JP4013550B2 - 電気光学装置の駆動方法、駆動回路および電気光学装置ならびに電子機器 - Google Patents

Description

技術分野
本発明は、時間軸上の変調により階調表示制御を行う電気光学装置の駆動方法、駆動回路および電気光学装置ならびに電子機器に関する。
背景技術
電気光学装置、例えば、電気光学材料として液晶を用いた液晶表示装置は、陰極線管（ＣＲＴ）に変わるディスプレイデバイスとして、各種情報処理機器の表示部や液晶テレビなどに広く用いられている。
ここで、従来の電気光学装置は、例えば、次のように構成されている。すなわち、従来の電気光学装置は、マトリクス状に配列した画素電極と、この画素電極に接続されたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）のようなスイッチング素子などが設けられた素子基板と、画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板と、これら両基板の間に充填された電気光学材料たる液晶とから構成される。そして、このような構成において、走査線を介してスイッチング素子に走査信号を印加すると、当該スイッチング素子が導通状態となる。この導通状態の際に、データ線を介して画素電極に、階調に応じた電圧の画像信号を印加すると、当該画素電極および対向電極の間の液晶層に画像信号の電圧に応じた電荷が蓄積される。電荷蓄積後、当該スイッチング素子をオフ状態としても、当該液晶層における電荷の蓄積は、液晶層自身の容量性や蓄積容量などによって維持される。このように、各スイッチング素子を駆動させ、蓄積させる電荷量を階調に応じて制御すると、画素毎に液晶の配向状態が変化するので、画素毎に濃度が変化することとなる。このため、階調表示することが可能となるのである。
この際、各画素の液晶層に電荷を蓄積させるのは一部の期間で良いため、第１に、走査線駆動回路によって、各走査線を順次選択するとともに、第２に、走査線の選択期間において、データ線駆動回路によって、データ線を順次選択し、第３に、選択されたデータ線に、階調に応じた電圧の画像信号をサンプリングする構成により、走査線およびデータ線を複数の画素について共通化した時分割マルチプレックス駆動が可能となる。
しかしながら、データ線に印加される画像信号は、階調に対応する電圧、すなわちアナログ信号である。このため、電気光学装置の周辺回路には、Ｄ／Ａ変換回路やオペアンプなどが必要となるので、装置全体のコスト高を招致してしまう。さらに、これらのＤ／Ａ変換回路、オペアンプなどの特性や、各種の配線抵抗などの不均一性に起因して、表示ムラが発生するので、高品質な表示が極めて困難である、という問題があり、特に、高精細な表示を行う場合に顕著となる。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、高品質・高精細な階調表示が可能な電気光学装置、その駆動方法、その駆動回路、さらには、この電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
発明の開示
上記目的を達成するために、第１の発明は、複数のデータ線と複数の走査線との交差に対応して配設され、画素電極を備える複数の画素を、階調データに従ってオン状態またはオフ状態に駆動する電気光学装置の駆動方法であって、前記画素に対向する対向電極に一定の基準電圧を印加し、各フィールドを複数のサブフィールドに分割し、１フィールド内において画素をオン状態にする時間とオフ状態にする時間との比率が、前記階調データに応じた比率となるように、前記各サブフィールド単位で画素をオン状態またはオフ状態にし、
画素をオン状態にする場合、基準電圧よりも高い第１電圧または基準電圧よりも低い第２電圧のうちのいずれかを所定時間間隔毎に切換えて当該画素の画素電極に印加することを特徴とする電気光学装置の駆動方法を提供するものである。
この発明によれば、１フィールドにおいて、画素をオン状態（またはオフ状態）にする期間が、当該画素の階調に応じてパルス幅変調される結果、実効値制御による階調表示が行われることとなる。この際、各サブフィールドにおいては、画素のオン状態またはオフ状態を指示する２値信号（すなわち、ＨレベルかＬレベルかしか採り得ないディジタル信号）を用いて、第１電圧、第２電圧および基準電圧と等しい電圧のいずれかを選択するようになっている。このため、素子特性や配線抵抗などの不均一性に起因する表示ムラが抑えられる結果、高品質かつ高精細な階調表示が可能となる。
また、この発明によれば、画素をオン状態にする場合に、当該画素の画素電極に印加される電圧が所定時間間隔毎に第１電圧、および当該第１電圧と基準電圧を基準として逆極性の第２電圧のうちのいずれかに切り換わるようになっているため、電気光学材料層である液晶層に直流成分が印加されるのを回避することができる。この結果、液晶の劣化を低減することができるという利点がある。
また、上記第１の発明においては、同一の走査線に接続された相互に隣接する画素に対し、当該各画素をオン状態にする電圧として、一方には前記第１電圧を、他方には前記第２電圧をそれぞれ印加するようにしてもよい。このような構成とすることにより、データ線への電圧印加に際して発生するスイッチング電流による周辺回路への影響を低減するとともに、消費電力を低く抑えることができるという利点がある。
また、第２の発明は、複数のデータ線と複数の走査線との交差に対応して配設され、画素電極と、当該画素電極に対向し、一定の基準電圧が印加される対向電極とを備えた複数の画素を、階調データに従ってオン状態またはオフ状態に駆動する電気光学装置の駆動回路であって、各フィールドを分割した複数のサブフィールドの各々において、画素のオン状態またはオフ状態を指示する２値信号を発生する手段であって、画素毎に、１フィールド内において当該画素をオン状態にする時間とオフ状態にする時間との比率が、前記階調データに応じた比率となるように、サブフィールド毎に前記２値信号を前記階調データから生成するデータ変換回路と、前記データ変換回路からの２値信号に従って、画素をオン状態またはオフ状態にするための電圧を各データ線に印加するデータ線駆動回路であって、画素をオン状態にする場合、前記基準電圧よりも高い第１電圧または前記基準電圧よりも低い第２電圧のうちのいずれかを所定時間間隔毎に切換えて当該画素が接続されたデータ線に印加するデータ線駆動回路とを具備することを特徴とする電気光学装置の駆動回路を提供するものである。
この第２の発明は、上記第１の発明を電気光学装置の駆動回路として具現したものであり、上記第１の発明と同様の効果を奏する。
この第２の発明においては、前記データ線駆動回路は、同一の走査線に接続された相互に隣接する画素に対し、当該各画素をオン状態にする電圧として、一方には前記第１電圧を、他方には前記第２電圧を、それぞれデータ線を介して印加するようにしてもよい。こうすることにより、データ線への電圧印加に際して発生するスイッチング電流による周辺回路への影響を低減するとともに、消費電力を低く抑えることができるという利点がある。
また、第２の発明においては、前記複数の走査線の各々を、第１走査線および第２走査線から構成するとともに、前記画素を、前記第１走査線および第２走査線に接続される相補型のスイッチング素子を介して前記データ線に接続し、前記第１走査線に対して第１走査信号を、第２走査線に対して前記第１走査信号とは信号極性が反対の第２走査信号をそれぞれ供給する走査線駆動回路を備えるようにしてもよい。こうすることにより、スイッチング素子の閾値電圧に関わらず、各走査信号のレベルを低くすることができるから、消費電力を低く抑えることができるという利点がある。
さらに、前記第１走査信号が前記第１走査線に接続されているスイッチング素子をオンにする電圧レベルと前記第１電圧の電圧レベルとを同一とし、前記第２走査信号が前記第２走査線に接続されているスイッチング素子をオンにする電圧レベルと前記第２電圧の電圧レベルとを同一とするようにしてもよい。こうすれば、当該電気光学装置の駆動回路において使用される電圧のレベル数を減らすことができるから、各電圧を生成するための回路の構成を簡易にすることができるという利点がある。
また、第３の発明は、各々複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して配設され、画素電極を備える複数の画素と、前記画素の画素電極と対向し、一定の基準電圧が印加される対向電極と、各フィールドを分割した複数のサブフィールドの各々において、画素をオン状態にする電圧またはオフ状態にする電圧の印加を指示する２値信号を発生する手段であって、画素毎に、１フィールド内において当該画素をオン状態にする時間とオフ状態にする時間との比率が階調データに応じた比率となるように、サブフィールド毎に前記２値信号を前記階調データから生成するデータ変換回路と、前記データ変換回路からの２値信号に従って、画素をオン状態またはオフ状態にするための電圧をデータ線に印加するデータ線駆動回路であって、画素をオン状態にする場合、前記基準電圧よりも高い第１電圧または前記基準電圧よりも低い第２電圧のうちのいずれかを所定時間間隔毎に切換えて当該画素が接続されたデータ線に印加するデータ線駆動回路とを具備することを特徴とする電気光学装置を提供するものである。
この第３の発明は、上記第１の発明を電気光学装置として具現したものであり、上記第１の発明と同様の効果が得られる。
この第３の発明においても、上記第２の発明と同様、前記データ線駆動回路は、同一の走査線に接続された相互に隣接する画素に対し、当該各画素をオン状態にする電圧として、一方には前記第１電圧を、他方には前記第２電圧を、それぞれデータ線を介して印加するようにしてもよい。こうすることにより、データ線への電圧印加に際して発生するスイッチング電流による周辺回路への影響を低減するとともに、消費電力を低く抑えることができるという利点がある。
さらに、この第３の発明においては、前記複数の走査線の各々を、第１走査線および第２走査線から構成し、前記画素を、第１走査線および第２走査線に接続される相補型のスイッチング素子を介して前記データ線に接続するとともに、前記第１走査線に対して第１走査信号を、第２走査線に対して前記第１走査信号とは信号極性が反対の第２走査信号をそれぞれ供給する走査線駆動回路を設けるようにしてもよい。こうすることにより、スイッチング素子の閾値電圧に関わらず、各走査信号のレベルを低くすることができるから、消費電力を低く抑えることができるという利点がある。
また、前記第１走査信号が前記第１走査線に接続されているスイッチング素子をオンにする電圧レベルと前記第１電圧の電圧レベルを同一とするとともに、前記第２走査信号が前記第２走査線に接続されているスイッチング素子をオンにする電圧レベルと前記第２電圧の電圧レベルを同一とすることにより、当該電気光学装置の駆動回路において使用される電圧のレベル数を減らすことができ、各電圧を生成するための回路の構成を簡易にすることができるという利点がある。
なお、この発明は、上記電気光学装置自体を単体で製造または販売するほか、この電気光学装置を表示装置として備えた電子機器として製造または販売するという態様で実施することも可能である。
発明を実施するための最良の形態
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更可能である。
Ａ：本発明に係る電気光学装置の駆動方法の原理
まず、本実施形態に係る装置の理解を容易にするため、本実施形態における電気光学装置の駆動方法について説明する。
一般に、電気光学装置として液晶を用いた液晶装置において、液晶に印加される実効電圧値と相対透過率（または反射率）との関係は、電圧無印加状態において黒表示を行うノーマリーブラックモードを例にとれば、図６（ａ）に示すような関係にある。なお、相対透過率とは、透過光量の最低値および最高値を、それぞれ０％および１００％として正規化したものである。図６（ａ）に示すように、液晶の透過率は、液晶層に対する印加電圧が閾値ＶＴＨ１より小さい場合には０％であるが、印加電圧が閾値ＶＴＨ１以上であり、かつ、飽和電圧ＶＴＨ２以下である場合には、印加電圧に対して非線形に増加する。そして、印加電圧が飽和電圧ＶＴＨ２以上である場合、液晶の透過率は印加電圧によらず一定値を維持する。
ここで、本実施形態に係る電気光学装置が８階調表示を行うものとし、３ビットで示される階調データが、それぞれ同図に示される透過率を指示するものとする。この際、各透過率に応じて液晶層に印加すべき電圧を、それぞれＶ０〜Ｖ７とすると、従来の技術の下では、これらの電圧Ｖ０〜Ｖ７自体を、液晶層に印加する構成となっていた。このため、特に、中間階調に対応する電圧Ｖ１〜Ｖ６については、Ｄ／Ａ変換回路やオペアンプなどのアナログ回路の特性や、各種の配線抵抗などのばらつきによる影響を受けやすく、さらに、画素同士でみて不均一となりやすいので、高品質かつ高精細な階調表示が困難であった。
そこで、本実施形態に係る電気光学装置では、次のような方法により画素の駆動を行う。なお、本明細書において、１フィールドとは、水平走査信号および垂直走査信号に同期して水平走査および垂直走査することにより、１枚のラスタ画像を形成するのに要する時間である。従って、ノンインターレース方式などにおける１フレームも、本発明にいう１フィールドに相当する。
まず、本実施形態においては、液晶層に瞬間的に印加される電圧は、例えばＬレベルに相当する電圧ＶＬ（＝０）と、Ｈレベルに相当する電圧ＶＨのいずれかにする。ここで、１フィールド（１ｆ）の全期間にわたって液晶層に電圧ＶＬを印加すれば透過率は０％となるし、電圧ＶＨを印加すれば透過率は１００％となる。さらに、１フィールドの期間のうち、液晶層に電圧ＶＬを印加する期間と、電圧ＶＨを印加する期間との比率を制御して、液晶層に印加される実効電圧値がＶ１、Ｖ２、…、Ｖ６となるように構成すれば、当該電圧に対応した階調表示が可能となる。
そこで、本実施形態に係る電気光学装置では、液晶層に電圧ＶＬを印加する期間と、電圧ＶＨを印加する期間とを区切るために、図６（ｂ）に示されるように、１フィールド（１ｆ）を７つの期間に分割する。本明細書においては、この分割された期間の各々を便宜的にサブフィールドＳｆ１、Ｓｆ２、…、Ｓｆ７と呼ぶ。
すなわち、本実施形態に係る電気光学装置においては、各サブフィールドＳｆ１〜Ｓｆ７毎に、階調データに応じて、画素の液晶層に対して電圧ＶＬまたはＶＨを印加する構成となっている。例えば、表示する階調のレベルを３ビットの階調データで表し、ある画素に対して階調データ（００１）（以下、階調データによる階調レベルを（ ）内にビットの数値を列記して示す。）が与えられた場合、すなわち、当該画素の透過率を１４．３％とする階調表示を行う場合、１フィールド（１ｆ）のうち、サブフィールドＳｆ１においては当該画素の液晶層に対して電圧ＶＨを印加する一方、他のサブフィールドＳｆ２〜Ｓｆ７においては当該液晶層に対して電圧ＶＬを印加する。ここで、実効電圧値は、電圧瞬時値の２乗を１周期（１フィールド）にわたって平均化した平方根で求められるから、サブフィールドＳｆ１を、１フィールド（１ｆ）に対して（Ｖ１／ＶＨ）^２となる期間に設定すれば、上記の電圧印加によって１フィールド（１ｆ）に液晶層に印加される実効電圧値はＶ１となる。
また、例えば、ある画素に対して階調データ（０１０）が与えられた場合、すなわち、当該画素の透過率を２８．６％とする階調表示を行う場合、１フィールド（１ｆ）のうち、サブフィールドＳｆ１〜Ｓｆ２においては当該画素の液晶層に対して電圧ＶＨを印加する一方、他のサブフィールドＳｆ３〜Ｓｆ７においては当該液晶層に対して電圧ＶＬを印加する。ここで、サブフィールドＳｆ１〜Ｓｆ２を、１フィールド（１ｆ）に対して（Ｖ２／ＶＨ）^２となる期間に設定すれば、上記電圧印加によって１フィールド（１ｆ）に当該液晶層に印加される実効電圧値はＶ２となる。上述したように、サブフィールドＳｆ１は、（Ｖ１／ＶＨ）^２となる期間に設定されているから、サブフィールドＳｆ２については、（Ｖ２／ＶＨ）^２−（Ｖ１／ＶＨ）^２となる期間に設定すればよい。
同様に、例えば、ある画素に対して階調データ（０１１）が与えられた場合、すなわち、当該画素の透過率を４２．９％とする階調表示を行う場合、１フィールド（１ｆ）のうち、サブフィールドＳｆ１〜Ｓｆ３では当該画素の液晶層に対して電圧ＶＨを印加する一方、他のサブフィールドＳｆ４〜Ｓｆ７では液晶層に対して電圧ＶＬを印加する。このため、サブフィールドＳｆ１〜Ｓｆ３を、１フィールド（１ｆ）に対して（Ｖ３／ＶＨ）^２となる期間に設定すれば、上記電圧印加によって当該液晶層に印加される実効電圧値はＶ３となる。ここで、サブフィールドＳｆ１〜Ｓｆ２は、上述したように（Ｖ２／ＶＨ）^２となる期間に設定されているので、サブフィールドＳｆ３については、（Ｖ３／ＶＨ）^２−（Ｖ２／ＶＨ）^２となる期間に設定すればよいことが判る。
以下、同様にして、他のサブフィールドＳｆ４〜Ｓｆ６の期間がそれぞれ決定される。また、サブフィールドＳｆ７については、最終的に、１フィールドからサブフィールドＳｆ１〜Ｓｆ６を除いた期間に設定される。ただし、上述したように、各サブフィールドＳｆ１〜Ｓｆ７の合計の時間長として、１フィールド（１ｆ）に対して（Ｖ７／ＶＨ）^２となる時間長以上の時間長が確保される必要がある。もっとも、サブフィールドＳｆ１〜Ｓｆ７の合計の時間長が、１フィールドに対して（Ｖ７／ＶＨ）^２となる時間長よりも長くなったとしても、すなわち、液晶層に印加される実効電圧値が図６（ａ）におけるＶ７を越えたとしても、飽和性であるがゆえに透過率は１００％となる。
このように、サブフィールドＳｆ１〜Ｓｆ７の各期間を設定して、階調データに応じた電圧印加を行う構成とすると、当該液晶層に印加される電圧はＶＬまたはＶＨの２値であるにもかかわらず、各透過率に対応する階調表示が可能となるのである。なお、以下では、説明の便宜上、論理振幅については、電圧ＶＨをＨレベルとし、電圧ＶＬをＬレベルとして考えることとする。
なお、以下の説明においては、上記のように、３ビットの階調データに応じた８階調による表示が可能な電気光学装置を例に説明を進めるが、本発明をこれに限る趣旨でないことはいうまでもない。
Ｂ：第１実施形態
Ｂ−１：第１実施形態の構成
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の電気的な構成を示すブロック図である。この電気光学装置は、電気光学材料としてツイステッドネマチック（ＴＮ）型液晶を用いた液晶装置であり、素子基板と対向基板とが互いに一定の間隙を保って貼付され、この間隙に電気光学材料たる液晶が挟まれた構成となっている。また、この電気光学装置では、素子基板としてガラスや石英などの透明基板が用いられており、この素子基板上に画素を駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とともに、周辺駆動回路を構成する相補型ＴＦＴなどが形成されている。
図１に示すように、素子基板上の表示領域１０１ａには、複数本の走査線１１２がＸ（行）方向に延在して形成され、複数本のデータ線１１４がＹ（列）方向に延在して形成されている。そして、画素１１０は、走査線１１２とデータ線１１４との各交差に対応して設けられて、マトリクス状に配列している。本実施形態では、説明の便宜上、走査線の総本数をｍ本とし、データ線１１４の総本数をｎ本として（ｍ、ｎはそれぞれ２以上の整数）、ｍ行×ｎ列のマトリクス型表示装置として説明するが、本発明をこれに限定する趣旨ではない。
次に、図２は、画素１１０の構成を例示する図である。同図に示すように、本実施形態における画素１１０は、トランジスタ（薄膜トランジスタ；ＴＦＴ）１１６のゲートが走査線１１２に、ソースがデータ線１１４に、ドレインが画素電極１１８に、それぞれ接続されるとともに、画素電極１１８と対向電極１０８との間に電気光学材料たる液晶１０５が挟まれて液晶層が形成されている。ここで、画素電極１１８と接地電位ＧＮＤ（＝０Ｖ、ただし、後述するデータ信号のＬレベル、対向電極電圧ＬＣＣＯＭやその他の電位としてもよい）との間には蓄積容量１１９が形成されている。この蓄積容量１１９は、トランジスタ１１６を介して画素電極１１８に電圧が印加された後、この印加電圧を必要な時間だけほぼ一定に維持するために設けられた容量である。対向電極１０８は、画素電極１１８と対向するように対向基板に一面に形成される透明電極である。この対向電極１０８には、図示しない電圧生成回路により生成された一定の電圧（以下、「対向電極電圧ＬＣＣＯＭ」という）が印加されている。
再び図１において、タイミング信号生成回路２００は、図示せぬ上位装置から供給される垂直走査信号Ｖｓ、水平走査信号Ｈｓおよびドットクロック信号ＤＣＬＫに従って、各種のタイミング信号やクロック信号などを生成するための装置である。このタイミング信号生成回路２００によって生成される信号のうち主要なものを列挙すると次の通りである。
ａ．交流化駆動信号ＦＲ
この交流化駆動信号ＦＲは、データ線駆動回路１４０から出力されるデータ信号ｄ１、ｄ２、ｄ３、…、ｄｎの電圧レベルを決定するための信号である。本実施形態における交流化駆動信号ＦＲは、ＨレベルからＬレベルへ、ＬレベルからＨレベルへ、という具合に１フィールド毎にレベル反転を繰り返す。
ｂ．スタートパルスＤＹ
このスタートパルスＤＹは、１フィールドを７分割した各サブフィールドの最初に出力されるパルス信号である。
ｃ．クロック信号ＣＬＹ
このクロック信号ＣＬＹは、走査側（Ｙ側）の水平走査期間を規定する信号である。
ｄ．ラッチパルスＬＰ
このラッチパルスＬＰは、水平走査期間の最初に出力されるパルス信号であって、クロック信号ＣＬＹのレベル遷移（すなわち、立ち上がりおよび立ち下り）時に出力されるものである。
ｅ．クロック信号ＣＬＸ
このクロック信号ＣＬＸは、いわゆるドットクロックを規定する信号である。
以上がタイミング信号生成回路２００によって生成される主要な信号の概要である。
走査線駆動回路１３０は、いわゆるＹシフトレジスタと呼ばれるものであり、各サブフィールドの最初に供給されるスタートパルスＤＹをクロック信号ＣＬＹに従って転送し、走査線１１２の各々に走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇｍとして順次出力するものである。
次に、データ変換回路３００について説明する。本実施形態では、１フィールドを７個のサブフィールドＳｆ１〜Ｓｆ７に分割し、これらの各サブフィールド単位で、３ビットの階調データに応じた画素１１０のオンオフ駆動を行い、８階調の画像表示を行う。データ変換回路３００は、各サブフィールドにおいて、各画素１１０に対応した階調データに基づいて当該画素１１０のオンオフ駆動を指示する２値信号Ｄｓを生成するものである。図３はデータ変換回路３００の機能を示す真理値表である。
図３においては、Ｈレベルの２値信号Ｄｓが画素１１０をオン状態とする作用を呈し、Ｌレベルの２値信号Ｄｓは画素１１０をオフ状態とする作用を呈するようになっている。例えば階調データが（０００）である場合には、すべてのサブフィールドＳｆ１〜Ｓｆ７において画素１１０をオフ状態とするＬレベルの２値信号Ｄｓが出力される。また、階調データが（００１）である場合には、サブフィールドＳｆ１において画素１１０をオン状態とするＨレベルの２値信号Ｄｓが出力され、それ以外のサブフィールドＳｆ２〜Ｓｆ７においては画素１１０をオフ状態とするＬレベルの２値信号Ｄｓが出力される。
データ変換回路３００において生成された２値信号Ｄｓは、走査線駆動回路１３０およびデータ線駆動回路１４０の動作に同期して出力される必要があるので、図１では、データ変換回路３００に対し、スタートパルスＤＹと、水平走査に同期するクロック信号ＣＬＹと、水平走査期間の最初を規定するラッチパルスＬＰと、ドットクロック信号に相当するクロック信号ＣＬＸとが供給されている。
次に、データ線駆動回路１４０は、上述した２値信号Ｄｓおよび交流化駆動信号ＦＲに基づいて、３種類の電圧Ｖｓ１、Ｖｓ２およびＶｃのうちのいずれかを選択し、選択した電圧のデータ信号ｄ１、ｄ２、ｄ３、…、ｄｎを一斉に各データ線１１４に供給するためのものである。このデータ線駆動回路１４０の具体的な構成は、図４に示される通りである。
図４に示すように、このデータ線駆動回路１４０は、Ｘシフトレジスタ１４１０、第１ラッチ回路１４２０、第２ラッチ回路１４３０およびマルチプレクサ回路１４４０により構成されている。ここで、Ｘシフトレジスタ１４１０は、水平走査期間の最初にタイミング信号生成回路２００から供給されるラッチパルスＬＰをクロック信号ＣＬＸに従って転送し、ラッチ信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎとして順次出力するものである。
第１ラッチ回路１４２０は、上述したデータ変換回路３００から供給される２値信号Ｄｓをラッチ信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎの立ち下がりタイミングにおいて順次ラッチする。第２ラッチ回路１４３０は、第１ラッチ回路１４２０によりラッチされた２値信号Ｄｓの各々をラッチパルスＬＰの立下りにおいて一斉にラッチし、マルチプレクサ回路１４４０に信号Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、…、Ｌｎとして出力するものである。
マルチプレクサ回路１４４０には、図示しない電圧供給回路から電圧Ｖｓ１、Ｖｓ２、Ｖｃが、タイミング信号生成回路２００から交流化駆動信号ＦＲが、第２ラッチ回路１４３０から信号Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、…、Ｌｎが、それぞれ供給される。このマルチプレクサ回路１４４０は、交流化駆動信号ＦＲと第２ラッチ回路１４３０の出力信号Ｌｊ（ｊは０≦ｊ≦ｎを満たす整数）とに基づいて、電圧Ｖｓ１、Ｖｓ２およびＶｃのうちのいずれかの電圧を選択し、選択した電圧レベルのデータ信号ｄｊをデータ線１１４に供給する。
ここで、電圧Ｖｃは、上述した対向電極電圧ＬＣＣＯＭと同一のレベルである。また、電圧Ｖｓ１は、電圧Ｖｃ（＝対向電極電圧ＬＣＣＯＭ）と比較して上述した電圧ＶＨだけ高い電圧である。また、電圧Ｖｓ２は、電圧Ｖｃ（＝対向電極電圧ＬＣＣＯＭ）と比較して上述した電圧ＶＨだけ低い電圧である。
図５は、マルチプレクサ回路１４４０の機能を示す真理値表である。同図に示すように、マルチプレクサ回路１４４０は、第２ラッチ回路１４３０からＬレベルの信号Ｌｊが供給された場合には、交流化駆動信号ＦＲのレベルに関わらず、電圧Ｖｃのデータ信号ｄｊをデータ線１１４に供給する。この電圧Ｖｃは、対向電極電圧ＬＣＣＯＭと等しいので、画素電極１１８に対して電圧Ｖｃが印加された場合、当該画素１１０の液晶層に印加される電圧はＶＬ（＝０Ｖ）となる。
一方、第２ラッチ回路１４３０からＨレベルの信号Ｌｊが供給された場合、マルチプレクサ回路１４４０は、交流化駆動信号ＦＲに応じて電圧Ｖｓ１またはＶｓ２を選択し、選択した電圧レベルのデータ信号ｄｊをデータ線１１４に供給する。具体的には、マルチプレクサ回路１４４０は、第２ラッチ回路１４３０からＨレベルの信号Ｌｊが供給され、かつ、交流化駆動信号ＦＲがＨレベルである場合には電圧Ｖｓ１のデータ信号ｄｊをデータ線１１４に供給する。一方、第２ラッチ回路１４３０からＨレベルの信号Ｌｊが供給され、かつ、交流化駆動信号ＦＲがＬレベルである場合には電圧Ｖｓ２のデータ信号ｄｊをデータ線１１４に供給する。上述したように、電圧Ｖｓ１は電圧Ｖｃ（＝対向電極電圧ＬＣＣＯＭ）よりもＶＨだけ高い電圧であり、電圧Ｖｓ２は電圧ＶｃよりもＶＨだけ低い電圧である。従って、画素電極１１８に電圧Ｖｓ１またはＶｓ２が印加された場合、当該画素１１０の液晶層には電圧ＶＨが印加されることとなる。
なお、上述した走査線駆動回路１３０およびデータ線駆動回路１４０を構成するトランジスタは、素子基板上に形成されたＴＦＴにより構成することができる。
Ｂ−２：第１実施形態の動作
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置の動作について説明する。図７および図８は、この電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
図７に示すように、スタートパルスＤＹは、１フィールドを分割した７個のサブフィールドの各開始タイミングにおいてタイミング信号生成回路２００から出力される。
ここで、サブフィールドＳｆ１の開始を規定するスタートパルスＤＹが供給されると、走査線駆動回路１３０（図１参照）は、このスタートパルスＤＹをクロック信号ＣＬＹに従って転送し、この結果、データ転送期間（１Ｖａ）の間に、走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇｍが順次出力される。なお、図７に示すデータ転送期間（１Ｖａ）は、各サブフィールドと同じかそれよりもさらに短い期間に設定されている（すなわち、１Ｖａ≦Ｓｆｋ（ｋは、１≦ｋ≦７を満たす整数）が成り立つようになっている）。ここで、データ転送期間（１Ｖａ）とは、上から数えて１本目の走査線１１２に対して走査信号Ｇ１の供給が開始されてから、ｍ本目の走査線１１２に対して走査信号Ｇｍの供給が終了するまでの期間である。
さて、走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇｍは、それぞれクロック信号ＣＬＹの半周期に相当するパルス幅を有し、また、上から数えて１本目の走査線１１２に対応する走査信号Ｇ１は、スタートパルスＤＹが供給されたあと、クロック信号ＣＬＹが最初に立ち上がってから、少なくともクロック信号ＣＬＹの半周期だけ遅延して出力される。従って、サブフィールドの最初にスタートパルスＤＹが供給されてから、走査信号Ｇ１が出力されるまでに、ラッチパルスＬＰの１ショット（図７においては「Ｇ０」と表記されている）がデータ線駆動回路１４０に供給されることとなる。
そこで、このラッチパルスＬＰの１ショット（Ｇ０）が供給された場合について検討してみる。まず、このラッチパルスＬＰの１ショット（Ｇ０）がデータ線駆動回路１４０に供給されると、Ｘシフトレジスタ１４１０は、クロック信号ＣＬＸに従ってこのラッチパルスＬＰを転送し、この結果、ラッチ信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎが水平走査期間（１Ｈ）に順次出力される。なお、ラッチ信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎは、それぞれクロック信号ＣＬＸの半周期に相当するパルス幅を有している。
この際、図４における第１ラッチ回路１４２０は、ラッチ信号Ｓ１の立ち下がりにおいて、上から数えて１本目の走査線１１２と、左から数えて１本目のデータ線１１４との交差に対応する画素１１０への２値信号Ｄｓをラッチし、次にラッチ信号Ｓ２の立ち下がりにおいて、上から数えて１本目の走査線１１２と、左から数えて２本目のデータ線１１４との交差に対応する画素１１０への２値信号Ｄｓをラッチし、以下、同様に、上から数えて１本目の走査線１１２と、左から数えてｎ本目までの各データ線１１４との各交差に対応する各画素１１０への２値信号Ｄｓを順次ラッチする。
これにより、まず、図１において上から１本目の走査線１１２との交差に対応する画素１行分の２値信号Ｄｓが、第１ラッチ回路１４２０により順次ラッチされることとなる。なお、データ変換回路３００は、第１ラッチ回路１４２０によるラッチのタイミングに合わせて、各画素の階調データを２値信号Ｄｓに変換して出力することは言うまでもない。
次に、クロック信号ＣＬＹが立ち下がって、走査信号Ｇ１が出力されると、図１において上から数えて１本目の走査線１１２が選択される結果、当該走査線１１２との交差に対応する画素１１０のトランジスタ１１６がすべてオン状態となる。一方、当該クロック信号ＣＬＹの立下りによってラッチパルスＬＰが出力される。そして、このラッチパルスＬＰの立ち下がりタイミングにおいて、第２ラッチ回路１４３０は、第１ラッチ回路１４２０によって順次ラッチされた２値信号Ｄｓを、マルチプレクサ回路１４４０に対し、信号Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、…、Ｌｎとして一斉に供給する。
この動作と並行して、図１において上から２本目の走査線１１２との交差に対応する画素１行分の２値信号Ｄｓが、第１ラッチ回路１４２０により順次ラッチされる。
一方、マルチプレクサ回路１４４０は、図５に示した真理値表に従い、第２ラッチ回路１４３０から供給される信号Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、…、Ｌｎと、交流化駆動信号ＦＲとに基づいて、電圧Ｖｓ１、ＶｃおよびＶｓ２のうちのいずれかを選択し、選択した電圧のデータ信号ｄ１、ｄ２、ｄ３、…、ｄｎを各データ線１１４に出力する。例えば、交流化駆動信号ＦＲがＨレベルであるフィールドにおいて、第２ラッチ回路１４３０から供給された信号Ｌ１がＨレベルである場合、マルチプレクサ回路１４４０は、左から数えて１番目のデータ線１１４に対して電圧Ｖｓ１のデータ信号ｄ１を供給する。同様に、第２ラッチ回路１４３０から供給された信号Ｌ２がＬレベルである場合、マルチプレクサ回路１４４０は、左から数えて２番目のデータ線１１４に対して電圧Ｖｃのデータ信号ｄ２を供給する。こうして、上から数えて１本目の画素１１０に対し、データ信号ｄ１、ｄ２、ｄ３、…、ｄｎの書き込みが同時に行われることとなる。
そして、以降同様の動作が、ｍ本目の走査線１１２に対応する走査信号Ｇｍが出力されるまで繰り返される。すなわち、ある走査信号Ｇｉ（ｉは、１≦ｉ≦ｍを満たす整数）が出力される１水平走査期間（１Ｈ）においては、ｉ本目の走査線に対応するｎ個の画素１１０に対するデータ信号ｄ１〜ｄｎの書き込みと、（ｉ＋１）本目の走査線１１２に接続された１行分の画素１１０に与えられる２値信号Ｄｓのラッチとが並行して行われることとなる。なお、画素１１０に書き込まれたデータ信号は、次のサブフィールドＳｆ２における書き込みまで保持される。
以後、同様の動作が、サブフィールドの開始を規定するスタートパルスＤＹが供給される毎に繰り返される。
さらに、フィールドが切り換わり、交流化駆動信号ＦＲがＬレベルに反転した場合においても、各サブフィールドにおいて同様な動作が繰り返される。ただし、この場合、データ線駆動回路１４０内のマルチプレクサ回路１４４０は、Ｈレベルの信号Ｌｊが供給されると、図５に示したように、電圧Ｖｓ２のデータ信号ｄｊをデータ線１１４に供給することとなる。
次に、このような動作が行われることによって、画素１１０における液晶層に印加される電圧について検討する。図８は、階調データと、画素１１０の画素電極１１８への印加電圧の波形を示すタイミングチャートである。
例えば、交流化駆動信号ＦＲがＨレベルであるフィールドにおいて、ある画素の階調データが（０００）であるとき、図３および図５に示した真理値表に従う結果、当該画素１１０の画素電極１１８には、図８に示されるように、１フィールド（１ｆ）にわたって電圧Ｖｃが印加される。ここで、この電圧Ｖｃと対向電極電圧ＬＣＣＯＭとは等しいから、１フィールドにおいて当該画素１１０の液晶層に印加される実効電圧値は０Ｖ（＝ＶＬ）となる。この結果、当該画素１１０の透過率は、階調データ（０００）に対応して０％となる。一方、次のフィールドにおいて交流化駆動信号ＦＲがＬレベルに反転した場合にも、当該画素１１０の画素電極１１８には、上記と同様に１フィールドにわたって電圧Ｖｃが印加されるため、当該画素１１０の透過率は０％となる。
次に、交流化駆動信号ＦＲがＨレベルであるフィールドにおいて、ある画素１１０の階調データが（００１）である場合、図３および図５に示した真理値表に従う結果、当該画素１１０の画素電極１１８には、図８に示すように、サブフィールドＳｆ１においては電圧Ｖｓ１が、他のサブフィールドＳｆ２〜Ｓｆ７においては電圧Ｖｃが、それぞれ印加される。すなわち、サブフィールドＳｆ１においては、対向電極１０８に印加される対向電極電圧ＬＣＣＯＭと画素電極１１８に印加される電圧Ｖｓ１との差電圧であるＶＨが、当該画素１１０の液晶層に対して印加される。一方、サブフィールドＳｆ２〜Ｓｆ７においては、液晶層に対して印加される電圧は０Ｖとなる。ここで、サブフィールドＳｆ１の期間が１フィールド（１ｆ）において占める割合は（Ｖ１／ＶＨ）^２であり、この期間に電圧ＶＨが印加されるから、１フィールドにおいて当該画素１１０の液晶層に印加される実効電圧値は図６（ａ）に示したＶ１となる。従って、当該画素１１０の透過率は、階調データ（００１）に対応して１４．３％となる。
一方、フィールドが切換わり、交流化駆動信号ＦＲがＬレベルとなると、１フィールドのうちのサブフィールドＳｆ１においては電圧Ｖｓ２が、他のサブフィールドＳｆ２〜Ｓｆ７においては電圧Ｖｃが、それぞれ画素電極１１８に印加される結果、上記の交流化駆動信号ＦＲがＨレベルである場合と同様に、当該画素１１０の透過率は、階調データ（００１）に対応して１４．３％となる。ただし、上記からも明らかなように、交流化駆動信号ＦＲがＬレベルであるフィールドにおいて液晶層に印加される電圧は、交流化駆動信号ＦＲがＨレベルであるフィールドにおいて液晶層に印加される電圧とは極性が逆であり、かつ、その絶対値は等しくなる。ここで、交流化駆動信号ＦＲは周期的にレベル反転を繰り返すから、液晶層に印加される電圧の極性も周期的に反転することとなる。そしてこの結果、液晶層に直流成分が印加される事態が回避されるから、液晶１０５の劣化を防止できるという効果が得られる。かかる効果は、他の階調データが与えられた場合も同様に得られることはいうまでもない。
次に、交流化駆動信号ＦＲがＨレベルであるフィールドにおいて、ある画素１１０の階調データが（０１０）である場合、図８からも明らかなように、サブフィールドＳｆ１およびＳｆ２においては電圧ＶＨが、他のサブフィールドＳｆ３〜Ｓｆ７においては電圧ＶＬが、当該画素１１０の液晶層に印加される。ここで、サブフィールドＳｆ１〜Ｓｆ２の期間が１フィールド（１ｆ）において占める割合は（Ｖ２／ＶＨ）^２であり、この期間に電圧ＶＨが印加されるから、１フィールドにおいて当該画素１１０の液晶層に印加される実効電圧値はＶ２となる。従って、当該画素１１０の透過率は、階調データ（０１０）に対応して２８．６％となる。交流化駆動信号ＦＲがＬレベルとなるフィールドにおいても同様である。
他の階調データが与えられた場合も同様である。すなわち、階調データに応じて画素をオン状態にするサブフィールドと画素１１０をオフ状態にするサブフィールドとが決定され、画素１１０をオン状態にするサブフィールドにおいては、交流化駆動信号ＦＲがＨレベルの場合には電圧Ｖｓ１が、交流化駆動信号ＦＲがＬレベルの場合には電圧Ｖｓ２が、それぞれ画素電極１１８に印加される。そしてこの結果、階調データに応じた透過率を得るための実効電圧値が液晶層に対して与えられ、当該階調データに応じた階調表示が可能となるのである。
このように、本実施形態によれば、１フィールドが複数のサブフィールドＳｆ１〜Ｓｆ７に分割され、各サブフィールド毎に各画素の液晶層に対して電圧ＶＨまたはＶＬが印加されて、１フィールドにおける実効電圧値が制御される。従って、駆動回路などの周辺回路においては、従来の技術の下では不可欠であった高精度のＤ／Ａ変換回路やオペアンプ等のアナログ信号を処理するための回路は不要となる。このため、回路構成が大幅に簡略化されるので、装置全体のコストを低く抑えることができる。さらに、画素の液晶層に与えられる電圧はＶＬ（＝０Ｖ）またはＶＨのいずれかであり、２値的であるから、素子特性や配線抵抗などの不均一性に起因する表示ムラが原理的に発生しない。このため、本実施形態に係る電気光学装置によれば、高品質かつ高精細な階調表示が可能となる。
さらに、本実施形態によれば、対向電極に対して一定の電圧を印加する一方、画素電極に対して電圧Ｖｓ１、Ｖｓ２またはＶｃを印加するようになっているため、各画素に印加される実効電圧値が画素の位置によって異なってしまうという事態を回避しつつ、液晶層に直流成分が印加されることを回避することができるという利点がある。詳述すると、以下の通りである。
ここで、本実施形態に係る駆動方法との対照のため、本実施形態とは異なる駆動方法（以下、「他の駆動方法」という）を採用して液晶層に直流成分が印加されるのを回避する場合について検討してみる。すなわち、上記他の駆動方法においては、図９に示すように、対向電極電圧ＬＣＣＯＭを、ＨレベルからＬレベル、ＬレベルからＨレベルといった具合に１フィールド毎にレベル反転させる。ここで、Ｈレベルを電圧Ｖｓ１、ＬレベルをＶｃとする。そして、対向電極電圧ＬＣＣＯＭがＨレベル（Ｖｓ１）であるフィールド内であって、画素１１０をオン状態にすべきサブフィールドにおいては、当該画素１１０の画素電極１１８に対して電圧Ｖｃを印加する一方、画素１１０をオフ状態にすべきサブフィールドにおいては、当該画素１１０の画素電極１１８に対して電圧Ｖｓ１を印加する。こうすれば、画素１１０をオン状態にすべきサブフィールドにおいては、液晶層に対して電圧Ｖｓ１と電圧Ｖｃの差電圧であるＶＨが液晶層に印加される一方、画素をオフ状態にすべきサブフィールドにおいては、液晶層に印加される電圧を０Ｖとすることができる。一方、対向電極電圧ＬＣＣＯＭがＬレベル（Ｖｃ）であるフィールド内であって、画素をオン状態にすべきサブフィールドにおいては、当該画素の画素電極に対して電圧Ｖｓ１を印加し、画素をオフ状態にすべきサブフィールドにおいては、当該画素の画素電極に対して電圧Ｖｃを印加すればよい。このようにしても、液晶層に直流成分が印加されるのを回避することができる。しかしながら、この方法を採った場合、以下に示す問題が生じる。
図１０は、図９に示す駆動方法を採った場合の、対向電極電圧ＬＣＣＯＭと、上から数えて１本目の走査線１１２に接続された画素１１０（以下、「第１行の画素」という）の画素電極１１８に印加される電圧と、上から数えてｍ本目の走査線１１２に接続された画素１１０（以下、「第ｍ行の画素」という）の画素電極１１８に印加される電圧との関係を示す図である。なお、図１０においては、説明の便宜上、フィールドｆ１内のすべてのサブフィールドにわたって第１行の画素１１０および第ｍ行の画素１１０をオン状態にする一方、フィールドｆ２内のすべてのサブフィールドにわたって第１行の画素１１０および第ｍ行の画素１１０をオフ状態にする場合を例示している。
図１０に示すように、第１行の画素１１０の画素電極１１８に対しては、フィールドｆ１開始直後の時刻ｔ１において、画素１１０をオン状態にすべく電圧Ｖｃが書き込まれる一方、フィールドｆ２開始直後の時刻ｔ３において、画素１１０をオフ状態にすべく電圧Ｖｃが書き込まれる。
一方、第ｍ行の画素１１０の画素電極１１８に対しては、上記時刻ｔ１からデータ転送期間（１Ｖａ）だけ経過した時刻ｔ２において画素１１０をオン状態にすべく電圧Ｖｃが書き込まれる一方、上記時刻ｔ３からデータ転送期間（１Ｖａ）だけ経過した時刻ｔ４において画素をオフ状態にすべく電圧Ｖｃが書き込まれる。ここで、データ転送期間とは、図７に示したデータ転送期間と同様、上から数えて１本目の走査線１１２に対して走査信号Ｇ１の供給が開始されてから、ｍ本目の走査線１１２に対して走査信号Ｇｍの供給が終了するまでの期間である。
この結果、第１行の画素１１０の液晶層に対しては、時刻ｔ１〜ｔ３までの期間、電圧ＶＨが印加される。同様に、ここでは第１行の画素１１０の階調データと第ｍ行の画素１１０の階調データが同じ場合を想定しているから、本来ならば、第ｍ行の画素１１０の液晶層に対しても、第１行の画素１１０と同様の期間、すなわち時刻ｔ２〜ｔ４の期間、電圧ＶＨが印加されるべきである。しかしながら、時刻ｔ３において対向電極電圧ＬＣＣＯＭのレベルが反転してしまうため、実際には、第ｍ行の画素１１０の液晶層に対して電圧ＶＨが印加される期間は、時刻ｔ２〜ｔ３の間となってしまう。すなわち、対向電極電圧ＬＣＣＯＭのレベルが反転する結果、時刻ｔ３〜ｔ４の間は、第ｍ行の画素１１０の液晶層に印加される電圧は０Ｖとなってしまうのである。このように、上記他の駆動方法を採った場合、画素１１０の位置によって、印加される実効電圧値とが不均一となってしまう。そしてこの結果、画面全体にわたって表示が不均一になってしまうという問題がある。
これに対し、本実施形態においては、対向電極に印加される対向電極電圧ＬＣＣＯＭのレベルは一定であるから、画素１１０の位置に応じて実効電圧値のずれが生じることがない。すなわち、データ転送期間に起因して上記他の駆動方法において示した問題が生じることはないから、当該他の駆動方法と比較して均一な表示を実現することができるという利点がある。
なお、対向電極電圧ＬＣＣＯＭと電圧Ｖｃとは、画素をオン状態にしない程度の電圧差があれば、必ずしも同一でなくてもよい。また、画素内のＴＦＴの寄生容量による画素電極への印加電圧の変化分を補償するように、対向電極電圧ＬＣＣＯＭを敢えて電圧シフトしても構わない。ただし、このように、画素電極への印加電圧の降下分を補償するために対向電極電圧ＬＣＣＯＭをシフトする場合には、電圧Ｖｓ１，Ｖｓ２も同方向に同様にシフトする必要がある。
Ｃ：第２実施形態
Ｃ−１：第２実施形態の構成
次に、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の駆動方法について説明する。
図１１は、本実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。なお、図１１に示す各部のうち、図１に示した上記第１実施形態に係る電気光学装置の各部と共通する部分については、図１と同一の符号を付してその説明を省略する。
同図に示すように、本実施形態における電気光学装置においては、複数本の走査線１１２ａおよび走査線１１２ｂがＸ（行）方向に延在して形成されている。各走査線１１２ｂの一端（図１１においては左側の一端）は、画素１１０ａを介して隣接する１本の走査線１１２ａにインバータ１１２ｃを介して接続されており、各走査線１１２ａおよび１１２ｂとが対をなすようになっている。この結果、走査線１１２ｂには、当該走査線１１２ｂと対をなす走査線１１２ａに供給される走査信号Ｇｉのレベルを反転した信号（以下、「反転走査信号／Ｇｉ」という）が供給されることとなる。なお、以下の説明においては、走査線１１２ａおよび１１２ｂのぞれぞれの総本数をｍ本（ｍは、２以上の整数）とするが、本発明をこれに限定する趣旨ではない。
また、本実施形態における画素１１０ａの構成は、以下の通りである。
上記第１実施形態に係る電気光学装置においては、図２に示したように、画素１１０内のトランジスタ１１６として一方のチャネル型のみ（例えばＮチャネル型のみ）を用いた。従って、データ線１１４からトランジスタ１１６を介して画素電極１１８への充電が行われる際、画素電極１１８に対する印加電圧が、走査線１１２上の電圧よりもトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈだけ低い電圧に達すると、トランジスタ１１６がオフ状態となり、画素電極１１８に対する充電が止まってしまう。このため、走査線１１２に対する印加電圧を、データ線１１４に対する印加電圧よりもトランジスタ１１６の閾値電圧Ｖｔｈ分だけ高くする必要がある。すなわち、図１２（ａ）に示すように、Ｈレベルの走査信号Ｇｉの電圧Ｖｇ１を、データ線１１４に印加されるデータ信号１１４の電圧Ｖｓ１よりもトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ分だけ高くする必要がある。このように、画素１１０を図２に示した構成とした場合には、構成を簡易にすることができるという利点はあるものの、走査線１１２に印加する電圧を高くする必要があるため、消費電力が大きくなってしまうという問題がある。かかる問題を解消するため、本実施形態においては、画素の構成が図１２（ｂ）に示す構成となっている。
図１２（ｂ）に示すように、本実施形態における画素１１０ａは、上記実施形態における画素１１０内のトランジスタ１１６に代えて、Ｎチャネル型トランジスタ１１６ａとＰチャネル型トランジスタ１１６ｂとを相補的に組み合わせてトランスミッションゲート構成としたものを用いる。ここで、Ｎチャネル型トランジスタ１１６ａのゲートは走査線１１２ａに接続される一方、Ｐチャネル型トランジスタ１１６ｂのゲートは走査線１１２ｂに接続されている。また、各トランジスタのソースはデータ線１１４に接続されており、各トランジスタのドレインは画素電極１１８に接続されている。
このような構成において、走査信号ＧｉのＨレベル期間（反転走査信号／ＧｉのＬレベル期間）においてデータ信号ｄｊがＮ型トランジスタ１１６ａおよびＰ型トランジスタ１１６ｂを介して画素電極１１８に供給されることとなる。この際に、データ信号ｄｊが正極性のオンレベル（電圧Ｖｓ１）である場合には反転走査信号／Ｇｊが供給されるＰ型トランジスタ１１６ｂが十分に導通する一方、データ信号ｄｊが負極性のオンレベル（電圧Ｖｓ２）である場合には走査信号Ｇｉが供給されるＮ型トランジスタ１１６ａが十分に導通することとなる。従って、走査信号Ｇｉの電圧の振幅（Ｖｇ１−Ｖｇ２）は、データ信号ｄｊの電圧の振幅（Ｖｓ１−Ｖｓ２）以上であればよい。従って、図２に示した構成の画素１１０を用いた場合と比較して、走査信号Ｇｉの電圧レベルを低くすることができるという利点がある。
さらに、本実施形態においては、図１２（ｃ）に示すように、走査信号ＧｉのＨレベルの電圧Ｖｇ１と、データ線１１４に印加される電圧Ｖｓ１とが同一のレベルとなっており、かつ、走査信号ＧｉのＬレベルの電圧Ｖｇ２と、データ線１１４に印加される電圧Ｖｓ２とが同一のレベルとなっている。このようにすることにより、電気光学装置において用いられる電圧レベル数を少なくすることができるから、周辺回路の構成を簡易なものにすることができるとともに、消費電力を低く抑えることができるという利点がある。
再び図１１において、駆動電圧生成回路１５０は、走査線１１２に印加される電圧Ｖｇ１およびＶｇ２、データ線１１４に印加される電圧Ｖｓ１、Ｖｓ２およびＶｃ、ならびに対向電極電圧ＬＣＣＯＭを生成するためのものである。上述したように、電圧Ｖｇ１とＶｓ１とは同一レベルであり、電圧Ｖｇ２とＶｓ２と同一レベルである。また、上記第１実施形態と同様に、対向電極電圧ＬＣＣＯＭと電圧Ｖｃとは同一レベルとなっている（図１２（ｃ）参照）。従って、駆動電圧生成回路１５０は、３種類の電圧を生成して出力するものとなっている。
図１３（ａ）は、この駆動電圧生成回路１５０の構成を例示する図である。同図に示すように、この駆動電圧生成回路１５０には、接地電位ＧＮＤが与えられるとともに、図示しない単一電源から電源電圧Ｖｄｄ（＝１．８Ｖ）が与えられる。駆動電圧生成回路１５０は、この電源電圧Ｖｄｄに対して昇圧処理等を施すことにより、上述した各電圧を発生するようになっている。ただし、電圧Ｖｇ２およびＶｓ２には、接地電位ＧＮＤがそのまま用いられる。
図１３（ａ）に示すように、駆動電圧生成回路１５０は、コンデンサを用いたチャージポンプ式の２倍昇圧回路１５０１および１５０３、ならびに電圧レギュレータ１５０２により構成されている。２倍昇圧回路１５０１は、電源電圧Ｖｄｄの２倍の電圧（３．６Ｖ）を電源電圧Ｖｄｄから生成する回路である。電圧レギュレータ１５０２は、２倍昇圧回路１５０１によって生成された３．６Ｖの電圧から３Ｖの定電圧を生成する。この電圧レギュレータ１５０２によって生成された電圧は、電圧Ｖｃおよび対向電極電圧ＬＣＣＯＭとして出力される。また、２倍昇圧回路１５０３は、電圧レギュレータ１５０２によって生成された電圧の２倍の電圧を、当該電圧レギュレータ１５０２からの出力電圧から生成する回路である。この２倍昇圧回路１５０３によって生成された電圧（６Ｖ）は、電圧Ｖｇ１およびＶｓ１として出力される。
なお、駆動電圧生成回路１５０の構成は、図１３（ａ）に示したものに限られるものではなく、例えば、図１３（ｂ）に示す構成としてもよい。図１３（ｂ）に示す構成とした場合、電圧Ｖｃおよび対向電極電圧ＬＣＣＯＭには、接地電位ＧＮＤがそのまま用いられる。
図１３（ｂ）に示す駆動電圧生成回路１５０ａにおいては、コンデンサを用いたチャージポンプ方式の正方向２倍昇圧回路１５０４によって電源電圧Ｖｄｄの２倍の電圧が、電源電圧Ｖｄｄから生成される。そして、電圧レギュレータ１５０５は、２倍昇圧回路１５０４によって生成された３．６Ｖの電圧から３Ｖの定電圧を生成する。この電圧レギュレータ１５０５によって生成された電圧は、電圧Ｖｇ１およびＶｓ１として出力される。一方、図１３（ｂ）に示す負方向２倍昇圧回路１５０６は、２倍昇圧回路１５０４と同様な回路構成であるが電圧レギュレータ１５０５からの出力電圧の２倍の負の電圧を発生し、当該出力電圧を基準として出力するものである。ここで、接地電位ＧＮＤを基準にすると、この負方向２倍昇圧回路１５０６は、電圧レギュレータ１５０５からの出力電圧と同じ大きさの負の電圧を出力するものである。負方向２倍昇圧回路１５０６によって生成された電圧は、電圧Ｖｇ２およびＶｓ２として出力される。
以上が駆動電圧生成回路１５０の構成である。
さて、本実施形態においては、図１１に示すように、タイミング信号生成回路２００が、上記第１実施形態における交流化駆動信号ＦＲに代えて、交流化駆動信号ＦＲ１およびＦＲ２を生成してデータ線駆動回路１４０ａに出力するようになっている。この交流化駆動信号ＦＲ１およびＦＲ２は、上記実施形態における交流化駆動信号ＦＲと同様にフィールド毎にレベル反転を繰り返す信号であるが、交流化駆動信号ＦＲ１とＦＲ２とは、レベルが逆になっている。具体的には、交流化駆動信号ＦＲ１がＨレベルとなるフィールドにおいては交流化駆動信号ＦＲ２はＬレベルとなり、交流化駆動信号ＦＲ１がＬレベルとなるフィールドにおいては交流化駆動信号ＦＲ２はＨレベルとなる、といった具合である（図１６参照）。
次に、図１４は、本実施形態におけるデータ線駆動回路１４０ａの構成を示すブロック図である。同図に示すように、このデータ線駆動回路１４０ａは、Ｘシフトレジスタ１４１０、第１ラッチ回路１４２０、第２ラッチ回路１４３０およびマルチプレクサ回路１４５０により構成されている。ここで、Ｘシフトレジスタ１４１０、第１ラッチ回路１４２０および第２ラッチ回路１４３０は、上記実施形態と同様のものであるから説明を省略する。マルチプレクサ回路１４５０は、第２ラッチ回路１４３０から一斉に供給される信号Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、…Ｌｎと、交流化駆動信号ＦＲ１およびＦＲ２とに基づいて、電圧Ｖｓ１、Ｖｓ２およびＶｃのうちのいずれかを選択し、選択した電圧レベルのデータ信号ｄ１、ｄ２、ｄ３、…、ｄｎを各データ線１１４に供給する。具体的には、以下の通りである。
図１４に示すように、マルチプレクサ回路１４５０を構成する複数のマルチプレクサのうち、左から数えて奇数段目に位置するマルチプレクサには交流化駆動信号ＦＲ１が供給される一方、偶数段目に位置するマルチプレクサには交流化駆動信号ＦＲ２が供給される。ここで、奇数段目のマルチプレクサは、図１１において左から数えて奇数番目のデータ線１１４に接続されており、偶数段目のマルチプレクサは、図１１において左から数えて偶数番目のデータ線１１４に接続されている。
各マルチプレクサは、図１５に示す真理値表に従い、供給される電圧Ｖｓ１、Ｖｓ２およびＶｃのうちのいずれかの電圧のデータ信号ｄｊを出力する。具体的には、マルチプレクサ回路１４５０内の各マルチプレクサは、第２ラッチ回路１４３０から供給される信号ＬｊがＬレベルである場合には、交流化駆動信号ＦＲ１またはＦＲ２のレベルに関わらず、電圧Ｖｃのデータ信号ｄｊをデータ線１１４に供給する。一方、マルチプレクサ回路１４５０内の各マルチプレクサは、第２ラッチ回路１４３０から供給される信号ＬｊがＨレベルである場合には、交流化駆動信号ＦＲ１またはＦＲ２のレベルに応じて電圧Ｖｓ１またはＶｓ２のデータ信号ｄｊをデータ線１１４に出力する。すなわち、図１５に示すように、交流化駆動信号ＦＲ１またはＦＲ２がＨレベルである場合には電圧Ｖｓ１のデータ信号ｄｊを、交流化駆動信号ＦＲ１またはＦＲ２がＬレベルである場合には電圧Ｖｓ２のデータ信号ｄｊを、それぞれデータ線１１４に出力する。上述したように、奇数段目のマルチプレクサに供給される交流化駆動信号ＦＲ１と、偶数段目のマルチプレクサに供給される交流化駆動信号ＦＲ２とは、相互にレベルが反対の信号である。従って、左から数えて奇数本目のデータ線１１４に供給されるデータ信号ｄｊの電圧レベルと、左から数えて偶数本目のデータ線１１４に供給されるデータ信号ｄｊ＋１の電圧レベルとは電圧Ｖｃを基準として極性が逆となる。
Ｃ−２：第２実施形態の動作
次に、本実施形態における動作について説明する。なお、本実施形態に係る電気光学装置の全体動作は、上記第１実施形態における交流化駆動信号ＦＲが交流化駆動信号ＦＲ１およびＦＲ２に代わる点を除いて、図７に示したタイミングチャートと同様に示され、各階調データに応じて各画素１１０に印加される電圧は、図８に示したタイミングチャートと同様に示されるため、ここでは説明を省略する。
図１６は、スタートパルスＤＹ、走査信号Ｇｉ、反転走査信号／Ｇｉ、交流化駆動信号ＦＲ１およびＦＲ２、ならびにデータ信号ｄｊおよびｄｊ＋１の変化の様子を示すタイミングチャートである。なお、図１６において、データ信号ｄｊは左から数えて奇数番目のデータ線１１４に供給されるデータ信号であり、データ信号ｄｊ＋１はこのデータ線１１４の右側に位置するデータ線１１４、すなわち、左から数えて偶数番目のデータ線１１４に供給されるデータ信号である。なお、ここでは、図１６に示すように、交流化駆動信号ＦＲ１がフィールドｆ１においてＨレベル、フィールドｆ２においてＬレベルとなる一方、交流化駆動信号ＦＲ２がフィールドｆ１においてＬレベル、フィールドｆ２においてＨレベルとなるものとする。
上述したように、マルチプレクサ回路１４５０内の複数のマルチプレクサのうち、左から数えて奇数番目のデータ線１１４に接続されたマルチプレクサには交流化駆動信号ＦＲ１が供給され、左から数えて偶数番目のデータ線に接続されたマルチプレクサには交流化駆動信号ＦＲ２が供給される。これらのマルチプレクサが、図１５に示す真理値表に従って動作する結果、図１６に示すように、フィールドｆ１においては、奇数番目のデータ線１１４に供給されるデータ信号ｄｊの電圧レベルは、Ｖｓ１またはＶｃのうちのいずれかとなる一方、偶数番目のデータ線に供給されるデータ信号ｄｊ＋１の電圧レベルは、Ｖｓ２またはＶｃのうちのいずれかとなる。同様に、交流化駆動信号ＦＲ１およびＦＲ２が反転したフィールドｆ２においては、データ信号ｄｊの電圧レベルはＶｃまたはＶｓ２のうちのいずれかとなる一方、データ信号ｄｊ＋１の電圧レベルはＶｓ１またはＶｃのうちのいずれかとなる。
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置によれば、上記実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態においては、隣接するデータ線１１４に印加される各電圧の極性が逆極性となるようにしたため、隣接するデータ線に印加される電圧を同極性とした場合と比較して、消費電力を低減でき、また、周辺回路の誤動作等を少なくできるという効果が得られる。詳述すると、以下の通りである。
まず、本実施形態とは異なり、対向電極に対して電圧ＬＣＣＯＭを印加する一方、同一の走査線に接続された相互に隣接する２つの画素の画素電極（画素電極ａおよび画素電極ｂ）の双方に対して電圧Ｖｓ１を印加した場合を考える。この場合、画素電極ａおよび画素電極ｂの双方から液晶の容量成分を通って対向電極に電流が瞬間的に流れ込むため、全体としてみて消費電力が大きくなってしまうという問題がある。さらに、対向電極に対して電圧ＬＣＣＯＭを供給するための回路や配線等に接続された各周辺回路が、この対向電極に流れる電流の影響を受けて、誤作動を起こす可能性が高くなるという問題もある。
これに対し、本実施形態に示したように、同一の走査線に接続された相隣接する画素のうち、一方の画素の画素電極ａに電圧Ｖｓ１を、他方の画素の画素電極ｂに電圧Ｖｓ２を印加した場合、画素電極ａから液晶の容量成分を通って対向電極に流れる電流と、対向電極から液晶の容量成分を通って画素電極ｂに流れる電流とが相殺し合い、この結果、対向電極にはほとんど電流が流れない。このため、上記のように隣接する画素同士で同極性の電圧を印加する場合と比較して、対向電極において消費される電力を少なくすることができるという利点がある。さらに、各周辺回路に影響を与え得る電流が対向電極にほとんど流れないため、各周辺回路が誤動作を行う可能性を低くすることができる。
なお、本実施形態においても、第１実施形態において説明したのと同様に、対向電極電圧ＬＣＣＯＭと電圧Ｖｃは必ずしも同一でなくともよい。
Ｄ：変形例
以上この発明の一実施形態について説明したが、上記実施形態はあくまでも例示であり、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
＜変形例１＞
上記各実施形態においては、１フィールド毎に交流化駆動信号ＦＲ（第２実施形態においてはＦＲ１およびＦＲ２）のレベルを反転させるようにしたが、この交流化駆動信号ＦＲの反転周期はこれに限られるものではない。例えば、サブフィールド単位で交流化駆動信号ＦＲ（またはＦＲ１およびＦＲ２）をレベル反転させるようにしてもよいし、２つ以上のフィールドを１周期としてレベル反転させるようにしてもよい。また、上述した各信号と非同期で交流化駆動信号ＦＲ（またはＦＲ１およびＦＲ２）をレベル反転させるようにしてもよい。
＜変形例２＞
上記第２実施形態においては、いずれかのデータ線に供給されるデータ信号の電圧レベルと、当該データ線に隣接するデータ線に供給されるデータ信号の電圧レベルとが逆極性となるようにしたが、これに限らず、例えば複数のデータ線を１つの単位として、隣り合う各単位ごとにデータ信号の電圧レベルを逆極性とするようにしてもよい。換言すれば、同一の走査線に接続された画素のうち、複数の画素を単位とし、隣接する各単位ごとに、与えられるデータ信号の電圧レベルを逆極性とするようにしてもよい。
例えば、カラー表示が可能な電気光学装置においては、３つの画素を１組として各画素毎にＲＧＢの各色のカラーフィルタを設けるようになっているが、このような３つの画素に接続された３本のデータ線を１つの単位として、ある単位に属するデータ線に対して電圧Ｖｓ１またはＶｃのデータ信号を供給する場合には、当該単位に隣接する単位に属するデータ線に対しては電圧Ｖｓ２またはＶｃのデータ信号を供給するようにしてもよい。
＜変形例３＞
上述した各実施形態においては、各サブフィールドの書き込みを、最も短いサブフィールドと同じかそれよりもさらに短い時間（１Ｖａ）で完了する必要がある。一方、上述した各実施形態では、８階調表示としたが、さらに階調表示度数を高めるためには、サブフィールドの期間をさらに短くする必要があるから、各サブフィールドの書き込みをより短期間で完了させる必要が生じる。
しかしながら、駆動回路、特に、データ線駆動回路１４０におけるＸシフトレジスタ１４１０は、実際には上限付近で動作しているので、このままでは、階調表示度数を高めることができない。そこで、この点に改良を施した変形例について説明する。
図１７は、この変形例に係る電気光学装置におけるデータ線駆動回路１４０ｂの構成を示すブロック図である。この図において、Ｘシフトレジスタ１４１２は、ラッチパルスＬＰをクロック信号ＣＬＸに従って転送する点においては、図４に示されるＸシフトレジスタ１４１０と同様であるが、その段数が半分となっている点においてＸシフトレジスタ１４１０と相違している。すなわち、ｎ＝２ｐを満たす整数ｐを想定すると、Ｘシフトレジスタ１４１２は、ラッチ信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｐを順次出力する構成となっている。
また、この変形例において２値信号は、左から数えて奇数本目のデータ線１１４への２値信号Ｄｓ１と、偶数本目のデータ線１１４への２値信号Ｄｓ２との２系統に分けられて供給される。さらに、第１ラッチ回路１４２２では、奇数本目のデータ線１１４に対応して２値信号Ｄｓ１をラッチするものと、それに続く偶数本目のデータ線１１４に対応して２値信号Ｄｓ２をラッチするものとが組となって、それぞれ同一のラッチ信号の立ち下がりで同時にラッチを行う構成となっている。
従って、このようなデータ線駆動回路１４０ｂによれば、図１７に示されるように、同一のラッチ信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…によって同時に画素２個分の２値信号Ｄｓ１、Ｄｓ２がラッチされるので、クロック信号ＣＬＸの周波数を上記実施形態と同一に維持したまま、必要な水平走査期間を半分にすることができる。さらに、Ｘシフトレジスタ１４１２を構成する単位回路の段数は、データ線１１４の総本数に対応する「ｎ」から、その半分である「ｐ」に削減される。このため、Ｘシフトレジスタ１４１２の構成を、Ｘシフトレジスタ１４１０（図４参照）と比較して簡略化することも可能である。
一方、Ｘシフトレジスタ１４１１を構成する単位回路の段数が半分で済むということは、必要な水平走査期間を同じとするのであれば、クロック信号ＣＬＸの周波数を半分に低下させることができることを意味する。このため、水平走査期間を同じとするのであれば、動作周波数に起因して消費される電力を抑えることもできる。
なお、本変形例においては、ラッチ信号によって同時にラッチ動作を行うラッチ回路１４２１の個数を「２」としたが、「３」以上としてもよいのはもちろんである。この場合、２値信号は、当該個数に応じた系統に分けられて供給され、Ｘシフトレジスタ１４１１の段数はデータ線数をその個数で除した数に減らすことができる。
＜変形例４＞
図７および図１６に示したデータ転送期間（１Ｖａ）は、１画面分の全ての画素に対してデータ信号を書き込むまでの時間である。換言すれば、データ転送期間（１Ｖａ）は、上から数えて１本目の走査線に対して走査信号Ｇ１の供給が開始されてから、最も下側に位置する走査線（上から数えてｍ本目の走査線）に対して走査信号Ｇｍの供給が終了するまでの時間ということもできる。このデータ転送期間（１Ｖａ）の時間長が、各サブフィールドの時間長よりも短い場合、１画面分の全ての画素に対してデータ信号が書き込まれてから、次のサブフィールドにおいて新たなデータ信号が書き込まれるまでの期間が存在することとなる。この期間においては、画素に対してデータ信号を書き込む必要がないから、データ線駆動回路内のＸシフトレジスタに供給されるクロック信号ＣＬＸのレベルを変動させないようにしてもよい。こうすることにより、さらに消費電力を低く抑えることができるという利点がある。
Ｅ：液晶装置の全体構成
次に、上述した実施形態や応用形態に係る電気光学装置の構造について、図１８および図１９を参照して説明する。ここで、図１８は、電気光学装置１００の構成を示す平面図であり、図１９は、図１８におけるＡ−Ａ’線の断面図である。
これらの図に示されるように、電気光学装置１００は、画素電極１１８などが形成された素子基板１０１と、対向電極１０８などが形成された対向基板１０２とが、互いにシール材１０４によって一定の間隙を保って貼り合わせられるとともに、この間隙に電気光学材料としての液晶（例えば、Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ Ｔｙｐｅ）１０５が挟持された構造となっている。なお、液晶材料はＴＮに限らず、Ｓｕｐｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ（ＳＴＮ）型液晶、垂直配向型液晶、ねじれの無い水平配向型液晶など各種ネマチック液晶、高分子分散型液晶、強誘電液晶や双安定型ＴＮ（Ｂｉ−ｓｔａｂｌｅ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型液晶等、種々用いることができる。なお、実際には、シール材１０４には切欠部分があって、ここを介して液晶１０５が封入された後、封止材により封止されるが、これらの図においては省略されている。
ここで、上記各実施形態においては、素子基板１０１を、上述したようにガラスまたは石英等の透明基板とした。従って、画素電極１１８をアルミニウム等の反射性金属によって形成すれば反射型表示装置として用いることができる一方、画素電極１１８をＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明薄膜によって形成すれば透過型表示装置として用いることができる。
このように、上記各実施形態においては、素子基板１０１をガラスや石英等の透明な絶縁基板とし、ここに、画素電極１１８に接続されるトランジスタ１１６や、駆動回路の構成素子などを、基板上に堆積又は貼付けた半導体薄膜に形成したＴＦＴで構成したが、本発明を適用できるのは、かかる電気光学装置に限られない。例えば、素子基板１０１を半導体基板とし、この半導体基板にＭＯＳ型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）等を形成するようにしてもよい。ただし、この場合、素子基板は不透明であるから、画素電極１１８はアルミニウム等の反射性金属によって形成され、反射型表示装置として用いられることとなる。また、透明基板であっても、画素電極を反射電極にする、基板の内面または外面に反射膜や反射板を配置するなどして反射型表示装置とすることができる。
さて、素子基板１０１において、シール材１０４の内側かつ表示領域１０１ａの外側領域には、遮光膜１０６が設けられている。この遮光膜１０６が形成される領域内のうち、領域１３０ａには走査線駆動回路１３０が形成され、また、領域１４０ａにはデータ線駆動回路１４０が形成されている。すなわち、遮光膜１０６は、この領域に形成される駆動回路に光が入射するのを防止している。この遮光膜１０６には、対向電極１０８とともに、交流化駆動信号ＬＣＣＯＭが印加される構成となっている。このため、遮光膜１０６が形成された領域では、液晶層への印加電圧がほぼゼロとなるので、画素電極１１８の電圧無印加状態と同じ表示状態となる。
また、素子基板１０１において、データ線駆動回路１４０が形成される領域１４０ａの外側であって、シール材１０４を隔てた領域１０７には、複数の接続端子が形成されて、外部からの制御信号や電源などが入力される構成となっている。
一方、対向基板１０２の対向電極１０８は、基板貼合部分における４隅のうち、少なくとも１箇所において設けられた導通材（図示省略）によって、素子基板１０１における遮光膜１０６および接続端子と電気的な導通が図られている。すなわち、対向電極電圧ＬＣＣＯＭは、素子基板１０１に設けられた接続端子を介して、遮光膜１０６に、さらに、導通材を介して対向電極１０８に、それぞれ印加される構成となっている。
ほかに、対向基板１０２には、電気光学装置１００の用途に応じて、例えば、直視型であれば、第１に、ストライプ状や、モザイク状、トライアングル状等に配列したカラーフィルタが設けられ、第２に、例えば、金属材料や樹脂などからなる遮光膜（ブラックマトリクス）が設けられる。なお、色光変調の用途の場合には、例えば、後述するプロジェクタのライトバルブとして用いる場合には、カラーフィルタは形成されない。また、直視型の場合、電気光学装置１００に光を対向基板１０２側から照射するフロントライトが必要に応じて設けられる。くわえて、素子基板１０１および対向基板１０２の電極形成面には、それぞれ所定の方向にラビング処理された配向膜（図示省略）などが設けられて、電圧無印加状態における液晶分子の配向方向を規定する一方、対向基板１０１の側には、配向方向に応じた偏光子（図示省略）が設けられる。ただし、液晶１０５として、高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、前述の配向膜や偏光子などが不要となる結果、光利用効率が高まるので、高輝度化や低消費電力化などの点において有利である。
さらに、電気光学材料としては、液晶のほかに、エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ）などを用いて、その電気光学効果により表示を行う装置に適用可能である。すなわち、本発明は、上述した構成と類似の構成を有する電気光学装置、特に、オンまたはオフの２値的な表示を行う画素を用いて、階調表示を行う電気光学装置のすべてに適用可能である。なお、ＥＬ素子のパネル等、液晶パネルのように一対の基板により構成されるのではなく、一枚の基板上に画素のスイッチング素子、画素電極と対向電極、それらに挟まれた電気光学材料としてのＥＬを併せて形成してしまう電気光学装置もあるので、本発明の電気光学装置は一対の基板を備えるものには限定されない。
Ｆ：電子機器
次に、上述した液晶装置を具体的な電子機器に用いた例のいくつかについて説明する。
＜その１：プロジェクタ＞
まず、実施形態に係る電気光学装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図２０は、このプロジェクタの構成を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、偏光照明装置１１１０がシステム光軸ＰＬに沿って配置されている。この偏光照明装置１１１０において、ランプ１１１２からの出射光は、リフレクタ１１１４による反射で略平行な光束となって、第１のインテグレータレンズ１１２０に入射する。これにより、ランプ１１１２からの出射光は、複数の中間光束に分割される。この分割された中間光束は、第２のインテグレータレンズを光入射側に有する偏光変換素子１１３０によって、偏光方向がほぼ揃った一種類の偏光光束（ｓ偏光光束）に変換されて、偏光照明装置１１１０から出射されることとなる。
さて、偏光照明装置１１１０から出射されたｓ偏光光束は、偏光ビームスプリッタ１１４０のｓ偏光光束反射面１１４１によって反射される。この反射光束のうち、青色光（Ｂ）の光束がダイクロイックミラー１１５１の青色光反射層にて反射され、反射型の電気光学装置１００Ｂによって変調される。また、ダイクロイックミラー１１５１の青色光反射層を透過した光束のうち、赤色光（Ｒ）の光束は、ダイクロイックミラー１１５２の赤色光反射層にて反射され、反射型の液電気光学装置１００Ｒによって変調される。一方、ダイクロイックミラー１１５１の青色光反射層を透過した光束のうち、緑色光（Ｇ）の光束は、ダイクロイックミラー１１５２の赤色光反射層を透過して、反射型の電気光学装置１００Ｇによって変調される。
このようにして、電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ色光変調された赤色、緑色、青色の光は、ダイクロイックミラー１１５２、１１５１、偏光ビームスプリッタ１１４０によって順次合成された後、投写光学系１１６０によって、スクリーン１１７０に投写されることとなる。なお、電気光学装置１００Ｒ、１００Ｂおよび１００Ｇには、ダイクロイックミラー１１５１、１１５２によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光束が入射するので、カラーフィルタは必要ない。
＜その２：モバイル型コンピュータ＞
次に、上記電気光学装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図２１は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、表示ユニット１２０６とから構成されている。この表示ユニット１２０６は、先に述べた電気光学装置１００の前面にフロントライトを付加することにより構成されている。
なお、この構成では、電気光学装置１００を反射直視型として用いることになるので、画素電極１１８において、反射光が様々な方向に散乱するように、凹凸が形成される構成が望ましい。
＜その３：携帯電話機＞
さらに、上記電気光学装置を、携帯電話機に適用した例について説明する。図２２は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話機１３００は、複数の操作ボタン１３０２のほか、受話口１３０４、送話口１３０６とともに、電気光学装置１００を備えるものである。この電気光学装置１００にも、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。また、この構成でも、電気光学装置１００が反射直視型として用いられることになるので、画素電極１１８に凹凸が形成される構成が望ましい。
なお、電子機器としては、図２０〜図２２を参照して説明した他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に対して、実施形態や応用形態に係る電気光学装置が適用可能なのは言うまでもない。
産業上の利用可能性
以上説明したように、本発明によれば、３種類の電圧を２値信号に基づいて選択し、データ信号とするようになっているため、高品位な階調表示が可能となる。また、本発明によれば、各画素に印加される実効電圧値の均一性を全ての画素にわたって損なうことなく、液晶層に直流成分が印加されるのを回避することができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
図２は、同電気光学装置の画素の構成を示す回路図である。
図３は、同電気光学装置のデータ線駆動回路の構成を示すブロック図である。
図４は、同データ線駆動回路内のマルチプレクサ回路の機能を表す真理値表である。
図５は、同電気光学装置のデータ変換回路の機能を表す真理値表である。
図６は、（ａ）は液晶の電圧／透過率特性を例示する図であり、（ｂ）は１フィールド内の各サブフィールドの態様を例示する図である。
図７は、同電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
図８は、同電気光学装置における画素に印加される電圧を例示するタイミングチャートである。
図９は、同電気光学装置による効果を説明するための図である。
図１０は、同電気光学装置による効果を説明するための図である。
図１１は、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
図１２は、（ａ）は上記第１実施形態における画素における走査線信号およびデータ信号の電圧の関係を示す図であり、（ｂ）は第２実施形態に係る電気光学装置の画素の構成を示す回路図であり、（ｃ）は同電気光学装置における走査線信号およびデータ信号の電圧の関係を示す図である。
図１３は、（ａ）および（ｂ）は、同電気光学装置における駆動電圧生成回路の構成を例示するブロック図である。
図１４は、同電気光学装置におけるデータ線駆動回路の構成を示すブロック図である。
図１５は、同データ線駆動回路のマルチプレクサの機能を示す真理値表である。
図１６は、同電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
図１７は、本発明の応用形態に係る電気光学装置のデータ線駆動回路の構成を示すブロック図である。
図１８は、同電気光学装置の構造を示す平面図である。
図１９は、同電気光学装置の構造を示す断面図である。
図２０は、同電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す断面図である。
図２１は、同電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
図２２は、同電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話機の構成を示す斜視図である。

Claims (4)

1. 複数のデータ線と複数の走査線との交差に対応して、画素電極を備える複数の画素が配設され、前記複数の走査線の各々が第１走査線および第２走査線からなり、前記第１走査線および前記第２走査線に接続される相補型のスイッチング素子を介して前記画素が前記データ線に接続された電気光学装置の駆動方法であって、
   前記第１走査線に対して第１走査信号を、前記第２走査線に対して前記第１走査信号とは信号極性が反対の第２走査信号をそれぞれ供給し、
   前記画素電極に対向する対向電極に一定の基準電圧を印加し、
   各フィールドを複数のサブフィールドに分割し、１フィールド内において画素をオン状態にする時間とオフ状態にする時間との比率が、階調データに応じた比率となるように、前記各サブフィールド単位で画素をオン状態またはオフ状態にし、
   画素をオン状態にする場合、基準電圧よりも高い第１電圧または基準電圧よりも低い第２電圧のうちのいずれかを所定時間間隔毎に切換えて当該画素の画素電極に印加し、
   前記第１走査線に接続されているスイッチング素子を前記第１走査信号がオンにする電圧レベルと前記第１電圧の電圧レベルとは同一であり、前記第２走査線に接続されているスイッチング素子を前記第２走査信号がオンにする電圧レベルと前記第２電圧の電圧レベルとは同一である
   ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
2. 複数のデータ線と複数の走査線との交差に対応して配設され、画素電極と、当該画素電極に対向し、一定の基準電圧が印加される対向電極とを備えた複数の画素を具備し、前記複数の走査線の各々が第１走査線および第２走査線からなり、前記第１走査線および前記第２走査線に接続される相補型のスイッチング素子を介して前記画素が前記データ線に接続された電気光学装置の駆動回路であって、
   前記第１走査線に対して第１走査信号を、前記第２走査線に対して前記第１走査信号とは信号極性が反対の第２走査信号をそれぞれ供給する走査線駆動回路と、
   各フィールドを分割した複数のサブフィールドの各々において、画素のオン状態またはオフ状態を指示する２値信号を発生する手段であって、画素毎に、１フィールド内において当該画素をオン状態にする時間とオフ状態にする時間との比率が、階調データに応じた比率となるように、サブフィールド毎に前記２値信号を前記階調データから生成するデータ変換回路と、
   前記データ変換回路からの２値信号に従って、画素をオン状態またはオフ状態にするための電圧を各データ線に印加するデータ線駆動回路であって、画素をオン状態にする場合、前記基準電圧よりも高い第１電圧または前記基準電圧よりも低い第２電圧のうちのいずれかを所定時間間隔毎に切換えて当該画素が接続されたデータ線に印加するデータ線駆動回路とを具備し、
   前記第１走査線に接続されているスイッチング素子を前記第１走査信号がオンにする電圧レベルと前記第１電圧の電圧レベルとは同一であり、前記第２走査線に接続されているスイッチング素子を前記第２走査信号がオンにする電圧レベルと前記第２電圧の電圧レベルとは同一である
   ことを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
3. 複数のデータ線と複数の走査線との交差に対応して配設され、画素電極と、当該画素電極に対向し、一定の基準電圧が印加される対向電極とを備えた複数の画素を具備し、前記複数の走査線の各々が第１走査線および第２走査線からなり、前記第１走査線および前記第２走査線に接続される相補型のスイッチング素子を介して前記画素が前記データ線に接続された電気光学装置であって、
   前記第１走査線に対して第１走査信号を、前記第２走査線に対して前記第１走査信号とは信号極性が反対の第２走査信号をそれぞれ供給する走査線駆動回路と、
   各フィールドを分割した複数のサブフィールドの各々において、画素のオン状態またはオフ状態を指示する２値信号を発生する手段であって、画素毎に、１フィールド内において当該画素をオン状態にする時間とオフ状態にする時間との比率が階調データに応じた比 率となるように、サブフィールド毎に前記２値信号を前記階調データから生成するデータ変換回路と、
   前記データ変換回路からの２値信号に従って、画素をオン状態またはオフ状態にするための電圧を各データ線に印加するデータ線駆動回路であって、画素をオン状態にする場合、前記基準電圧よりも高い第１電圧または前記基準電圧よりも低い第２電圧のうちのいずれかを所定時間間隔毎に切換えて当該画素が接続されたデータ線に印加するデータ線駆動回路とを具備し、
   前記第１走査線に接続されているスイッチング素子を前記第１走査信号がオンにする電圧レベルと前記第１電圧の電圧レベルとは同一であり、前記第２走査線に接続されているスイッチング素子を前記第２走査信号がオンにする電圧レベルと前記第２電圧の電圧レベルとは同一である
   ことを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項３に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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