JP2001188519A - 電気光学装置、電気光学装置の駆動回路および駆動方法、電子機器 - Google Patents
電気光学装置、電気光学装置の駆動回路および駆動方法、電子機器Info
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Abstract
る。 【解決手段】 ランプ波信号LSはスイッチSWを介し
て各信号供給線113に供給される。各スイッチSW
は、対応する走査線112が選択されたときにオン状態
となる。このため、ランプ波信号の駆動回路の負荷は1
本の信号供給線の寄生容量となる。データ線114には
画像データDの値に応じたパルス幅を有するPWM信号
X1〜Xnが供給される。TFT116は対応する走査
線112が選択されたときPWM信号X1〜XnをTF
T117のゲート電極に供給するから、データ線114
と走査線112が同時にアクティブとなった時に、ラン
プ波信号LSがTFT117を介して画素電極118に
印加される。
Description
光学装置、電気光学装置の駆動回路および駆動方法、こ
の電気光学装置を表示部に用いた電子機器に関する。
の駆動回路は、画像表示領域に配線されたデータ線や走
査線などに、画像信号や走査信号などを所定タイミング
で供給するためのデータ線駆動回路や、走査線駆動回路
などから構成されている。
信号がアナログ信号かあるいはデジタル信号かで大きく
相違する。しかし、複数の階調表示を行う場合には、入
力画像信号の形態に拘わらず、液晶にアナログ信号の電
圧を印加する必要がある。したがって、入力画像信号が
デジタル信号である場合には、入力画像信号にDA変換
を施して液晶にアナログ信号電圧を印加しなければなら
ない。
lse Width Modulation)法が知られている。図12は、
PWM法を適用した液晶装置の構成を示すブロック図で
ある。この図に示すように従来の液晶装置は、データ線
駆動回路130'、走査線駆動回路140'、スイッチ群
150、および画像表示領域AAから構成されている。
って平行に複数本の走査線112が配列して形成され、
また、これと直交するY方向に沿って平行に複数本のデ
ータ線114が形成されている。そして、これらの走査
線112とデータ線114との各交点においては、各画
素を制御するためのスイッチたる薄膜トランジスタ(Th
in Film Transistor:以下TFTと称する。)が設けら
れている。
走査線112に接続される一方、TFT116のソース
電極がデータ線114に接続されるとともに、TFT1
16のドレイン電極が画素電極118に接続されてい
る。そして、各画素は、画素電極118と、対向基板に
形成された共通電極と、これら両電極間に挟持された液
晶とによって構成される結果、走査線112とデータ線
114との各交点に対応して、マトリクス状に配列する
こととなる。なお、各データ線114は、液晶を介して
共通電極と対向しており、また各走査線112と交差し
ているため各データ線114には寄生容量が付随する。
ータDに基づいて、各データ線114に対応した選択信
号を線順次で出力する。各選択信号がアクティブとなる
期間は、当該選択信号に対応する画素に表示すべき入力
画像データ値に応じて定める。スイッチ群150を構成
する各スイッチ151の入力端子には、ランプ波信号L
Sが供給され、その出力端子は各データ線114と接続
されており、その制御端子には各選択信号が供給されて
いる。各スイッチ151は各選択信号がアクティブの期
間中、オン状態となるように構成されている。したがっ
て、各データ線114には、画素に表示すべき入力画像
データ値に応じた期間だけ、ランプ波信号LSが供給さ
れることになる。この結果、各データ線114の寄生容
量には、入力画像データ値に応じた期間だけランプ波信
号が書き込まれることになる。一方、走査線駆動回路1
30'は、各水平走査期間毎にアクティブとなる走査信
号を生成し、各走査信号を各走査線112に各々出力し
ている。
走査信号によって選択されると、当該水平走査期間にお
いては、当該走査線112に接続された各TFT116
がオン状態となる。このとき、各データ線114の寄生
容量には、入力画像データ値に応じた期間だけランプ波
信号LSが書き込まれるので、画素電極118には入力
画像データ値に応じた電圧が印加され、TFT116が
オフ状態になると印加電圧が保持されることになる。こ
れにより、入力画像データの指示する階調値に応じた階
調を表示することが可能となる。
晶装置では、ランプ波信号LSを各データ線114の寄
生容量に書き込み、寄生容量の電圧をTFT116を介
して各画素に取り込むようになっている。このため、ラ
ンプ波信号LSの駆動回路は、寄生容量に対して書き込
みが十分行えるだけの駆動能力を有する必要がある。
小型のものであっても、データ線114の寄生容量値は
1本当たり20PF程度はある。いわゆるXGA(10
24画素×768画素)形式の液晶装置では、R,G,B
各色毎に、1024本のデータ線を備えるので、データ
線114の寄生容量値の合計は約61nFとなってしま
う。ここで、入力画像データが6ビットであるとすれ
ば、61nFの容量に対して1/64H期間に充電を完
了する必要がある。したがって、ランプ波信号LSの駆
動回路としては、大きな負荷を駆動できるもの使用しな
ければならず、回路規模が増大するといった問題があっ
た。さらに、大きな負荷を駆動するため、駆動回路の消
費電力が増大するといった問題があった。
もので、その目的とするところは、駆動負荷を軽減した
電気光学装置、その駆動回路、並びに、この電気光学装
置を表示部に用いた電子機器を提供することにある。
本発明に係る電気光学装置の駆動方法にあっては、複数
のデータ線と、複数の走査線と、前記走査線と前記デー
タ線との交差に対応する各画素電極と、各走査線に対応
する複数の信号供給線とを備えた電気光学装置を駆動す
ることを前提とし、前記各走査線を順次選択する各走査
信号を各々供給し、前記各走査信号がアクティブになる
と、これに同期して基準信号を前記各信号供給線に順次
供給し、画像データの指示する階調値に応じた期間だけ
アクティブとなるパルス幅変調信号を各データ線に各々
供給し、前記各走査線と前記各データ線との交差に対応
した各画素において、当該画素に対応する走査線とデー
タ線とが同時にアクティブとなる期間では、当該画素に
対応する信号供給線から前記基準信号を取り込んで前記
画素電極に印加する一方、当該画素に対応する走査線と
データ線とのうちいずれか一方が非アクティブとなる期
間では、前記画素電極の電圧を保持することを特徴とす
る。
号がアクティブになると、これに同期して各信号供給線
に順次供給されることになる。したがって、基準信号を
駆動する駆動回路の負荷は、1本の信号供給線に付随す
る寄生容量となるので、負荷を軽減することができる。
この結果、基準信号を供給する工程において、消費電流
を大幅に削減することが可能となる。
の基板間に電気光学物質を狭持してなることを前提と
し、一方の基板上に、複数のデータ線と、複数の走査線
と、前記走査線と前記データ線との交差に対応して設け
られた複数の画素電極と、各走査線に対応する複数の信
号供給線と、前記各信号供給線の中から、対応する走査
線がアクティブとなっているものを選択し、選択された
信号供給線に基準信号を供給する信号供給手段と、前記
走査線と前記データ線との交差に対応して各々設けら
れ、対応する走査線とデータ線とが同時にアクティブと
なる期間では前記信号供給線から前記基準信号を取り込
んで前記画素電極に印加する一方、対応する走査線とデ
ータ線とのうちいずれか一方が非アクティブとなる期間
では、前記画素電極の電圧を保持する電圧保持手段とを
備えたことを特徴とする。
各信号供給線の中から、対応する走査線がアクティブと
なっているものを選択し、選択された信号供給線に基準
信号を供給する。一方、各走査線は順次選択されるよう
になっている。このため、基準信号が供給される信号供
給線は1本である。したがって、基準信号を駆動する駆
動回路の負荷は、1本の信号供給線に付随する寄生容量
となるので、負荷を大幅に軽減することができる。さら
に、駆動回路の回路構成を簡易なものにすることがで
き、くわえて、駆動回路の消費電流を大幅に削減するこ
とが可能となる。
供給線毎に設けられ、前記信号供給線の一端が一方の端
子に接続され、対応する走査線の信号によってオン・オ
フが制御されるスイッチング素子と、前記各スイッチン
グ素子の他方の端子に各々接続されるともに前記基準信
号が供給される共通信号線とを備えることが好ましい。
この発明では、スイッチング素子を走査線の信号によっ
てオン・オフさせることができるので、選択しようとし
ている走査線に対応する信号供給線のみに基準信号を供
給することが可能となる。
前記データ線との交差に対応して各々設けられ、前記走
査線にゲート電極が接続され、前記データ線にソース電
極が接続される第1トランジスタ素子と、前記走査線と
前記データ線との交差に対応して各々設けられ、前記第
1トランジスタ素子のドレイン電極がゲート電極に接続
され、前記信号供給線にソース電極が接続され、前記画
素電極にドレイン電極が接続される第2トランジスタ素
子とを備えることが望ましい。
2トランジスタ素子がゲート線と走査線の電圧によって
制御され、第1および第2トランジスタ素子が同時にオ
ン状態となった時に、信号供給線の電圧が画素電極に印
加される。ここで、信号供給線には対応する走査線が選
択された場合に基準信号が供給されるので、第1および
第2トランジスタ素子が同時にオン状態になると、基準
信号が画素電極に印加される。これにより、画像データ
の階調値に応じた階調表示が可能となる。くわえて、デ
ータ線は第1トランジスタ素子のソース電極に接続され
るので、データ線に付随する寄生容量の値を小さくする
ことができ、これにより、データ線を駆動する駆動回路
の負荷を減らし消費電流を削減することができる。
前記データ線との交差に対応して各々設けられ、前記デ
ータ線にゲート電極が接続され、前記信号供給線にソー
ス電極が接続される第1トランジスタ素子と、前記走査
線と前記データ線との交差に対応して各々設けられ、前
記第1トランジスタ素子のドレイン電極がソース電極に
接続され、前記走査線にゲート電極が接続され、前記画
素電極にドレイン電極が接続される第2トランジスタ素
子とを備えるものであってもよい。この発明では、第1
および第2トランジスタ素子が同時にオン状態となった
時に、信号供給線の電圧が画素電極に印加される。ここ
で、信号供給線には対応する走査線が選択された場合に
基準信号が供給されるので、第1および第2トランジス
タ素子が同時にオン状態になると、基準信号が画素電極
に印加される。これにより、画像データの階調値に応じ
た階調表示が可能となる。
路にあっては、前記基準信号を発生する基準信号発生手
段と、画像データを線順次データに変換する変換手段
と、前記線順次データのデータ値に基づいてパルス幅を
変調したパルス幅変調信号を生成し前記データ線に出力
するパルス幅変調手段と、前記基準信号を発生する基準
信号発生手段と、前記各走査線を順次アクティブとする
各走査信号を生成し前記走査線に出力する走査線駆動手
段とを備えることを特徴とする。この発明によれば、パ
ルス幅変調信号を各データ線に線順次で供給するととも
に走査信号を生成する一方、基準信号を生成するから、
電気光学装置を駆動して階調表示を行わせることができ
る。
路にあっては、電気光学装置が、前記走査線と前記デー
タ線との交差に対応して各々設けられ、前記走査線にゲ
ート電極が接続され、前記データ線にソース電極が接続
される第1トランジスタ素子と、前記走査線と前記デー
タ線との交差に対応して各々設けられ、前記第1トラン
ジスタ素子のドレイン電極がゲート電極に接続され、前
記信号供給線にソース電極が接続され、前記画素電極に
ドレイン電極が接続される第2トランジスタ素子とを備
えることを前提とし、前記基準信号を発生する基準信号
発生手段と、画像データを線順次データに変換する変換
手段と、前記線順次データのデータ値に基づいてパルス
幅を変調したパルス幅変調信号を生成し前記データ線に
出力するパルス幅変調手段と、前記基準信号を発生する
基準信号発生手段と、前記各走査線を順次アクティブと
する各走査信号を生成し前記走査線に出力する走査線駆
動手段とを備え、前記各走査信号のローレベル電位を、
前記パルス幅変調信号のローレベル電位より約前記第2
トランジスタの閾値電圧だけ高電位に設定することを特
徴とする。
ル電位を、パルス幅変調信号のローレベル電位より約第
2トランジスタの閾値電圧だけ高電位に設定したので、
走査線の非選択期間において当該走査線に対応する第1
トランジスタ素子をオン状態とオフ状態の境界で動作さ
せることができ、第2トランジスタ素子のゲート電極が
フローティング状態となることを回避できる。このた
め、第2トランジスタ素子を、走査線の非選択期間にお
いて確実にオフ状態とすることが可能となる。
おいて、前記パルス幅変調手段は、前記パルス幅変調信
号のハイレベル電位が、前記基準信号の最大電位より少
なくとも前記第2トランジスタ素子の閾値電圧だけは高
くなるように前記パルス幅変調信号を生成し、前記走査
線駆動手段は、前記走査信号のハイレベル電位が、前記
パルス幅変調信号のハイレベル電位より少なくとも前記
第1トランジスタ素子の閾値電圧だけは高くなるように
前記走査信号を生成することが望ましい。この発明によ
れば、パルス幅変調信号がハイレベルの時に、第1トラ
ンジスタ素子と第2トランジスタ素子とを確実にオン状
態にして基準信号を画素電極に印加することが可能とな
る。
ることが好ましい。但し、基準信号を用いてガンマ補正
を施す場合には、ガンマ補正カーブに従った基準信号を
用いればよい。
置の前記一方の基板に形成してもよい。この場合、駆動
回路を構成するトランジスタ素子を前記第1および第2
トランジスタ素子と同一の製造プロセスで作成すること
によって、製造コストを削減できる。
発明に係る電子機器にあっては、上記電気光学装置を備
えることを特徴としているので、消費電力が削減され
る。
て図面を参照して説明する。
形態に係る電気光学装置について、電気光学材料として
液晶を用いた液晶装置を例にとって説明する。
装置の電気的な構成を示すブロック図である。この図に
示されるように、液晶装置は、液晶パネル100と制御
回路200とを備える。このうち、制御回路200は、
各部で使用されるタイミング信号や制御信号など(必要
に応じて後述する)を出力するものである。
うに、素子基板と対向基板とが互いに電極形成面を対向
して貼付された構成となっている。そして、素子基板上
に、走査線駆動回路130、データ線駆動回路140お
よび画像表示領域AAが構成されている。以下、これら
の構成について説明する。
域AAの電気的な構成について説明する。素子基板にあ
っては、図1においてX方向に沿って平行に複数本(m
本)の走査線112が配列して形成され、さらに、各走
査線112に対応して複数本(m本)の信号供給線11
3が配列して形成されている。また、これと直交するY
方向に沿って平行に複数本(n本)のデータ線114が
形成されている。ここで、各画素は、画素電極118
と、対向基板に形成された共通電極(後述)と、これら
両電極間に挟持された液晶とによって構成される。各画
素は、走査線112とデータ線114との各交点に対応
して、マトリクス状に配列することとなる。なお、この
ほかに、蓄積容量(図示省略)が、各画素毎に、電気的
にみて、画素電極118と共通電極とに挟持された液晶
に対して並列に形成される構成としても良い。
においては、各画素を制御するためのスイッチたるTF
T116およびTFT117が設けられている。TFT
116のゲート電極は走査線112に接続される一方、
TFT116のソース電極がデータ線114に接続され
るとともに、TFT116のドレイン電極がTFT11
7のゲート電極に接続されている。また、TFT117
のソース電極は信号供給線113に接続されるととも
に、そのドレイン電極は画素電極118と接続されてい
る。したがって、TFT116とTFT117が同時に
オン状態になると、信号供給線113の電圧が画素電極
118に印加されることになる。
各スイッチSWを介して共通信号線111と接続されて
いる。この共通信号線111には、制御回路100から
2H周期のランプ波信号LSが供給される。各スイッチ
SWは、対応する走査線112の電圧によって制御さ
れ、走査線112の走査信号Y1〜Ymがアクティブと
なる期間において、オン状態となるようになっている。
間毎に順次アクティブとなる信号である。したがって、
各スイッチSWのうちオン状態となるのは常に1個だけ
であるから、ランプ波信号LSの駆動回路は、1本の信
号供給線113に接続されることになる。この結果、ラ
ンプ波信号LSの駆動回路の負荷は、主として1本の信
号供給線113に付随する寄生容量となる。すなわち、
上述した構成によれば、従来のようにY方向に延在する
総てのデータ線114の寄生容量が負荷となるのではな
く、X方向に延在する1本の信号供給線113に付随す
る寄生容量が負荷となるので、駆動回路の負荷を大幅に
削減することができる。
動回路140は、後述するように、透明性および絶縁性
を有するガラス等からなる素子基板の対向面にあって、
表示領域の周辺部に形成されるものである。ここで、走
査線駆動回路130とデータ線駆動回路140の構成素
子は、画素を駆動するTFT116,117と共通の製
造プロセスで形成されるPチャネル型TFTおよびNチ
ャネル型TFTを組み合わせて構成されるため、製造効
率の向上や、製造コストの低下、素子特性の均一化など
が図られている。
形態に係るデータ線駆動回路140について説明する。
データ線駆動回路140は、Xシフトレジスタ141、
画像データ供給線142、スイッチ群SWA,SWB、
第1ラッチ部143、第2ラッチ部144、および比較
部145から構成されている。
査期間の最初に供給される転送開始パルスDXを、クロ
ック信号CLXおよびその反転クロック信号CLXINV
にしたがって順次シフトすることによって、各サンプリ
ング信号S1〜Snを所定の順番で出力するよう構成さ
れている。
ータをパラレル形式で供給するものである。画像データ
Dが1サンプル当たりjビットであれば、画像データ供
給線142はj本の配線から構成される。なお、この例
では、画像データDは1サンプル当たり6ビットであ
り、画像データ供給線142は6本の配線で構成されて
いるものとするが、例えば、画像データが“カラー”で
ある場合には、画像データ供給線142の本数は18本
(=6(ビット幅)×3本(R/G/B))となる。
チSWA1〜SWAnから構成されている。各スイッチSWA1〜SW
Anの入出力端子は、画像データ供給線142と第1ラッ
チ部143とに接続されており、さらに各スイッチSWA1
〜SWAnの制御端子にはサンプリング信号S1〜Snが供
給されている。ここで、1個のスイッチは、1個のサン
プリング信号によって6ビットの画像データを第1ラッ
チ部143に供給するか否かを制御できるようになって
いる。そして、各スイッチSWA1〜SWAnは、サンプリング
信号S1〜Snがアクティブの場合にオン状態となり、
非アクティブの場合にオフ状態となる。
チ回路から構成されており、スイッチ群SWAから供給
される画像データD1〜Dnをラッチする。これによ
り、画像データDを点順次データに変換することができ
る。
チSWB1〜SWBnから構成されている。各スイッチSWB1〜SW
Bnの入出力端子は、第1ラッチ部143と第2ラッチ部
144に接続されており、さらに各スイッチSWB1〜SWBn
の制御端子には転送信号TRSが供給されている。そし
て、各スイッチSWB1〜SWBnは、転送信号TRSがアクテ
ィブの場合にオン状態となり、非アクティブの場合にオ
フ状態となる。ここで、転送信号TRSは水平走査期間
の終了時にアクティブとなる信号である。
チ回路から構成されており、スイッチ群SWBから供給
される画像データD1〜Dnをラッチする。上述ように
転送信号TRSは水平走査期間の終了時にアクティブと
なるので、第2ラッチ部144の各出力信号は、画像デ
ータDを線順次データに変換したものとなる。すなわ
ち、Xシフトレジスタ141、画像データ供給線14
2、スイッチ群SWA,SWB、第1ラッチ部143、
および第2ラッチ部144は、画像データDを線順次デ
ータに変換する手段として機能する。
2は、比較部145とその周辺回路の構成を示すブロッ
ク図である。この図に示すように比較部145は、n個
の単位回路R1〜Rnから構成されている。各単位回路
R1〜Rnは、比較器1451とSRラッチ1452を
備えている。また、制御部200にはカウンタ210が
設けられおり、このカウンタ210は、水平走査期間の
始まりからカウンタクロック信号CLKをカウントして、
そのカウント結果を示すカウントデータCNTを生成
し、比較部145に出力する。くわえて、制御部200
は水平走査期間の始まりにおいてHレベルとなるセット
信号SETを比較部145に出力する。
451は、画像データD1〜DnとカウントデータCN
Tとを比較して、両者が一致する場合にHレベルとなる
一方、不一致の場合にLレベルとなる比較信号CSを、
SRラッチ1452のリセット端子に供給する。各単位
回路R1〜RnのSRラッチ1452は、セット端子に
供給されるセット信号SETがHレベルになるとその論
理レベルをHレベルに遷移させ、その後、比較信号CS
がHレベルになるとその論理レベルをLレベルに遷移さ
せて、PWM信号(パルス幅変調信号)X1〜Xnを生
成する。
形を示したタイミングチャートである。この図に示すよ
うに、各PWM信号のHレベル期間は、各画像データの
指示する階調値に応じた期間となる。
Xnは、データ線駆動回路140の各出力信号として、
n本のデータ線114に各々供給される。なお、PWM
信号X1〜Xnは、SRラッチ1452の出力信号をレ
ベルシフトして生成するようにしてもよい。
動回路130について説明する。走査線駆動回路130
は、Yシフトレジスタおよびレベルシフタ回路から構成
されている。Yシフトレジスタは、水平走査期間の最初
に供給される転送開始パルスDYを、クロック信号CL
Yおよびその反転クロック信号CLYINVにしたがって
順次シフトすることによって、信号y1〜ymを所定の
順番で出力するよう構成されている。レベルシフト回路
は、Yシフトレジスタの各出力信号に所定の電圧だけレ
ベルシフトを施すように構成されている。レベルシフト
回路の各出力信号は、走査信号Y1〜Ymとしてm本の
走査線に供給される。
波信号LS、PWM信号X1〜Xn、走査信号Y1〜Y
mの電圧レベルについて説明する。図4は、1画素の周
辺回路と各種信号の電圧レベルとの関係の一例を示す図
である。なお、この図においてVCOMは対向電極の電位
であり、Vth1はTFT116の閾値電圧、Vth2はTF
T117の閾値電圧である。
奇数番目の水平走査期間Hoddにおいて電位VLSminから
電位VLSaまでの間を直線的に増加する一方、偶数番目
の水平走査期間Hevenにおいては電位VLSmaxから電位
VLSbまでの間を直線的に減少する。ここで、対向電極
の電位VCOMと電位VLSaとの差分は電位VCOMと電位VL
Sbとの差分と略等しく、また、対向電極の電位VCOMと
電位VLSmaxとの差分は電位VCOMと電位VLSminとの差
分と略等しくなるように設定してある。奇数番目の水平
走査期間Hoddと偶数番目の水平走査期間Hevenにおい
て、ランプ波信号LSの波形を対向電極の電位VCOMを
中心として極性反転させたのは、液晶に交流電圧を印加
することにより、液晶の劣化を防止するためである。
は、走査線112単位の極性反転であるか、データ
線114単位の極性反転であるか、画素単位の極性反
転であるか、画面単位の極性反転であるかに応じて定
められ、その反転周期は、1水平走査期間、1垂直走査
期間またはドットクロック周期に設定される。ただし、
本実施形態にあっては説明の便宜上、走査線112単
位の極性反転である場合を例にとって説明するが、本発
明をこれに限定する趣旨ではない。
PWM信号XのHレベル電位XHよりVth1+α1だけ高
電位側に設定している。これは、TFT116におい
て、ソース電極の電位がXHとなった場合にゲート電極
の電位をXH+Vth1+α1にして、TFT116を確実
にオン状態にするためである。なお、α1の値は0V〜
5V程度である。
は、ランプ波信号LSの最大電位VLSmaxよりVth2+α
2だけ高電位側に設定している。TFT116がオン状
態になると、TFT117のゲート電極電位Qは、TF
T116のソース電極電位と等しくなる。一方、TFT
117のソース電極電位の最大値は、信号供給線113
にランプ波信号LSが供給されVLSmaxとなったときで
ある。PWM信号XのHレベル電位XHを、VLSmax+V
th2+α2としたのは、この場合にも、TFT117を
確実にオン状態にして画素電極118に電位VLSmaxを
印加するためである。なお、α2の値は0V〜5V程度
である。
において、走査信号YがHレベルとなり、TFT116
がオン状態となる。このため、当該期間にTFT117
のゲート電極にはPWM信号Xが印加される。そして、
PWM信号XがHレベルとなる時刻t1から時刻t2ま
での期間において、TFT117がオン状態となり、画
素電極118にランプ波信号LSが印加される。する
と、画素電極118を介して液晶に画像データDの値に
応じた電圧が印加されることになる。そして、時刻t2
に至ると、PWM信号XがHレベルからLレベルに遷移
するため、TFT117はオフ状態となる。液晶は等価
的に容量成分を有するので、TFT117がオフ状態と
なっても電圧を保持する。これにより、画素は、画像デ
ータDの階調値に応じた階調表示を行うことができる。
PWM信号XのLレベル電位XLより約Vth1だけ高電位
側に設定している。これは、当該画素の非選択期間にお
いて、TFT117のゲート電極がフローティングとな
ることを防止するためである。TFT116は、期間T
aにおいてはオフ状態となるが、期間Tbにおいては、
オン状態とオフ状態の境界にある。換言すれば、期間T
bにおいては、高インピーダンスでソース電極とドレイ
ン電極とが接続されている。ところで、TFT117の
ゲート電極には、小さな値ではあるが浮遊容量が等価的
に接続されている。このため、期間Tbにあっては、こ
の浮遊容量に電荷が充電されるので、期間Taにおいて
TFT116が完全にオフ状態になっても、TFT11
7のゲート電極電位Qは、非選択期間において電位XL
を維持する。したがって、非選択期間においてTFT1
17は完全にオフ状態になるから、画素電極118と対
向電極との間に蓄積された電荷がTFT117を介して
漏れることがない。これにより、表示画像の品質を向上
させることができる。
成に係る液晶装置における動作について説明する。図5
は、液晶装置の動作を説明するためのタイミングチャー
トである。走査線駆動回路130には、垂直走査期間の
最初にパルスDYが供給され、クロック信号CLYおよ
びその反転クロック信号CLYINVによって順次シフト
されて、走査線112に走査信号Y1,Y2,Y3,
…,Ymが順次出力される。これにより、複数の走査線
112が1本ずつ線順次に下方向に選択されることとな
る。
に示すランプ波信号LSが常に供給されており、各走査
線112に対応して設けられた各スイッチSWがオン状
態になると、ランプ波信号LSが信号供給線113に供
給される。図5(b)〜(e)に示すように走査信号Y
1,Y2,Y3,…,Ymは、アクティブとなるHレベ
ル期間が重複しないので、各スイッチSWは同時にオン
状態となることがない。したがって、ランプ波信号LS
の駆動回路は、各スイッチSWによって選択された1本
の信号供給線113にのみ接続される。この結果、当該
駆動回路の負荷は、共通信号線111に付随する寄生容
量と1本の信号供給線113に付随する寄生容量の合計
となる。
や信号供給線113が形成される素子基板と液晶を介し
て対向する対向基板の対向電極との間、またはデータ線
114との間に発生する。ここで、共通信号線111
は、後述するシール材の部分(図7および図8参照)や
あるいは走査線駆動回路130とともに素子基板の周辺
部分に形成する。このため、共通信号線111の寄生容
量値は信号供給線113の寄生容量値と比較して小さく
なり、駆動回路の負荷は、主として1本の信号供給線1
13に付随する寄生容量によって定まる。
ば、従来のようにY方向に延在する全てのデータ線11
4の寄生容量が負荷となるのではなく、X方向に延在す
る1本の信号供給線113に付随する寄生容量が負荷と
なるので、駆動回路の負荷を大幅に削減することができ
る。この結果、駆動回路の回路構成を簡易なものにする
ことができ、しかも消費電流を大幅に削減することが可
能となる。
と、当該画素のTFT116のソース電極には、PWM
信号X1(図5(i)参照)が供給される。このPWM
信号X1は、以下のようにして生成される。
(g)に示すように線順次の画像データD1が生成さ
れ、これが比較部145を構成する単位回路R1の比較
器1451に供給される。
カウントデータCNTとを比較して両者が一致すると比
較信号CSの論理レベルをHレベルにする。上述したよ
うにSRラッチ1452はセット信号SETの立ち上が
りエッジで出力信号をHレベルに遷移させるとともに比
較信号CSの立ち上がりエッジで出力信号をLレベルに
遷移させるから、例えば、セット信号SETと比較信号
CSが図5(f),(h)に示すものであるとすれば、
PWM信号X1は図5(i)に示すものとなる。ここ
で、PWM信号X1のHレベル期間は、画像データD1
1,D12,D13…に応じた期間となる。換言すれ
ば、PWM信号X1は、画像データD1の指示する階調
値に応じてパルス幅が変調されたパルス幅変調信号であ
る。
とPWM信号X1がともにHレベルとなるから、図1に
示す左上の画素のTFT116とTFT117は、期間
Tにおいて同時にオン状態になる。すると、図5(j)
に示すランプ波信号LSがTFT117を介して画素電
極118に印加される。そして、期間Tを過ぎると、T
FT117はオフ状態となる。このため、画素電極11
8の電位は、図5(l)に示すように期間Tを経過した
後には一定電位が維持されることになる。これにより、
画像データD11の階調値に応じた電圧V11が液晶に
印加され、階調表示が行われる。
プ波信号LSを1本の信号供給線113にのみ供給する
ようにしたので、液晶装置の消費電流を大幅に削減する
ことができる。くわえて、走査線112が非選択となる
期間にあっては、TFT116をオン状態とオフ状態の
境界で動作させるようにしたので、TFT117を確実
にオフさせることができ、表示画像の品質を向上させる
ことが可能となる。
あっては、TFT116のゲート電極を走査線112に
接続し、そのソース電極をデータ線114に接続し、そ
のドレイン電極をTFT117のゲート電極に接続する
とともに、TFT117のソース電極を信号供給線11
3に接続し、そのドレイン電極を画素電極118に接続
した。そして、第1実施形態の液晶装置は、スイッチS
Wを介してランプ波信号LSを信号供給線113に供給
することによって、ランプ波信号LSの駆動回路の負荷
を軽減するものであった。本発明は、これ以外の構成で
も負荷を軽減して駆動回路の消費電流を減少させること
が可能である。そこで、第1実施形態とは異なる第2実
施形態について説明する。
ロック図である。第2実施形態の液晶装置は、1画素に
対応するTFTの構成を除いて、図1に示す第1実施形
態の液晶装置と同様に構成されている。図6において、
走査線112とデータ線114との各交点においては、
各画素を制御するためのスイッチたるTFT116aお
よびTFT117aが設けられている。TFT116a
のゲート電極はデータ線114に接続される一方、TF
T116aのソース電極が信号供給線113に接続され
るとともに、TFT116aのドレイン電極がTFT1
17aのソース電極に接続されている。また、TFT1
17aのゲート電極は走査線112に接続されるととも
に、そのドレイン電極は画素電極118と接続されてい
る。したがって、TFT116aとTFT117aが同
時にオン状態になると、信号供給線113の電圧が画素
電極118に印加されることになる。
7aの各ゲート電極が、データ線114と走査線112
に各々接続されているので、第1実施形態のようにTF
T117がフローティング状態となることを回避するた
めにPWM信号Xおよび走査信号Yの論理レベルについ
て対策を講じる必要はない。
は、CMOS構造の電界効果トランジスタと同様に、半
導体層の上に極薄い酸化絶縁膜を形成し、この酸化絶縁
膜の上にアルミニウム等で電極を設けることによって形
成される。一方、ソース電極やドレイン電極は半導体層
と直接接続されている。このため、ゲート電極は酸化絶
縁膜を介して半導体層と容量結合している。したがっ
て、ゲート容量値はソース容量値よりも大きいといえ
る。
14にTFT116aのゲート電極が接続されているか
ら、第1実施形態の液晶装置はデータ線114の寄生容
量値が第2実施形態の液晶装置に比較して小さくなると
いう点で、有利である。
おいても、各走査線112に対応して設けられた各スイ
ッチSWが同時にオン状態になることはないから、ラン
プ波信号LSの駆動回路は、各スイッチSWによって選
択された1本の信号供給線113にのみ接続される。し
たがって、当該駆動回路の負荷は、主として1本の信号
供給線113に付随する寄生容量によって定まる。
ば、第1実施形態の液晶装置と同様に、X方向に延在す
る1本の信号供給線113に付随する寄生容量が負荷と
なるので、駆動回路の負荷を大幅に削減することがで
き、駆動回路の回路構成を簡易なものにすることがで
き、しかも消費電流を大幅に削減することが可能とな
る。
実施形態に係るデータ線駆動回路140を有する液晶パ
ネル100の全体構成について図7および図8を参照し
て説明する。ここで、図11は、液晶パネル100の構
成を示す斜視図であり、図8は、図7におけるA−A’
線の断面図である。
100は、画素電極118等が形成されたガラスや、半
導体、石英などの素子基板101と、共通電極108等
が形成されたガラスなどの透明な対向基板102とが、
スペーサ103の混入されたシール材104によって一
定の間隙を保って、互いに電極形成面が対向するように
貼り合わせられるとともに、この間隙に電気光学材料と
しての液晶105が封入された構造となっている。な
お、シール材104は、対向基板102の基板周辺に沿
って形成されるが、液晶105を封入するために一部が
開口している。このため、液晶105の封入後に、その
開口部分が封止材106によって封止されている。
て、シール材104の外側一辺においては、上述したデ
ータ線駆動回路140およびサンプリング回路150が
形成されて、Y方向に延在するデータ線114を駆動す
る構成となっている。さらに、この一辺には複数の外部
回路接続端子107が形成されて、制御回路200から
の各種信号を入力する構成となっている。また、この一
辺に隣接する2辺には、2個の走査線駆動回路130が
形成されて、X方向に延在する走査線112をそれぞれ
両側から駆動する構成となっている。なお、走査線11
2に供給される走査信号の遅延が問題にならないのであ
れば、走査線駆動回路130を片側1個だけに形成する
構成でも良い。
は、素子基板101との貼合部分における4隅のうち、
少なくとも1箇所において設けられた導通材によって、
素子基板101との電気的導通が図られている。ほか
に、対向基板102には、液晶パネル100の用途に応
じて、例えば、第1に、ストライプ状や、モザイク状、
トライアングル状等に配列したカラーフィルタが設けら
れ、第2に、例えば、クロムやニッケルなどの金属材料
や、カーボンやチタンなどをフォトレジストに分散した
樹脂ブラックなどの遮光膜が設けられ、第3に、液晶パ
ネル100に光を照射するバックライトが設けられる。
なお、色光変調の用途の場合には、カラーフィルタは形
成されずに遮光膜が対向基板102に設けられる。
102の対向面には、それぞれ所定の方向にラビング処
理された配向膜(図示省略)などが設けられる一方、そ
の各背面側には配向方向に応じた偏光板(図示省略)が
それぞれ設けられる。ただし、液晶105として、高分
子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用い
れば、前述の配向膜や偏光板などが不要となる結果、光
利用効率が高まるので、高輝度化や低消費電力化などの
点において有利である。
動回路140等の周辺回路の一部または全部を、素子基
板101に形成する替わりに、例えば、TAB(Tape A
utomated Bonding)技術を用いてフィルムに実装された
駆動用ICチップを、素子基板101の所定位置に設け
られる異方性導電フィルムを介して電気的および機械的
に接続する構成としても良いし、駆動用ICチップ自体
を、COG(Chip OnGrass)技術を用いて、素子基板1
01の所定位置に異方性導電フィルムを介して電気的お
よび機械的に接続する構成としても良い。
においては、液晶パネル100の素子基板101をガラ
ス等の透明な絶縁性基板により構成して、当該基板上に
シリコン薄膜を形成するとともに、当該薄膜上にソー
ス、ドレイン、チャネルが形成されたTFTによって、
画素のスイッチング素子(TFT116)、走査線駆動
回路130、データ線駆動回路140の素子を構成する
ものとして説明したが、本発明はこれに限られるもので
はない。
り構成して、当該半導体基板の表面にソース、ドレイ
ン、チャネルが形成された絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタによって、画素のスイッチング素子や駆動回路1
20の素子を構成しても良い。このように素子基板10
1を半導体基板により構成する場合には、透過型の電気
光学装置として用いることができないため、画素電極1
18をアルミニウムなどで形成して、反射型として用い
られることとなる。また、単に、素子基板101を透明
基板として、画素電極118を反射型にしても良い。
かに、エレクトロルミネッセンス素子などを用いて、そ
の電気光学効果により表示を行う表示装置にも適用可能
である。すなわち、本発明は、上述した液晶装置と類似
の構成を有するすべての電気光学装置に適用可能であ
る。
上述した各実施形態では、図4に示すように直線的に増
加または減少するランプ波信号LSを基準信号として用
いることによって、PWM信号のパルス幅に応じた電圧
を画素電極118に印加するようにしたが、本発明の特
徴は、スイッチSWを介して基準信号を供給する点にあ
るので、基準信号はランプ波信号LSに限定されるもの
ではない。例えば、基準信号を液晶のガンマ補正特性に
応じたものにして、ガンマ補正を施すようにしてもよ
い。この場合、基準信号の波形は非線形に単調減少また
は単調増加させればよい。
ータのLSBに対応するPWM信号のパルス幅は、画像
データ値の大小に拘わらず一定であったが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、ガンマ補正特性に応じた
粗密を持たせるようにしてもよい。例えば、画像データ
値が小さいときには、画像データのLSBに対応するP
WM信号のパルス幅を広くし、画像データ値が大きくな
るにつれ当該パルス幅を狭くし、画像データ値が中心値
を取る時に最小となり、これを越えると次第に大きくな
るように設定すればよい。
種の電子機器に適用される場合について説明する。
パネル100をライトバルブとして用いたプロジェクタ
について説明する。図9は、このプロジェクタの構成を
示す平面図である。この図に示されるように、プロジェ
クタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源か
らなるランプユニット1102が設けられている。この
ランプユニット1102から射出された投射光は、内部
に配置された3枚のミラー1106および2枚のダイク
ロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離
されて、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パ
ネル100R、100Bおよび100Gにそれぞれ導か
れる。ここで、B色の光は、他のR色やG色と比較する
と、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レン
ズ1122、リレーレンズ1123および出射レンズ1
124からなるリレーレンズ系1121を介して導かれ
る。
び100Gの構成は、上述した液晶パネル100と同等
であり、画像信号処理回路(図示省略)から供給される
R、G、Bの原色信号でそれぞれ駆動されるものであ
る。そして、これらの液晶パネルによって変調された光
は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射
される。このダイクロイックプリズム1112におい
て、R色およびB色の光は90度に屈折する一方、G色
の光は直進する。したがって、各色の画像が合成される
結果、投射レンズ1114を介して、スクリーン112
0にカラー画像が投射されることとなる。
および100Gによる表示像について着目すると、液晶
パネル100Gによる表示像は、液晶パネル100R、
100Bによる表示像に対して左右反転していることが
必要となる。このため、水平走査方向は、液晶パネル1
00Gと、液晶パネル100R、100Bとでは互いに
逆方向の関係となる。なお、液晶パネル100R、10
0Bおよび100Gには、ダイクロイックミラー110
8によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射す
るので、カラーフィルタを設ける必要はない。
に、この液晶パネルを、モバイル型のパーソナルコンピ
ュータに適用した例について説明する。図10は、この
パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図
において、コンピュータ1200は、キーボード120
2を備えた本体部1204と、液晶表示ユニット120
6とから構成されている。この液晶表示ユニット120
6は、先に述べた液晶パネル100の背面にバックライ
トを付加することにより構成されている。
ネルを、携帯電話に適用した例について説明する。図1
1は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図にお
いて、携帯電話1300は、複数の操作ボタン1302
のほか、受話口1304、送話口1306とともに、液
晶パネル100を備えるものである。この液晶パネル1
00にも、必要に応じてその背面にバックライトが設け
られる。
参照して説明した他にも、液晶テレビや、ビューファイ
ンダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナ
ビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワード
プロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS
端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
そして、これらの各種電子機器に対して、各実施形態の
液晶パネル、さらには電気光学装置が適用可能なのは言
うまでもない。
準信号が供給される信号供給線は1本である。したがっ
て、基準信号を駆動する駆動回路の負荷は、1本の信号
供給線に付随する寄生容量となるので、負荷を大幅に軽
減することができる。さらに、駆動回路の回路構成を簡
易なものにすることができ、くわえて、駆動回路の消費
電流を大幅に削減することが可能となる。
構成を示すブロック図である。
ック図である。
タイミングチャートである。
を示す図である。
グチャートである。
構成を示すブロック図である。
面図である。
ロジェクタの構成を示す断面図である。
パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
携帯電話の構成を示す斜視図である。
図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 複数のデータ線と、複数の走査線と、前
記走査線と前記データ線との交差に対応する各画素電極
と、各走査線に対応する複数の信号供給線とを備えた電
気光学装置の駆動方法であって、 前記各走査線を順次選択する各走査信号を各々供給し、 前記各走査信号がアクティブになると、これに同期して
基準信号を前記各信号供給線に順次供給し、 画像データの指示する階調値に応じた期間だけアクティ
ブとなるパルス幅変調信号を各データ線に各々供給し、 前記各走査線と前記各データ線との交差に対応した各画
素において、当該画素に対応する走査線とデータ線とが
同時にアクティブとなる期間では、当該画素に対応する
信号供給線から前記基準信号を取り込んで前記画素電極
に印加する一方、当該画素に対応する走査線とデータ線
とのうちいずれか一方が非アクティブとなる期間では、
前記画素電極の電圧を保持することを特徴とする電気光
学装置の駆動方法。 - 【請求項2】 一対の基板間に電気光学物質を狭持して
なる電気光学装置において、 一方の基板上に、 複数のデータ線と、 複数の走査線と、 前記走査線と前記データ線との交差に対応して設けられ
た複数の画素電極と、 各走査線に対応する複数の信号供給線と、 前記各信号供給線の中から、対応する走査線がアクティ
ブとなっているものを選択し、選択された信号供給線に
基準信号を供給する信号供給手段と、 前記走査線と前記データ線との交差に対応して各々設け
られ、対応する走査線とデータ線とが同時にアクティブ
となる期間では前記信号供給線から前記基準信号を取り
込んで前記画素電極に印加する一方、対応する走査線と
データ線とのうちいずれか一方が非アクティブとなる期
間では、前記画素電極の電圧を保持する電圧保持手段
と、 を備えたことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項3】 前記信号供給手段は、 前記各信号供給線毎に設けられ、前記信号供給線の一端
が一方の端子に接続され、対応する走査線の信号によっ
てオン・オフが制御されるスイッチング素子と、 前記各スイッチング素子の他方の端子に各々接続される
ともに前記基準信号が供給される共通信号線とを備える
ことを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。 - 【請求項4】 前記電圧保持手段は、 前記走査線と前記データ線との交差に対応して各々設け
られ、前記走査線にゲート電極が接続され、前記データ
線にソース電極が接続される第1トランジスタ素子と、 前記走査線と前記データ線との交差に対応して各々設け
られ、前記第1トランジスタ素子のドレイン電極がゲー
ト電極に接続され、前記信号供給線にソース電極が接続
され、前記画素電極にドレイン電極が接続される第2ト
ランジスタ素子とを備えたことを特徴とする請求項2に
記載の電気光学装置。 - 【請求項5】 前記電圧保持手段は、 前記走査線と前記データ線との交差に対応して各々設け
られ、前記データ線にゲート電極が接続され、前記信号
供給線にソース電極が接続される第1トランジスタ素子
と、 前記走査線と前記データ線との交差に対応して各々設け
られ、前記第1トランジスタ素子のドレイン電極がソー
ス電極に接続され、前記走査線にゲート電極が接続さ
れ、前記画素電極にドレイン電極が接続される第2トラ
ンジスタ素子とを備えたことを特徴とする請求項2に記
載の電気光学装置。 - 【請求項6】 請求項2に記載の電気光学装置を駆動す
る電気光学装置の駆動回路であって、 前記基準信号を発生する基準信号発生手段と、 画像データを線順次データに変換する変換手段と、 前記線順次データのデータ値に基づいてパルス幅を変調
したパルス幅変調信号を生成し前記データ線に出力する
パルス幅変調手段と、 前記基準信号を発生する基準信号発生手段と、 前記各走査線を順次アクティブとする各走査信号を生成
し前記走査線に出力する走査線駆動手段とを備えること
を特徴とする電気光学装置の駆動回路。 - 【請求項7】 請求項4に記載の電気光学装置を駆動す
る電気光学装置の駆動回路であって、 前記基準信号を発生する基準信号発生手段と、 画像データを線順次データに変換する変換手段と、 前記線順次データのデータ値に基づいてパルス幅を変調
したパルス幅変調信号を生成し前記データ線に出力する
パルス幅変調手段と、 前記基準信号を発生する基準信号発生手段と、 前記各走査線を順次アクティブとする各走査信号を生成
し前記走査線に出力する走査線駆動手段とを備え、 前記各走査信号のローレベル電位を、前記パルス幅変調
信号のローレベル電位より約前記第2トランジスタの閾
値電圧だけ高電位に設定することを特徴とする電気光学
装置の駆動回路。 - 【請求項8】 前記パルス幅変調手段は、前記パルス幅
変調信号のハイレベル電位が、前記基準信号の最大電位
より少なくとも前記第2トランジスタ素子の閾値電圧だ
けは高くなるように前記パルス幅変調信号を生成し、 前記走査線駆動手段は、前記走査信号のハイレベル電位
が、前記パルス幅変調信号のハイレベル電位より少なく
とも前記第1トランジスタ素子の閾値電圧だけは高くな
るように前記走査信号を生成することを特徴とする請求
項7に記載の電気光学装置の駆動回路。 - 【請求項9】 前記基準信号は、ランプ波信号であるこ
とを特徴とする請求項6乃至8のうちいずれか1項に記
載した電気光学装置の駆動回路。 - 【請求項10】 請求項6に記載の駆動回路を、前記一
方の基板に形成したことを特徴とする請求項2に記載の
電気光学装置。 - 【請求項11】 請求項10に記載の電気光学装置を備
えたとことを特徴とする電子機器。
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