JP4157914B2 - 温度測定装置及び温度測定方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は温度測定対象の表面に予め装着して温度測定を行う温度測定装置に関し、特に例えば温度測定対象が人体で有る場合には、人体の衣服の外側から瞬時に且つ正確な温度測定を行うことができる温度測定装置及び温度検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電子体温計の感温部形状に関しては、例えば特開昭６３−１３３０３０号において体表面に装着可能な円盤状形態を有した電子体温計等も提案されてはいるが、実用化されている感温部形状は一般的には棒状形態であり、この棒状形態の感温部を腋下（脇の下）・直腸・口腔等の特定部位に挟みつけるか又は挿入することによって体温度の計測を行ってきた。
また係る従来の電子体温計の温度計測方法としては、検温開始直後からの規定時間において体温度上昇率を検出しこの変化率から平衡温度を演算して体温度表示をする予測式と検知温度が略平衡するまで計測をおこなう実測式が採用されてきた。
電子体温計の温度表示方法は、水銀またはアルコール体温度計と同様に体温度の最高値表示を維持させる方式であり、次回検温時には一旦リセットさせる必要があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
以上の従来の電子体温計における感温部は、熱伝導を容易にする金属材料またはシリコン等の柔軟性を持った材料を用いた棒状構造をなしている。しかし、このような棒状の感温部を腋下に挟んだ場合、痩せた体型においては腋下に元々隙間があるため安定して挟み込むのは困難であり、特に老人の場合は筋肉が衰えてくるため腋下に隙間が大きくなり正確な検温が困難であった。
また乳幼児や幼児の場合、腋下に挟んだ棒状感温部を検温中数分間にわたって一定且つ連続固定することは容易ではなく正確な検温が困難であった。
また口腔計測する場合は、呼気で舌下温度が変化する事を防ぐため数分間にわたって口を閉じていなければならないが、このような拘束条件は乳幼児や幼児には無理があり正確な体温度測定が困難であった。
また肛門検温は体温度計の消毒等衛生管理が面倒であり、一般家庭での検温には適していなかった。
【０００４】
一方、従来の電子体温計における計測方式は、上記したように予測式と実測式があるが、予測式の場合、腋下に挟んだ押圧を安定させ条件を均一化させることが必要となる。すなわち計測予測時間内に腋下の隙間や挟み付ける圧力に変化があった場合、体表面から電子体温計への熱伝播状態が変化し検知温度上昇率も途中で変化するため正確な予測演算が困難となる。
また実測式の場合、５分以上の時間を安定な押圧で隙間を作らず腋下に挟み続ける検温方法、或いは口中舌下に安定に挟んで鼻呼吸を続けなければならない検温方法は、いずれも正確な検温値を得るには障害となっていた。
【０００５】
また従来の電子体温計はその温度表示として検温値のピークホールドを表示することが一般的になっている。しかし、検温終了後は一旦リセットする必要が生じるためにリアルタイムで連続した被測温体温度をモニタするには適していなかった。
更に従来の一般型電子体温計において検温値は体温度計の表示器に温度表示されるため、使用者（病院においては主として看護婦）がその都度この温度表示を読み取って記録する手間が必要であった。
【０００６】
以上の課題を解消することを目的として特開昭６３−１３３０３０号には、柔軟性基板と柔軟性基板上に搭載された電源電池及び回路素子と感温部を除いて被覆する柔軟性で断熱性を有する被覆材を備える電子体温計が開示された。
この特開昭６３−１３３０３０号には温度表示記録の手間を省く手段として体表面に貼り付けられた電子体温計から外部装置メモリに温度データを蓄積する構成が提案されている。しかしこの特開昭６３−１３３０３０号では、体表面に装着された体温度計と外部装置をケーブル接続する有線方式を採用するため操作性が悪いものであるということができる。
【０００７】
また特開昭６３−１３３０３０号の電子体温計にあっては、回路素子を駆動するために常に電源電池が必要であり、電池電力消耗に伴い電池をその都度交換しなければならず、さらに電池交換時には基板が柔軟性を有しているが故に回路素子の半田付け部分にストレスが加わり、故障の要因となるという問題があった。また電池交換時には、柔軟性及び断熱性を有した被覆材を剥がすことになり繰り返し使用するには問題があった。
【０００８】
さらに特開昭６３−１３３０３０号の電子体温計における出力手段は柔軟性基板上に設けられた固定コネクタに外部からのケーブルを接続する方式となっている。しかしながら、この外部からのケーブルを体表面に装着された柔軟性基板に接続する際に、柔軟性基板上の回路素子には大きなストレスが加わるため故障の要因となる。さらに検温の度にコネクタを挿抜した場合は故障の確立が高くなることが容易に予想される。またケーブルを接続したままの場合、ケーブルの引っ張り具合によっては過大なストレスが加わり電子体温計側コネクタとケーブル側コネクタの勘合不具合が発生し接触不良等の大きな要因になることが指摘される。
【０００９】
特開昭６３−１３３０３０号の電子体温計を体表面に装着した被験者は、電子体温計と外部機器をケーブルで接続した場合、自由が拘束される不便がある。また外部機器と電子体温計は1：1の関係となり、外部機器の稼動効率が悪くなる。一方、外部機器に複数の入力ポートを設け複数の電子体温計をパラレル接続した場合は、外部機器自体はコストアップになると同時に被験者は複数ケーブルが絡まないようにするために更なる拘束状態となる不便が発生する。
【００１０】
特開昭６３−１３３０３０号の電子体温計は内部に電気回路と感温部と測温手段を備えているが、他に電源電池とその固定金具、出力コネクタ、断熱性を有した被覆材等が一体となった機構は、全体構造として部品点数が多く体表面に貼る装置として考えた場合は厚みと柔軟性に相反する課題がある。またこれらの多くの部品点数はコストアップ要因を招き、この構造においてディスポーザブルタイプとするには障害がある。
また光通信でデータを外部に出力し、フォトトランジスタで受光しようとした場合、発光側と受光側の間に光を遮る遮蔽物があってはならない。従って被験者は体温度測定装置を体表面に貼り付けている間、衣服等を着ることが出来ず、体表面および体温度測定装置は外気に晒されることになり、この結果体表面は外気温度に影響され正確な被測温体温度測定が出来なくなるといった重大な問題が存在する。
【００１１】
特開昭６３−１３３０３０号の電子体温計でリアルタイムに体温度の計測をしようとした場合、体表面および体温度測定装置を衣服で覆ったまま当該体温度測定装置側の光出力コネクタ近辺に受光用の光ファイバーを衣服内に挿入して発光側と受光側の光軸を一致させなければならない。このために何らかの方法で体温度測定装置に受光用光ファイバを固定する機構が必要となり複雑でコストアップの要因となる。すなわち体温度測定装置とデータ受信側がたとえ電気的に非接触であっても光ファイバーが存在する限り実質上、有線方式と差異がなくなる。またこのような有線方式の場合、体温度測定装置とそのデータを受信する装置の関係は、測定中には1：1となり受信側装置は一人の被測温体温度測定者に占有されてしまうため、効率が悪くなってしまうといった問題が発生する。
【００１２】
さらに特開昭６３−１３３０３０号の電子体温計は、被測温体温度の感温手段としてサーミスタチップを体表面に直接接触させる手段をとっている。温度データ検出手段を体表面肌に直接密着させて温度検知しようとした場合、柔軟性のある肌表面では常時安定した接触が得られないため正確な被測温体温度測定ができない。
したがって本発明は以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであって、老人や乳幼児若しくは幼児でも正確な検温値を得ることができ、被測温体温度をモニタし記録する手間も少なく、しかも操作が簡易であり、また故障が少なく安定した作動が期待できる、さらに部品点数が少なく必要に応じてディスポーザブルタイプとすることもできリアルタイムに正確な温度計測ができる温度測定装置及び温度測定方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の温度測定装置は、少なくとも一の側面が粘着性を備える柔軟性シートに穴部及び/又は孔部を設け、その穴部及び/又は孔部の内側の温度検出を行う温度データ検出手段が設けられ、前記温度データ検出手段によって前記穴部及び / 又は孔部の少なくとも一側部が形成され、測定対象と前記温度データ検出手段とによって前記穴部及び / 又は孔部内側に密閉空気層が形成されることを特徴とする。
【００１４】
前記穴部及び/又は孔部内側に温度データ検出手段の検出部が露出するように配置してもよい。
【００１５】
削除
【００１６】
前記穴部及び/又は孔部を複数設けてもよい。
【００１７】
前記温度データ検出手段と連動する電磁波送受信手段を設けてもよい。
【００１８】
前記電磁波送受信手段が外部装置から電磁波を受ける電磁誘導結合手段を有してなる様にしてもよい。
【００１９】
前記電磁誘導結合手段は外部装置からの電波によって起電力を受けて前記温度データ検出手段に電力を供給する様にしてもよい。
【００２０】
前記電磁誘導結合手段のアンテナコイルを介して前記温度データ検出手段から温度データを前記外部装置へ電波送信する様にしてもよい。。
【００２１】
前記アンテナコイルを介して前記温度データ検出手段から温度データとＩＤコードを一対で前記外部装置へ電波送信する様にしてもよい。
【００２２】
また本発明の温度測定装置は、少なくとも一の側面が粘着性を備え、穴部及び / 又は孔部が設けられた柔軟性シートの上面に、システム LSI チップを搭載したフィルム状制御基板が接着され、前記穴部及び / 又は孔部の内側の温度検出を行う温度データ検出手段が前記穴部及び / 又は孔部の内側の空気層に露出する態様で前記フィルム状制御基板の裏面に取り付けられてなることを特徴とする。
【００２３】
フィルム状制御基板が取りつけられる柔軟性シートに粘着剤塗布シートが貼付されて穴内側空間が遮蔽される様にしてもよい。
【００２４】
粘着剤塗布シートの所定部位に通気穴が設けられる様にしてもよい。
【００２５】
粘着剤塗布シートにパンチ穴が設けられる様にしてもよい。
【００２６】
粘着剤塗布シートがフィルム状制御基板が取りつけられる柔軟性シートに貼付され、穴内側空間が遮蔽され、粘着剤塗布シート及び/又はフィルム状制御基板及び/又はフィルム状制御基板を取りつける柔軟性シートに連続多孔質ポリテトラフロロエチレンを適用してなる様にしてもよい。
【００２７】
温度データ検出手段による検出温度データが人体の温度データである様にしてもよい。
【００２８】
本発明の温度測定方法は、柔軟性シートに穴部及び/又は孔部を設け、その柔軟性シートを測定対象に装着することによって前記穴部及び/又は孔部によって密閉された空気層を形成し、前記穴部及び / 又は孔部内側に温度データ検出手段の検出部が露出するように温度データ検出手段を配置し、前記温度データ検出手段により前記空気層の温度測定を行うことを特徴とする。
【００２９】
柔軟性シートに設けられた記憶手段に温度データ検出手段によって検出された温度データを蓄積し、柔軟性シートを測定対象から取り外した後に前記記憶手段に蓄積された温度データを取得する様にしてもよい。
【００３０】
削除
【００３１】
本発明において人体は有力な且つ有効な被測温体であって本発明の温度測定装置及び温度測定方法は人体の体温測定装置及び体温測定方法、すなわちいわゆる体温計若しくは体温測定方法として極めて好便に適用できる。係る意味において本発明の温度測定装置及び温度測定方法を人体に適用する場合を中心として以下に本発明を詳述する。しかし、本発明の温度測定装置及び温度測定方法が適用される被測温体は人体には限定されず本発明の課題が有意義に達成できる全ての被測温体が本発明適用の対象となる。
【００３２】
本発明において少なくとも一の側面が粘着性を備える柔軟性シートに穴部及び/又は孔部を設け、その穴部及び/又は孔部の内側の温度検出を行う温度データ検出手段が設けられる被測温体表面装着装置は、被測温体の任意部位へ装着し、被測温体温度データ検知手段とその被測温体温度データを電波伝送する機能を有した被測温体表面に装着する被測温体温度計である。
【００３３】
また外部装置は被測温体表面装着装置に電力エネルギーを電磁波で供給し、被測温体表面装着装置からの被測温体温度データを電波で受信し外部装置内ＣＰＵとプログラムに書き込まれた関数式で演算して被測温体温度値に変換し更に温度を表示する。すなわち被測温体表面装着装置と外部装置は固有の共振周波数によって電波結合された非接触型のエネルギーとデータの送受信装置である。
【００３４】
前述した課題を達成するために本発明は、被測温体表面装着装置を小型軽量薄型化し、さらに被測温体表面装着装置独自では電池等の電源を持たせず、外部装置からの電波で電力供給を受ける機能を有する温度測定装置である。
すなわち被測温体表面装着装置が外部装置との電波交信領域に入ったとき外部装置から電力が電波転送され、被測温体表面装着装置がその機能を活動化させる。
被測温体表面装着装置は外部装置と電磁波結合されている間、電力エネルギーを電磁波で供給されるため、被測温体表面装着装置は無電池構造が可能となり小型軽量で薄いシート又はラベル構造にできる。また電池交換が不要のため半永久的に被測温体温度計として使用が可能となる。一方この被測温体表面装着装置の電子部品はアンテナコイルの印刷化とワンチップ又は数点のチップ部品で構成されるため製造コストが大幅に低減でき、使い捨て用途としての利用も可能である。
【００３５】
また本発明の特徴として所定厚の柔軟性シートに穴空間を設け、この柔軟性シート上面には、フィルム状及び／又はラベル状の基板に制御素子及び／又はＣＰＵ及び／又はアンテナコイルと温度データ検出手段を有したフィルム及び／又はシート基板が前記穴空間を塞ぐ形で取り付けられている。さらに所定厚の柔軟性シート裏面は粘着材が塗布され、体表面又は被測定対象に貼り付けられる。この貼付けられた状態において穴空間は密閉空間となり、この密閉空間の空気層温度は体表面又は被測定対象温度として忠実に且つ安定に温度データ検出手段に反映させることができる。
【００３６】
前記の空気層間接検温方式は従来の温度測定装置、特には体温計に存在した問題の解決に有効に作用する。すなわち温度データ検出手段に粘着材を介して直接体表面に貼り付けた場合の粘着材塗布厚さの製品別不均一や体表面貼付け後の使用経過に基づく粘着力変化等により体表面からの熱伝導量変化に起因する不正確検温要因が排除され安定且つ正確な温度測定が可能となる。
またメディカルテープ等で温度データ検出手段を体表面に固定させて直接に肌に密着させる方式を採用したとしても、特開昭６３−１３３０３０号の電子体温計や従来の棒状感温部を有する電子体温計が、柔軟性のある肌表面で常時安定した接触が得られないために正確な被測温体温度測定ができない状況と同一の課題を抱える結果となる。
従って前記の空気層間接検温方式は、上記の不安定検温要因課題を解決する温度測定方式である。
【００３７】
【発明の実施の形態】
［第一の実施の形態］
図１は本発明の第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムの全体概要図である。
図１において、被測温体に装着される被測温体装着装置1は外部装置であるリーダ2からの電波を受信して電力を供給され、かかる電力によって被測温体装着装置1において測温が行われてその測定結果が電波によって被測温体温度及びＩＤデータとしてリーダ2に送られる。リーダ2は図示しないパーソナルコンピュータに接続可能に構成されて、パーソナルコンピュータにおけるデータ処理が必要に応じて行われる。
【００３８】
図２は図１に示す第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムを機能ブロックによって模式化した全体概要図である。図２に示されるように、リーダ2はリーダ2本体にアンテナコイル3を備えてなり、係るアンテナコイル3を介してフィルムアンテナコイル4を備えた被測温体装着装置1との間で電波の送受信が行われる。
図示されるようにリーダ2からはアンテナコイル3を介して被測温体装着装置1に電波による起電力が供給され、一方被測温体装着装置1からはリーダ2に対して温度データが電波によって送信される。
リーダ2は図示されるようにシステムLSI5を搭載し、駆動電力を供給する電源回路6とアンテナコイル3に入出力する電波インターフェース7と基準クロツク信号を発生するクロック回路8、電波インターフェース7に入出力する電磁誘導結合回路9、さらに測温結果等を表示する液晶表示器10及び図示しない外部機器に接続するための外部機器接続回路11を有する。
【００３９】
またシステムLSI5は、インターフェース5aとA/D-D/A変換器5bとRAM5cとROM5dとCPU5eとEEPROM5fを備えて構成される。前記アンテナコイル3は被測温体装着装置1のＩＤコードと温度データとサーミスタ特性ＩＤを受信し、システムLSI5において受信したデータを処理すると共に処理データを記憶し、液晶表示器10によって表示するハンディタイプのものとして構成される。このリーダ2は一台で多数の被測温体装着装置1の電波を順次スキャニングして読み込み被測温体装着装置1のＩＤコードと温度データとサーミスタ特性ＩＤを一対としてリーダ2内部の記憶部であるRAM5cに格納した後、キャリブレーションされ被測温体装着装置1のＩＤと測定した温度値が液晶表示器10に表示される。またリーダ2と図示しない外部機器、例えばパーソナルコンピュータを接続しリーダ2内に一旦格納されたデータをパーソナルコンピュータ側に一括送信して温度データと被測温体装着装置1のＩＤコードを処理することができる。
このリーダ2はデータを受信する際、被測温体装着装置1のＩＤコードを認識しながら温度データを高速スキャニングするため、ほとんど瞬時に複数の被測温体装着装置1のデータを読み込むことができる。
【００４０】
一方、被測温体装着装置1は図示されるようにシステムLSIチップ12を搭載し、フィルムアンテナコイル4に入出力する電波インターフェース13と温度検出部14、電波インターフェース13に入出力する電磁誘導結合回路15を備え前記温度検出部14及び電波インターフェース13に入出力するシステムLSIチップ12は、インターフェース12aと温度検出部14の感温抵抗を検出してこれをデジタル温度の書込データに変換するA/D変換器12bとRAM12cとROM12dとCPU12eとEEPROM12fを備えて構成される。
以上において温度検出部14は温度データ検出手段16及び密閉空気層17を備えて構成される。
【００４１】
図３は前記被測温体装着装置1の側方断面図である。図３において、フィルム状制御基板18の上面にシステムLSIチップ12が搭載され、柔軟性シートとしての所定厚の不織布19の上面に前記フィルム状制御基板18が接着されており、この所定厚の不織布19にあけられた穴20内側の空気層21に露出する態様でチップサーミスタ22が前記フィルム状制御基板18の裏面に取り付けられている。また所定厚の不織布19の裏面には体表面貼り付け用の粘着材23が塗布されている。
体表面に貼り付けられた所定厚の不織布19は、その中央にあけられた穴20によって形成された空間が体表面と前記フィルム状制御基板18の裏面との間に不織布19の所定厚さに近似する厚みの空気層21を形成することとなる。
【００４２】
上述するように不織布19裏面は穴20部分を除く周囲に粘着材23が塗布されているため体表面に貼り付けた状態においては、空気層21は穴20によって形成された空間の中で閉じ込められ外気と遮断される。この遮断された空気層21温度は外気温度に影響されず、体表面温度を忠実に反映させることができ、この空気層21にはチップサーミスタ22が直接露出するように配置される。
【００４３】
この空気層21を介する間接検温方式は、温度データ検出手段が粘着材23を解して直接体表面に貼り付けた場合に生じる粘着材23塗布厚さの製品別不均一や体表面貼付け後における使用経過に基づく粘着力変化等に基づく体表面からの熱伝導量の変化等に起因する被測温体温度測定の不安定要素を排除することが可能となる。またメディカルテープ等で温度データ検出手段を直接に肌に密着させる方式は、柔軟性のある肌表面で常時安定した接触が得られないため正確な被測温体温度測定ができないが、前記した密閉された空気層21の温度を介して間接的に温度測定する方式は、正確且つ安定した温度測定が可能となる。
【００４４】
以上のように、所定厚の不織布19の穴20によって形成された空間に位置させる温度データ検出手段としては温度値を抵抗値に変換する手段を採用することができる。係る温度値を抵抗値に変換する手段としては、前記チップサーミスタ22以外にフィルム状制御基板18に印刷されたサーミスタパターンや白金測温抵抗体でも良い。この場合、より薄い測温チップの抵抗体を取り付けて、測温チップが肌に直接触れない構造とする。
【００４５】
また温度値を電圧値に変換する手段として、ゼーベック効果を利用した熱電対素子やペルチェ効果を利用したＰＮ接合素子やダイオード又は温度に比例した電圧出力のＩＣチップを、不織布19の所定厚さによって生じる穴20によって形成された空間に収納する方式でも良い。
【００４６】
また所定厚の不織布19の穴20によって形成された空間に位置させる温度データ検出手段としては温度値を周波数に変換する手段を採用することができる。温度値を周波数に変換する手段として、マルチバイブレータ回路や発振回路又はＶ−Ｆコンバータによって、前記の温度値が抵抗値又は電圧値に変換された物理量をさらに周波数変換することにより、Ａ／Ｄコンバータを介さずに直接に外部装置であるリーダ2に送信するためのチップＩＣを、不織布19の所定厚さによって生じる穴20によって形成された空間に収納する方式でも良い。
【００４７】
また所定厚の不織布19の穴20によって形成された空間に位置させる温度データ検出手段としては温度値を時間に変換する手段を採用することができる。温度値を時間に変換する手段として、前記の周波数変換された信号をさらに周期時間又はパルス幅に変換するためのチップＩＣを不織布19の所定厚さによって生じる穴20によって形成された空間に収納する方式でも良い。
また前記の温度値が抵抗値又は電圧値に変換されたアナログ物理量をＡ／Ｄ変換しデジタルに変換するためのＡ／Ｄ変換器内蔵のＬＳＩチップを、不織布19の所定厚さによって生じる穴20によって形成された空間に収納する方式でも良い。
【００４８】
上述したようにフィルム状制御基板18にはＣＰＵチップとメモリＩＣ又はＣＰＵとメモリＩＣを含むシステムＬＳＩチップ12が搭載されている。
メモリＩＣには、被測温体温度値を抵抗値、電圧値、周波数、周期、時間等のいずれかに変換する際に生じる変換特性個体差をキャリブレーションするためのデータが記憶されている。
【００４９】
また前記フィルム状制御基板18には、リーダ2から電波エネルギーを照射することにより電力を誘起する電磁誘導結合回路15が備えられる。また電磁誘導結合回路15は外部装置であるリーダ2から電波エネルギーを受信するためのフィルムアンテナコイル4を備えている。
フィルム状制御基板18はチップサーミスタ22またはフィルム型サーミスタ（Ｒｔｈ）を同一平面上にパターン形成することによって有してなる。このように外部装置であるリーダ2から電波エネルギーを照射することによりにフィルムアンテナコイル4を介して電磁誘導結合回路15が誘導電圧を発生させ、電力を誘起するため本発明の温度計はそれ自体が電源を備える必要はなく無電池構成とされる。
【００５０】
本第一の実施の形態においては温度データ検出手段としてＮＴＣサーミスタが使用されている。被測温体装着装置1の製造段階で予め基準となる３２℃から４２℃の間において、恒温室で複数の温度をＮＴＣサーミスタの温度に対する抵抗値変換データをバージン状態のメモリに順次記憶させ、この記憶したデータは被測温体装着装置1毎の固有サーミスタ特性ＩＤとなる。
【００５１】
第一の実施の形態では、被測温体装着装置1に搭載するメモリ容量を小さくする目的のため、被測温体装着装置1側でキャリブレーションするための関数式はもたせていないが、メモリ容量に余裕があれば、体表面装置側で個々のチップサーミスタ22の温度に対する抵抗値変換特性個体差を校正してEEPROM12fに記憶させても良い。
【００５２】
一方、リーダ2にはサーミスタ抵抗特性変換データの代表値が与えられる。このデータがすべて被測温体装着装置1のサーミスタ変換データに対する基準データとなる。更にこの基準データに基づいて基本関数式がすべての外部装置であるリーダ2内メモリに予めマスクＲＯＭとして書き込まれて製造される。
実際の被測定対象に対する温度測定の際に、被測温体装着装置1から測定温度データとサーミスタ特性ＩＤが連結データ又は時分割で外部装置であるリーダ2に電波送信される。リーダ2は電波で受信した測定温度データとサーミスタ特性ＩＤデータを一旦RAM5cに格納する。
【００５３】
サーミスタ特性ＩＤは、リーダ2に予め記憶された基本関数式に挿入され、新たな温度変換関数式を創出する。さらに創出された温度変換関数式に測定データを挿入することにより温度を検出する。
【００５４】
第一の実施の形態の温度計ではフィルムアンテナコイル4、フィルム型サーミスタ、ＣＰＵを一枚のフィルム状制御基板18上に平面状に形成される。しかし、そのように必ずしも平面上に形成される必要はなく実施の態様によってフィルムアンテナコイル4、フィルム型サーミスタ、ＣＰＵチップ又はフィルム型ＣＰＵそれぞれを多層的に配置した構造を採用することもできる。
【００５５】
以下に以上の第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける被測温体装着装置1を構成するにあたってフィルムアンテナコイル4、チップサーミスタ22（フィルム型サーミスタ）、システムＬＳＩチップ12を一枚のフィルム状制御基板18上に平面状に形成するプロセスを説明する。
【００５６】
図４に示されるように先ずフィルム状フレキシブル基板18の同一平面上左側エリアにフィルムアンテナコイル4を含む電磁誘導結合回路15とシステムＬＳＩチップ12が配置され、右側エリアにチップサーミスタ22が表面実装される。係るチップサーミスタ22に代えて図５に示されるようにサーミスタパターン22aを印刷するようにしてもよい。
【００５７】
次に図６に示される様にフィルム状フレキシブル基板18を折り曲げて、システムＬＳＩチップ12が配置されるフィルム状フレキシブル基板18の表面に対して、チップサーミスタ22又はサーミスタパターン22aを裏面に配置する。このようにフィルム状フレキシブル基板18上の同一平面上に配線パターンを印刷し、すべての電子部品を同一平面上に表面実装する片面表面実装基板として構成することによって安価に製造することが可能となる。
次に図７に示されるようにフィルム状フレキシブル基板18を不織布19に取りつけその際、チップサーミスタ22又はサーミスタパターン22aを不織布19の所定厚さによって生じる穴20によって形成された空間に収納する様にする。これにより図８に示される様にチップサーミスタ22が不織布19の穴20によって形成された空間に露出し、同様に図９に示される様にサーミスタパターン22aが不織布19の穴20によって形成された空間に露出する。
【００５８】
以下に第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける温度測定過程を図１０乃至図１４に示すフローチャートを参照して説明する。
測定開始にあたっては先ず体表面に被測温体装着装置1を貼付け、その時、脱衣による外気の影響で体表面温度が変化する。しかし、被測温体装着装置1の上から衣服を着用することによって外気によって変化した体表面温度の回復が開始する。被測温体温度回復の規定時間が経過し、衣服内の体表面被測温体温度が安定して被測温体温度復帰が完了すると被測温体装着装置1の密閉空気層17の温度が安定する。その後、外部装置であるリーダ2のスイッチをONすることによって、リーダ2から電磁波が発生する。 その状態でリーダ2を着衣に接近させて被測温体装着装置1の電磁誘導結合回路15が機能する電磁誘導結合距離以内になると電磁誘導結合回路15に電力が発生して被測温体装着装置1が活発化して、被測温体装着装置1の電波インターフェース13から外部装置であるリーダ2にスタンバイ信号の応答が発せられる。これに応じて外部装置であるリーダ2からセンサ固有データの要求コマンド信号が発信され（センサ固有データ＆温度データの時分割送信の場合）、それにより、工場出荷時、被測温体装着装置1に搭載したEEPROM12fに予め記憶された複数の規定温度のセンサ固有データを外部装置であるリーダ2に電波インターフェース13を経由して送信する。外部装置であるリーダ2の電波インターフェース7で変調されて電波送信されてきたセンサ固有データを復調し、システムLSI5のインターフェース5aに入力する。外部装置であるリーダ2のROM5d内の基本関数式にセンサ固有データが入力され、外部装置であるリーダ2のCPU5eによって新規のセンサ固有関数式が創出される。
新規に創出された関数式は外部装置であるリーダ2のRAM5cに格納される。その後の温度計測はこの後、新規に創出された関数式で行われる。
【００５９】
次に外部装置であるリーダ2から被測温体装着装置1に対して温度データの要求コマンドが発信され、被測温体装着装置1の温度検出部14である密閉空気層17内に露出するように配置されたチップサーミスタ22が温度検出を開始する。
測定被測温体温度に基づくチップサーミスタ22の抵抗値を温度検出部14で電圧値に変換し、システムLSI12のインターフェース12aに入力する。被測温体装着装置1のシステムLSI12は、入力アナログ電圧値をA／D変換しデジタル温度データをRAM12cに収納する。次いで被測温体装着装置1のシステムLSI12のRAM12cに収納された温度データは電波インターフェース13を経由してフィルムアンテナコイル4から外部装置であるリーダ2に変調電波信号で送信される。
【００６０】
外部装置であるリーダ2では電波インターフェース7において変調電波送信されてきた温度データを復調し、システムLSI5のインターフェース5aに入力する。
外部装置であるリーダ2のRAM5cに格納された新規創出関数式に被測温体装着装置1から送信された温度データを挿入しCPU5eにおいて演算が行われ測定温度値が得られる。
以上において、密閉空気層17の安定度チェックが都度行われる。すなわち、温度変化率を外部装置であるリーダ2のCPU12eで演算し、演算結果が規定値以内の温度値変化率でない場合には、温度変化率のCPU12eにおける演算結果が規定値以内の温度値変化率となるまで密閉空気層17の安定度チェックが反復して行われる。温度変化率のCPU12eにおける演算結果が規定値以内の温度値変化率である場合には規定値内温度変化のピーク値を外部装置であるリーダ2のRAM5cに記憶する。その後、規定測定時間が終了するまで測定動作が反復され、規定測定時間が終了すると共に外部装置であるリーダ2の液晶表示器10に測定被測温体温度値が表示される。それと共に外部装置であるリーダ2のシステムLSI5のEEPROM5fにデータが記憶され外部装置であるリーダ2のスイッチをOFFとすることによって測定が終了する。
【００６１】
以上に記載した実施例のフローチャートでは、温度検出部14のセンサとしてチップサーミスタ22を使用しており、また密閉空気層17は単一のものとして説明したが本発明は係る態様に限定されるものではない。すなわち密閉空気層17が複数の場合は、個々の密閉空気層17内に収納された各々のセンサ固有情報を外部装置であるリーダ2に送信し、外部装置であるリーダ2はROM5dに記憶されている基本関数式を使用してセンサ個数分の新規関数式を創出する。但しこの複数の新規関数式の場合はセンサにIDを設定し、新規関数式と対にする。係る新規関数式はリーダ2で創出させたが、被測温体装着装置1の工場出荷時において校正する際にこの新規関数式を被測温体装着装置1内のEEPROM12fに記憶させ、温度測定の実使用時において被測温体装着装置1のCPU12eで演算して被測温体温度を演算し、その結果をリーダ2に送信してリーダ2の液晶表示器10に表示させることも可能である。
【００６２】
［第二の実施の形態］
本発明の第二の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムでは第一の実施の形態とは異なり被測温体装着装置1の回路素子はCPU及びA／D変換器を備えないものとして構成される。すなわちチップサーミスタ若しくはフィルムサーミスタの抵抗値に比例した発振回路を構成し、発振周波数又はその周波数の周期（パルス幅）を直接データとして電波で外部装置に送信し、外部装置のソフトウェアでその周波数又は周期を温度データに変換する。係る実施の態様では 回路構成が簡単になり安価な温度測定装置が適用される測温システムとすることが可能となる。
【００６３】
［第三の実施の形態］
図１５は本発明の第三の実施の形態の温度測定装置の底面図である。図１６は本発明の第三の実施の形態の温度測定装置の他の底面図である。図１７は本発明の第三の実施の形態の温度測定装置の更に他の底面図である。 第三の実施の形態と第一の実施の形態との相違点は、第三の実施の形態の温度測定装置にあっては粘着剤塗布シート24が用いられ、係る粘着剤塗布シート24はフィルム状制御基板18が取りつけられる不織布19に貼付され、これによって図示されるように穴20内側空間は遮蔽される。 図１５ に示す態様では粘着剤塗布シート24の所定部位に矩形の通気穴25が設けられ、この通気穴25は円形であっても良い。また図１６に示す態様では粘着剤塗布シート24のフィルム状制御基板18が貼付された領域に複数の通気穴26a，26b，26ｃ，26ｄ，26ｅ・・・が設けられ、さらに図１７に示す態様では粘着剤塗布シート24の全面に粘着剤も併せてパンチ穴27a，27b，27ｃ，27ｄ，27ｅ・・・が設けられる。
【００６４】
［第四の実施の形態］
図１８は粘着剤塗布シート24として連続多孔質ポリテトラフロロエチレンを適用して構成された本発明の測温システムの被測温体装着装置1の側断面図であり、上述の各実施の形態と同様にフィルム状制御基板18の上面にシステムLSIチップ12が搭載されてなる。しかし上述の各実施の形態例とは異なり、所定厚のウレタン（発泡材）又はコルク材（断熱材）28の上面に前記フィルム状制御基板18が接着されており、このウレタン（発泡材）又はコルク材（断熱材）28の裏面に連続多孔質ポリテトラフロロエチレンからなる粘着剤塗布シート24が貼付される。図示されるようにウレタン（発泡材）又はコルク材（断熱材）28の中央にあけられた穴20によって形成された空間が粘着剤塗布シート24と前記フィルム状制御基板18の裏面との間にウレタン（発泡材）又はコルク材（断熱材）28の所定厚さに近似する厚みの空気層21を形成する。
【００６５】
前記連続多孔質ポリテトラフロロエチレンは延伸加工して製造され連続多孔質組織である点に特徴がある。原材料としてはポリテトラフロロエチレン（polytetrafluoroethylene:PTFE）が用いられ、係るPTFEのファインパウダーを押し固め、高温・高速で1軸または2軸の方向に延伸して連続多孔質ポリテトラフロロエチレンを製造することができる。また２方向に延伸（2軸延伸）した場合は、粒状のノー ドと放射状に伸びるフィブリルをもった2軸延伸構造とすることができる。この連続多孔質ポリテトラフロロエチレンの空孔は個々に存在するのではなく、どの面から見ても相互に連絡しあって、内部で途切れることのない連続多孔質構造を形成しており連続多孔質断面構造を有する。この連続多孔質ポリテトラフロロエチレンは親水性、吸水性は無く。水との接触角が大きいために高い撥水性を示す。また水のように表面張力の大きな液体は全く浸透させず、水蒸気を透過させる透湿性が有り、しかも分子間凝集力が小さく、摩擦抵抗は極めて小さい。また超高分子量のポリテトラフロロエチレンを高度に配向させているため、
多孔質構造体としては極めて強靱であり、また生体組織との親和性に優れ、異物反応が少なく、毒性、発癌性等の危険性もない。また特に生体内で劣化、変質することはなく多孔質構造を形成する空孔が連続しているために気体をよく透過し、孔径や空孔率をコントロールして透過性を自在に制御することができる。また非粘着・易剥離性という特性をもつにもかかわらず、接着剤を空孔内に圧入・固化させることで、アンカー効果による機械的な接着も可能で、多孔質構造のため、誘電率はポリテトラフロロエチレンの充実体よりも低く、加えてあらゆる固体中で最も誘電率が低く、優れた信号伝送特性と高周波絶縁特性が有る。また260℃まで使用することが可能で、さらに、マイナス200℃の低温でも柔軟性を保持する。
【００６６】
図１９は本第四の実施の形態の被測温体装着装置1の裏面図すなわち被測温体に対する装着面側の平面図であり、図示されるように連続多孔質ポリテトラフロロエチレンを適用して得られた粘着剤塗布シート24は空気層21に対応する部位の気体透過部24aとその他の領域である２軸伸延性エリア24bを有し、２軸伸延性エリア24bは図示矢印方向の伸延性を有する。
【００６７】
［第五の実施の形態］
図２０、図２１は粘着剤塗布シート24に併せてフィルム状制御基板18及びこのフィルム状制御基板18を取りつける柔軟性シート29に連続多孔質ポリテトラフロロエチレンを適用して構成された本発明の測温システムの被測温体装着装置1の側断面図であり、上述の各実施の形態と同様にフィルム状制御基板18の上面にシステムLSIチップ12が搭載されてなる。
この第五の実施の形態の被測温体装着装置1では粘着剤塗布シート24に併せてフィルム状制御基板18及びこのフィルム状制御基板18を取りつける柔軟性シート29に連続多孔質ポリテトラフロロエチレンを適用したので図２１に示される様に、図示矢印方向における保温性・透湿性が確保され、被測温体装着装置1を被測温体に装着しても特に不快感を生じるようなことは無く、快適な使用感を与えることができる。
【００６８】
【発明の効果】
本発明は温度計測において、温度測定装置を無電池で駆動し且つ温度データを無線伝送する温度測定装置に関するものであり、特に被測温体表面に予め装着しておくことにより検温が必要な際に瞬時且つ正確な被測温体温度を外部装置により電波で測定できるため、被測温体が運動する場合であっても温度測定をリアルタイムでかつ連続的に行うことが可能となる。
特に本発明は、被測温体が人体で有る場合には、人体表面に予め装着しておくことにより検温が必要な際に、体表面温度を定常状態に維持して衣服外側から瞬時に且つ正確に測定できるため、被測温体である人体が運動する場合であっても或いは被測温体である人が就寝中であっても無拘束の温度測定をリアルタイムで連続的に行うことが可能となる。従って動き回る幼児や腋下に隙間が大きくなる老人の体温測定に適している。また被験者が就寝中であっても気付かれずに随時体温測定が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムの全体概要図。
【図２】 図１に示す第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムを機能ブロックによって模式化した全体概要図。
【図３】 被測温体装着装置の側方断面図。
【図４】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける被測温体装着装置を平面状に形成するプロセス説明図。
【図５】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける被測温体装着装置を平面状に形成するプロセス説明図。
【図６】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける被測温体装着装置を平面状に形成するプロセス説明図。
【図７】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける被測温体装着装置を平面状に形成するプロセス説明図。
【図８】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける被測温体装着装置を平面状に形成するプロセス説明図。
【図９】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける被測温体装着装置を平面状に形成するプロセス説明図。
【図１０】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける温度測定過程フローチャート 。
【図１１】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける温度測定過程フローチャート 。
【図１２】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける温度測定過程フローチャート 。
【図１３】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける温度測定過程フローチャート 。
【図１４】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける温度測定過程フローチャート 。
【図１５】 本発明の第三の実施の形態の温度測定装置の底面図。
【図１６】 本発明の第三の実施の形態の温度測定装置の他の底面図。
【図１７】 本発明の第三の実施の形態の温度測定装置の更に他の底面図。
【 図１８】 本発明の測温システムの被測温体装着装置の側断面図。
【 図１９】 本発明の測温システムの被測温体装着装置の側断面図。
【 図２０】 本発明の測温システムの被測温体装着装置の側断面図。
【 図２１】 本発明の測温システムの被測温体装着装置の側断面図。
【符号の説明】
1・・・被測温体装着装置
2・・・リーダ
3・・・アンテナコイル
4・・・フィルムアンテナコイル
5・・・システムLSI
5a・・・インターフェース
5c・・・RAM
5d・・・ROM
5e・・・CPU
5f・・・EEPROM
6・・・電源回路
7・・・電波インターフェース
8・・・クロック回路
9・・・電磁誘導結合回路
10・・・液晶表示器
11・・・外部機器接続回路
12・・・システムＬＳＩチップ
12a・・・インターフェース
12c・・・RAM
12e・・・CPU
12f・・・EEPROM
13・・・電波インターフェース
14・・・温度検出部
15・・・電磁誘導結合回路
16・・・温度データ検出手段
17・・・密閉空気層
18・・・フィルム状制御基板
19・・・不織布
20・・・穴
21・・・空気層
22・・・チップサーミスタ
22a・・・サーミスタパターン
23・・・粘着材
24・・・粘着剤塗布シート
25a，26b，26ｃ，26ｄ，26ｅ・・・通気穴
27ａ，27b，27ｃ，27ｄ，27ｅ・・・パンチ穴
28・・・コルク材（断熱材）
29・・・柔軟性シート
【産業上の利用分野】
本発明は温度測定対象の表面に予め装着して温度測定を行う温度測定装置に関し、特に例えば温度測定対象が人体で有る場合には、人体の衣服の外側から瞬時に且つ正確な温度測定を行うことができる温度測定装置及び温度検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電子体温計の感温部形状に関しては、例えば特開昭６３−１３３０３０号において体表面に装着可能な円盤状形態を有した電子体温計等も提案されてはいるが、実用化されている感温部形状は一般的には棒状形態であり、この棒状形態の感温部を腋下（脇の下）・直腸・口腔等の特定部位に挟みつけるか又は挿入することによって体温度の計測を行ってきた。
また係る従来の電子体温計の温度計測方法としては、検温開始直後からの規定時間において体温度上昇率を検出しこの変化率から平衡温度を演算して体温度表示をする予測式と検知温度が略平衡するまで計測をおこなう実測式が採用されてきた。
電子体温計の温度表示方法は、水銀またはアルコール体温度計と同様に体温度の最高値表示を維持させる方式であり、次回検温時には一旦リセットさせる必要があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
以上の従来の電子体温計における感温部は、熱伝導を容易にする金属材料またはシリコン等の柔軟性を持った材料を用いた棒状構造をなしている。しかし、このような棒状の感温部を腋下に挟んだ場合、痩せた体型においては腋下に元々隙間があるため安定して挟み込むのは困難であり、特に老人の場合は筋肉が衰えてくるため腋下に隙間が大きくなり正確な検温が困難であった。
また乳幼児や幼児の場合、腋下に挟んだ棒状感温部を検温中数分間にわたって一定且つ連続固定することは容易ではなく正確な検温が困難であった。
また口腔計測する場合は、呼気で舌下温度が変化する事を防ぐため数分間にわたって口を閉じていなければならないが、このような拘束条件は乳幼児や幼児には無理があり正確な体温度測定が困難であった。
また肛門検温は体温度計の消毒等衛生管理が面倒であり、一般家庭での検温には適していなかった。
【０００４】
一方、従来の電子体温計における計測方式は、上記したように予測式と実測式があるが、予測式の場合、腋下に挟んだ押圧を安定させ条件を均一化させることが必要となる。すなわち計測予測時間内に腋下の隙間や挟み付ける圧力に変化があった場合、体表面から電子体温計への熱伝播状態が変化し検知温度上昇率も途中で変化するため正確な予測演算が困難となる。
また実測式の場合、５分以上の時間を安定な押圧で隙間を作らず腋下に挟み続ける検温方法、或いは口中舌下に安定に挟んで鼻呼吸を続けなければならない検温方法は、いずれも正確な検温値を得るには障害となっていた。
【０００５】
また従来の電子体温計はその温度表示として検温値のピークホールドを表示することが一般的になっている。しかし、検温終了後は一旦リセットする必要が生じるためにリアルタイムで連続した被測温体温度をモニタするには適していなかった。
更に従来の一般型電子体温計において検温値は体温度計の表示器に温度表示されるため、使用者（病院においては主として看護婦）がその都度この温度表示を読み取って記録する手間が必要であった。
【０００６】
以上の課題を解消することを目的として特開昭６３−１３３０３０号には、柔軟性基板と柔軟性基板上に搭載された電源電池及び回路素子と感温部を除いて被覆する柔軟性で断熱性を有する被覆材を備える電子体温計が開示された。
この特開昭６３−１３３０３０号には温度表示記録の手間を省く手段として体表面に貼り付けられた電子体温計から外部装置メモリに温度データを蓄積する構成が提案されている。しかしこの特開昭６３−１３３０３０号では、体表面に装着された体温度計と外部装置をケーブル接続する有線方式を採用するため操作性が悪いものであるということができる。
【０００７】
また特開昭６３−１３３０３０号の電子体温計にあっては、回路素子を駆動するために常に電源電池が必要であり、電池電力消耗に伴い電池をその都度交換しなければならず、さらに電池交換時には基板が柔軟性を有しているが故に回路素子の半田付け部分にストレスが加わり、故障の要因となるという問題があった。また電池交換時には、柔軟性及び断熱性を有した被覆材を剥がすことになり繰り返し使用するには問題があった。
【０００８】
さらに特開昭６３−１３３０３０号の電子体温計における出力手段は柔軟性基板上に設けられた固定コネクタに外部からのケーブルを接続する方式となっている。しかしながら、この外部からのケーブルを体表面に装着された柔軟性基板に接続する際に、柔軟性基板上の回路素子には大きなストレスが加わるため故障の要因となる。さらに検温の度にコネクタを挿抜した場合は故障の確立が高くなることが容易に予想される。またケーブルを接続したままの場合、ケーブルの引っ張り具合によっては過大なストレスが加わり電子体温計側コネクタとケーブル側コネクタの勘合不具合が発生し接触不良等の大きな要因になることが指摘される。
【０００９】
特開昭６３−１３３０３０号の電子体温計を体表面に装着した被験者は、電子体温計と外部機器をケーブルで接続した場合、自由が拘束される不便がある。また外部機器と電子体温計は1：1の関係となり、外部機器の稼動効率が悪くなる。一方、外部機器に複数の入力ポートを設け複数の電子体温計をパラレル接続した場合は、外部機器自体はコストアップになると同時に被験者は複数ケーブルが絡まないようにするために更なる拘束状態となる不便が発生する。
【００１０】
特開昭６３−１３３０３０号の電子体温計は内部に電気回路と感温部と測温手段を備えているが、他に電源電池とその固定金具、出力コネクタ、断熱性を有した被覆材等が一体となった機構は、全体構造として部品点数が多く体表面に貼る装置として考えた場合は厚みと柔軟性に相反する課題がある。またこれらの多くの部品点数はコストアップ要因を招き、この構造においてディスポーザブルタイプとするには障害がある。
また光通信でデータを外部に出力し、フォトトランジスタで受光しようとした場合、発光側と受光側の間に光を遮る遮蔽物があってはならない。従って被験者は体温度測定装置を体表面に貼り付けている間、衣服等を着ることが出来ず、体表面および体温度測定装置は外気に晒されることになり、この結果体表面は外気温度に影響され正確な被測温体温度測定が出来なくなるといった重大な問題が存在する。
【００１１】
特開昭６３−１３３０３０号の電子体温計でリアルタイムに体温度の計測をしようとした場合、体表面および体温度測定装置を衣服で覆ったまま当該体温度測定装置側の光出力コネクタ近辺に受光用の光ファイバーを衣服内に挿入して発光側と受光側の光軸を一致させなければならない。このために何らかの方法で体温度測定装置に受光用光ファイバを固定する機構が必要となり複雑でコストアップの要因となる。すなわち体温度測定装置とデータ受信側がたとえ電気的に非接触であっても光ファイバーが存在する限り実質上、有線方式と差異がなくなる。またこのような有線方式の場合、体温度測定装置とそのデータを受信する装置の関係は、測定中には1：1となり受信側装置は一人の被測温体温度測定者に占有されてしまうため、効率が悪くなってしまうといった問題が発生する。
【００１２】
さらに特開昭６３−１３３０３０号の電子体温計は、被測温体温度の感温手段としてサーミスタチップを体表面に直接接触させる手段をとっている。温度データ検出手段を体表面肌に直接密着させて温度検知しようとした場合、柔軟性のある肌表面では常時安定した接触が得られないため正確な被測温体温度測定ができない。
したがって本発明は以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであって、老人や乳幼児若しくは幼児でも正確な検温値を得ることができ、被測温体温度をモニタし記録する手間も少なく、しかも操作が簡易であり、また故障が少なく安定した作動が期待できる、さらに部品点数が少なく必要に応じてディスポーザブルタイプとすることもできリアルタイムに正確な温度計測ができる温度測定装置及び温度測定方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の温度測定装置は、少なくとも一の側面が粘着性を備える柔軟性シートに穴部及び/又は孔部を設け、その穴部及び/又は孔部の内側の温度検出を行う温度データ検出手段が設けられ、前記温度データ検出手段によって前記穴部及び / 又は孔部の少なくとも一側部が形成され、測定対象と前記温度データ検出手段とによって前記穴部及び / 又は孔部内側に密閉空気層が形成されることを特徴とする。
【００１４】
前記穴部及び/又は孔部内側に温度データ検出手段の検出部が露出するように配置してもよい。
【００１５】
削除
【００１６】
前記穴部及び/又は孔部を複数設けてもよい。
【００１７】
前記温度データ検出手段と連動する電磁波送受信手段を設けてもよい。
【００１８】
前記電磁波送受信手段が外部装置から電磁波を受ける電磁誘導結合手段を有してなる様にしてもよい。
【００１９】
前記電磁誘導結合手段は外部装置からの電波によって起電力を受けて前記温度データ検出手段に電力を供給する様にしてもよい。
【００２０】
前記電磁誘導結合手段のアンテナコイルを介して前記温度データ検出手段から温度データを前記外部装置へ電波送信する様にしてもよい。。
【００２１】
前記アンテナコイルを介して前記温度データ検出手段から温度データとＩＤコードを一対で前記外部装置へ電波送信する様にしてもよい。
【００２２】
また本発明の温度測定装置は、少なくとも一の側面が粘着性を備え、穴部及び / 又は孔部が設けられた柔軟性シートの上面に、システム LSI チップを搭載したフィルム状制御基板が接着され、前記穴部及び / 又は孔部の内側の温度検出を行う温度データ検出手段が前記穴部及び / 又は孔部の内側の空気層に露出する態様で前記フィルム状制御基板の裏面に取り付けられてなることを特徴とする。
【００２３】
フィルム状制御基板が取りつけられる柔軟性シートに粘着剤塗布シートが貼付されて穴内側空間が遮蔽される様にしてもよい。
【００２４】
粘着剤塗布シートの所定部位に通気穴が設けられる様にしてもよい。
【００２５】
粘着剤塗布シートにパンチ穴が設けられる様にしてもよい。
【００２６】
粘着剤塗布シートがフィルム状制御基板が取りつけられる柔軟性シートに貼付され、穴内側空間が遮蔽され、粘着剤塗布シート及び/又はフィルム状制御基板及び/又はフィルム状制御基板を取りつける柔軟性シートに連続多孔質ポリテトラフロロエチレンを適用してなる様にしてもよい。
【００２７】
温度データ検出手段による検出温度データが人体の温度データである様にしてもよい。
【００２８】
本発明の温度測定方法は、柔軟性シートに穴部及び/又は孔部を設け、その柔軟性シートを測定対象に装着することによって前記穴部及び/又は孔部によって密閉された空気層を形成し、前記穴部及び / 又は孔部内側に温度データ検出手段の検出部が露出するように温度データ検出手段を配置し、前記温度データ検出手段により前記空気層の温度測定を行うことを特徴とする。
【００２９】
柔軟性シートに設けられた記憶手段に温度データ検出手段によって検出された温度データを蓄積し、柔軟性シートを測定対象から取り外した後に前記記憶手段に蓄積された温度データを取得する様にしてもよい。
【００３０】
削除
【００３１】
本発明において人体は有力な且つ有効な被測温体であって本発明の温度測定装置及び温度測定方法は人体の体温測定装置及び体温測定方法、すなわちいわゆる体温計若しくは体温測定方法として極めて好便に適用できる。係る意味において本発明の温度測定装置及び温度測定方法を人体に適用する場合を中心として以下に本発明を詳述する。しかし、本発明の温度測定装置及び温度測定方法が適用される被測温体は人体には限定されず本発明の課題が有意義に達成できる全ての被測温体が本発明適用の対象となる。
【００３２】
本発明において少なくとも一の側面が粘着性を備える柔軟性シートに穴部及び/又は孔部を設け、その穴部及び/又は孔部の内側の温度検出を行う温度データ検出手段が設けられる被測温体表面装着装置は、被測温体の任意部位へ装着し、被測温体温度データ検知手段とその被測温体温度データを電波伝送する機能を有した被測温体表面に装着する被測温体温度計である。
【００３３】
また外部装置は被測温体表面装着装置に電力エネルギーを電磁波で供給し、被測温体表面装着装置からの被測温体温度データを電波で受信し外部装置内ＣＰＵとプログラムに書き込まれた関数式で演算して被測温体温度値に変換し更に温度を表示する。すなわち被測温体表面装着装置と外部装置は固有の共振周波数によって電波結合された非接触型のエネルギーとデータの送受信装置である。
【００３４】
前述した課題を達成するために本発明は、被測温体表面装着装置を小型軽量薄型化し、さらに被測温体表面装着装置独自では電池等の電源を持たせず、外部装置からの電波で電力供給を受ける機能を有する温度測定装置である。
すなわち被測温体表面装着装置が外部装置との電波交信領域に入ったとき外部装置から電力が電波転送され、被測温体表面装着装置がその機能を活動化させる。
被測温体表面装着装置は外部装置と電磁波結合されている間、電力エネルギーを電磁波で供給されるため、被測温体表面装着装置は無電池構造が可能となり小型軽量で薄いシート又はラベル構造にできる。また電池交換が不要のため半永久的に被測温体温度計として使用が可能となる。一方この被測温体表面装着装置の電子部品はアンテナコイルの印刷化とワンチップ又は数点のチップ部品で構成されるため製造コストが大幅に低減でき、使い捨て用途としての利用も可能である。
【００３５】
また本発明の特徴として所定厚の柔軟性シートに穴空間を設け、この柔軟性シート上面には、フィルム状及び／又はラベル状の基板に制御素子及び／又はＣＰＵ及び／又はアンテナコイルと温度データ検出手段を有したフィルム及び／又はシート基板が前記穴空間を塞ぐ形で取り付けられている。さらに所定厚の柔軟性シート裏面は粘着材が塗布され、体表面又は被測定対象に貼り付けられる。この貼付けられた状態において穴空間は密閉空間となり、この密閉空間の空気層温度は体表面又は被測定対象温度として忠実に且つ安定に温度データ検出手段に反映させることができる。
【００３６】
前記の空気層間接検温方式は従来の温度測定装置、特には体温計に存在した問題の解決に有効に作用する。すなわち温度データ検出手段に粘着材を介して直接体表面に貼り付けた場合の粘着材塗布厚さの製品別不均一や体表面貼付け後の使用経過に基づく粘着力変化等により体表面からの熱伝導量変化に起因する不正確検温要因が排除され安定且つ正確な温度測定が可能となる。
またメディカルテープ等で温度データ検出手段を体表面に固定させて直接に肌に密着させる方式を採用したとしても、特開昭６３−１３３０３０号の電子体温計や従来の棒状感温部を有する電子体温計が、柔軟性のある肌表面で常時安定した接触が得られないために正確な被測温体温度測定ができない状況と同一の課題を抱える結果となる。
従って前記の空気層間接検温方式は、上記の不安定検温要因課題を解決する温度測定方式である。
【００３７】
【発明の実施の形態】
［第一の実施の形態］
図１は本発明の第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムの全体概要図である。
図１において、被測温体に装着される被測温体装着装置1は外部装置であるリーダ2からの電波を受信して電力を供給され、かかる電力によって被測温体装着装置1において測温が行われてその測定結果が電波によって被測温体温度及びＩＤデータとしてリーダ2に送られる。リーダ2は図示しないパーソナルコンピュータに接続可能に構成されて、パーソナルコンピュータにおけるデータ処理が必要に応じて行われる。
【００３８】
図２は図１に示す第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムを機能ブロックによって模式化した全体概要図である。図２に示されるように、リーダ2はリーダ2本体にアンテナコイル3を備えてなり、係るアンテナコイル3を介してフィルムアンテナコイル4を備えた被測温体装着装置1との間で電波の送受信が行われる。
図示されるようにリーダ2からはアンテナコイル3を介して被測温体装着装置1に電波による起電力が供給され、一方被測温体装着装置1からはリーダ2に対して温度データが電波によって送信される。
リーダ2は図示されるようにシステムLSI5を搭載し、駆動電力を供給する電源回路6とアンテナコイル3に入出力する電波インターフェース7と基準クロツク信号を発生するクロック回路8、電波インターフェース7に入出力する電磁誘導結合回路9、さらに測温結果等を表示する液晶表示器10及び図示しない外部機器に接続するための外部機器接続回路11を有する。
【００３９】
またシステムLSI5は、インターフェース5aとA/D-D/A変換器5bとRAM5cとROM5dとCPU5eとEEPROM5fを備えて構成される。前記アンテナコイル3は被測温体装着装置1のＩＤコードと温度データとサーミスタ特性ＩＤを受信し、システムLSI5において受信したデータを処理すると共に処理データを記憶し、液晶表示器10によって表示するハンディタイプのものとして構成される。このリーダ2は一台で多数の被測温体装着装置1の電波を順次スキャニングして読み込み被測温体装着装置1のＩＤコードと温度データとサーミスタ特性ＩＤを一対としてリーダ2内部の記憶部であるRAM5cに格納した後、キャリブレーションされ被測温体装着装置1のＩＤと測定した温度値が液晶表示器10に表示される。またリーダ2と図示しない外部機器、例えばパーソナルコンピュータを接続しリーダ2内に一旦格納されたデータをパーソナルコンピュータ側に一括送信して温度データと被測温体装着装置1のＩＤコードを処理することができる。
このリーダ2はデータを受信する際、被測温体装着装置1のＩＤコードを認識しながら温度データを高速スキャニングするため、ほとんど瞬時に複数の被測温体装着装置1のデータを読み込むことができる。
【００４０】
一方、被測温体装着装置1は図示されるようにシステムLSIチップ12を搭載し、フィルムアンテナコイル4に入出力する電波インターフェース13と温度検出部14、電波インターフェース13に入出力する電磁誘導結合回路15を備え前記温度検出部14及び電波インターフェース13に入出力するシステムLSIチップ12は、インターフェース12aと温度検出部14の感温抵抗を検出してこれをデジタル温度の書込データに変換するA/D変換器12bとRAM12cとROM12dとCPU12eとEEPROM12fを備えて構成される。
以上において温度検出部14は温度データ検出手段16及び密閉空気層17を備えて構成される。
【００４１】
図３は前記被測温体装着装置1の側方断面図である。図３において、フィルム状制御基板18の上面にシステムLSIチップ12が搭載され、柔軟性シートとしての所定厚の不織布19の上面に前記フィルム状制御基板18が接着されており、この所定厚の不織布19にあけられた穴20内側の空気層21に露出する態様でチップサーミスタ22が前記フィルム状制御基板18の裏面に取り付けられている。また所定厚の不織布19の裏面には体表面貼り付け用の粘着材23が塗布されている。
体表面に貼り付けられた所定厚の不織布19は、その中央にあけられた穴20によって形成された空間が体表面と前記フィルム状制御基板18の裏面との間に不織布19の所定厚さに近似する厚みの空気層21を形成することとなる。
【００４２】
上述するように不織布19裏面は穴20部分を除く周囲に粘着材23が塗布されているため体表面に貼り付けた状態においては、空気層21は穴20によって形成された空間の中で閉じ込められ外気と遮断される。この遮断された空気層21温度は外気温度に影響されず、体表面温度を忠実に反映させることができ、この空気層21にはチップサーミスタ22が直接露出するように配置される。
【００４３】
この空気層21を介する間接検温方式は、温度データ検出手段が粘着材23を解して直接体表面に貼り付けた場合に生じる粘着材23塗布厚さの製品別不均一や体表面貼付け後における使用経過に基づく粘着力変化等に基づく体表面からの熱伝導量の変化等に起因する被測温体温度測定の不安定要素を排除することが可能となる。またメディカルテープ等で温度データ検出手段を直接に肌に密着させる方式は、柔軟性のある肌表面で常時安定した接触が得られないため正確な被測温体温度測定ができないが、前記した密閉された空気層21の温度を介して間接的に温度測定する方式は、正確且つ安定した温度測定が可能となる。
【００４４】
以上のように、所定厚の不織布19の穴20によって形成された空間に位置させる温度データ検出手段としては温度値を抵抗値に変換する手段を採用することができる。係る温度値を抵抗値に変換する手段としては、前記チップサーミスタ22以外にフィルム状制御基板18に印刷されたサーミスタパターンや白金測温抵抗体でも良い。この場合、より薄い測温チップの抵抗体を取り付けて、測温チップが肌に直接触れない構造とする。
【００４５】
また温度値を電圧値に変換する手段として、ゼーベック効果を利用した熱電対素子やペルチェ効果を利用したＰＮ接合素子やダイオード又は温度に比例した電圧出力のＩＣチップを、不織布19の所定厚さによって生じる穴20によって形成された空間に収納する方式でも良い。
【００４６】
また所定厚の不織布19の穴20によって形成された空間に位置させる温度データ検出手段としては温度値を周波数に変換する手段を採用することができる。温度値を周波数に変換する手段として、マルチバイブレータ回路や発振回路又はＶ−Ｆコンバータによって、前記の温度値が抵抗値又は電圧値に変換された物理量をさらに周波数変換することにより、Ａ／Ｄコンバータを介さずに直接に外部装置であるリーダ2に送信するためのチップＩＣを、不織布19の所定厚さによって生じる穴20によって形成された空間に収納する方式でも良い。
【００４７】
また所定厚の不織布19の穴20によって形成された空間に位置させる温度データ検出手段としては温度値を時間に変換する手段を採用することができる。温度値を時間に変換する手段として、前記の周波数変換された信号をさらに周期時間又はパルス幅に変換するためのチップＩＣを不織布19の所定厚さによって生じる穴20によって形成された空間に収納する方式でも良い。
また前記の温度値が抵抗値又は電圧値に変換されたアナログ物理量をＡ／Ｄ変換しデジタルに変換するためのＡ／Ｄ変換器内蔵のＬＳＩチップを、不織布19の所定厚さによって生じる穴20によって形成された空間に収納する方式でも良い。
【００４８】
上述したようにフィルム状制御基板18にはＣＰＵチップとメモリＩＣ又はＣＰＵとメモリＩＣを含むシステムＬＳＩチップ12が搭載されている。
メモリＩＣには、被測温体温度値を抵抗値、電圧値、周波数、周期、時間等のいずれかに変換する際に生じる変換特性個体差をキャリブレーションするためのデータが記憶されている。
【００４９】
また前記フィルム状制御基板18には、リーダ2から電波エネルギーを照射することにより電力を誘起する電磁誘導結合回路15が備えられる。また電磁誘導結合回路15は外部装置であるリーダ2から電波エネルギーを受信するためのフィルムアンテナコイル4を備えている。
フィルム状制御基板18はチップサーミスタ22またはフィルム型サーミスタ（Ｒｔｈ）を同一平面上にパターン形成することによって有してなる。このように外部装置であるリーダ2から電波エネルギーを照射することによりにフィルムアンテナコイル4を介して電磁誘導結合回路15が誘導電圧を発生させ、電力を誘起するため本発明の温度計はそれ自体が電源を備える必要はなく無電池構成とされる。
【００５０】
本第一の実施の形態においては温度データ検出手段としてＮＴＣサーミスタが使用されている。被測温体装着装置1の製造段階で予め基準となる３２℃から４２℃の間において、恒温室で複数の温度をＮＴＣサーミスタの温度に対する抵抗値変換データをバージン状態のメモリに順次記憶させ、この記憶したデータは被測温体装着装置1毎の固有サーミスタ特性ＩＤとなる。
【００５１】
第一の実施の形態では、被測温体装着装置1に搭載するメモリ容量を小さくする目的のため、被測温体装着装置1側でキャリブレーションするための関数式はもたせていないが、メモリ容量に余裕があれば、体表面装置側で個々のチップサーミスタ22の温度に対する抵抗値変換特性個体差を校正してEEPROM12fに記憶させても良い。
【００５２】
一方、リーダ2にはサーミスタ抵抗特性変換データの代表値が与えられる。このデータがすべて被測温体装着装置1のサーミスタ変換データに対する基準データとなる。更にこの基準データに基づいて基本関数式がすべての外部装置であるリーダ2内メモリに予めマスクＲＯＭとして書き込まれて製造される。
実際の被測定対象に対する温度測定の際に、被測温体装着装置1から測定温度データとサーミスタ特性ＩＤが連結データ又は時分割で外部装置であるリーダ2に電波送信される。リーダ2は電波で受信した測定温度データとサーミスタ特性ＩＤデータを一旦RAM5cに格納する。
【００５３】
サーミスタ特性ＩＤは、リーダ2に予め記憶された基本関数式に挿入され、新たな温度変換関数式を創出する。さらに創出された温度変換関数式に測定データを挿入することにより温度を検出する。
【００５４】
第一の実施の形態の温度計ではフィルムアンテナコイル4、フィルム型サーミスタ、ＣＰＵを一枚のフィルム状制御基板18上に平面状に形成される。しかし、そのように必ずしも平面上に形成される必要はなく実施の態様によってフィルムアンテナコイル4、フィルム型サーミスタ、ＣＰＵチップ又はフィルム型ＣＰＵそれぞれを多層的に配置した構造を採用することもできる。
【００５５】
以下に以上の第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける被測温体装着装置1を構成するにあたってフィルムアンテナコイル4、チップサーミスタ22（フィルム型サーミスタ）、システムＬＳＩチップ12を一枚のフィルム状制御基板18上に平面状に形成するプロセスを説明する。
【００５６】
図４に示されるように先ずフィルム状フレキシブル基板18の同一平面上左側エリアにフィルムアンテナコイル4を含む電磁誘導結合回路15とシステムＬＳＩチップ12が配置され、右側エリアにチップサーミスタ22が表面実装される。係るチップサーミスタ22に代えて図５に示されるようにサーミスタパターン22aを印刷するようにしてもよい。
【００５７】
次に図６に示される様にフィルム状フレキシブル基板18を折り曲げて、システムＬＳＩチップ12が配置されるフィルム状フレキシブル基板18の表面に対して、チップサーミスタ22又はサーミスタパターン22aを裏面に配置する。このようにフィルム状フレキシブル基板18上の同一平面上に配線パターンを印刷し、すべての電子部品を同一平面上に表面実装する片面表面実装基板として構成することによって安価に製造することが可能となる。
次に図７に示されるようにフィルム状フレキシブル基板18を不織布19に取りつけその際、チップサーミスタ22又はサーミスタパターン22aを不織布19の所定厚さによって生じる穴20によって形成された空間に収納する様にする。これにより図８に示される様にチップサーミスタ22が不織布19の穴20によって形成された空間に露出し、同様に図９に示される様にサーミスタパターン22aが不織布19の穴20によって形成された空間に露出する。
【００５８】
以下に第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける温度測定過程を図１０乃至図１４に示すフローチャートを参照して説明する。
測定開始にあたっては先ず体表面に被測温体装着装置1を貼付け、その時、脱衣による外気の影響で体表面温度が変化する。しかし、被測温体装着装置1の上から衣服を着用することによって外気によって変化した体表面温度の回復が開始する。被測温体温度回復の規定時間が経過し、衣服内の体表面被測温体温度が安定して被測温体温度復帰が完了すると被測温体装着装置1の密閉空気層17の温度が安定する。その後、外部装置であるリーダ2のスイッチをONすることによって、リーダ2から電磁波が発生する。 その状態でリーダ2を着衣に接近させて被測温体装着装置1の電磁誘導結合回路15が機能する電磁誘導結合距離以内になると電磁誘導結合回路15に電力が発生して被測温体装着装置1が活発化して、被測温体装着装置1の電波インターフェース13から外部装置であるリーダ2にスタンバイ信号の応答が発せられる。これに応じて外部装置であるリーダ2からセンサ固有データの要求コマンド信号が発信され（センサ固有データ＆温度データの時分割送信の場合）、それにより、工場出荷時、被測温体装着装置1に搭載したEEPROM12fに予め記憶された複数の規定温度のセンサ固有データを外部装置であるリーダ2に電波インターフェース13を経由して送信する。外部装置であるリーダ2の電波インターフェース7で変調されて電波送信されてきたセンサ固有データを復調し、システムLSI5のインターフェース5aに入力する。外部装置であるリーダ2のROM5d内の基本関数式にセンサ固有データが入力され、外部装置であるリーダ2のCPU5eによって新規のセンサ固有関数式が創出される。
新規に創出された関数式は外部装置であるリーダ2のRAM5cに格納される。その後の温度計測はこの後、新規に創出された関数式で行われる。
【００５９】
次に外部装置であるリーダ2から被測温体装着装置1に対して温度データの要求コマンドが発信され、被測温体装着装置1の温度検出部14である密閉空気層17内に露出するように配置されたチップサーミスタ22が温度検出を開始する。
測定被測温体温度に基づくチップサーミスタ22の抵抗値を温度検出部14で電圧値に変換し、システムLSI12のインターフェース12aに入力する。被測温体装着装置1のシステムLSI12は、入力アナログ電圧値をA／D変換しデジタル温度データをRAM12cに収納する。次いで被測温体装着装置1のシステムLSI12のRAM12cに収納された温度データは電波インターフェース13を経由してフィルムアンテナコイル4から外部装置であるリーダ2に変調電波信号で送信される。
【００６０】
外部装置であるリーダ2では電波インターフェース7において変調電波送信されてきた温度データを復調し、システムLSI5のインターフェース5aに入力する。
外部装置であるリーダ2のRAM5cに格納された新規創出関数式に被測温体装着装置1から送信された温度データを挿入しCPU5eにおいて演算が行われ測定温度値が得られる。
以上において、密閉空気層17の安定度チェックが都度行われる。すなわち、温度変化率を外部装置であるリーダ2のCPU12eで演算し、演算結果が規定値以内の温度値変化率でない場合には、温度変化率のCPU12eにおける演算結果が規定値以内の温度値変化率となるまで密閉空気層17の安定度チェックが反復して行われる。温度変化率のCPU12eにおける演算結果が規定値以内の温度値変化率である場合には規定値内温度変化のピーク値を外部装置であるリーダ2のRAM5cに記憶する。その後、規定測定時間が終了するまで測定動作が反復され、規定測定時間が終了すると共に外部装置であるリーダ2の液晶表示器10に測定被測温体温度値が表示される。それと共に外部装置であるリーダ2のシステムLSI5のEEPROM5fにデータが記憶され外部装置であるリーダ2のスイッチをOFFとすることによって測定が終了する。
【００６１】
以上に記載した実施例のフローチャートでは、温度検出部14のセンサとしてチップサーミスタ22を使用しており、また密閉空気層17は単一のものとして説明したが本発明は係る態様に限定されるものではない。すなわち密閉空気層17が複数の場合は、個々の密閉空気層17内に収納された各々のセンサ固有情報を外部装置であるリーダ2に送信し、外部装置であるリーダ2はROM5dに記憶されている基本関数式を使用してセンサ個数分の新規関数式を創出する。但しこの複数の新規関数式の場合はセンサにIDを設定し、新規関数式と対にする。係る新規関数式はリーダ2で創出させたが、被測温体装着装置1の工場出荷時において校正する際にこの新規関数式を被測温体装着装置1内のEEPROM12fに記憶させ、温度測定の実使用時において被測温体装着装置1のCPU12eで演算して被測温体温度を演算し、その結果をリーダ2に送信してリーダ2の液晶表示器10に表示させることも可能である。
【００６２】
［第二の実施の形態］
本発明の第二の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムでは第一の実施の形態とは異なり被測温体装着装置1の回路素子はCPU及びA／D変換器を備えないものとして構成される。すなわちチップサーミスタ若しくはフィルムサーミスタの抵抗値に比例した発振回路を構成し、発振周波数又はその周波数の周期（パルス幅）を直接データとして電波で外部装置に送信し、外部装置のソフトウェアでその周波数又は周期を温度データに変換する。係る実施の態様では 回路構成が簡単になり安価な温度測定装置が適用される測温システムとすることが可能となる。
【００６３】
［第三の実施の形態］
図１５は本発明の第三の実施の形態の温度測定装置の底面図である。図１６は本発明の第三の実施の形態の温度測定装置の他の底面図である。図１７は本発明の第三の実施の形態の温度測定装置の更に他の底面図である。 第三の実施の形態と第一の実施の形態との相違点は、第三の実施の形態の温度測定装置にあっては粘着剤塗布シート24が用いられ、係る粘着剤塗布シート24はフィルム状制御基板18が取りつけられる不織布19に貼付され、これによって図示されるように穴20内側空間は遮蔽される。 図１５ に示す態様では粘着剤塗布シート24の所定部位に矩形の通気穴25が設けられ、この通気穴25は円形であっても良い。また図１６に示す態様では粘着剤塗布シート24のフィルム状制御基板18が貼付された領域に複数の通気穴26a，26b，26ｃ，26ｄ，26ｅ・・・が設けられ、さらに図１７に示す態様では粘着剤塗布シート24の全面に粘着剤も併せてパンチ穴27a，27b，27ｃ，27ｄ，27ｅ・・・が設けられる。
【００６４】
［第四の実施の形態］
図１８は粘着剤塗布シート24として連続多孔質ポリテトラフロロエチレンを適用して構成された本発明の測温システムの被測温体装着装置1の側断面図であり、上述の各実施の形態と同様にフィルム状制御基板18の上面にシステムLSIチップ12が搭載されてなる。しかし上述の各実施の形態例とは異なり、所定厚のウレタン（発泡材）又はコルク材（断熱材）28の上面に前記フィルム状制御基板18が接着されており、このウレタン（発泡材）又はコルク材（断熱材）28の裏面に連続多孔質ポリテトラフロロエチレンからなる粘着剤塗布シート24が貼付される。図示されるようにウレタン（発泡材）又はコルク材（断熱材）28の中央にあけられた穴20によって形成された空間が粘着剤塗布シート24と前記フィルム状制御基板18の裏面との間にウレタン（発泡材）又はコルク材（断熱材）28の所定厚さに近似する厚みの空気層21を形成する。
【００６５】
前記連続多孔質ポリテトラフロロエチレンは延伸加工して製造され連続多孔質組織である点に特徴がある。原材料としてはポリテトラフロロエチレン（polytetrafluoroethylene:PTFE）が用いられ、係るPTFEのファインパウダーを押し固め、高温・高速で1軸または2軸の方向に延伸して連続多孔質ポリテトラフロロエチレンを製造することができる。また２方向に延伸（2軸延伸）した場合は、粒状のノー ドと放射状に伸びるフィブリルをもった2軸延伸構造とすることができる。この連続多孔質ポリテトラフロロエチレンの空孔は個々に存在するのではなく、どの面から見ても相互に連絡しあって、内部で途切れることのない連続多孔質構造を形成しており連続多孔質断面構造を有する。この連続多孔質ポリテトラフロロエチレンは親水性、吸水性は無く。水との接触角が大きいために高い撥水性を示す。また水のように表面張力の大きな液体は全く浸透させず、水蒸気を透過させる透湿性が有り、しかも分子間凝集力が小さく、摩擦抵抗は極めて小さい。また超高分子量のポリテトラフロロエチレンを高度に配向させているため、
多孔質構造体としては極めて強靱であり、また生体組織との親和性に優れ、異物反応が少なく、毒性、発癌性等の危険性もない。また特に生体内で劣化、変質することはなく多孔質構造を形成する空孔が連続しているために気体をよく透過し、孔径や空孔率をコントロールして透過性を自在に制御することができる。また非粘着・易剥離性という特性をもつにもかかわらず、接着剤を空孔内に圧入・固化させることで、アンカー効果による機械的な接着も可能で、多孔質構造のため、誘電率はポリテトラフロロエチレンの充実体よりも低く、加えてあらゆる固体中で最も誘電率が低く、優れた信号伝送特性と高周波絶縁特性が有る。また260℃まで使用することが可能で、さらに、マイナス200℃の低温でも柔軟性を保持する。
【００６６】
図１９は本第四の実施の形態の被測温体装着装置1の裏面図すなわち被測温体に対する装着面側の平面図であり、図示されるように連続多孔質ポリテトラフロロエチレンを適用して得られた粘着剤塗布シート24は空気層21に対応する部位の気体透過部24aとその他の領域である２軸伸延性エリア24bを有し、２軸伸延性エリア24bは図示矢印方向の伸延性を有する。
【００６７】
［第五の実施の形態］
図２０、図２１は粘着剤塗布シート24に併せてフィルム状制御基板18及びこのフィルム状制御基板18を取りつける柔軟性シート29に連続多孔質ポリテトラフロロエチレンを適用して構成された本発明の測温システムの被測温体装着装置1の側断面図であり、上述の各実施の形態と同様にフィルム状制御基板18の上面にシステムLSIチップ12が搭載されてなる。
この第五の実施の形態の被測温体装着装置1では粘着剤塗布シート24に併せてフィルム状制御基板18及びこのフィルム状制御基板18を取りつける柔軟性シート29に連続多孔質ポリテトラフロロエチレンを適用したので図２１に示される様に、図示矢印方向における保温性・透湿性が確保され、被測温体装着装置1を被測温体に装着しても特に不快感を生じるようなことは無く、快適な使用感を与えることができる。
【００６８】
【発明の効果】
本発明は温度計測において、温度測定装置を無電池で駆動し且つ温度データを無線伝送する温度測定装置に関するものであり、特に被測温体表面に予め装着しておくことにより検温が必要な際に瞬時且つ正確な被測温体温度を外部装置により電波で測定できるため、被測温体が運動する場合であっても温度測定をリアルタイムでかつ連続的に行うことが可能となる。
特に本発明は、被測温体が人体で有る場合には、人体表面に予め装着しておくことにより検温が必要な際に、体表面温度を定常状態に維持して衣服外側から瞬時に且つ正確に測定できるため、被測温体である人体が運動する場合であっても或いは被測温体である人が就寝中であっても無拘束の温度測定をリアルタイムで連続的に行うことが可能となる。従って動き回る幼児や腋下に隙間が大きくなる老人の体温測定に適している。また被験者が就寝中であっても気付かれずに随時体温測定が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムの全体概要図。
【図２】 図１に示す第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムを機能ブロックによって模式化した全体概要図。
【図３】 被測温体装着装置の側方断面図。
【図４】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける被測温体装着装置を平面状に形成するプロセス説明図。
【図５】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける被測温体装着装置を平面状に形成するプロセス説明図。
【図６】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける被測温体装着装置を平面状に形成するプロセス説明図。
【図７】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける被測温体装着装置を平面状に形成するプロセス説明図。
【図８】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける被測温体装着装置を平面状に形成するプロセス説明図。
【図９】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける被測温体装着装置を平面状に形成するプロセス説明図。
【図１０】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける温度測定過程フローチャート 。
【図１１】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける温度測定過程フローチャート 。
【図１２】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける温度測定過程フローチャート 。
【図１３】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける温度測定過程フローチャート 。
【図１４】 第一の実施の形態の温度測定装置が適用される測温システムにおける温度測定過程フローチャート 。
【図１５】 本発明の第三の実施の形態の温度測定装置の底面図。
【図１６】 本発明の第三の実施の形態の温度測定装置の他の底面図。
【図１７】 本発明の第三の実施の形態の温度測定装置の更に他の底面図。
【 図１８】 本発明の測温システムの被測温体装着装置の側断面図。
【 図１９】 本発明の測温システムの被測温体装着装置の側断面図。
【 図２０】 本発明の測温システムの被測温体装着装置の側断面図。
【 図２１】 本発明の測温システムの被測温体装着装置の側断面図。
【符号の説明】
1・・・被測温体装着装置
2・・・リーダ
3・・・アンテナコイル
4・・・フィルムアンテナコイル
5・・・システムLSI
5a・・・インターフェース
5c・・・RAM
5d・・・ROM
5e・・・CPU
5f・・・EEPROM
6・・・電源回路
7・・・電波インターフェース
8・・・クロック回路
9・・・電磁誘導結合回路
10・・・液晶表示器
11・・・外部機器接続回路
12・・・システムＬＳＩチップ
12a・・・インターフェース
12c・・・RAM
12e・・・CPU
12f・・・EEPROM
13・・・電波インターフェース
14・・・温度検出部
15・・・電磁誘導結合回路
16・・・温度データ検出手段
17・・・密閉空気層
18・・・フィルム状制御基板
19・・・不織布
20・・・穴
21・・・空気層
22・・・チップサーミスタ
22a・・・サーミスタパターン
23・・・粘着材
24・・・粘着剤塗布シート
25a，26b，26ｃ，26ｄ，26ｅ・・・通気穴
27ａ，27b，27ｃ，27ｄ，27ｅ・・・パンチ穴
28・・・コルク材（断熱材）
29・・・柔軟性シート
Claims (16)
- 少なくとも一の側面が粘着性を備える柔軟性シートに穴部及び／又は孔部を設け、その穴部及び／又は孔部の内側の温度検出を行う温度データ検出手段が設けられ、前記温度データ検出手段によって前記穴部及び／又は孔部の少なくとも一側部が形成され、測定対象と前記温度データ検出手段とによって前記穴部及び／又は孔部内側に密閉空気層が形成されることを特徴とする温度測定装置。
- 前記穴部及び／又は孔部内側に温度データ検出手段の検出部が露出するように配置される請求項１記載の温度測定装置。
- 前記穴部及び／又は孔部が複数設けられる請求項１記載の温度測定装置。
- 前記温度データ検出手段と連動する電磁波送受信手段が設けられる請求項１に記載した温度測定装置。
- 前記電磁波送受信手段が外部装置から電磁波を受ける電磁誘導結合手段を有してなる請求項４記載の温度測定装置。
- 前記電磁誘導結合手段は外部装置からの電波によって起電力を受けて前記温度データ検出手段に電力を供給する請求項５記載の温度測定装置。
- 前記電磁誘導結合手段のアンテナコイルを介して前記温度データ検出手段から温度データを前記外部装置へ電波送信することを特徴とした請求項６記載の温度測定装置。
- 前記アンテナコイルを介して前記温度データ検出手段から温度データとＩＤコードを一対で前記外部装置へ電波送信することを特徴とした請求項６記載の温度測定装置。
- 少なくとも一の側面が粘着性を備え、穴部及び／又は孔部が設けられた柔軟性シートの上面に、システムＬＳＩチップを搭載したフィルム状制御基板が接着され、前記穴部及び／又は孔部の内側の温度検出を行う温度データ検出手段が前記穴部及び／又は孔部の内側の空気層に露出する態様で前記フィルム状制御基板の裏面に取り付けられてなることを特徴とする温度測定装置。
- フィルム状制御基板が取りつけられる柔軟性シートに粘着剤塗布シートが貼付されて前記穴部及び／又は孔部内側空間が遮蔽される請求項９記載の温度測定装置。
- 粘着剤塗布シートの所定部位に通気穴が設けられる請求項１０記載の温度測定装置。
- 粘着剤塗布シートにパンチ穴が設けられる請求項１０記載の温度測定装置。
- 粘着剤塗布シートがフィルム状制御基板が取りつけられる柔軟性シートに貼付され、前記穴部及び／又は孔部内側空間が遮蔽され、粘着剤塗布シート及び／又はフィルム状制御基板及び／又はフィルム状制御基板を取りつける柔軟性シートに連続多孔質ポリテトラフロロエチレンを適用してなる請求項９記載の温度測定装置。
- 温度データ検出手段による検出温度データが人体の温度データである請求項１に記載した温度測定装置。
- 柔軟性シートに穴部及び／又は孔部を設け、その柔軟性シートを測定対象に装着することによって前記穴部及び／又は孔部によって密閉された空気層を形成し、前記穴部及び／又は孔部内側に温度データ検出手段の検出部が露出するように温度データ検出手段を配置し、前記温度データ検出手段により前記空気層の温度測定を行うことを特徴とする温度測定方法。
- 柔軟性シートに設けられた記憶手段に温度データ検出手段によって検出された温度データを蓄積し、柔軟性シートを測定対象から取り外した後に前記記憶手段に蓄積された温度データを取得する請求項１５記載の温度測定方法。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11585557B2 (en) | 2020-07-01 | 2023-02-21 | International Business Machines Corporation | Anomaly detection based on airflow alerters |
Families Citing this family (437)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4009520B2 (ja) * | 2002-11-05 | 2007-11-14 | 日東電工株式会社 | 温度測定用フレキシブル配線回路基板 |
| JP2005106557A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 温度測定受信装置 |
| US20050163189A1 (en) * | 2003-03-20 | 2005-07-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Temperature information reader |
| JP2005106555A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 温度測定送受信装置 |
| US7482935B2 (en) | 2003-10-28 | 2009-01-27 | Jung Kook Lee | Baby health monitoring system |
| PL1709750T3 (pl) | 2004-01-27 | 2015-03-31 | Altivera L L C | Diagnostyczne czujniki identyfikacji radiowej i ich zastosowanie |
| DK1734858T3 (da) * | 2004-03-22 | 2014-10-20 | Bodymedia Inc | Ikke-invasiv temperaturovervågningsindretning |
| WO2005112547A2 (en) * | 2004-05-20 | 2005-12-01 | Medisim Ltd. | Temperature measurement device |
| JP4677740B2 (ja) * | 2004-07-06 | 2011-04-27 | 横浜ゴム株式会社 | タイヤ用ホイール及びタイヤ気室内温度検知装置 |
| EP1763860A4 (en) | 2004-09-03 | 2012-11-07 | Semiconductor Energy Lab | SYSTEM FOR COLLECTING HEALTH DATA AND SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT |
| JP4600170B2 (ja) | 2004-09-15 | 2010-12-15 | セイコーエプソン株式会社 | 体温計、および体温計を有する電子機器 |
| JP2008519984A (ja) * | 2004-11-12 | 2008-06-12 | グラクソ グループ リミテッド | 音響変換器を備えるセンサシステム |
| JP4847740B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2011-12-28 | テルモ株式会社 | 婦人用体温測定装置 |
| JP2007135866A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Terumo Corp | 体温測定装置 |
| JP4885564B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2012-02-29 | テルモ株式会社 | 乳幼児健康管理装置 |
| JP4885565B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2012-02-29 | テルモ株式会社 | 乳幼児健康管理／監視装置 |
| JP5095949B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2012-12-12 | テルモ株式会社 | 乳幼児健康管理／監視装置 |
| JP2007229079A (ja) | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Terumo Corp | 体温測定装置 |
| GB0608829D0 (en) * | 2006-05-04 | 2006-06-14 | Husheer Shamus L G | In-situ measurement of physical parameters |
| FR2901118B1 (fr) * | 2006-05-16 | 2009-04-03 | France Etat | Dispositif de mesure de temperature et/ou d'humidite et dispositif de mesure du climat sous-vestial et vetement associes. |
| US7498802B2 (en) * | 2006-07-10 | 2009-03-03 | 3M Innovative Properties Company | Flexible inductive sensor |
| US20080018424A1 (en) * | 2006-07-10 | 2008-01-24 | 3M Innovative Properties Company | Inductive sensor |
| DE102006033318A1 (de) * | 2006-07-17 | 2008-01-24 | Ziehl Industrie-Elektronik Gmbh + Co | Vorrichtung zur Temperaturerfassung in Umgebungen mit starken elektromagnetischen Wechselfeldern und/oder an rotierenden Teilen |
| US7948380B2 (en) * | 2006-09-06 | 2011-05-24 | 3M Innovative Properties Company | Spatially distributed remote sensor |
| GB2442537A (en) * | 2006-10-06 | 2008-04-09 | Simon Wickham | Wireless infant skin temperature monitoring device |
| JP4840994B2 (ja) * | 2006-11-17 | 2011-12-21 | 正一 中村 | 温度記録計 |
| JP5204980B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2013-06-05 | テルモ株式会社 | 乳幼児健康管理／監視装置 |
| US8152367B2 (en) | 2007-05-04 | 2012-04-10 | Sealed Air Corporation (Us) | Insulated container having a temperature monitoring device |
| US7874726B2 (en) * | 2007-05-24 | 2011-01-25 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
| JP4508266B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2010-07-21 | セイコーエプソン株式会社 | コイルユニット及びそれを用いた電子機器 |
| JP2011523863A (ja) * | 2008-05-23 | 2011-08-25 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | センサ、アクチュエータ、又は電気部品を担持するように適合された基板層 |
| DE102008026642B4 (de) * | 2008-06-03 | 2010-06-10 | Dräger Medical AG & Co. KG | Doppeltemperatursensor mit einem Aufnahmeelement |
| US7946762B2 (en) * | 2008-06-17 | 2011-05-24 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US8262287B2 (en) | 2008-12-08 | 2012-09-11 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
| JP5399740B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2014-01-29 | テルモ株式会社 | 体温計及び体温測定システム |
| JP5284823B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2013-09-11 | テルモ株式会社 | 体温計及び体温測定システム |
| US20110054431A1 (en) * | 2009-02-27 | 2011-03-03 | Turnquist Douglas G | Heating array holder |
| US8939914B2 (en) * | 2009-02-27 | 2015-01-27 | Thermimage, Inc. | Radiometers and related devices and methods |
| US8641617B2 (en) | 2009-04-02 | 2014-02-04 | Indian Institute Of Science | In-place display on sensory data |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| CN102458232A (zh) * | 2009-04-15 | 2012-05-16 | 亚利桑特保健公司 | 深部组织温度探测器结构 |
| EP2419004B1 (en) * | 2009-04-15 | 2017-07-19 | 3M Innovative Properties Company | Deep tissue temperature probe constructions |
| US8579829B2 (en) * | 2009-04-17 | 2013-11-12 | Linshom L.P. | System and method for monitoring breathing |
| US8911380B1 (en) | 2009-04-17 | 2014-12-16 | Linshom, L.P. | Respiration monitoring system and method |
| US8382370B2 (en) | 2009-05-06 | 2013-02-26 | Asm America, Inc. | Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction |
| US8100583B2 (en) * | 2009-05-06 | 2012-01-24 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
| US9297705B2 (en) * | 2009-05-06 | 2016-03-29 | Asm America, Inc. | Smart temperature measuring device |
| JP5358332B2 (ja) | 2009-07-23 | 2013-12-04 | テルモ株式会社 | 体温測定システム及びデータ読み取り装置ならびにその駆動制御方法 |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US8226294B2 (en) * | 2009-08-31 | 2012-07-24 | Arizant Healthcare Inc. | Flexible deep tissue temperature measurement devices |
| US8794829B2 (en) | 2009-12-31 | 2014-08-05 | Welch Allyn, Inc. | Temperature-measurement probe |
| TWM398898U (en) * | 2010-03-09 | 2011-03-01 | Mesure Technology Co Ltd | Thermometer without power switch |
| US8292495B2 (en) | 2010-04-07 | 2012-10-23 | Arizant Healthcare Inc. | Zero-heat-flux, deep tissue temperature measurement devices with thermal sensor calibration |
| US8292502B2 (en) | 2010-04-07 | 2012-10-23 | Arizant Healthcare Inc. | Constructions for zero-heat-flux, deep tissue temperature measurement devices |
| US8573843B2 (en) * | 2010-11-05 | 2013-11-05 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Temperature measuring device |
| CN102183314A (zh) * | 2011-02-23 | 2011-09-14 | 北京大学深圳研究生院 | 一种无线体温监测装置 |
| US9354122B2 (en) | 2011-05-10 | 2016-05-31 | 3M Innovative Properties Company | Zero-heat-flux, deep tissue temperature measurement system |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| CN102988027A (zh) * | 2011-09-09 | 2013-03-27 | 北京大学深圳研究生院 | 一种热敏电阻与无线体温检测电路的mcp封装形式 |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| JP2015513068A (ja) * | 2012-01-30 | 2015-04-30 | ピーエスティ・センサーズ・（プロプライエタリー）・リミテッドＰｓｔ Ｓｅｎｓｏｒｓ （Ｐｒｏｐｒｉｅｔａｒｙ） Ｌｉｍｉｔｅｄ | 熱画像センサ |
| US9183738B1 (en) | 2012-04-19 | 2015-11-10 | iDevices, LLC | Wireless thermometer and method of use thereof |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| DE13852079T1 (de) * | 2012-11-01 | 2015-11-19 | Blue Spark Technologies, Inc. | Pflaster zur Protokollierung der Körpertemperatur |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| WO2014125726A1 (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-21 | 株式会社村田製作所 | 無線式温度計 |
| WO2014129070A1 (ja) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | 株式会社村田製作所 | センサタグ、センサタグの製造方法 |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| USD702188S1 (en) | 2013-03-08 | 2014-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Thermocouple |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US20160066894A1 (en) * | 2014-03-21 | 2016-03-10 | Razzberry Inc. | Health state monitoring device |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US9483726B2 (en) * | 2014-12-10 | 2016-11-01 | VivaLnk Inc. | Three dimensional electronic patch |
| KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US9693689B2 (en) | 2014-12-31 | 2017-07-04 | Blue Spark Technologies, Inc. | Body temperature logging patch |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| JP6451035B2 (ja) * | 2015-04-10 | 2019-01-16 | 国立大学法人東北大学 | 共振素子の無線計測システム |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| JP6520620B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2019-05-29 | オムロン株式会社 | 密着型センサ |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| CN105520721A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-04-27 | 上海温尔信息科技有限公司 | 基于体表温度场的癌变区域的精准测量及识别装置 |
| CN108431564B (zh) * | 2015-12-21 | 2021-04-23 | 皇家飞利浦有限公司 | 热流传感器 |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| CN106137146A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-11-23 | 浙江隆泰医疗科技股份有限公司 | 粘贴式电子体温贴 |
| KR102613349B1 (ko) | 2016-08-25 | 2023-12-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법 |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US20180192885A1 (en) * | 2017-01-11 | 2018-07-12 | Radiant Innovation Inc. | Auxilliary thermometer and thermal detecting method thereof |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| EP3470805B1 (en) * | 2017-08-01 | 2021-10-20 | Try And E Co., Ltd | Temperature sensor calibration method |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10849501B2 (en) | 2017-08-09 | 2020-12-01 | Blue Spark Technologies, Inc. | Body temperature logging patch |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| DE112018006227T5 (de) | 2017-12-08 | 2020-09-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermometer |
| WO2019131203A1 (ja) | 2017-12-27 | 2019-07-04 | 株式会社村田製作所 | 貼付型体温計 |
| WO2019130797A1 (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-04 | 株式会社テクノ・コモンズ | 生体データ測定装置 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| WO2019142055A2 (en) | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| JP2019130287A (ja) * | 2018-02-02 | 2019-08-08 | 日本光電工業株式会社 | 携帯型心電図記録器、および心電図記録システム |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| TWI879056B (zh) | 2018-05-11 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| TWI819010B (zh) | 2018-06-27 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
| CN120591748A (zh) | 2018-06-27 | 2025-09-05 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及膜和结构 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
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| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
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| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646B (zh) | 2019-07-10 | 2026-02-10 | Asmip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR102895115B1 (ko) | 2019-07-16 | 2025-12-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102860110B1 (ko) | 2019-07-17 | 2025-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| KR102903090B1 (ko) | 2019-07-19 | 2025-12-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| TWI851767B (zh) | 2019-07-29 | 2024-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
| CN112309900B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-04 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309899B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-14 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
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| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| JP7810514B2 (ja) | 2019-08-21 | 2026-02-03 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| KR102928101B1 (ko) | 2019-08-23 | 2026-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| TW202128273A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 |
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| TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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| CN112951697B (zh) | 2019-11-26 | 2025-07-29 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
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| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
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| CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| TWI901623B (zh) | 2020-01-06 | 2025-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| JP7636892B2 (ja) | 2020-01-06 | 2025-02-27 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102882467B1 (ko) | 2020-01-16 | 2025-11-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
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| TWI889744B (zh) | 2020-01-29 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 污染物捕集系統、及擋板堆疊 |
| TWI871421B (zh) | 2020-02-03 | 2025-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| KR102916725B1 (ko) | 2020-02-13 | 2026-01-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 |
| KR20210103953A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| TWI895326B (zh) | 2020-02-28 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| CN113363196A (zh) | 2020-03-04 | 2021-09-07 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于反应器系统的对准夹具 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR102775390B1 (ko) | 2020-03-12 | 2025-02-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TWI887376B (zh) | 2020-04-03 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI888525B (zh) | 2020-04-08 | 2025-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| TW202143328A (zh) | 2020-04-21 | 2021-11-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於調整膜應力之方法 |
| WO2021216887A1 (en) * | 2020-04-22 | 2021-10-28 | Biotags, LLC | Temperature sensor patch and system |
| TW202208671A (zh) | 2020-04-24 | 2022-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法 |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| KR102866804B1 (ko) | 2020-04-24 | 2025-09-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| TWI887400B (zh) | 2020-04-24 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於穩定釩化合物之方法及設備 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR102783898B1 (ko) | 2020-04-29 | 2025-03-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| EP3904853A1 (fr) * | 2020-04-30 | 2021-11-03 | The Swatch Group Research and Development Ltd | Procéde de calibration d'au moins un capteur de température électronique |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| TWI907417B (zh) | 2020-05-04 | 2025-12-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
| JP7736446B2 (ja) | 2020-05-07 | 2025-09-09 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同調回路を備える反応器システム |
| KR102788543B1 (ko) | 2020-05-13 | 2025-03-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| US12057314B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors |
| KR102905441B1 (ko) | 2020-05-19 | 2025-12-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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| TWI876048B (zh) | 2020-05-29 | 2025-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
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| TWI896694B (zh) | 2020-07-01 | 2025-09-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積方法、半導體結構、及沉積系統 |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
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| TWI878570B (zh) | 2020-07-20 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| TW202219303A (zh) | 2020-07-27 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 薄膜沉積製程 |
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| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
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| TW202534193A (zh) | 2020-08-26 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法 |
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| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TWI889903B (zh) | 2020-09-25 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| CN114388427A (zh) | 2020-10-06 | 2022-04-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于在特征的侧壁上形成氮化硅的方法和系统 |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| KR102855834B1 (ko) | 2020-10-14 | 2025-09-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법 |
| KR102873665B1 (ko) | 2020-10-15 | 2025-10-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| KR20220077875A (ko) | 2020-12-02 | 2022-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| US12159788B2 (en) | 2020-12-14 | 2024-12-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures for threshold voltage control |
| CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
| TW202232639A (zh) | 2020-12-18 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具有可旋轉台的晶圓處理設備 |
| TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| TWI787045B (zh) * | 2022-01-07 | 2022-12-11 | 緯創資通股份有限公司 | 量測裝置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3949388A (en) * | 1972-11-13 | 1976-04-06 | Monitron Industries, Inc. | Physiological sensor and transmitter |
| JPS61296228A (ja) | 1985-06-24 | 1986-12-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 電子体温計 |
| US4669480A (en) * | 1985-10-16 | 1987-06-02 | Murray Electronics Associates Limited Partnership | Temperature indicating electrotherapy electrode/coil and method of use |
| JPS62145127A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 電子体温計 |
| DE3788811T2 (de) * | 1986-11-26 | 1994-04-28 | Terumo Corp | Elektronisches klinisches thermometer. |
| US5255979A (en) * | 1993-02-01 | 1993-10-26 | Ferrari R Keith | Medical temperature probe cover |
| JPH0989676A (ja) | 1995-09-21 | 1997-04-04 | Casio Comput Co Ltd | 電子体温計 |
| JP2713274B2 (ja) | 1995-11-07 | 1998-02-16 | 日本電気株式会社 | 体温ピックアップ |
| US5803915A (en) * | 1995-12-07 | 1998-09-08 | Ohmeda Inc. | System for detection of probe dislodgement |
| US5924985A (en) * | 1997-07-29 | 1999-07-20 | Ohmeda Inc. | Patient probe disconnect alarm |
| US6686843B2 (en) * | 2000-07-24 | 2004-02-03 | Atico International Usa, Inc. | Method and apparatus for determining the temperature of an infant |
| WO2002063260A2 (en) * | 2001-02-08 | 2002-08-15 | Mini-Mitter Company, Inc. | Skin patch including a temperature sensor |
| US6847913B2 (en) * | 2001-10-04 | 2005-01-25 | The Johns Hopkins University | Ambulatory surface skin temperature monitor |
| US20050226310A1 (en) * | 2002-03-20 | 2005-10-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Adhesive clinical thermometer pad and temperature measuring pad |
| DE10220171A1 (de) * | 2002-05-06 | 2003-11-27 | K-Jump Health Co | Elektronisches Patch Thermometer |
| US20040013164A1 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-22 | Chimg-Piao Li | Temperature monitoring apparatus with alarm capability |
| DK1734858T3 (da) * | 2004-03-22 | 2014-10-20 | Bodymedia Inc | Ikke-invasiv temperaturovervågningsindretning |
| ATE514062T1 (de) * | 2004-05-04 | 2011-07-15 | Fisher & Paykel Healthcare Ltd | Hautpflaster mit temperaturfühler |
-
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11585557B2 (en) | 2020-07-01 | 2023-02-21 | International Business Machines Corporation | Anomaly detection based on airflow alerters |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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