JP2002196358A - 液晶表示装置、駆動回路、駆動方法および電子機器 - Google Patents
液晶表示装置、駆動回路、駆動方法および電子機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 データ線１１４に供給されるデータ信号Ｓｊ
の電圧振幅を小さく抑えて、低消費電力化を図る。 【解決手段】 走査線１１２に供給される走査信号Ｙｓ
ｉをオン電位にした場合に、データ線１１４に供給され
るデータ信号Ｓｊを、濃度に応じ、かつ、書込極性に応
じた電位とする。この場合、ＴＦＴ１１６がオンするの
で、液晶容量ＣLCと蓄積容量Ｃstgとには、データ信号
Ｓｊの電位に応じた電荷が蓄積される。この後、走査信
号Ｙｓｉをオフ電位にして、ＴＦＴ１１６をオフさせる
とともに、蓄積容量Ｃstgの他端における電位を、低位
側の容量電位Ｖst(-)から高位側Ｖst(+)に持ち上げる
と、持ち上げられた分に相当する電荷が、液晶容量ＣLC
に分配される。これにより、液晶容量ＣLCに印加される
電圧実効値を、データ信号Ｓｊの電位振幅以上に対応す
るものとすることができる。
の電圧振幅を小さく抑えて、低消費電力化を図る。 【解決手段】 走査線１１２に供給される走査信号Ｙｓ
ｉをオン電位にした場合に、データ線１１４に供給され
るデータ信号Ｓｊを、濃度に応じ、かつ、書込極性に応
じた電位とする。この場合、ＴＦＴ１１６がオンするの
で、液晶容量ＣLCと蓄積容量Ｃstgとには、データ信号
Ｓｊの電位に応じた電荷が蓄積される。この後、走査信
号Ｙｓｉをオフ電位にして、ＴＦＴ１１６をオフさせる
とともに、蓄積容量Ｃstgの他端における電位を、低位
側の容量電位Ｖst(-)から高位側Ｖst(+)に持ち上げる
と、持ち上げられた分に相当する電荷が、液晶容量ＣLC
に分配される。これにより、液晶容量ＣLCに印加される
電圧実効値を、データ信号Ｓｊの電位振幅以上に対応す
るものとすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低消費電力化を図
った液晶表示装置、駆動回路、駆動方法および電子機器
に関する。
った液晶表示装置、駆動回路、駆動方法および電子機器
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は、陰極線管（ＣＲ
Ｔ）に代わるディスプレイデバイスとして、各種情報処
理機器や壁掛けテレビなどの電子機器に広く用いられて
いる。このような液晶表示装置は、駆動方式等に様々な
型に分類することができるが、画素をスイッチング素子
により駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装置
は、次のような構成となっている。すなわち、アクティ
ブマトリクス型液晶表示装置は、マトリクス状に配列し
た画素電極や、この画素電極に接続されたスイッチング
素子などが設けられた素子基板と、画素電極に対向する
対向電極が形成された対向基板と、これら両基板との間
に挟持された液晶とから構成されている。
Ｔ）に代わるディスプレイデバイスとして、各種情報処
理機器や壁掛けテレビなどの電子機器に広く用いられて
いる。このような液晶表示装置は、駆動方式等に様々な
型に分類することができるが、画素をスイッチング素子
により駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装置
は、次のような構成となっている。すなわち、アクティ
ブマトリクス型液晶表示装置は、マトリクス状に配列し
た画素電極や、この画素電極に接続されたスイッチング
素子などが設けられた素子基板と、画素電極に対向する
対向電極が形成された対向基板と、これら両基板との間
に挟持された液晶とから構成されている。
【０００３】このような構成において、走査線をオン電
位にすると、当該走査線に接続されたスイッチング素子
が導通状態となる。この導通状態の際に、データ線を介
して画素電極に対し階調（濃度）に応じた電圧信号を印
加すると、当該画素電極および対向電極の間に液晶を挟
持してなる液晶容量に、当該電圧信号に応じた電荷が蓄
積される。そして、電荷蓄積後、走査線をオフ電位にし
て、スイッチング素子をオフ状態にしても、当該液晶容
量における電荷の蓄積は、液晶容量自身の容量性や、こ
れに併設される蓄積容量などによって維持される。この
ように、各スイッチング素子を駆動させ、蓄積させる電
荷量を階調に応じて制御すると、液晶の配向状態が変化
するので、画素毎に濃度が変化することになって、階調
表示が可能となる。
位にすると、当該走査線に接続されたスイッチング素子
が導通状態となる。この導通状態の際に、データ線を介
して画素電極に対し階調（濃度）に応じた電圧信号を印
加すると、当該画素電極および対向電極の間に液晶を挟
持してなる液晶容量に、当該電圧信号に応じた電荷が蓄
積される。そして、電荷蓄積後、走査線をオフ電位にし
て、スイッチング素子をオフ状態にしても、当該液晶容
量における電荷の蓄積は、液晶容量自身の容量性や、こ
れに併設される蓄積容量などによって維持される。この
ように、各スイッチング素子を駆動させ、蓄積させる電
荷量を階調に応じて制御すると、液晶の配向状態が変化
するので、画素毎に濃度が変化することになって、階調
表示が可能となる。
【０００４】ところで、液晶表示装置には、適用される
電子機器の特性・特長・用途等から、低消費電力が強く
求められている。一方、液晶容量を駆動するには、通
常、１０ボルト以上の高い電圧振幅が必要であるため、
データ線に印加される電圧信号も同程度の電圧振幅が必
要となる。
電子機器の特性・特長・用途等から、低消費電力が強く
求められている。一方、液晶容量を駆動するには、通
常、１０ボルト以上の高い電圧振幅が必要であるため、
データ線に印加される電圧信号も同程度の電圧振幅が必
要となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶表
示装置のうち、最も高い周波数で駆動されるのは、デー
タ線であり、このようなデータ線に、振幅の大きな電圧
信号を高い周波数で供給する構成では、消費電力が大き
くなるので、低消費電力化とは逆行することになる。
示装置のうち、最も高い周波数で駆動されるのは、デー
タ線であり、このようなデータ線に、振幅の大きな電圧
信号を高い周波数で供給する構成では、消費電力が大き
くなるので、低消費電力化とは逆行することになる。
【０００６】本発明は、上述した事情に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、データ線に印加する
電圧信号の電圧振幅を小さく抑えることによって低消費
電力化を図った液晶表示装置、駆動回路、駆動方法およ
び電子機器を提供することにある。
もので、その目的とするところは、データ線に印加する
電圧信号の電圧振幅を小さく抑えることによって低消費
電力化を図った液晶表示装置、駆動回路、駆動方法およ
び電子機器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本件第１発明に係る液晶表示装置にあっては、所定
の間隔毎にオン電位になる走査線と、対向電極と画素電
極とにより液晶を挟持してなる液晶容量と、前記走査線
がオン電位である場合に、前記対向電極の電位に対して
濃度に応じた電位差であって、かつ、前記液晶容量への
書込極性に対応した電位になるデータ線と、前記データ
線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線がオ
ン電位であればオンする一方、オフ電位であればオフす
る第１のスイッチング素子と、一端が前記画素電極に接
続される一方、他端の電位が、当該オン電位であった期
間における前記データ線の電位が正極性書込に対応する
ものであったならば、前記走査線がオフ電位に遷移した
後に、高位側にシフトし、当該オン電位であった期間に
おける前記データ線の電位が負極性書込に対応するもの
であったならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後
に、低位側にシフトする蓄積容量とを具備する構成を特
徴としている。
に、本件第１発明に係る液晶表示装置にあっては、所定
の間隔毎にオン電位になる走査線と、対向電極と画素電
極とにより液晶を挟持してなる液晶容量と、前記走査線
がオン電位である場合に、前記対向電極の電位に対して
濃度に応じた電位差であって、かつ、前記液晶容量への
書込極性に対応した電位になるデータ線と、前記データ
線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線がオ
ン電位であればオンする一方、オフ電位であればオフす
る第１のスイッチング素子と、一端が前記画素電極に接
続される一方、他端の電位が、当該オン電位であった期
間における前記データ線の電位が正極性書込に対応する
ものであったならば、前記走査線がオフ電位に遷移した
後に、高位側にシフトし、当該オン電位であった期間に
おける前記データ線の電位が負極性書込に対応するもの
であったならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後
に、低位側にシフトする蓄積容量とを具備する構成を特
徴としている。
【０００８】この構成によれば、走査線がオン電位にな
ると、当該走査線に接続された第１のスイッチング素子
がオンする結果、液晶容量および蓄積電極には、データ
線の電位に応じた電荷が蓄積される。この後、第１のス
イッチング素子がオフすると、蓄積容量における他端の
電位がシフトするので、その分、蓄積容量における一端
の電位が持ち上げられる（または持ち下げられる）。と
同時に、持ち上げられた（または持ち下げられた）分の
電荷が、液晶容量に分配されるので、液晶容量には、デ
ータ線の電位以上に対応する電圧実効値が印加されるこ
とになる。換言すれば、最終的に画素電極に印加される
電圧振幅に比べて、データ線に印加する電圧信号の電圧
振幅が小さく抑えられる。したがって、データ線を低電
圧で駆動して、低消費電力化を図ることが可能となる。
ると、当該走査線に接続された第１のスイッチング素子
がオンする結果、液晶容量および蓄積電極には、データ
線の電位に応じた電荷が蓄積される。この後、第１のス
イッチング素子がオフすると、蓄積容量における他端の
電位がシフトするので、その分、蓄積容量における一端
の電位が持ち上げられる（または持ち下げられる）。と
同時に、持ち上げられた（または持ち下げられた）分の
電荷が、液晶容量に分配されるので、液晶容量には、デ
ータ線の電位以上に対応する電圧実効値が印加されるこ
とになる。換言すれば、最終的に画素電極に印加される
電圧振幅に比べて、データ線に印加する電圧信号の電圧
振幅が小さく抑えられる。したがって、データ線を低電
圧で駆動して、低消費電力化を図ることが可能となる。
【０００９】ここで、第１発明において、液晶容量に対
して蓄積容量が十分に大きいのであれば、蓄積容量にお
ける他端の電位シフト分がそのまま液晶容量に印加され
るとみなすことができる。ただし、実際には、蓄積容量
を液晶容量よりも数倍程度とするのが限界であるので、
蓄積容量における他端の電位シフト分が圧縮されて、液
晶容量に印加されることになるが、前記液晶容量に対す
る前記蓄積容量の容量比率は、４以上であれば、電圧振
幅の減少分も約２０％弱と少なく、レイアウト的にも現
実的である。
して蓄積容量が十分に大きいのであれば、蓄積容量にお
ける他端の電位シフト分がそのまま液晶容量に印加され
るとみなすことができる。ただし、実際には、蓄積容量
を液晶容量よりも数倍程度とするのが限界であるので、
蓄積容量における他端の電位シフト分が圧縮されて、液
晶容量に印加されることになるが、前記液晶容量に対す
る前記蓄積容量の容量比率は、４以上であれば、電圧振
幅の減少分も約２０％弱と少なく、レイアウト的にも現
実的である。
【００１０】また、第１発明において、前記蓄積容量の
他端は、容量線を介して行毎に共通接続される構成が好
ましい。ただし、この構成では、液晶容量を、走査線毎
の反転（行反転）、または、垂直走査期間毎の反転（フ
レーム反転）しかできないので、容量線を分断して、分
断した容量線の電位のシフト方向を互いに逆方向とする
構成が好ましい。この構成によれば、容量線の分断部分
を境に、液晶容量の書込極性が反転した状態になるの
で、対向電極への突入電流は、走査線毎の反転等と比較
して減少するので、より低消費電力化が可能になる。
他端は、容量線を介して行毎に共通接続される構成が好
ましい。ただし、この構成では、液晶容量を、走査線毎
の反転（行反転）、または、垂直走査期間毎の反転（フ
レーム反転）しかできないので、容量線を分断して、分
断した容量線の電位のシフト方向を互いに逆方向とする
構成が好ましい。この構成によれば、容量線の分断部分
を境に、液晶容量の書込極性が反転した状態になるの
で、対向電極への突入電流は、走査線毎の反転等と比較
して減少するので、より低消費電力化が可能になる。
【００１１】一方、第１の発明において、所定の第１電
位に維持される低位容量線と、前記第１電位よりも高い
第２電位に維持される高位容量線と、前記低位容量線ま
たは前記高位容量線のいずれかを、選択信号線の電位に
応じて択一的に選択して、前記蓄積容量の他端に印加す
るセレクタとを備える構成が好ましい。この構成によれ
ば、画素毎に書込極性を選択することが可能となる。
位に維持される低位容量線と、前記第１電位よりも高い
第２電位に維持される高位容量線と、前記低位容量線ま
たは前記高位容量線のいずれかを、選択信号線の電位に
応じて択一的に選択して、前記蓄積容量の他端に印加す
るセレクタとを備える構成が好ましい。この構成によれ
ば、画素毎に書込極性を選択することが可能となる。
【００１２】この構成において、セレクタとしては、前
記低位容量線または前記高位容量線のいずれか一方と前
記蓄積容量の他端との間に介挿されて、前記選択信号線
の電位が高位側または低位側のいずれか一方の電位であ
ればオンする第２のスイッチング素子と、前記低位容量
線または前記高位容量線のいずれか他方と前記蓄積容量
の他端との間に介挿されて、前記選択信号線の電位が高
位側または低位側のいずれか他方の電位であればオンす
る第３のスイッチング素子とからなる態様が考えられ
る。この態様によれば、第１、第２および第３のスイッ
チング素子を、共通プロセスで形成することができるの
で、低消費電力化のほか、小型化や集積化等を図る場合
に有利になる。
記低位容量線または前記高位容量線のいずれか一方と前
記蓄積容量の他端との間に介挿されて、前記選択信号線
の電位が高位側または低位側のいずれか一方の電位であ
ればオンする第２のスイッチング素子と、前記低位容量
線または前記高位容量線のいずれか他方と前記蓄積容量
の他端との間に介挿されて、前記選択信号線の電位が高
位側または低位側のいずれか他方の電位であればオンす
る第３のスイッチング素子とからなる態様が考えられ
る。この態様によれば、第１、第２および第３のスイッ
チング素子を、共通プロセスで形成することができるの
で、低消費電力化のほか、小型化や集積化等を図る場合
に有利になる。
【００１３】また、セレクタを備える構成においては、
前記セレクタの選択特性を、前記走査線の延在する方向
に相隣接するもの同士で互いに逆特性とすることが望ま
しい。この構成により、液晶容量を、データ線毎の反転
（列反転）することができるので、高画質化を図ること
可能になる。
前記セレクタの選択特性を、前記走査線の延在する方向
に相隣接するもの同士で互いに逆特性とすることが望ま
しい。この構成により、液晶容量を、データ線毎の反転
（列反転）することができるので、高画質化を図ること
可能になる。
【００１４】さらに、セレクタを備える構成において
は、前記セレクタの選択特性を、前記走査線の延在する
方向に相隣接するもの同士で互いに逆特性とするととも
に、前記データ線の延在する方向に相隣接するもの同士
でも互いに逆特性とする構成が最も望ましい。この構成
により、液晶容量を、画素毎の反転することができるの
で、低消費電力化とともに高画質化を図ること可能にな
る。
は、前記セレクタの選択特性を、前記走査線の延在する
方向に相隣接するもの同士で互いに逆特性とするととも
に、前記データ線の延在する方向に相隣接するもの同士
でも互いに逆特性とする構成が最も望ましい。この構成
により、液晶容量を、画素毎の反転することができるの
で、低消費電力化とともに高画質化を図ること可能にな
る。
【００１５】また、本発明における電子機器は、上記液
晶表示装置を備えるので、低消費電力化を図ることが可
能になる。なお、このような電子機器としては、画像を
拡大投射するプロジェクタや、直視型、例えば、パーソ
ナルコンピュータや携帯電話等の表示部などが挙げられ
る。
晶表示装置を備えるので、低消費電力化を図ることが可
能になる。なお、このような電子機器としては、画像を
拡大投射するプロジェクタや、直視型、例えば、パーソ
ナルコンピュータや携帯電話等の表示部などが挙げられ
る。
【００１６】なお、上記第１発明は、液晶表示装置の駆
動回路としても実現することができる。すなわち、本件
第２発明に係る液晶表示装置の駆動回路にあっては、走
査線とデータ線との交差に対応して設けられるととも
に、対向電極と画素電極とにより液晶を挟持してなる液
晶容量と、前記データ線と前記画素電極との間に介挿さ
れて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オ
フ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、一
端が前記画素電極に接続された蓄積容量とを備える液晶
表示装置を駆動するに際し、前記走査線を所定の間隔毎
にオン電位にする走査線駆動回路と、前記走査線駆動回
路によって、前記走査線がオン電位にされた場合に、前
記データ線の電位を、前記対向電極の電位に対して濃度
に応じた電位差であって、かつ、前記液晶容量への書込
極性に対応した電位にするデータ線駆動回路と、前記走
査線がオン電位である場合に前記データ線の電位が正極
性書込に対応するものであったならば、前記走査線がオ
フ電位に遷移した後に、前記蓄積容量における他端の電
位を高位側にシフトさせる一方、当該オン電位における
前記データ線の電位が負極性書込に対応するものであっ
たならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後に、前記
蓄積容量における他端の電位を低位側にシフトさせる蓄
積容量駆動回路とを具備する構成を特徴としている。こ
の構成によれば、上記第１発明と同様に、最終的に画素
電極に印加される電圧振幅に比べて、データ線に印加す
る電圧信号の電圧振幅を小さく抑えることができるの
で、低消費電力化を図ることが可能になる。
動回路としても実現することができる。すなわち、本件
第２発明に係る液晶表示装置の駆動回路にあっては、走
査線とデータ線との交差に対応して設けられるととも
に、対向電極と画素電極とにより液晶を挟持してなる液
晶容量と、前記データ線と前記画素電極との間に介挿さ
れて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オ
フ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、一
端が前記画素電極に接続された蓄積容量とを備える液晶
表示装置を駆動するに際し、前記走査線を所定の間隔毎
にオン電位にする走査線駆動回路と、前記走査線駆動回
路によって、前記走査線がオン電位にされた場合に、前
記データ線の電位を、前記対向電極の電位に対して濃度
に応じた電位差であって、かつ、前記液晶容量への書込
極性に対応した電位にするデータ線駆動回路と、前記走
査線がオン電位である場合に前記データ線の電位が正極
性書込に対応するものであったならば、前記走査線がオ
フ電位に遷移した後に、前記蓄積容量における他端の電
位を高位側にシフトさせる一方、当該オン電位における
前記データ線の電位が負極性書込に対応するものであっ
たならば、前記走査線がオフ電位に遷移した後に、前記
蓄積容量における他端の電位を低位側にシフトさせる蓄
積容量駆動回路とを具備する構成を特徴としている。こ
の構成によれば、上記第１発明と同様に、最終的に画素
電極に印加される電圧振幅に比べて、データ線に印加す
る電圧信号の電圧振幅を小さく抑えることができるの
で、低消費電力化を図ることが可能になる。
【００１７】さらに、上記第１発明は、液晶表示装置の
駆動方法としても実現することができる。すなわち、本
件第３発明に係る液晶表示装置の駆動方法にあっては、
走査線とデータ線との交差に対応して設けられるととも
に、対向電極と画素電極とにより液晶を挟持してなる液
晶容量と、前記データ線と前記画素電極との間に介挿さ
れて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オ
フ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、一
端が前記画素電極に接続された蓄積容量とを備える液晶
表示装置を駆動するに際し、前記走査線を所定の間隔毎
にオン電位にし、前記走査線をオン電位にした場合に、
前記データ線の電位を、前記対向電極の電位に対して濃
度に応じた電位差であって、かつ、前記液晶容量への書
込極性に対応した電位にし、前記走査線をオン電位にし
た場合に前記データ線の電位を正極書込に対応させたな
らば、前記走査線をオフ電位に遷移させた後に、前記蓄
積容量における他端の電位を高位側にシフトさせる一
方、前記走査線をオン電位にした場合に前記データ線の
電位を負極性書込に対応させたならば、前記走査線をオ
フ電位に遷移させた後に、前記蓄積容量における他端の
電位を低位側にシフトさせる方法を特徴としている。こ
の方法によれば、上記第１および第２発明と同様に、最
終的に画素電極に印加される電圧振幅に比べて、データ
線に印加する電圧信号の電圧振幅を小さく抑えることが
できるので、低消費電力化を図ることが可能になる。
駆動方法としても実現することができる。すなわち、本
件第３発明に係る液晶表示装置の駆動方法にあっては、
走査線とデータ線との交差に対応して設けられるととも
に、対向電極と画素電極とにより液晶を挟持してなる液
晶容量と、前記データ線と前記画素電極との間に介挿さ
れて、前記走査線がオン電位であればオンする一方、オ
フ電位であればオフする第１のスイッチング素子と、一
端が前記画素電極に接続された蓄積容量とを備える液晶
表示装置を駆動するに際し、前記走査線を所定の間隔毎
にオン電位にし、前記走査線をオン電位にした場合に、
前記データ線の電位を、前記対向電極の電位に対して濃
度に応じた電位差であって、かつ、前記液晶容量への書
込極性に対応した電位にし、前記走査線をオン電位にし
た場合に前記データ線の電位を正極書込に対応させたな
らば、前記走査線をオフ電位に遷移させた後に、前記蓄
積容量における他端の電位を高位側にシフトさせる一
方、前記走査線をオン電位にした場合に前記データ線の
電位を負極性書込に対応させたならば、前記走査線をオ
フ電位に遷移させた後に、前記蓄積容量における他端の
電位を低位側にシフトさせる方法を特徴としている。こ
の方法によれば、上記第１および第２発明と同様に、最
終的に画素電極に印加される電圧振幅に比べて、データ
線に印加する電圧信号の電圧振幅を小さく抑えることが
できるので、低消費電力化を図ることが可能になる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１９】＜１：第１実施形態＞はじめに、本発明の
第１実施形態に係る液晶表示装置について説明する。図
１（ａ）は、この液晶表示装置の構成を示す斜視図であ
り、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ’線の断
面図である。これらの図に示されるように、液晶表示装
置１００は、各種素子や画素電極１１８等が形成された
素子基板１０１と、対向電極１０８等が形成された対向
基板１０２とが、スペーサ１０３を含むシール材１０４
によって一定の間隙を保って、互いに電極形成面が対向
するように貼り合わせられるとともに、この間隙に例え
ばＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶１０５が封入され
た構成となっている。
第１実施形態に係る液晶表示装置について説明する。図
１（ａ）は、この液晶表示装置の構成を示す斜視図であ
り、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ’線の断
面図である。これらの図に示されるように、液晶表示装
置１００は、各種素子や画素電極１１８等が形成された
素子基板１０１と、対向電極１０８等が形成された対向
基板１０２とが、スペーサ１０３を含むシール材１０４
によって一定の間隙を保って、互いに電極形成面が対向
するように貼り合わせられるとともに、この間隙に例え
ばＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶１０５が封入され
た構成となっている。
【００２０】なお、素子基板１０１には、本実施形態で
は、ガラスや、半導体、石英などが用いられるが、不透
明な基板を用いても良い。ただし、素子基板１０１に、
不透明な基板を用いる場合には、透過型ではなく反射型
として用いる必要がある。また、シール材１０４は、対
向基板１０２の周辺に沿って形成されるが、液晶１０５
を封入するために一部が開口している。このため、液晶
１０５の封入後に、その開口部分が封止材１０６によっ
て封止されている。
は、ガラスや、半導体、石英などが用いられるが、不透
明な基板を用いても良い。ただし、素子基板１０１に、
不透明な基板を用いる場合には、透過型ではなく反射型
として用いる必要がある。また、シール材１０４は、対
向基板１０２の周辺に沿って形成されるが、液晶１０５
を封入するために一部が開口している。このため、液晶
１０５の封入後に、その開口部分が封止材１０６によっ
て封止されている。
【００２１】次に、素子基板１０１の対向面であって、
シール材１０４の外側一辺に位置する領域１５０ａに
は、データ線を駆動するための回路（詳細については後
述する）が形成されている。さらに、この一辺の外周部
分には、複数の実装端子１０７が形成されて、外部回路
から各種信号を入力する構成となっている。
シール材１０４の外側一辺に位置する領域１５０ａに
は、データ線を駆動するための回路（詳細については後
述する）が形成されている。さらに、この一辺の外周部
分には、複数の実装端子１０７が形成されて、外部回路
から各種信号を入力する構成となっている。
【００２２】また、この一辺に隣接する２辺に位置する
領域１３０ａには、それぞれ走査線や容量線などを駆動
するため回路（詳細については後述する）が形成され
て、行（Ｘ）方向の両側から駆動する構成となってい
る。また、残りの一辺には、２個の領域１３０ａに形成
される回路において共用される配線（図示省略）などが
設けられる。なお、行方向に供給される信号の遅延が問
題にならないのであれば、これらの信号を出力する回路
を片側１個の領域１３０ａのみに形成する構成でも良
い。
領域１３０ａには、それぞれ走査線や容量線などを駆動
するため回路（詳細については後述する）が形成され
て、行（Ｘ）方向の両側から駆動する構成となってい
る。また、残りの一辺には、２個の領域１３０ａに形成
される回路において共用される配線（図示省略）などが
設けられる。なお、行方向に供給される信号の遅延が問
題にならないのであれば、これらの信号を出力する回路
を片側１個の領域１３０ａのみに形成する構成でも良
い。
【００２３】一方、対向基板１０２に設けられる対向電
極１０８は、素子基板１０１との貼合部分における４隅
のうち、少なくとも１箇所に設けられた銀ペースト等な
どの導通材によって、素子基板１０１に形成された実装
端子１０７と電気的に接続されて、時間的に一定の電位
ＬＣcomに維持される構成となっている。ほかに、対向
基板１０２には、特に図示はしないが、画素電極１１８
と対向する領域に、必要に応じて着色層（カラーフィル
タ）が設けられる。ただし、後述するプロジェクタのよ
うに色光変調の用途に適用する場合、対向基板１０２に
着色層を形成する必要はない。また、着色層を設けると
否かとにかかわらず、光のリークによるコントラスト比
の低下を防止するために、画素電極１１８と対向する領
域以外の部分には遮光膜が設けられている（図示省
略）。
極１０８は、素子基板１０１との貼合部分における４隅
のうち、少なくとも１箇所に設けられた銀ペースト等な
どの導通材によって、素子基板１０１に形成された実装
端子１０７と電気的に接続されて、時間的に一定の電位
ＬＣcomに維持される構成となっている。ほかに、対向
基板１０２には、特に図示はしないが、画素電極１１８
と対向する領域に、必要に応じて着色層（カラーフィル
タ）が設けられる。ただし、後述するプロジェクタのよ
うに色光変調の用途に適用する場合、対向基板１０２に
着色層を形成する必要はない。また、着色層を設けると
否かとにかかわらず、光のリークによるコントラスト比
の低下を防止するために、画素電極１１８と対向する領
域以外の部分には遮光膜が設けられている（図示省
略）。
【００２４】また、素子基板１０１および対向基板１０
２の各対向面には、液晶１０５における分子の長軸方向
が両基板間で約９０度連続的に捻れるようにラビング処
理された配向膜が設けられる一方、その各背面側には配
向方向に沿った方向に吸収軸が設定された偏光子がそれ
ぞれ設けられる。これにより、液晶容量（画素電極１１
８と対向電極１０８との間において液晶１０５を挟持し
てなる容量）に印加される電圧実効値がゼロであれば、
透過率が最大になる一方、電圧実効値が大きくなるにつ
れて、透過率が徐々に減少して、ついには透過率が最小
になる構成となっている。すなわち、本実施形態では、
ノーマリーホワイトモードの構成となっている。
２の各対向面には、液晶１０５における分子の長軸方向
が両基板間で約９０度連続的に捻れるようにラビング処
理された配向膜が設けられる一方、その各背面側には配
向方向に沿った方向に吸収軸が設定された偏光子がそれ
ぞれ設けられる。これにより、液晶容量（画素電極１１
８と対向電極１０８との間において液晶１０５を挟持し
てなる容量）に印加される電圧実効値がゼロであれば、
透過率が最大になる一方、電圧実効値が大きくなるにつ
れて、透過率が徐々に減少して、ついには透過率が最小
になる構成となっている。すなわち、本実施形態では、
ノーマリーホワイトモードの構成となっている。
【００２５】なお、配向膜や偏光子などについては、本
件とは直接関係しないので、その図示については省略す
ることにする。また、図１（ｂ）において、対向電極１
０８や、画素電極１１８、実装端子１０７などには厚み
を持たせているが、これは、位置関係を示すための便宜
的な措置であり、実際には、基板の厚みに対して視認で
きないほどに薄い。
件とは直接関係しないので、その図示については省略す
ることにする。また、図１（ｂ）において、対向電極１
０８や、画素電極１１８、実装端子１０７などには厚み
を持たせているが、これは、位置関係を示すための便宜
的な措置であり、実際には、基板の厚みに対して視認で
きないほどに薄い。
【００２６】＜１−１：電気的な構成＞次に、本実施形
態に係る液晶表示装置の電気的な構成について説明す
る。図２は、この電気的な構成を示すブロック図であ
る。この図に示されるように、走査線１１２および容量
線１１３が、それぞれＸ（行）方向に延在して形成され
る一方、データ線１１４が、Ｙ（列）方向に延在して形
成されて、これらの交差に対応して画素１２０が形成さ
れている。ここで、説明の便宜上、走査線１１２（容量
線１１３）の本数を「ｍ」とし、データ線１１４の本数
を「ｎ」とすると、画素１２０は、ｍ行ｎ列のマトリク
ス状に配列することになる。また、本実施形態では、図
面の記載上、ｍ、ｎを偶数とするが、これに限定する趣
旨ではない。
態に係る液晶表示装置の電気的な構成について説明す
る。図２は、この電気的な構成を示すブロック図であ
る。この図に示されるように、走査線１１２および容量
線１１３が、それぞれＸ（行）方向に延在して形成され
る一方、データ線１１４が、Ｙ（列）方向に延在して形
成されて、これらの交差に対応して画素１２０が形成さ
れている。ここで、説明の便宜上、走査線１１２（容量
線１１３）の本数を「ｍ」とし、データ線１１４の本数
を「ｎ」とすると、画素１２０は、ｍ行ｎ列のマトリク
ス状に配列することになる。また、本実施形態では、図
面の記載上、ｍ、ｎを偶数とするが、これに限定する趣
旨ではない。
【００２７】ここで、１つの画素１２０について着目す
ると、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（Thin Film Tr
ansistor：以下「ＴＦＴ」と称呼する）１１６のゲート
が走査線１１２に接続され、そのソースがデータ線１１
４に接続され、さらに、そのドレインが画素電極１１８
および蓄積容量１１９の一端に接続されている。上述し
たように画素電極１１８は、対向電極１０８に対向し、
さらに、両電極間に液晶１０５が挟持されて、液晶容量
が構成されている。すなわち、液晶容量は、一端を画素
電極１１８とし、他端を対向電極１０８として、液晶１
０５を挟持した構成となっている。この構成において、
走査線１１２に供給される走査信号がオン電位たるＨレ
ベルになると、ＴＦＴ１１６がオンして、データ線１１
４の電位に応じた電荷が液晶容量および蓄積容量１１９
に書き込まれることになる。なお、蓄積容量１１９の他
端は、本実施形態では、容量線１１３に１行毎に共通接
続されている。
ると、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（Thin Film Tr
ansistor：以下「ＴＦＴ」と称呼する）１１６のゲート
が走査線１１２に接続され、そのソースがデータ線１１
４に接続され、さらに、そのドレインが画素電極１１８
および蓄積容量１１９の一端に接続されている。上述し
たように画素電極１１８は、対向電極１０８に対向し、
さらに、両電極間に液晶１０５が挟持されて、液晶容量
が構成されている。すなわち、液晶容量は、一端を画素
電極１１８とし、他端を対向電極１０８として、液晶１
０５を挟持した構成となっている。この構成において、
走査線１１２に供給される走査信号がオン電位たるＨレ
ベルになると、ＴＦＴ１１６がオンして、データ線１１
４の電位に応じた電荷が液晶容量および蓄積容量１１９
に書き込まれることになる。なお、蓄積容量１１９の他
端は、本実施形態では、容量線１１３に１行毎に共通接
続されている。
【００２８】さて、Ｙ側について直目すると、シフトレ
ジスタ１３０（走査線駆動回路）は、図３に示されるよ
うに、１垂直走査期間（１Ｆ）の最初に供給される転送
開始パルスＤＹを、クロック信号ＣＬＹの立ち上がり及
び立ち下がりで順番にシフトして、走査信号Ｙｓ１、Ｙ
ｓ２、Ｙｓ３、…、Ｙｓｍを、それぞれ１行目、２行
目、３行目、…、ｍ行目の走査線１１２に供給するもの
である。ここで、走査信号Ｙｓ１、Ｙｓ２、Ｙｓ３、
…、Ｙｓｍは、図３に示されるように、互いに重複しな
いように、１水平走査期間（１Ｈ）毎にアクティブレベ
ル（Ｈレベル）になる。
ジスタ１３０（走査線駆動回路）は、図３に示されるよ
うに、１垂直走査期間（１Ｆ）の最初に供給される転送
開始パルスＤＹを、クロック信号ＣＬＹの立ち上がり及
び立ち下がりで順番にシフトして、走査信号Ｙｓ１、Ｙ
ｓ２、Ｙｓ３、…、Ｙｓｍを、それぞれ１行目、２行
目、３行目、…、ｍ行目の走査線１１２に供給するもの
である。ここで、走査信号Ｙｓ１、Ｙｓ２、Ｙｓ３、
…、Ｙｓｍは、図３に示されるように、互いに重複しな
いように、１水平走査期間（１Ｈ）毎にアクティブレベ
ル（Ｈレベル）になる。
【００２９】次に、本実施形態では、フリップフロップ
１３２およびセレクタ１３４（蓄積容量駆動回路）が行
毎に設けられている。ここで一般的に、ｉ（ｉは、１≦
ｉ≦ｍを満たす整数）行目に対応するフリップフロップ
１３２のクロックパルス入力端Ｃｐには、ｉ行目に対応
する走査信号Ｙｓｉの反転信号が供給され、また、その
データ入力端Ｄには、１垂直走査期間（１Ｆ）毎に論理
レベルが反転する信号ＦＲ（図３参照）が供給されてい
る。このため、ｉ行目のフリップフロップ１３２は、走
査信号Ｙｓｉの立ち下がりにおいて、信号ＦＲをラッチ
して、選択制御信号Ｃｓｉとして出力することになる。
１３２およびセレクタ１３４（蓄積容量駆動回路）が行
毎に設けられている。ここで一般的に、ｉ（ｉは、１≦
ｉ≦ｍを満たす整数）行目に対応するフリップフロップ
１３２のクロックパルス入力端Ｃｐには、ｉ行目に対応
する走査信号Ｙｓｉの反転信号が供給され、また、その
データ入力端Ｄには、１垂直走査期間（１Ｆ）毎に論理
レベルが反転する信号ＦＲ（図３参照）が供給されてい
る。このため、ｉ行目のフリップフロップ１３２は、走
査信号Ｙｓｉの立ち下がりにおいて、信号ＦＲをラッチ
して、選択制御信号Ｃｓｉとして出力することになる。
【００３０】続いて、一般的にｉ行目のセレクタ１３４
は、選択制御信号Ｃｓｉの論理レベルがＨレベルであれ
ば入力端Ａを選択する一方、Ｌレベルであれば入力端Ｂ
を選択し、容量スイング信号Ｙｃｉとしてｉ行目の容量
線１１３に供給するものである。ここで、奇数行目のセ
レクタ１３４における入力端Ａの電位は、高位側の容量
電位Ｖst(+)であり、その入力端Ｂの電位は、低位側の
容量電位Ｖst(-)である。一方、偶数行目のセレクタ１
３４における入力端Ａの電位は、低位側の容量電位Ｖst
(-)であり、その入力端Ｂの電位は、高位側の容量電位
Ｖst(+)である。すなわち、奇数行のセレクタ１３４
と、偶数行のセレクタ１３４とでは、入力端Ａ、Ｂの容
量電位が、互いに入れ替えられた関係となっている。
は、選択制御信号Ｃｓｉの論理レベルがＨレベルであれ
ば入力端Ａを選択する一方、Ｌレベルであれば入力端Ｂ
を選択し、容量スイング信号Ｙｃｉとしてｉ行目の容量
線１１３に供給するものである。ここで、奇数行目のセ
レクタ１３４における入力端Ａの電位は、高位側の容量
電位Ｖst(+)であり、その入力端Ｂの電位は、低位側の
容量電位Ｖst(-)である。一方、偶数行目のセレクタ１
３４における入力端Ａの電位は、低位側の容量電位Ｖst
(-)であり、その入力端Ｂの電位は、高位側の容量電位
Ｖst(+)である。すなわち、奇数行のセレクタ１３４
と、偶数行のセレクタ１３４とでは、入力端Ａ、Ｂの容
量電位が、互いに入れ替えられた関係となっている。
【００３１】一方、Ｘ側に着目すると、シフトレジスタ
１５０は、図４に示されるように、転送開始パルスＤＸ
を、クロック信号ＣＬＸの立ち上がり及び立ち下がりで
順番にシフトして、互いに排他的にアクティブレベル
（Ｈレベル）となるサンプリング制御信号Ｘｓ１、Ｘｓ
２、…、Ｘｓｎを、それぞれ出力するものである。ここ
で、サンプリング制御信号Ｘｓ１、Ｘｓ２、…、Ｘｓｎ
は、互いに重複しないように、順次アクティブレベル
（Ｈレベル）になる。
１５０は、図４に示されるように、転送開始パルスＤＸ
を、クロック信号ＣＬＸの立ち上がり及び立ち下がりで
順番にシフトして、互いに排他的にアクティブレベル
（Ｈレベル）となるサンプリング制御信号Ｘｓ１、Ｘｓ
２、…、Ｘｓｎを、それぞれ出力するものである。ここ
で、サンプリング制御信号Ｘｓ１、Ｘｓ２、…、Ｘｓｎ
は、互いに重複しないように、順次アクティブレベル
（Ｈレベル）になる。
【００３２】さて、シフトレジスタ１５０の出力側に
は、第１のサンプリングスイッチ１５２、第１のラッチ
回路１５４、第２のサンプリングスイッチ１５６、第２
のラッチ回路１５８およびＤ／Ａ変換器１６０が、それ
ぞれデータ線１１４の１列毎に設けられる。このうち、
一般的にｊ（ｊは、１≦ｊ≦ｎを満たす整数）列目に対
応する第１のサンプリングスイッチ１５２は、サンプリ
ング制御信号Ｘｓｊがアクティブレベルになるとオンし
て、階調データＤａｔａをサンプリングするものであ
る。
は、第１のサンプリングスイッチ１５２、第１のラッチ
回路１５４、第２のサンプリングスイッチ１５６、第２
のラッチ回路１５８およびＤ／Ａ変換器１６０が、それ
ぞれデータ線１１４の１列毎に設けられる。このうち、
一般的にｊ（ｊは、１≦ｊ≦ｎを満たす整数）列目に対
応する第１のサンプリングスイッチ１５２は、サンプリ
ング制御信号Ｘｓｊがアクティブレベルになるとオンし
て、階調データＤａｔａをサンプリングするものであ
る。
【００３３】ここで、階調データＤａｔａは、画素１２
０の階調（濃度）を指示する４ビットのディジタルデー
タである。このため、本実施形態に係る液晶表示装置に
あって、画素１２０は、４ビットの階調データＤａｔａ
にしたがって１６（＝２4）階調の表示を行うことにな
る。なお、階調データＤａｔａは、実装端子１０７（図
１参照）を介して、図示せぬ外部回路から所定のタイミ
ングで供給される構成となっている。
０の階調（濃度）を指示する４ビットのディジタルデー
タである。このため、本実施形態に係る液晶表示装置に
あって、画素１２０は、４ビットの階調データＤａｔａ
にしたがって１６（＝２4）階調の表示を行うことにな
る。なお、階調データＤａｔａは、実装端子１０７（図
１参照）を介して、図示せぬ外部回路から所定のタイミ
ングで供給される構成となっている。
【００３４】続いて、ｊ列目に対応する第１のラッチ回
路１５４は、同じくｊ列目に対応する第１のサンプリン
グスイッチ１５２によってサンプリングされた階調デー
タＤａｔａをラッチするものである。次に、ｊ列目に対
応する第２のサンプリングスイッチ１５６は、同じくｊ
列目に対応する第１のラッチ回路１５４によってラッチ
された階調データＤａｔａを、ラッチパルスＬＰがアク
ティブレベル（Ｈレベル）になったときに、サンプリン
グするものである。さらに、ｊ列目に対応する第２のラ
ッチ回路１５８は、同じくｊ列目に対応する第２のサン
プリングスイッチ１５６によってサンプリングされた階
調データＤａｔａをラッチするものである。
路１５４は、同じくｊ列目に対応する第１のサンプリン
グスイッチ１５２によってサンプリングされた階調デー
タＤａｔａをラッチするものである。次に、ｊ列目に対
応する第２のサンプリングスイッチ１５６は、同じくｊ
列目に対応する第１のラッチ回路１５４によってラッチ
された階調データＤａｔａを、ラッチパルスＬＰがアク
ティブレベル（Ｈレベル）になったときに、サンプリン
グするものである。さらに、ｊ列目に対応する第２のラ
ッチ回路１５８は、同じくｊ列目に対応する第２のサン
プリングスイッチ１５６によってサンプリングされた階
調データＤａｔａをラッチするものである。
【００３５】そして、ｊ列目のＤ／Ａ変換器１６０は、
同じくｊ列目に対応する第２のラッチ回路１５８によっ
てラッチされた階調データＤａｔａを、信号ＰＳの論理
レベルに対応する極性側のアナログ信号に変換して、デ
ータ信号Ｓｊとして出力するものである。ここで、信号
ＰＳは、その論理レベルがＨレベルである場合に、画素
１２０への正極性書込を指示する一方、その論理レベル
がＬレベルである場合に、画素１２０への負極性書込を
指示する信号であって、本実施形態では、図３または図
４に示されるように１水平走査期間（１Ｈ）毎に論理レ
ベルが反転する。さらに、信号ＰＳの論理レベルは、同
一の水平走査期間についてみた場合、１垂直走査期間毎
でも反転する（図３の括弧書参照）。すなわち、本実施
形態では、走査線１１２毎に極性反転（行反転）が行わ
れる構成となっている。
同じくｊ列目に対応する第２のラッチ回路１５８によっ
てラッチされた階調データＤａｔａを、信号ＰＳの論理
レベルに対応する極性側のアナログ信号に変換して、デ
ータ信号Ｓｊとして出力するものである。ここで、信号
ＰＳは、その論理レベルがＨレベルである場合に、画素
１２０への正極性書込を指示する一方、その論理レベル
がＬレベルである場合に、画素１２０への負極性書込を
指示する信号であって、本実施形態では、図３または図
４に示されるように１水平走査期間（１Ｈ）毎に論理レ
ベルが反転する。さらに、信号ＰＳの論理レベルは、同
一の水平走査期間についてみた場合、１垂直走査期間毎
でも反転する（図３の括弧書参照）。すなわち、本実施
形態では、走査線１１２毎に極性反転（行反転）が行わ
れる構成となっている。
【００３６】なお、本実施形態において、画素１２０ま
たは液晶容量における極性反転とは、液晶容量の他端た
る対向電極１０８の電位を基準として、その電圧レベル
を交流反転させることをいう。また、図２において、シ
フトレジスタ１３０、フリップフロップ１３２およびセ
レクタ１３４は、画素１２０の配列領域に対して左方の
みに配列しているが、実際には、図１に示されるよう
に、左右対称に右方にも配列して、左右の両側からそれ
ぞれ走査線および容量線を駆動する構成となっている。
たは液晶容量における極性反転とは、液晶容量の他端た
る対向電極１０８の電位を基準として、その電圧レベル
を交流反転させることをいう。また、図２において、シ
フトレジスタ１３０、フリップフロップ１３２およびセ
レクタ１３４は、画素１２０の配列領域に対して左方の
みに配列しているが、実際には、図１に示されるよう
に、左右対称に右方にも配列して、左右の両側からそれ
ぞれ走査線および容量線を駆動する構成となっている。
【００３７】＜１−２：Ｙ側の動作＞次に、上述した構
成に係る液晶表示装置の動作のうち、Ｙ側の動作につい
て説明する。ここで、図３は、この液晶表示装置におけ
るＹ側の動作を説明するためのタイミングチャートであ
る。
成に係る液晶表示装置の動作のうち、Ｙ側の動作につい
て説明する。ここで、図３は、この液晶表示装置におけ
るＹ側の動作を説明するためのタイミングチャートであ
る。
【００３８】この図に示されるように、垂直走査期間の
最初に供給される転送開始パルスＤＹが、シフトレジス
タ１３０（図２参照）により、クロック信号ＣＬＹの立
ち上がり及び立ち下がりにしたがってシフトされて、１
水平走査期間１Ｈ毎に、順次排他的にＨレベルになる走
査信号Ｙｓ１、Ｙｓ２、Ｙｓ３、…、Ｙｓｍとして出力
される。
最初に供給される転送開始パルスＤＹが、シフトレジス
タ１３０（図２参照）により、クロック信号ＣＬＹの立
ち上がり及び立ち下がりにしたがってシフトされて、１
水平走査期間１Ｈ毎に、順次排他的にＨレベルになる走
査信号Ｙｓ１、Ｙｓ２、Ｙｓ３、…、Ｙｓｍとして出力
される。
【００３９】ここで、最初の１垂直走査期間（１Ｆ）に
おいて、信号ＦＲがＨレベルである場合であって、走査
信号Ｙｓ１がＨレベルになったとき、信号ＰＳはＨレベ
ルになる（１行目の走査線１１２に位置する画素１２０
に対して正極性書込が指示される）。この後、走査信号
Ｙｓ１の立ち下がりにおいて、１行目のフリップフロッ
プ１３２は、当該信号ＦＲをラッチする。このため、１
行目のフリップフロップ１３２による選択制御信号Ｃｓ
１は、走査信号Ｙｓ１の立ち下がると（すなわち、１行
目に位置する画素１２０のＴＦＴ１１６がオフする
と）、Ｈレベルに遷移する結果、１行目のセレクタ１３
４は、その入力端Ａを選択するので、１行目の容量線１
１３に供給される容量スイング信号Ｙｃ１は、高位側の
容量電位Ｖst(+)になる。したがって、走査信号Ｙｓ１
がＨレベルになると、正極性書込が指示され、この後、
当該走査信号Ｙｓ１がＬレベルに立ち下がると、容量ス
イング信号Ｙｃ１が、高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移
する構成となっている。
おいて、信号ＦＲがＨレベルである場合であって、走査
信号Ｙｓ１がＨレベルになったとき、信号ＰＳはＨレベ
ルになる（１行目の走査線１１２に位置する画素１２０
に対して正極性書込が指示される）。この後、走査信号
Ｙｓ１の立ち下がりにおいて、１行目のフリップフロッ
プ１３２は、当該信号ＦＲをラッチする。このため、１
行目のフリップフロップ１３２による選択制御信号Ｃｓ
１は、走査信号Ｙｓ１の立ち下がると（すなわち、１行
目に位置する画素１２０のＴＦＴ１１６がオフする
と）、Ｈレベルに遷移する結果、１行目のセレクタ１３
４は、その入力端Ａを選択するので、１行目の容量線１
１３に供給される容量スイング信号Ｙｃ１は、高位側の
容量電位Ｖst(+)になる。したがって、走査信号Ｙｓ１
がＨレベルになると、正極性書込が指示され、この後、
当該走査信号Ｙｓ１がＬレベルに立ち下がると、容量ス
イング信号Ｙｃ１が、高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移
する構成となっている。
【００４０】次に、走査信号Ｙｓ２がＨレベルになった
ときに、信号ＰＳはＬレベルに反転する（２行目の走査
線１１２に位置する画素１２０に対して負極性書込が指
示される）。この後、走査信号Ｙｓ２の立ち下がりにお
いて、２行目のフリップフロップ１３２が当該信号ＦＲ
をラッチするので、選択制御信号Ｃｓ２は、走査信号Ｙ
ｓ２の立ち下がると（すなわち、２行目に位置する画素
１２０のＴＦＴ１１６がオフすると）、Ｈレベルに遷移
する結果、２行目のセレクタ１３４は、その入力端Ａを
選択する。ただし、偶数行のセレクタ１３４は、奇数行
のセレクタ１３４とは、入力端Ａ、Ｂに供給されている
容量電位が、互いに入れ替えられているので（図２参
照）、２行目の容量線１１３に供給される容量スイング
信号Ｙｃ２は、走査信号Ｙｓ２の立ち下がりにおいて、
低位側の容量電位Ｖst(-)になる。したがって、走査信
号Ｙｓ２がＨレベルになると、負極性書込が指示され、
この後、当該走査信号Ｙｓ２がＬレベルに立ち下がる
と、容量スイング信号Ｙｃ２が、低位側の容量電位Ｖst
(-)に遷移する構成となっている。
ときに、信号ＰＳはＬレベルに反転する（２行目の走査
線１１２に位置する画素１２０に対して負極性書込が指
示される）。この後、走査信号Ｙｓ２の立ち下がりにお
いて、２行目のフリップフロップ１３２が当該信号ＦＲ
をラッチするので、選択制御信号Ｃｓ２は、走査信号Ｙ
ｓ２の立ち下がると（すなわち、２行目に位置する画素
１２０のＴＦＴ１１６がオフすると）、Ｈレベルに遷移
する結果、２行目のセレクタ１３４は、その入力端Ａを
選択する。ただし、偶数行のセレクタ１３４は、奇数行
のセレクタ１３４とは、入力端Ａ、Ｂに供給されている
容量電位が、互いに入れ替えられているので（図２参
照）、２行目の容量線１１３に供給される容量スイング
信号Ｙｃ２は、走査信号Ｙｓ２の立ち下がりにおいて、
低位側の容量電位Ｖst(-)になる。したがって、走査信
号Ｙｓ２がＨレベルになると、負極性書込が指示され、
この後、当該走査信号Ｙｓ２がＬレベルに立ち下がる
と、容量スイング信号Ｙｃ２が、低位側の容量電位Ｖst
(-)に遷移する構成となっている。
【００４１】以下同様な動作が、３行目、４行目、５行
目、…、ｍ行目のフリップフロップ１３２およびセレク
タ１３４において繰り返し行われることになる。すなわ
ち、信号ＦＲがＨレベルである１垂直走査期間（１Ｆ）
において、ｉ行目の走査線１１２に供給される走査信号
ＹｓｉがＨレベルになると、ｉが奇数であれば、正極性
書込が指示され、この後、当該走査信号ＹｓｉがＬレベ
ルに立ち下がると、ｉ行目の容量線１１３に供給される
容量スイング信号Ｙｃｉは、低位側の容量電位Ｖst(-)
から高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移する一方、ｉが偶
数であれば、負極性書込が指示され、この後、当該走査
信号ＹｓｉがＬレベルに立ち下がると、容量スイング信
号Ｙｃｉは、高位側の容量電位Ｖst(+)から低位側の容
量電位Ｖst(-)に遷移することになる。
目、…、ｍ行目のフリップフロップ１３２およびセレク
タ１３４において繰り返し行われることになる。すなわ
ち、信号ＦＲがＨレベルである１垂直走査期間（１Ｆ）
において、ｉ行目の走査線１１２に供給される走査信号
ＹｓｉがＨレベルになると、ｉが奇数であれば、正極性
書込が指示され、この後、当該走査信号ＹｓｉがＬレベ
ルに立ち下がると、ｉ行目の容量線１１３に供給される
容量スイング信号Ｙｃｉは、低位側の容量電位Ｖst(-)
から高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移する一方、ｉが偶
数であれば、負極性書込が指示され、この後、当該走査
信号ＹｓｉがＬレベルに立ち下がると、容量スイング信
号Ｙｃｉは、高位側の容量電位Ｖst(+)から低位側の容
量電位Ｖst(-)に遷移することになる。
【００４２】なお、次の垂直走査期間では、信号ＦＲは
Ｌレベルになる。このため、ｉ行目の走査線１１２に供
給される走査信号ＹｓｉがＨレベルからＬレベルになっ
たとき、ｉ行目の容量線１１３に供給される容量スイン
グ信号Ｙｃｉは、ｉが奇数であれば、高位側の容量電位
Ｖst(+)から低位側の容量電位Ｖst(-)に遷移する一方、
ｉが偶数であれば、低位側の容量電位Ｖst(-)から高位
側の容量電位Ｖst(+)に遷移することになる。ただし、
信号ＰＳの論理レベルも反転するので、正極性書込が指
示された後、走査信号ＹｓｉがＬレベルに立ち下がる
と、容量スイング信号Ｙｃｉは、低位側の容量電位Ｖst
(-)から高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移する一方、負極
性書込が指示された後、走査信号ＹｓｉがＬレベルに立
ち下がると、容量スイング信号Ｙｃｉが、高位側の容量
電位Ｖst(+)から低位側の容量電位Ｖst(-)に遷移する点
に変わりはない。
Ｌレベルになる。このため、ｉ行目の走査線１１２に供
給される走査信号ＹｓｉがＨレベルからＬレベルになっ
たとき、ｉ行目の容量線１１３に供給される容量スイン
グ信号Ｙｃｉは、ｉが奇数であれば、高位側の容量電位
Ｖst(+)から低位側の容量電位Ｖst(-)に遷移する一方、
ｉが偶数であれば、低位側の容量電位Ｖst(-)から高位
側の容量電位Ｖst(+)に遷移することになる。ただし、
信号ＰＳの論理レベルも反転するので、正極性書込が指
示された後、走査信号ＹｓｉがＬレベルに立ち下がる
と、容量スイング信号Ｙｃｉは、低位側の容量電位Ｖst
(-)から高位側の容量電位Ｖst(+)に遷移する一方、負極
性書込が指示された後、走査信号ＹｓｉがＬレベルに立
ち下がると、容量スイング信号Ｙｃｉが、高位側の容量
電位Ｖst(+)から低位側の容量電位Ｖst(-)に遷移する点
に変わりはない。
【００４３】＜１−３：Ｘ側の動作＞次に、液晶表示装
置の動作のうち、Ｘ側の動作について説明する。ここ
で、図４は、この液晶表示装置におけるＸ側の動作を説
明するためのタイミングチャートである。
置の動作のうち、Ｘ側の動作について説明する。ここ
で、図４は、この液晶表示装置におけるＸ側の動作を説
明するためのタイミングチャートである。
【００４４】まず、図４において、１行目の走査線１１
２に供給される走査信号Ｙｓ１がＨレベルになる１水平
走査期間（図においてで示される期間）について着目
すると、当該期間に先んじて、１行１列、１行２列、
…、１行ｎ列の画素に対応する階調データＤａｔａが順
番に供給される。このうち、１行１列の画素に対応する
階調データＤａｔａが供給されるタイミングにおいて、
シフトレジスタ１５０から出力されるサンプリング制御
信号Ｘｓ１がＨレベルになると、１列目に対応する第１
のサンプリングスイッチ１５２のオンにより、当該階調
データが、同じく１列目に対応する第１のラッチ回路１
５４にラッチされる。
２に供給される走査信号Ｙｓ１がＨレベルになる１水平
走査期間（図においてで示される期間）について着目
すると、当該期間に先んじて、１行１列、１行２列、
…、１行ｎ列の画素に対応する階調データＤａｔａが順
番に供給される。このうち、１行１列の画素に対応する
階調データＤａｔａが供給されるタイミングにおいて、
シフトレジスタ１５０から出力されるサンプリング制御
信号Ｘｓ１がＨレベルになると、１列目に対応する第１
のサンプリングスイッチ１５２のオンにより、当該階調
データが、同じく１列目に対応する第１のラッチ回路１
５４にラッチされる。
【００４５】次に、１行２列のドットに対応する階調デ
ータＤａｔａが供給されるタイミングにおいて、サンプ
リング制御信号Ｘｓ２がＨレベルになると、２列目に対
応する第１のサンプリングスイッチ１５２のオンによ
り、当該階調データが、同じく２列目に対応する第１の
ラッチ回路１５４にそれぞれラッチされ、以下同様にし
て、１行ｎ列のドットに対応する階調データＤａｔａ
が、ｎ列目に対応する第１のラッチ回路１５４にそれぞ
れラッチされる。これにより、１行目に位置するｎ個の
画素に対応する階調データＤａｔａが、１列目、２列
目、…、ｎ列目に対応する第１のラッチ回路１５４にそ
れぞれラッチされることになる。
ータＤａｔａが供給されるタイミングにおいて、サンプ
リング制御信号Ｘｓ２がＨレベルになると、２列目に対
応する第１のサンプリングスイッチ１５２のオンによ
り、当該階調データが、同じく２列目に対応する第１の
ラッチ回路１５４にそれぞれラッチされ、以下同様にし
て、１行ｎ列のドットに対応する階調データＤａｔａ
が、ｎ列目に対応する第１のラッチ回路１５４にそれぞ
れラッチされる。これにより、１行目に位置するｎ個の
画素に対応する階調データＤａｔａが、１列目、２列
目、…、ｎ列目に対応する第１のラッチ回路１５４にそ
れぞれラッチされることになる。
【００４６】続いて、ラッチパルスＬＰが出力されると
（その論理レベルがＨレベルになると）、それぞれ１列
目、２列目、…、ｎ列目に対応する第１のラッチ回路１
５４にそれぞれラッチされた階調データＤａｔａが、第
２のサンプリングスイッチ１５６のオンにより、それぞ
れに対応する列の第２のラッチ回路１５８に、一斉にラ
ッチされることになる。
（その論理レベルがＨレベルになると）、それぞれ１列
目、２列目、…、ｎ列目に対応する第１のラッチ回路１
５４にそれぞれラッチされた階調データＤａｔａが、第
２のサンプリングスイッチ１５６のオンにより、それぞ
れに対応する列の第２のラッチ回路１５８に、一斉にラ
ッチされることになる。
【００４７】そして、１列目、２列目、…、ｎ列目に対
応する第２のラッチ回路１５８にそれぞれラッチされた
階調データＤａｔａが、それぞれに対応する列のＤ／Ａ
変換器１６０によって、信号ＰＳの論理レベルに対応す
る極性側のアナログ信号に変換されて、データ信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎとして出力される。この際、データ
信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電位は、信号ＰＳがＨレベ
ルであれば、正極性書込に対応したもの、詳細には、正
極側の白レベルに対応する電位Ｖwt(+)から、正極側の
黒レベルに対応する電位Ｖbk(+)までの範囲において、
階調データＤａｔａに対応したものとなる。
応する第２のラッチ回路１５８にそれぞれラッチされた
階調データＤａｔａが、それぞれに対応する列のＤ／Ａ
変換器１６０によって、信号ＰＳの論理レベルに対応す
る極性側のアナログ信号に変換されて、データ信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎとして出力される。この際、データ
信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電位は、信号ＰＳがＨレベ
ルであれば、正極性書込に対応したもの、詳細には、正
極側の白レベルに対応する電位Ｖwt(+)から、正極側の
黒レベルに対応する電位Ｖbk(+)までの範囲において、
階調データＤａｔａに対応したものとなる。
【００４８】続いて、２行目の走査線１１２に供給され
る走査信号Ｙｓ２がＨレベルになる１水平走査期間（図
においてで示される期間）について着目すると、当該
期間に先んじて、２行１列、２行２列、…、２行ｎ列の
画素に対応する階調データＤａｔａが順番に供給され
て、走査信号Ｙｓ１がＨレベルになる期間と同様な動作
が実行される。すなわち、第１に、サンプリング制御信
号Ｘｓ１、Ｘｓ２、…、Ｘｓｎが順番にＨレベルになる
と、２行１列、２行２列、…、２行ｎ列の画素に対応す
る階調データＤａｔａが、１列目、２列目、…、ｎ列目
に対応する第１のラッチ回路１５４にそれぞれにラッチ
され、この後、第２に、ラッチパルスＬＰの出力によ
り、ラッチされた階調データＤａｔａが、対応する列の
第２のラッチ回路１５８に一斉にラッチされて、第３
に、それぞれに対応する列のＤ／Ａ変換器１６０によっ
て、信号ＰＳの論理レベルに対応する極性側のアナログ
信号に変換されて、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎと
して出力される。ただし、この水平走査期間では、信
号ＰＳがＬレベルに反転するので、データ信号Ｓ１、Ｓ
２、…、Ｓｎの電位は、負極性書込に対応したもの、詳
細には、負極側の白レベルに対応する電位Ｖw t(-)か
ら、負極側の黒レベルに対応する電位Ｖbk(-)までの範
囲において、階調データＤａｔａに対応したものとな
る。
る走査信号Ｙｓ２がＨレベルになる１水平走査期間（図
においてで示される期間）について着目すると、当該
期間に先んじて、２行１列、２行２列、…、２行ｎ列の
画素に対応する階調データＤａｔａが順番に供給され
て、走査信号Ｙｓ１がＨレベルになる期間と同様な動作
が実行される。すなわち、第１に、サンプリング制御信
号Ｘｓ１、Ｘｓ２、…、Ｘｓｎが順番にＨレベルになる
と、２行１列、２行２列、…、２行ｎ列の画素に対応す
る階調データＤａｔａが、１列目、２列目、…、ｎ列目
に対応する第１のラッチ回路１５４にそれぞれにラッチ
され、この後、第２に、ラッチパルスＬＰの出力によ
り、ラッチされた階調データＤａｔａが、対応する列の
第２のラッチ回路１５８に一斉にラッチされて、第３
に、それぞれに対応する列のＤ／Ａ変換器１６０によっ
て、信号ＰＳの論理レベルに対応する極性側のアナログ
信号に変換されて、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎと
して出力される。ただし、この水平走査期間では、信
号ＰＳがＬレベルに反転するので、データ信号Ｓ１、Ｓ
２、…、Ｓｎの電位は、負極性書込に対応したもの、詳
細には、負極側の白レベルに対応する電位Ｖw t(-)か
ら、負極側の黒レベルに対応する電位Ｖbk(-)までの範
囲において、階調データＤａｔａに対応したものとな
る。
【００４９】以下、同様な動作が、走査信号Ｙｓ３、Ｙ
ｓ４、…、ＹｓｍがＨレベルになる毎に、繰り返し実行
されることになる。すなわち、ｉ行目の走査線１１２に
供給される走査信号ＹｓｉがＨレベルになる１水平走査
期間に先んじて、ｉ行１列、ｉ行２列、…、ｉ行ｎ列の
画素に対応する階調データＤａｔａが順番に供給され
て、１列目、２列目、…、ｎ列目に対応する第１のラッ
チ回路１５４にそれぞれにラッチされ、この後、ラッチ
パルスＬＰの出力により、対応する列の第２のラッチ回
路１５８に一斉にラッチされて、それぞれに対応する列
のＤ／Ａ変換器１６０によって、信号ＰＳの論理レベル
に対応する極性側のアナログ信号に変換されて、データ
信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎとして出力される。この際、
データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電位は、ｉが奇数で
あれば、信号ＰＳがＨレベルとなるので、正極性書込に
対応したものとなる一方、ｉが偶数であれば、信号ＰＳ
がＬレベルとなるので、負極性書込に対応したものとな
る。
ｓ４、…、ＹｓｍがＨレベルになる毎に、繰り返し実行
されることになる。すなわち、ｉ行目の走査線１１２に
供給される走査信号ＹｓｉがＨレベルになる１水平走査
期間に先んじて、ｉ行１列、ｉ行２列、…、ｉ行ｎ列の
画素に対応する階調データＤａｔａが順番に供給され
て、１列目、２列目、…、ｎ列目に対応する第１のラッ
チ回路１５４にそれぞれにラッチされ、この後、ラッチ
パルスＬＰの出力により、対応する列の第２のラッチ回
路１５８に一斉にラッチされて、それぞれに対応する列
のＤ／Ａ変換器１６０によって、信号ＰＳの論理レベル
に対応する極性側のアナログ信号に変換されて、データ
信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎとして出力される。この際、
データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電位は、ｉが奇数で
あれば、信号ＰＳがＨレベルとなるので、正極性書込に
対応したものとなる一方、ｉが偶数であれば、信号ＰＳ
がＬレベルとなるので、負極性書込に対応したものとな
る。
【００５０】なお、次の垂直走査期間では、同様な動作
が実行されるが、信号ＰＳは、同一の水平走査期間につ
いてみた場合、１垂直走査期間毎に反転するので、デー
タ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電位は、ｉが奇数であれ
ば、負極性書込に対応したものとなる一方、ｉが偶数で
あれば、正極性書込に対応したものとなる。
が実行されるが、信号ＰＳは、同一の水平走査期間につ
いてみた場合、１垂直走査期間毎に反転するので、デー
タ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電位は、ｉが奇数であれ
ば、負極性書込に対応したものとなる一方、ｉが偶数で
あれば、正極性書込に対応したものとなる。
【００５１】＜１−４：蓄積容量および液晶容量におけ
る動作＞続いて、上述したようなＹ側およびＸ側の動作
が行われた場合に、蓄積容量および液晶容量における動
作について説明する。図５（ａ）、図５（ｂ）および図
５（ｃ）の各々は、これらの容量における電荷の蓄積動
作を説明するための図である。なお、これらの図の左方
における２つの升は、それぞれ蓄積容量および液晶容量
を示している。詳細には、升の底面積が、それぞれ蓄積
容量Ｃstg（１１９）および液晶容量ＣLCの大きさを示
し、升に溜められた水が電荷を示し、その高さが電圧を
示している。
る動作＞続いて、上述したようなＹ側およびＸ側の動作
が行われた場合に、蓄積容量および液晶容量における動
作について説明する。図５（ａ）、図５（ｂ）および図
５（ｃ）の各々は、これらの容量における電荷の蓄積動
作を説明するための図である。なお、これらの図の左方
における２つの升は、それぞれ蓄積容量および液晶容量
を示している。詳細には、升の底面積が、それぞれ蓄積
容量Ｃstg（１１９）および液晶容量ＣLCの大きさを示
し、升に溜められた水が電荷を示し、その高さが電圧を
示している。
【００５２】ここで、説明の便宜上、ｉ行ｊ列に位置す
る画素１２０において、正極性書込を行う場合を例にと
って簡略的に説明する。なお、低位側の容量電位Ｖst
(-)と、対向電極１０８の電位ＬＣcomとは、後述するよ
うに実際には異なっているが、ここでは、説明簡略化の
ために、互いに等しいものとして扱う。
る画素１２０において、正極性書込を行う場合を例にと
って簡略的に説明する。なお、低位側の容量電位Ｖst
(-)と、対向電極１０８の電位ＬＣcomとは、後述するよ
うに実際には異なっているが、ここでは、説明簡略化の
ために、互いに等しいものとして扱う。
【００５３】まず、走査信号ＹｓｉがＨレベル（オン電
位）になると、当該画素のＴＦＴ１１６がオンするの
で、図５（ａ）に示されるように、当該画素の蓄積容量
Ｃstgおよび液晶容量ＣLCには、データ線Ｓｊの電位に
応じた電荷が蓄積される。この際、蓄積容量Ｃstgおよ
び液晶容量ＣLCにおいて充電された書込電圧をＶ0とす
る。
位）になると、当該画素のＴＦＴ１１６がオンするの
で、図５（ａ）に示されるように、当該画素の蓄積容量
Ｃstgおよび液晶容量ＣLCには、データ線Ｓｊの電位に
応じた電荷が蓄積される。この際、蓄積容量Ｃstgおよ
び液晶容量ＣLCにおいて充電された書込電圧をＶ0とす
る。
【００５４】次に、走査信号ＹｓｉがＬレベル（オフ電
位）になると、当該画素のＴＦＴ１１６がオフするとと
もに、正極性書込では、ｉ行目の容量線１１３に供給さ
れる容量スイング信号Ｙｃｉの電位が、上述したように
低位側の容量電位Ｖst(-)から高位側の容量電位Ｖst(+)
に遷移する。このため、図５（ｂ）に示されるように、
蓄積容量Ｃstgにおける充電電圧が、その遷移分である
電圧Ｖ1だけ持ち上がる。ここで、Ｖ1＝｛Ｖst(+)−Ｖs
t(-)｝である。
位）になると、当該画素のＴＦＴ１１６がオフするとと
もに、正極性書込では、ｉ行目の容量線１１３に供給さ
れる容量スイング信号Ｙｃｉの電位が、上述したように
低位側の容量電位Ｖst(-)から高位側の容量電位Ｖst(+)
に遷移する。このため、図５（ｂ）に示されるように、
蓄積容量Ｃstgにおける充電電圧が、その遷移分である
電圧Ｖ1だけ持ち上がる。ここで、Ｖ1＝｛Ｖst(+)−Ｖs
t(-)｝である。
【００５５】ただし、蓄積容量Ｃstgの一端は、画素電
極１１８に接続されているので、図５（ｃ）に示される
ように、電圧が持ち上げられた蓄積容量Ｃstgから液晶
容量ＣLCに電荷が受け渡される。そして、両容量におけ
る電位差がなくなると、電荷の受け渡しが終了するの
で、両容量における充電電圧は、最終的に電圧Ｖ2にな
る。この電圧Ｖ2は、ＴＦＴ１１６のオフ時におけるほ
とんどの期間において液晶容量ＣLCに印加され続けるこ
とになるので、液晶容量ＣLCには、実効的に、ＴＦＴ１
１６のオン時から電圧Ｖ2が印加されたものとみなすこ
とができる。
極１１８に接続されているので、図５（ｃ）に示される
ように、電圧が持ち上げられた蓄積容量Ｃstgから液晶
容量ＣLCに電荷が受け渡される。そして、両容量におけ
る電位差がなくなると、電荷の受け渡しが終了するの
で、両容量における充電電圧は、最終的に電圧Ｖ2にな
る。この電圧Ｖ2は、ＴＦＴ１１６のオフ時におけるほ
とんどの期間において液晶容量ＣLCに印加され続けるこ
とになるので、液晶容量ＣLCには、実効的に、ＴＦＴ１
１６のオン時から電圧Ｖ2が印加されたものとみなすこ
とができる。
【００５６】ここで、電圧Ｖ2は、蓄積容量Ｃstgおよび
液晶容量ＣLCを用いると、次式(1)のように表すことが
できる。 Ｖ2＝Ｖ0＋Ｖ1・Ｃstg／（Ｃstg＋ＣLC） ……(1)
液晶容量ＣLCを用いると、次式(1)のように表すことが
できる。 Ｖ2＝Ｖ0＋Ｖ1・Ｃstg／（Ｃstg＋ＣLC） ……(1)
【００５７】さて、蓄積容量Ｃstgが液晶容量ＣLCより
も充分に大きいのであれば、式(1)は、次式(2)のように
近似される。 Ｖ2＝Ｖ0＋Ｖ1 ……(2) すなわち、液晶容量ＣLCに最終的に印加される電圧Ｖ2
は、初期書込電圧Ｖ0から、容量スイング信号Ｙｃｉの
持ち上がり分Ｖ1だけ高位側にシフトしたものとして簡
略化される。
も充分に大きいのであれば、式(1)は、次式(2)のように
近似される。 Ｖ2＝Ｖ0＋Ｖ1 ……(2) すなわち、液晶容量ＣLCに最終的に印加される電圧Ｖ2
は、初期書込電圧Ｖ0から、容量スイング信号Ｙｃｉの
持ち上がり分Ｖ1だけ高位側にシフトしたものとして簡
略化される。
【００５８】なお、ここでは、図５（ｂ）および図５
（ｃ）の動作を、簡略化のために別々に説明したが、実
際には、両者の動作は同時並行的に行われる。また、こ
こでは、正極性書込を行う場合について説明したが、負
極性書込の場合に、蓄積容量Ｃ stgが液晶容量ＣLCより
も充分に大きいのであれば、液晶容量ＣLCに最終的に印
加される電圧Ｖ2は、初期書込電圧Ｖ0から容量スイング
信号Ｙｃｉの遷移分Ｖ1だけ、低位側にシフトすること
になる。
（ｃ）の動作を、簡略化のために別々に説明したが、実
際には、両者の動作は同時並行的に行われる。また、こ
こでは、正極性書込を行う場合について説明したが、負
極性書込の場合に、蓄積容量Ｃ stgが液晶容量ＣLCより
も充分に大きいのであれば、液晶容量ＣLCに最終的に印
加される電圧Ｖ2は、初期書込電圧Ｖ0から容量スイング
信号Ｙｃｉの遷移分Ｖ1だけ、低位側にシフトすること
になる。
【００５９】さて、ｉ行ｊ列に位置する画素１２０にお
いて、実際に正極性書込を行う場合、上述したように、
当該画素におけるＴＦＴ１１６のオン時に、ｉ行目の容
量線１１３に印加される容量スイング信号Ｙｃｉの電
位、すなわち、当該画素における蓄積容量Ｃstg（１１
９）の他端の電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)であ
り、また、液晶容量ＣLCの他端たる対向電極１０８の電
位は、一定のＬＣcomである（図６（ａ）参照）。すな
わち、蓄積容量Ｃstgにおける充電電圧の基準電位と、
液晶容量ＣLCにおける充電電圧の基準電位とは互いに異
なっている。
いて、実際に正極性書込を行う場合、上述したように、
当該画素におけるＴＦＴ１１６のオン時に、ｉ行目の容
量線１１３に印加される容量スイング信号Ｙｃｉの電
位、すなわち、当該画素における蓄積容量Ｃstg（１１
９）の他端の電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)であ
り、また、液晶容量ＣLCの他端たる対向電極１０８の電
位は、一定のＬＣcomである（図６（ａ）参照）。すな
わち、蓄積容量Ｃstgにおける充電電圧の基準電位と、
液晶容量ＣLCにおける充電電圧の基準電位とは互いに異
なっている。
【００６０】しかしながら、図６（ｂ）に示されるよう
に、ｉ行ｊ列の画素１２０における画素電極１１８の電
位Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）は、第１に、ＴＦＴ１１６のオン時
に、一旦、ｊ列目のデータ線１１４に供給されるデータ
信号Ｓｊの電位になり、第２に、ＴＦＴ１１６のオフ直
後に、正極性書込であれば、容量スイング信号Ｙｃｉが
低位側の容量電位Ｖst(-)から高位側の容量電位Ｖst(+)
に遷移することによって、高位側にシフトする一方、負
極性書込であれば、容量スイング信号Ｙｃｉが高位側の
容量電位Ｖst(+)から低位側の容量電位Ｖst(-)に遷移す
ることによって、低位側にシフトする点、および、この
シフト量が、データ信号Ｓｊの書込電位と、蓄積容量Ｃ
stgおよび液晶容量ＣLCの比とに応じたものとなる点に
ついては、図５（ａ）、図５（ｂ）および図５（ｃ）に
おける説明となんら変わるところはない。
に、ｉ行ｊ列の画素１２０における画素電極１１８の電
位Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）は、第１に、ＴＦＴ１１６のオン時
に、一旦、ｊ列目のデータ線１１４に供給されるデータ
信号Ｓｊの電位になり、第２に、ＴＦＴ１１６のオフ直
後に、正極性書込であれば、容量スイング信号Ｙｃｉが
低位側の容量電位Ｖst(-)から高位側の容量電位Ｖst(+)
に遷移することによって、高位側にシフトする一方、負
極性書込であれば、容量スイング信号Ｙｃｉが高位側の
容量電位Ｖst(+)から低位側の容量電位Ｖst(-)に遷移す
ることによって、低位側にシフトする点、および、この
シフト量が、データ信号Ｓｊの書込電位と、蓄積容量Ｃ
stgおよび液晶容量ＣLCの比とに応じたものとなる点に
ついては、図５（ａ）、図５（ｂ）および図５（ｃ）に
おける説明となんら変わるところはない。
【００６１】なお、図６（ｂ）は、ｉ行ｊ列の画素１２
０における画素電極１１８の電位Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）が、
ＴＦＴ１１６のオン時に、正極性書込における白レベル
に対応する電位Ｖwt(+)であった場合に、ＴＦＴ１１６
のオフ直後に、その電位Ｖwt(+)と、蓄積容量Ｃstgおよ
び液晶容量ＣLCの比とに応じた分ΔＶwtだけ、高位側に
シフトする点と、画素電極１１８の電位Ｐｉｘ（ｉ，
ｊ）が、ＴＦＴ１１６のオン時に、正極性書込における
黒レベルに対応する電位Ｖbk(+)であった場合に、ＴＦ
Ｔ１１６のオフ直後に、その電位Ｖbk(+)と、蓄積容量
Ｃstgおよび液晶容量ＣLCの比とに応じた分ΔＶbkだ
け、高位側にシフトする点と、画素電極１１８の電位Ｐ
ｉｘ（ｉ，ｊ）が、ＴＦＴ１１６のオン時に、負極性書
込における白レベルに対応する電位Ｖwt(-)であった場
合に、ＴＦＴ１１６のオフ直後に、その電位Ｖwt(-)
と、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCの比とに応じた
分ΔＶwtだけ、低位側にシフトする点と、画素電極１１
８の電位Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）が、ＴＦＴ１１６のオン時
に、負極性書込における黒レベルに対応する電位Ｖbk
(-)であった場合に、ＴＦＴ１１６のオフ直後に、その
電位Ｖbk(+)と、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCの比
とに応じた分ΔＶbkだけ、低位側にシフトする点と、の
計４点を示している。
０における画素電極１１８の電位Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）が、
ＴＦＴ１１６のオン時に、正極性書込における白レベル
に対応する電位Ｖwt(+)であった場合に、ＴＦＴ１１６
のオフ直後に、その電位Ｖwt(+)と、蓄積容量Ｃstgおよ
び液晶容量ＣLCの比とに応じた分ΔＶwtだけ、高位側に
シフトする点と、画素電極１１８の電位Ｐｉｘ（ｉ，
ｊ）が、ＴＦＴ１１６のオン時に、正極性書込における
黒レベルに対応する電位Ｖbk(+)であった場合に、ＴＦ
Ｔ１１６のオフ直後に、その電位Ｖbk(+)と、蓄積容量
Ｃstgおよび液晶容量ＣLCの比とに応じた分ΔＶbkだ
け、高位側にシフトする点と、画素電極１１８の電位Ｐ
ｉｘ（ｉ，ｊ）が、ＴＦＴ１１６のオン時に、負極性書
込における白レベルに対応する電位Ｖwt(-)であった場
合に、ＴＦＴ１１６のオフ直後に、その電位Ｖwt(-)
と、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCの比とに応じた
分ΔＶwtだけ、低位側にシフトする点と、画素電極１１
８の電位Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）が、ＴＦＴ１１６のオン時
に、負極性書込における黒レベルに対応する電位Ｖbk
(-)であった場合に、ＴＦＴ１１６のオフ直後に、その
電位Ｖbk(+)と、蓄積容量Ｃstgおよび液晶容量ＣLCの比
とに応じた分ΔＶbkだけ、低位側にシフトする点と、の
計４点を示している。
【００６２】このように、本実施形態によれば、データ
線１１４に供給されるデータ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ
の電圧振幅以上に、画素電極１１８の電位が変位するこ
とになる。すなわち、本実施形態によれば、データ信号
の電圧振幅範囲が狭くても、その範囲以上に、液晶容量
に印加される電圧実効値が拡大することになる。このた
め、従来では、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力段に設けられ
て、データ信号の電圧を拡大するためのレベルシフタが
不要となるので、その分、回路配置に余裕が生じるだけ
でなく、電圧拡大することに伴って消費されていた電力
もなくすことができる。さらに、Ｘ側におけるシフトレ
ジスタ１５０からＤ／Ａ変換器１６０までに至る回路を
すべて低電圧で駆動することができるので、これらの回
路を構成する素子（ＴＦＴ）が小さくて済む。このた
め、データ線１１４のピッチを、より狭くすることがで
きるので、高精細化を図ることが容易となる。
線１１４に供給されるデータ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ
の電圧振幅以上に、画素電極１１８の電位が変位するこ
とになる。すなわち、本実施形態によれば、データ信号
の電圧振幅範囲が狭くても、その範囲以上に、液晶容量
に印加される電圧実効値が拡大することになる。このた
め、従来では、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力段に設けられ
て、データ信号の電圧を拡大するためのレベルシフタが
不要となるので、その分、回路配置に余裕が生じるだけ
でなく、電圧拡大することに伴って消費されていた電力
もなくすことができる。さらに、Ｘ側におけるシフトレ
ジスタ１５０からＤ／Ａ変換器１６０までに至る回路を
すべて低電圧で駆動することができるので、これらの回
路を構成する素子（ＴＦＴ）が小さくて済む。このた
め、データ線１１４のピッチを、より狭くすることがで
きるので、高精細化を図ることが容易となる。
【００６３】さらに、本実施形態では、蓄積容量Ｃstg
の他端を前行の走査線１１２に接続するとともに、走査
線を多値で駆動する方法（例えば、特開平２−９１３号
公報や、特開平４−１４５４９０号公報に記載の技術参
照）と比較すると、次のような利点がある。すなわち、
走査線を多値で駆動する方法では、走査線に蓄積容量が
接続される分、負荷が大きくなる。一方、一般に走査線
に供給される走査信号の電圧振幅は、データ線に供給さ
れるデータ信号の電圧振幅よりも大きい（図６（ａ）参
照）。このため、走査線を多値で駆動する方法では、負
荷が付加された走査線を高電圧振幅することにより消費
される電力を考えると、低消費電力化を図ることが困難
である。これに対し、本実施形態では、蓄積容量Ｃstg
（１１９）の他端を、容量線１１３に供給される容量ス
イング信号によって持ち上げ、または、持ち下げること
で、液晶容量に印加される電圧実効値を拡大しているの
で、走査線に付加される容量に変更はなく、また、デー
タ信号の電圧振幅が小さく抑えられる分、走査信号の電
圧振幅を小さくできるので、さらなる低消費電力化も可
能になる。
の他端を前行の走査線１１２に接続するとともに、走査
線を多値で駆動する方法（例えば、特開平２−９１３号
公報や、特開平４−１４５４９０号公報に記載の技術参
照）と比較すると、次のような利点がある。すなわち、
走査線を多値で駆動する方法では、走査線に蓄積容量が
接続される分、負荷が大きくなる。一方、一般に走査線
に供給される走査信号の電圧振幅は、データ線に供給さ
れるデータ信号の電圧振幅よりも大きい（図６（ａ）参
照）。このため、走査線を多値で駆動する方法では、負
荷が付加された走査線を高電圧振幅することにより消費
される電力を考えると、低消費電力化を図ることが困難
である。これに対し、本実施形態では、蓄積容量Ｃstg
（１１９）の他端を、容量線１１３に供給される容量ス
イング信号によって持ち上げ、または、持ち下げること
で、液晶容量に印加される電圧実効値を拡大しているの
で、走査線に付加される容量に変更はなく、また、デー
タ信号の電圧振幅が小さく抑えられる分、走査信号の電
圧振幅を小さくできるので、さらなる低消費電力化も可
能になる。
【００６４】また、本実施形態では、対向電極の電位を
一定の期間（例えば１水平走査期間）毎にシフトする
（持ち上げる、または、持ち下げる）方法と比較する
と、次のような利点がある。すなわち、対向電極の電位
をシフトすると、当該対向電極に寄生するすべての容量
が一斉に影響を受けるので、意外に低消費電力化を図る
ことができない。これに対し、本実施形態では、容量線
１１３の電位が１水平走査期間毎に順番にシフトするだ
けであるので、１水平走査期間でみれば、１本の容量線
１１３に寄生する容量だけが影響を受ける。このため、
本実施形態によれば、対向電極の電位をシフトする方法
と比較すると、電位のシフトにより影響を受ける容量が
圧倒的に少ないので、低消費電力化において有利であ
る。
一定の期間（例えば１水平走査期間）毎にシフトする
（持ち上げる、または、持ち下げる）方法と比較する
と、次のような利点がある。すなわち、対向電極の電位
をシフトすると、当該対向電極に寄生するすべての容量
が一斉に影響を受けるので、意外に低消費電力化を図る
ことができない。これに対し、本実施形態では、容量線
１１３の電位が１水平走査期間毎に順番にシフトするだ
けであるので、１水平走査期間でみれば、１本の容量線
１１３に寄生する容量だけが影響を受ける。このため、
本実施形態によれば、対向電極の電位をシフトする方法
と比較すると、電位のシフトにより影響を受ける容量が
圧倒的に少ないので、低消費電力化において有利であ
る。
【００６５】＜１−５：考察＞ところで、上述したよう
に、蓄積容量Ｃstgが、液晶容量ＣLCよりも充分に大き
いのであれば、液晶容量ＣLCに最終的に印加される電圧
Ｖ2は、初期書込電圧Ｖ0から、容量スイング信号Ｙｃｉ
の電位遷移分（蓄積容量のおける他端の電位遷移分）だ
け、高位側または低位側にシフトしたものとして取り扱
うことができる。ただし、実際には、回路素子や配線等
におけるレイアウトの制約により、蓄積容量Ｃstgを、
液晶容量ＣLCよりも数倍程度とするのが限界であるの
で、容量スイング信号Ｙｃｉの電位遷移分（持ち上げま
たは持ち下げ分）が、そのまま、画素電極における電位
遷移分にはならない。すなわち、容量スイング信号Ｙｃ
ｉの電位遷移分が、圧縮されて、画素電極１１８におけ
る電位遷移分として反映されることになる。
に、蓄積容量Ｃstgが、液晶容量ＣLCよりも充分に大き
いのであれば、液晶容量ＣLCに最終的に印加される電圧
Ｖ2は、初期書込電圧Ｖ0から、容量スイング信号Ｙｃｉ
の電位遷移分（蓄積容量のおける他端の電位遷移分）だ
け、高位側または低位側にシフトしたものとして取り扱
うことができる。ただし、実際には、回路素子や配線等
におけるレイアウトの制約により、蓄積容量Ｃstgを、
液晶容量ＣLCよりも数倍程度とするのが限界であるの
で、容量スイング信号Ｙｃｉの電位遷移分（持ち上げま
たは持ち下げ分）が、そのまま、画素電極における電位
遷移分にはならない。すなわち、容量スイング信号Ｙｃ
ｉの電位遷移分が、圧縮されて、画素電極１１８におけ
る電位遷移分として反映されることになる。
【００６６】ここで、図７は、この圧縮率が蓄積容量Ｃ
stg／液晶容量ＣLCの比率に対してどのように変化する
かを、シミュレートした図である。例えば、蓄積容量の
おける他端の電位遷移分が２．０ボルトである場合に、
画素電極の電位シフト分が１．５ボルトであるとき、圧
縮率は７５％となる。この図に示されるように、蓄積容
量Ｃstg／液晶容量ＣLCの比率が大きくなるにつれて、
圧縮率が大きくなるとともに、やがて飽和することが判
る。特に、蓄積容量Ｃstg／液晶容量ＣLCの比率が
「４」を越える付近から、圧縮率が８０％強で飽和する
ことが判る。ここで、蓄積容量Ｃstg／液晶容量ＣLCの
比率が「４」程度であれば、電圧振幅の減少分も約２０
％弱と少なく、レイアウト的にも現実的である。
stg／液晶容量ＣLCの比率に対してどのように変化する
かを、シミュレートした図である。例えば、蓄積容量の
おける他端の電位遷移分が２．０ボルトである場合に、
画素電極の電位シフト分が１．５ボルトであるとき、圧
縮率は７５％となる。この図に示されるように、蓄積容
量Ｃstg／液晶容量ＣLCの比率が大きくなるにつれて、
圧縮率が大きくなるとともに、やがて飽和することが判
る。特に、蓄積容量Ｃstg／液晶容量ＣLCの比率が
「４」を越える付近から、圧縮率が８０％強で飽和する
ことが判る。ここで、蓄積容量Ｃstg／液晶容量ＣLCの
比率が「４」程度であれば、電圧振幅の減少分も約２０
％弱と少なく、レイアウト的にも現実的である。
【００６７】ところで、電圧振幅の減少分を補償するた
めには、第１に、データ線１１４に供給するデータ信号
の初期書込電圧の振幅を増加させることが考えられる
が、これは、本発明における目的と相反することである
から、安易に採用することはできない。特に、Ｄ／Ａ変
換器１６０の出力電圧振幅が、シフトレジスタ１５０か
ら第２のラッチ回路１５８までに至る回路の論理レベル
の振幅を越える場合、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力段に、
その電圧振幅を拡大するためのレベルシフタが必要にな
るので、消費電力の大幅な削減が困難になる。換言すれ
ば、図２に示される構成において、Ｄ／Ａ変換器１６０
の出力電圧振幅が、シフトレジスタ１５０から第２のラ
ッチ回路１５８までに至る回路の論理レベルの振幅を越
えないことが条件となる。
めには、第１に、データ線１１４に供給するデータ信号
の初期書込電圧の振幅を増加させることが考えられる
が、これは、本発明における目的と相反することである
から、安易に採用することはできない。特に、Ｄ／Ａ変
換器１６０の出力電圧振幅が、シフトレジスタ１５０か
ら第２のラッチ回路１５８までに至る回路の論理レベル
の振幅を越える場合、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力段に、
その電圧振幅を拡大するためのレベルシフタが必要にな
るので、消費電力の大幅な削減が困難になる。換言すれ
ば、図２に示される構成において、Ｄ／Ａ変換器１６０
の出力電圧振幅が、シフトレジスタ１５０から第２のラ
ッチ回路１５８までに至る回路の論理レベルの振幅を越
えないことが条件となる。
【００６８】一方、電圧振幅の減少分を補償するために
は、第２に、容量スイング信号Ｙｃｉの電位遷移分を増
加させることも考えられる。ただし、その電位遷移分を
むやみに拡大しても、本来の低消費電力化を図る、とい
う目的を達成することができない。
は、第２に、容量スイング信号Ｙｃｉの電位遷移分を増
加させることも考えられる。ただし、その電位遷移分を
むやみに拡大しても、本来の低消費電力化を図る、とい
う目的を達成することができない。
【００６９】そこで、本発明者は、容量スイング信号Ｙ
ｃｉの電圧振幅（すなわち、蓄積容量における他端の電
位遷移分）と、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力たるデータ信
号の最大出力電圧振幅との関係をシミュレートした。こ
れらのシミュレート結果が、図８（ａ）、図８（ｂ）、
図８（ｃ）、図９（ａ）、図９（ｂ）および図９（ｃ）
のそれぞれに示される。これらの図のうち、図８
（ａ）、図８（ｂ）および図８（ｃ）は、それぞれ、対
向電極の電位に対し最終的に画素電極に印加される電圧
を、白レベルについて±１．２ボルトで固定とした場合
に、黒レベルについて±２．８ボルト、±３．３ボル
ト、±３．８ボルトとして変化させたときの図である。
また、図９（ａ）、図９（ｂ）および図９（ｃ）は、そ
れぞれ、対向電極の電位に対し最終的に画素電極に印加
される電圧を、黒レベルについて±３．３ボルトで固定
とした場合に、白レベルについて±０．７ボルト、±
１．２ボルト、±１．７ボルトとして変化させたときの
図である。なお、これらの図においては、いずれも蓄積
容量Ｃstgをパラメータとし、また、ノーマリーホワイ
トモードを想定している。また、このシミュレート対象
となる液晶容量としては、画素電極のサイズが５０μｍ
×１５０μｍであり、画素電極および対向電極の間の距
離（セルギャップ）が４．０μｍであり、液晶の比誘電
率が白レベルにおいて４．０であって、黒レベルにおい
て１２．０であるものを用いた。
ｃｉの電圧振幅（すなわち、蓄積容量における他端の電
位遷移分）と、Ｄ／Ａ変換器１６０の出力たるデータ信
号の最大出力電圧振幅との関係をシミュレートした。こ
れらのシミュレート結果が、図８（ａ）、図８（ｂ）、
図８（ｃ）、図９（ａ）、図９（ｂ）および図９（ｃ）
のそれぞれに示される。これらの図のうち、図８
（ａ）、図８（ｂ）および図８（ｃ）は、それぞれ、対
向電極の電位に対し最終的に画素電極に印加される電圧
を、白レベルについて±１．２ボルトで固定とした場合
に、黒レベルについて±２．８ボルト、±３．３ボル
ト、±３．８ボルトとして変化させたときの図である。
また、図９（ａ）、図９（ｂ）および図９（ｃ）は、そ
れぞれ、対向電極の電位に対し最終的に画素電極に印加
される電圧を、黒レベルについて±３．３ボルトで固定
とした場合に、白レベルについて±０．７ボルト、±
１．２ボルト、±１．７ボルトとして変化させたときの
図である。なお、これらの図においては、いずれも蓄積
容量Ｃstgをパラメータとし、また、ノーマリーホワイ
トモードを想定している。また、このシミュレート対象
となる液晶容量としては、画素電極のサイズが５０μｍ
×１５０μｍであり、画素電極および対向電極の間の距
離（セルギャップ）が４．０μｍであり、液晶の比誘電
率が白レベルにおいて４．０であって、黒レベルにおい
て１２．０であるものを用いた。
【００７０】さて、これらのシミュレート結果のいずれ
においても、データ信号の最大出力電圧振幅は、容量ス
イング信号Ｙｃｉの電圧振幅に対して最小値を有するこ
とが判る。このうち、図８（ａ）、図８（ｂ）および図
８（ｃ）では、黒レベルに対応する電圧が大きくなるに
つれて、Ｖ字状特性のうち、左側部分の最大出力電圧振
幅だけが大きくなっているが、右側部分が変化していな
いことが判る。一方、図９（ａ）、図９（ｂ）および図
９（ｃ）では、白レベルに対応する電圧が大きくなるに
つれて、Ｖ字状特性のうち、右側部分の最大出力電圧振
幅だけが大きくなっているが、左側部分が変化していな
いことが判る。したがって、これらのことから、データ
信号の最大出力電圧振幅における最小値は、白／黒レベ
ルに対応する電圧と、蓄積容量Ｃstgとで定まることが
判る。
においても、データ信号の最大出力電圧振幅は、容量ス
イング信号Ｙｃｉの電圧振幅に対して最小値を有するこ
とが判る。このうち、図８（ａ）、図８（ｂ）および図
８（ｃ）では、黒レベルに対応する電圧が大きくなるに
つれて、Ｖ字状特性のうち、左側部分の最大出力電圧振
幅だけが大きくなっているが、右側部分が変化していな
いことが判る。一方、図９（ａ）、図９（ｂ）および図
９（ｃ）では、白レベルに対応する電圧が大きくなるに
つれて、Ｖ字状特性のうち、右側部分の最大出力電圧振
幅だけが大きくなっているが、左側部分が変化していな
いことが判る。したがって、これらのことから、データ
信号の最大出力電圧振幅における最小値は、白／黒レベ
ルに対応する電圧と、蓄積容量Ｃstgとで定まることが
判る。
【００７１】ここで例えば、図８（ａ）におけるＶ字状
特性のうちの左側部分と、図９（ｃ）におけるＶ字状特
性のうちの右側部分とをあわせて考えた場合、容量スイ
ング信号Ｙｃｉの電圧振幅が１．８〜３．５ボルト程度
の範囲であれば、データ信号の最大出力電圧振幅を、
５．０ボルト以下に抑えることができる。特に、蓄積容
量Ｃstgを比較的自由に設計できる場合、蓄積容量Ｃstg
を６００ｆＦ（ファムトファラッド）程度にすると、デ
ータ信号の最大出力電圧振幅を、４．０ボルト以下に抑
えることもできる。したがって、シフトレジスタ１５０
から第２のラッチ回路１５８までに至る回路の論理レベ
ルの振幅が５．０ボルトである、という条件によって、
Ｄ／Ａ変換器１６０の出力たるデータ信号の最大出力電
圧振幅が５．０ボルト以内に抑えられても、本実施形態
では、液晶容量に対して十分な書き込みを行うことが可
能である、ということができる。
特性のうちの左側部分と、図９（ｃ）におけるＶ字状特
性のうちの右側部分とをあわせて考えた場合、容量スイ
ング信号Ｙｃｉの電圧振幅が１．８〜３．５ボルト程度
の範囲であれば、データ信号の最大出力電圧振幅を、
５．０ボルト以下に抑えることができる。特に、蓄積容
量Ｃstgを比較的自由に設計できる場合、蓄積容量Ｃstg
を６００ｆＦ（ファムトファラッド）程度にすると、デ
ータ信号の最大出力電圧振幅を、４．０ボルト以下に抑
えることもできる。したがって、シフトレジスタ１５０
から第２のラッチ回路１５８までに至る回路の論理レベ
ルの振幅が５．０ボルトである、という条件によって、
Ｄ／Ａ変換器１６０の出力たるデータ信号の最大出力電
圧振幅が５．０ボルト以内に抑えられても、本実施形態
では、液晶容量に対して十分な書き込みを行うことが可
能である、ということができる。
【００７２】＜２：第２実施形態＞さて、上述した第１
実施形態にあっては、容量線１１３が、１行の画素１２
０にわたって共用された構成となっていた。このため、
液晶容量を交流駆動するに際し、走査線毎の反転（行反
転）、または、垂直走査期間毎の反転（フレーム反転）
しか採用することができないので、消費電力が増える方
向の要因が依然として残っていることになる。
実施形態にあっては、容量線１１３が、１行の画素１２
０にわたって共用された構成となっていた。このため、
液晶容量を交流駆動するに際し、走査線毎の反転（行反
転）、または、垂直走査期間毎の反転（フレーム反転）
しか採用することができないので、消費電力が増える方
向の要因が依然として残っていることになる。
【００７３】そこで、この欠点を、多少なりとも改善し
た第２実施形態について説明することにする。なお、こ
の第２実施形態に係る液晶表示装置の全体構成について
は、図１に示される第１実施形態と同様であるので、そ
の説明を省略して、電気的な構成から説明することにす
る。
た第２実施形態について説明することにする。なお、こ
の第２実施形態に係る液晶表示装置の全体構成について
は、図１に示される第１実施形態と同様であるので、そ
の説明を省略して、電気的な構成から説明することにす
る。
【００７４】図１０は、本発明の第２実施形態に係る液
晶表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。こ
の図に示されるように、第２実施形態では、画素１２０
が配列する領域が、境界線１０によって左半分領域Ｌと
右半分領域Ｒとに分けられている。ここで、説明の便宜
上、１列目からｂ列目までのデータ線１１４が左半分領
域Ｌに含まれ、（ｂ＋１）列目からｎ列目までのデータ
線１１４が右半分領域Ｒに含まれるとする。
晶表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。こ
の図に示されるように、第２実施形態では、画素１２０
が配列する領域が、境界線１０によって左半分領域Ｌと
右半分領域Ｒとに分けられている。ここで、説明の便宜
上、１列目からｂ列目までのデータ線１１４が左半分領
域Ｌに含まれ、（ｂ＋１）列目からｎ列目までのデータ
線１１４が右半分領域Ｒに含まれるとする。
【００７５】一方、走査線１１２が１行毎に共用される
点においては第１実施形態と共通である。ただし、本実
施形態において、容量線１１３は、境界線１０にて分断
されている。このため、第２実施形態では、容量線１１
３は、１行におけるすべての画素１２０にわたって共用
されるのではなく、１行において、左半分領域Ｌの画素
１２０と、右半分領域Ｒの画素１２０とにおいて別々に
共用された構成となっている。
点においては第１実施形態と共通である。ただし、本実
施形態において、容量線１１３は、境界線１０にて分断
されている。このため、第２実施形態では、容量線１１
３は、１行におけるすべての画素１２０にわたって共用
されるのではなく、１行において、左半分領域Ｌの画素
１２０と、右半分領域Ｒの画素１２０とにおいて別々に
共用された構成となっている。
【００７６】次に、左半分領域Ｌおよび右半分領域Ｒに
おけるシフトレジスタ１３０、フリップフロップ１３２
およびセレクタ１３４の構成は、第１実施形態と変わら
ないが（図２では右半分領域に相当する同構成が省略さ
れていたが）、右半分領域Ｒを担当するセレクタ１３４
の入力端Ａ、Ｂに供給されている電位が、左半分領域Ｌ
を担当するセレクタ１３４の入力端Ａ、Ｂに供給されて
いる電位と、同一行でみて互いに入れ替えられた関係と
なっている。
おけるシフトレジスタ１３０、フリップフロップ１３２
およびセレクタ１３４の構成は、第１実施形態と変わら
ないが（図２では右半分領域に相当する同構成が省略さ
れていたが）、右半分領域Ｒを担当するセレクタ１３４
の入力端Ａ、Ｂに供給されている電位が、左半分領域Ｌ
を担当するセレクタ１３４の入力端Ａ、Ｂに供給されて
いる電位と、同一行でみて互いに入れ替えられた関係と
なっている。
【００７７】詳細には、奇数行にあって、左半分領域Ｌ
を担当するセレクタ１３４の入力端Ａの電位は、高位側
の容量電位Ｖst(+)であり、その入力端Ｂの電位は、低
位側の容量電位Ｖst(-)であるが、右半分領域Ｒを担当
するセレクタ１３４の入力端Ａの電位は、低位側の容量
電位Ｖst(-)であり、その入力端Ｂの電位は、高位側の
容量電位Ｖst(+)となっている。一方、偶数行にあっ
て、左半分領域Ｌを担当するセレクタ１３４の入力端Ａ
の電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)であり、その入力
端Ｂの電位は、高位側の容量電位Ｖst(+)であるが、右
半分領域Ｒを担当するセレクタ１３４の入力端Ａの電位
は、高位側の容量電位Ｖst(+)であり、その入力端Ｂの
電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)となっている。この
ため、ｉ行目にあって、右半分領域Ｒを担当するセレク
タ１３４の容量スイング／（反転を意味する）Ｙｓｉ
と、左半分領域Ｌを担当するセレクタ１３４の容量スイ
ングＹｓｉとでは、容量電位の関係が入れ替えられた関
係になる。
を担当するセレクタ１３４の入力端Ａの電位は、高位側
の容量電位Ｖst(+)であり、その入力端Ｂの電位は、低
位側の容量電位Ｖst(-)であるが、右半分領域Ｒを担当
するセレクタ１３４の入力端Ａの電位は、低位側の容量
電位Ｖst(-)であり、その入力端Ｂの電位は、高位側の
容量電位Ｖst(+)となっている。一方、偶数行にあっ
て、左半分領域Ｌを担当するセレクタ１３４の入力端Ａ
の電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)であり、その入力
端Ｂの電位は、高位側の容量電位Ｖst(+)であるが、右
半分領域Ｒを担当するセレクタ１３４の入力端Ａの電位
は、高位側の容量電位Ｖst(+)であり、その入力端Ｂの
電位は、低位側の容量電位Ｖst(-)となっている。この
ため、ｉ行目にあって、右半分領域Ｒを担当するセレク
タ１３４の容量スイング／（反転を意味する）Ｙｓｉ
と、左半分領域Ｌを担当するセレクタ１３４の容量スイ
ングＹｓｉとでは、容量電位の関係が入れ替えられた関
係になる。
【００７８】さて、Ｘ側においては、第１実施形態と同
様に、シフトレジスタ１５０、第１のサンプリングスイ
ッチ１５２、第１のラッチ回路１５４、第２のサンプリ
ングスイッチ１５６、第２のラッチ回路１５８およびＤ
／Ａ変換器１６０が設けられるが、右半分領域Ｒを担当
するＤ／Ａ変換器１６０には、信号ＰＳの反転信号が供
給される構成となっている。このため、左半分領域Ｌの
データ線１１４に供給されるデータ信号Ｓ１、Ｓ２、
…、Ｓｂと、右半分領域Ｒのデータ線１１４に供給され
るデータ信号Ｓ（ｂ＋１）、Ｓ（ｂ＋２）、…、Ｓｎと
は、図１１に示されるように、互いに逆極性になる。
様に、シフトレジスタ１５０、第１のサンプリングスイ
ッチ１５２、第１のラッチ回路１５４、第２のサンプリ
ングスイッチ１５６、第２のラッチ回路１５８およびＤ
／Ａ変換器１６０が設けられるが、右半分領域Ｒを担当
するＤ／Ａ変換器１６０には、信号ＰＳの反転信号が供
給される構成となっている。このため、左半分領域Ｌの
データ線１１４に供給されるデータ信号Ｓ１、Ｓ２、
…、Ｓｂと、右半分領域Ｒのデータ線１１４に供給され
るデータ信号Ｓ（ｂ＋１）、Ｓ（ｂ＋２）、…、Ｓｎと
は、図１１に示されるように、互いに逆極性になる。
【００７９】したがって、第２実施形態では、走査線毎
の反転とともに、左半分領域Ｌと右半分領域とで互いに
異なる極性の書き込みが行われることになる。このた
め、第２実施形態では、単なる走査線毎の反転が行われ
る第１実施形態と比較して、対向電極１０８への突入電
流が減少するので、より低消費電力化が可能になる。
の反転とともに、左半分領域Ｌと右半分領域とで互いに
異なる極性の書き込みが行われることになる。このた
め、第２実施形態では、単なる走査線毎の反転が行われ
る第１実施形態と比較して、対向電極１０８への突入電
流が減少するので、より低消費電力化が可能になる。
【００８０】＜３：第３実施形態＞ところで、第２実施
形態にあっては、確かに第１実施形態と比較して、低消
費電力化が図られると考えるが、容量線１１３が、境界
線１０で分断されるため、その時定数が上昇する方向に
作用する。このため、たとえ同一濃度になるように指示
しても、境界線１０を挟んで位置する画素１２０同士に
おいて、濃度差が生じて、表示品位が低下する可能性が
ある。
形態にあっては、確かに第１実施形態と比較して、低消
費電力化が図られると考えるが、容量線１１３が、境界
線１０で分断されるため、その時定数が上昇する方向に
作用する。このため、たとえ同一濃度になるように指示
しても、境界線１０を挟んで位置する画素１２０同士に
おいて、濃度差が生じて、表示品位が低下する可能性が
ある。
【００８１】そこで、このような表示品位が低下する欠
点を、改善した第３実施形態について説明することにす
る。なお、この第３実施形態に係る液晶表示装置の全体
構成については、すでに説明した第１および第２実施形
態と同様であるので、その説明を省略して、電気的な構
成から説明することにする。
点を、改善した第３実施形態について説明することにす
る。なお、この第３実施形態に係る液晶表示装置の全体
構成については、すでに説明した第１および第２実施形
態と同様であるので、その説明を省略して、電気的な構
成から説明することにする。
【００８２】図１２は、本発明の第３実施形態に係る液
晶表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。こ
の図に示されるように、第３実施形態では、走査線１１
２が１行毎に設けられる点においては、第１実施形態と
共通であるが、容量線１１３の替わりに選択信号線１７
３とともに、新たに、高位容量線１７５および低位容量
線１７７が行毎に設けられる点において第１実施形態と
相違している。ここで、ｉ行目の選択信号線１７３に
は、同じくｉ行目のフリップフロップ１３２による選択
制御信号Ｃｓｉが直接供給されている。また、高位容量
線１７５には、高位側の容量電位Ｖst(+)が印加される
一方、低位容量線１７７には、低位側の容量電位Ｖst
(-)が印加されている。このため、第２実施形態では、
行毎に設けられていたセレクタ１３４が廃されている。
晶表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。こ
の図に示されるように、第３実施形態では、走査線１１
２が１行毎に設けられる点においては、第１実施形態と
共通であるが、容量線１１３の替わりに選択信号線１７
３とともに、新たに、高位容量線１７５および低位容量
線１７７が行毎に設けられる点において第１実施形態と
相違している。ここで、ｉ行目の選択信号線１７３に
は、同じくｉ行目のフリップフロップ１３２による選択
制御信号Ｃｓｉが直接供給されている。また、高位容量
線１７５には、高位側の容量電位Ｖst(+)が印加される
一方、低位容量線１７７には、低位側の容量電位Ｖst
(-)が印加されている。このため、第２実施形態では、
行毎に設けられていたセレクタ１３４が廃されている。
【００８３】また、第３実施形態では、選択信号線１７
３、高位容量線１７５および低位容量線１７７が行毎に
新たに設けられる点に関連して、画素１２０の構成につ
いても第１実施形態から変更されている。すなわち、第
３実施形態にあって、奇数行・奇数列および偶数行・偶
数列の画素１２０における蓄積容量１１９の他端と低位
容量線１７７との間にはＰチャネル型ＴＦＴ１８１が介
挿され、また同じく蓄積容量１１９の他端と高位容量線
１７５との間にはＮチャネル型ＴＦＴ１８３が介挿され
ている。そして、Ｐチャネル型ＴＦＴ１８１およびＮチ
ャネル型ＴＦＴ１８３のゲートは、ともに選択信号線１
７３に共通接続されている。このため、奇数行・奇数列
および偶数行・偶数列の画素１２０における蓄積容量１
１９の他端は、選択信号線１７３がＨレベルであれば、
高位側の容量電位Ｖst(+)になり、選択信号線１７３が
Ｌレベルであれば、低位側の容量電位Ｖst(-)になる構
成となっている。
３、高位容量線１７５および低位容量線１７７が行毎に
新たに設けられる点に関連して、画素１２０の構成につ
いても第１実施形態から変更されている。すなわち、第
３実施形態にあって、奇数行・奇数列および偶数行・偶
数列の画素１２０における蓄積容量１１９の他端と低位
容量線１７７との間にはＰチャネル型ＴＦＴ１８１が介
挿され、また同じく蓄積容量１１９の他端と高位容量線
１７５との間にはＮチャネル型ＴＦＴ１８３が介挿され
ている。そして、Ｐチャネル型ＴＦＴ１８１およびＮチ
ャネル型ＴＦＴ１８３のゲートは、ともに選択信号線１
７３に共通接続されている。このため、奇数行・奇数列
および偶数行・偶数列の画素１２０における蓄積容量１
１９の他端は、選択信号線１７３がＨレベルであれば、
高位側の容量電位Ｖst(+)になり、選択信号線１７３が
Ｌレベルであれば、低位側の容量電位Ｖst(-)になる構
成となっている。
【００８４】一方、奇数行・偶数列および偶数行・奇数
列の画素１２０においては、Ｐチャネル型ＴＦＴ１８１
およびＮチャネル型ＴＦＴ１８３の介挿関係が、奇数行
・奇数列および偶数行・偶数列の画素１２０と入れ替わ
っている。すなわち、奇数行・偶数列および偶数行・奇
数列の画素１２０における蓄積容量１１９の他端と低位
容量線１７７との間にはＮチャネル型ＴＦＴ１８３が介
挿され、また同じく蓄積容量１１９の他端と高位容量線
１７５との間にはＰチャネル型ＴＦＴ１８１が介挿され
ている。このため、奇数行・偶数列および偶数行・奇数
列の画素１２０における蓄積容量１１９の他端は、選択
信号線１７３がＨレベルであれば、低位側の容量電位Ｖ
st(-)になり、選択信号線１７３がＬレベルであれば、
高位側の容量電位Ｖst(+)になる構成となっている。結
局、第３実施形態では、奇数行・奇数列および偶数行・
偶数列における蓄積容量１１９の他端と、奇数行・偶数
列および偶数行・奇数列における蓄積容量１１９の他端
とには、互いに異なる容量電位になる構成となってい
る。
列の画素１２０においては、Ｐチャネル型ＴＦＴ１８１
およびＮチャネル型ＴＦＴ１８３の介挿関係が、奇数行
・奇数列および偶数行・偶数列の画素１２０と入れ替わ
っている。すなわち、奇数行・偶数列および偶数行・奇
数列の画素１２０における蓄積容量１１９の他端と低位
容量線１７７との間にはＮチャネル型ＴＦＴ１８３が介
挿され、また同じく蓄積容量１１９の他端と高位容量線
１７５との間にはＰチャネル型ＴＦＴ１８１が介挿され
ている。このため、奇数行・偶数列および偶数行・奇数
列の画素１２０における蓄積容量１１９の他端は、選択
信号線１７３がＨレベルであれば、低位側の容量電位Ｖ
st(-)になり、選択信号線１７３がＬレベルであれば、
高位側の容量電位Ｖst(+)になる構成となっている。結
局、第３実施形態では、奇数行・奇数列および偶数行・
偶数列における蓄積容量１１９の他端と、奇数行・偶数
列および偶数行・奇数列における蓄積容量１１９の他端
とには、互いに異なる容量電位になる構成となってい
る。
【００８５】さらに、第３実施形態では、シフトレジス
タ１５０、第１のサンプリングスイッチ１５２、第１の
ラッチ回路１５４、第２のサンプリングスイッチ１５
６、第２のラッチ回路１５８およびＤ／Ａ変換器１６０
が設けられる点では第１実施形態と同様であるが、偶数
列のＤ／Ａ変換器１６０には、信号ＰＳの反転信号が供
給される構成となっている。このため、奇数列のデータ
線１１４に供給されるデータ信号Ｓ１、Ｓ３、…、Ｓ
（ｎ−１）と、偶数列のデータ線１１４に供給されるデ
ータ信号Ｓ２、Ｓ４、…、Ｓｎとは、図１３に示される
ように、互いに逆極性になる。
タ１５０、第１のサンプリングスイッチ１５２、第１の
ラッチ回路１５４、第２のサンプリングスイッチ１５
６、第２のラッチ回路１５８およびＤ／Ａ変換器１６０
が設けられる点では第１実施形態と同様であるが、偶数
列のＤ／Ａ変換器１６０には、信号ＰＳの反転信号が供
給される構成となっている。このため、奇数列のデータ
線１１４に供給されるデータ信号Ｓ１、Ｓ３、…、Ｓ
（ｎ−１）と、偶数列のデータ線１１４に供給されるデ
ータ信号Ｓ２、Ｓ４、…、Ｓｎとは、図１３に示される
ように、互いに逆極性になる。
【００８６】したがって、第３実施形態では、すべての
隣り合う画素に対して極性反転される、いわゆる画素反
転が行われることになる。このため、第３実施形態で
は、第２実施形態と比較して、突入電流が大幅に減少す
るので、さらなる低消費電力化が可能となる上、フリッ
カ等による表示品位の低下も防止されることになる。
隣り合う画素に対して極性反転される、いわゆる画素反
転が行われることになる。このため、第３実施形態で
は、第２実施形態と比較して、突入電流が大幅に減少す
るので、さらなる低消費電力化が可能となる上、フリッ
カ等による表示品位の低下も防止されることになる。
【００８７】なお、第３実施形態では、奇数行・奇数列
および偶数行・偶数列における蓄積容量１１９の他端
と、奇数行・偶数列および偶数行・奇数列における蓄積
容量１１９の他端とが、互いに異なる容量電位とすると
ともに、奇数列および偶数列のデータ信号を互いに逆極
性として、画素反転を行う構成としたが、単に、奇数列
における蓄積容量１１９の他端と、偶数列における蓄積
容量１１９の他端とが、互いに異なる容量電位とすると
ともに、奇数列および偶数列のデータ信号を互いに逆極
性として、データ線毎の反転（列反転）を行う構成とし
ても良い。
および偶数行・偶数列における蓄積容量１１９の他端
と、奇数行・偶数列および偶数行・奇数列における蓄積
容量１１９の他端とが、互いに異なる容量電位とすると
ともに、奇数列および偶数列のデータ信号を互いに逆極
性として、画素反転を行う構成としたが、単に、奇数列
における蓄積容量１１９の他端と、偶数列における蓄積
容量１１９の他端とが、互いに異なる容量電位とすると
ともに、奇数列および偶数列のデータ信号を互いに逆極
性として、データ線毎の反転（列反転）を行う構成とし
ても良い。
【００８８】＜４：液晶表示装置のまとめ＞なお、上述
した第１、第２および第３実施形態にあっては、４ビッ
トの階調データＤａｔａを用いて１６階調表示を行うも
のとしたが、本発明はこれに限られない。例えば、ビッ
ト数を多くして、より多階調としても良いし、Ｒ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成
することによって、カラー表示を行うとしても良い。ま
た、実施形態にあっては、液晶容量の電圧無印加状態に
おいて最大透過率となるノーマリーホワイトモードとし
て説明したが、同状態において最小透過率となるノーマ
リーブラックモードとしても良い。
した第１、第２および第３実施形態にあっては、４ビッ
トの階調データＤａｔａを用いて１６階調表示を行うも
のとしたが、本発明はこれに限られない。例えば、ビッ
ト数を多くして、より多階調としても良いし、Ｒ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成
することによって、カラー表示を行うとしても良い。ま
た、実施形態にあっては、液晶容量の電圧無印加状態に
おいて最大透過率となるノーマリーホワイトモードとし
て説明したが、同状態において最小透過率となるノーマ
リーブラックモードとしても良い。
【００８９】さらに、実施形態にあって、素子基板１０
１にガラス基板を用いたが、ＳＯＩ（Silicon On Insul
ator）の技術を適用し、サファイヤや、石英、ガラスな
どの絶縁性基板にシリコン単結晶膜を形成して、ここに
各種素子を作り込んで素子基板１０１としても良い。ま
た、素子基板１０１として、シリコン基板などを用いる
とともに、ここに各種の素子を形成しても良い。このよ
うな場合には、スイッチング素子として、高速な電界効
果型トランジスタを用いることができるので、ＴＦＴよ
りも高速動作が容易になる。ただし、素子基板１０１が
透明性を有しない場合、画素電極１１８をアルミニウム
で形成したり、別途反射層を形成したりするなどして、
反射型として用いる必要がある。また、実施形態にあっ
ては、データ線１１４と画素電極１１８との間に介挿さ
れる第１のスイッチング素子として、ＴＦＴのような三
端子型素子を用いたが、ＴＦＤ（Thin Film Diode：薄
膜ダイオード）のような二端子型素子を用いても良い。
１にガラス基板を用いたが、ＳＯＩ（Silicon On Insul
ator）の技術を適用し、サファイヤや、石英、ガラスな
どの絶縁性基板にシリコン単結晶膜を形成して、ここに
各種素子を作り込んで素子基板１０１としても良い。ま
た、素子基板１０１として、シリコン基板などを用いる
とともに、ここに各種の素子を形成しても良い。このよ
うな場合には、スイッチング素子として、高速な電界効
果型トランジスタを用いることができるので、ＴＦＴよ
りも高速動作が容易になる。ただし、素子基板１０１が
透明性を有しない場合、画素電極１１８をアルミニウム
で形成したり、別途反射層を形成したりするなどして、
反射型として用いる必要がある。また、実施形態にあっ
ては、データ線１１４と画素電極１１８との間に介挿さ
れる第１のスイッチング素子として、ＴＦＴのような三
端子型素子を用いたが、ＴＦＤ（Thin Film Diode：薄
膜ダイオード）のような二端子型素子を用いても良い。
【００９０】さらに、上述した実施形態では、液晶とし
てＴＮ型を用いたが、ＢＴＮ（Bi-stable Twisted Nema
tic）型・強誘電型などのメモリ性を有する双安定型
や、高分子分散型、さらには、分子の長軸方向と短軸方
向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を
一定の分子配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子
を液晶分子と平行に配列させたＧＨ（ゲストホスト）型
などの液晶を用いても良い。また、電圧無印加時には液
晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧
印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列す
る、という垂直配向（ホメオトロピック配向）の構成と
しても良いし、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対
して水平方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子
が両基板に対して垂直方向に配列する、という平行（水
平）配向（ホモジニアス配向）の構成としても良い。こ
のように、本発明では、液晶や配向方式として、種々の
ものに適用することが可能である。
てＴＮ型を用いたが、ＢＴＮ（Bi-stable Twisted Nema
tic）型・強誘電型などのメモリ性を有する双安定型
や、高分子分散型、さらには、分子の長軸方向と短軸方
向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を
一定の分子配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子
を液晶分子と平行に配列させたＧＨ（ゲストホスト）型
などの液晶を用いても良い。また、電圧無印加時には液
晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧
印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列す
る、という垂直配向（ホメオトロピック配向）の構成と
しても良いし、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対
して水平方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子
が両基板に対して垂直方向に配列する、という平行（水
平）配向（ホモジニアス配向）の構成としても良い。こ
のように、本発明では、液晶や配向方式として、種々の
ものに適用することが可能である。
【００９１】＜５：電子機器＞次に、上述した実施形態
に係る液晶表示装置を用いた電子機器のいくつかについ
て説明する。
に係る液晶表示装置を用いた電子機器のいくつかについ
て説明する。
【００９２】＜５−１：プロジェクタ＞まず、上述した
液晶表示装置１００をライトバルブとして用いたプロジ
ェクタについて説明する。図１４は、このプロジェクタ
の構成を示す平面図である。この図に示されるように、
プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白
色光源からなるランプユニット１１０２が設けられてい
る。このランプユニット１１０２から射出された投射光
は、内部に配置された３枚のミラー１１０６および２枚
のダイクロイックミラー１１０８によってＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の３原色に分離されて、各原色に対応
するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂに
それぞれ導かれる。
液晶表示装置１００をライトバルブとして用いたプロジ
ェクタについて説明する。図１４は、このプロジェクタ
の構成を示す平面図である。この図に示されるように、
プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白
色光源からなるランプユニット１１０２が設けられてい
る。このランプユニット１１０２から射出された投射光
は、内部に配置された３枚のミラー１１０６および２枚
のダイクロイックミラー１１０８によってＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の３原色に分離されて、各原色に対応
するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂに
それぞれ導かれる。
【００９３】ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ
および１００Ｂは、上述した実施形態に係る液晶表示装
置１００と基本的には同様である。すなわち、ライトバ
ルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、それぞれＲＧＢ
の各原色画像を生成する光変調器として機能するもので
ある。また、Ｂの光は、他のＲやＧの光と比較すると、
光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ１
１２２、リレーレンズ１１２３および出射レンズ１１２
４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
および１００Ｂは、上述した実施形態に係る液晶表示装
置１００と基本的には同様である。すなわち、ライトバ
ルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、それぞれＲＧＢ
の各原色画像を生成する光変調器として機能するもので
ある。また、Ｂの光は、他のＲやＧの光と比較すると、
光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ１
１２２、リレーレンズ１１２３および出射レンズ１１２
４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【００９４】さて、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、
１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイ
ックプリズム１１１２に３方向から入射する。そして、
このダイクロイックプリズム１１１２において、Ｒおよ
びＢの光は９０度に屈折する一方、Ｇの光は直進する。
これにより、各原色画像の合成したカラー画像が、投射
レンズ１１１４を介して、スクリーン１１２０に投射さ
れることになる。なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００
Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー１１０８
によって、ＲＧＢの各原色に対応する光が入射するの
で、直視型パネルのようにカラーフィルタを設ける必要
がない。
１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイ
ックプリズム１１１２に３方向から入射する。そして、
このダイクロイックプリズム１１１２において、Ｒおよ
びＢの光は９０度に屈折する一方、Ｇの光は直進する。
これにより、各原色画像の合成したカラー画像が、投射
レンズ１１１４を介して、スクリーン１１２０に投射さ
れることになる。なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００
Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー１１０８
によって、ＲＧＢの各原色に対応する光が入射するの
で、直視型パネルのようにカラーフィルタを設ける必要
がない。
【００９５】＜５−２：パーソナルコンピュータ＞次
に、上述した液晶表示装置１００を、マルチメディア対
応のパーソナルコンピュータに適用した例について説明
する。図１５は、このパーソナルコンピュータの構成を
示す斜視図である。この図に示されるように、コンピュ
ータ１２００の本体１２１０には、表示部として用いら
れる液晶表示装置１００や、光学ディスクの読取・書込
ドライブ１２１２、磁気ディスクの読取・書込ドライブ
１２１４、ステレオ用スピーカ１２１６などが備えられ
る。また、キーボード１２２２およびポインティングデ
バイス（マウス）１２２４は、本体１２１０とは入力信
号・制御信号等の授受を、赤外線等を介してワイヤレス
で行う構成となっている。この液晶表示装置１００は、
直視型として用いられるので、ＲＧＢの３画素で１ドッ
トが構成されるとともに、各画素に応じてカラーフィル
タが設けられる。また、液晶表示装置１００の背面に
は、暗所での視認性を確保するためのバックライトユニ
ット（図示省略）が設けられる。
に、上述した液晶表示装置１００を、マルチメディア対
応のパーソナルコンピュータに適用した例について説明
する。図１５は、このパーソナルコンピュータの構成を
示す斜視図である。この図に示されるように、コンピュ
ータ１２００の本体１２１０には、表示部として用いら
れる液晶表示装置１００や、光学ディスクの読取・書込
ドライブ１２１２、磁気ディスクの読取・書込ドライブ
１２１４、ステレオ用スピーカ１２１６などが備えられ
る。また、キーボード１２２２およびポインティングデ
バイス（マウス）１２２４は、本体１２１０とは入力信
号・制御信号等の授受を、赤外線等を介してワイヤレス
で行う構成となっている。この液晶表示装置１００は、
直視型として用いられるので、ＲＧＢの３画素で１ドッ
トが構成されるとともに、各画素に応じてカラーフィル
タが設けられる。また、液晶表示装置１００の背面に
は、暗所での視認性を確保するためのバックライトユニ
ット（図示省略）が設けられる。
【００９６】＜５−３：携帯電話＞さらに、上述した液
晶表示装置１００を、携帯電話の表示部に適用した例に
ついて説明する。図１６は、この携帯電話の構成を示す
斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数
の操作ボタン１３０２のほか、受話口１３０４、送話口
１３０６とともに、上述した液晶表示装置１００を備え
るものである。なお、この液晶表示装置１００の背面に
も、上述したパーソナルコンピュータと同様に、暗所で
の視認性を確保するためのバックライトユニット（図示
省略）が設けられる。
晶表示装置１００を、携帯電話の表示部に適用した例に
ついて説明する。図１６は、この携帯電話の構成を示す
斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数
の操作ボタン１３０２のほか、受話口１３０４、送話口
１３０６とともに、上述した液晶表示装置１００を備え
るものである。なお、この液晶表示装置１００の背面に
も、上述したパーソナルコンピュータと同様に、暗所で
の視認性を確保するためのバックライトユニット（図示
省略）が設けられる。
【００９７】＜５−４：電子機器のまとめ＞なお、電子
機器としては、図１４、図１５および図１６を参照して
説明した他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型・
モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーシ
ョン装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッ
サ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、デ
ィジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等な
どが挙げられる。そして、これらの各種の電子機器に対
して、実施形態や応用・変形例に係る液晶表示装置が適
用可能なのは言うまでもない。
機器としては、図１４、図１５および図１６を参照して
説明した他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型・
モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーシ
ョン装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッ
サ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、デ
ィジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等な
どが挙げられる。そして、これらの各種の電子機器に対
して、実施形態や応用・変形例に係る液晶表示装置が適
用可能なのは言うまでもない。
【００９８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、画
素電極に印加される電圧振幅に比べて、データ線に印加
する電圧信号の電圧振幅が小さく抑えられるので、低消
費電力化を図ることが可能となる。
素電極に印加される電圧振幅に比べて、データ線に印加
する電圧信号の電圧振幅が小さく抑えられるので、低消
費電力化を図ることが可能となる。
【図１】 （ａ）は、本発明の第１実施形態に係る液晶
表示装置の外観構成を示す斜視図であり、（ｂ）は、そ
の線Ａ−Ａ’についての断面図である。
表示装置の外観構成を示す斜視図であり、（ｂ）は、そ
の線Ａ−Ａ’についての断面図である。
【図２】 同液晶表示装置の電気的な構成を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図３】 同液晶表示装置におけるＹ側の動作を説明す
るためのタイミングチャートである。
るためのタイミングチャートである。
【図４】 同液晶表示装置におけるＸ側の動作を説明す
るためのタイミングチャートである。
るためのタイミングチャートである。
【図５】 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ同液晶
表示装置における画素の書込動作を説明するための図で
ある。
表示装置における画素の書込動作を説明するための図で
ある。
【図６】 （ａ）は、同液晶表示装置における走査信号
と容量スイング信号との電圧波形を示す図であり、
（ｂ）は、同液晶表示装置において画素電極に印加され
る電圧波形を示す図である。
と容量スイング信号との電圧波形を示す図であり、
（ｂ）は、同液晶表示装置において画素電極に印加され
る電圧波形を示す図である。
【図７】 同液晶表示装置において、液晶容量に対する
蓄積容量の比と出力電圧の圧縮率との関係を示す図であ
る。
蓄積容量の比と出力電圧の圧縮率との関係を示す図であ
る。
【図８】 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ蓄積容
量の他端における電位シフト量とデータ線の最大出力電
圧振幅との関係を示す図である。
量の他端における電位シフト量とデータ線の最大出力電
圧振幅との関係を示す図である。
【図９】 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ蓄積容
量の他端における電位シフト量とデータ線の最大出力電
圧振幅との関係を示す図である。
量の他端における電位シフト量とデータ線の最大出力電
圧振幅との関係を示す図である。
【図１０】 本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置
の電気的な構成を示すブロック図である。
の電気的な構成を示すブロック図である。
【図１１】 同液晶表示装置の動作を説明するためのタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
【図１２】 本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置
の電気的な構成を示すブロック図である。
の電気的な構成を示すブロック図である。
【図１３】 同液晶表示装置の動作を説明するためのタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
【図１４】 実施形態に係る液晶表示装置を適用した電
子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図であ
る。
子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図であ
る。
【図１５】 実施形態に係る液晶表示装置を適用した電
子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す
斜視図である。
子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す
斜視図である。
【図１６】 実施形態に係る液晶表示装置を適用した電
子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
１００…液晶表示装置 １０５…液晶 １０８…対向電極 １１２…走査線 １１３…容量線 １１４…データ線 １１６…ＴＦＴ（第１のスイッチング素子） １１８…画素電極 １１９…蓄積容量 １３０…シフトレジスタ（走査線駆動回路） １３４…セレクタ １５０…シフトレジスタ １５２、１５６…スイッチ １５４、１５８…ラッチ回路 １６０…Ｄ／Ａ変換器（１５０，１５２，１５４，１５
６，１５８，１６０によりデータ線駆動回路） １７３…選択信号線 １７５…高位容量線 １７７…低位容量線 １８１、１８３…ＴＦＴ（第２および第３のスイッチン
グ素子） １１００…プロジェクタ １２００…パーソナルコンピュータ １３００…携帯電話
６，１５８，１６０によりデータ線駆動回路） １７３…選択信号線 １７５…高位容量線 １７７…低位容量線 １８１、１８３…ＴＦＴ（第２および第３のスイッチン
グ素子） １１００…プロジェクタ １２００…パーソナルコンピュータ １３００…携帯電話
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 JA24 JB22 JB31 JB68 JB69 NA26 2H093 NA16 NA33 NA51 NC03 NC22 NC23 NC26 NC34 NC35 ND39 5C006 AA16 AC11 AF42 BB16 BC06 BF03 BF04 EC11 FA47 5C080 AA10 BB05 DD26 EE29 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 JJ06 KK43 KK47
Claims (11)
- 【請求項１】 所定の間隔毎にオン電位になる走査線
と、 対向電極と画素電極とにより液晶を挟持してなる液晶容
量と、 前記走査線がオン電位である場合に、前記対向電極の電
位に対して濃度に応じた電位差であって、かつ、前記液
晶容量への書込極性に対応した電位になるデータ線と、 前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記
走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であ
ればオフする第１のスイッチング素子と、 一端が前記画素電極に接続される一方、他端の電位が、
当該オン電位であった期間における前記データ線の電位
が正極性書込に対応するものであったならば、前記走査
線がオフ電位に遷移した後に、高位側にシフトし、当該
オン電位であった期間における前記データ線の電位が負
極性書込に対応するものであったならば、前記走査線が
オフ電位に遷移した後に、低位側にシフトする蓄積容量
とを具備することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記液晶容量に対する前記蓄積容量の容
量比率は、４以上であることを特徴とする請求項１に液
晶表示装置。 - 【請求項３】 前記蓄積容量の他端は、容量線を介して
行毎に共通接続されることを特徴とする請求項１に液晶
表示装置。 - 【請求項４】 容量線を分断して、分断した容量線の電
位のシフト方向を互いに逆方向とすることを特徴とする
請求項３に液晶表示装置。 - 【請求項５】 所定の第１電位に維持される低位容量線
と、 前記第１電位よりも高い第２電位に維持される高位容量
線と、 前記低位容量線または前記高位容量線のいずれかを、選
択信号線の電位に応じて択一的に選択して、前記蓄積容
量の他端に印加するセレクタとを備えることを特徴とす
る請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記セレクタは、 前記低位容量線または前記高位容量線のいずれか一方と
前記蓄積容量の他端との間に介挿されて、前記選択信号
線の電位が高位側または低位側のいずれか一方の電位で
あればオンする第２のスイッチング素子と、 前記低位容量線または前記高位容量線のいずれか他方と
前記蓄積容量の他端との間に介挿されて、前記選択信号
線の電位が高位側または低位側のいずれか他方の電位で
あればオンする第３のスイッチング素子とからなること
を特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記セレクタの選択特性を、前記走査線
の延在する方向に相隣接するもの同士で互いに逆特性と
することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記セレクタの選択特性を、前記走査線
の延在する方向に相隣接するもの同士で互いに逆特性と
するとともに、前記データ線の延在する方向に相隣接す
るもの同士でも互いに逆特性とすることを特徴とする請
求項５に記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれかに記載の液晶
表示装置を備えることを特徴とする電子機器。 - 【請求項１０】 走査線とデータ線との交差に対応して
設けられるとともに、対向電極と画素電極とにより液晶
を挟持してなる液晶容量と、 前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記
走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であ
ればオフする第１のスイッチング素子と、 一端が前記画素電極に接続された蓄積容量とを備える液
晶表示装置を駆動するに際し、 前記走査線を所定の間隔毎にオン電位にする走査線駆動
回路と、 前記走査線駆動回路によって、前記走査線がオン電位に
された場合に、前記データ線の電位を、前記対向電極の
電位に対して濃度に応じた電位差であって、かつ、前記
液晶容量への書込極性に対応した電位にするデータ線駆
動回路と、 前記走査線がオン電位である場合に前記データ線の電位
が正極性書込に対応するものであったならば、前記走査
線がオフ電位に遷移した後に、前記蓄積容量における他
端の電位を高位側にシフトさせる一方、 当該オン電位における前記データ線の電位が負極性書込
に対応するものであったならば、前記走査線がオフ電位
に遷移した後に、前記蓄積容量における他端の電位を低
位側にシフトさせる蓄積容量駆動回路とを具備すること
を特徴とする液晶表示装置の駆動回路。 - 【請求項１１】 走査線とデータ線との交差に対応して
設けられるとともに、対向電極と画素電極とにより液晶
を挟持してなる液晶容量と、 前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記
走査線がオン電位であればオンする一方、オフ電位であ
ればオフする第１のスイッチング素子と、 一端が前記画素電極に接続された蓄積容量とを備える液
晶表示装置を駆動するに際し、 前記走査線を所定の間隔毎にオン電位にし、 前記走査線をオン電位にした場合に、前記データ線の電
位を、前記対向電極の電位に対して濃度に応じた電位差
であって、かつ、前記液晶容量への書込極性に対応した
電位にし、 前記走査線をオン電位にした場合に前記データ線の電位
を正極書込に対応させたならば、前記走査線をオフ電位
に遷移させた後に、前記蓄積容量における他端の電位を
高位側にシフトさせる一方、 前記走査線をオン電位にした場合に前記データ線の電位
を負極性書込に対応させたならば、前記走査線をオフ電
位に遷移させた後に、前記蓄積容量における他端の電位
を低位側にシフトさせることを特徴とする液晶表示装置
の駆動方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000390418A JP3832240B2 (ja) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | 液晶表示装置の駆動方法 |
| SG200107214A SG118099A1 (en) | 2000-12-22 | 2001-11-21 | Liquid crystal display device driving circuit driving method and electronic devices |
| US10/004,822 US6897845B2 (en) | 2000-12-22 | 2001-12-07 | Liquid crystal display device, driving circuit, driving method, and electronic devices |
| TW090130800A TW548626B (en) | 2000-12-22 | 2001-12-12 | Liquid crystal display device, driving circuit, driving method, and electronic machine |
| CNB011433744A CN1173324C (zh) | 2000-12-22 | 2001-12-21 | 液晶显示装置、驱动方法及电子设备 |
| KR10-2001-0082543A KR100414338B1 (ko) | 2000-12-22 | 2001-12-21 | 액정 표시 장치, 구동 회로, 구동 방법 및 전자기기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000390418A JP3832240B2 (ja) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | 液晶表示装置の駆動方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002196358A true JP2002196358A (ja) | 2002-07-12 |
| JP2002196358A5 JP2002196358A5 (ja) | 2005-02-24 |
| JP3832240B2 JP3832240B2 (ja) | 2006-10-11 |
Family
ID=18856791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000390418A Expired - Fee Related JP3832240B2 (ja) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | 液晶表示装置の駆動方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6897845B2 (ja) |
| JP (1) | JP3832240B2 (ja) |
| KR (1) | KR100414338B1 (ja) |
| CN (1) | CN1173324C (ja) |
| SG (1) | SG118099A1 (ja) |
| TW (1) | TW548626B (ja) |
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| JP2012133030A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 電気光学装置の駆動回路及び駆動方法 |
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| JP2013122574A (ja) * | 2011-11-08 | 2013-06-20 | Japan Display Central Co Ltd | 液晶表示装置 |
| KR101384959B1 (ko) * | 2006-07-03 | 2014-04-11 | 재팬 디스프레이 웨스트 인코포레이트 | 액정 장치, 액정 장치의 구동 방법, 및 전자기기 |
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| US7749089B1 (en) | 1999-02-26 | 2010-07-06 | Creative Kingdoms, Llc | Multi-media interactive play system |
| US6761637B2 (en) | 2000-02-22 | 2004-07-13 | Creative Kingdoms, Llc | Method of game play using RFID tracking device |
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