JP3989564B2 - 耐腐食性電気コネクタを備えた静電チャック - Google Patents
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Description
本発明は、プロセスチャンバ内で基板を保持するために使用される静電チャックに関するものである。
【0002】
静電チャックを備える静電保持システムは、例えばシリコンウェハーのような半導体基板を、その基板の処理中保持するために使用されている。
【0003】
代表的な静電チャックはベース上に静電部材(electrostatic member)を含み、当該ベースはプロセスチャンバ内でサポートに対して固定され得る。通常、静電部材は基板を冷却するための冷却材を容れる冷却溝を有している。静電チャックを使用するには、基板が静電部材上に配置され、静電部材はその基板に対してある電圧で電気的にバイアスがかけられる。プロセスガスがプロセスチャンバ内へ導入され、一定の処理で、プロセスガスからプラズマが形成される。反対の静電荷が静電部材と基板とに蓄積され、結果として静電引力が生じて、チャックに対して基板を静電的に保持する。静電的に保持された基板は、静電チャック内の冷却溝を覆い、そして密閉して、冷却材がほとんど冷却溝から漏出しないようにする。
【0004】
1つ以上の埋め込まれた電極を持つた絶縁体を、静電部材は通常備えている。絶縁された電気コネクタストラップはベースの端部にわたって広がっていて、静電部材の電極をプロセスチャンバ内のサポート上の電圧源端子に接続している。通常、電極及びコネクタストラップ上の絶縁体は電気絶縁性の高分子、例えばポリイミドを備える。高分子の使用は幾つかの基板製作工程において、特に、基板のエッチングやチャンバの清浄化処理のような酸素含有ガス及びプラズマを含む処理に対して、チャックの寿命を制限している。上記腐食性の処理において、チャック端部にわたって広がっている電気コネクタストラップ部上の露出した絶縁体が腐食され、そして単一の場所でさえ絶縁体の至る所の腐食は電極とプラズマ間のアークを生じ、チャックの交換を要する。チャックの度重なる交換は不経済であり、そしてもしチャックが基板の処理中に故障するならば、全ての基板が数千ドルの損失で失われる。
【0005】
従来のチャックにおいて、高電圧接触子組立品は、チャックの電極に電圧を供給するために、電気コネクタストラップを電圧源端子と電気的に接続するために使用される。高電圧接触子組立品は多数の構成部品を通常備えて、例えば、電気コネクタストラップをサポート上の電圧源コネクタと電気的に接続する電気接触子円板と、電気接触子円板と電圧源端子との間にシールを形成する座金とを含む。また、高電圧接触子組立構成品は導電性接着剤を用いて通常接着される。
【0006】
高電圧接触子組立品は幾つか不都合な点を有している。例えば、電気コネクタストラップと電圧源端子との間の十分な電気接触子を提供するのに正確に必要な大きさになった構成部品が必要であるから、高電圧接触子組立品を形成する電気接触子円板及び座金は、高電圧接触からのアークを引き起こさずに製作するには高価である。また、電気コネクタストラップがチャックのベースの下方に配置された後でのみ、構成部品は組み立てられ得るから、高電圧接触子組立品の構成部品を組み立てることは難しい。複雑な組立工程はチャックの製作費用を増加させる。高電圧接触子の不正確な組み立ては、チャックの予期せぬ故障を引き起こす可能性がある。更に、組立部品を結合させるために用いられる導電性接着剤が高温で不具合を起こし、高電圧接合部を破壊する。
【0007】
従って、ガスを含む腐食性ガス環境で実質上耐腐食性である静電チャックを有していることが望ましい。チャックの電気コネクタは最小の部品で製作されて、最少の組立工程を要することが更に望ましい。コネクタの構成部品を結合するために使用される導電性接着剤の量を減らすことが更に望ましい。従来の作製装置を用いて安価に製作されることが同様に望ましい。
【0008】
本発明の静電チャックは上記の要請を満足させている。1つの態様において、本発明は、ベースと、内部に電極を有するベース上の静電部材とを備える静電チャックを提供する。電気コネクタは電極の一体延長部(integral extension)を形成し、そして(i)ベースを貢通して伸びている電気リードと、(ii)電気リード上の電気接触子とを備えており、上記接触子は、静電チャックを作動させるように、電圧を供給するために用いられる電圧供給端子と直接接触し、かつ電気的に係合するように十分な大きさで作られる。チャックが腐食性プロセスガスを含んだプロセスチャンバ内で基板を保持するために使用されるとき、基板は電気コネクタを覆って、腐食性プロセスガスによる腐食から電気コネクタを実質上保護する。更に、一体となった電極、リード及び接触子はチャックの組立を簡素化し、確実な電極との高電圧接合部を提供する。
【0009】
チャックの静電部材内の電極は、幾つかの異なる配置を有してる。1つの配置において、電極は、チャックが基板のプラズマ処理中に基板を静電的に保持するようにする単一のモノポーラ電極(a single monopolar electrode)を備えている。もう1つ別の配置では、電極は、電気絶縁空隙(electrical isolation void)によってお互いから電気的に絶縁されている第1及び第2電極を備えており、上記電極は無プラズマ及びプラズマ処理(both non−plasma and plasmaprocesses)において基板を静電的に保持するためのバイポーラ電極(bipolar electrode)として作動できる。バイポーラチャックは、チャック上の電極を適切な電圧源と電気的に接続する少なくとも2つのコネクタを有している。
【0010】
もう1つ別の態様においては、本発明は、第1及び第2電極を有するチャックを備えており、それらの間にある電気絶縁空隙がチャック上で保持されている基板を冷却する冷却材を保持する冷却溝としてして使えるように、それらはある大きさで作られかつ配置されている。
【0011】
本発明の上記及び他の特徴、態様、利点は以下の記述、付随する請求項、添付図面に関連してよりよく理解されるようになるだろう。
【0012】
本発明に従って静電チャック20の1つのバージョンの操作が図1aで示される例で説明される。静電チャック20はベース25を備えると共に、そこを貫通した穴30を有する。静電部材33は電極50をその中に有しており、ベース25によって支持されている。通常、静電部材33は電極50を取り囲んでいる
(i)下部絶縁層35a、(ii)上部絶縁層35b、及び(iii)上部で基板45を受容する上面40を有する絶縁体35を備えている。電圧源リードとして同じく知られた、電気リードを備える電気コネクタ55は、電極50と電気的に接続されている。電気リード60はベース25の穴を貫通して伸びて、電圧源端子70と電気的に合わせている電気接触子65で端末している。
【0013】
その使用中、静電チャック20は、電気的に接地された表面95を含むプロセスチャンバ80内にあるサポート75上で固定され、基板45のプラズマ処理の囲いを形成する。プロセスチャンバ80はプラズマ形成プロセスガスを導入するガス導入口82と、反応プラズマとガス生成物とをプロセスチャンバ80から排気する減圧排気フィーチャー(throttled exhaust)84とを通常は含む。プロセスチャンバ80内のサポート75は絶縁体フランジ77を有しており、それは接地面95からサポートを電気的に絶縁するためにサポート75と接地面95との間に配置されている。プラズマがチャック20の腐食について主要な原因であるとき、図1aに示されるプロセスチャンバ80の特殊な実施例は基板45のプラズマ処理に適している。しかしながら、本発明は、本発明の範囲を逸脱することなく他のプロセスチャンバや他の処理で使用され得る。
【0014】
チャック20がサポート75上に固定されるときには、チャック20の接触子65はサポート75上の電圧源端子と電気的に係合されている。第1電圧源85は、チャック20を作動させる、サポート75上の電圧源端子70に電圧を供給している。第1電圧源85は、10MΩの抵抗器を介在して、高電圧読みだし部と接続された、約1000から3000ボルトの直流高電圧源を備える回路を通常は含む。回路中の1MΩの抵抗器は回路に流れる電流を制限し、そして500pFのキャパシターは交流電流フィルターとして提供される。
【0015】
第2電圧源90はプロセスチャンバ80内のサポート75に接続されている。チャンバ80内でプラズマを形成するために、少なくともサポート75の一部分は通常導電性でありそして処理電極(process electrode)あるいは陰極として機能している。チャンバ80内の電気的に接地された表面95に対しサポート75を電気的にバイアスさせるために第2電圧源90が設けられ、チャンバ80内へ導入されるプロセスガスからプラズマを形成する。第2電圧源90は、プロセスチャンバ80のインピーダンスを絶縁キャパシタ(isolation capacitor)と直列の線間電圧のインピーダンスに整合させる高周波インピーダンスを一般的に備える。
【0016】
チャック20を作動させるために、プロセスチャンバ80は所定の大気圧未満の圧力で排気、維持される。基板45はチャック20上に配置されて、そして第1電圧源85によって、チャック20は基板45に対して電気的にバイアスがかけられる。その後、プロセスガスはガス導入口82を通ってチャンバ80内へ導入され、そして第2電圧源90を起動させることで、プラズマが形成される。電極50に印加された電圧によって、静電荷は電極50に蓄積するようになり、チャンバ80内のプラズマは、基板45に蓄積する極性とは反対のものを有する、電気的に帯電した種を提供する。蓄積された反対の静電荷は、結果として基板45とチャック20内の電極50との間に静電引力を生じ、基板45をチャック20に静電的に保持されるようにする。
【0017】
チャック20上に保持された基板45を冷却するために、冷却材源100が、絶縁体35の上面40にある冷却溝105に冷却材を供給するために用いることができる。チャック20上に保持される基板45は冷却溝105を覆い尽くし、密閉しており、冷却溝105から冷却材の漏出を減らす。冷却溝105中の冷却材は基板45からの熱を除去して、基板の処理中に一定の温度で基板45を維持する。通常、絶縁体35上の冷却溝105は、冷却溝105に保持された冷却材が基板45全体を実質上冷却できるように間隔を開けて配置され、ある大きさで作られ、そして分配されている。以下に述べるように、通常、溝105は交差するチャネルのパターンを形成し、上記チャネルは絶縁体35及び電極50の全体にわたって伸びている。
【0018】
チャック20の耐腐食性は無反応性マスキングガス、例えば不活性ガスを、絶縁体35の周縁部すなわち周辺部110上に導くことで更に強化される。なぜなら絶縁体周縁部110は基板45によって覆われていないので、それはチャンバ80内の腐食性ガスにさらされる。アルゴン若しくはヘリウムのような無反応性ガスを絶縁体周縁部110上に導くことは腐食性ガスにそれが触れるのを制限し、そして絶縁体35の腐食を減らす。好ましくは、マスキングガスは、ベース25と一体となっているマスキングガス組立品115を用いて絶縁体周縁部110上に導かれる。マスキングガス組立品115はチャック20のベース25の周りに周方向のコラー120を備えており、上記コラー120は絶縁体35の周縁部110から間隔を開けて置かれて絶縁体35の周縁部110の周りに狭い溝125を形成するようにしている。溝125にマスキングガスを維持することは、絶縁体周縁部110がチャンバ80における腐食性プロセスガスにさらされるのを減らし、それによって絶縁体周縁部110の腐食速度を減じ、そのことはチャック20の有益な寿命を増加させている。
【0019】
内部に2つの電極130を備えた静電部材33を有するバイポーラチャック20の作動が図1bに示される例で説明される。チャック20のバイポーラ電極に電力を供給する第1電圧源85は、幾つかの他の配置を有することができる。ある好ましい配置では、第1電圧源85は(i)第1直流電源87aを通常含む第1電気回路若しくは電圧源85aと、(ii)第2直流電源を87bを含む第2電気回路若しくは電圧源85bとを備える。第1及び第2電源87a,87bは、それぞれ、負及び正の電圧を第1電極130及び第2電極135に供給して、静電チャック20の導電性サポート75に対して負及び正の電位で電極130,135を保つようにする。電極130,135の反対の電位は、電極130,135内及びチャック20に保持される基板45内に反対の静電荷を、プロセスチャンバ80内でのプラズマを使用せずに誘起して、基板45がチャック20に静電的に保持されるようにする。バイポーラ電極の配置は、基板を電気的にバイアスさせるために帯電キャリアとして役立つ、帯電したプラズマ種が1つもない無プラズマプロセス(non−plasma processes)に対して有利である。
【0020】
従来技術のチャックより著しく有利な点を提供する、本発明のチャック20の幾つかの特徴が論じられる。1つの特徴は、コネクタ55、又は55a,55bの電気リード60、又は60a,60bの載置を、ベース25の端部でなくベース25の穴30を貫通して備える。電気コネクタ55,55a,及び55b並びにリード60,60a及び60bは実質上同一であって、よって繰り返しを避けるため、それぞれ、以下の記述は電気コネクタ55及び電気リード60について言及して、あらゆる上記コネクタ又はリードを意味するようにする。基板45がチャック20に保持されているとき、基板45はチャック20が備える電気コネクタ55を実質上完全に覆い、そしてプロセスチャンバ80内の腐食性プロセスガスと電気コネクタ55が露出するのを減じるから、コネクタ55のリード60を穴30を貫通して配置することは、チャック20の耐腐食性を実質上高める。このように減じられた露出は、電気コネクタ55の腐食に限界を設け、それによってチャック20の寿命を増す。
【0021】
本発明のもう1つ別の特徴は、図2で示される例によって明らかなように、電気リード60を有すると共にリード60の一体延長部(integral extension)である電気接触子65を備えた電気コネクタ55を備える。全ての電気コネクタ55は、すなわちリード60及び電気接触子65は、電極50の一体延長部を形成するのがより好ましい。”一体延長部”は電気リード60及び電気接触子65、又は電気コネクタ55及び電極50が単一の導電性部品から作製されるということを意味する。電気接触子65を電気リード60の一体延長部として、又は全ての電気コネクタ55を電極50の一体延長部として作製することは、複数の構成要素の接触子組立体の製作を除外し、チャック20の組立を簡単にする。
【0022】
複数電極又は2つの電極のチャックのバージョンについての幾つかの特徴はまた有利である。これらのバージョンにおいて、チャック20は複数の電極、通常は第1及び第2電極130,135を備えると共に、電極130,135を互いに電気的に絶縁する電気絶縁空隙52をそれらの間に有して、各電極が反対の静電的な極性で保持されるようにしている。1つの有利な配置において、電極130,135及びそれらの間にある電気絶縁空隙52は、電気絶縁空隙52がチャック20上の基板45を冷却する冷却材を保持するための冷却溝105として役立つように、ある大きさで作られ、配置される。冷却溝105は、絶縁空隙52の上にある絶縁体35の至る所を刻むことによって絶縁空隙52内に形成されて、冷却溝105が絶縁体35の至る所に広がり、すなわち、絶縁体は電極130,135の間に位置する冷却溝105を形成するために絶縁空隙52の中へ後退するようにする。これらの配置は電極130,135の間にある絶縁空隙52の利用を可能にし、上記電極を通って刻まれる付加的な冷却溝を必要とせずに冷却材を保持するようにしており、それによって電極130,135の有効面積と静電力とを最大にする。例えば、図3は内部電極リング130と外部電極リング135とを備える2重リング電極配置をそれらの間にある電気絶縁空隙52と共に示している。電極130,135間にある電気絶縁空隙52は冷却溝105を形成するために使用されて、電極面積の最大化をもたらす。好ましくは、電極130,135は同一平面上(coplanar)にありそして実質的にほとんど等しい面積を有して、上記電極は基板45上に等しい静電把持力を発生させる。
【0023】
好ましい配置では、電極130,135及びそれらの間にある絶縁空隙52は、チャック20に保持されている基板45の周囲235を冷却溝105の先端部107に収容されている冷却材が冷却できるような、大きさを持って形成かつ配置されている。少なくとも電気絶縁空隙52の一部は絶縁体35の周縁部110に位置される。例えば、図4に示される電極の配置では、冷却溝105から漏出せずに基板45の周辺部を冷却するように、絶縁体35の周縁部110に十分に接して配置されている環状の溝を備える電気絶縁空隙52を形成するように、電極130,135はある形状・大きさを持って作られている。図4では、第1電極135は3つの外部環状電極を備え、かつ第2電極130は単一の固い内側円形を備えている。基板45かチャック20に保持されているとき、基板45は電極130,135の上に横たわっている絶縁体35の一部分によって形成されるリッジ(ridges)を押しつけ、冷却溝105を密閉し、冷却材は冷却溝105から漏出しない。
【0024】
図5に示されるように、多重電極チャック20に関する他の好ましい配置は2つの半円電極130,135を備えており、それらは絶縁体35を横切って半径方向へ伸びている少なくとも1つの電気絶縁空隙52によって分離されている。半径方向へ伸びている絶縁空隙52は、絶縁体35の周縁部110の近くに伸びている冷却溝105を形成するために用いられる。絶縁体35の周縁部110の近くに伸びている溝の先端部107を有する、追加的に半径方向に伸びている冷却溝105をチャック20はまた含むことができる。冷却溝の先端部107は絶縁体35の周縁部110の近くに配置されて、周縁部110と共に、間隙109を画成している。冷却溝105の先端にある冷却材は基板45の周辺部235の温度を基板45の中央の温度と実質上等しくなるように維持し、そして基板45の周辺部235と中央部237間の平均温度差が約10℃未満であることが好ましい。冷却材は基板45の全体が一定の温度で実質上維持されていることが最も好ましい。
【0025】
さてチャック20の特殊な態様が論じられるだろう。
【0026】
チャック20のベース25は、ペディスタルとしてまた知られているが、静電部材33を支持するために提供され、そして基板45の形状及び大きさに対応して通常作られており、熱伝達を最大化したり、広い保持表面を提供したりするようにする。例えば、もし基板45が円板形状であるならば、直円柱形状のベース25が好ましい。通常、ベース25はアルミニウムからできでいて、そして直径約100mmから225mmまでの、かつ厚さ約1.5cmから2cmまでの円柱形状を有する。プレートの表面粗さが1ミクロン以下になるまで、従来の研磨技術を用いて平板の頂面及び底面は研磨されて、ベース25は均一にサポート75と基板45とに接触することができて、基板45とサポート75との間の効率的な熱伝達をもたらす。研磨後、プレートは研磨屑を取り除くため完全に清浄化される。
【0027】
図2に示されるように、ベース25は貫通穴30,又は30a,30bを有して、各穴はスロット101を有し、そして拡大した端ぐり部103がスロット101から広がっている。穴30,又は30a,30bは、そこを通って電気リード60又は60a,60b及び、一体電気接触子65又は65a,65bとを最小の間隙で若しくはほとんど間隙なく挿入するように、十分小さく作られる。好ましくは、コネクター55,又は55a,55bの電気リードが穴30,又は30a,30b内にあるとき、それらの穴からのガスの漏出がほとんどない位、穴30,又は30a,30bは十分に小さく作られて、適当な間隙が約5mm以下である。
【0028】
静電部材33は、内部に電極50又は電極130,135を有する絶縁体35を備える。絶縁体35は電気的絶縁性の高分子材料を、例えばポリイミド、ポリケトン、ポリエーテルケトン(polyetherketone)、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ナイロン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエーテルケトン(polyetherketones)、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、フルオロエチレンプロピレン共重合体、セルロース、トリアセテート、シリコーン、そしてゴムを通常備える。絶縁体35は50℃を超えた温度に耐性のあるのが好ましく、しかも温度100℃を超える温度に耐性があればより好ましくて、チャック20は高温処理に使用できるようになる。また、好ましくは、処理中に基板45で発生した熱がチャック20を通じて散逸可能となるように絶縁体35は高い熱伝導率を有して、適当な熱伝導率は少なくとも0.10W/m/Kである。絶縁体35は、その中に高い熱伝導率を持った、例えばダイヤモンド、アルミナ、ホウ酸ジルコニウム、窒化ホウ素、そして窒化アルミニウムの平均粒径約10μm以下の粉末状充填材を、内部でさらに分散させ得るようにして、熱伝導や耐腐食性を増加させる。好ましくは、絶縁体に対する充填材の体積比率は約10%から80%までで、20%から50%までがより典型的である。更に、チャック20が腐食性又は侵食性の処理環境で使用されるときには化学的退化から絶縁体35を保護するために、保護層(図示せず)が絶縁体35の上面40上に適用されることがある。
【0029】
絶縁体35は十分に大きく作られ、電極50又は電極130、135をその中で取り囲む。通常、絶縁体35は約1013Ωcmから1020Ωcmまでの範囲の抵抗率、また少なくとも約2の比誘電率、より好ましくは少なくとも約3比誘電率を有する。絶縁体35の全体の厚さは、絶縁体35を形成するために用いられる絶縁材料の電気抵抗率及び比誘電率に依存する。例えば、絶縁体35が約3.5の比誘電率を有しているとき、絶縁体35の厚さは通常約10μmから約500μmまでの厚さで、より好ましくは約100μmから約300μmまでの厚さである。ポリイミド絶縁材料は通常少なくとも約100volts/mil(3.9volts/micron)、そしてより典型的には少なくとも約1000volts/mil(39volts/micron)の絶縁破壊強さを有する。通常、図1bに示されるように、絶縁体35は、下部絶縁層35aと上部絶縁層35bとを備える2層の積層構造を備えていて、それらの間に電極が埋め込まれている。絶縁層35a,35bは、厚さ約50μmから約60μmまでの厚さと実質上等価な厚さを有するのが好ましい。
【0030】
単一のモノポーラ電極50及び多数のバイポーラ電極130,135は例えば銅、ニッケル、クロム、アルミニウム、鉄のような金属やそれらの合金のような導電性材料から作られる。電極50又は130,135の形状、大きさは基板45の形状、大きさに応じて変化する。例えば、図面に示すように、もし基板45が円板形状のものであるならば、電極は基板45と接触したまま電極面積を最大にするためにまた円板形状である。好ましくは、電極50又は130,135は絶縁体35の全ての面積を実質上覆い、電極の全面積は約50から約500cm2までが一般的であって、80から380cm2までがより一般的である。バイポーラ電極配置に関しては、2つの電極130,135の各面積はほとんど等しくそしてチャック20の上面の全面積の2分の1を通常備えている。したがって、各電極130,135の各面積は約50から約250cm2までが好ましく、しかも100から200cm2までであればより好ましい。
【0031】
通常、電極50の厚さは約1μmから100μmまでで、しかも約1μmから50μmまでがより一般的である。しかしながら、幾つかのバイポーラ配置では、より薄い電極を利用することは、絶縁体35の周縁部110に広がっている冷却溝105の先端部(tips)107を効率良く密閉するために都合がよい。一般に、電極の上にある絶縁体35の中央部分が隆起しているのに対して、絶縁体35の周縁部110はそれより低い。したがって、基板45がチャック20に保持されているとき、基板45は絶縁体周縁部110と効果的に接触せず、絶縁体周縁部110の冷却溝105を事実上密閉しない。絶縁体35中のより薄い電極は、絶縁体中央部分の高さを絶縁体35の周縁部110と比較して低くしており、それによって基板45を絶縁体35の周縁部110の冷却溝105とより効果的に接触、密閉させて、冷却材が溝105から漏れないようにする。例えば、2つの半導体電極を有するバイポーラチャック20では、図5に示されるように、冷却溝105は絶縁体35の周縁部110へ伸びている電気絶縁空隙52で形成される。冷却溝105の先端部(tips)107と絶縁体周縁部110との間隙109がより効果的に密閉されるのは、より薄い電極が絶縁体35で使用されるときである。したがって、電極の厚さは好ましくは約1μm未満で、0.5μm末満であればより好ましい。
【0032】
モノポーラ電極50及びバイポーラ電極130,135は相互連結されたフィーチャー(interconnected features)で連続的であったり、又はパターン形成されたりすることができて、チャック20上に保持される基板45を冷却する冷却材を保持するために上記フィーチャー間に冷却溝105が形成できるように上記フィーチャーはある大きさで作られる。例えば、図6aから図6cはパターン形成された電極を有するモノポーラチャックを示しており、複数の冷却溝105が上記電極フィーチャー(electrode features)間に存する。
【0033】
単一の電気コネクタ55はモノポーラ電極を第1電圧源85と電気的に接続するために用いられる。別々の電気コネクタはバイポーラ電極130,135の各々を第1電圧源85に電気的に別々に接続するために使用される。両方の電極に関して、電気コネクタはほとんど同一であるから、繰り返しを避けるために一度だけ記述されている。電気コネクタ55は、(i)ベース25にある穴を貫通して伸びた電気リード60と、(ii)電気接触子65とを備える。電気リード60は、銅又はアルミニウムのような導電性金属から作製することができ、電極50とろう付け又は溶接される。電気リード60は、電極50を電気接触子65と電気的に接続するのに十分に長くなっている。電気リード60の長さは約10mmから約50mmまでが一般的で、しかも約20から約40mmまでがより一般的である。電気リード60の幅は約2mmから約10mmまでが一般的で、そして約4mmから約7mmまでがより一般的である。
【0034】
図2は、両者が電極50の一体延長部である電気リード60及び電気接触子65を有した電気コネクタ55を示している。一体式電気コネクタ55は電気リード60上の、複数の構成要素電気接触子組立部品の製作、組立を除外する。一体延長部は、電気リード60、電極50、及び電気接触子65が、例えば導電性金属板のような単一の導電性部品から作製されるということを意味する。通常、図6b、6cに示されるように、連続した金属板は電極50及び電気コネクタ55を形成するために切り取られる。電気リード60と一体となった電気接触子65が形成されて、しかもサポート75上の電圧源端子70と直接電気的に係合するように十分に大きく作られ、そこを流れる高電圧アークを生じないようにする。好ましくは、電気接触子65の面積は少なくとも高電圧端子70の面積であって、しかもより好ましくは、高電圧端子70の面積と実質上等価である。電気接触子65の面積は少なくとも50mm2であるのが一般的で、しかも少なくとも100mm2であるのがより一般的であり、できれば約50から約400mm2までであって、しかもより好ましくは、約75から約150mm2までである。円板状又は長方形状の電気接触子65は、半径が約5mmから約12mmまでの範囲であると共に、十分な接触面積を提供する。
【0035】
次に、静電部材33を製作する方法が記述される。静電部材33は、内部にモノポーラ電極50又はバイポーラ電極130,135を有した絶縁体35を備えると共に、電極と一体となっている電気コネクタ50又は55a,55bを有した層として製作されるのが好ましい。上記層は絶縁層と導電層とを備える多層膜から、例えば、Rogers Corporation(アリゾナ州Chandler)から市販されている”R/FLEX 1100”膜のようなものであって、それは厚さ25から125μmまでのポリイミド絶縁層上に導電性の銅層を備えたものから作製される。多層膜の銅層はエッチング、経路設定(routed)、又は研磨されて、図6b及び6cに示されるように電極及び一体式電気コネクタを形成する。
【0036】
電極50又は130,135並びに一体式電気コネクター(integralelectrical connectors)50又は55a,55bを形成するのに適したエッチング処理は、(i)電極及び電気コネクターの形状に合わせて形作られた保護レジスト層を、多層膜の導電層にわたって形成するステップと、(ii)従来のエッチング処理を使用してレジストによって保護されている多層膜をエッチングするステップを備える。レジスト層はDuPont deNemours Chemical Co.(デラウェア州Wilmington)製の”RISTON”のようなフォトレジスト材料を使用して形成することができ、電極層に適用される。従来のフォトリソグラフィーの方法は、本明細書において参照文献で取り入れているStanley Wolf,Richard N.Tauber:VLSI時代のシリコン処理、第1巻:処理技術、12,13及び14章、Lattice Press(1986)に述べられているもののように、導電層上のレジスト層をパターン形成するために使用することができる。従来の湿式若しくは乾式の化学エッチング方法は多層膜をエッチングするのに使用される。適当な湿式化学エッチング方法は、電極層の未保護部分はエッチングされるまで、塩化第二鉄、過硫酸ナトリウム又は酸若しくは塩基のようなエッチャント中へ多層膜を浸すことを備える。適当な乾式のエッチング処理は、本明細書に参照文献として取り入れられている上記シリコン処理16章で述べられている。
【0037】
電極50又は130,135及び一体式電気コネクター55又は55a,55bを形成するために導電層をエッチングした後、第2絶縁膜が導電層の上にわたって接着されて、導電層は絶縁体35内へ埋め込まれて積層された静電部材33を形成する。適当な絶縁膜は、例えばDuPont de Nemours Chemical Co.(デラウェア州Wilmington)製の”KAPTON”、鐘淵化学工業(日本)製の”APIQUEO”、宇部興産(日本)製の”UPILEX”、日東電工(日本)製の”NITOMID”、そして三菱樹脂(日本)製の”SUPERIO FILM”を含む。
【0038】
電極50又は130,135の一体延長部(integral extension)である電気コネクタ55又は55a,55bを形成するために、静電部材33から電気コネクタ55a,55bを型打、打抜き、又は押出しすることにより、静電部材積層品(electrostatic member laminate)が切り取られる。電気コネクタの電気リード60又は60a,60b並びに電気接触子65又は65a,65bが、パターン形成された冷却溝105の1つの中に配置されるように、電気コネクタは切り取られるのが好ましい。電気コネクター55又は55a,55bを冷却溝105の一区分内に配置することによって、電極50又は130,135,一体式電気コネクター55a,55b、及び冷却溝105が単一のステップで製作できるようになる。電気コネクタを切り取った後、電気接触子65a又は65bを形成する、下層にある導電層を露出させるために絶縁層を剥ぎ取ることで、残りの絶縁体は取り除かれる。図7a及び7bに示されるように、絶縁された電気リード60と電気接触子65とが後にベース25の穴30を貫通し、電気接触子65はベース25の下に配置されるようになる。図7bのチャックが作製されるとき、電気リード60は図8に示されるように折り曲げられて、リードをチャック20が備えるベース25上の穴を通って伸ばすようにする。電気リード60を折り曲げることは、電気接触子65の露出した部分がベース25から離れて、サポート75上の電圧源端子の方へ導かれるには必要である。それから静電部材33は静電チャック20が備えたベース25と、例えばポリイミドのような従来の圧力又は温度感知接着剤を用いて接着されている。その後、電気接触子65a,65bは静電チャック20のベース25上の支持部品75に接着される。
【0039】
電圧源端子70a,70bはサポート75上のベース25とサポート75との間にある境界面に置かれる。図2示されているように、通常、各電圧源端子70又は70a,70bの各々は、サポート75を貫通した穴175に配置された、スプリング駆動の直円のピン部材170を含んでいる。ピン部材170は、好ましくは金メッキされた銅である導電性端子180内に終結している。高電圧リード185は第1電圧源85からピン部材170を介在して伸びて、導電性端子180と接触する。スプリングはピン部材170と接触してサポート75の穴175に配置され、ピン部材170を上方に付勢して電極50a,50bの電気的接触子65a,65bと接触させる。
【0040】
ベース25とサポート75との間の境界面は密閉され、ベース25の穴30を通るあらゆる冷却材が処理室80内へ漏れるのを防止するようにする。2つのシールリング190a,190bを備えるシール部材190は、ベース25とサポート75との間の境界面に配置されている。第1シールリング190aはベース25の下にあって、電気接触子65a,65b及びベース25の穴30a,30bの両方の周囲に配置されている。第2シールリング190bはサポート75の供給穴(supply bore)175の付近に、しかも電気的接触子65a,65bと整列させて配置されている。シールリング部品190は2つのOリングシールを備えているのが好ましい。
【0041】
本発明の特徴を有している静電チャック20はいくつかの都合のよいところを有する。まず第一に、電気コネクタ55又は55a,55bはプロセスチャンバ80内の腐食環境に対して、実質上耐腐食性であるが、なぜならコネクタはベース25を通っており、そしてそれによってチャック20に保持される基板45によって覆われ、保護されるからである。更に、電気接触子65又は65a,65bが電極50又は130,135の一体延長部であるとき、電気接触子50を形成する電気接触円板及び座金を備えた高電圧接触組立部品を組立てる必要がない。したがって、一体式電気接触子65又は65a,65bはチャック20の製作を容易にし、それ程費用がかからず、かつ実現可能なチャック20を提供する。
【0042】
他の有利な点が、チャック20に関して多電極の変形例によって提供される。まず第一に、電極130,135間の電気絶縁空隙52に冷却溝105を配置することによって、電極130,135によって生じる静電把持力を最大にすることが可能となり、そしてチャック20に保持される基板45の周囲を効果的に冷却するために、チャック20の周縁部に冷却溝105を配置することが可能となる。上記理由のため、本発明のチャック20は従来のチャックに優る、著しい進歩である。
【0043】
本発明はいくつかの好ましいバージョンを参照してかなり詳細に述べられたが、多くの他のバージョンは当業者にとっては自明である。したがって、追加される請求項の趣旨と範囲は本明細書に含まれる好ましいバージョンに限定されない。
【図面の簡単な説明】
【図1a】単一の電極を有する静電チャックの作動を示すプロセスチャンバの概略側断面図である。
【図1b】バイポーラ静電チャックの作動を示すプロセスチャンバの概略側断面図である。
【図2】プロセスチャンバ内のサポート上にある、本発明の静電チャックの変形例の部分側断面図であって、電極と一体となり、サポート上の電圧源端子と直接電気的に合わさっている電気接触子を有する電気コネクタを示している。
【図3】電極間に冷却溝をもった2重リング電極配置を有する静電チャックの上面図である。
【図4】静電チャックの周縁部で、電極間に冷却溝を備えた多重リング電極配置を有している静電チャックの別の変形例の上面図である。
【図5】電極間に半径方向の冷却溝を備えた2つの半円の電極を有する静電チャックの別の変形例の上面図である。
【図6a】電極と一体となった電気リードを有する静電チャックの上面図であって、電気リードが冷却溝間の電極の一部から切り取られている。
【図6b】部分的に作製された静電チャックの上面図であって、電極と一体となり、冷却溝に配置された電気コネクタを示している。
【図6c】部分的に作製された図6bの静電チャックの別の変形例の上面図である。
【図7a】図2aの静電チャックの底面図であって、ベースの下の電気コネクタ上の電気接触子を示している。
【図7b】図6cの静電チャックの底面図であって、電気コネクタのために使用される電気接触子の配向を示している。
【図8】図7bの静電チャックの、部分側断面概略図であって、折り曲げられそしてチャックのベースを貫通して伸張した電気リードを示している。
【符号の説明】
20・・・静電チャック、25・・・ベース、30,30a,30b・・・貫通穴、33・・・静電部材、35・・・絶縁層、35a・・・下部絶縁層、35b・・・上部絶縁層、40・・・上面、45・・・基板、50・・・電極、52・・・電気絶縁空隙、55,55a,55b・・・電気コネクタ、60,60a,60b・・・電気リード、65,65a,65b・・・電気接触子、70,70a,70b・・・電圧源端子、75・・・サポート、77・・・絶縁体フランジ、80・・・プロセスチャンバ、82・・・ガス導入口、84・・・減圧排気フィーチャー、85・・・第1電圧源、85a・・・第1電気回路、85b・・・第2電気回路、87a,87b・・・高圧直流電源、90・・・第2電圧源、95・・・接地面、100・・・冷却材源、101・・・スロット部、103・・・端ぐり部、105・・・冷却溝、107・・・先端部、110・・・周縁部、115・・・マスキングガス組立品、120・・・コラー、125・・・溝、130・・・第1電極、135・・・第2電極、170・・・ピン部材、175供給穴、180・・・導電性端子、185,185a,185b・・・高電圧リード、190a,190b・・・シールリング、235・・・周辺部、237・・・中央部。
Claims (8)
- 静電チャックを帯電させるために電圧源端子を有するプロセスチャンバ内で基板を保持する、パターン形成された冷却溝を備えた静電チャックであって、
(a)ベースと、
(b)前記ベース上の静電部材であって、前記基板を支持する上面を有し、前記パターン形成された冷却溝を持つ前記静電部材と、
を備え、
前記静電部材は、
絶縁体内で電極部とコネクタ部とを有する単一の導電性部品を備え、前記電極部は前記上面付近で前記絶縁体に覆われ、前記コネクタ部は、(i)前記ベースを貫通して伸びている電気リード、(ii)前記電圧源端子と直接接触される電気接触子を有し、前記冷却溝のパターン形成において、パターン形成される前記冷却溝の一区分内に配置される前記絶縁体及び前記導電性部品を部分的に切り取ることにより作製されることを特徴とする、静電チャック。 - 前記コネクタ部は以下の特徴、すなわち、
(a)前記電気接触子は、前記電圧源端子の面積と同じ接触面積を有すること、
(b)前記電気接触子は少なくとも50mm2の接触面積を有すること、
(c)前記電気接触子は前記ベースの下方に配置されること、
(d)前記電気接触子は前記電気リードの一端に形成されること、
のうち少なくとも1つを有する、請求項1記載の静電チャック。 - 前記コネクタ部の前記電気接触子の周りに全周にわたって配置されたOリングを備えるシールリングを更に備える請求項1記載の静電チャック。
- サポートを、前記サポート上の電圧源端子と共に有し、プロセスチャンバ内で基板を保持する方法であって、
(a)ベース上に静電部材を備える静電チャックを選択するステップであって、前記静電部材は、上部に基板を支持する為の上面を有し、パターン形成された冷却溝を備え、
前記静電部材は、絶縁体内で電極部およびコネクタ部を有する単一の導電性部品を備え、
前記電極部は前記上面付近で前記絶縁体に覆われ、
前記コネクタ部は、
(i)前記ベースを貫通して伸びている電気リード、
(ii)前記電圧源端子と直接接触される電気接触子を有し、
前記冷却溝のパターン形成において、パターン形成される前記冷却溝の一区分内に配置される前記絶縁体及び前記導電性部品を部分的に切り取ることにより作製されることを特徴とする、前記ステップと、
(b)前記コネクタ部の前記電気接触子が前記サポート上の電圧源端子と直接接触して電気的に接続するように、前記プロセスチャンバ内の前記サポート上に前記静電チャックを配置するステップと、
(c)基板を前記静電チャック上に静電的に保持するステップと、
を備える、前記方法。 - 基板を支持する為の上面を有し、パターン形成された冷却溝を備え、耐腐食性電気コネクタ部を有する静電チャック形成方法であって、
(a)貰通した穴を有するベースを形成するステップと、
(b)パターン形成された冷却溝、絶縁体内で電極部及びコネクタ部を有する単一の導電性部品を形成するステップであって、前記コネクタ部は、(i)電気リード、(ii)電気接触子を備える、前記ステップと、
(c)絶縁された前記電極部を前記ベース上に配置して、前記コネクタ部の前記電気接触子が前記ベースの下方に露出されるように、前記ベースの穴を貫通して前記コネクタ部の前記電気リードを伸ばすステップと、
を備え、
前記ステップ(b)は、前記コネクタ部が、電圧源端子と直接電気的に接続する大きさになるように、パターン形成される前記冷却溝の一区分内に配置される前記絶縁体及び前記導電性部品を切り取る工程を更に含むことを特徴とする、静電チャックを形成する方法。 - 耐腐食性電気コネクタ部を有する冷却溝を備えた静電チャックを形成する方法であって、
(a)前記冷却溝まで貫通した穴を有するベースを準備するステップと、
(b)パターン形成された冷却溝と、絶縁体内で電極部とコネクタ部とを有する単一の導電性部品を形成するステップであって、前記コネクタ部が、(i)電気リード、(ii)電気接触子を備える、前記ステップと、
(c)絶縁された前記電極部を前記ベース上に配置して、前記コネクタ部の前記電気接触子が前記ベースの下方に露出されるように、前記ベースの穴を貫通して前記コネクタ部の前記電気リードを伸ばすステップと、
を備え、
前記ステップ(b)は、前記コネクタ部が、電圧源端子と直接電気的に接続する大きさになるように、前記冷却溝中に配置される前記絶縁体及び前記導電性部品を部分的に切り取る工程を含むことを特徴とする、静電チャックを形成する方法。 - 請求項5又は6に従う静電チャックを形成する方法において、
前記絶縁体内の前記導電性部品は、二つの絶縁層で挟まれた導電層を備える積層絶縁層で構成され、前記ステップ(b)は、
(1)前記積層絶縁層を形成する工程と、
(2)前記電極部と前記コネクタ部を形成するために前記積層絶縁層の一部を切り取る工程と、
(3)前記導電層を露出させるために絶縁層の一部を取り除くことによって、前記導電性部品から前記コネクタ部を形成して、それによってコネクタ部の電気接触子を形成する工程と、
を備える、静電チャックを形成する方法。 - 請求項7の静電チャックを形成する方法において、
前記電極部と前記コネクタ部を形成するために前記積層絶縁層の一部を切り取る前記工程は、前記積層絶縁層における前記冷却溝の形成を備えており、前記コネクタ部は、形成される前記冷却溝内に配置されるように形成される、静電チャックを形成する方法。
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