JP2008112819A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板の回路形成面側に封止層を形成した半導体ウェハを個片に分割して形成する半導体装置の製造方法において、半導体ウェハの回路形成面側を、吸着面を円錐面とした吸着ステージに吸着させる工程と、この吸着ステージに吸着させた半導体ウェハの裏面を、円錐面の一の稜と平行に研削面を配置した砥石を、半導体ウェハの中心から外周縁に向けて回転させて研削する工程と、を備える。
【選択図】 図3
Description
つまり、半導体基板の回路形成面側に封止層を形成するときに、半導体基板の外周縁部は封止金型に押さえられ、外周縁部に封止層が形成されずに段差部が形成されるため、封止層が形成された半導体ウェハのおもて面を吸着ステージに吸着させてその裏面を研削するときに、段差部が形成された外周縁部が吸着ステージに吸着され難くなり、剛性が低い外周縁部に巻上げが生じやすくなるからである。
図1は、半導体装置の製造方法を、半導体ウェハに形成される電極パッドとこれに再配線等を介して接続するポスト電極との近傍を示す部分断面図で示したものである。
2は半導体ウェハ1の半導体基板であり、0.5〜1mm程度の厚さのシリコンからなるバルク基板であって、そのおもて面には図示しない半導体素子を配線で接続した複数の回路素子が形成されている(この回路素子が形成される半導体基板2のおもて面を回路形成面3という。)。
5は電極パッドであり、絶縁層4上にアルミニウム(Al)やチタン(Ti)等の導電材料で形成された導電層を所定の形状にエッチングして形成された電極であって、絶縁層4のコンタクトホールに埋め込まれた導電体を介して回路素子の所定の部位と電気的に接続している。
7は層間絶縁膜であり、表面保護膜6上にポリイミド等の絶縁材料で形成され、電極パッド5上の部位をエッチングにより除去して電極パッド5に到るスルーホール8が形成されている。
10は再配線であり、銅等の導電材で形成された電極パッド5上からその電極パッド5に接続するポスト電極11を形成する領域(電極形成領域12という。)上に到る配線パターンであって、下地金属層9を介して電極パッド5と電気的に接続しており、半導体基板2上を電極パッド5からポスト電極11まで延在してポスト電極11と電極パッド5とを電気的に接続する機能を有している。
13はバンプ電極であり、ポスト電極11のポスト端面11a上に半田等で形成された半球状の電極であって、図示しない実装基板の配線端子と接合され、半導体装置の外部端子として機能する。これにより半導体基板2に形成された回路素子は、電極パッド5、下地金属層9、再配線10、ポスト電極11およびバンプ電極13を介して外部装置と接続される。
17は保護テープであり、樹脂テープの片面にバンプ電極13の凹凸を吸収することができる柔軟性を有し、紫外線の照射により硬化して接着性が弱まる特性を有する粘着層が形成された片面粘着テープであって、半導体基板2の回路形成面3の反対側の面、つまり半導体ウェハ1の裏面1aを研削する際に、半導体ウェハ1のおもて面側を保護する機能を有している。
図3において、20は裏面研削装置である。
21は吸着ステージであり、半導体ウェハ1の裏面1aを研削する際に、保護テープ17を介して半導体ウェハ1のおもて面側を吸着保持し、半導体ウェハ1を回転させる回転台であって、その中心部には半導体ウェハ1を吸着する負圧が供給される負圧室22が形成されている。
25はグラインダであり、ダイヤモンド等の硬質の砥粒と無機質のフィラ等の充填材とを樹脂や金属等のバインダで固め、これを焼成して形成されたリング状の砥石26を備えており、高速で回転して半導体ウェハ1の裏面1aを研削する。
この場合に、吸着ステージ21の回転軸は図3において上下方向に設定されており、砥石26の研削面26aは、図4に示すように、半導体ウェハ1の中心Ohを通る位置に配置され、図3に示すように、グラインダ25を傾けて砥石26の研削面26aと吸着板23の円錐面とされた吸着面23aの一の稜とが平行になるように配置されている。
なお、図3において、吸着面23aの円錐形状は、理解を容易にするために誇張して描いてあるが、実際の吸着面23aはその頂点と外周縁1bにより形成される底面との間の高さ、つまり円錐の高さは15〜25μm(本実施例では20μm)程度になるように形成されている。
P1(図1)、半導体ウェハ1の半導体基板2の回路形成面3に、図示しない複数の回路素子を形成し、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等により各回路素子の上部に図示しないコンタクトホールを設けた絶縁層4を形成した後に、絶縁層4上にスパッタ法により導電層を形成し、これを所定の形状にエッチングして回路素子の所定の部位と電気的に接続する電極パッド5を形成する。
P4(図1)、剥離剤を用いて工程P3で形成したレジストマスク18を除去し、再配線10およびポスト電極11を除く領域の下地金属層9をウェットマエッチングにより除去する。
このとき、半導体ウェハ1のおもて面側の外周縁部1cは、封止樹脂の漏れや裏面1aへの回り込みを防止するために封止金型に押さえ込まれているので、半導体ウェハ1のおもて面側の外周縁部1cには2mm程度(半導体ウェハ1との直径比で4%程度)の封止層15が形成されていない部位が残り、そこに段差部が形成される。
P7(図2)、封止層15のおもて面側に露出しているポスト端面11aにスクリーン印刷法等により半田を印刷し、その後に熱処理により半田を溶融させてポスト端面11a上に半球形状に突出するバンプ電極13を形成する。
P9(図2)、裏面1aの研削を終えた半導体ウェハ1の保護テープ17に紫外線を照射して粘着層の接着性を低下させ、半導体ウェハ1から保護テープ17を引き剥がし、半導体ウェハ1のおもて面側に弾性を有する分割用テープ28に貼り付け、分割用のブレード29により半導体ウェハ1のおもて面2に予め設けられた分割線に沿って縦横に切断して複数の個片に分割する。
このようにして、厚さが0.5mm以下(本実施例では390μm程度)の薄型化された小型のWCSP型の半導体装置30が製造される。
以上説明したように、本実施例では、半導体基板の回路形成面側に封止層を形成した半導体ウェハの裏面を研削する工程において、半導体ウェハの裏面を研削するときに、半導体ウェハの回路形成面側を、吸着面を円錐面とした吸着ステージに吸着させ、その裏面を、円錐面の一の稜と平行に研削面を配置した砥石を、導体ウェハの中心から外周縁に向けて回転させて研削するようにしたことによって、半導体ウェハの外周縁部が十分に吸着されなくても、裏面研削時の半導体ウェハの外周縁部のバタつきを防止することができ、半導体ウェハの外周縁の欠け等の損傷を防止して半導体装置の薄型化を図ることができる。
上記により製造された半導体装置は、配線基板に搭載される受動部品とほぼ同等の厚さを有する半導体装置とすることができ、配線基板間の設置間隔等を低減して電子機器の薄型化に貢献することができる。
また、本実施例においては、半導体ウェハの半導体基板は、シリコンからなるバルク基板であるとして説明したが、半導体ウェハは前記に限らず、封止層を形成したSOI(Silicon On Insulator)構造の半導体ウェハやSOS(Silicon On Sapphire)構造の半導体ウェハ等であっても、本発明を適用すれば上記と同様の効果を得ることができる。
1a 裏面
1b 外周縁
1c 外周縁部
2 半導体基板
3 回路形成面
4 絶縁層
5 電極パッド
6 表面保護膜
7 層間絶縁膜
8 スルーホール
9 下地金属層
10 再配線
11 ポスト電極
11a ポスト端面
12 電極形成領域
13 バンプ電極
15 封止層
17 保護テープ
18 レジストマスク
20 裏面研削装置
21 吸着ステージ
22 負圧室
23 吸着板
23a 吸着面
25 グラインダ
26 砥石
26a 研削面
28 分割用テープ
29 ブレード
30 半導体装置
Claims (3)
- 半導体基板の回路形成面側に封止層を形成した半導体ウェハを個片に分割して形成する半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウェハの回路形成面側を、吸着面を円錐面とした吸着ステージに吸着させる工程と、
該吸着ステージに吸着させた半導体ウェハの裏面を、前記円錐面の一の稜と平行に研削面を配置した砥石を、前記半導体ウェハの中心から外周縁に向けて回転させて研削する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1において、
前記半導体ウェハの回路形成面側を、該回路形成面側に貼付した保護テープを介して、前記吸着ステージに吸着させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記半導体基板の研削後の厚さが、300μm以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
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JP2006294060A JP2008112819A (ja) | 2006-10-30 | 2006-10-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN107210210A (zh) * | 2014-12-04 | 2017-09-26 | 胜高股份有限公司 | 吸附卡盘、倒角研磨装置、以及硅晶圆的倒角研磨方法 |
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JP2000288881A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置及び研削方法 |
JP2000294519A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、およびその実装方法 |
JP2002367933A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの分離方法 |
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2006
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