ層7及び17の厚さに等しくする。一方、変形例として、ポリ層19の厚さは異なる値を有することができ、例えば形成されるゲートが適当な抵抗値を有するように選択することもできる。次に、図5に示すように、アクティブ領域4のメモリトランジスタの制御電極を規定し、アクティブ領域5のロジックMOSトランジスタのゲートを規定する新しいフォトマスク20を形成する。次に、マスクされないポリ層をエッチングにより除去し、(図6)メモリトランジスタの制御電極21及びロジックMOSTの絶縁ゲートを形成する。ゲート21及び22は等しいか又は少なくともほぼ等しい厚さであるので、この場合異なる厚さの層をエッチングする場合にしばしば必要なオーバエッチングが不要である。この後、再びマスク20を除去する。
次の工程において、光酸化工程を行ない、ポリゲート21及び22の側部を酸化物で覆う。次に、アクティブ領域5にLDD構造を形成する。次の工程において、ゲート21及び22の側部に、例えば酸化層の堆積及びエッチングバックのような既知の方法によりスペーサ23を形成する。これとの関連において、ゲート電極21及び22上のスペーサはほぼ同一の寸法とし、これは次に行なうサリサイドプロセスにおいて重要である。次に、マスクとして作用するスペーサ23を用いて、ソース領域及びドレイン領域24及び25を砒素イオンの注入により形成する。これらの領域は、LDD領域24a及び25aによりトランジスタのチャネル領域から分離する。このために用いたマスク並びに層16及びシリコン層6の露光された部分を除去した後、表面上にTiの層26を形成し、これにより図7に示す状態が得られる。図面から明らかなように、Ti層26はシリコン本体1及びポリゲート21及び22と局部的に接触し、スペーサ23及びフィールド酸化膜3の区域でシリコン酸化物と局部的に接触する。このTiは加熱処理のもとでポリゲート21,22上並びにトランジスタのソース及びドレイン領域上においてチタニウムシリサイドを形成し、フィールド酸化膜3上では変化しない。スペーサ23の側部においては、Tiは、シリコンの拡散によりソース及びドレイン領域並びにゲート電極に近接した部分だけがシリサイドに変化し、残りの部分についてはスペーサはTiで覆われる。メモリトランジスタの制御電極及びロジックトランジスタのゲート22は実際に厚さが等しいので、スペーサ23も実際に等しい高さに形成され、橋絡するおそれは極めて小さい。残存するTiはフィールド酸化膜3及びスペーサ23の側部から選択的エッチング工程により除去され、選択的エッチングによりTiはチタニウムシリサイドよりも速く除去されるので、図8に示す相互に分離された低オーミックのシリサイドコンタクト27が得られる。
次に、このデバイスについて、1個又は数個の金属層による導電性接続部の形成及びガラス層の形成のような通常の別の処理を行なう。これらの工程は一般的に既知であり、従って詳細な説明はしないことにする。
ここで説明した実施例において、ポリ層Aからフローティングゲート10全体を形成しゲート22を部分的に形成し、これに続いて2個のポリ層、すなわち制御電極21を(部分的に)形成するポリ層B及び制御電極21及びゲート22の残りの部分を形成するポリ層Cを形成した。この実施例は、フローティングゲートの厚さを比較的広い範囲にわたって独立して選択できる利点がある。可能性のある欠点は、制御電極21及びゲート22が複合ポリ層で形成されるため、ポリ層間の酸化層によりゲートが空乏化する課題があり、この酸化層はドーピング中に不純物に対する障壁を形成し、ポリの不純物濃度が低くなり過ぎてしまう。この欠点を解消するため、上述した処理プロセスの変形例を図9に基いて説明する。図9に示す工程は、第1のプロセスとしてTi層26を堆積した図7に示す工程に対応する。
この変形例において、ポリ層Aの厚さは約300nm、すなわち第1実施例の厚さの2倍とする。上述した方法と同様な方法として、メモリトランジスタのフローティングゲートはこのポリ層から形成する。これまでの処理工程及び図4に示す工程は、ロジックトランジスタのアクティブ領域5がポリ層Aにより覆われている間に行なう。メモリトランジスタの制御電極21を形成するためのポリ層Bも約300nmの厚さとする。次に、メモリトランジスタの制御電極21及びロジックトランジスタのゲート22は、前の実施例(図5)のマスク20に対応するマスクにより形成する。別の処理工程は前の実施例と同一である。制御電極21及びゲート22は等しい厚さであるから、上述したオーバエッチング及び橋絡部の形成の課題を解消し再現性のある方法で処理を行なうことができる。前述した実施例に比べて、フローティングゲート10の厚さを比較的厚くすることにより平面構造性が低下するか、一般的にはその後の処理工程を若干困難なものにするにすぎない。他方において、図9の構造体は、ゲート空乏化を阻止する利点及びフローティングゲートが大きな側部表面を有する利点を有しているので、オーバラップする制御電極21とフローティングゲートとの間の容量が比較的大きくなる。
本発明は上述した実施例だけに限定されず、本発明の範囲内において種々の変形が可能である。従って、本発明はシリサイド層を有しない実施例においても多くの利点を達成する。上述した実施例の導電型を反対にすることも可能である。上述したプロセスの第1実施例において、所望の場合、シリコンオキシナイトライド層8を削除することもできる。
Claims (4)
- 多結晶又はアモルファスシリコンの絶縁ゲートを有する第1のMOSトランジスタと、電気的にフローティングの多結晶又はアモルファスシリコンのゲート及び前記フローティングゲートの上側に位置しこのフローティングゲートから電気的に絶縁されている多結晶又はアモルファスシリコンの制御電極を有する第2のMOSトランジスタの形態の不揮発性の書き込み可能なメモリ素子とが表面に設けられているシリコンから成る半導体本体を有する半導体デバイスを製造するに当たり、
前記半導体本体の表面に、前記第1のMOSトランジスタ用の第1のアクティブ領域及び前記第2のMOSトランジスタ用の第2のアクティブ領域を規定し、
前記第1のアクティブ領域及び前記第2のアクティブ領域に電気的に絶縁性の層を設けて、前記第1のMOSトランジスタのゲート誘電体層及び前記第2のMOSトランジスタのゲート誘電体層をそれぞれ形成し、
前記第1のアクティブ領域上及び前記第2のアクティブ領域上に、前記絶縁層により分離された第1の多結晶又はアモルファスシリコンの層を堆積し、
前記第1の多結晶又はアモルファスシリコン層上に誘電体層を形成し、
前記第1の多結晶又はアモルファスシリコン層上に、前記誘電体層により分離された第2の多結晶又はアモルファスシリコンの層を堆積し、この第2の多結晶又はアモルファスシリコン層の厚さを前記第1の多結晶又はアモルファスシリコン層の厚さに等しくし、
前記第1のアクティブ領域上の前記第2の多結晶又はアモルファスシリコン層を除去し、
前記堆積した第1及び第2の多結晶又はアモルファスシリコン層から、前記フローティングゲート、前記制御電極、及び前記絶縁ゲートを規定し、前記フローティングゲートは、前記第2の多結晶又はアモルファスシリコン層を堆積する前に、前記第1の多結晶又はアモルファスシリコン層から形成することによって規定し、前記フローティングゲートを形成した後に、
前記第1のアクティブ領域を前記第1の多結晶又はアモルファスシリコン層によって不純物添加に対してマスクしながら不純物添加することによって、前記第2のMOSトランジスタのソース領域及びドレイン領域を設ける
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 前記第1のアクティブ領域上の前記第2の多結晶又はアモルファスシリコン層を除去した後に、前記第1のアクティブ領域上に第3の多結晶又はアモルファスシリコンの層を堆積し、前記制御電極及び前記絶縁ゲートを、前記第2の多結晶又はアモルファスシリコン層及び前記第3の多結晶又はアモルファスシリコン層の結合から形成することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第2の多結晶又はアモルファスシリコン層を堆積する前に、熱酸化により前記フローティングゲートの側部をシリコン酸化物層で覆うことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1及び第2のMOSトランジスタのソース領域及びドレイン領域、前記制御電極、及び前記絶縁ゲートに、サリサイド処理により、シリコンと金属との合金のシリサイドの上側層を形成することを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。
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