JP3832240B2 - 液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低消費電力化を図った液晶表示装置、駆動回路、駆動方法および電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置は、陰極線管（ＣＲＴ）に代わるディスプレイデバイスとして、各種情報処理機器や壁掛けテレビなどの電子機器に広く用いられている。このような液晶表示装置は、駆動方式等に様々な型に分類することができるが、画素をスイッチング素子により駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装置は、次のような構成となっている。すなわち、アクティブマトリクス型液晶表示装置は、マトリクス状に配列した画素電極や、この画素電極に接続されたスイッチング素子などが設けられた素子基板と、画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板と、これら両基板との間に挟持された液晶とから構成されている。
【０００３】
このような構成において、走査線をオン電位にすると、当該走査線に接続されたスイッチング素子が導通状態となる。この導通状態の際に、データ線を介して画素電極に対し階調（濃度）に応じた電圧信号を印加すると、当該画素電極および対向電極の間に液晶を挟持してなる液晶容量に、当該電圧信号に応じた電荷が蓄積される。そして、電荷蓄積後、走査線をオフ電位にして、スイッチング素子をオフ状態にしても、当該液晶容量における電荷の蓄積は、液晶容量自身の容量性や、これに併設される蓄積容量などによって維持される。このように、各スイッチング素子を駆動させ、蓄積させる電荷量を階調に応じて制御すると、液晶の配向状態が変化するので、画素毎に濃度が変化することになって、階調表示が可能となる。
【０００４】
ところで、液晶表示装置には、適用される電子機器の特性・特長・用途等から、低消費電力が強く求められている。一方、液晶容量を駆動するには、通常、１０ボルト以上の高い電圧振幅が必要であるため、データ線に印加される電圧信号も同程度の電圧振幅が必要となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、液晶表示装置のうち、最も高い周波数で駆動されるのは、データ線であり、このようなデータ線に、振幅の大きな電圧信号を高い周波数で供給する構成では、消費電力が大きくなるので、低消費電力化とは逆行することになる。
【０００６】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、データ線に印加する電圧信号の電圧振幅を小さく抑えることによって低消費電力化を図った液晶表示装置、駆動回路、駆動方法および電子機器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示装置の駆動方法は、上記課題を解決するために、所定の間隔毎にオン電位になる複数の走査線と、対向電極と画素電極とにより液晶を挟持してなる液晶容量と、前記走査線がオン電位である場合に、前記対向電極の電位に対して階調表示に応じ、かつ、前記液晶容量への書込極性に対応した電位になる複数のデータ線と、前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、所定の第１電位に維持される低位容量線と、前記第１電位よりも高い第２電位に維持される高位容量線と、一端が前記画素電極に接続される蓄積容量と、前記低位容量線または前記高位容量線のいずれかを、選択信号線の電位に応じて択一的に選択して、前記蓄積容量の他端に印加するセレクタと、を具備し、前記蓄積容量の他端は、前記走査線がオン電位であった期間における前記データ線の電位が正極性書込に対応するものであったならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後に、前記低位容量線に接続された状態から前記高位容量線に接続された状態となり、前記走査線がオン電位であった期間における前記データ線の電位が負極性書込に対応するものであったならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後に、前記高位容量線に接続された状態から前記低位容量線に接続された状態となることを特徴とする。
また、本発明は、上記の液晶表示装置の駆動方法であって、前記液晶容量に対する前記蓄積容量の容量比率は、４以上であることを特徴とする。
また、本発明は、上記の液晶表示装置の駆動方法であって、前記セレクタは、前記低位容量線または前記高位容量線のいずれか一方と前記蓄積容量の他端との間に介挿されて、前記選択信号線の電位が高位側電位であればオンする第２のスイッチング素子と、前記低位容量線または前記高位容量線のいずれか他方と前記蓄積容量の他端との間に介挿されて、前記選択信号線の電位が低位側の電位であればオンする第３のスイッチング素子とからなることを特徴とする。
また、本発明は、上記の液晶表示装置の駆動方法であって、前記セレクタは、前記走査線の延在する方向に相隣接するもの同士で前記低電位容量線と前記高電位容量線のいずれかの互いに異なる線を選択することを特徴とする。
また、本発明は、上記の液晶表示装置の駆動方法であって、前記セレクタは、前記走査線の延在する方向に相隣接するもの同士で前記低電位容量線と前記高電位容量線のいずれかの互いに異なる線を選択するとともに、前記データ線の延在する方向に相隣接するもの同士でも前記低電位容量線と前記高電位容量線のいずれかの互いに異なる線を選択することを特徴とする。
本発明の液晶表示装置の駆動方法は、上記課題を解決するために、所定の間隔毎にオン電位になる複数の走査線と、対向電極と画素電極とにより液晶を挟持してなる液晶容量と、前記走査線がオン電位である場合に、前記対向電極の電位に対して階調表示に応じ、かつ、前記液晶容量への書込極性に対応した電位になる複数のデータ線と、前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、一端が前記画素電極に接続される蓄積容量と、を具備し、前記蓄積容量の他端に接続するために行毎設けられる容量線は、第１容量線と、第２容量線を含み、前記走査線がオフ電位に遷移した後における前記蓄積容量の他端の電位を、前記走査線がオン電位であった期間における前記データ線の電位が正極性書込に対応するものであったならば、高位側にシフトさせ、前記走査線がオン電位であった期間における前記データ線の電位が負極性書込に対応するものであったならば、低位側にシフトさせ、前記第１及び第２容量線の電位がシフトする方向は互いに異なることを特徴とする。
本発明の液晶表示装置の駆動方法は、上記課題を解決するために、走査線とデータ線との交差に対応して設けられる画素電極と、対向電極と前記画素電極とにより液晶を挟持してなる液晶容量と、前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、一端が前記画素電極に接続された蓄積容量とを備え、前記走査線を所定の間隔毎にオン電位にし、前記走査線をオン電位にする期間における前記データ線の電位を、前記対向電極の電位に対して階調表示に応じ、かつ、前記液晶容量への書込極性に対応した電位にし、前記走査線をオン電位にする期間における前記データ線の電位を、正極書込に対応させるならば、前記走査線をオフ電位に遷移させた後に、前記蓄積容量における他端の電位を高位側にシフトさせる一方、前記走査線をオン電位にする期間における前記データ線の電位を負極性書込に対応させるならば、前記走査線をオフ電位に遷移させた後に、前記蓄積容量における他端の電位を低位側にシフトさせ、相隣接する画素における前記蓄積容量における他端の電位がシフトする方向は、互いに異なることを特徴とする。
上記目的を達成するために、本件第１発明に係る液晶表示装置にあっては、所定の間隔毎にオン電位になる複数の走査線と、対向電極と画素電極とにより液晶を挟持してなる液晶容量と、前記走査線がオン電位である場合に、前記対向電極の電位に対して階調表示に応じ、かつ、前記液晶容量への書込極性に対応した電位になる複数のデータ線と、前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、一端が前記画素電極に接続される一方、他端の電位が、前記走査線がオン電位であった期間における前記データ線の電位が正極性書込に対応するものであったならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後に、高位側にシフトし、前記走査線がオン電位であった期間における前記データ線の電位が負極性書込に対応するものであったならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後に、低位側にシフトする蓄積容量とを具備する構成を特徴としている。
【０００８】
この構成によれば、走査線がオン電位になると、当該走査線に接続された第１のスイッチング素子がオンする結果、液晶容量および蓄積電極には、データ線の電位に応じた電荷が蓄積される。この後、第１のスイッチング素子がオフすると、蓄積容量における他端の電位がシフトするので、その分、蓄積容量における一端の電位が持ち上げられる（または持ち下げられる）。と同時に、持ち上げられた（または持ち下げられた）分の電荷が、液晶容量に分配されるので、液晶容量には、データ線の電位以上に対応する電圧実効値が印加されることになる。換言すれば、最終的に画素電極に印加される電圧振幅に比べて、データ線に印加する電圧信号の電圧振幅が小さく抑えられる。したがって、データ線を低電圧で駆動して、低消費電力化を図ることが可能となる。
【０００９】
ここで、第１発明において、液晶容量に対して蓄積容量が十分に大きいのであれば、蓄積容量における他端の電位シフト分がそのまま液晶容量に印加されるとみなすことができる。ただし、実際には、蓄積容量を液晶容量よりも数倍程度とするのが限界であるので、蓄積容量における他端の電位シフト分が圧縮されて、液晶容量に印加されることになるが、前記液晶容量に対する前記蓄積容量の容量比率は、４以上であれば、電圧振幅の減少分も約２０％弱と少なく、レイアウト的にも現実的である。
【００１０】
また、第１発明において、前記蓄積容量の他端は、容量線を介して行毎に共通接続される構成が好ましい。ただし、この構成では、液晶容量を、走査線毎の反転（行反転）、または、垂直走査期間毎の反転（フレーム反転）しかできないので、容量線を分割して、隣接する分割した容量線の夫々の、前記走査線がオフ電位に遷移した後の電位のシフトを互いに異なる方向とする構成が好ましい。この構成によれば、容量線の分割部分を境に、液晶容量の書込極性が反転した状態になるので、対向電極への突入電流は、走査線毎の反転等と比較して減少するので、より低消費電力化が可能になる。
【００１１】
一方、第１の発明において、所定の第１電位に維持される低位容量線と、前記第１電位よりも高い第２電位に維持される高位容量線と、前記低位容量線または前記高位容量線のいずれかを、選択信号線の電位に応じて択一的に選択して、前記蓄積容量の他端に印加するセレクタとを備える構成が好ましい。この構成によれば、画素毎に書込極性を選択することが可能となる。
【００１２】
この構成において、セレクタとしては、前記低位容量線または前記高位容量線のいずれか一方と前記蓄積容量の他端との間に介挿されて、前記選択信号線の電位が高位側電位であればオンする第２のスイッチング素子と、前記低位容量線または前記高位容量線のいずれか他方と前記蓄積容量の他端との間に介挿されて、前記選択信号線の電位が低位側の電位であればオンする第３のスイッチング素子とからなる態様が考えられる。この態様によれば、第１、第２および第３のスイッチング素子を、共通プロセスで形成することができるので、低消費電力化のほか、小型化や集積化等を図る場合に有利になる。
【００１３】
また、セレクタを備える構成においては、前記セレクタは、前記走査線の延在する方向に相隣接するもの同士で前記低電位容量線と前記高電位容量線のいずれかの互いに異なる線を選択することが望ましい。この構成により、液晶容量を、データ線毎に反転（列反転）することができるので、高画質化を図ることが可能になる。
【００１４】
さらに、セレクタを備える構成においては、前記セレクタは、前記走査線の延在する方向に相隣接するもの同士で前記低電位容量線と前記高電位容量線のいずれかの互いに異なる線を選択するとともに、前記データ線の延在する方向に相隣接するもの同士でも前記低電位容量線と前記高電位容量線のいずれかの互いに異なる線を選択する構成が最も望ましい。この構成により、液晶容量を、画素毎に反転することが出来るので、低消費電力化とともに高画質化を図ることが可能になる。
【００１５】
また、本発明における電子機器は、上記液晶表示装置を備えるので、低消費電力化を図ることが可能になる。なお、このような電子機器としては、画像を拡大投射するプロジェクタや、直視型、例えば、パーソナルコンピュータや携帯電話等の表示部などが挙げられる。
【００１６】
なお、上記第１発明は、液晶表示装置の駆動回路としても実現することが出来る。すなわち、本件第２発明に係る液晶表示装置の駆動回路にあっては、走査線とデータ線との交差に対応して設けられる画素電極と、対向電極と前記画素電極とにより液晶を挟持してなる液晶容量と、前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、一端が前記画素電極に接続された蓄積容量とを備える液晶表示装置を駆動するに際し、前記走査線を所定の間隔毎にオン電位にする走査線駆動回路と、前記走査線駆動回路によって、前記走査線がオン電位にする期間に、前記データ線の電位を、前記対向電極の電位に対して階調表示に応じ、かつ、前記液晶容量への書込極性に対応した電位にするデータ線駆動回路と、前記走査線をオン電位でする期間における前記データ線の電位が正極性書込に対応させるならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後に、前記蓄積容量における他端の電位を高位側にシフトさせる一方、前記走査線をオン電位にする期間における前記データ線の電位が負極性書込に対応させるならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後に、前記蓄積容量における他端の電位を低位側にシフトさせる蓄積容量駆動回路とを具備する構成を特徴としている。この構成によれば、上記第１発明と同様に、最終的に画素電極に印加される電圧振幅に比べて、データ線に印加する電圧信号の電圧振幅を小さく抑えることができるので、低消費電力化を図ることが可能になる。
【００１７】
さらに、上記第１発明は、液晶表装置の駆動方法としても実現することができる。すなわち、本件第３発明に係る液晶表示装置の駆動方法にあっては、走査線とデータ線との交差に対応して設けられる画素電極と、対向電極と前記画素電極とにより液晶を挟持してなる液晶容量と、前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、一端が前記画素電極に接続された蓄積容量とを備える液晶表示装置を駆動するに際し、前記走査線を所定の間隔毎にオン電位にし、前記走査線をオン電位にする期間における前記データ線の電位を、前記対向電極の電位に対して階調表示に応じ、かつ、前記液晶容量への書込極性に対応した電位にし、前記走査線をオン電位にする期間における前記データ線の電位を、正極書込に対応させるならば、前記走査線をオフ電位に遷移させた後に、前記蓄積容量における他端の電位を高位側にシフトさせる一方、前記走査線をオン電位にする期間における前記データ線の電位を負極性書込に対応させるならば、前記走査線をオフ電位に遷移させた後に、前記蓄積容量における他端の電位を低位側にシフトさせる方法を特徴としている。この方法によれば、上記第１および第２発明と同様に、最終的に画素電極に印加される電圧振幅に比べて、データ線に印加する電圧信号の電圧振幅を小さく抑えることができるので、低消費電力化を図ることが可能になる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１９】
＜１：第１実施形態＞
はじめに、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置について説明する。図１（ａ）は、この液晶表示装置の構成を示す斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ’線の断面図である。
これらの図に示されるように、液晶表示装置１００は、各種素子や画素電極１１８等が形成された素子基板１０１と、対向電極１０８等が形成された対向基板１０２とが、スペーサ１０３を含むシール材１０４によって一定の間隙を保って、互いに電極形成面が対向するように貼り合わせられるとともに、この間隙に例えばＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶１０５が封入された構成となっている。
【００２０】
なお、素子基板１０１には、本実施形態では、ガラスや、半導体、石英などが用いられるが、不透明な基板を用いても良い。ただし、素子基板１０１に、不透明な基板を用いる場合には、透過型ではなく反射型として用いる必要がある。また、シール材１０４は、対向基板１０２の周辺に沿って形成されるが、液晶１０５を封入するために一部が開口している。このため、液晶１０５の封入後に、その開口部分が封止材１０６によって封止されている。
【００２１】
次に、素子基板１０１の対向面であって、シール材１０４の外側一辺に位置する領域１５０ａには、データ線を駆動するための回路（詳細については後述する）が形成されている。さらに、この一辺の外周部分には、複数の実装端子１０７が形成されて、外部回路から各種信号を入力する構成となっている。
【００２２】
また、この一辺に隣接する２辺に位置する領域１３０ａには、それぞれ走査線や容量線などを駆動するため回路（詳細については後述する）が形成されて、行（Ｘ）方向の両側から駆動する構成となっている。また、残りの一辺には、２個の領域１３０ａに形成される回路において共用される配線（図示省略）などが設けられる。なお、行方向に供給される信号の遅延が問題にならないのであれば、これらの信号を出力する回路を片側１個の領域１３０ａのみに形成する構成でも良い。
【００２３】
一方、対向基板１０２に設けられる対向電極１０８は、素子基板１０１との貼合部分における４隅のうち、少なくとも１箇所に設けられた銀ペースト等などの導通材によって、素子基板１０１に形成された実装端子１０７と電気的に接続されて、時間的に一定の電位ＬＣcomに維持される構成となっている。
ほかに、対向基板１０２には、特に図示はしないが、画素電極１１８と対向する領域に、必要に応じて着色層（カラーフィルタ）が設けられる。ただし、後述するプロジェクタのように色光変調の用途に適用する場合、対向基板１０２に着色層を形成する必要はない。また、着色層を設けると否かとにかかわらず、光のリークによるコントラスト比の低下を防止するために、画素電極１１８と対向する領域以外の部分には遮光膜が設けられている（図示省略）。
【００２４】
また、素子基板１０１および対向基板１０２の各対向面には、液晶１０５における分子の長軸方向が両基板間で約９０度連続的に捻れるようにラビング処理された配向膜が設けられる一方、その各背面側には配向方向に沿った方向に吸収軸が設定された偏光子がそれぞれ設けられる。これにより、液晶容量（画素電極１１８と対向電極１０８との間において液晶１０５を挟持してなる容量）に印加される電圧実効値がゼロであれば、透過率が最大になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて、透過率が徐々に減少して、ついには透過率が最小になる構成となっている。すなわち、本実施形態では、ノーマリーホワイトモードの構成となっている。
【００２５】
なお、配向膜や偏光子などについては、本件とは直接関係しないので、その図示については省略することにする。また、図１（ｂ）において、対向電極１０８や、画素電極１１８、実装端子１０７などには厚みを持たせているが、これは、位置関係を示すための便宜的な措置であり、実際には、基板の厚みに対して視認できないほどに薄い。
【００２６】
＜１−１：電気的な構成＞
次に、本実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成について説明する。図２は、この電気的な構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、走査線１１２および容量線１１３が、それぞれＸ（行）方向に延在して形成される一方、データ線１１４が、Ｙ（列）方向に延在して形成されて、これらの交差に対応して画素１２０が形成されている。ここで、説明の便宜上、走査線１１２（容量線１１３）の本数を「ｍ」とし、データ線１１４の本数を「ｎ」とすると、画素１２０は、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配列することになる。また、本実施形態では、図面の記載上、ｍ、ｎを偶数とするが、これに限定する趣旨ではない。
【００２７】
ここで、１つの画素１２０について着目すると、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下「ＴＦＴ」と称呼する）１１６のゲートが走査線１１２に接続され、そのソースがデータ線１１４に接続され、さらに、そのドレインが画素電極１１８および蓄積容量１１９の一端に接続されている。上述したように画素電極１１８は、対向電極１０８に対向し、さらに、両電極間に液晶１０５が挟持されて、液晶容量が構成されている。すなわち、液晶容量は、一端を画素電極１１８とし、他端を対向電極１０８として、液晶１０５を挟持した構成となっている。
この構成において、走査線１１２に供給される走査信号がオン電位たるＨレベルになると、ＴＦＴ１１６がオンして、データ線１１４の電位に応じた電荷が液晶容量および蓄積容量１１９に書き込まれることになる。なお、蓄積容量１１９の他端は、本実施形態では、容量線１１３に１行毎に共通接続されている。
【００２８】
さて、Ｙ側について直目すると、シフトレジスタ１３０（走査線駆動回路）は、図３に示されるように、１垂直走査期間（１Ｆ）の最初に供給される転送開始パルスＤＹを、クロック信号ＣＬＹの立ち上がり及び立ち下がりで順番にシフトして、走査信号Ｙｓ１、Ｙｓ２、Ｙｓ３、…、Ｙｓｍを、それぞれ１行目、２行目、３行目、…、ｍ行目の走査線１１２に供給するものである。ここで、走査信号Ｙｓ１、Ｙｓ２、Ｙｓ３、…、Ｙｓｍは、図３に示されるように、互いに重複しないように、１水平走査期間（１Ｈ）毎にアクティブレベル（Ｈレベル）になる。
【００２９】
次に、本実施形態では、フリップフロップ１３２およびセレクタ１３４（蓄積容量駆動回路）が行毎に設けられている。ここで一般的に、ｉ（ｉは、１≦ｉ≦ｍを満たす整数）行目に対応するフリップフロップ１３２のクロックパルス入力端Ｃｐには、ｉ行目に対応する走査信号Ｙｓｉの反転信号が供給され、また、そのデータ入力端Ｄには、１垂直走査期間（１Ｆ）毎に論理レベルが反転する信号ＦＲ（図３参照）が供給されている。このため、ｉ行目のフリップフロップ１３２は、走査信号Ｙｓｉの立ち下がりにおいて、信号ＦＲをラッチして、選択制御信号Ｃｓｉとして出力することになる。
【００３０】
続いて、一般的にｉ行目のセレクタ１３４は、選択制御信号Ｃｓｉの論理レベルがＨレベルであれば入力端Ａを選択する一方、Ｌレベルであれば入力端Ｂを選択し、容量スイング信号Ｙｃｉとしてｉ行目の容量線１１３に供給するものである。
ここで、奇数行目のセレクタ１３４における入力端Ａの電位は、高位側の容量電位Ｖst(+)であり、その入力端Ｂの電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)である。一方、偶数行目のセレクタ１３４における入力端Ａの電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)であり、その入力端Ｂの電位は、高位側の容量電位Ｖst(+)である。
すなわち、奇数行のセレクタ１３４と、偶数行のセレクタ１３４とでは、入力端Ａ、Ｂの容量電位が、互いに入れ替えられた関係となっている。
【００３１】
一方、Ｘ側に着目すると、シフトレジスタ１５０は、図４に示されるように、転送開始パルスＤＸを、クロック信号ＣＬＸの立ち上がり及び立ち下がりで順番にシフトして、互いに排他的にアクティブレベル（Ｈレベル）となるサンプリング制御信号Ｘｓ１、Ｘｓ２、…、Ｘｓｎを、それぞれ出力するものである。ここで、サンプリング制御信号Ｘｓ１、Ｘｓ２、…、Ｘｓｎは、互いに重複しないように、順次アクティブレベル（Ｈレベル）になる。
【００３２】
さて、シフトレジスタ１５０の出力側には、第１のサンプリングスイッチ１５２、第１のラッチ回路１５４、第２のサンプリングスイッチ１５６、第２のラッチ回路１５８およびＤ／Ａ変換器１６０が、それぞれデータ線１１４の１列毎に設けられる。
このうち、一般的にｊ（ｊは、１≦ｊ≦ｎを満たす整数）列目に対応する第１のサンプリングスイッチ１５２は、サンプリング制御信号Ｘｓｊがアクティブレベルになるとオンして、階調データＤａｔａをサンプリングするものである。
【００３３】
ここで、階調データＤａｔａは、画素１２０の階調（濃度）を指示する４ビットのディジタルデータである。このため、本実施形態に係る液晶表示装置にあって、画素１２０は、４ビットの階調データＤａｔａにしたがって１６（＝２4）階調の表示を行うことになる。なお、階調データＤａｔａは、実装端子１０７（図１参照）を介して、図示せぬ外部回路から所定のタイミングで供給される構成となっている。
【００３４】
続いて、ｊ列目に対応する第１のラッチ回路１５４は、同じくｊ列目に対応する第１のサンプリングスイッチ１５２によってサンプリングされた階調データＤａｔａをラッチするものである。
次に、ｊ列目に対応する第２のサンプリングスイッチ１５６は、同じくｊ列目に対応する第１のラッチ回路１５４によってラッチされた階調データＤａｔａを、ラッチパルスＬＰがアクティブレベル（Ｈレベル）になったときに、サンプリングするものである。
さらに、ｊ列目に対応する第２のラッチ回路１５８は、同じくｊ列目に対応する第２のサンプリングスイッチ１５６によってサンプリングされた階調データＤａｔａをラッチするものである。
【００３５】
そして、ｊ列目のＤ／Ａ変換器１６０は、同じくｊ列目に対応する第２のラッチ回路１５８によってラッチされた階調データＤａｔａを、信号ＰＳの論理レベルに対応する極性側のアナログ信号に変換して、データ信号Ｓｊとして出力するものである。
ここで、信号ＰＳは、その論理レベルがＨレベルである場合に、画素１２０への正極性書込を指示する一方、その論理レベルがＬレベルである場合に、画素１２０への負極性書込を指示する信号であって、本実施形態では、図３または図４に示されるように１水平走査期間（１Ｈ）毎に論理レベルが反転する。さらに、信号ＰＳの論理レベルは、同一の水平走査期間についてみた場合、１垂直走査期間毎でも反転する（図３の括弧書参照）。すなわち、本実施形態では、走査線１１２毎に極性反転（行反転）が行われる構成となっている。
【００３６】
なお、本実施形態において、画素１２０または液晶容量における極性反転とは、液晶容量の他端たる対向電極１０８の電位を基準として、その電圧レベルを交流反転させることをいう。
また、図２において、シフトレジスタ１３０、フリップフロップ１３２およびセレクタ１３４は、画素１２０の配列領域に対して左方のみに配列しているが、実際には、図１に示されるように、左右対称に右方にも配列して、左右の両側からそれぞれ走査線および容量線を駆動する構成となっている。
【００３７】
＜１−２：Ｙ側の動作＞
次に、上述した構成に係る液晶表示装置の動作のうち、Ｙ側の動作について説明する。ここで、図３は、この液晶表示装置におけるＹ側の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【００３８】
この図に示されるように、垂直走査期間の最初に供給される転送開始パルスＤＹが、シフトレジスタ１３０（図２参照）により、クロック信号ＣＬＹの立ち上がり及び立ち下がりにしたがってシフトされて、１水平走査期間１Ｈ毎に、順次排他的にＨレベルになる走査信号Ｙｓ１、Ｙｓ２、Ｙｓ３、…、Ｙｓｍとして出力される。
【００３９】
ここで、最初の１垂直走査期間（１Ｆ）において、信号ＦＲがＨレベルである場合であって、走査信号Ｙｓ１がＨレベルになったとき、信号ＰＳはＨレベルになる（１行目の走査線１１２に位置する画素１２０に対して正極性書込が指示される）。この後、走査信号Ｙｓ１の立ち下がりにおいて、１行目のフリップフロップ１３２は、当該信号ＦＲをラッチする。
このため、１行目のフリップフロップ１３２による選択制御信号Ｃｓ１は、走査信号Ｙｓ１の立ち下がると（すなわち、１行目に位置する画素１２０のＴＦＴ１１６がオフすると）、Ｈレベルに遷移する結果、１行目のセレクタ１３４は、その入力端Ａを選択するので、１行目の容量線１１３に供給される容量スイング信号Ｙｃ１は、高位側の容量電位Ｖst(+)になる。
したがって、走査信号Ｙｓ１がＨレベルになると、正極性書込が指示され、この後、当該走査信号Ｙｓ１がＬレベルに立ち下がると、容量スイング信号Ｙｃ１が、高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移する構成となっている。
【００４０】
次に、走査信号Ｙｓ２がＨレベルになったときに、信号ＰＳはＬレベルに反転する（２行目の走査線１１２に位置する画素１２０に対して負極性書込が指示される）。この後、走査信号Ｙｓ２の立ち下がりにおいて、２行目のフリップフロップ１３２が当該信号ＦＲをラッチするので、選択制御信号Ｃｓ２は、走査信号Ｙｓ２の立ち下がると（すなわち、２行目に位置する画素１２０のＴＦＴ１１６がオフすると）、Ｈレベルに遷移する結果、２行目のセレクタ１３４は、その入力端Ａを選択する。
ただし、偶数行のセレクタ１３４は、奇数行のセレクタ１３４とは、入力端Ａ、Ｂに供給されている容量電位が、互いに入れ替えられているので（図２参照）、２行目の容量線１１３に供給される容量スイング信号Ｙｃ２は、走査信号Ｙｓ２の立ち下がりにおいて、低位側の容量電位Ｖst(-)になる。
したがって、走査信号Ｙｓ２がＨレベルになると、負極性書込が指示され、この後、当該走査信号Ｙｓ２がＬレベルに立ち下がると、容量スイング信号Ｙｃ２が、低位側の容量電位Ｖst(-)に遷移する構成となっている。
【００４１】
以下同様な動作が、３行目、４行目、５行目、…、ｍ行目のフリップフロップ１３２およびセレクタ１３４において繰り返し行われることになる。すなわち、信号ＦＲがＨレベルである１垂直走査期間（１Ｆ）において、ｉ行目の走査線１１２に供給される走査信号ＹｓｉがＨレベルになると、ｉが奇数であれば、正極性書込が指示され、この後、当該走査信号ＹｓｉがＬレベルに立ち下がると、ｉ行目の容量線１１３に供給される容量スイング信号Ｙｃｉは、低位側の容量電位Ｖst(-)から高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移する一方、ｉが偶数であれば、負極性書込が指示され、この後、当該走査信号ＹｓｉがＬレベルに立ち下がると、容量スイング信号Ｙｃｉは、高位側の容量電位Ｖst(+)から低位側の容量電位Ｖst(-)に遷移することになる。
【００４２】
なお、次の垂直走査期間では、信号ＦＲはＬレベルになる。このため、ｉ行目の走査線１１２に供給される走査信号ＹｓｉがＨレベルからＬレベルになったとき、ｉ行目の容量線１１３に供給される容量スイング信号Ｙｃｉは、ｉが奇数であれば、高位側の容量電位Ｖst(+)から低位側の容量電位Ｖst(-)に遷移する一方、ｉが偶数であれば、低位側の容量電位Ｖst(-)から高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移することになる。
ただし、信号ＰＳの論理レベルも反転するので、正極性書込が指示された後、走査信号ＹｓｉがＬレベルに立ち下がると、容量スイング信号Ｙｃｉは、低位側の容量電位Ｖst(-)から高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移する一方、負極性書込が指示された後、走査信号ＹｓｉがＬレベルに立ち下がると、容量スイング信号Ｙｃｉが、高位側の容量電位Ｖst(+)から低位側の容量電位Ｖst(-)に遷移する点に変わりはない。
【００４３】
＜１−３：Ｘ側の動作＞
次に、液晶表示装置の動作のうち、Ｘ側の動作について説明する。ここで、図４は、この液晶表示装置におけるＸ側の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【００４４】
まず、図４において、１行目の走査線１１２に供給される走査信号Ｙｓ１がＨレベルになる１水平走査期間（図において▲１▼で示される期間）について着目すると、当該期間に先んじて、１行１列、１行２列、…、１行ｎ列の画素に対応する階調データＤａｔａが順番に供給される。このうち、１行１列の画素に対応する階調データＤａｔａが供給されるタイミングにおいて、シフトレジスタ１５０から出力されるサンプリング制御信号Ｘｓ１がＨレベルになると、１列目に対応する第１のサンプリングスイッチ１５２のオンにより、当該階調データが、同じく１列目に対応する第１のラッチ回路１５４にラッチされる。
【００４５】
次に、１行２列のドットに対応する階調データＤａｔａが供給されるタイミングにおいて、サンプリング制御信号Ｘｓ２がＨレベルになると、２列目に対応する第１のサンプリングスイッチ１５２のオンにより、当該階調データが、同じく２列目に対応する第１のラッチ回路１５４にそれぞれラッチされ、以下同様にして、１行ｎ列のドットに対応する階調データＤａｔａが、ｎ列目に対応する第１のラッチ回路１５４にそれぞれラッチされる。これにより、１行目に位置するｎ個の画素に対応する階調データＤａｔａが、１列目、２列目、…、ｎ列目に対応する第１のラッチ回路１５４にそれぞれラッチされることになる。
【００４６】
続いて、ラッチパルスＬＰが出力されると（その論理レベルがＨレベルになると）、それぞれ１列目、２列目、…、ｎ列目に対応する第１のラッチ回路１５４にそれぞれラッチされた階調データＤａｔａが、第２のサンプリングスイッチ１５６のオンにより、それぞれに対応する列の第２のラッチ回路１５８に、一斉にラッチされることになる。
【００４７】
そして、１列目、２列目、…、ｎ列目に対応する第２のラッチ回路１５８にそれぞれラッチされた階調データＤａｔａが、それぞれに対応する列のＤ／Ａ変換器１６０によって、信号ＰＳの論理レベルに対応する極性側のアナログ信号に変換されて、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎとして出力される。
この際、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電位は、信号ＰＳがＨレベルであれば、正極性書込に対応したもの、詳細には、正極側の白レベルに対応する電位Ｖwt(+)から、正極側の黒レベルに対応する電位Ｖbk(+)までの範囲において、階調データＤａｔａに対応したものとなる。
【００４８】
続いて、２行目の走査線１１２に供給される走査信号Ｙｓ２がＨレベルになる１水平走査期間（図において▲２▼で示される期間）について着目すると、当該期間に先んじて、２行１列、２行２列、…、２行ｎ列の画素に対応する階調データＤａｔａが順番に供給されて、走査信号Ｙｓ１がＨレベルになる期間と同様な動作が実行される。
すなわち、第１に、サンプリング制御信号Ｘｓ１、Ｘｓ２、…、Ｘｓｎが順番にＨレベルになると、２行１列、２行２列、…、２行ｎ列の画素に対応する階調データＤａｔａが、１列目、２列目、…、ｎ列目に対応する第１のラッチ回路１５４にそれぞれにラッチされ、この後、第２に、ラッチパルスＬＰの出力により、ラッチされた階調データＤａｔａが、対応する列の第２のラッチ回路１５８に一斉にラッチされて、第３に、それぞれに対応する列のＤ／Ａ変換器１６０によって、信号ＰＳの論理レベルに対応する極性側のアナログ信号に変換されて、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎとして出力される。
ただし、この水平走査期間▲２▼では、信号ＰＳがＬレベルに反転するので、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電位は、負極性書込に対応したもの、詳細には、負極側の白レベルに対応する電位Ｖw t(-)から、負極側の黒レベルに対応する電位Ｖbk(-)までの範囲において、階調データＤａｔａに対応したものとなる。
【００４９】
以下、同様な動作が、走査信号Ｙｓ３、Ｙｓ４、…、ＹｓｍがＨレベルになる毎に、繰り返し実行されることになる。
すなわち、ｉ行目の走査線１１２に供給される走査信号ＹｓｉがＨレベルになる１水平走査期間に先んじて、ｉ行１列、ｉ行２列、…、ｉ行ｎ列の画素に対応する階調データＤａｔａが順番に供給されて、１列目、２列目、…、ｎ列目に対応する第１のラッチ回路１５４にそれぞれにラッチされ、この後、ラッチパルスＬＰの出力により、対応する列の第２のラッチ回路１５８に一斉にラッチされて、それぞれに対応する列のＤ／Ａ変換器１６０によって、信号ＰＳの論理レベルに対応する極性側のアナログ信号に変換されて、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎとして出力される。
この際、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電位は、ｉが奇数であれば、信号ＰＳがＨレベルとなるので、正極性書込に対応したものとなる一方、ｉが偶数であれば、信号ＰＳがＬレベルとなるので、負極性書込に対応したものとなる。
【００５０】
なお、次の垂直走査期間では、同様な動作が実行されるが、信号ＰＳは、同一の水平走査期間についてみた場合、１垂直走査期間毎に反転するので、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電位は、ｉが奇数であれば、負極性書込に対応したものとなる一方、ｉが偶数であれば、正極性書込に対応したものとなる。
【００５１】
＜１−４：蓄積容量および液晶容量における動作＞
続いて、上述したようなＹ側およびＸ側の動作が行われた場合に、蓄積容量および液晶容量における動作について説明する。図５（ａ）、図５（ｂ）および図５（ｃ）の各々は、これらの容量における電荷の蓄積動作を説明するための図である。
なお、これらの図の左方における２つの升は、それぞれ蓄積容量および液晶容量を示している。詳細には、升の底面積が、それぞれ蓄積容量Ｃstg（１１９）および液晶容量ＣLCの大きさを示し、升に溜められた水が電荷を示し、その高さが電圧を示している。
【００５２】
ここで、説明の便宜上、ｉ行ｊ列に位置する画素１２０において、正極性書込を行う場合を例にとって簡略的に説明する。なお、低位側の容量電位Ｖst(-)と、対向電極１０８の電位ＬＣcomとは、後述するように実際には異なっているが、ここでは、説明簡略化のために、互いに等しいものとして扱う。
【００５３】
まず、走査信号ＹｓｉがＨレベル（オン電位）になると、当該画素のＴＦＴ１１６がオンするので、図５（ａ）に示されるように、当該画素の蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCには、データ線Ｓｊの電位に応じた電荷が蓄積される。この際、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCにおいて充電された書込電圧をＶ0とする。
【００５４】
次に、走査信号ＹｓｉがＬレベル（オフ電位）になると、当該画素のＴＦＴ１１６がオフするとともに、正極性書込では、ｉ行目の容量線１１３に供給される容量スイング信号Ｙｃｉの電位が、上述したように低位側の容量電位Ｖst(-)から高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移する。このため、図５（ｂ）に示されるように、蓄積容量Ｃstgにおける充電電圧が、その遷移分である電圧Ｖ1だけ持ち上がる。ここで、Ｖ1＝｛Ｖst(+)−Ｖst(-)｝である。
【００５５】
ただし、蓄積容量Ｃstgの一端は、画素電極１１８に接続されているので、図５（ｃ）に示されるように、電圧が持ち上げられた蓄積容量Ｃstgから液晶容量ＣLCに電荷が受け渡される。そして、両容量における電位差がなくなると、電荷の受け渡しが終了するので、両容量における充電電圧は、最終的に電圧Ｖ2になる。この電圧Ｖ2は、ＴＦＴ１１６のオフ時におけるほとんどの期間において液晶容量ＣLCに印加され続けることになるので、液晶容量ＣLCには、実効的に、ＴＦＴ１１６のオン時から電圧Ｖ2が印加されたものとみなすことができる。
【００５６】
ここで、電圧Ｖ2は、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCを用いると、次式(1)のように表すことができる。
Ｖ2＝Ｖ0＋Ｖ1・Ｃstg／（Ｃstg＋ＣLC） ……(1)
【００５７】
さて、蓄積容量Ｃstgが液晶容量ＣLCよりも充分に大きいのであれば、式(1)は、次式(2)のように近似される。
Ｖ2＝Ｖ0＋Ｖ1 ……(2)
すなわち、液晶容量ＣLCに最終的に印加される電圧Ｖ2は、初期書込電圧Ｖ0から、容量スイング信号Ｙｃｉの持ち上がり分Ｖ1だけ高位側にシフトしたものとして簡略化される。
【００５８】
なお、ここでは、図５（ｂ）および図５（ｃ）の動作を、簡略化のために別々に説明したが、実際には、両者の動作は同時並行的に行われる。また、ここでは、正極性書込を行う場合について説明したが、負極性書込の場合に、蓄積容量Ｃstgが液晶容量ＣLCよりも充分に大きいのであれば、液晶容量ＣLCに最終的に印加される電圧Ｖ2は、初期書込電圧Ｖ0から容量スイング信号Ｙｃｉの遷移分Ｖ1だけ、低位側にシフトすることになる。
【００５９】
さて、ｉ行ｊ列に位置する画素１２０において、実際に正極性書込を行う場合、上述したように、当該画素におけるＴＦＴ１１６のオン時に、ｉ行目の容量線１１３に印加される容量スイング信号Ｙｃｉの電位、すなわち、当該画素における蓄積容量Ｃstg（１１９）の他端の電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)であり、また、液晶容量ＣLCの他端たる対向電極１０８の電位は、一定のＬＣcomである（図６（ａ）参照）。すなわち、蓄積容量Ｃstgにおける充電電圧の基準電位と、液晶容量ＣLCにおける充電電圧の基準電位とは互いに異なっている。
【００６０】
しかしながら、図６（ｂ）に示されるように、ｉ行ｊ列の画素１２０における画素電極１１８の電位Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）は、第１に、ＴＦＴ１１６のオン時に、一旦、ｊ列目のデータ線１１４に供給されるデータ信号Ｓｊの電位になり、第２に、ＴＦＴ１１６のオフ直後に、正極性書込であれば、容量スイング信号Ｙｃｉが低位側の容量電位Ｖst(-)から高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移することによって、高位側にシフトする一方、負極性書込であれば、容量スイング信号Ｙｃｉが高位側の容量電位Ｖst(+)から低位側の容量電位Ｖst(-)に遷移することによって、低位側にシフトする点、および、このシフト量が、データ信号Ｓｊの書込電位と、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCの比とに応じたものとなる点については、図５（ａ）、図５（ｂ）および図５（ｃ）における説明となんら変わるところはない。
【００６１】
なお、図６（ｂ）は、ｉ行ｊ列の画素１２０における画素電極１１８の電位Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）が、ＴＦＴ１１６のオン時に、正極性書込における白レベルに対応する電位Ｖwt(+)であった場合に、ＴＦＴ１１６のオフ直後に、その電位Ｖwt(+)と、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCの比とに応じた分ΔＶwtだけ、高位側にシフトする点と、画素電極１１８の電位Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）が、ＴＦＴ１１６のオン時に、正極性書込における黒レベルに対応する電位Ｖbk(+)であった場合に、ＴＦＴ１１６のオフ直後に、その電位Ｖbk(+)と、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCの比とに応じた分ΔＶbkだけ、高位側にシフトする点と、画素電極１１８の電位Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）が、ＴＦＴ１１６のオン時に、負極性書込における白レベルに対応する電位Ｖwt(-)であった場合に、ＴＦＴ１１６のオフ直後に、その電位Ｖwt(-)と、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCの比とに応じた分ΔＶwtだけ、低位側にシフトする点と、画素電極１１８の電位Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）が、ＴＦＴ１１６のオン時に、負極性書込における黒レベルに対応する電位Ｖbk(-)であった場合に、ＴＦＴ１１６のオフ直後に、その電位Ｖbk(+)と、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCの比とに応じた分ΔＶbkだけ、低位側にシフトする点と、の計４点を示している。
【００６２】
このように、本実施形態によれば、データ線１１４に供給されるデータ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電圧振幅以上に、画素電極１１８の電位が変位することになる。すなわち、本実施形態によれば、データ信号の電圧振幅範囲が狭くても、その範囲以上に、液晶容量に印加される電圧実効値が拡大することになる。このため、従来では、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力段に設けられて、データ信号の電圧を拡大するためのレベルシフタが不要となるので、その分、回路配置に余裕が生じるだけでなく、電圧拡大することに伴って消費されていた電力もなくすことができる。さらに、Ｘ側におけるシフトレジスタ１５０からＤ／Ａ変換器１６０までに至る回路をすべて低電圧で駆動することができるので、これらの回路を構成する素子（ＴＦＴ）が小さくて済む。このため、データ線１１４のピッチを、より狭くすることができるので、高精細化を図ることが容易となる。
【００６３】
さらに、本実施形態では、蓄積容量Ｃstgの他端を前行の走査線１１２に接続するとともに、走査線を多値で駆動する方法（例えば、特開平２−９１３号公報や、特開平４−１４５４９０号公報に記載の技術参照）と比較すると、次のような利点がある。
すなわち、走査線を多値で駆動する方法では、走査線に蓄積容量が接続される分、負荷が大きくなる。一方、一般に走査線に供給される走査信号の電圧振幅は、データ線に供給されるデータ信号の電圧振幅よりも大きい（図６（ａ）参照）。このため、走査線を多値で駆動する方法では、負荷が付加された走査線を高電圧振幅することにより消費される電力を考えると、低消費電力化を図ることが困難である。
これに対し、本実施形態では、蓄積容量Ｃstg（１１９）の他端を、容量線１１３に供給される容量スイング信号によって持ち上げ、または、持ち下げることで、液晶容量に印加される電圧実効値を拡大しているので、走査線に付加される容量に変更はなく、また、データ信号の電圧振幅が小さく抑えられる分、走査信号の電圧振幅を小さくできるので、さらなる低消費電力化も可能になる。
【００６４】
また、本実施形態では、対向電極の電位を一定の期間（例えば１水平走査期間）毎にシフトする（持ち上げる、または、持ち下げる）方法と比較すると、次のような利点がある。すなわち、対向電極の電位をシフトすると、当該対向電極に寄生するすべての容量が一斉に影響を受けるので、意外に低消費電力化を図ることができない。
これに対し、本実施形態では、容量線１１３の電位が１水平走査期間毎に順番にシフトするだけであるので、１水平走査期間でみれば、１本の容量線１１３に寄生する容量だけが影響を受ける。このため、本実施形態によれば、対向電極の電位をシフトする方法と比較すると、電位のシフトにより影響を受ける容量が圧倒的に少ないので、低消費電力化において有利である。
【００６５】
＜１−５：考察＞
ところで、上述したように、蓄積容量Ｃstgが、液晶容量ＣLCよりも充分に大きいのであれば、液晶容量ＣLCに最終的に印加される電圧Ｖ2は、初期書込電圧Ｖ0から、容量スイング信号Ｙｃｉの電位遷移分（蓄積容量のおける他端の電位遷移分）だけ、高位側または低位側にシフトしたものとして取り扱うことができる。
ただし、実際には、回路素子や配線等におけるレイアウトの制約により、蓄積容量Ｃstgを、液晶容量ＣLCよりも数倍程度とするのが限界であるので、容量スイング信号Ｙｃｉの電位遷移分（持ち上げまたは持ち下げ分）が、そのまま、画素電極における電位遷移分にはならない。すなわち、容量スイング信号Ｙｃｉの電位遷移分が、圧縮されて、画素電極１１８における電位遷移分として反映されることになる。
【００６６】
ここで、図７は、この圧縮率が蓄積容量Ｃstg／液晶容量ＣLCの比率に対してどのように変化するかを、シミュレートした図である。例えば、蓄積容量のおける他端の電位遷移分が２．０ボルトである場合に、画素電極の電位シフト分が１．５ボルトであるとき、圧縮率は７５％となる。
この図に示されるように、蓄積容量Ｃstg／液晶容量ＣLCの比率が大きくなるにつれて、圧縮率が大きくなるとともに、やがて飽和することが判る。特に、蓄積容量Ｃstg／液晶容量ＣLCの比率が「４」を越える付近から、圧縮率が８０％強で飽和することが判る。ここで、蓄積容量Ｃstg／液晶容量ＣLCの比率が「４」程度であれば、電圧振幅の減少分も約２０％弱と少なく、レイアウト的にも現実的である。
【００６７】
ところで、電圧振幅の減少分を補償するためには、第１に、データ線１１４に供給するデータ信号の初期書込電圧の振幅を増加させることが考えられるが、これは、本発明における目的と相反することであるから、安易に採用することはできない。特に、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力電圧振幅が、シフトレジスタ１５０から第２のラッチ回路１５８までに至る回路の論理レベルの振幅を越える場合、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力段に、その電圧振幅を拡大するためのレベルシフタが必要になるので、消費電力の大幅な削減が困難になる。換言すれば、図２に示される構成において、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力電圧振幅が、シフトレジスタ１５０から第２のラッチ回路１５８までに至る回路の論理レベルの振幅を越えないことが条件となる。
【００６８】
一方、電圧振幅の減少分を補償するためには、第２に、容量スイング信号Ｙｃｉの電位遷移分を増加させることも考えられる。ただし、その電位遷移分をむやみに拡大しても、本来の低消費電力化を図る、という目的を達成することができない。
【００６９】
そこで、本発明者は、容量スイング信号Ｙｃｉの電圧振幅（すなわち、蓄積容量における他端の電位遷移分）と、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力たるデータ信号の最大出力電圧振幅との関係をシミュレートした。これらのシミュレート結果が、図８（ａ）、図８（ｂ）、図８（ｃ）、図９（ａ）、図９（ｂ）および図９（ｃ）のそれぞれに示される。
これらの図のうち、図８（ａ）、図８（ｂ）および図８（ｃ）は、それぞれ、対向電極の電位に対し最終的に画素電極に印加される電圧を、白レベルについて±１．２ボルトで固定とした場合に、黒レベルについて±２．８ボルト、±３．３ボルト、±３．８ボルトとして変化させたときの図である。
また、図９（ａ）、図９（ｂ）および図９（ｃ）は、それぞれ、対向電極の電位に対し最終的に画素電極に印加される電圧を、黒レベルについて±３．３ボルトで固定とした場合に、白レベルについて±０．７ボルト、±１．２ボルト、±１．７ボルトとして変化させたときの図である。
なお、これらの図においては、いずれも蓄積容量Ｃstgをパラメータとし、また、ノーマリーホワイトモードを想定している。また、このシミュレート対象となる液晶容量としては、画素電極のサイズが５０μｍ×１５０μｍであり、画素電極および対向電極の間の距離（セルギャップ）が４．０μｍであり、液晶の比誘電率が白レベルにおいて４．０であって、黒レベルにおいて１２．０であるものを用いた。
【００７０】
さて、これらのシミュレート結果のいずれにおいても、データ信号の最大出力電圧振幅は、容量スイング信号Ｙｃｉの電圧振幅に対して最小値を有することが判る。このうち、図８（ａ）、図８（ｂ）および図８（ｃ）では、黒レベルに対応する電圧が大きくなるにつれて、Ｖ字状特性のうち、左側部分の最大出力電圧振幅だけが大きくなっているが、右側部分が変化していないことが判る。一方、図９（ａ）、図９（ｂ）および図９（ｃ）では、白レベルに対応する電圧が大きくなるにつれて、Ｖ字状特性のうち、右側部分の最大出力電圧振幅だけが大きくなっているが、左側部分が変化していないことが判る。
したがって、これらのことから、データ信号の最大出力電圧振幅における最小値は、白／黒レベルに対応する電圧と、蓄積容量Ｃstgとで定まることが判る。
【００７１】
ここで例えば、図８（ａ）におけるＶ字状特性のうちの左側部分と、図９（ｃ）におけるＶ字状特性のうちの右側部分とをあわせて考えた場合、容量スイング信号Ｙｃｉの電圧振幅が１．８〜３．５ボルト程度の範囲であれば、データ信号の最大出力電圧振幅を、５．０ボルト以下に抑えることができる。
特に、蓄積容量Ｃstgを比較的自由に設計できる場合、蓄積容量Ｃstgを６００ｆＦ（ファムトファラッド）程度にすると、データ信号の最大出力電圧振幅を、４．０ボルト以下に抑えることもできる。
したがって、シフトレジスタ１５０から第２のラッチ回路１５８までに至る回路の論理レベルの振幅が５．０ボルトである、という条件によって、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力たるデータ信号の最大出力電圧振幅が５．０ボルト以内に抑えられても、本実施形態では、液晶容量に対して十分な書き込みを行うことが可能である、ということができる。
【００７２】
＜２：第２実施形態＞
さて、上述した第１実施形態にあっては、容量線１１３が、１行の画素１２０にわたって共用された構成となっていた。このため、液晶容量を交流駆動するに際し、走査線毎の反転（行反転）、または、垂直走査期間毎の反転（フレーム反転）しか採用することができないので、消費電力が増える方向の要因が依然として残っていることになる。
【００７３】
そこで、この欠点を、多少なりとも改善した第２実施形態について説明することにする。なお、この第２実施形態に係る液晶表示装置の全体構成については、図１に示される第１実施形態と同様であるので、その説明を省略して、電気的な構成から説明することにする。
【００７４】
図１０は、本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、第２実施形態では、画素１２０が配列する領域が、境界線１０によって左半分領域Ｌと右半分領域Ｒとに分けられている。ここで、説明の便宜上、１列目からｂ列目までのデータ線１１４が左半分領域Ｌに含まれ、（ｂ＋１）列目からｎ列目までのデータ線１１４が右半分領域Ｒに含まれるとする。
【００７５】
一方、走査線１１２が１行毎に共用される点においては第１実施形態と共通である。ただし、本実施形態において、容量線１１３は、境界線１０にて分断されている。このため、第２実施形態では、容量線１１３は、１行におけるすべての画素１２０にわたって共用されるのではなく、１行において、左半分領域Ｌの画素１２０と、右半分領域Ｒの画素１２０とにおいて別々に共用された構成となっている。
【００７６】
次に、左半分領域Ｌおよび右半分領域Ｒにおけるシフトレジスタ１３０、フリップフロップ１３２およびセレクタ１３４の構成は、第１実施形態と変わらないが（図２では右半分領域に相当する同構成が省略されていたが）、右半分領域Ｒを担当するセレクタ１３４の入力端Ａ、Ｂに供給されている電位が、左半分領域Ｌを担当するセレクタ１３４の入力端Ａ、Ｂに供給されている電位と、同一行でみて互いに入れ替えられた関係となっている。
【００７７】
詳細には、奇数行にあって、左半分領域Ｌを担当するセレクタ１３４の入力端Ａの電位は、高位側の容量電位Ｖst(+)であり、その入力端Ｂの電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)であるが、右半分領域Ｒを担当するセレクタ１３４の入力端Ａの電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)であり、その入力端Ｂの電位は、高位側の容量電位Ｖst(+)となっている。一方、偶数行にあって、左半分領域Ｌを担当するセレクタ１３４の入力端Ａの電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)であり、その入力端Ｂの電位は、高位側の容量電位Ｖst(+)であるが、右半分領域Ｒを担当するセレクタ１３４の入力端Ａの電位は、高位側の容量電位Ｖst(+)であり、その入力端Ｂの電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)となっている。
このため、ｉ行目にあって、右半分領域Ｒを担当するセレクタ１３４の容量スイング／（反転を意味する）Ｙｓｉと、左半分領域Ｌを担当するセレクタ１３４の容量スイングＹｓｉとでは、容量電位の関係が入れ替えられた関係になる。
【００７８】
さて、Ｘ側においては、第１実施形態と同様に、シフトレジスタ１５０、第１のサンプリングスイッチ１５２、第１のラッチ回路１５４、第２のサンプリングスイッチ１５６、第２のラッチ回路１５８およびＤ／Ａ変換器１６０が設けられるが、右半分領域Ｒを担当するＤ／Ａ変換器１６０には、信号ＰＳの反転信号が供給される構成となっている。
このため、左半分領域Ｌのデータ線１１４に供給されるデータ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｂと、右半分領域Ｒのデータ線１１４に供給されるデータ信号Ｓ（ｂ＋１）、Ｓ（ｂ＋２）、…、Ｓｎとは、図１１に示されるように、互いに逆極性になる。
【００７９】
したがって、第２実施形態では、走査線毎の反転とともに、左半分領域Ｌと右半分領域とで互いに異なる極性の書き込みが行われることになる。このため、第２実施形態では、単なる走査線毎の反転が行われる第１実施形態と比較して、対向電極１０８への突入電流が減少するので、より低消費電力化が可能になる。
【００８０】
＜３：第３実施形態＞
ところで、第２実施形態にあっては、確かに第１実施形態と比較して、低消費電力化が図られると考えるが、容量線１１３が、境界線１０で分断されるため、その時定数が上昇する方向に作用する。このため、たとえ同一濃度になるように指示しても、境界線１０を挟んで位置する画素１２０同士において、濃度差が生じて、表示品位が低下する可能性がある。
【００８１】
そこで、このような表示品位が低下する欠点を、改善した第３実施形態について説明することにする。なお、この第３実施形態に係る液晶表示装置の全体構成については、すでに説明した第１および第２実施形態と同様であるので、その説明を省略して、電気的な構成から説明することにする。
【００８２】
図１２は、本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、第３実施形態では、走査線１１２が１行毎に設けられる点においては、第１実施形態と共通であるが、容量線１１３の替わりに選択信号線１７３とともに、新たに、高位容量線１７５および低位容量線１７７が行毎に設けられる点において第１実施形態と相違している。
ここで、ｉ行目の選択信号線１７３には、同じくｉ行目のフリップフロップ１３２による選択制御信号Ｃｓｉが直接供給されている。また、高位容量線１７５には、高位側の容量電位Ｖst(+)が印加される一方、低位容量線１７７には、低位側の容量電位Ｖst(-)が印加されている。このため、第２実施形態では、行毎に設けられていたセレクタ１３４が廃されている。
【００８３】
また、第３実施形態では、選択信号線１７３、高位容量線１７５および低位容量線１７７が行毎に新たに設けられる点に関連して、画素１２０の構成についても第１実施形態から変更されている。
すなわち、第３実施形態にあって、奇数行・奇数列および偶数行・偶数列の画素１２０における蓄積容量１１９の他端と低位容量線１７７との間にはＰチャネル型ＴＦＴ１８１が介挿され、また同じく蓄積容量１１９の他端と高位容量線１７５との間にはＮチャネル型ＴＦＴ１８３が介挿されている。そして、Ｐチャネル型ＴＦＴ１８１およびＮチャネル型ＴＦＴ１８３のゲートは、ともに選択信号線１７３に共通接続されている。
このため、奇数行・奇数列および偶数行・偶数列の画素１２０における蓄積容量１１９の他端は、選択信号線１７３がＨレベルであれば、高位側の容量電位Ｖst(+)になり、選択信号線１７３がＬレベルであれば、低位側の容量電位Ｖst(-)になる構成となっている。
【００８４】
一方、奇数行・偶数列および偶数行・奇数列の画素１２０においては、Ｐチャネル型ＴＦＴ１８１およびＮチャネル型ＴＦＴ１８３の介挿関係が、奇数行・奇数列および偶数行・偶数列の画素１２０と入れ替わっている。
すなわち、奇数行・偶数列および偶数行・奇数列の画素１２０における蓄積容量１１９の他端と低位容量線１７７との間にはＮチャネル型ＴＦＴ１８３が介挿され、また同じく蓄積容量１１９の他端と高位容量線１７５との間にはＰチャネル型ＴＦＴ１８１が介挿されている。
このため、奇数行・偶数列および偶数行・奇数列の画素１２０における蓄積容量１１９の他端は、選択信号線１７３がＨレベルであれば、低位側の容量電位Ｖst(-)になり、選択信号線１７３がＬレベルであれば、高位側の容量電位Ｖst(+)になる構成となっている。
結局、第３実施形態では、奇数行・奇数列および偶数行・偶数列における蓄積容量１１９の他端と、奇数行・偶数列および偶数行・奇数列における蓄積容量１１９の他端とには、互いに異なる容量電位になる構成となっている。
【００８５】
さらに、第３実施形態では、シフトレジスタ１５０、第１のサンプリングスイッチ１５２、第１のラッチ回路１５４、第２のサンプリングスイッチ１５６、第２のラッチ回路１５８およびＤ／Ａ変換器１６０が設けられる点では第１実施形態と同様であるが、偶数列のＤ／Ａ変換器１６０には、信号ＰＳの反転信号が供給される構成となっている。
このため、奇数列のデータ線１１４に供給されるデータ信号Ｓ１、Ｓ３、…、Ｓ（ｎ−１）と、偶数列のデータ線１１４に供給されるデータ信号Ｓ２、Ｓ４、…、Ｓｎとは、図１３に示されるように、互いに逆極性になる。
【００８６】
したがって、第３実施形態では、すべての隣り合う画素に対して極性反転される、いわゆる画素反転が行われることになる。このため、第３実施形態では、第２実施形態と比較して、突入電流が大幅に減少するので、さらなる低消費電力化が可能となる上、フリッカ等による表示品位の低下も防止されることになる。
【００８７】
なお、第３実施形態では、奇数行・奇数列および偶数行・偶数列における蓄積容量１１９の他端と、奇数行・偶数列および偶数行・奇数列における蓄積容量１１９の他端とが、互いに異なる容量電位とするとともに、奇数列および偶数列のデータ信号を互いに逆極性として、画素反転を行う構成としたが、単に、奇数列における蓄積容量１１９の他端と、偶数列における蓄積容量１１９の他端とが、互いに異なる容量電位とするとともに、奇数列および偶数列のデータ信号を互いに逆極性として、データ線毎の反転（列反転）を行う構成としても良い。
【００８８】
＜４：液晶表示装置のまとめ＞
なお、上述した第１、第２および第３実施形態にあっては、４ビットの階調データＤａｔａを用いて１６階調表示を行うものとしたが、本発明はこれに限られない。例えば、ビット数を多くして、より多階調としても良いし、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成することによって、カラー表示を行うとしても良い。また、実施形態にあっては、液晶容量の電圧無印加状態において最大透過率となるノーマリーホワイトモードとして説明したが、同状態において最小透過率となるノーマリーブラックモードとしても良い。
【００８９】
さらに、実施形態にあって、素子基板１０１にガラス基板を用いたが、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）の技術を適用し、サファイヤや、石英、ガラスなどの絶縁性基板にシリコン単結晶膜を形成して、ここに各種素子を作り込んで素子基板１０１としても良い。また、素子基板１０１として、シリコン基板などを用いるとともに、ここに各種の素子を形成しても良い。このような場合には、スイッチング素子として、高速な電界効果型トランジスタを用いることができるので、ＴＦＴよりも高速動作が容易になる。ただし、素子基板１０１が透明性を有しない場合、画素電極１１８をアルミニウムで形成したり、別途反射層を形成したりするなどして、反射型として用いる必要がある。
また、実施形態にあっては、データ線１１４と画素電極１１８との間に介挿される第１のスイッチング素子として、ＴＦＴのような三端子型素子を用いたが、ＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）のような二端子型素子を用いても良い。
【００９０】
さらに、上述した実施形態では、液晶としてＴＮ型を用いたが、ＢＴＮ（Bi-stable Twisted Nematic）型・強誘電型などのメモリ性を有する双安定型や、高分子分散型、さらには、分子の長軸方向と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を一定の分子配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させたＧＨ（ゲストホスト）型などの液晶を用いても良い。
また、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、という垂直配向（ホメオトロピック配向）の構成としても良いし、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する、という平行（水平）配向（ホモジニアス配向）の構成としても良い。このように、本発明では、液晶や配向方式として、種々のものに適用することが可能である。
【００９１】
＜５：電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る液晶表示装置を用いた電子機器のいくつかについて説明する。
【００９２】
＜５−１：プロジェクタ＞
まず、上述した液晶表示装置１００をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１４は、このプロジェクタの構成を示す平面図である。
この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。
【００９３】
ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂは、上述した実施形態に係る液晶表示装置１００と基本的には同様である。すなわち、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、それぞれＲＧＢの各原色画像を生成する光変調器として機能するものである。
また、Ｂの光は、他のＲやＧの光と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３および出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【００９４】
さて、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム１１１２において、ＲおよびＢの光は９０度に屈折する一方、Ｇの光は直進する。これにより、各原色画像の合成したカラー画像が、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン１１２０に投射されることになる。
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの各原色に対応する光が入射するので、直視型パネルのようにカラーフィルタを設ける必要がない。
【００９５】
＜５−２：パーソナルコンピュータ＞
次に、上述した液晶表示装置１００を、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１５は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図に示されるように、コンピュータ１２００の本体１２１０には、表示部として用いられる液晶表示装置１００や、光学ディスクの読取・書込ドライブ１２１２、磁気ディスクの読取・書込ドライブ１２１４、ステレオ用スピーカ１２１６などが備えられる。また、キーボード１２２２およびポインティングデバイス（マウス）１２２４は、本体１２１０とは入力信号・制御信号等の授受を、赤外線等を介してワイヤレスで行う構成となっている。
この液晶表示装置１００は、直視型として用いられるので、ＲＧＢの３画素で１ドットが構成されるとともに、各画素に応じてカラーフィルタが設けられる。また、液晶表示装置１００の背面には、暗所での視認性を確保するためのバックライトユニット（図示省略）が設けられる。
【００９６】
＜５−３：携帯電話＞
さらに、上述した液晶表示装置１００を、携帯電話の表示部に適用した例について説明する。図１６は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２のほか、受話口１３０４、送話口１３０６とともに、上述した液晶表示装置１００を備えるものである。なお、この液晶表示装置１００の背面にも、上述したパーソナルコンピュータと同様に、暗所での視認性を確保するためのバックライトユニット（図示省略）が設けられる。
【００９７】
＜５−４：電子機器のまとめ＞
なお、電子機器としては、図１４、図１５および図１６を参照して説明した他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種の電子機器に対して、実施形態や応用・変形例に係る液晶表示装置が適用可能なのは言うまでもない。
【００９８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、画素電極に印加される電圧振幅に比べて、データ線に印加する電圧信号の電圧振幅が小さく抑えられるので、低消費電力化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （ａ）は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の外観構成を示す斜視図であり、（ｂ）は、その線Ａ−Ａ’についての断面図である。
【図２】 同液晶表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図３】 同液晶表示装置におけるＹ側の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図４】 同液晶表示装置におけるＸ側の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図５】 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ同液晶表示装置における画素の書込動作を説明するための図である。
【図６】 （ａ）は、同液晶表示装置における走査信号と容量スイング信号との電圧波形を示す図であり、（ｂ）は、同液晶表示装置において画素電極に印加される電圧波形を示す図である。
【図７】 同液晶表示装置において、液晶容量に対する蓄積容量の比と出力電圧の圧縮率との関係を示す図である。
【図８】 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ蓄積容量の他端における電位シフト量とデータ線の最大出力電圧振幅との関係を示す図である。
【図９】 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ蓄積容量の他端における電位シフト量とデータ線の最大出力電圧振幅との関係を示す図である。
【図１０】 本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図１１】 同液晶表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図１２】 本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図１３】 同液晶表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図１４】 実施形態に係る液晶表示装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【図１５】 実施形態に係る液晶表示装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１６】 実施形態に係る液晶表示装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１００…液晶表示装置
１０５…液晶
１０８…対向電極
１１２…走査線
１１３…容量線
１１４…データ線
１１６…ＴＦＴ（第１のスイッチング素子）
１１８…画素電極
１１９…蓄積容量
１３０…シフトレジスタ（走査線駆動回路）
１３４…セレクタ
１５０…シフトレジスタ
１５２、１５６…スイッチ
１５４、１５８…ラッチ回路
１６０…Ｄ／Ａ変換器（１５０，１５２，１５４，１５６，１５８，１６０によりデータ線駆動回路）
１７３…選択信号線
１７５…高位容量線
１７７…低位容量線
１８１、１８３…ＴＦＴ（第２および第３のスイッチング素子）
１１００…プロジェクタ
１２００…パーソナルコンピュータ
１３００…携帯電話
【発明の属する技術分野】
本発明は、低消費電力化を図った液晶表示装置、駆動回路、駆動方法および電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置は、陰極線管（ＣＲＴ）に代わるディスプレイデバイスとして、各種情報処理機器や壁掛けテレビなどの電子機器に広く用いられている。このような液晶表示装置は、駆動方式等に様々な型に分類することができるが、画素をスイッチング素子により駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装置は、次のような構成となっている。すなわち、アクティブマトリクス型液晶表示装置は、マトリクス状に配列した画素電極や、この画素電極に接続されたスイッチング素子などが設けられた素子基板と、画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板と、これら両基板との間に挟持された液晶とから構成されている。
【０００３】
このような構成において、走査線をオン電位にすると、当該走査線に接続されたスイッチング素子が導通状態となる。この導通状態の際に、データ線を介して画素電極に対し階調（濃度）に応じた電圧信号を印加すると、当該画素電極および対向電極の間に液晶を挟持してなる液晶容量に、当該電圧信号に応じた電荷が蓄積される。そして、電荷蓄積後、走査線をオフ電位にして、スイッチング素子をオフ状態にしても、当該液晶容量における電荷の蓄積は、液晶容量自身の容量性や、これに併設される蓄積容量などによって維持される。このように、各スイッチング素子を駆動させ、蓄積させる電荷量を階調に応じて制御すると、液晶の配向状態が変化するので、画素毎に濃度が変化することになって、階調表示が可能となる。
【０００４】
ところで、液晶表示装置には、適用される電子機器の特性・特長・用途等から、低消費電力が強く求められている。一方、液晶容量を駆動するには、通常、１０ボルト以上の高い電圧振幅が必要であるため、データ線に印加される電圧信号も同程度の電圧振幅が必要となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、液晶表示装置のうち、最も高い周波数で駆動されるのは、データ線であり、このようなデータ線に、振幅の大きな電圧信号を高い周波数で供給する構成では、消費電力が大きくなるので、低消費電力化とは逆行することになる。
【０００６】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、データ線に印加する電圧信号の電圧振幅を小さく抑えることによって低消費電力化を図った液晶表示装置、駆動回路、駆動方法および電子機器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示装置の駆動方法は、上記課題を解決するために、所定の間隔毎にオン電位になる複数の走査線と、対向電極と画素電極とにより液晶を挟持してなる液晶容量と、前記走査線がオン電位である場合に、前記対向電極の電位に対して階調表示に応じ、かつ、前記液晶容量への書込極性に対応した電位になる複数のデータ線と、前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、所定の第１電位に維持される低位容量線と、前記第１電位よりも高い第２電位に維持される高位容量線と、一端が前記画素電極に接続される蓄積容量と、前記低位容量線または前記高位容量線のいずれかを、選択信号線の電位に応じて択一的に選択して、前記蓄積容量の他端に印加するセレクタと、を具備し、前記蓄積容量の他端は、前記走査線がオン電位であった期間における前記データ線の電位が正極性書込に対応するものであったならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後に、前記低位容量線に接続された状態から前記高位容量線に接続された状態となり、前記走査線がオン電位であった期間における前記データ線の電位が負極性書込に対応するものであったならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後に、前記高位容量線に接続された状態から前記低位容量線に接続された状態となることを特徴とする。
また、本発明は、上記の液晶表示装置の駆動方法であって、前記液晶容量に対する前記蓄積容量の容量比率は、４以上であることを特徴とする。
また、本発明は、上記の液晶表示装置の駆動方法であって、前記セレクタは、前記低位容量線または前記高位容量線のいずれか一方と前記蓄積容量の他端との間に介挿されて、前記選択信号線の電位が高位側電位であればオンする第２のスイッチング素子と、前記低位容量線または前記高位容量線のいずれか他方と前記蓄積容量の他端との間に介挿されて、前記選択信号線の電位が低位側の電位であればオンする第３のスイッチング素子とからなることを特徴とする。
また、本発明は、上記の液晶表示装置の駆動方法であって、前記セレクタは、前記走査線の延在する方向に相隣接するもの同士で前記低電位容量線と前記高電位容量線のいずれかの互いに異なる線を選択することを特徴とする。
また、本発明は、上記の液晶表示装置の駆動方法であって、前記セレクタは、前記走査線の延在する方向に相隣接するもの同士で前記低電位容量線と前記高電位容量線のいずれかの互いに異なる線を選択するとともに、前記データ線の延在する方向に相隣接するもの同士でも前記低電位容量線と前記高電位容量線のいずれかの互いに異なる線を選択することを特徴とする。
本発明の液晶表示装置の駆動方法は、上記課題を解決するために、所定の間隔毎にオン電位になる複数の走査線と、対向電極と画素電極とにより液晶を挟持してなる液晶容量と、前記走査線がオン電位である場合に、前記対向電極の電位に対して階調表示に応じ、かつ、前記液晶容量への書込極性に対応した電位になる複数のデータ線と、前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、一端が前記画素電極に接続される蓄積容量と、を具備し、前記蓄積容量の他端に接続するために行毎設けられる容量線は、第１容量線と、第２容量線を含み、前記走査線がオフ電位に遷移した後における前記蓄積容量の他端の電位を、前記走査線がオン電位であった期間における前記データ線の電位が正極性書込に対応するものであったならば、高位側にシフトさせ、前記走査線がオン電位であった期間における前記データ線の電位が負極性書込に対応するものであったならば、低位側にシフトさせ、前記第１及び第２容量線の電位がシフトする方向は互いに異なることを特徴とする。
本発明の液晶表示装置の駆動方法は、上記課題を解決するために、走査線とデータ線との交差に対応して設けられる画素電極と、対向電極と前記画素電極とにより液晶を挟持してなる液晶容量と、前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、一端が前記画素電極に接続された蓄積容量とを備え、前記走査線を所定の間隔毎にオン電位にし、前記走査線をオン電位にする期間における前記データ線の電位を、前記対向電極の電位に対して階調表示に応じ、かつ、前記液晶容量への書込極性に対応した電位にし、前記走査線をオン電位にする期間における前記データ線の電位を、正極書込に対応させるならば、前記走査線をオフ電位に遷移させた後に、前記蓄積容量における他端の電位を高位側にシフトさせる一方、前記走査線をオン電位にする期間における前記データ線の電位を負極性書込に対応させるならば、前記走査線をオフ電位に遷移させた後に、前記蓄積容量における他端の電位を低位側にシフトさせ、相隣接する画素における前記蓄積容量における他端の電位がシフトする方向は、互いに異なることを特徴とする。
上記目的を達成するために、本件第１発明に係る液晶表示装置にあっては、所定の間隔毎にオン電位になる複数の走査線と、対向電極と画素電極とにより液晶を挟持してなる液晶容量と、前記走査線がオン電位である場合に、前記対向電極の電位に対して階調表示に応じ、かつ、前記液晶容量への書込極性に対応した電位になる複数のデータ線と、前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、一端が前記画素電極に接続される一方、他端の電位が、前記走査線がオン電位であった期間における前記データ線の電位が正極性書込に対応するものであったならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後に、高位側にシフトし、前記走査線がオン電位であった期間における前記データ線の電位が負極性書込に対応するものであったならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後に、低位側にシフトする蓄積容量とを具備する構成を特徴としている。
【０００８】
この構成によれば、走査線がオン電位になると、当該走査線に接続された第１のスイッチング素子がオンする結果、液晶容量および蓄積電極には、データ線の電位に応じた電荷が蓄積される。この後、第１のスイッチング素子がオフすると、蓄積容量における他端の電位がシフトするので、その分、蓄積容量における一端の電位が持ち上げられる（または持ち下げられる）。と同時に、持ち上げられた（または持ち下げられた）分の電荷が、液晶容量に分配されるので、液晶容量には、データ線の電位以上に対応する電圧実効値が印加されることになる。換言すれば、最終的に画素電極に印加される電圧振幅に比べて、データ線に印加する電圧信号の電圧振幅が小さく抑えられる。したがって、データ線を低電圧で駆動して、低消費電力化を図ることが可能となる。
【０００９】
ここで、第１発明において、液晶容量に対して蓄積容量が十分に大きいのであれば、蓄積容量における他端の電位シフト分がそのまま液晶容量に印加されるとみなすことができる。ただし、実際には、蓄積容量を液晶容量よりも数倍程度とするのが限界であるので、蓄積容量における他端の電位シフト分が圧縮されて、液晶容量に印加されることになるが、前記液晶容量に対する前記蓄積容量の容量比率は、４以上であれば、電圧振幅の減少分も約２０％弱と少なく、レイアウト的にも現実的である。
【００１０】
また、第１発明において、前記蓄積容量の他端は、容量線を介して行毎に共通接続される構成が好ましい。ただし、この構成では、液晶容量を、走査線毎の反転（行反転）、または、垂直走査期間毎の反転（フレーム反転）しかできないので、容量線を分割して、隣接する分割した容量線の夫々の、前記走査線がオフ電位に遷移した後の電位のシフトを互いに異なる方向とする構成が好ましい。この構成によれば、容量線の分割部分を境に、液晶容量の書込極性が反転した状態になるので、対向電極への突入電流は、走査線毎の反転等と比較して減少するので、より低消費電力化が可能になる。
【００１１】
一方、第１の発明において、所定の第１電位に維持される低位容量線と、前記第１電位よりも高い第２電位に維持される高位容量線と、前記低位容量線または前記高位容量線のいずれかを、選択信号線の電位に応じて択一的に選択して、前記蓄積容量の他端に印加するセレクタとを備える構成が好ましい。この構成によれば、画素毎に書込極性を選択することが可能となる。
【００１２】
この構成において、セレクタとしては、前記低位容量線または前記高位容量線のいずれか一方と前記蓄積容量の他端との間に介挿されて、前記選択信号線の電位が高位側電位であればオンする第２のスイッチング素子と、前記低位容量線または前記高位容量線のいずれか他方と前記蓄積容量の他端との間に介挿されて、前記選択信号線の電位が低位側の電位であればオンする第３のスイッチング素子とからなる態様が考えられる。この態様によれば、第１、第２および第３のスイッチング素子を、共通プロセスで形成することができるので、低消費電力化のほか、小型化や集積化等を図る場合に有利になる。
【００１３】
また、セレクタを備える構成においては、前記セレクタは、前記走査線の延在する方向に相隣接するもの同士で前記低電位容量線と前記高電位容量線のいずれかの互いに異なる線を選択することが望ましい。この構成により、液晶容量を、データ線毎に反転（列反転）することができるので、高画質化を図ることが可能になる。
【００１４】
さらに、セレクタを備える構成においては、前記セレクタは、前記走査線の延在する方向に相隣接するもの同士で前記低電位容量線と前記高電位容量線のいずれかの互いに異なる線を選択するとともに、前記データ線の延在する方向に相隣接するもの同士でも前記低電位容量線と前記高電位容量線のいずれかの互いに異なる線を選択する構成が最も望ましい。この構成により、液晶容量を、画素毎に反転することが出来るので、低消費電力化とともに高画質化を図ることが可能になる。
【００１５】
また、本発明における電子機器は、上記液晶表示装置を備えるので、低消費電力化を図ることが可能になる。なお、このような電子機器としては、画像を拡大投射するプロジェクタや、直視型、例えば、パーソナルコンピュータや携帯電話等の表示部などが挙げられる。
【００１６】
なお、上記第１発明は、液晶表示装置の駆動回路としても実現することが出来る。すなわち、本件第２発明に係る液晶表示装置の駆動回路にあっては、走査線とデータ線との交差に対応して設けられる画素電極と、対向電極と前記画素電極とにより液晶を挟持してなる液晶容量と、前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、一端が前記画素電極に接続された蓄積容量とを備える液晶表示装置を駆動するに際し、前記走査線を所定の間隔毎にオン電位にする走査線駆動回路と、前記走査線駆動回路によって、前記走査線がオン電位にする期間に、前記データ線の電位を、前記対向電極の電位に対して階調表示に応じ、かつ、前記液晶容量への書込極性に対応した電位にするデータ線駆動回路と、前記走査線をオン電位でする期間における前記データ線の電位が正極性書込に対応させるならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後に、前記蓄積容量における他端の電位を高位側にシフトさせる一方、前記走査線をオン電位にする期間における前記データ線の電位が負極性書込に対応させるならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後に、前記蓄積容量における他端の電位を低位側にシフトさせる蓄積容量駆動回路とを具備する構成を特徴としている。この構成によれば、上記第１発明と同様に、最終的に画素電極に印加される電圧振幅に比べて、データ線に印加する電圧信号の電圧振幅を小さく抑えることができるので、低消費電力化を図ることが可能になる。
【００１７】
さらに、上記第１発明は、液晶表装置の駆動方法としても実現することができる。すなわち、本件第３発明に係る液晶表示装置の駆動方法にあっては、走査線とデータ線との交差に対応して設けられる画素電極と、対向電極と前記画素電極とにより液晶を挟持してなる液晶容量と、前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、一端が前記画素電極に接続された蓄積容量とを備える液晶表示装置を駆動するに際し、前記走査線を所定の間隔毎にオン電位にし、前記走査線をオン電位にする期間における前記データ線の電位を、前記対向電極の電位に対して階調表示に応じ、かつ、前記液晶容量への書込極性に対応した電位にし、前記走査線をオン電位にする期間における前記データ線の電位を、正極書込に対応させるならば、前記走査線をオフ電位に遷移させた後に、前記蓄積容量における他端の電位を高位側にシフトさせる一方、前記走査線をオン電位にする期間における前記データ線の電位を負極性書込に対応させるならば、前記走査線をオフ電位に遷移させた後に、前記蓄積容量における他端の電位を低位側にシフトさせる方法を特徴としている。この方法によれば、上記第１および第２発明と同様に、最終的に画素電極に印加される電圧振幅に比べて、データ線に印加する電圧信号の電圧振幅を小さく抑えることができるので、低消費電力化を図ることが可能になる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１９】
＜１：第１実施形態＞
はじめに、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置について説明する。図１（ａ）は、この液晶表示装置の構成を示す斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ’線の断面図である。
これらの図に示されるように、液晶表示装置１００は、各種素子や画素電極１１８等が形成された素子基板１０１と、対向電極１０８等が形成された対向基板１０２とが、スペーサ１０３を含むシール材１０４によって一定の間隙を保って、互いに電極形成面が対向するように貼り合わせられるとともに、この間隙に例えばＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶１０５が封入された構成となっている。
【００２０】
なお、素子基板１０１には、本実施形態では、ガラスや、半導体、石英などが用いられるが、不透明な基板を用いても良い。ただし、素子基板１０１に、不透明な基板を用いる場合には、透過型ではなく反射型として用いる必要がある。また、シール材１０４は、対向基板１０２の周辺に沿って形成されるが、液晶１０５を封入するために一部が開口している。このため、液晶１０５の封入後に、その開口部分が封止材１０６によって封止されている。
【００２１】
次に、素子基板１０１の対向面であって、シール材１０４の外側一辺に位置する領域１５０ａには、データ線を駆動するための回路（詳細については後述する）が形成されている。さらに、この一辺の外周部分には、複数の実装端子１０７が形成されて、外部回路から各種信号を入力する構成となっている。
【００２２】
また、この一辺に隣接する２辺に位置する領域１３０ａには、それぞれ走査線や容量線などを駆動するため回路（詳細については後述する）が形成されて、行（Ｘ）方向の両側から駆動する構成となっている。また、残りの一辺には、２個の領域１３０ａに形成される回路において共用される配線（図示省略）などが設けられる。なお、行方向に供給される信号の遅延が問題にならないのであれば、これらの信号を出力する回路を片側１個の領域１３０ａのみに形成する構成でも良い。
【００２３】
一方、対向基板１０２に設けられる対向電極１０８は、素子基板１０１との貼合部分における４隅のうち、少なくとも１箇所に設けられた銀ペースト等などの導通材によって、素子基板１０１に形成された実装端子１０７と電気的に接続されて、時間的に一定の電位ＬＣcomに維持される構成となっている。
ほかに、対向基板１０２には、特に図示はしないが、画素電極１１８と対向する領域に、必要に応じて着色層（カラーフィルタ）が設けられる。ただし、後述するプロジェクタのように色光変調の用途に適用する場合、対向基板１０２に着色層を形成する必要はない。また、着色層を設けると否かとにかかわらず、光のリークによるコントラスト比の低下を防止するために、画素電極１１８と対向する領域以外の部分には遮光膜が設けられている（図示省略）。
【００２４】
また、素子基板１０１および対向基板１０２の各対向面には、液晶１０５における分子の長軸方向が両基板間で約９０度連続的に捻れるようにラビング処理された配向膜が設けられる一方、その各背面側には配向方向に沿った方向に吸収軸が設定された偏光子がそれぞれ設けられる。これにより、液晶容量（画素電極１１８と対向電極１０８との間において液晶１０５を挟持してなる容量）に印加される電圧実効値がゼロであれば、透過率が最大になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて、透過率が徐々に減少して、ついには透過率が最小になる構成となっている。すなわち、本実施形態では、ノーマリーホワイトモードの構成となっている。
【００２５】
なお、配向膜や偏光子などについては、本件とは直接関係しないので、その図示については省略することにする。また、図１（ｂ）において、対向電極１０８や、画素電極１１８、実装端子１０７などには厚みを持たせているが、これは、位置関係を示すための便宜的な措置であり、実際には、基板の厚みに対して視認できないほどに薄い。
【００２６】
＜１−１：電気的な構成＞
次に、本実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成について説明する。図２は、この電気的な構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、走査線１１２および容量線１１３が、それぞれＸ（行）方向に延在して形成される一方、データ線１１４が、Ｙ（列）方向に延在して形成されて、これらの交差に対応して画素１２０が形成されている。ここで、説明の便宜上、走査線１１２（容量線１１３）の本数を「ｍ」とし、データ線１１４の本数を「ｎ」とすると、画素１２０は、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配列することになる。また、本実施形態では、図面の記載上、ｍ、ｎを偶数とするが、これに限定する趣旨ではない。
【００２７】
ここで、１つの画素１２０について着目すると、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下「ＴＦＴ」と称呼する）１１６のゲートが走査線１１２に接続され、そのソースがデータ線１１４に接続され、さらに、そのドレインが画素電極１１８および蓄積容量１１９の一端に接続されている。上述したように画素電極１１８は、対向電極１０８に対向し、さらに、両電極間に液晶１０５が挟持されて、液晶容量が構成されている。すなわち、液晶容量は、一端を画素電極１１８とし、他端を対向電極１０８として、液晶１０５を挟持した構成となっている。
この構成において、走査線１１２に供給される走査信号がオン電位たるＨレベルになると、ＴＦＴ１１６がオンして、データ線１１４の電位に応じた電荷が液晶容量および蓄積容量１１９に書き込まれることになる。なお、蓄積容量１１９の他端は、本実施形態では、容量線１１３に１行毎に共通接続されている。
【００２８】
さて、Ｙ側について直目すると、シフトレジスタ１３０（走査線駆動回路）は、図３に示されるように、１垂直走査期間（１Ｆ）の最初に供給される転送開始パルスＤＹを、クロック信号ＣＬＹの立ち上がり及び立ち下がりで順番にシフトして、走査信号Ｙｓ１、Ｙｓ２、Ｙｓ３、…、Ｙｓｍを、それぞれ１行目、２行目、３行目、…、ｍ行目の走査線１１２に供給するものである。ここで、走査信号Ｙｓ１、Ｙｓ２、Ｙｓ３、…、Ｙｓｍは、図３に示されるように、互いに重複しないように、１水平走査期間（１Ｈ）毎にアクティブレベル（Ｈレベル）になる。
【００２９】
次に、本実施形態では、フリップフロップ１３２およびセレクタ１３４（蓄積容量駆動回路）が行毎に設けられている。ここで一般的に、ｉ（ｉは、１≦ｉ≦ｍを満たす整数）行目に対応するフリップフロップ１３２のクロックパルス入力端Ｃｐには、ｉ行目に対応する走査信号Ｙｓｉの反転信号が供給され、また、そのデータ入力端Ｄには、１垂直走査期間（１Ｆ）毎に論理レベルが反転する信号ＦＲ（図３参照）が供給されている。このため、ｉ行目のフリップフロップ１３２は、走査信号Ｙｓｉの立ち下がりにおいて、信号ＦＲをラッチして、選択制御信号Ｃｓｉとして出力することになる。
【００３０】
続いて、一般的にｉ行目のセレクタ１３４は、選択制御信号Ｃｓｉの論理レベルがＨレベルであれば入力端Ａを選択する一方、Ｌレベルであれば入力端Ｂを選択し、容量スイング信号Ｙｃｉとしてｉ行目の容量線１１３に供給するものである。
ここで、奇数行目のセレクタ１３４における入力端Ａの電位は、高位側の容量電位Ｖst(+)であり、その入力端Ｂの電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)である。一方、偶数行目のセレクタ１３４における入力端Ａの電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)であり、その入力端Ｂの電位は、高位側の容量電位Ｖst(+)である。
すなわち、奇数行のセレクタ１３４と、偶数行のセレクタ１３４とでは、入力端Ａ、Ｂの容量電位が、互いに入れ替えられた関係となっている。
【００３１】
一方、Ｘ側に着目すると、シフトレジスタ１５０は、図４に示されるように、転送開始パルスＤＸを、クロック信号ＣＬＸの立ち上がり及び立ち下がりで順番にシフトして、互いに排他的にアクティブレベル（Ｈレベル）となるサンプリング制御信号Ｘｓ１、Ｘｓ２、…、Ｘｓｎを、それぞれ出力するものである。ここで、サンプリング制御信号Ｘｓ１、Ｘｓ２、…、Ｘｓｎは、互いに重複しないように、順次アクティブレベル（Ｈレベル）になる。
【００３２】
さて、シフトレジスタ１５０の出力側には、第１のサンプリングスイッチ１５２、第１のラッチ回路１５４、第２のサンプリングスイッチ１５６、第２のラッチ回路１５８およびＤ／Ａ変換器１６０が、それぞれデータ線１１４の１列毎に設けられる。
このうち、一般的にｊ（ｊは、１≦ｊ≦ｎを満たす整数）列目に対応する第１のサンプリングスイッチ１５２は、サンプリング制御信号Ｘｓｊがアクティブレベルになるとオンして、階調データＤａｔａをサンプリングするものである。
【００３３】
ここで、階調データＤａｔａは、画素１２０の階調（濃度）を指示する４ビットのディジタルデータである。このため、本実施形態に係る液晶表示装置にあって、画素１２０は、４ビットの階調データＤａｔａにしたがって１６（＝２4）階調の表示を行うことになる。なお、階調データＤａｔａは、実装端子１０７（図１参照）を介して、図示せぬ外部回路から所定のタイミングで供給される構成となっている。
【００３４】
続いて、ｊ列目に対応する第１のラッチ回路１５４は、同じくｊ列目に対応する第１のサンプリングスイッチ１５２によってサンプリングされた階調データＤａｔａをラッチするものである。
次に、ｊ列目に対応する第２のサンプリングスイッチ１５６は、同じくｊ列目に対応する第１のラッチ回路１５４によってラッチされた階調データＤａｔａを、ラッチパルスＬＰがアクティブレベル（Ｈレベル）になったときに、サンプリングするものである。
さらに、ｊ列目に対応する第２のラッチ回路１５８は、同じくｊ列目に対応する第２のサンプリングスイッチ１５６によってサンプリングされた階調データＤａｔａをラッチするものである。
【００３５】
そして、ｊ列目のＤ／Ａ変換器１６０は、同じくｊ列目に対応する第２のラッチ回路１５８によってラッチされた階調データＤａｔａを、信号ＰＳの論理レベルに対応する極性側のアナログ信号に変換して、データ信号Ｓｊとして出力するものである。
ここで、信号ＰＳは、その論理レベルがＨレベルである場合に、画素１２０への正極性書込を指示する一方、その論理レベルがＬレベルである場合に、画素１２０への負極性書込を指示する信号であって、本実施形態では、図３または図４に示されるように１水平走査期間（１Ｈ）毎に論理レベルが反転する。さらに、信号ＰＳの論理レベルは、同一の水平走査期間についてみた場合、１垂直走査期間毎でも反転する（図３の括弧書参照）。すなわち、本実施形態では、走査線１１２毎に極性反転（行反転）が行われる構成となっている。
【００３６】
なお、本実施形態において、画素１２０または液晶容量における極性反転とは、液晶容量の他端たる対向電極１０８の電位を基準として、その電圧レベルを交流反転させることをいう。
また、図２において、シフトレジスタ１３０、フリップフロップ１３２およびセレクタ１３４は、画素１２０の配列領域に対して左方のみに配列しているが、実際には、図１に示されるように、左右対称に右方にも配列して、左右の両側からそれぞれ走査線および容量線を駆動する構成となっている。
【００３７】
＜１−２：Ｙ側の動作＞
次に、上述した構成に係る液晶表示装置の動作のうち、Ｙ側の動作について説明する。ここで、図３は、この液晶表示装置におけるＹ側の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【００３８】
この図に示されるように、垂直走査期間の最初に供給される転送開始パルスＤＹが、シフトレジスタ１３０（図２参照）により、クロック信号ＣＬＹの立ち上がり及び立ち下がりにしたがってシフトされて、１水平走査期間１Ｈ毎に、順次排他的にＨレベルになる走査信号Ｙｓ１、Ｙｓ２、Ｙｓ３、…、Ｙｓｍとして出力される。
【００３９】
ここで、最初の１垂直走査期間（１Ｆ）において、信号ＦＲがＨレベルである場合であって、走査信号Ｙｓ１がＨレベルになったとき、信号ＰＳはＨレベルになる（１行目の走査線１１２に位置する画素１２０に対して正極性書込が指示される）。この後、走査信号Ｙｓ１の立ち下がりにおいて、１行目のフリップフロップ１３２は、当該信号ＦＲをラッチする。
このため、１行目のフリップフロップ１３２による選択制御信号Ｃｓ１は、走査信号Ｙｓ１の立ち下がると（すなわち、１行目に位置する画素１２０のＴＦＴ１１６がオフすると）、Ｈレベルに遷移する結果、１行目のセレクタ１３４は、その入力端Ａを選択するので、１行目の容量線１１３に供給される容量スイング信号Ｙｃ１は、高位側の容量電位Ｖst(+)になる。
したがって、走査信号Ｙｓ１がＨレベルになると、正極性書込が指示され、この後、当該走査信号Ｙｓ１がＬレベルに立ち下がると、容量スイング信号Ｙｃ１が、高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移する構成となっている。
【００４０】
次に、走査信号Ｙｓ２がＨレベルになったときに、信号ＰＳはＬレベルに反転する（２行目の走査線１１２に位置する画素１２０に対して負極性書込が指示される）。この後、走査信号Ｙｓ２の立ち下がりにおいて、２行目のフリップフロップ１３２が当該信号ＦＲをラッチするので、選択制御信号Ｃｓ２は、走査信号Ｙｓ２の立ち下がると（すなわち、２行目に位置する画素１２０のＴＦＴ１１６がオフすると）、Ｈレベルに遷移する結果、２行目のセレクタ１３４は、その入力端Ａを選択する。
ただし、偶数行のセレクタ１３４は、奇数行のセレクタ１３４とは、入力端Ａ、Ｂに供給されている容量電位が、互いに入れ替えられているので（図２参照）、２行目の容量線１１３に供給される容量スイング信号Ｙｃ２は、走査信号Ｙｓ２の立ち下がりにおいて、低位側の容量電位Ｖst(-)になる。
したがって、走査信号Ｙｓ２がＨレベルになると、負極性書込が指示され、この後、当該走査信号Ｙｓ２がＬレベルに立ち下がると、容量スイング信号Ｙｃ２が、低位側の容量電位Ｖst(-)に遷移する構成となっている。
【００４１】
以下同様な動作が、３行目、４行目、５行目、…、ｍ行目のフリップフロップ１３２およびセレクタ１３４において繰り返し行われることになる。すなわち、信号ＦＲがＨレベルである１垂直走査期間（１Ｆ）において、ｉ行目の走査線１１２に供給される走査信号ＹｓｉがＨレベルになると、ｉが奇数であれば、正極性書込が指示され、この後、当該走査信号ＹｓｉがＬレベルに立ち下がると、ｉ行目の容量線１１３に供給される容量スイング信号Ｙｃｉは、低位側の容量電位Ｖst(-)から高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移する一方、ｉが偶数であれば、負極性書込が指示され、この後、当該走査信号ＹｓｉがＬレベルに立ち下がると、容量スイング信号Ｙｃｉは、高位側の容量電位Ｖst(+)から低位側の容量電位Ｖst(-)に遷移することになる。
【００４２】
なお、次の垂直走査期間では、信号ＦＲはＬレベルになる。このため、ｉ行目の走査線１１２に供給される走査信号ＹｓｉがＨレベルからＬレベルになったとき、ｉ行目の容量線１１３に供給される容量スイング信号Ｙｃｉは、ｉが奇数であれば、高位側の容量電位Ｖst(+)から低位側の容量電位Ｖst(-)に遷移する一方、ｉが偶数であれば、低位側の容量電位Ｖst(-)から高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移することになる。
ただし、信号ＰＳの論理レベルも反転するので、正極性書込が指示された後、走査信号ＹｓｉがＬレベルに立ち下がると、容量スイング信号Ｙｃｉは、低位側の容量電位Ｖst(-)から高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移する一方、負極性書込が指示された後、走査信号ＹｓｉがＬレベルに立ち下がると、容量スイング信号Ｙｃｉが、高位側の容量電位Ｖst(+)から低位側の容量電位Ｖst(-)に遷移する点に変わりはない。
【００４３】
＜１−３：Ｘ側の動作＞
次に、液晶表示装置の動作のうち、Ｘ側の動作について説明する。ここで、図４は、この液晶表示装置におけるＸ側の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【００４４】
まず、図４において、１行目の走査線１１２に供給される走査信号Ｙｓ１がＨレベルになる１水平走査期間（図において▲１▼で示される期間）について着目すると、当該期間に先んじて、１行１列、１行２列、…、１行ｎ列の画素に対応する階調データＤａｔａが順番に供給される。このうち、１行１列の画素に対応する階調データＤａｔａが供給されるタイミングにおいて、シフトレジスタ１５０から出力されるサンプリング制御信号Ｘｓ１がＨレベルになると、１列目に対応する第１のサンプリングスイッチ１５２のオンにより、当該階調データが、同じく１列目に対応する第１のラッチ回路１５４にラッチされる。
【００４５】
次に、１行２列のドットに対応する階調データＤａｔａが供給されるタイミングにおいて、サンプリング制御信号Ｘｓ２がＨレベルになると、２列目に対応する第１のサンプリングスイッチ１５２のオンにより、当該階調データが、同じく２列目に対応する第１のラッチ回路１５４にそれぞれラッチされ、以下同様にして、１行ｎ列のドットに対応する階調データＤａｔａが、ｎ列目に対応する第１のラッチ回路１５４にそれぞれラッチされる。これにより、１行目に位置するｎ個の画素に対応する階調データＤａｔａが、１列目、２列目、…、ｎ列目に対応する第１のラッチ回路１５４にそれぞれラッチされることになる。
【００４６】
続いて、ラッチパルスＬＰが出力されると（その論理レベルがＨレベルになると）、それぞれ１列目、２列目、…、ｎ列目に対応する第１のラッチ回路１５４にそれぞれラッチされた階調データＤａｔａが、第２のサンプリングスイッチ１５６のオンにより、それぞれに対応する列の第２のラッチ回路１５８に、一斉にラッチされることになる。
【００４７】
そして、１列目、２列目、…、ｎ列目に対応する第２のラッチ回路１５８にそれぞれラッチされた階調データＤａｔａが、それぞれに対応する列のＤ／Ａ変換器１６０によって、信号ＰＳの論理レベルに対応する極性側のアナログ信号に変換されて、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎとして出力される。
この際、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電位は、信号ＰＳがＨレベルであれば、正極性書込に対応したもの、詳細には、正極側の白レベルに対応する電位Ｖwt(+)から、正極側の黒レベルに対応する電位Ｖbk(+)までの範囲において、階調データＤａｔａに対応したものとなる。
【００４８】
続いて、２行目の走査線１１２に供給される走査信号Ｙｓ２がＨレベルになる１水平走査期間（図において▲２▼で示される期間）について着目すると、当該期間に先んじて、２行１列、２行２列、…、２行ｎ列の画素に対応する階調データＤａｔａが順番に供給されて、走査信号Ｙｓ１がＨレベルになる期間と同様な動作が実行される。
すなわち、第１に、サンプリング制御信号Ｘｓ１、Ｘｓ２、…、Ｘｓｎが順番にＨレベルになると、２行１列、２行２列、…、２行ｎ列の画素に対応する階調データＤａｔａが、１列目、２列目、…、ｎ列目に対応する第１のラッチ回路１５４にそれぞれにラッチされ、この後、第２に、ラッチパルスＬＰの出力により、ラッチされた階調データＤａｔａが、対応する列の第２のラッチ回路１５８に一斉にラッチされて、第３に、それぞれに対応する列のＤ／Ａ変換器１６０によって、信号ＰＳの論理レベルに対応する極性側のアナログ信号に変換されて、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎとして出力される。
ただし、この水平走査期間▲２▼では、信号ＰＳがＬレベルに反転するので、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電位は、負極性書込に対応したもの、詳細には、負極側の白レベルに対応する電位Ｖw t(-)から、負極側の黒レベルに対応する電位Ｖbk(-)までの範囲において、階調データＤａｔａに対応したものとなる。
【００４９】
以下、同様な動作が、走査信号Ｙｓ３、Ｙｓ４、…、ＹｓｍがＨレベルになる毎に、繰り返し実行されることになる。
すなわち、ｉ行目の走査線１１２に供給される走査信号ＹｓｉがＨレベルになる１水平走査期間に先んじて、ｉ行１列、ｉ行２列、…、ｉ行ｎ列の画素に対応する階調データＤａｔａが順番に供給されて、１列目、２列目、…、ｎ列目に対応する第１のラッチ回路１５４にそれぞれにラッチされ、この後、ラッチパルスＬＰの出力により、対応する列の第２のラッチ回路１５８に一斉にラッチされて、それぞれに対応する列のＤ／Ａ変換器１６０によって、信号ＰＳの論理レベルに対応する極性側のアナログ信号に変換されて、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎとして出力される。
この際、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電位は、ｉが奇数であれば、信号ＰＳがＨレベルとなるので、正極性書込に対応したものとなる一方、ｉが偶数であれば、信号ＰＳがＬレベルとなるので、負極性書込に対応したものとなる。
【００５０】
なお、次の垂直走査期間では、同様な動作が実行されるが、信号ＰＳは、同一の水平走査期間についてみた場合、１垂直走査期間毎に反転するので、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電位は、ｉが奇数であれば、負極性書込に対応したものとなる一方、ｉが偶数であれば、正極性書込に対応したものとなる。
【００５１】
＜１−４：蓄積容量および液晶容量における動作＞
続いて、上述したようなＹ側およびＸ側の動作が行われた場合に、蓄積容量および液晶容量における動作について説明する。図５（ａ）、図５（ｂ）および図５（ｃ）の各々は、これらの容量における電荷の蓄積動作を説明するための図である。
なお、これらの図の左方における２つの升は、それぞれ蓄積容量および液晶容量を示している。詳細には、升の底面積が、それぞれ蓄積容量Ｃstg（１１９）および液晶容量ＣLCの大きさを示し、升に溜められた水が電荷を示し、その高さが電圧を示している。
【００５２】
ここで、説明の便宜上、ｉ行ｊ列に位置する画素１２０において、正極性書込を行う場合を例にとって簡略的に説明する。なお、低位側の容量電位Ｖst(-)と、対向電極１０８の電位ＬＣcomとは、後述するように実際には異なっているが、ここでは、説明簡略化のために、互いに等しいものとして扱う。
【００５３】
まず、走査信号ＹｓｉがＨレベル（オン電位）になると、当該画素のＴＦＴ１１６がオンするので、図５（ａ）に示されるように、当該画素の蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCには、データ線Ｓｊの電位に応じた電荷が蓄積される。この際、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCにおいて充電された書込電圧をＶ0とする。
【００５４】
次に、走査信号ＹｓｉがＬレベル（オフ電位）になると、当該画素のＴＦＴ１１６がオフするとともに、正極性書込では、ｉ行目の容量線１１３に供給される容量スイング信号Ｙｃｉの電位が、上述したように低位側の容量電位Ｖst(-)から高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移する。このため、図５（ｂ）に示されるように、蓄積容量Ｃstgにおける充電電圧が、その遷移分である電圧Ｖ1だけ持ち上がる。ここで、Ｖ1＝｛Ｖst(+)−Ｖst(-)｝である。
【００５５】
ただし、蓄積容量Ｃstgの一端は、画素電極１１８に接続されているので、図５（ｃ）に示されるように、電圧が持ち上げられた蓄積容量Ｃstgから液晶容量ＣLCに電荷が受け渡される。そして、両容量における電位差がなくなると、電荷の受け渡しが終了するので、両容量における充電電圧は、最終的に電圧Ｖ2になる。この電圧Ｖ2は、ＴＦＴ１１６のオフ時におけるほとんどの期間において液晶容量ＣLCに印加され続けることになるので、液晶容量ＣLCには、実効的に、ＴＦＴ１１６のオン時から電圧Ｖ2が印加されたものとみなすことができる。
【００５６】
ここで、電圧Ｖ2は、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCを用いると、次式(1)のように表すことができる。
Ｖ2＝Ｖ0＋Ｖ1・Ｃstg／（Ｃstg＋ＣLC） ……(1)
【００５７】
さて、蓄積容量Ｃstgが液晶容量ＣLCよりも充分に大きいのであれば、式(1)は、次式(2)のように近似される。
Ｖ2＝Ｖ0＋Ｖ1 ……(2)
すなわち、液晶容量ＣLCに最終的に印加される電圧Ｖ2は、初期書込電圧Ｖ0から、容量スイング信号Ｙｃｉの持ち上がり分Ｖ1だけ高位側にシフトしたものとして簡略化される。
【００５８】
なお、ここでは、図５（ｂ）および図５（ｃ）の動作を、簡略化のために別々に説明したが、実際には、両者の動作は同時並行的に行われる。また、ここでは、正極性書込を行う場合について説明したが、負極性書込の場合に、蓄積容量Ｃstgが液晶容量ＣLCよりも充分に大きいのであれば、液晶容量ＣLCに最終的に印加される電圧Ｖ2は、初期書込電圧Ｖ0から容量スイング信号Ｙｃｉの遷移分Ｖ1だけ、低位側にシフトすることになる。
【００５９】
さて、ｉ行ｊ列に位置する画素１２０において、実際に正極性書込を行う場合、上述したように、当該画素におけるＴＦＴ１１６のオン時に、ｉ行目の容量線１１３に印加される容量スイング信号Ｙｃｉの電位、すなわち、当該画素における蓄積容量Ｃstg（１１９）の他端の電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)であり、また、液晶容量ＣLCの他端たる対向電極１０８の電位は、一定のＬＣcomである（図６（ａ）参照）。すなわち、蓄積容量Ｃstgにおける充電電圧の基準電位と、液晶容量ＣLCにおける充電電圧の基準電位とは互いに異なっている。
【００６０】
しかしながら、図６（ｂ）に示されるように、ｉ行ｊ列の画素１２０における画素電極１１８の電位Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）は、第１に、ＴＦＴ１１６のオン時に、一旦、ｊ列目のデータ線１１４に供給されるデータ信号Ｓｊの電位になり、第２に、ＴＦＴ１１６のオフ直後に、正極性書込であれば、容量スイング信号Ｙｃｉが低位側の容量電位Ｖst(-)から高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移することによって、高位側にシフトする一方、負極性書込であれば、容量スイング信号Ｙｃｉが高位側の容量電位Ｖst(+)から低位側の容量電位Ｖst(-)に遷移することによって、低位側にシフトする点、および、このシフト量が、データ信号Ｓｊの書込電位と、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCの比とに応じたものとなる点については、図５（ａ）、図５（ｂ）および図５（ｃ）における説明となんら変わるところはない。
【００６１】
なお、図６（ｂ）は、ｉ行ｊ列の画素１２０における画素電極１１８の電位Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）が、ＴＦＴ１１６のオン時に、正極性書込における白レベルに対応する電位Ｖwt(+)であった場合に、ＴＦＴ１１６のオフ直後に、その電位Ｖwt(+)と、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCの比とに応じた分ΔＶwtだけ、高位側にシフトする点と、画素電極１１８の電位Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）が、ＴＦＴ１１６のオン時に、正極性書込における黒レベルに対応する電位Ｖbk(+)であった場合に、ＴＦＴ１１６のオフ直後に、その電位Ｖbk(+)と、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCの比とに応じた分ΔＶbkだけ、高位側にシフトする点と、画素電極１１８の電位Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）が、ＴＦＴ１１６のオン時に、負極性書込における白レベルに対応する電位Ｖwt(-)であった場合に、ＴＦＴ１１６のオフ直後に、その電位Ｖwt(-)と、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCの比とに応じた分ΔＶwtだけ、低位側にシフトする点と、画素電極１１８の電位Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）が、ＴＦＴ１１６のオン時に、負極性書込における黒レベルに対応する電位Ｖbk(-)であった場合に、ＴＦＴ１１６のオフ直後に、その電位Ｖbk(+)と、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCの比とに応じた分ΔＶbkだけ、低位側にシフトする点と、の計４点を示している。
【００６２】
このように、本実施形態によれば、データ線１１４に供給されるデータ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電圧振幅以上に、画素電極１１８の電位が変位することになる。すなわち、本実施形態によれば、データ信号の電圧振幅範囲が狭くても、その範囲以上に、液晶容量に印加される電圧実効値が拡大することになる。このため、従来では、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力段に設けられて、データ信号の電圧を拡大するためのレベルシフタが不要となるので、その分、回路配置に余裕が生じるだけでなく、電圧拡大することに伴って消費されていた電力もなくすことができる。さらに、Ｘ側におけるシフトレジスタ１５０からＤ／Ａ変換器１６０までに至る回路をすべて低電圧で駆動することができるので、これらの回路を構成する素子（ＴＦＴ）が小さくて済む。このため、データ線１１４のピッチを、より狭くすることができるので、高精細化を図ることが容易となる。
【００６３】
さらに、本実施形態では、蓄積容量Ｃstgの他端を前行の走査線１１２に接続するとともに、走査線を多値で駆動する方法（例えば、特開平２−９１３号公報や、特開平４−１４５４９０号公報に記載の技術参照）と比較すると、次のような利点がある。
すなわち、走査線を多値で駆動する方法では、走査線に蓄積容量が接続される分、負荷が大きくなる。一方、一般に走査線に供給される走査信号の電圧振幅は、データ線に供給されるデータ信号の電圧振幅よりも大きい（図６（ａ）参照）。このため、走査線を多値で駆動する方法では、負荷が付加された走査線を高電圧振幅することにより消費される電力を考えると、低消費電力化を図ることが困難である。
これに対し、本実施形態では、蓄積容量Ｃstg（１１９）の他端を、容量線１１３に供給される容量スイング信号によって持ち上げ、または、持ち下げることで、液晶容量に印加される電圧実効値を拡大しているので、走査線に付加される容量に変更はなく、また、データ信号の電圧振幅が小さく抑えられる分、走査信号の電圧振幅を小さくできるので、さらなる低消費電力化も可能になる。
【００６４】
また、本実施形態では、対向電極の電位を一定の期間（例えば１水平走査期間）毎にシフトする（持ち上げる、または、持ち下げる）方法と比較すると、次のような利点がある。すなわち、対向電極の電位をシフトすると、当該対向電極に寄生するすべての容量が一斉に影響を受けるので、意外に低消費電力化を図ることができない。
これに対し、本実施形態では、容量線１１３の電位が１水平走査期間毎に順番にシフトするだけであるので、１水平走査期間でみれば、１本の容量線１１３に寄生する容量だけが影響を受ける。このため、本実施形態によれば、対向電極の電位をシフトする方法と比較すると、電位のシフトにより影響を受ける容量が圧倒的に少ないので、低消費電力化において有利である。
【００６５】
＜１−５：考察＞
ところで、上述したように、蓄積容量Ｃstgが、液晶容量ＣLCよりも充分に大きいのであれば、液晶容量ＣLCに最終的に印加される電圧Ｖ2は、初期書込電圧Ｖ0から、容量スイング信号Ｙｃｉの電位遷移分（蓄積容量のおける他端の電位遷移分）だけ、高位側または低位側にシフトしたものとして取り扱うことができる。
ただし、実際には、回路素子や配線等におけるレイアウトの制約により、蓄積容量Ｃstgを、液晶容量ＣLCよりも数倍程度とするのが限界であるので、容量スイング信号Ｙｃｉの電位遷移分（持ち上げまたは持ち下げ分）が、そのまま、画素電極における電位遷移分にはならない。すなわち、容量スイング信号Ｙｃｉの電位遷移分が、圧縮されて、画素電極１１８における電位遷移分として反映されることになる。
【００６６】
ここで、図７は、この圧縮率が蓄積容量Ｃstg／液晶容量ＣLCの比率に対してどのように変化するかを、シミュレートした図である。例えば、蓄積容量のおける他端の電位遷移分が２．０ボルトである場合に、画素電極の電位シフト分が１．５ボルトであるとき、圧縮率は７５％となる。
この図に示されるように、蓄積容量Ｃstg／液晶容量ＣLCの比率が大きくなるにつれて、圧縮率が大きくなるとともに、やがて飽和することが判る。特に、蓄積容量Ｃstg／液晶容量ＣLCの比率が「４」を越える付近から、圧縮率が８０％強で飽和することが判る。ここで、蓄積容量Ｃstg／液晶容量ＣLCの比率が「４」程度であれば、電圧振幅の減少分も約２０％弱と少なく、レイアウト的にも現実的である。
【００６７】
ところで、電圧振幅の減少分を補償するためには、第１に、データ線１１４に供給するデータ信号の初期書込電圧の振幅を増加させることが考えられるが、これは、本発明における目的と相反することであるから、安易に採用することはできない。特に、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力電圧振幅が、シフトレジスタ１５０から第２のラッチ回路１５８までに至る回路の論理レベルの振幅を越える場合、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力段に、その電圧振幅を拡大するためのレベルシフタが必要になるので、消費電力の大幅な削減が困難になる。換言すれば、図２に示される構成において、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力電圧振幅が、シフトレジスタ１５０から第２のラッチ回路１５８までに至る回路の論理レベルの振幅を越えないことが条件となる。
【００６８】
一方、電圧振幅の減少分を補償するためには、第２に、容量スイング信号Ｙｃｉの電位遷移分を増加させることも考えられる。ただし、その電位遷移分をむやみに拡大しても、本来の低消費電力化を図る、という目的を達成することができない。
【００６９】
そこで、本発明者は、容量スイング信号Ｙｃｉの電圧振幅（すなわち、蓄積容量における他端の電位遷移分）と、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力たるデータ信号の最大出力電圧振幅との関係をシミュレートした。これらのシミュレート結果が、図８（ａ）、図８（ｂ）、図８（ｃ）、図９（ａ）、図９（ｂ）および図９（ｃ）のそれぞれに示される。
これらの図のうち、図８（ａ）、図８（ｂ）および図８（ｃ）は、それぞれ、対向電極の電位に対し最終的に画素電極に印加される電圧を、白レベルについて±１．２ボルトで固定とした場合に、黒レベルについて±２．８ボルト、±３．３ボルト、±３．８ボルトとして変化させたときの図である。
また、図９（ａ）、図９（ｂ）および図９（ｃ）は、それぞれ、対向電極の電位に対し最終的に画素電極に印加される電圧を、黒レベルについて±３．３ボルトで固定とした場合に、白レベルについて±０．７ボルト、±１．２ボルト、±１．７ボルトとして変化させたときの図である。
なお、これらの図においては、いずれも蓄積容量Ｃstgをパラメータとし、また、ノーマリーホワイトモードを想定している。また、このシミュレート対象となる液晶容量としては、画素電極のサイズが５０μｍ×１５０μｍであり、画素電極および対向電極の間の距離（セルギャップ）が４．０μｍであり、液晶の比誘電率が白レベルにおいて４．０であって、黒レベルにおいて１２．０であるものを用いた。
【００７０】
さて、これらのシミュレート結果のいずれにおいても、データ信号の最大出力電圧振幅は、容量スイング信号Ｙｃｉの電圧振幅に対して最小値を有することが判る。このうち、図８（ａ）、図８（ｂ）および図８（ｃ）では、黒レベルに対応する電圧が大きくなるにつれて、Ｖ字状特性のうち、左側部分の最大出力電圧振幅だけが大きくなっているが、右側部分が変化していないことが判る。一方、図９（ａ）、図９（ｂ）および図９（ｃ）では、白レベルに対応する電圧が大きくなるにつれて、Ｖ字状特性のうち、右側部分の最大出力電圧振幅だけが大きくなっているが、左側部分が変化していないことが判る。
したがって、これらのことから、データ信号の最大出力電圧振幅における最小値は、白／黒レベルに対応する電圧と、蓄積容量Ｃstgとで定まることが判る。
【００７１】
ここで例えば、図８（ａ）におけるＶ字状特性のうちの左側部分と、図９（ｃ）におけるＶ字状特性のうちの右側部分とをあわせて考えた場合、容量スイング信号Ｙｃｉの電圧振幅が１．８〜３．５ボルト程度の範囲であれば、データ信号の最大出力電圧振幅を、５．０ボルト以下に抑えることができる。
特に、蓄積容量Ｃstgを比較的自由に設計できる場合、蓄積容量Ｃstgを６００ｆＦ（ファムトファラッド）程度にすると、データ信号の最大出力電圧振幅を、４．０ボルト以下に抑えることもできる。
したがって、シフトレジスタ１５０から第２のラッチ回路１５８までに至る回路の論理レベルの振幅が５．０ボルトである、という条件によって、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力たるデータ信号の最大出力電圧振幅が５．０ボルト以内に抑えられても、本実施形態では、液晶容量に対して十分な書き込みを行うことが可能である、ということができる。
【００７２】
＜２：第２実施形態＞
さて、上述した第１実施形態にあっては、容量線１１３が、１行の画素１２０にわたって共用された構成となっていた。このため、液晶容量を交流駆動するに際し、走査線毎の反転（行反転）、または、垂直走査期間毎の反転（フレーム反転）しか採用することができないので、消費電力が増える方向の要因が依然として残っていることになる。
【００７３】
そこで、この欠点を、多少なりとも改善した第２実施形態について説明することにする。なお、この第２実施形態に係る液晶表示装置の全体構成については、図１に示される第１実施形態と同様であるので、その説明を省略して、電気的な構成から説明することにする。
【００７４】
図１０は、本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、第２実施形態では、画素１２０が配列する領域が、境界線１０によって左半分領域Ｌと右半分領域Ｒとに分けられている。ここで、説明の便宜上、１列目からｂ列目までのデータ線１１４が左半分領域Ｌに含まれ、（ｂ＋１）列目からｎ列目までのデータ線１１４が右半分領域Ｒに含まれるとする。
【００７５】
一方、走査線１１２が１行毎に共用される点においては第１実施形態と共通である。ただし、本実施形態において、容量線１１３は、境界線１０にて分断されている。このため、第２実施形態では、容量線１１３は、１行におけるすべての画素１２０にわたって共用されるのではなく、１行において、左半分領域Ｌの画素１２０と、右半分領域Ｒの画素１２０とにおいて別々に共用された構成となっている。
【００７６】
次に、左半分領域Ｌおよび右半分領域Ｒにおけるシフトレジスタ１３０、フリップフロップ１３２およびセレクタ１３４の構成は、第１実施形態と変わらないが（図２では右半分領域に相当する同構成が省略されていたが）、右半分領域Ｒを担当するセレクタ１３４の入力端Ａ、Ｂに供給されている電位が、左半分領域Ｌを担当するセレクタ１３４の入力端Ａ、Ｂに供給されている電位と、同一行でみて互いに入れ替えられた関係となっている。
【００７７】
詳細には、奇数行にあって、左半分領域Ｌを担当するセレクタ１３４の入力端Ａの電位は、高位側の容量電位Ｖst(+)であり、その入力端Ｂの電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)であるが、右半分領域Ｒを担当するセレクタ１３４の入力端Ａの電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)であり、その入力端Ｂの電位は、高位側の容量電位Ｖst(+)となっている。一方、偶数行にあって、左半分領域Ｌを担当するセレクタ１３４の入力端Ａの電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)であり、その入力端Ｂの電位は、高位側の容量電位Ｖst(+)であるが、右半分領域Ｒを担当するセレクタ１３４の入力端Ａの電位は、高位側の容量電位Ｖst(+)であり、その入力端Ｂの電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)となっている。
このため、ｉ行目にあって、右半分領域Ｒを担当するセレクタ１３４の容量スイング／（反転を意味する）Ｙｓｉと、左半分領域Ｌを担当するセレクタ１３４の容量スイングＹｓｉとでは、容量電位の関係が入れ替えられた関係になる。
【００７８】
さて、Ｘ側においては、第１実施形態と同様に、シフトレジスタ１５０、第１のサンプリングスイッチ１５２、第１のラッチ回路１５４、第２のサンプリングスイッチ１５６、第２のラッチ回路１５８およびＤ／Ａ変換器１６０が設けられるが、右半分領域Ｒを担当するＤ／Ａ変換器１６０には、信号ＰＳの反転信号が供給される構成となっている。
このため、左半分領域Ｌのデータ線１１４に供給されるデータ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｂと、右半分領域Ｒのデータ線１１４に供給されるデータ信号Ｓ（ｂ＋１）、Ｓ（ｂ＋２）、…、Ｓｎとは、図１１に示されるように、互いに逆極性になる。
【００７９】
したがって、第２実施形態では、走査線毎の反転とともに、左半分領域Ｌと右半分領域とで互いに異なる極性の書き込みが行われることになる。このため、第２実施形態では、単なる走査線毎の反転が行われる第１実施形態と比較して、対向電極１０８への突入電流が減少するので、より低消費電力化が可能になる。
【００８０】
＜３：第３実施形態＞
ところで、第２実施形態にあっては、確かに第１実施形態と比較して、低消費電力化が図られると考えるが、容量線１１３が、境界線１０で分断されるため、その時定数が上昇する方向に作用する。このため、たとえ同一濃度になるように指示しても、境界線１０を挟んで位置する画素１２０同士において、濃度差が生じて、表示品位が低下する可能性がある。
【００８１】
そこで、このような表示品位が低下する欠点を、改善した第３実施形態について説明することにする。なお、この第３実施形態に係る液晶表示装置の全体構成については、すでに説明した第１および第２実施形態と同様であるので、その説明を省略して、電気的な構成から説明することにする。
【００８２】
図１２は、本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、第３実施形態では、走査線１１２が１行毎に設けられる点においては、第１実施形態と共通であるが、容量線１１３の替わりに選択信号線１７３とともに、新たに、高位容量線１７５および低位容量線１７７が行毎に設けられる点において第１実施形態と相違している。
ここで、ｉ行目の選択信号線１７３には、同じくｉ行目のフリップフロップ１３２による選択制御信号Ｃｓｉが直接供給されている。また、高位容量線１７５には、高位側の容量電位Ｖst(+)が印加される一方、低位容量線１７７には、低位側の容量電位Ｖst(-)が印加されている。このため、第２実施形態では、行毎に設けられていたセレクタ１３４が廃されている。
【００８３】
また、第３実施形態では、選択信号線１７３、高位容量線１７５および低位容量線１７７が行毎に新たに設けられる点に関連して、画素１２０の構成についても第１実施形態から変更されている。
すなわち、第３実施形態にあって、奇数行・奇数列および偶数行・偶数列の画素１２０における蓄積容量１１９の他端と低位容量線１７７との間にはＰチャネル型ＴＦＴ１８１が介挿され、また同じく蓄積容量１１９の他端と高位容量線１７５との間にはＮチャネル型ＴＦＴ１８３が介挿されている。そして、Ｐチャネル型ＴＦＴ１８１およびＮチャネル型ＴＦＴ１８３のゲートは、ともに選択信号線１７３に共通接続されている。
このため、奇数行・奇数列および偶数行・偶数列の画素１２０における蓄積容量１１９の他端は、選択信号線１７３がＨレベルであれば、高位側の容量電位Ｖst(+)になり、選択信号線１７３がＬレベルであれば、低位側の容量電位Ｖst(-)になる構成となっている。
【００８４】
一方、奇数行・偶数列および偶数行・奇数列の画素１２０においては、Ｐチャネル型ＴＦＴ１８１およびＮチャネル型ＴＦＴ１８３の介挿関係が、奇数行・奇数列および偶数行・偶数列の画素１２０と入れ替わっている。
すなわち、奇数行・偶数列および偶数行・奇数列の画素１２０における蓄積容量１１９の他端と低位容量線１７７との間にはＮチャネル型ＴＦＴ１８３が介挿され、また同じく蓄積容量１１９の他端と高位容量線１７５との間にはＰチャネル型ＴＦＴ１８１が介挿されている。
このため、奇数行・偶数列および偶数行・奇数列の画素１２０における蓄積容量１１９の他端は、選択信号線１７３がＨレベルであれば、低位側の容量電位Ｖst(-)になり、選択信号線１７３がＬレベルであれば、高位側の容量電位Ｖst(+)になる構成となっている。
結局、第３実施形態では、奇数行・奇数列および偶数行・偶数列における蓄積容量１１９の他端と、奇数行・偶数列および偶数行・奇数列における蓄積容量１１９の他端とには、互いに異なる容量電位になる構成となっている。
【００８５】
さらに、第３実施形態では、シフトレジスタ１５０、第１のサンプリングスイッチ１５２、第１のラッチ回路１５４、第２のサンプリングスイッチ１５６、第２のラッチ回路１５８およびＤ／Ａ変換器１６０が設けられる点では第１実施形態と同様であるが、偶数列のＤ／Ａ変換器１６０には、信号ＰＳの反転信号が供給される構成となっている。
このため、奇数列のデータ線１１４に供給されるデータ信号Ｓ１、Ｓ３、…、Ｓ（ｎ−１）と、偶数列のデータ線１１４に供給されるデータ信号Ｓ２、Ｓ４、…、Ｓｎとは、図１３に示されるように、互いに逆極性になる。
【００８６】
したがって、第３実施形態では、すべての隣り合う画素に対して極性反転される、いわゆる画素反転が行われることになる。このため、第３実施形態では、第２実施形態と比較して、突入電流が大幅に減少するので、さらなる低消費電力化が可能となる上、フリッカ等による表示品位の低下も防止されることになる。
【００８７】
なお、第３実施形態では、奇数行・奇数列および偶数行・偶数列における蓄積容量１１９の他端と、奇数行・偶数列および偶数行・奇数列における蓄積容量１１９の他端とが、互いに異なる容量電位とするとともに、奇数列および偶数列のデータ信号を互いに逆極性として、画素反転を行う構成としたが、単に、奇数列における蓄積容量１１９の他端と、偶数列における蓄積容量１１９の他端とが、互いに異なる容量電位とするとともに、奇数列および偶数列のデータ信号を互いに逆極性として、データ線毎の反転（列反転）を行う構成としても良い。
【００８８】
＜４：液晶表示装置のまとめ＞
なお、上述した第１、第２および第３実施形態にあっては、４ビットの階調データＤａｔａを用いて１６階調表示を行うものとしたが、本発明はこれに限られない。例えば、ビット数を多くして、より多階調としても良いし、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成することによって、カラー表示を行うとしても良い。また、実施形態にあっては、液晶容量の電圧無印加状態において最大透過率となるノーマリーホワイトモードとして説明したが、同状態において最小透過率となるノーマリーブラックモードとしても良い。
【００８９】
さらに、実施形態にあって、素子基板１０１にガラス基板を用いたが、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）の技術を適用し、サファイヤや、石英、ガラスなどの絶縁性基板にシリコン単結晶膜を形成して、ここに各種素子を作り込んで素子基板１０１としても良い。また、素子基板１０１として、シリコン基板などを用いるとともに、ここに各種の素子を形成しても良い。このような場合には、スイッチング素子として、高速な電界効果型トランジスタを用いることができるので、ＴＦＴよりも高速動作が容易になる。ただし、素子基板１０１が透明性を有しない場合、画素電極１１８をアルミニウムで形成したり、別途反射層を形成したりするなどして、反射型として用いる必要がある。
また、実施形態にあっては、データ線１１４と画素電極１１８との間に介挿される第１のスイッチング素子として、ＴＦＴのような三端子型素子を用いたが、ＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）のような二端子型素子を用いても良い。
【００９０】
さらに、上述した実施形態では、液晶としてＴＮ型を用いたが、ＢＴＮ（Bi-stable Twisted Nematic）型・強誘電型などのメモリ性を有する双安定型や、高分子分散型、さらには、分子の長軸方向と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を一定の分子配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させたＧＨ（ゲストホスト）型などの液晶を用いても良い。
また、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、という垂直配向（ホメオトロピック配向）の構成としても良いし、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する、という平行（水平）配向（ホモジニアス配向）の構成としても良い。このように、本発明では、液晶や配向方式として、種々のものに適用することが可能である。
【００９１】
＜５：電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る液晶表示装置を用いた電子機器のいくつかについて説明する。
【００９２】
＜５−１：プロジェクタ＞
まず、上述した液晶表示装置１００をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１４は、このプロジェクタの構成を示す平面図である。
この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。
【００９３】
ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂは、上述した実施形態に係る液晶表示装置１００と基本的には同様である。すなわち、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、それぞれＲＧＢの各原色画像を生成する光変調器として機能するものである。
また、Ｂの光は、他のＲやＧの光と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３および出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【００９４】
さて、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム１１１２において、ＲおよびＢの光は９０度に屈折する一方、Ｇの光は直進する。これにより、各原色画像の合成したカラー画像が、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン１１２０に投射されることになる。
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの各原色に対応する光が入射するので、直視型パネルのようにカラーフィルタを設ける必要がない。
【００９５】
＜５−２：パーソナルコンピュータ＞
次に、上述した液晶表示装置１００を、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１５は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図に示されるように、コンピュータ１２００の本体１２１０には、表示部として用いられる液晶表示装置１００や、光学ディスクの読取・書込ドライブ１２１２、磁気ディスクの読取・書込ドライブ１２１４、ステレオ用スピーカ１２１６などが備えられる。また、キーボード１２２２およびポインティングデバイス（マウス）１２２４は、本体１２１０とは入力信号・制御信号等の授受を、赤外線等を介してワイヤレスで行う構成となっている。
この液晶表示装置１００は、直視型として用いられるので、ＲＧＢの３画素で１ドットが構成されるとともに、各画素に応じてカラーフィルタが設けられる。また、液晶表示装置１００の背面には、暗所での視認性を確保するためのバックライトユニット（図示省略）が設けられる。
【００９６】
＜５−３：携帯電話＞
さらに、上述した液晶表示装置１００を、携帯電話の表示部に適用した例について説明する。図１６は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２のほか、受話口１３０４、送話口１３０６とともに、上述した液晶表示装置１００を備えるものである。なお、この液晶表示装置１００の背面にも、上述したパーソナルコンピュータと同様に、暗所での視認性を確保するためのバックライトユニット（図示省略）が設けられる。
【００９７】
＜５−４：電子機器のまとめ＞
なお、電子機器としては、図１４、図１５および図１６を参照して説明した他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種の電子機器に対して、実施形態や応用・変形例に係る液晶表示装置が適用可能なのは言うまでもない。
【００９８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、画素電極に印加される電圧振幅に比べて、データ線に印加する電圧信号の電圧振幅が小さく抑えられるので、低消費電力化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （ａ）は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の外観構成を示す斜視図であり、（ｂ）は、その線Ａ−Ａ’についての断面図である。
【図２】 同液晶表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図３】 同液晶表示装置におけるＹ側の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図４】 同液晶表示装置におけるＸ側の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図５】 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ同液晶表示装置における画素の書込動作を説明するための図である。
【図６】 （ａ）は、同液晶表示装置における走査信号と容量スイング信号との電圧波形を示す図であり、（ｂ）は、同液晶表示装置において画素電極に印加される電圧波形を示す図である。
【図７】 同液晶表示装置において、液晶容量に対する蓄積容量の比と出力電圧の圧縮率との関係を示す図である。
【図８】 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ蓄積容量の他端における電位シフト量とデータ線の最大出力電圧振幅との関係を示す図である。
【図９】 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ蓄積容量の他端における電位シフト量とデータ線の最大出力電圧振幅との関係を示す図である。
【図１０】 本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図１１】 同液晶表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図１２】 本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図１３】 同液晶表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図１４】 実施形態に係る液晶表示装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【図１５】 実施形態に係る液晶表示装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１６】 実施形態に係る液晶表示装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１００…液晶表示装置
１０５…液晶
１０８…対向電極
１１２…走査線
１１３…容量線
１１４…データ線
１１６…ＴＦＴ（第１のスイッチング素子）
１１８…画素電極
１１９…蓄積容量
１３０…シフトレジスタ（走査線駆動回路）
１３４…セレクタ
１５０…シフトレジスタ
１５２、１５６…スイッチ
１５４、１５８…ラッチ回路
１６０…Ｄ／Ａ変換器（１５０，１５２，１５４，１５６，１５８，１６０によりデータ線駆動回路）
１７３…選択信号線
１７５…高位容量線
１７７…低位容量線
１８１、１８３…ＴＦＴ（第２および第３のスイッチング素子）
１１００…プロジェクタ
１２００…パーソナルコンピュータ
１３００…携帯電話
Claims (7)
- 所定の間隔毎にオン電位になる複数の走査線と、
対向電極と画素電極とにより液晶を挟持してなる液晶容量と、
前記走査線がオン電位である場合に、前記対向電極の電位に対して階調表示に応じ、かつ、前記液晶容量への書込極性に対応した電位になる複数のデータ線と、
前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、
所定の第１電位に維持される低位容量線と、
前記第１電位よりも高い第２電位に維持される高位容量線と、
一端が前記画素電極に接続される蓄積容量と、
前記低位容量線または前記高位容量線のいずれかを、選択信号線の電位に応じて択一的に選択して、前記蓄積容量の他端に印加するセレクタと、
を具備し、
前記蓄積容量の他端は、
前記走査線がオン電位であった期間における前記データ線の電位が正極性書込に対応するものであったならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後に、前記低位容量線に接続された状態から前記高位容量線に接続された状態となり、
前記走査線がオン電位であった期間における前記データ線の電位が負極性書込に対応するものであったならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後に、前記高位容量線に接続された状態から前記低位容量線に接続された状態となる
ことを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。 - 前記液晶容量に対する前記蓄積容量の容量比率は、４以上であることを特徴とする請求項１に液晶表示装置の駆動方法。
- 前記セレクタは、
前記低位容量線または前記高位容量線のいずれか一方と前記蓄積容量の他端との間に介挿されて、前記選択信号線の電位が高位側電位であればオンする第２のスイッチング素子と、
前記低位容量線または前記高位容量線のいずれか他方と前記蓄積容量の他端との間に介挿されて、前記選択信号線の電位が低位側の電位であればオンする第３のスイッチング素子とからなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の駆動方法。 - 前記セレクタは、前記走査線の延在する方向に相隣接するもの同士で前記低電位容量線と前記高電位容量線のいずれかの互いに異なる線を選択することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の駆動方法。
- 前記セレクタは、前記走査線の延在する方向に相隣接するもの同士で前記低電位容量線と前記高電位容量線のいずれかの互いに異なる線を選択するとともに、前記データ線の延在する方向に相隣接するもの同士でも前記低電位容量線と前記高電位容量線のいずれかの互いに異なる線を選択することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の駆動方法。
- 所定の間隔毎にオン電位になる複数の走査線と、
対向電極と画素電極とにより液晶を挟持してなる液晶容量と、
前記走査線がオン電位である場合に、前記対向電極の電位に対して階調表示に応じ、かつ、前記液晶容量への書込極性に対応した電位になる複数のデータ線と、
前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、
一端が前記画素電極に接続される蓄積容量と、
を具備し、
前記蓄積容量の他端に接続するために行毎設けられる容量線は、第１容量線と、第２容量線を含み、
前記走査線がオフ電位に遷移した後における前記蓄積容量の他端の電位を、前記走査線がオン電位であった期間における前記データ線の電位が正極性書込に対応するものであったならば、高位側にシフトさせ、前記走査線がオン電位であった期間における前記データ線の電位が負極性書込に対応するものであったならば、低位側にシフトさせ、
前記第１及び第２容量線の電位がシフトする方向は互いに異なることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。 - 走査線とデータ線との交差に対応して設けられる画素電極と、
対向電極と前記画素電極とにより液晶を挟持してなる液晶容量と、
前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、
一端が前記画素電極に接続された蓄積容量とを備え、
前記走査線を所定の間隔毎にオン電位にし、
前記走査線をオン電位にする期間における前記データ線の電位を、前記対向電極の電位に対して階調表示に応じ、かつ、前記液晶容量への書込極性に対応した電位にし、
前記走査線をオン電位にする期間における前記データ線の電位を、正極書込に対応させるならば、前記走査線をオフ電位に遷移させた後に、前記蓄積容量における他端の電位を高位側にシフトさせる一方、
前記走査線をオン電位にする期間における前記データ線の電位を負極性書込に対応させるならば、前記走査線をオフ電位に遷移させた後に、前記蓄積容量における他端の電位を低位側にシフトさせ、
相隣接する画素における前記蓄積容量における他端の電位がシフトする方向は、互いに異なることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
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