JP4154067B2 - 研削装置 - Google Patents
研削装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4154067B2 JP4154067B2 JP09898599A JP9898599A JP4154067B2 JP 4154067 B2 JP4154067 B2 JP 4154067B2 JP 09898599 A JP09898599 A JP 09898599A JP 9898599 A JP9898599 A JP 9898599A JP 4154067 B2 JP4154067 B2 JP 4154067B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- grinding wheel
- plate
- chuck table
- wheel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハ等の板状物を研削する研削方法、及び、その方法の実施に使用することができる研削装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェーハやガラス等のような板状物を研削して所望の厚さにする場合は、図7に示すように、研削装置に配設されたチャックテーブル17の吸着面33に板状物40を吸引保持し、研削ホイール42の下部に配設された研削砥石41と板状物40の表面とが平行な状態を維持すると共にチャックテーブル17の回転中心を通るように研削ホイール42を回転させながら下降させ、粗研削用、仕上げ研削用の研削砥石41を板状物40に接触させることにより研削を行う。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、研削途中において研削焼けや割れが生じることがあり、この場合は所望の厚さにすることができないという問題がある。特に、スマートカード、携帯電話等の小型化、薄型化の要請が強い製品に搭載される半導体ウェーハにおいてはこの問題が生じやすい。
【0004】
そこで、かかる問題の原因について研究した結果、粗研削と仕上げ研削とでは同方向にソーマーク(研削痕)が形成され、粗研削で形成されたソーマークに倣って仕上げ研削が遂行されることとなり、その結果、研削砥石41と板状物40との接触面積が大きくなって、研削焼けや割れが生じるという知見を得た。
【0005】
チャックテーブル17は、図8に示す如く構成されるが、図9において拡大して示すように、チャックテーブル17の吸着面33は、回転中心を頂点として傾斜角度の極めて小さな(例えば0.01度程度)勾配の傾斜面を有する円錐面に形成されていて、粗研削及び仕上げ研削のいずれの場合も、研削砥石41は吸着面33の傾斜に平行になるように位置付けられ、板状物40の表面には、一定方向にソーマークが形成される。
【0006】
即ち、粗研削で生じたソーマークに倣って仕上げ研削が遂行されることになり、その結果、研削ホイールと板状物との接触面積が大きくなって研削焼け、割れ等が生じやすい。
【0007】
このように、板状物を研削する場合においては、研削焼けや割れがおこらないように研削することにより、所望の厚さでかつ高品質な板状物に仕上げることに解決すべき課題を有している。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、板状物を吸引保持し回転可能なチャックテーブルと、該板状物を粗研削する第一の研削砥石を備えた第一の研削ホイールを回転可能に支持する第一の研削手段と、該板状物を仕上げ研削する第二の研削砥石を備えた第二の研削ホイールを回転可能に支持する第二の研削手段とから少なくとも構成される研削装置であって、チャックテーブルは、ターンテーブルに配設され、該ターンテーブルの回転により第一の研削手段及び第二の研削手段に対峙するよう構成され、チャックテーブルの吸着面は、回転中心を頂点として極めて小さい勾配の傾斜面からなる円錐面に形成されており、第一の研削砥石は、板状物の中心から外周に向かう第一の円弧状ソーマークを形成するよう、チャックテーブルの回転中心から外周に向かう傾斜面に平行になるよう位置付けられ、第二の研削砥石は、板状物に形成された第一の円弧状ソーマークに対して逆形状の第二の円弧状ソーマークが形成されるよう、チャックテーブルの回転中心から外周に向かう傾斜面に平行になるよう位置付けられる研削装置を提供する。
【0009】
そしてこの研削装置は、板状物は半導体ウェーハであること、第一の研削ホイールを構成する第一の研削砥石は、粒度#600の粒径より大きい粒径の砥粒から構成され、第二の研削ホイールを構成する第二の研削砥石は、粒度#1000の粒径より小さい粒径の砥粒から構成されることを付加的要件とする。
【0010】
このように構成される研削装置によれば、第一の研削砥石によって板状物に形成されたソーマークと第二の研削砥石によってその板状物に形成されたソーマークとがクロスするため、最初に形成されたソーマークがあたかも山脈の頂上からふもとにかけて削り取られる如く研削され、厚さバラツキの小さい高品質な板状物に仕上げることができる。
【0011】
また、ソーマークがクロスすることで、仕上げ研削用の研削ホイールには研削時に適度な衝撃力が働き、自生発刃作用が生じて研削能力が維持される。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態の一例として、図1に示す研削装置10及びこの研削装置10を用いた研削方法について説明する。
【0013】
研削装置10は、板状物を収容するカセット11、12と、カセット11からの板状物の搬出またはカセット12への板状物の搬入を行う搬出入手段13と、被加工物の位置合わせを行うセンター合わせテーブル14と、被加工物を搬送する第一の搬送手段15及び第二の搬送手段16と、上部に板状物を吸引保持するチャック面を有する4つのチャックテーブル17と、チャックテーブル17を支持して回転可能なターンテーブル18と、チャックテーブル17に保持された板状物を研削する第一の研削手段19及び第二の研削手段20からなる研削手段21と、板状物の洗浄を行う洗浄手段22とを有している。
【0014】
カセット11には研削前の板状物、例えば半導体ウェーハが複数段に重ねて収納されており、搬出入手段13によって1枚ずつピックアップされてセンター合わせテーブル14に載置される。そしてここで半導体ウェーハの位置合わせが行われた後、第一の搬送手段15に吸着されると共に第一の搬送手段15が旋回動することによって、チャックテーブル17に半導体ウェーハが載置され、吸引保持される(板状物保持工程)。
【0015】
次に、ターンテーブル18が所要角度回転して半導体ウェーハWが載置されたチャックテーブル17が第一の研削手段19の直下に位置付けられる。そして、第一の研削手段19の直下に位置付けられた半導体ウェーハWは、第一の研削手段19の作用を受けて上面が研削される。
【0016】
ここで、第一の研削手段19においては、回転可能に支持されたスピンドル23aの先端に設けたマウンタ24aの下部に第一の研削ホイール25が固定され、図2に示すように、第一の研削ホイール25の下部には、粗研削用の砥石、例えば粒度#600の粒径より大きい粒径の砥粒から構成される第一の研削砥石25aが環状に配設されており、ここでは粗研削が行われる。
【0017】
そして、粗研削が行われた後は、ターンテーブル18が所要角度回転し、チャックテーブル17が第二の研削手段20の直下に位置付けられ、第二の研削手段20の作用を受けて上面を研削される。
【0018】
ここで、第二の研削手段20においては、回転可能に支持されたスピンドル23bの先端に設けたマウンタ24bの下部に第二の研削ホイール26が固定され、図3に示すように、第二の研削ホイール26の下部には仕上げ研削用の砥石、例えば粒度#1000の粒径より小さい粒径の砥粒から構成される第二の研削砥石26aが環状に配設されており、ここでは仕上げ研削が行われる。
【0019】
なお、研削手段21を構成する第一の研削手段19及び第二の研削手段20は、起立して設けられた壁体27に対して上下動可能となっている。ここで、第一の研削手段19と第二の研削手段20とはほぼ同様に構成されるため、共通する部位には同一の符号を付して説明すると、壁体27の内側の面には一対のレール28が垂直方向に併設され、駆動源29に駆動されてレール28に沿ってスライド板30が上下動するのに伴い、ボルト31、32によってスライド板30に固定された第一の研削手段19、第二の研削手段20がそれぞれ上下動するようになっている。
【0020】
チャックテーブル17の吸着面33は、図9に示したように、従来と同様に回転中心を頂点とする勾配がθ度(例えば0.01度程度)の円錐面に形成されている。
【0021】
また、第一の研削手段は、例えばボルト31を緩めることにより、チャックテーブル17の吸着面33の勾配に対応させて若干傾斜させる。即ち、第一の研削砥石25aの下面とチャックテーブル17の傾斜面とが平行になるように、チャックテーブル17と第一の研削手段19とが相対的に調整される。
【0022】
具体的には、第一の研削手段19は、図2に示すように、垂直方向から左方向にθ度傾けると共に、チャックテーブル17の回転中心を第一の研削砥石25aが通るようにし、例えば図4に示す中心から外周に向かう第一の円弧状ソーマークが半導体ウェーハWに形成されるように位置付ける。なお、実際にはθは極めて微小な角であるが、理解を容易とするために誇張して図示している。
【0023】
一方、第二の研削手段20は、ボルト32を緩めることにより、図3に示すように、第一の研削手段19とは逆に垂直方向から右方向にθ度傾けると共に、チャックテーブル17の回転中心を研削砥石25bが通るようにし、例えば図5に示す第一の円弧状ソーマークに対して逆形状のソーマークが半導体ウェーハWに形成されるよう位置付ける。
【0024】
この状態で、まず、第一の研削手段19を構成するスピンドル23a及びチャックテーブル17を回転させながら第一の研削砥石25aを半導体ウェーハWの上面に接触させて研削を行うと、図4に示すような一定方向の第一の円弧状ソーマークが半導体ウェーハWの表面に形成される(第一の研削工程)。このとき、チャックテーブル17の回転方向は時計回りでも反時計回りでもよく、また、研削砥石25aの回転方向も、チャックテーブル17の回転中心から外周にするか、または外周から回転中心に向かうようにするかはどちらでも構わない。
【0025】
そして次に、ターンテーブル18を所要角度回転させることにより半導体ウェーハWを保持したチャックテーブル17を第二の研削手段20の直下に位置付け、スピンドル23b及びチャックテーブル17を回転させながら研削を行うと、ここでは図5に示すようなソーマークが形成される。従って、第一の研削工程において形成されたソーマークにクロスするように新たな第二の円弧状ソーマークが形成され、結果的に図6に示すようなソーマークとなる(第二の研削工程)。
【0026】
なお、このときのチャックテーブル17の回転方向は、第一の研削工程の場合と同様に時計回りでも反時計回りでもよく、また、第二の研削ホイール26の回転方向もどちらでも構わないが、半導体ウェーハのように脆性材料を研削する場合は、第二の研削ホイール26の回転方向はチャックテーブル17の円錐面の頂点(回転中心)から外周に向かう方向とすることが好ましい。この点は、第一の研削工程における第一の研削ホイール25も同様である。
【0027】
このようにして第一の研削工程により形成されたソーマークが第二の研削工程により形成されたソーマークにクロスするように研削すると、第一の工程により形成されたソーマークがあたかも山脈の頂上からふもとにかけて削り取られる如く研削される。従って、厚さバラツキの小さい高品質な半導体ウェーハに仕上げることができるため、その厚さを50μm前後にまで薄くすることができ、スマートカード、携帯電話等の薄型化、軽量化、小型化を更に促進することができる。
【0028】
更に、例えば2層構造のSOI(Silicon on Insulator)ウェーハの場合においては、基盤上にボンディングされた半導体ウェーハをわずか数μmまで薄く研削することができる。また、半導体ウェーハの裏面を研削する前にダイシングを行い、その後裏面を研削する場合においても、例えば厚さが20μm以下になるまで研削することができる。
【0029】
また、ソーマークがクロスすることで、仕上げ研削用の研削ホイールには研削時に適度な衝撃力が働き、自生発刃作用が生じて研削能力が維持され、研削ホイールの寿命が20%以上長くなることが確認された。従って、従来は使用が困難であった粒度#4000よりも小さい粒径の砥粒から構成される研削ホイールの使用が可能となり、面粗度、反り量、破砕層の小さい研削が可能となって、薄いながらも抗折強度の高い高品質な板状物を提供することが可能となる。
【0030】
なお、本実施の形態においては、第一の研削手段19を構成する第一の研削ホイール25を第二の研削手段20を構成する第二の研削ホイール26とは逆方向に同じだけ傾斜させることによりソーマークがクロスするようにしたが、例えば、チャックテーブルと研削手段とが1対1で対応している研削装置においては、チャックテーブルを傾斜させてもよく、要するに、ソーマークがクロスするように構成すれば、その具体的構造はどのようなものであってもよい。
【0031】
また、研削手段は必ずしも2つ備えている必要はなく、ひとつの研削手段に2つの機能を持たせてもよい。従って,ターンテーブルも必須の要素ではない。
【0032】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る研削装置によれば、第一の研削砥石によって板状物に形成されたソーマークと第二の研削砥石によってその板状物に形成されたソーマークとがクロスするため、最初に形成されたソーマークがあたかも山脈の頂上からふもとにかけて削り取られる如く研削される。従って、厚さバラツキの小さい高品質な板状物に仕上げることができるため、例えば半導体ウェーハの場合はその厚さを50μm前後にまで薄くすることができ、スマートカード、携帯電話等の薄型化、軽量化、小型化を更に促進することができる。また、例えば2層構造のSOI(Silicon on Insulator)ウェーハにおいては、基盤上にボンディングされた半導体ウェーハをわずか数μmまで薄く研削することができると共に、半導体ウェーハの裏面を研削する前にダイシングを行い、その後裏面を研削する場合においても厚さが20μm以下になるまで研削することができる。
【0033】
更に、ソーマークがクロスすることで、仕上げ研削用の研削ホイールには研削時に適度な衝撃力が働き、自生発刃作用が生じて研削能力が維持されるため、研削ホイールの寿命が20%以上長くなると共に、従来は使用が困難であった粒度#4000よりも小さい粒径の砥粒から構成される研削ホイールの使用が可能となり、面粗度、反り量、破砕層の小さい研削が可能となって、薄いながらも抗折強度の高い高品質な板状物を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る研削装置の実施の形態の一例を示す斜視図である。
【図2】本発明に係る研削方法の第一の研削工程が遂行される様子の一例を示す説明図である。
【図3】同研削方法の第二の研削工程が遂行される様子の一例を示す説明図である。
【図4】第一の研削工程によってのみ半導体ウェーハの表面に形成されたソーマークを示す説明図である。
【図5】第二の研削工程によってのみ半導体ウェーハの表面に形成されるソーマークを示す説明図である。
【図6】第一の研削工程及び第二の研削工程によって半導体ウェーハの表面にクロスして形成されたソーマークを示す説明図である。
【図7】従来の研削方法を示す斜視図である。
【図8】研削装置のチャックテーブルを示す斜視図である。
【図9】同チャックテーブルの吸着面を拡大して示す説明図である。
【符号の説明】
10…研削装置 11、12…カセット
13…搬出入手段 14…センター合わせテーブル
15…第一の搬送手段 16…第二の搬送手段
17…チャックテーブル 18…ターンテーブル
19…第一の研削手段 20…第二の研削手段
21…研削手段 22…洗浄手段
23a、23b…スピンドル
24a、24b…マウンタ 25…第一の研削ホイール
25a…第一の研削砥石 26…第二の研削ホイール
26a…第二の研削砥石 27…壁体 28…レール
29…駆動源 30…スライド板 31、32…ボルト
33…吸着面
40…板状物 41…研削砥石 42…研削ホイール
Claims (3)
- 板状物を吸引保持し回転可能なチャックテーブルと、該板状物を粗研削する第一の研削砥石を備えた第一の研削ホイールを回転可能に支持する第一の研削手段と、該板状物を仕上げ研削する第二の研削砥石を備えた第二の研削ホイールを回転可能に支持する第二の研削手段とから少なくとも構成される研削装置であって、
該チャックテーブルは、ターンテーブルに配設され、該ターンテーブルの回転により該第一の研削手段及び該第二の研削手段に対峙するよう構成され、該チャックテーブルの吸着面は、回転中心を頂点として極めて小さい勾配の傾斜面からなる円錐面に形成されており、該第一の研削砥石は、該板状物の中心から外周に向かう第一の円弧状ソーマークを形成するよう、該チャックテーブルの回転中心から外周に向かう傾斜面に平行になるよう位置付けられ、該第二の研削砥石は、該板状物に形成された第一の円弧状ソーマークに対して逆形状の第二の円弧状ソーマークが形成されるよう、該チャックテーブルの回転中心から外周に向かう傾斜面に平行になるよう位置付けられる研削装置。 - 板状物は半導体ウェーハである請求項1に記載の研削装置。
- 第一の研削ホイールを構成する第一の研削砥石は、粒度#600の粒径より大きい粒径の砥粒から構成され、第二の研削ホイールを構成する第二の研削砥石は、粒度#1000の粒径より小さい粒径の砥粒から構成される請求項1または2に記載の研削装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09898599A JP4154067B2 (ja) | 1999-04-06 | 1999-04-06 | 研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09898599A JP4154067B2 (ja) | 1999-04-06 | 1999-04-06 | 研削装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000288881A JP2000288881A (ja) | 2000-10-17 |
JP4154067B2 true JP4154067B2 (ja) | 2008-09-24 |
Family
ID=14234305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09898599A Expired - Lifetime JP4154067B2 (ja) | 1999-04-06 | 1999-04-06 | 研削装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4154067B2 (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4455750B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2010-04-21 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP2002367933A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの分離方法 |
JP3849936B2 (ja) * | 2003-01-23 | 2006-11-22 | 信越半導体株式会社 | 平面研削方法及び装置 |
JP2006294855A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハのバックグラインディング加工方法と装置 |
JP2006303329A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | シリコン基板の薄板加工方法およびそれに用いられる加工装置 |
JP4876669B2 (ja) | 2006-03-29 | 2012-02-15 | 株式会社ジェイテクト | 車輪用転がり軸受装置の製造方法 |
JP2008112819A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5226287B2 (ja) * | 2007-12-07 | 2013-07-03 | 株式会社ディスコ | ウェーハの研削方法 |
JP5430975B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2014-03-05 | 株式会社ディスコ | ワーク加工方法およびワーク加工装置 |
JP2010194680A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワーク加工方法およびワーク加工装置 |
CN104044026A (zh) * | 2014-06-11 | 2014-09-17 | 长春设备工艺研究所 | 一种用于单体泵泵体阀孔圆锥面、圆柱面相交的磨削加工装置 |
JP2016168660A (ja) | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 株式会社ディスコ | 研削ホイール |
JP6803169B2 (ja) * | 2016-08-03 | 2020-12-23 | 株式会社ディスコ | 研削方法 |
JP6854634B2 (ja) | 2016-12-07 | 2021-04-07 | 株式会社ディスコ | ビトリファイドボンド砥石 |
JP6746230B2 (ja) * | 2016-12-09 | 2020-08-26 | 株式会社ディスコ | ウェーハの製造方法 |
JP6824583B2 (ja) * | 2017-04-17 | 2021-02-03 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6901322B2 (ja) | 2017-05-31 | 2021-07-14 | 株式会社ディスコ | 保護テープの貼着装置 |
JP6987434B2 (ja) | 2017-06-19 | 2022-01-05 | 株式会社ディスコ | 研削ホイール |
JP2019012773A (ja) | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6949424B2 (ja) | 2017-08-22 | 2021-10-13 | 株式会社ディスコ | 研磨パッド |
JP6910723B2 (ja) | 2017-08-22 | 2021-07-28 | 株式会社ディスコ | 研削方法 |
JP7204318B2 (ja) | 2017-11-06 | 2023-01-16 | 株式会社ディスコ | 研削ホイール |
JP2019087674A (ja) | 2017-11-08 | 2019-06-06 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP7098240B2 (ja) | 2018-08-22 | 2022-07-11 | 株式会社ディスコ | 研磨パッド |
JP7317440B2 (ja) | 2019-04-15 | 2023-07-31 | 株式会社ディスコ | ドレッシング工具 |
JP7258443B2 (ja) | 2019-10-02 | 2023-04-17 | 株式会社ディスコ | ドレッシング工具 |
JP2022025972A (ja) | 2020-07-30 | 2022-02-10 | 株式会社ディスコ | 研磨液 |
JP2022123325A (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-24 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP2022166907A (ja) | 2021-04-22 | 2022-11-04 | 株式会社ディスコ | 研磨方法及び研磨工具 |
JP2022190222A (ja) | 2021-06-14 | 2022-12-26 | 株式会社ディスコ | 研磨工具 |
JP2023002933A (ja) | 2021-06-23 | 2023-01-11 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
WO2023095669A1 (ja) * | 2021-11-29 | 2023-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理システム |
JP2023083679A (ja) | 2021-12-06 | 2023-06-16 | 株式会社ディスコ | ビトリファイドボンド砥石 |
JP2023095373A (ja) | 2021-12-24 | 2023-07-06 | 株式会社ディスコ | 面処理装置 |
JP2023159609A (ja) | 2022-04-20 | 2023-11-01 | 株式会社ディスコ | 研削ホイールの製造方法及び研削ホイール |
JP2024034299A (ja) | 2022-08-31 | 2024-03-13 | 株式会社ディスコ | 砥石 |
-
1999
- 1999-04-06 JP JP09898599A patent/JP4154067B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000288881A (ja) | 2000-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4154067B2 (ja) | 研削装置 | |
TWI483302B (zh) | Wafer grinding method | |
JP2004207606A (ja) | ウェーハサポートプレート | |
JP2007173487A (ja) | ウエーハの加工方法および装置 | |
JP5226287B2 (ja) | ウェーハの研削方法 | |
KR102255728B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP5430975B2 (ja) | ワーク加工方法およびワーク加工装置 | |
US20040097053A1 (en) | Semiconductor wafer protective member and semiconductor wafer grinding method | |
JP2010194680A (ja) | ワーク加工方法およびワーク加工装置 | |
JP2013004726A (ja) | 板状物の加工方法 | |
JP4961183B2 (ja) | 半導体ウェーハの加工方法 | |
JPH10166259A (ja) | サファイア基板研削研磨方法および装置 | |
JP6045926B2 (ja) | 研削研磨装置 | |
JP2004082319A (ja) | チップの研削方法及びリングフレーム固定機構 | |
JP2019084590A (ja) | ドレッシング用ウェーハ及びドレッシング方法 | |
US20220339753A1 (en) | Processing method | |
JP4537778B2 (ja) | ビトリファイドボンド砥石の目立て方法 | |
JP2002367933A (ja) | 半導体ウェーハの分離方法 | |
JP5700988B2 (ja) | ウエーハの研削方法 | |
JP5938297B2 (ja) | 研削装置 | |
JP2004228133A (ja) | 半導体ウェーハの分割方法 | |
JP5231107B2 (ja) | ウエーハの研削方法 | |
KR20200089600A (ko) | 피가공물의 가공 방법 | |
JP2018039070A (ja) | ウエーハの加工方法及び研削装置 | |
TWI834798B (zh) | 被加工物的加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060330 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080321 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080326 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080617 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080707 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130711 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130711 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |