WO2008146867A1 - 液晶デバイスおよび液晶デバイスの駆動方法 - Google Patents

液晶デバイスおよび液晶デバイスの駆動方法 Download PDF

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WO2008146867A1 PCT/JP2008/059855 JP2008059855W WO2008146867A1 WO 2008146867 A1 WO2008146867 A1 WO 2008146867A1 JP 2008059855 W JP2008059855 W JP 2008059855W WO 2008146867 A1 WO2008146867 A1 WO 2008146867A1
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Hajime Ikeda
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Nano Loa, Inc.
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    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0252—Improving the response speed

Definitions

  • the present invention relates to a liquid crystal device (for example, a liquid crystal device using a PSS-LCD (polarization shielding smectic liquid crystal display) technology capable of high-speed response), and a method for driving the liquid crystal device. More specifically, the present invention relates to a PSS—LCD liquid crystal device and a driving method of the PSS—LCD liquid crystal device that can substantially maintain the display quality even when the optical response speed is increased.
  • PSS_LCD polarization shielding smectic liquid crystal display
  • a liquid crystal device is a pair (two sheets) of glass substrates provided with transparent electrodes on the inner side (side on which the liquid crystal material is sandwiched), and facing each other with a gap of about several m. It has a structure filled with liquid crystal material.
  • the alignment state of the liquid crystal changes, so that the state of light passing through the layer of the liquid crystal material is controlled, and a predetermined pattern that appears due to the difference in the amount of light passing through Is displayed. That is, conventionally, in a liquid crystal device, the orientation of the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal material has been controlled by controlling the voltage applied between the pair of electrodes.
  • Display is performed by active matrix drive using TFT elements.
  • TFT type liquid crystal element one TFT and one additional capacitor are used to control each pixel of the LCD panel, making the start-up faster and providing memory.
  • the responsiveness of the TN (twisted nematic) type liquid crystal is solved, and “coloring” based on the interference of transmitted light is inconspicuous.
  • the present invention includes, for example, the following aspects.
  • a liquid crystal element including a pair of substrates each having an electrode on the inner side (side on which the liquid crystal material is to be disposed), and a liquid crystal material disposed between the pair of substrates, and the liquid crystal
  • a liquid crystal device comprising at least a charge supply means for supplying a charge to the element
  • the liquid crystal element is a liquid crystal element including at least a pair of substrates and a liquid crystal material disposed between the pair of substrates; and the initial molecular orientation in the liquid crystal element is relative to the liquid crystal material.
  • a liquid crystal that has a direction parallel to or substantially parallel to the alignment treatment direction and the liquid crystal material exhibits almost no spontaneous polarization perpendicular to the pair of substrates in the absence of an externally applied voltage.
  • the liquid crystal device according to any one of [1] to [3], which is an element.
  • the change in the amount of charge to be supplied between the pair of electrodes is the electric field strength.
  • the liquid crystal according to any one of [1] to [4], which is based on at least one parameter selected from the time derivative value, the cumulative amount of light transmitted through the liquid crystal element, the voltage corresponding to each pixel, and the gate-on time. device.
  • a liquid crystal element including at least a pair of substrates each having an electrode inside thereof, a liquid crystal material disposed between the pair of substrates, and a charge supply means for supplying charges to the liquid crystal element
  • a liquid crystal device driving method comprising: controlling the alignment of liquid crystal molecules in a liquid crystal element by changing an amount of charge to be supplied between the pair of electrodes from the charge supply means. Driving method.
  • the gradation display is performed by controlling the accumulated light amount of the light transmitted through the liquid crystal element continuously by controlling the time differential value of the electric field strength applied to the liquid crystal element. Driving method.
  • Figure 3 shows one example of TFT current characteristics for driving liquid crystal devices. It is a graph which shows an example.
  • FIG. 4 is a schematic circuit diagram showing an example of the structure of a TFT for driving a liquid crystal device.
  • Fig. 6 is a graph schematically showing an example of the relationship when the gate-source voltage is kept constant.
  • FIG. 9 is a graph schematically showing an example of the relationship of the optical response (2) when the charge supply amount is adjusted by changing the gate voltage.
  • FIG. 10 is a graph schematically showing an example of the relationship of the optical response (3) when the charge supply amount is adjusted by changing the gate voltage.
  • FIG. 13 is a graph schematically showing an example of the relationship between the average inclination of the transmitted light amount when the charge supply amount is adjusted by changing the gate voltage.
  • FIG. 14 is a graph schematically showing an example of the relationship between the conventional source voltage control gradation and the gradation when the charge supply amount is adjusted.
  • FIG. 19 is a graph showing an example of polarization switching peak current during switching in the case of a conventional SSFLC panel.
  • FIG. 20 is a schematic diagram for explaining the c-directive profile of PS—V—FLCD.
  • FIG. 22 is a schematic perspective view showing a configuration of an example of an element suitable for precise measurement of the optical axis orientation that can be used in the present invention.
  • a liquid crystal device of the present invention includes a liquid crystal element (for example, a liquid crystal element capable of high-speed operation) including at least a pair of substrates and a liquid crystal material disposed between the pair of substrates, and a charge to the liquid crystal element.
  • a liquid crystal device including at least a charge supply means for supplying the liquid.
  • the orientation of liquid crystal molecules in the liquid crystal element can be controlled based on a change in the amount of charge to be supplied from the charge supply means to the liquid crystal material. (Orientation control based on changes in charge)
  • the orientation of the liquid crystal molecules in the liquid crystal element is controlled based on the change in the amount of charge to be supplied from the charge supply means to the liquid crystal material.
  • the alignment control of the liquid crystal molecules is based on the change in the amount of charge to be supplied to the liquid crystal material (not based on the change in electric field intensity). it can.
  • a constant charge amount is supplied to the liquid crystal element from a charge amount control circuit including a constant current circuit, a timer, and a charge amount control switch.
  • the orientation at this time is detected as a change in the optical response using a PMT (photomultiplier tube), a polarizing element (polarizer / analyzer), oscilloscope and backlight. If a change appears in the optical response in accordance with the change in the amount of charge supplied from the charge control circuit to the liquid crystal element, it can be confirmed that the orientation is controlled based on the amount of charge.
  • a charge supply means for supplying charges to the liquid crystal element a charge supply means capable of controlling the alignment of liquid crystal molecules as described later can be used without any particular limitation.
  • the present invention can be applied as long as it is a liquid crystal element capable of aligning liquid crystal molecules according to the amount of charge to be supplied between a pair of electrodes arranged to face each other with a liquid crystal material interposed therebetween.
  • the liquid crystal element PSS-LCD (polarization-shielded smectic liquid crystal element) having the characteristics described later, that is, the initial molecular orientation in the liquid crystal material is
  • a liquid crystal element that has a direction parallel to or substantially parallel to the alignment treatment direction with respect to the liquid crystal material and exhibits almost no spontaneous polarization perpendicular to the pair of substrates in the absence of an externally applied voltage can be used particularly suitably. is there.
  • the present inventors have found that the orientation can be controlled by the amount of electric charge supplied between the electrodes even in P S S—L C D having almost no spontaneous polarization.
  • the graph in Fig. 1 shows an example of the relationship between the amount of charge supplied and the amount of transmitted light obtained in PSS-LCD.
  • a voltage is applied to a liquid crystal that is a dielectric sandwiched between electrodes, and an optical response is generated in the liquid crystal by an electric field between the electrodes. That is, an electric field is applied to the liquid crystal, which is a dielectric, by applying a voltage to the parallel plate capacitor.
  • an electric field is applied to the liquid crystal, which is a dielectric, by applying a voltage to the parallel plate capacitor.
  • it is necessary to supply a charge between the electrodes.
  • the alignment of the liquid crystal can be changed by controlling the time differential value dEnodt of the electric field intensity.
  • controlling the time differential value of the electric field intensity can be achieved, for example, by controlling the charge supply between the electrodes.
  • stable display quality can be achieved by controlling the amount of charge supplied.
  • the electric field strength differential value d E Z d t can be set arbitrarily by controlling the amount of charge supplied, and the gradation display range can be expanded.
  • the means for such detailed charge supply control is not particularly limited.
  • the charge supply control can be achieved by improving the current drive circuit as described later.
  • the charge supply means for supplying charges to the liquid crystal element described above those including TFTs can be suitably used.
  • the current that can flow between the source and drain is usually determined depending on the potential difference between the gate and source or between the gate and drain and between the source and drain.
  • Figure 3 (a) shows the current characteristics with respect to the potential difference between the gate and source. It can be seen that the current that can be passed logarithmically increases due to the potential difference.
  • Figure 3 (b) shows the current characteristics with respect to the potential difference between the source and drain.Although the degree of change in the current characteristics due to the potential difference is small compared to the current characteristics between the gate and source, It can be seen that the greater the potential difference, the greater the current that can flow.
  • the charge can be controlled by controlling the current.
  • the voltage between the gate and the source or between the gate and the drain and between the source and the drain may be controlled from the above-described current characteristics.
  • Fig. 4 is a schematic circuit diagram showing a conventional TFT.
  • each TFT holds a gradation voltage that matches the pixels constituting the image. If the image changes, the voltage held by each TFT changes, so the voltage held on the source side of the TFT is output from the source drive circuit, and when the gate voltage is applied, the voltage applied to the source side is changed. Hold on the drain side. At this time, regardless of the voltage previously held on the drain side, the voltage to be held next is applied. Therefore, it can be understood from the above-described current characteristics that the potential difference between the source and the drain always changes depending on the displayed image, and does not become a constant current value. Also, as shown in the schematic graph of FIG. The potential difference between the source and drain becomes smaller in the process of supplying charge. This is shown in Figure 3
  • the constant current value can be controlled to an arbitrary value, and the amount of charge supplied per unit time can be set to an arbitrary value.
  • the rate of change of the liquid crystal potential difference on the drain side that is, the time derivative of the electric field can be set to an arbitrary value.
  • the drive circuit configuration for example, as shown in the schematic graph of Fig. 6, it has a circuit that changes with a constant potential difference while the gate voltage is synchronized with the source voltage, and as shown in the schematic graph of Fig. 7, the previous circuit It is preferable to include a circuit that can apply a source voltage in accordance with a drain voltage, which is a potential difference caused by charges held in the pixel, and to control a gate ON time. By adopting such a drive circuit configuration, more precise orientation control can be performed in P S S—L C D.
  • the aspect using the PSS-LCD that can express the gradation by the time differential value of the electric field can have a color rendering property higher than the conventional one. Become.
  • the rate of increase or decrease of the electric field strength applied to the liquid crystal element with respect to time may be controlled.
  • FIG. 16 An example of a drive circuit configuration for such an embodiment is shown in FIG.
  • a gradation signal is input to a charge amount control circuit including a constant current circuit and a gradation-one-charge amount conversion LUT, and a constant current is supplied with a charge amount supply profile corresponding to the gradation signal. Charge is supplied from the circuit to the liquid crystal element.
  • the charge supply profile at this time refers to changing the rate of increase or decrease of the electric field strength with respect to time by adjusting the amount of charge in order to control the time derivative of the electric field.
  • the amount of charge supplied is increased, the rate of increase of the electric field applied to the liquid crystal element with respect to time increases, and if it is decreased, the rate of increase decreases. Even when the electric field is removed, it is reversely supplied (the charge amount control circuit sucks in). If the charge amount is large, the decrease rate increases, and if it is small, the decrease rate decreases. With such a configuration, detailed gradation expression can be achieved by adjusting the rate of change of the electric field intensity actually applied to the liquid crystal element.
  • the present invention by controlling the time differential value of the electric field strength applied to the liquid crystal element, it is also possible to continuously control the accumulated light amount of LCD to display a gradation.
  • An example of a drive circuit configuration for such an embodiment is basically the same as the drive circuit configuration shown in FIG. 16 except that the frame rate, which is the rewrite time of one screen, is increased, and the human By controlling the time derivative of the electric field strength at a speed exceeding the time resolution of the eye (eg, less than 16.7 milliseconds, more preferably less than 8.3 milliseconds). , The gradation is expressed by the accumulated transmitted light amount of each frame. This makes it easier to achieve more detailed gradation expression.
  • the source driver receives the grayscale signal coming from the display control system, and controls the source voltage applied to the TFT and the gate voltage, which is a line write signal.
  • the source driver controls the source voltage applied to the TFT and the gate voltage, which is a line write signal.
  • the source driver always keeps the source voltage and drain voltage constant as shown in Figure 7. Based on the applied source voltage at this time, the gate voltage is adjusted as shown in Fig. 6 so that the gate voltage and source voltage become constant.
  • the applied source voltage in order to generate the gate voltage, it is necessary to know the applied source voltage in advance, so it is necessary to generate the source voltage waveform first.
  • the applied source waveform is recorded in the memory so that the source voltage can be applied simultaneously with the application of the gate voltage. Since the generated gate voltage is adjusted so that the current is always constant, any gradation can be displayed by changing the time for which the gate is turned on. In this way, in an embodiment using existing TFTs, this technology can be applied by simply changing the design of each driver IC.
  • the potential difference between the source and gate and between the source and drain is fixed to a voltage value with good current characteristics, the speed at which the drain voltage reaches the target voltage increases, and the gate time can be shortened. Downtime. This means that it is easy to increase the resolution.
  • a polarizing element that can be used in the present invention a polarizing element that has been conventionally used for constituting a liquid crystal device can be used without particular limitation. Also, its shape, size, component, etc. are not particularly limited.
  • polarizing elements that can be suitably used in the present invention include the following.
  • a liquid crystal element according to an aspect of the present invention includes at least a pair of substrates and a liquid crystal material disposed between the pair of substrates.
  • a liquid crystal material capable of constituting an electro-optic element having rotation of the optic axis direction in accordance with the magnitude of the applied electric field and Z or direction can be used without any particular restrictions.
  • a certain liquid crystal material can be used can be confirmed by the following “Method for confirming rotation of optical axis direction”. Whether or not a certain liquid crystal material can respond at a sufficient speed so that it can be suitably used from the viewpoint of enabling a predetermined high-speed response in the present invention is as follows. You can confirm with
  • the optical axis direction As a method of measuring the rotation of the optical axis direction as a liquid crystal element, when the liquid crystal element is placed in a crossed Nicol arrangement in which the polarizer is arranged perpendicular to the analyzer, the optical axis coincides with the absorption axis of the analyzer. The transmitted light intensity is minimized. Therefore, the angle at which the minimum intensity of transmitted light is obtained in the crossed Nicol arrangement is the angle of the optical axis direction. At this time, an electric field is not applied to the liquid crystal element. Using this as the reference angle, an electric field is applied to the liquid crystal element to find the angle that provides the minimum intensity of transmitted light in the crossed Nicols arrangement. There is an angle at which the minimum intensity is obtained when an electric field is applied.
  • the speed of this rotation corresponds to the response time.
  • the liquid crystal element is arranged at an angle that minimizes the amount of transmitted light during the crossed-nicols arrangement in which the polarizer is arranged perpendicular to the analyzer, and an electric field is applied to the liquid crystal element.
  • the optical axis direction is rotated by applying an electric field, so the amount of transmitted light changes. Therefore, the degree of change in the amount of transmitted light becomes the degree of change in rotation.
  • the transmitted light amount in the state where no electric field is applied is 0%, and the transmitted light amount which finally changed to the steady state by applying the electric field is 100%, the electric field is applied from the state where the electric field is not applied.
  • the rise response time and fall response time are both about 40 0 as.
  • the device for confirmation it can be confirmed with the configuration shown in FIG. 22 in the same way as the “optical axis orientation confirmation method” described later.
  • the liquid crystal material that can be suitably used in the present invention is PSS-LCD, that is, the initial molecular alignment in the liquid crystal material has a direction substantially parallel to the alignment treatment direction, and the liquid crystal material is substantially In the absence of an externally applied voltage, it exhibits no spontaneous polarization at least perpendicular to the pair of substrates.
  • the major axis of the liquid crystal molecule in the initial molecular alignment (or direction) in the liquid crystal material, has a direction substantially parallel to the alignment treatment direction with respect to the liquid crystal molecule.
  • the fact that the major axis of the liquid crystal molecules has a direction substantially parallel to the alignment treatment direction can be confirmed, for example, in the following manner.
  • the angle (absolute value) between the rubbing direction and the alignment direction of the liquid crystal molecules measured by the following method is preferably 3 ° or less. More preferably, it can be 2 ° or less, in particular 1 ° or less.
  • the angle between the rubbing direction and the alignment direction of the major axis (that is, the optical axis) of the liquid crystal molecules can be preferably 3 ° or less.
  • the major axis of the liquid crystal molecules and the orientation direction of the slow axis provided in the polymer (polyimide, etc.) or polymer alignment film by rubbing or the like are preferably 3 ° or less, more preferably 2. Below, in particular, it can be 1 ° or less.
  • the alignment treatment direction refers to the direction of the slow axis (in the polymer outermost layer) that determines the alignment direction of the liquid crystal molecule major axis.
  • the major axis of liquid crystal molecules is in good agreement with the optical axis. Therefore, polarization
  • the intensity of the transmitted light is minimized when the optical axis of the liquid crystal is well aligned with the absorption axis of the analyzer.
  • the direction of the initial alignment axis can be measured by a method in which the liquid crystal panel rotates in a crossed Nicol arrangement while measuring the intensity of the transmitted light, and thereby the angle that gives the minimum intensity of the transmitted light. Can be measured.
  • ⁇ Method of measuring parallelism between liquid crystal molecule major axis direction and alignment treatment direction> The rubbing direction is determined by the set angle, and the slow axis of the outermost layer of the polymer alignment film provided by rubbing is the type of polymer alignment film, It is determined by the film manufacturing method, rubbing strength, etc. Therefore, when the extinction position is provided parallel to the direction of the slow axis, it is confirmed that the molecular long axis, that is, the molecular optical axis is parallel to the direction of the slow axis.
  • spontaneous polarization (similar to the spontaneous polarization in the case of ferroelectric liquid crystal) does not occur at least in the direction perpendicular to the substrate.
  • an initial molecular orientation that does not substantially provide a spontaneous polarization is one in which no spontaneous polarization occurs” can be confirmed, for example, by the following method.
  • the liquid crystal in the liquid crystal cell has spontaneous polarization, especially when spontaneous polarization occurs in the direction of the substrate in the initial state, that is, in the direction perpendicular to the electric field direction in the initial state (that is, in the absence of an external electric field).
  • a low-frequency triangular wave voltage approximately 0.1 Hz
  • the direction of spontaneous polarization is upward as the polarity of the applied voltage changes from positive to negative or from negative to positive. Reverse from direction to down or from down to up. With this inversion, the actual charge is transported (ie, an electric current is generated).
  • Spontaneous polarization is the polarity of the applied electric field Inverts only when.
  • a peak current appears as shown in Fig.19.
  • the peak current accumulation location corresponds to the total charge to be transported, that is, the intensity of spontaneous polarization. If a non-peak current is observed in this measurement, the absence of spontaneous polarization reversal is directly proved by these phenomena.
  • the major axes of the liquid crystal molecules change continuously or continuously in their molecular orientation direction as the electric field strength increases. Found to do. In other words, it has been found that in this case as shown in Fig. 18, the molecular orientation direction changes due to induced polarization, etc., depending on the applied electric field strength.
  • the substrate that can be used in the present invention is not particularly limited as long as it can give the above-mentioned specific “initial molecular orientation state”.
  • a suitable substrate can be appropriately selected from the viewpoint of the usage or application of LCD, its material and size, and the like. Specific examples that can be used in the present invention include the following.
  • PSS— LCD material The PSS—LCD liquid crystal material that can be suitably used in the present invention is not particularly limited as long as it can give the above-mentioned specific “initial molecular alignment state”.
  • a suitable liquid crystal material can be appropriately selected from the viewpoints of physical characteristics, electricity or display performance, and the like.
  • various liquid crystal materials as exemplified in the literature
  • liquid crystal materials when the present invention is applied to a projection type liquid crystal display, it is preferable to use the following liquid crystal materials.
  • the present invention when the present invention is applied to a projection type liquid crystal display, it is preferable to use the following alignment film.
  • the following means can be preferably used when the present invention is applied to a large television panel, a small high-resolution display panel, and a direct-view display.
  • the above-mentioned suitable initial alignment is the following alignment film (in the case of an alignment film formed by baking, the thickness is indicated by the thickness after baking) and rubbing treatment: By using it, it can be easily realized.
  • the thickness of the alignment film is 3,00 O A (angstrom) or less, and the rubbing strength (that is, the rubbing indentation amount) is 0.3 mm or less.
  • Thickness of alignment film preferably 4,00 0 A or more, more preferably 5,00 0 A or more (especially 6,00 0 A or more)
  • Rubbing strength ie, rubbing indentation amount: preferably 0.3 mm or more, more preferably 0.4 mm or more (especially 0.45 mm or more)
  • the above-mentioned alignment film thickness and rubbing strength can be measured, for example, by a method as described in Production Example 1 described later.
  • a liquid crystal element comprising at least a pair of substrates, a liquid crystal material disposed between the pair of substrates, and a pair of polarizing films disposed outside the pair of substrates; one of the pair of polarizing films is An initial molecular alignment parallel to or substantially parallel to the alignment treatment direction for the liquid crystal material, and the other of the pair of polarizing films has a polarization absorption direction perpendicular to the alignment treatment direction for the liquid crystal material, and
  • P S S— L C D indicates the extinction angle in the absence of externally applied voltage.
  • the liquid crystal display according to such an embodiment has an advantage that the extinction position has substantially no temperature dependence in addition to the above. Therefore, in this embodiment, the temperature dependence of the contrast ratio can be made relatively small.
  • the angle between the polarization absorption axis of the polarization film and the alignment treatment direction of the liquid crystal material is preferably 2 ° or less, More preferably, it can be 1 ° or less, particularly 0.5 ° or less.
  • the phenomenon in which the liquid crystal element exhibits the extinction potential in the absence of an externally applied voltage can be confirmed by, for example, the following method.
  • the liquid crystal panel to be tested is inserted between a polarizer and an analyzer arranged in a crossed Nicol relationship, and the angle that gives the minimum amount of transmitted light is measured while the liquid crystal panel is rotating. Measured in this way This angle is the extinction position angle.
  • PSS-LCD having the following constitution can also be preferably used.
  • a liquid crystal element including at least a pair of substrates and a liquid crystal material disposed between the pair of substrates; a current passing through the pair of substrates changes substantially continuously and linearly PSS—LCD that shows no peak current when a voltage waveform is applied to the liquid crystal element.
  • the current passing through a pair of substrates does not exhibit a peak current under the application of a voltage waveform whose intensity is continuous and linearly changes. It is.
  • “the current does not substantially exhibit a peak current” means that in the change in the alignment of the liquid crystal molecules, the spontaneous polarization is not involved in the change in the alignment of the liquid crystal molecules in at least a direct manner.
  • sufficient liquid crystal driving is possible even in an element having the lowest electron mobility such as an amorphous silicon TFT array element among active driving elements. Has the advantage of enabling.
  • a triangular wave voltage having an extremely low frequency of about 0.1 Hz is applied to the liquid crystal panel to be tested.
  • the liquid crystal panel will feel such an applied voltage as the DC voltage increases and decreases almost linearly.
  • the optical response and the charge transfer state are determined by the polarity of the triangular wave voltage.
  • the peak value of the triangular wave voltage (or P— It does not depend on (P value).
  • the spontaneous polarization of the liquid crystal is coupled to the externally applied voltage only when the polarity of the applied voltage changes from negative to positive or from positive to negative.
  • the spontaneous polarization is reversed, the charge moves temporarily to generate a peak current inside the panel.
  • the polarization of the panel can be determined by applying a low-frequency triangular wave voltage to the panel, measuring the current accurately obtained, and thereby measuring the current waveform profile.
  • PSS-LCD having the following constitution can also be preferably used.
  • Liquid crystal molecular alignment treatment for liquid crystal materials is performed in association with a liquid crystal molecular alignment film that gives a low surface pretilt angle.
  • the pretilt angle can be preferably 1.5 ° or less, more preferably 1.0 ° or less (particularly 0.5 ° or less).
  • the liquid crystal display according to this aspect is In addition, it has the advantage that it can give a uniform orientation over a wide surface, and a wide viewing angle. The reason why a wide viewing angle is provided is as follows.
  • the liquid crystal molecules can move in a cone-like region, and their electro-optic response does not stay in the same plane.
  • the birefringence depends on the incident angle, and the viewing angle is narrowed.
  • the molecular optical axis of the liquid crystal molecule is always
  • this embodiment can provide an image having high symmetry and small angle dependence.
  • PSS-LCD having the following constitution can also be preferably used.
  • the phenomenon that the liquid crystal material has a “smectic A phase-one ferroelectric liquid crystal phase transition series” can be confirmed, for example, by the following method.
  • the liquid crystal display according to such an embodiment has the advantage that in addition to the above-mentioned items, it can give a higher upper limit for the storage temperature. More specifically, when trying to determine the upper limit of the storage temperature for liquid crystal display, even when the temperature exceeds the transition temperature from the ferroelectric liquid crystal phase to the smectic A phase, the temperature is from the smectic A phase. As long as the transition temperature to the cholesteric phase is not exceeded, the strong turtle-like liquid crystal phase may be restored to restore the initial molecular orientation. it can.
  • phase transition series of smectic liquid crystals can be confirmed as follows.
  • the helical pitch of the ferroelectric liquid crystal phase and the panel gap of the substrate can be confirmed by, for example, the following method.
  • liquid crystal materials are expected to have less helical pitch.
  • the liquid crystal element As a strict measurement method of the optical axis direction as a liquid crystal element, the liquid crystal element is placed in a crossed Nicols arrangement in which a polarizer is arranged perpendicular to the analyzer.
  • the intensity of the transmitted light is minimized when the optical axis coincides with the absorption axis of the analyzer. Therefore, the angle at which the minimum intensity of transmitted light is obtained in the crossed Nicol arrangement is the angle of the optical axis direction.
  • An example of a measuring device is one in which a photodetecting element such as a PMT (photomultiplier tube) is attached to the lens barrel of a polarizing microscope.
  • the dielectric constant of a liquid crystal material changes because the orientation of the liquid crystal material changes when an electric field is applied. It is also known that the change in dielectric constant has a time delay. Accordingly, the capacitance of the liquid crystal element in which the liquid crystal material is disposed between the electrodes also changes. When the capacitance changes, the amount of charge needs to be adjusted to maintain the applied electric field. Also, the change in capacitance is often not linear. As a result, in order to control the charge amount in more detail, it is necessary to supply the charge in consideration of the change in the capacitance of the liquid crystal element.
  • Capacitance change can be derived.
  • an L C R meter 4 2 8 4 A manufactured by A g i 1 ent can be used.
  • FIG. 1 An example of a drive circuit configuration for such an embodiment is shown in FIG.
  • a gradation signal is input to a charge amount control circuit including a constant current circuit and a gradation-one-charge amount conversion LUT, and a charge amount corresponding to the gradation signal is supplied from the constant current circuit to the liquid crystal element.
  • the amount of charge corresponding to the gradation signal at this time refers to the amount of charge required for each electric field taking into account the change in capacitance. With this configuration, more accurate gradation expression can be achieved. I can do it.
  • P S—V—F L C D panel was assembled.
  • the mixture had 93% by weight of 1 ⁇ 4 8 5 1 -100 FLC mixture, 6% by weight of 1; 0 — 0 0 1, and 1% by weight of Darocur 1 1 7 3.
  • the substrate used here is a glass substrate having an ITO film thereon (a borosilicate glass commercially available from Nono Loa Inc., thickness 0.7 mm, size: 50 mm ⁇ 50 0 by applying a polyimide alignment material by using a spin coater that was, and then pre-baking the resulting film and finally baking the resulting product in a clean oven, A polyimide alignment film was formed.
  • ITO film a borosilicate glass commercially available from Nono Loa Inc., thickness 0.7 mm, size: 50 mm ⁇ 50 0
  • RN-1 1 9 9 (Nissan Chemical Industries) was used as a pretilt angle alignment material of 1 to 1.5 °.
  • the thickness of the alignment layer as a hardened layer was set to 4, 5 0 0 A to 5, 0 0 0 A. This cured orientation
  • the surface of the layer was rubbed with a rayon cloth (product name: 19 RY, manufactured by Yoshikwa Kako) at an angle of 30 degrees with respect to the center direction of the substrate as shown in Fig. 21.
  • the pushing amount of rubbing is 0.5 mm for both boards. .
  • the initial molecular orientation direction of this panel was the same as the rubbing direction.
  • the electrical response measurement of this panel showed analog gradation by applying a triangular wave voltage.
  • RN-1 1 9 9 (Nissan Chemical Industries) was used as a pretilt angle alignment material of 1 to 1.5 °.
  • the thickness of the alignment layer as the hardened layer was set to 6,500 A to 7,00 OA.
  • the surface of the cured alignment layer was rubbed with a rayon cloth so as to form an angle of 30 degrees with respect to the center line of the substrate as shown in FIG.
  • the pushing amount of rubbing was 0.5 mm for both substrates.
  • the finished panel gap was measured to be 1.8 microns.
  • a commercially available FLC mixture material (Merck: ZLI-4 8 5 1-100) was injected at 1 10 in the temperature isotropy. After injecting the mixed material, the ambient temperature was controlled, and the mixture was gradually cooled at a rate of 1 per minute until the FLC material showed a ferroelectric liquid crystal phase (40). In this slow cooling process (from 75 to 40) from the smectic A phase to the chiral smectic C phase, a triangular wave voltage of +/- 2 V and a frequency of 500 Hz was applied. After the panel temperature reached 40, the applied triangular wave voltage was raised to + Z—10 V. After that, by natural cooling, application was continued until the panel temperature reached room temperature.
  • RN-1 1 9 9 (Nissan Chemical Industries) was used as a pretilt angle alignment material of 1 to 1.5 °.
  • the thickness of the alignment layer as the hardened layer was set to 6,5,000 A to 7,0,0 A.
  • the surface of the cured alignment layer was rubbed with a rayon cloth so as to form an angle of 30 degrees with respect to the center line of the substrate as shown in FIG.
  • the pushing amount of rubbing was 0.6 mm for both substrates.
  • the finished panel gap was 2.0 microns measured.
  • the air response measurement of this 8 "nel showed an anamorphic gradation switching on average in the field of view of 20 times as measured with a polarization microscope. It has also been found that the applied voltage during the cold is not limited to a triangular wave, and a sine wave and a rectangular wave are also effective for stabilizing the initial molecular orientation parallel to the bing direction.
  • Pixel A PSS-LCD panel was created using an amorphous silicon TFT glass substrate of the number 3 20 X 2 40.
  • the opposite side of this substrate is a monochrome display with a glass substrate patterned with only a black mask (BM) on an ITO substrate. Rubbing is performed after applying and firing polyimide on the surface of both substrates. The rubbing was performed using a nylon cloth, with a push-in amount of 0.2 mm, a rubbing roll rotation speed of 1550 rpm, and a sample feed speed of 50 mm Z seconds.
  • a silica spacer with a particle size of 1.8 ⁇ m was used to make the gap of the liquid crystal layer constant by bonding two glass substrates facing each other. This silica spacer is dispersed in a solution, applied onto a glass substrate, and pasted together when the solution is dry. At this time, the density of the spacers sown on the substrate was 100 per square mm. A two-component epoxy resin is used for the adhesive, and it is applied, filled, and fixed to the overlapping part of the two glass substrates.
  • a liquid crystal material for PSS-LCD (manufactured by Nanolo) was injected into this glass substrate in an isotropic phase at 110 to prepare a PSSS-LCD panel.
  • the angle of the optical axis direction of this panel was almost parallel to the rubbing direction as a result of confirmation of the optical axis direction.
  • the PSS _ LCD panel obtained above has a source voltage of +5 V, a gate-off voltage of ⁇ 18 V, a gate-on time of 40 S, and a gate-on voltage of ⁇ 18 V to +18 V. I let you.
  • the gate-on voltage By changing the gate-on voltage, the amount of charge supplied to the liquid crystal element electrode changes, so the slope of the optical response increases, as shown in Figs.
  • the measurement system at this time was as shown in FIG.
  • the change in the slope of the amount of light with respect to the source voltage is very small as shown in Fig. 12.However, the charge supply amount is controlled by changing the gate-on voltage shown in Fig. 13. And the slope of the optical response is continuous It was confirmed that there was a difference in the amount of accumulated transmitted light.
  • a P S S—L C D panel was created using an amorphous silicon T F T glass substrate with 3 2 0 X 2 4 0 pixels.
  • the opposite side of this substrate is a glass substrate with a black mask (B M) only on the ITO substrate and is displayed in monochrome. Rubbing is performed after applying and firing polyimide on the surface of both substrates. The rubbing was performed with a nylon cloth, the pushing amount was 0.2 mm, the rubbing roll rotation speed was 15 00 rpm, and the sample feed speed was 50 mm Z seconds.
  • a silica spacer with a particle size of 1.8 m was used to make the gap between the liquid crystal layers constant by bonding two glass substrates facing each other. This silica spacer is dispersed in a solution, applied onto a glass substrate, and pasted together when the solution is dry. At this time, the density of the spacers sown on the substrate was 100 per square mm. A two-component epoxy resin is used for the adhesive, and it is applied, filled, and fixed to the overlapping part of the two glass substrates.
  • a liquid crystal material for PSS-LCD (manufactured by Nanolo) was injected into this glass substrate in an isotropic phase at 110 to prepare a PSSS-LCD panel.
  • the angle of the optical axis direction of this panel was almost parallel to the rubbing direction as a result of confirmation of the optical axis direction.
  • the PSS_LCD panel obtained above has a source voltage of 0 to 10 V, a gate-off voltage of 18 V, a gate-on time of 60 S, and a gate voltage of 18 to 10 18 V.
  • the applied signal was applied.
  • By changing the gate-on voltage from —18 V to +18 V to control the amount of charge supplied and also controlling the source voltage further color rendering is displayed.
  • Figure 14 shows the source voltage is 0 V, 2.5 V, 5 V , 7.5 V and 10 V gradation display, and the one that complements the gradation between the 5 gradations in the source voltage control by controlling the amount of charge supplied.
  • the measurement system at this time was as shown in FIG. It was confirmed that by using the two together, it was possible to express four times as many gradations as in the conventional control, and it was confirmed that even higher color rendering could be displayed.

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Abstract

内側に電極を有する一対の基板と、該一対の基板の間に配置された液晶材料とを含む液晶素子と、該液晶素子への電荷を供給するための電荷供給手段とを少なくとも含む液晶デバイス。前記電荷供給手段から前記一対の電極間に供給すべき電荷量の変化に基づき、液晶素子における液晶分子の配向を制御する。光学応答速度を高くした場合にも、表示品質を実質的に維持することができる液晶デバイスおよびその駆動方法を提供することができる。

Description

明 細 書 液晶デバィスおよび液晶デバィスの駆動方法 技術分野
本発明は、 液晶デバイス （例えば、 高速応答が可能な P S S— L C D (分極遮蔽型スメクチック液晶表示） 技術を用いる液晶デバィ ス） 、 および液晶デバイスの駆動方法に関する。 より詳しくは、 本 発明は、 光学応答速度を高く した場合にも、 表示品質を実質的に維 持することができる P S S— L C D液晶デバイス、 および P S S— L C D液晶デバイスの駆動方法に関する （本発明者らの研究グルー プにより開発された、 この 「 P S S _ L C D」 技術の詳細について は、 例えば、 特表 2 0 0 6 - 5 1 5 9 3 5号公報を参照することが できる） 。 背景技術
一般に、 液晶デバイス （表示装置） は、 それぞれの内側 （液晶材 料が挟まれる側） に透明電極を設けた一対 （ 2枚） のガラス基板で あって、 数; m程度のギャップを隔てて対向するものの間に、 液晶 材料が充填された構造を有している。 これら一対の電極間に電圧を 掛けると、 液晶の配向状態に変化が生じ、 したがって、 該液晶材料 の層を通過する光の状態が制御され、 通過する光の量の差により現 れる所定のパターンが表示される。 すなわち、 従来より、 液晶デバ イスにおいては、 上記した一対の電極間に印加する電圧をコント口 ールすることにより、 液晶材料を構成する液晶分子の配向がコント ロールされることとなっていた。
しかしながら、 従来の液晶デバイスにおいては、 光学応答速度を 高く した場合には、 表示品質の低下が避けがいという欠点を有して いた。
一般的に、 現在、 製品化されている液晶ディスプレイの殆どは、
T F T素子を用いたアクティブマ トリクス駆動によって表示を行つ ている。 この T F Tタイプの液晶素子においては、 液晶パネルの各 画素の制御用に T F Tと付加コンデンサを 1体 1で対応させ、 立ち 上がりを高速化するとともにメモリー性を持たせる。 T N (ッイス テツ ドネマティ ック） 形液晶の応答性の悪さが解決され、 しかも、 透過光の干渉に基づく 「着色」 が目立たないという特徴を有してい る。
マトリクス駆動においては、 格子状に配列された画素に対し縦方 向、 横方向の電極を配し、 その電極を選択して電圧を掛け、 縦横の 電極がともに選択されて電圧が掛けられている画素を駆動する。 こ の方式によれば、 画素が並んでいる行数と列数の和の電源配線のみ で済むため、 配線数を大幅に削減できる。 アクティブマトリクス駆 動においては、 液晶セルの画素の 1つ 1つに T F Tと付加容量を接 続し、 これらを介して各画素を制御する。 この構造により付加容量 に電荷が蓄積され、 メモリ性を有するため、 T F T高速スィ ッチン グ回路との組み合わせにより実質のドライバ電圧印加時間を飛躍的 に短く出来る。
すなわち、 上述したアクティ ブマトリクス駆動においては、 通常 は、 表示を構成する画素の 1つ 1つの電圧値を調整して画像の濃淡 を表現する制御、 すなわち、 電圧により液晶分子の配向を制御する 。 T F T素子を用いたアクティブマトリクス駆動では、 ゲートに高 電圧を与えることによってソース側から ドレイン側に電流を流し、 ソース側と ドレイン側を同電位にする。 そして、 ゲートに与えられ た高電圧を取り去ることで、 ソース側と ドレイン側が高抵抗で切り 離されるため、 ドレイン側の電圧が保持されるメカニズムとなって いる （この場合、 ゲートに高電圧を与えている時間をゲートオン時 間という） 。 なお、 強誘電性液晶の二値表示の面積を電荷量にて制 御する面積階調技術は、 特開平 6 — 1 6 0 8 0 9号公報に記載され ている。
他方、 近年における、 いわゆる 「ュビキ夕ス社会」 を目指す技術 の進展とも相まって、 ディスプレイ技術全般に対する高速化、 高品 質化等の種々のニーズが高度化している。 このようなニーズに応え るために、 光学応答速度を高く した場合においても、 表示品質を実 質的に低下させない技術に対する需要は、 種々の応用分野 （例えば 、 液晶デバイスを利用した大画面のテレビジョ ン） において、 高ま る一方である。
しかしながら、 上記した高速化等のニーズに沿って液晶デバイス の応答速度を高速化を試みた場合には、 他方の重要なニーズたる表 示品質の低下が避けがたい場合があった。
[特許文献 1 ] 特表 2 0 0 6 — 5 1 5 9 3 5号公報
[特許文献 2 ] 特開平 6 — 1 6 0 8 0 9号公報
発明の開示
本発明の目的は、 上記した従来技術の欠点を解消可能な液晶デバ イスおよびその駆動方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、 光学応答速度を高く した場合にも、 表示品 質を実質的に維持することができる液晶デバイスおよびその駆動方 法を提供することにある。
本発明者は鋭意研究の結果、 従来におけるように、 液晶材料に印 加すべき電場強度により液晶分子の配向を制御するのではなく、 電 極に供給すべき電荷を制御することによって液晶分子の配向を制御 することが、 上記目的の達成のために極めて効果的なことを見出し た。
本発明の液晶デバイスは上記知見に基づく ものであり、 より詳し くは、 それぞれの内側 （液晶材料を配置すべき側） に電極を有する 一対の基板と、 該一対の基板の間に配置された液晶材料とを少なく とも含む液晶素子と、 該液晶素子への電荷を供給するための電荷供 給手段とを少なく とも含む液晶デバイスであって ； 前記電荷供給手 段から前記一対の電極間に供給すべき電荷量の変化に基づき、 液晶 素子における液晶分子の配向を制御可能であることを特徴とするも のである。
本発明によれば、 更に、 それぞれの内側に電極を有する一対の基 板と、 該一対の基板の間に配置された液晶材料とを少なく とも含む 液晶素子と、 該液晶素子への電荷を供給するための電荷供給手段と を含む液晶デバイスの駆動方法であって ； 前記電荷供給手段から前 記一対の電極間に供給すべき電荷量を変化させることにより、 液晶 素子における液晶分子の配向を制御することを特徴とする駆動方法 が提供される。
上記構成を有する本発明の液晶デバイスについて、 その本発明者 の推定による動作メカニズムを、 以下に他の液晶デバイスの動作と 比較しつつ述べる。
上述したアクティブマトリクス駆動においては、 上記 「ゲートォ ン」 時間内にソース側と ドレイン側が同電位になりさえすれば、 そ の間の ドレイン側の電位の変化などは、 従来より、 特に問題とされ てこなかった。
本発明者の知見によれば、 このようにドレイン側の電位変化が問 題とされて来なかった理由は、 使用している液晶の応答速度がゲ一 トオン時間に比べて著しく遅いため、 ゲートオン時間の間の変化が 光学応答としては実質的には現れてこなかったためと推定される しかしながら、 上述したように、 近年における液晶デバイスにお ける光学応答の高速化に伴い、 表示品質の悪化が顕在化して来た。 本発明者の知見によれば、 このように表示品質の悪化が顕在化した 理由は、 下記のように推定される。
通常はゲートオン時間中の光学応答変化も視認されているが、 表 示保持時間の方が圧倒的に長く、 ゲートオン時間中の光学応答変化 があったとしても、 現状の液晶ディスプレイでは問題とならないと 推定される。 なぜならば、 現在、 一般的に上市されている液晶ディ スプレイの光学応答速度は、 ゲートオン時間中に光学応答変化が見 られるほど高速ではないからである。 しかしながら、 本出願人らに より開発された上述の P S S _ L C D技術においては、 非常に高速 な光学応答が達成可能であるがために、 （従来の液晶デバィスでは 問題とならなかったような） ゲートオン時間中の光学応答変化が、 ゲートオン中の光学応答に現実の差異として現れることが判明した 。 この差異が顕著に見られる例としては、 本発明者らの研究によれ ば、 大画面化 · 高精細化による配線抵抗 · 配線寄生容量の増大によ る信号の劣化などが判明している。 また、 本発明者らの研究によれ ば、 高解像度化などによる信号の高速化も、 相対的に信号が劣化し 輝度傾斜などの障害を.生じることが判明している。 このような信号 劣化は、 信号波形が意図したものとは違う波形になるということで あり、 高速な光学応答を示す液晶では、 このような （変化した） 信 号に追従して光学応答を示す傾向が見出されている。 したがって、 非常に高速な光学応答が達成可能な液晶デバィスにおいては、 意図 した光学応答とは差異を生むことになり、 表示品質が低下する可能 性が生ずることとなる。 光学応答の高速化により、 該応答時間がゲートオン時間と比べて も極めて近いオーダーとなり、 ゲートオン時間中の電位差の変化、 すなわち P S S— L Cにかかる電場強度の変化の影響が眼に見えて くることとなったものと推定される （例えば、 P S S— L C Dにお いては、 従来の液晶よりも数十倍高速であり、 ゲートオン時間と比 ベても極めて近いオーダ一である） 。
本発明は、 例えば、 以下の態様を含む。
[ 1 ] それぞれの内側 （液晶材料を配置すべき側） に電極を有す る一対の基板と、 該一対の基板の間に配置された液晶材料とを少な く とも含む液晶素子と、 該液晶素子への電荷を供給するための電荷 供給手段とを少なく とも含む液晶デバイスであって ；
前記電荷供給手段から前記一対の電極間に供給すべき電荷量の変 化に基づき、 液晶素子における液晶分子の配向を制御可能であるこ とを特徴とする液晶デバイス。
[ 2 ] 前記液晶素子が、 1 0〜 2 VZ ^ mのレベルの印加電場の 大きさ、 および Z又は方向に応じた光学軸方位の回転が可能な液晶 素子である [ 1 ] に記載の液晶デバイス。
[ 3 ] 前記液晶素子が、 1 m s のレベルの高速応答が可能な液晶 材料である [ 1 ] または [ 2 ] に記載の液晶デバイス。
[ 4 ] 前記液晶素子が、 一対の基板と、 該一対の基板の間に配置 された液晶材料とを少なく とも含む液晶素子であり ； 且つ、 該液晶 素子中の初期分子配向が、 液晶材料に対する配向処理方向に平行ま たはほぼ平行な方向を有し、 且つ液晶材料が、 外部印加電圧の不存 在 （absence) 下で、 一対の基板に対して垂直な自発分極を殆ど示 さない液晶素子である [ 1 ] 〜 [ 3 ] のいずれかに記載の液晶デバ イス。
[ 5 ] 前記一対の電極間に供給すべき電荷量の変化が、 電場強度 の時間微分値、 液晶素子を透過する累積光量、 各画素に対応する電 圧、 ゲートオン時間から選ばれる少なく とも 1種類のパラメ一夕に 基づく [ 1 ] 〜 [ 4 ] のいずれかに記載の液晶デバイス。
[ 6 ] 各画素に対応する電圧が、 該各画素にそれぞれ対応する各 T F T (薄膜トランジスタ） の電圧である [ 5 ] に記載の液晶デバ イス。
[ 7 ] 前記電荷量供給手段が、 ソース電圧に合わせて、 ゲート電 圧を連動させつつ一定電位差で変化させるゲート電圧供給手段と ； 前回画素に保持した電荷による電位差である ドレイン電圧に合わせ て、 ソース電圧を印加できるソース電圧供給手段とを少なく とも含 む [ 1 ] 〜 [ 6 ] のいずれかに記載の液晶デバイス。
[ 8 ] それぞれの内側に電極を有する一対の基板と、 該一対の基 板の間に配置された液晶材料とを少なく とも含む液晶素子と、 該液 晶素子への電荷を供給するための電荷供給手段とを含む液晶デバィ スの駆動方法であって ； 前記電荷供給手段から前記一対の電極間に 供給すべき電荷量を変化させることにより、 液晶素子における液晶 分子の配向を制御することを特徴とする駆動方法。
[ 9 ] 前記液晶素子に供給する電荷量を制御することにより、 前 記液晶素子に印加される電場強度の時間に対する電場強度の時間微 分値たる増加率または減少率を制御する [ 8 ] に記載の駆動方法。
[ 1 0 ] 前記液晶素子に印加する電場強度の時間微分値を制御す ることにより、 前記液晶素子を透過する光の累積光量を連続的に制 御して階調表示する [ 8 ] に記載の駆動方法。
[ 1 1 ] 前記電荷供給手段が T F Tを含み、 且つ、 T F Tの各電 圧、 および/又はゲートオン時間を制御することにより電場強度の 時間微分値を制御する [ 8 ] に記載の駆動方法。
なお、 一般に自発分極を利用した二値表示 （例えば、 強誘電性液 晶） においては、 アナログ階調を示すことは出来ない。 よって、 ァ ナログ階調表示する液晶デバイスに適用するためには、 供給する電 荷量を制御する概念が必要である。 そして、 高演色性を求められる 昨今では、 アナログ階調を示せない強誘電性液晶では市場のニーズ に逆行していることは明らかである。
例えば、 既存技術である特開平 6 — 1 6 0 8 0 9号では、 強誘電 性液晶の二値表示の面積を電荷量にて制御する面積階調技術である 。 この技術では、 画素を拡大して投影するプロジェクタ用途におい ては、 人間の眼の分解能で判別できる大きさに画素内の面積階調部 分が拡大されてしまい、 その結果、 画質が低下して見えることとな る。
また、 一般的に強誘電性液晶の自発分極は大きく、 したがって階 調表示に必要な電荷量は T Nや P S S— L C Dなどに比べて桁違い に多いため、 消費電流も多くなる。 また、 自発分極を反転するため にはある一定の閾値を超える電荷量を必要とするため、 画素の表示 を書き換えるためには一定以上の電流を必要とする。 これは、 市場 のニーズである低消費電流の流れと反するのみならず、 大電流を扱 いづらい T F Tなどでは設計上の制約が増える結果となる。 この結 果、 強誘電性液晶を用いた技術では、 コス トや外形などのニーズに 対応した仕様を実現し難い。 図面の簡単な説明
図 1 は、 P S S— L Cにおける電荷供給量と透過光量の一例を示 すグラフである。
図 2は、 電荷供給量と電場 ， 電位差との関係の一例を説明するた めの模式図である。
図 3は、 液晶デバイスを駆動させるための T F Tの電流特性の一 例を示すグラフである。
図 4は、 液晶デバイスを駆動させるための T F Tの構造の一例を 示す模式的回路図である。
図 5は、 ゲート O Nでのソース電圧と ドレイン電圧の関係の一例 を模式的に示すグラフである。
図 6は、 ゲート—ソース間電圧を一定にした際の関係の一例を模 式的に示すグラフである。
図 7は、 ドレイン一ソース電圧一定による ドレイン電圧の傾き制 御と高速化の関係の一例を模式的に示すグラフである。
図 8は、 ゲート電圧を変化させて、 電荷供給量を調整したときの 光学応答 （ 1 ) の関係の一例を模式的に示すグラフである。
図 9は、 ゲート電圧を変化させて、 電荷供給量を調整したときの 光学応答 （ 2 ) の関係の一例を模式的に示すグラフである。
図 1 0は、 ゲート電圧を変化させて、 電荷供給量を調整したとき の光学応答 （ 3 ) の関係の一例を模式的に示すグラフである。
図 1 1 は、 ゲート電圧を変化させて、 電荷供給量を調整したとき の光学応答 （ 4 ) の関係の一例を模式的に示すグラフである。
図 1 2は、 従来のソース電圧制御での透過光量の平均傾きの関係 の一例を模式的に示すグラフである。
図 1 3は、 ゲート電圧を変化させて、 電荷供給量を調整したとき の透過光量の平均傾きの関係の一例を模式的に示すグラフである。 図 1 4は、 従来のソース電圧制御の階調と電荷供給量を調整した 時の階調の関係の一例を模式的に示すグラフである。
図 1 5は、 電荷量に基づく配向制御を確認する構成の一例を示す 模式図である。
図 1 6は、 電場強度の時間微分値のための駆動回路構成の一例を 示す模式図である。 図 1 7は、 T F Tの各電圧 Zゲートオン時間制御のための駆動回 路構成の一例を示すブロック図である。
図 1 8は、 三角波電圧印加の下での分子配向スイッチングの間の 分極スイッチング電流の例を示すグラフである。
図 1 9は、 従来の S S F L C Dパネルの場合におけるスィッチン グの間の分極スイッチングピーク電流の例を示すグラフである。 図 2 0は、 P S— V— F L C Dの c 一ダイレク夕プロファイルを 説明するための模式図である。
図 2 1は、 積層パネルのラビング角を説明するための模式図であ る。
図 2 2は、 本発明において使用可能な、 光学軸方位の厳密な測定 に好適な要素の一例の構成を示す模式斜視図である。
図 2 3は、 電荷量を制御するソース電圧制御を行う際に使用可能 な測定系の一例の構成を示す模式斜視図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 必要に応じて図面を参照しつつ本発明を更に具体的に説明 する。 以下の記載において量比を表す 「部」 および 「％」 は、 特に 断らない限り質量基準とする。
(液晶デバイス）
本発明の液晶デバイスは、 一対の基板と、 該一対の基板の間に配 置された液晶材料とを少なく とも含む液晶素子 （例えば、 高速動作 可能な液晶素子） と、 該液晶素子への電荷を供給するための電荷供 給手段とを少なく とも含む液晶デバイスである。 この液晶デバイス においては、 前記電荷供給手段から前記液晶材料に供給すべき電荷 量の変化に基づき、 液晶素子における液晶分子の配向を制御するこ とができる。 (電荷量の変化に基づく配向制御）
本発明においては、 電荷供給手段から液晶材料に供給すべき電荷 量の変化に基づき、 液晶素子における液晶分子の配向を制御する。 このように、 液晶分子の配向制御が、 （電場強度の変化に基づく も のではなく） 、 液晶材料に供給すべき電荷量の変化に基づく もので あることは、 以下の方法により確認することができる。
<電荷量に基づく配向制御の確認方法 >
電荷量は、 そこに流れる電流と流れた時間の積算から演算できる 。 したがって、 液晶素子の電極間に定電流源から電流を流し、 その 時間を制御することによって電荷量を制御することが出来る。 この 方法による、 電荷量に基づく配向制御を確認する構成の一例を図 1 5に示す。
この図 1 5の構成においては、 定電流回路と夕イマ一と電荷量制 御スィッチからなる電荷量制御回路から、 液晶素子に一定の電荷量 を供給する。 この時の配向を P M T (光電子増倍管） と偏光素子 （ 偏光子 · 検光子） とオシロスコープとバックライ トを使用して、 光 学応答の変化として検出する。 電荷制御回路から液晶素子に供給さ れる電荷量の変化にしたがって、 光学応答に変化が現れれば、 電荷 量に基づく配向制御されていることが確認できる。
(電荷供給手段）
本発明において、 前記液晶素子への電荷を供給するための電荷供 給手段としては、 後述するような液晶分子の配向制御を可能とする 電荷供給手段が、 特に制限なく利用可能である。
(電荷供給手段の例示）
本発明においては、 例えば、 下記に列挙するような種々のタイプ の電荷供給手段を使用することができる。
• 定電荷回路 • 定電流回路
• コンデンサ
• 電荷結合素子 （C C D )
(使用可能な液晶素子）
後述するように、 液晶材料を介して対向して配置された一対の電 極間に供給すべき電荷量に応じた液晶分子の配向が可能な液晶素子 である限り、 本発明を適用することが可能である。 しかしながら、 高速応答性、 および高演色性の点からは、 上記液晶素子として、 後 述する特性を有する P S S— L C D (分極遮蔽型スメクチック液晶 素子） 、 すなわち、 前記液晶材料中の初期分子配向が、 液晶材料に 対する配向処理方向に平行またはほぼ平行な方向を有し、 外部印加 電圧の不存在下で、 一対の基板に対して垂直な自発分極を殆ど示さ ない液晶素子が特に好適に使用可能である。
( P S S _ L C Dにおける制御）
本発明者らは、 自発分極をほとんど有さない P S S— L C Dにお いても、 電極間に供給する電荷量により、 配向を制御できることが 判明している。 図 1のグラフに、 P S S— L C Dにおいて得られた 電荷供給量と透過光量の関係の一例を示す。
(本発明のメカニズム）
通常、 液晶デバイスにおいては、 電極間にはさまれた誘電体であ る液晶に電圧を印加して、 電極間の電場によって液晶に光学応答を 生じさせる。 すなわち、 平行極板コンデンサに電圧印加して誘電体 である液晶に電場を与えている。 しかしながら、 電極間に電場を生 じさせるためには、 該電極間に電荷を供給する必要がある。
例えば、 図 2 ( a ) の概念図に示すように、 電極間に供給する電 荷量が少なければ、 電極間に現れる電位差は小さく、 その電位差に よる電場強度も弱くなる。 逆に図 2 ( b ) の概念図に示すように、 供給する電荷量が多くなれば、 電極間に現れる電位差は大きくなり 、 その電位差による電場強度も強くなる。 電圧を印加して電位差を 生じさせることと、 電荷を供給して電位差を生じさせる動作は同じ ように見えるが、 本質的には電荷が供給された結果として電極間に 電位差を生じるため、 駆動の考え方として電荷を供給するというこ とが適切である。
( P S S— L C Dを使用する態様）
本発明の P S S— L C Dを使用する態様においては、 例えば、 電 場強度の時間微分値 d Eノ d t を制御することにより、 液晶の配向 を変化させることができる。 液晶の配向制御のために、 電場強度の 時間微分値を制御することは、 例えば、 電極間への電荷供給を制御 することにより達成することができる。
P S S— L C Dにおいては、 供給する電荷量の制御により、 表示 品質の安定を達成することができる。 更なる表示品質向上のためは 、 供給する電荷量を制御することにより、 電場強度の微分値 d E Z d t を任意に設定し、 階調表示の幅を広げることもできる。 このよ うな詳細な電荷供給制御のための手段は特に制限されないが、 例え ば、 後述するような現行の駆動回路の改良により、 該電荷供給制御 を達成することができる。
( T F T素子）
本発明においては、 前記した液晶素子への電荷を供給するための 電荷供給手段として、 T F Tを含むものが好適に使用可能である。 従来の T F T素子においては、 通常、 ゲートとソース間またはゲ 一卜と ドレイン間、 ソースと ドレイン間の電位差の大きさに依存し てソースと ドレイン間に流せる電流が決まる。 図 3 ( a ) はゲート とソース間の電位差に対する電流の特性を示したものであるが、 電 位差により対数的に流せる電流が大きくなつていることがわかる。 また、 図 3 ( b ) はソースと ドレイン間の電位差に対する電流の特 性を示したものであるが、 ゲートとソース間の電流特性に比べて、 電位差による電流特性の変化度合いは小さいものの、 やはり電位差 が大きくなると流せる電流が大きくなつていることがわかる。 電流 を時間で積分したものが電荷となるため、 電流を制御することによ り電荷が制御できる。 電流制御のためには、 前述の電流特性から、 ゲートとソース間またはゲートと ドレイン間、 ソースと ドレイン間 の各電圧を制御すればよいことが理解されよう。
図 4は従来の T F Tを示す摸式的回路図である。 この T F Tにて 複数階調を有する画像を表示する場合、 各 T F Tは、 それぞれ画像 を構成する画素に合わせた階調の電圧を保持するようになっている 。 画像が変れば、 各 T F Tが保持する電圧が変るため、 ソース駆動 回路から T F Tのソース側に保持する電圧を出力して、 ゲート電圧 が印加されたとき、 そのソース側に印加されている電圧をドレイン 側に保持する。 このとき、 前にドレイン側に保持されていた電圧に 関わらず、 次に保持したい電圧を印加する。 したがって、 前述の電 流特性から、 ソースと ドレイン間の電位差は表示する画像によって 常に変化しており、 一定の電流値とはならないことが理解されよう また、 図 5の模式的グラフに示すように、 ソースと ドレイン間の 電位差は、 電荷を供給する過程で小さくなつていく。 これは、 図 3
( b ) のグラフでわかる通り、 ドレインとソース間の電位差が小さ くなると、 ソースと ドレイン間に流せる電流が小さくなるためであ る。 以上のように、 電流が変化するということは、 供給する電荷量 が変化するということになってしまい、 細かな電荷制御が難しくな る傾向が生ずる。
(ゲート O N時間を制御する態様） 他方、 例えば、 図 6の模式的グラフに示すように、 ゲートとソー ス間の電位差を一定に制御することにより、 一定に近い形で電流を 流せる状態になる。 更に、 図 7の模式的グラフに示すように、 ソ一 スと ドレイン間の電位差を一定にすることで、 ほぼ電流を一定にす ることが出来る。 電流が一定であれば、 電流を流す時間で電荷量は 決定されるので、 ゲートを O Nする時間を制御することによって電 荷量を制御できる。
(単位時間あたりの電荷供給量を制御する態様）
また、 それぞれの電位差を任意の電圧値に制御することにより、 一定になる電流値を任意の値に制御することができ、 単位時間あた りの電荷供給量を任意の値とすることができる。
(電場の時間微分値を制御する態様）
こうすることにより、 ドレイン側の液晶電位差の変化の速度、 す なわち、 電場の時間微分値を任意の値にすることができる。
(ゲート〇 N時間の制御のための駆動回路構成の一例）
駆動回路構成としては、 例えば、 図 6の模式的グラフに示すよう にソース電圧に合わせてゲート電圧が連動しながら一定電位差で変 化する回路を備え、 図 7の模式的グラフに示すように前回画素に保 持した電荷による電位差である ドレイン電圧に合わせてソース電圧 を印加できる回路を備え、 ゲート O N時間を制御するような構成と することが好ましい。 このような駆動回路構成を採用することによ り、 P S S— L C Dにおいて、 より厳密な配向制御ができる。
(電場強度の時間微分値のための駆動回路構成の一例）
本発明においては、 電場の時間微分値を制御することにより、 そ の電場の時間微分値で階調を表せる P S S— L C Dを使用する態様 においては、 従来以上の演色性を持たせることが可能となる。
この態様においては、 例えば、 電荷量を制御することにより、 前 記液晶素子に印加される電場強度の時間に対する増加率または減少 率 （電場強度の時間微分値） を制御すればよい。
(電場強度の時間微分値のための駆動回路構成）
このような態様のための駆動回路構成の一例を、 図 1 6に示す。 この図 1 6 に示す回路構成においては、 定電流回路と階調一電荷量 変換 L U Tからなる電荷量制御回路に階調信号が入力され、 その階 調信号に対応した電荷量供給プロファイルで定電流回路から電荷を 液晶素子に供給する。
このときの電荷供給プロファイルとは、 電場の時間微分値を制御 するために、 電荷量を調整して電場強度の時間に対する増加率また は減少率を変化させることを指す。 すなわち、 供給する電荷量を多 くすれば、 液晶素子に印加される電場の時間に対する増加率は大き くなり、 少なくすれば増加率は小さくなる。 電場を取り除く場合も 、 逆供給する （電荷量制御回路が吸い込む） 電荷量が大きければ減 少率は大きくなり、 小さければ減少率は小さくなる。 こうした構成 により、 実際に液晶素子に印加される電場強度の変化率を調整する ことにより、 詳細な階調表現が出来る。
( L C Dの累積光量制御のための駆動回路構成の一例）
本発明においては、 液晶素子に印加する電場強度の時間微分値を 制御することにより、 L C Dの累積光量を連続的に制御して階調表 示することも可能である。
( L C Dの累積光量制御のための駆動回路構成の一例）
このような態様のための駆動回路構成の一例は、 基本的に、 その 駆動回路構成は図 1 6 と同様のものであるが、 1画面の書き換え時 間であるフレームレートを速く して、 人間の眼の時間分解能を超え る速さ （例えば、 1 6 . 7 ミ リ秒以下の程度、 より好ましくは 8 . 3 ミ リ秒以下の程度） で前述の電場強度の時間微分値を制御して、 各フレームの累積透過光量をもって階調表現をする。 こうすること により、 さらに詳細な階調表現を実現することが、 更に容易となる
( T F Tの各電圧ノゲートオン時間制御のための駆動回路構成の一 例）
本発明においては、 既存の T F Tにて、 電場強度の時間微分値を 制御するために、 T F Tの各電圧、 および Z又はゲートオン時間を 制御することも可能である。
( T F Tの各電圧 ゲートオン時間制御のための駆動回路構成の一 例）
このような態様のための駆動回路構成の一例を、 図 1 7に示す。 この図 1 7 に示す回路構成においては、 表示制御系から来た階調信 号をソース ドライバが受け取り、 T F Tに印加されるソース電圧と ライン書き込みの信号であるゲート電圧を制御する。 前述の通り、 ソース電圧と液晶素子とつながつている ドレイン電圧との電位差が 小さくなると、 流せる電流が小さくなるという特性がある。 また、 ゲートとソース竜圧の電位差が小さくなると、 同様に流せる電流が 小さくなる。 したがってソース ドライバは、 図 7のようにソース電 圧と ドレイン電圧が常に一定になるようする。 このときの印加ソー ス電圧をもとに、 ゲート電圧を図 6のように調整しゲート電圧とソ ース電圧が一定になるようにする。 このとき、 ゲート電圧を生成す るためには、 あらかじめ印加ソース電圧を知っておく必要があるた め、 ソース電圧波形生成は先に行っておく必要がある。 そして、 ゲ 一卜電圧印加と同時にソース電圧を印加できるように、 印加ソース 波形をメモリに記録しておく。 生成されたゲート電圧は、 常に電流 が一定になるように調整されているため、 ゲートをオンする時間を 変化させることにより、 任意の階調を表示することが出来る。 このように既存の T F Tを利用する態様においては、 各ドライバ I Cを設計変更するだけで本技術を適用することが出来る。
(高解像度化の容易性）
また、 ソースとゲート間、 ソースと ドレイン間の一定にする電位 差を電流特性の良い電圧値に固定すると、 ドレイン電圧が目標電圧 に到達する速度が上がり、 ゲート〇 Ν時間を短くでき、 ゲートスキ ヤ ンタイムを短くできる。 これは、 高解像度化しやすいことを意味 する。
(他の液晶素子への応用性）
上述した本発明の基本概念の説明においては、 説明の便宜上、 主 に P S S— L C Dの電気光学応答を用いる態様 （高演色性の点から 有利である） について述べてきたが、 電極間に供給する電荷に応じ た液晶分子の配向をとることが可能な液晶素子である限り、 P S S — L C Dに関わらず、 本発明を適用することが可能である。 本発明 の効果を更に効果的に発揮させる点からは、 充分な速度での応答時 間が可能な液晶素子であることが好ましい。
(偏光素子）
本発明に使用可能な偏光素子としては、 従来より液晶デバイスを 構成するために使用されている偏光素子を、 特に制限なく使用する ことができる。 また、 その形状、 サイズ、 構成要素等も、 特に制限 されない。
(好適な偏光素子）
本発明において好適に使用可能な偏光素子としては、 例えば、 以 下のものを挙げることができる。
π—セ Jレ ： Molecular Crystals and Li Quid Crystals誌、 V o 1 . 1 1 3 , 3 2 9ページ （ 1 9 8 4 ) ， Phil Bos and K. R. Kehler- Beran • ガラス偏光フィル夕一
• 偏光フィルム
• 偏光プリズム
• 反射式偏光子
(液晶素子）
本発明の態様による液晶素子は、 一対の基板と、 該一対の基板の 間に配置された液晶材料とを少なく とも含む。
(液晶材料）
本発明においては、 本発明の方式を適用するために、 および印加 電場の大きさ、 および Z又は方向に応じた光学軸方位の回転を有す る電気光学素子を構成可能な液晶材料である限り、 特に制限なく使 用することができる。 本発明において、 ある液晶材料が使用可能か 否かは、 以下の 「光学軸方位の回転の確認方法」 で確認することが できる。 また、 本発明において所定の高速応答が可能な観点から好 適に使用可能であるように、 ある液晶材料が充分な速度での応答が 可能か否かは、 以下の 「応答時間の確認方法」 で確認することがで さる。
(光学軸方位の回転の確認方法）
液晶素子としての光学軸方位の回転の測定方法としては、 偏光子 が検光子に垂直に配置されるクロスニコル配置中に液晶素子を置く 場合、 光学軸が検光子の吸収軸と一致する場合に透過光の強度が最 小になる。 従って、 クロスニコル配置中で透過光の最小強度が得ら れる角度が光学軸方位の角度となる。 この時、 液晶素子には電場が 印加されていない状態にある。 これを基準角度として、 液晶素子に 電場を印加して、 クロスニコル配置中での透過光量の最小強度が得 られる角度を探す。 電場印加して最小強度になる角度が存在し、 上 述の基準角度からずれた角度にその最小強度になる角度となり、 電 場の大きさ又は方向を変化させた時に変化量に応じた回転角の増減 が見られれば、 光学軸方向が回転していると確認できる。 確認する ための装置例としては、 光学軸方位の確認方法と同様に図 2 2の構 成で確認することができる。
(応答時間の確認方法）
液晶素子に光学軸方位の回転が見られる場合、 この回転の速さが 応答時間にあたる。 偏光子が検光子に垂直に配置されるクロスニコ ル配置中に透過光量が最小になるような角度で液晶素子を配置し、 液晶素子に電場を印加する。 電場印加によって光学軸方位が回転す るため、 透過光量が変化する。 従って、 この透過光量の変化度合い が回転の変化度合いとなる。 電場を印加しない状態の透過光量を 0 %として、 電場印加によって変化して最終的に定常状態となった透 過光量を 1 0 0 %とした時、 電場を印加しない状態から電場を印加 して透過光量が 1 0 %から 9 0 %になるまでの時間を立ち上がり応 答時間、 電場を印加した状態から電場の印加をやめて透過光量が 9 0 %から 1 0 %になるまでの時間を立ち下がり応答時間とする。 例 えば、 P S S— L C Dにおいては、 立ち上がり応答時間、 立ち下が り応答時間ともに 4 0 0 a s程度である。 確認するための装置例と しては、 後述する 「光学軸方位の確認方法」 の場合と同様に、 図 2 2の構成で確認することができる。
( P S S - L C D )
本発明において好適に使用可能な液晶材料は、 P S S— L C D、 すなわち、 該液晶材料中の初期分子配向が配向処理方向に対してほ ぼ平行な方向を有し、 且つ液晶材料が、 実質的に、 外部印加電圧の 不存在下で、 一対の基板に対して少なくとも垂直な自発分極を全く 示さないものである。
(初期分子配列） 本発明において、 液晶材料中の初期分子配向 （または方向） では 、 液晶分子の長軸は液晶分子に対する配向処理方向にほぼ平行な方 向を有する。 液晶分子の長軸が配向処理方向に対してほぼ平行な方 向を有するという事実は、 例えば、 以下のやり方で確認することが できる。 本発明による液晶素子が望ましい表示性能を示すことを可 能とするために、 以下の方法により測定されるラビング方向と液晶 分子の配向方向間の角度 （絶対値） は、 好ましくは、 3 ° 以下、 更 に好ましくは 2 ° 以下、 特に 1 ° 以下であることが可能である。 厳 密な意味で、 ポリイミ ド膜等のポリマー配向膜がラビングを受ける 場合、 複屈折がポリイミ ド最表層に誘発され、 それによつて遅相軸 を与えることは知られている。 更に、 一般に、 液晶分子の長軸は遅 相軸に平行に配向することは知られている。 ポリマー配向膜の殆ど すべてに関して、 ある種の角度ずれがラビング方向と遅相軸間で起 こることは知られている。 一般に、 ずれは比較的小さく、 約 1 〜 7 度であることが可能である。 しかしながら、 この角度のずれは、 極 端な例として、 ポリスチレンの場合のように 9 0度であることがで きる。 従って、 本発明において、 ラビング方向と液晶分子の長軸 （ すなわち、 光軸） の配向方向間の角度は、 好ましくは、 3 ° 以下で あることが可能である。 この時点で、 液晶分子の長軸と、 ラビング 等によりポリマー （ポリイソミ ド等） 、 ポリマー配向膜中に提供さ れる遅相軸の配向方向は、 好ましくは、 3 ° 以下、 更に好ましくは 2 。 以下、 特に 1 ° 以下であることが可能である。
上述のように、 本発明において、 配向処理方向は、 液晶分子長軸 の配向方向を決める遅相軸 （ポリマー最表層における） の方向を指 す。
<液晶分子に対する初期分子配向状態を測定する方法 >
一般に、 液晶分子の長軸は、 光軸とよく一致する。 従って、 偏光 子が検光子に垂直に配置されるクロスニコル配置中に液晶パネルを 置く場合、 透過光線の強度は、 液晶の光軸が検光子の吸収軸とよく 一致する場合に最小となる。 初期配向軸の方向は、 液晶パネルが透 過光線の強度を測定しつつクロスニコル配置中で回転する方法によ り測定することができ、 それによつて、 透過光線の最小強度を与え る角度を測定することができる。
<液晶分子長軸方向と配向処理方向との平行度を測定する方法 > ラビング方向は設定角により決定され、 ラビングにより提供され るポリマー配向膜最表層の遅相軸は、 ポリマー配向膜の種類、 膜製 造方法、 ラビング強度、 等により決定される。 従って、 消光位が遅 相軸の方向と平行に提供される場合、 分子長軸、 すなわち、 分子光 軸が遅相軸の方向に平行にあることが確認される。
(自発分極）
本発明において、 初期分子配向では、 自発分極 （強誘電性液晶の 場合の自発分極に類似している） は、 少なく とも、 基板に垂直であ る方向に対しては発生しない。 本発明において、 「実質的に自発分 極を提供しない初期分子配向は、 自発分極が発生しないものである 」 は、 例えば、 以下の方法により確認することができる。
ぐ基板に垂直な自発分極の存在を測定する方法 >
液晶セル中の液晶が自発分極を有する場合、 特に、 自発分極が初 期状態における基板方向、 すなわち、 初期状態における電場方向 （ すなわち、 外部電場がない場合の） に垂直な方向に発生する場合に おいて、 低周波数三角波電圧 （約 0 . 1 H z ) が液晶セルに印加さ れる時、 印加電圧の正から負へ、 または負から正への極性変化と共 に、 自発分極の方向は上方方向から下方方向へ、 または下方方向か ら上方方向へ反転する。 こう した反転と共に、 実際の電荷が輸送さ れる （すなわち、 電流が発生する） 。 自発分極は、 印加電場の極性 が反転する時だけ反転する。 従って、 図 1 9 に示されるようにピー ク状電流が現れる。 ピーク状電流の積算地は、 輸送しょう とする全 電荷量、 すなわち、 自発分極の強度に対応する。 この測定で非ピー ク状電流が観察される場合、 自発分極反転の発生が無いことは、 直 接、 こう した現象により証明される。 更に、 図 1 8 に示されるよう な電流の直線的な増加が観察される場合、 液晶分子の長軸が、 電場 強度の増加に応じて、 それらの分子配向方向において連続的にまた は引き続き変化することが見出される。 換言すれば、 図 1 8 に示さ れるようなこのケースでは、 印加される電場強度に応じて、 誘導分 極等のために分子配向方向の変化が起こることが見出されてきた。
(基板）
本発明において使用可能な基板は、 それが上述の特定 「初期分子 配向状態」 を与えることができる限り、 特に限定されない。 換言す れば、 本発明において、 適する基板は、 L C Dの使用法または用途 、 その材料およびサイズ、 等の観点から適切に選択することができ る。 本発明において使用可能な特定例としては、 以下のものが挙げ られる。
その上にパターン化透明電極 （ I T O等） を有するガラス基板 非晶質シリ コン T F Tアレイ基板
低温ポリ シリコン T F Tァレイ基板
高温ポリ シリコン T F Tァレイ基板
単結晶シリ コンアレイ基板
(好ましい基板例）
これらの中で、 本発明が大型液晶表示パネルに適用される場合に おいて、 以下の基板を用いることは好ましい。
非晶質シリ コン T F Tアレイ基板
( P S S— L C D材料） 本発明において好適に使用可能な P S S — L C D液晶材料は、 そ れが上述の特定 「初期分子配向状態」 を与えることができる限り、 特に限定されない。 換言すれば、 本発明において、 適する液晶材料 は、 物理的特性、 電気または表示性能、 等の観点から適切に選択す ることができる。 例えば、 文献に例示されるような種々の液晶材料
(種々の強誘電性または非強誘電性液晶材料を含む） は、 一般に、 本発明において用いることが可能である。 本発明において、 用いる ことができるこう した液晶材料の特定の好ましい例には、 以下が挙 げられる。
[化 1 ]
Figure imgf000026_0001
(好ましい液晶材料の例）
これらの中で、 本発明が投影型液晶ディスプレイに適用される場 合、 以下の液晶材料を用いることが好ましい。
[化 2 ]
Figure imgf000026_0002
(配向膜）
本発明において使用可能な配向膜は、 それが上述の特定 「初期分 子配向状態」 を与えることができる限り、 特に限定されない。 換言 すれば、 本発明において、 適する配向膜は、 物理的特性、 電気また は表示性能、 等の観点から適切に選択することができる。 例えば、 文献に例示されるような種々の配向膜は、 一般に、 本発明において 用いることが可能である。 本発明において、 用いることができるこ う した配向膜の特定の好ましい例には、 以下が挙げられる。
ポリマー配向膜 ： ポリイミ ド、 ポリアミ ド、 ポリアミ ド—イミ ド 無機配向膜 ： S i 〇2、 S i O、 T a205、 等
(好ましい配向膜例）
これらの中で、 本発明が投影型液晶ディスプレイに適用される場 合、 以下の配向膜を用いることは好ましい。
無機配向膜
本発明において、 上述の基板、 液晶材料、 および配向膜として、 必要に応じて、 日刊工業新聞社 （日本、 東京） 発行の "L uid Cry stal Device Handbook" ( 1 9 8 9 ) に記載されているそれぞれの 項目に対応する材料、 成分または構成要素を用いることは可能であ る。
(他の構成要素）
本発明による液晶ディスプレイを構成するために用いられる透明 電極、 電極パターン、 マイクロカラ一フィル夕、 スぺーサ、 および 偏光子等の他の材料、 構成要素または成分は、 それらが本発明の目 的に反しない限り （すなわち、 それらが上述の特定 「初期分子配向 状態」 を与えることができる限り） 、 特に限定されない。 加えて、 本発明において使用可能である液晶表示素子を製造するための方法 は、 液晶表示素子が上述の特定 「初期分子配向状態」 を与えるため に構成されるべきであることを除き、 特に限定されない。 液晶表示 素子を構成するための種々の材料、 構成要素または成分の詳細に関 しては、 必要に応じて、 日刊工業新聞社 （日本、 東京） 発行の "Li quid Crystal Device Handbook" ( 1 9 8 9 ) を参照することは可 能である。
(特定の初期配向を実現するための手段）
こう した配向状態を実現するための手段または方策は、 それが上 述の特定の 「初期分子配向状態」 を実現することができる限り、 特 に限定されない。 換言すれば、 本発明において、 適する特定の初期 配向を実現するための手段または方策は、 物理的特性、 電気または 表示性能、 等の観点から適切に選択することができる。
以下の手段は、 好ましく は、 本発明が大型テレビパネル、 小型高 解像度表示パネル、 および直視型ディスプレイに適用される場合に 用いることが可能である。
(初期配向を与えるための好ましい手段）
本発明者らの知見によれば、 上述の適する初期配向は、 以下の配 向膜 （焼成により形成される配向膜の場合、 その厚さは焼付け後の 厚さで示される） およびラビング処理を用いることにより、 容易に 実現することが可能である。 他方、 通常の強誘電性液晶ディスプレ ィにおいて、 配向膜の厚さは 3 , 0 0 O A (オングス トローム） 以 下、 ラビング強度 （すなわち、 ラビングの押し込み量） は 0. 3 m m以下である。
配向膜の厚さ ： 好ましく は 4， 0 0 0 A以上、 更に好ましく は 5 , 0 0 0 A以上 （特に、 6 , 0 0 0 A以上）
ラビング強度 （すなわち、 ラビングの押し込み量） ： 好ましく は 0. 3 mm以上、 更に好ましく は 0. 4 mm以上 （特に、 0. 4 5 mm以上） 上述の配向膜厚さおよびラビング強度は、 例えば、 後述する製造 例 1 に記載されるような方法で測定することが可能である。
(使用可能な P S S _ L C D _別の態様 1 )
本発明においては、 下記の構成を有する P S S— L C Dも、 好適 に使用することができる。
少なく とも一対の基板と、 一対の基板の間に配置された液晶材料 と、 一対の基板の外側に配置された一対の偏光フィルムを含む液晶 素子であって ； 該一対の偏光フィルムの一つは液晶材料に対する配 向処理方向に平行またはほぼ平行な初期分子配向を有し、 一対の偏 光フィルムの他方は液晶材料に対する配向処理方向に垂直な偏光吸 収方向を有し、 且つ
液晶素子は外部印加電圧の不存在下で消光角を示す P S S— L C D。
こう した態様による液晶ディスプレイは、 上述のものに加えてそ の消光位が実質的に温度依存性を有しないという利点を有する。 従 つて、 この態様において、 コントラス ト比の温度依存性を比較的小 さくすることが可能である。
偏光フィルムの偏光吸収軸方向が実質的に液晶材料の配向処理方 向に並べられる上述の関係において、 偏光フィルムの偏光吸収軸と 液晶材料の配向処理方向間の角度は、 好ましくは 2 ° 以下、 更に好 ましくは 1 ° 以下、 特に 0. 5 ° 以下であることが可能である。 加えて、 液晶素子が外部印加電圧の不存在下での消光位を示す現 象は、 例えば、 以下の方法により確認することが可能である。
ぐ消光位を確認する方法 >
試験しょうとする液晶パネルを、 クロスニコル関係において配置 される偏光子と検光子の間に挿入し、 透過光の最小光量を与える角 度を、 液晶パネルが回転している間に測定する。 このように測定さ れた角度が消光位の角度である。
(使用可能な P S S— L C D—別の態様 2 )
本発明においては、 下記の構成を有する P S S— L C Dも、 好適 に使用することができる。
一対の基板と、 該一対の基板の間に配置された液晶材料とを少な く とも含む液晶素子であって ； 該一対の基板を通過する電流は、 実 質的に、 連続的、 線形に変化する電圧波形が液晶素子に印加される 場合、 ピーク状電流を全く示さない P S S— L C D。
一対の基板を通過する電流が、 実質的に、 その強度が連続的、 線 形に変化する電圧波形の印加下でピーク状電流を示さないことは、 例えば、 以下の方法により確認することが可能である。 この態様に おいて、 「電流が実質的にピーク状電流を示さない」 は、 液晶分子 配向変化において、 自発分極が少なく とも直接的なやり方で液晶分 子配向変化に関与しないことを意味する。 こ う した態様による液晶 ディスプレイは、 上述のものに加えて、 それが能動駆動素子の中で も非晶質シリ コン T F Tァレイ素子等の最低の電子移動度を有する 素子においてさえ、 充分な液晶駆動を可能とする利点を有する。 液晶それ自体がかなり高い表示性能を示すことができる時でさえ 、 その能力が比較的大きい場合、 こう した液晶を、 電子移動度に関 する限定を有する非晶質シリコン T F Tアレイ素子を用いることに よって駆動することは難しい。 結果として、 高品質表示性能を与え ることは実際上不可能である。 このケースにおいてさえ、 液晶を駆 動する能力の観点から、 非晶質シリコンより も大きな電子移動度を 有する低温ポリ シリコンおよび高温ポリ シリ コン T F Tアレイ素子 、 または、 最大電子移動度を与えることができる単結晶シリ コン （ シリコンウェハー） を用いることにより、 充分な表示性能を与える ことは可能である。 他方、 非晶質シリ コン T F Tアレイは、 製造コ ス トの観点から経済的に有利である。 更に、 パネルのサイズが増大 する場合、 非晶質シリコン T F Tアレイの経済的利点は、 他のタイ プの能動素子より も一段と大きい。
ぐピーク状電流を確認する方法 >
約 0 . 1 H z の極端に低い周波数を有する三角波電圧を、 試験し ようとする液晶パネルに印加する。 液晶パネルは、 こう した印加電 圧を、 D C電圧がほぼ線形に増大し減少するように感じるであろう 。 パネル中の液晶が強誘電性液晶相を示す場合、 光学応答、 および 電荷移動状態は、 三角波電圧の極性に応じて決まるが、 しかしなが ら、 実質的に三角波電圧の頂点値 （または P— P値） には依存しな い。 換言すれば、 自発分極の存在のために、 液晶の自発分極は、 印 加電圧の極性が負から正へ、 または正から負へ変わる場合のみに、 外部印加電圧と連結される。 自発分極が反転する場合、 電荷は、 パ ネル内部でピーク状電流を生成するように一時的に移動する。 反対 に、 自発分極の反転が起こらない場合、 ピーク状電流は全く見られ ず、 電流は単調増加、 減少または一定値を示す。 従って、 パネルの 分極は、 低周波数三角波電圧をパネルに印加し、 正確に得られる電 流を測定し、 .それによつて電流波形のプロファイルを測定すること により決定することが可能である。
(使用可能な P S S— L C D—別の態様 3 )
本発明においては、 下記の構成を有する P S S— L C Dも、 好適 に使用することができる。
液晶材料用の液晶分子配向処理が低表面プレチルト角を与える液 晶分子配向膜と関連づけて行われる P S S— L C D。
この態様において、 プレチルト角は、 好ましくは 1 . 5 ° 以下、 更に好ましくは 1 . 0 ° 以下 （特に 0 . 5 ° 以下） であることが可 能である。 こう した態様による液晶ディスプレイは、 上述の項目に 加えて、 それが広い面における均一な配向、 および広視野角を与え ることができるという利点を有する。 何故広視野角が提供されるか という理由は以下の通りである。
本発明による液晶分子配向において、 液晶分子は円錐様領域内に 動く ことが可能であり、 それらの電気光学応答は同じ平面内に留ま らない。 一般に、 平面から離れるこう した分子挙動が起こる場合、 複屈折の入射角依存が起こ り、 視野角が狭くなる。 しかしながら、 本発明による液晶分子配向において、 液晶分子の分子光軸は、 常に
、 図 2 0 に示すように、 円錐の上部に関して、 時計回りまたは反時 計周り に、 対称的に且つ高速で動く ことが可能である。 高速対称運 動のために、 極端な対称画像を時間平均の結果として得ることが可 能である。 従って、 視野角の観点から、 この態様は高対称および小 さな角依存性を有する画像を与えることができる。
(使用可能な P S S— L C D—別の態様 4 )
本発明においては、 下記の構成を有する P S S— L C Dも、 好適 に使用することができる。
彼晶材料が強誘電性液晶相転移系列に対してスメクチック A相を 示す液曰曰
の態様において、 液晶材料が 「スメクチック A相一強誘電性液 晶相転移系列」 を有する現象は、 例えば 以下の方法により確認す ることができる 。 こう した態様による液晶ディ スプレイは、 上述の 項目に加えて、 それがそのために保存温度のより高い上限値を与え る とができるという利点を有する。 更に詳細には、 液晶表示用保 存温度の上限値を決定しょう とする場合 温度が強誘電性液晶相か らスメクチック A相への転移温度を超える時でさえ、 それは、 温度 がスメクチック A相からコ レステリ ック相への転移温度を超えない 限り 初期分子配向を取り戻すために強誘亀性液晶相に戻ることが できる。
<相転移系列を確認する方法 >
スメクチック液晶の相転移系列は以下のように確認することが可 能である。
クロスニコル関係下で、 液晶パネルの温度を等方性相温度から下 げる。 この時、 ラビング方向を検光子に平行にする。 偏光顕微鏡に よる観測の結果として、 花火様形状が円形状に変わる複屈折変化が 最初に見られる。 温度を更に下げる場合、 消光方向はラビング方向 に平行に起こる。 温度を更に下げると、 相はいわゆる強誘電性液晶 相に変換する。 この相において、 パネルが消光位の近傍 3〜 4 ° の 角度で回転する場合、 温度低下と共に消光位から位置が外れる時に 透過光強度が増大することが見出される。
本明細書において、 強誘電性液晶相のヘリカルピツチおよび基板 のパネルギヤップを、 例えば、 以下の方法により確認することは可 能である。
ぐへリカルピッチを確認する方法 >
互いに平行にある配向処理を与えるためにラビングされた基板を 有するセルにおいて、 液晶材料を期待へリカルピッチの少な < とち
5倍であるセルギャップを有するパネル間に注入する。 結果として 、 ヘリカルピツチに対応する縞模様がディ スプレイ表面に現れる。 ぐパネルギャ ップを確認する方法〉
液晶材料の注入前に、 光干渉を用いる液晶パネルギヤップ測定装 置を用いることにより、 パネルギャップを測定することは可能であ る。
(光学軸方位の角度の測定方法と装置構成）
液晶素子としての光学軸方位の厳密な測定方法としては、 偏光子 が検光子に垂直に配置されるクロスニコル配置中に液晶素子を置く 場合、 光学軸が検光子の吸収軸と一致する場合に透過光の強度が最 小になる。 従って、 クロスニコル配置中で透過光の最小強度が得ら れる角度が光学軸方位の角度となる。 測定装置として、 偏光顕微鏡 の鏡筒部に P M T (光電子増倍管） などの光検出素子を取り付けた ものを例としてあげる。
図 2 2の模式斜視図に、 光学軸方位の厳密な測定に好適な要素の 一例の構成を示す。 偏光顕微鏡の偏光子と検光子をクロスニコル配 置として、 サンプルステージ上に検光子の吸収軸と測定する液晶素 子の基準角度と同一になるように配置し、 P M Tにて検出した光量 が最小になるようにサンプルステージを回転させる。 このときのサ ンプルステージ角度がすなわち、 液晶素子の基準角度に対する光学 軸方位の角度となる。
(液晶素子の容量変化の補正機構）
一般に液晶は、 印加電圧により液晶の静電容量が変化することが わかっている。 また、 その静電容量変化が時間的遅延をもっている ことも知られている。 したがって、 電荷量をより詳細に制御するた めには、 液晶の静電容量変化を考慮した電荷供給が必要となる。
(液晶素子の静電容量変化の補正）
一般に、 液晶材料は電場印加により配向が変化するため、 誘電率 が変化することがわかっている。 また、 その誘電率変化が時間的遅 延をもっていることも知られている。 したがって、 電極間に液晶材 料を配置した液晶素子としての静電容量も変化する。 静電容量が変 化した場合、 印加されている電場を保持するためには電荷量を調整 する必要がある。 また、 静電容量の変化は直線的なものでないこと が多い。 このことにより、 電荷量をより詳細に制御するためには、 液晶素子の静電容量変化を考慮した電荷供給が必要となる。
(液晶素子の静電容量変化の確認方法） 液晶素子静電容量の印加電圧依存性を測定することにより、 直接 的に使用する液晶素子の静電容量変化を確認することができる。 ま た、 培風館社発行の "液晶 基礎編" （岡野光治 · 小林駿介 共著
Z 1 9 8 5 初版） の 2 1 5ページにある "抵抗率および誘電率の 測定" に記載されている方法を参照して、 液晶素子誘電率の印加電 圧依存性を測定することによって、 静電容量変化を導き出すことが できる。 ここで測定された静電容量の印加電圧依存性は、 コンデン ザの静電容量の式、 C (静電容量） = Q (電荷量） Z V (電圧） か ら、 液晶素子に各電場 （=各階調） で必要な電荷量の計算ができる 測定装置としては、 静電容量が測定でき、 測定液晶素子に印加す る電圧を変化させられるものであれば測定方式や性能、 特性等の観 点から適切に選択することが出来る。 例えば、 A g i 1 e n t社製 L C Rメーター 4 2 8 4 Aを使用することができる。
(静電容量変化を考慮した電荷供給方法）
静電容量変化を考慮した電荷供給方法を示す。 前述の確認方法に て得た各電場で必要な電荷量の結果を L U T ( Look Up Tab l e) な どに記録し、 画素の階調情報から適切な電荷量への変換を行う。 変 換された電荷量を印加することによって、 より精度の高い階調表現 が可能となる。
(静電容量変化を考慮した電荷供給回路構成）
このような態様のための駆動回路構成の一例を、 図 2 3に示す。 この回路構成においては、 定電流回路と階調一電荷量変換 L U Tか らなる電荷量制御回路に階調信号が入力され、 その階調信号に対応 した電荷量を定電流回路から液晶素子に供給する。 このときの階調 信号に対応した電荷量とは、 静電容量変化を考慮した各電場で必要 な電荷量を指す。 こう した構成により、 より精度の高い階調表現が 出来る。
以下、 製造例および実施例により本発明を更に具体的に説明する
実施例
製造例 1
市販の F L C混合物材料 （メルク （Merck) ： Z L I — 4 8 5 1 一 1 0 0 ) 、 液晶性光重合物質 （大日本イ ンキ化学工業 ： U C L—
0 0 1 ) 、 および重合開始剤 （メルク ： ダロキュア （Darocur) 1 1 7 3 ) を用いて、 特開平 1 1 — 2 1 5 5 4号公報 （特願平 0 9 —
1 7 4 4 6 3号） に基づき、 P S— V— F L C Dパネルを組み立て た。 混合物は、 9 3質量％の∑ 丁一 4 8 5 1 - 1 0 0 F L C混合 物、 6質量％の1；〇 — 0 0 1、 および 1質量％のダロキュア 1 1 7 3を有した。
ここで用いる基板は、 その上に I TOフィルムを有するガラス基 板 （ナノ ロア社 （Nono Loa Inc. ) より市販されているホウケィ酸 ガラス、 厚さ 0. 7 mm、 サイズ ： 5 0 mmX 5 0 mm) であった スピンコ一夕一使用によりポリイ ミ ド配向材料を塗布し、 次に、 得られる膜を予備的に焼き、 得られる生成物を最終的にク リーンォ ーブン中で焼成することにより、 ポリイ ミ ド配向膜を形成した。 こ こで用いるべき一般的な工業手順の詳細に関しては、 必要に応じて 、 文献 Liquid Crystal Display Techniques Sangyo Tosho ( 1 9 9 6 , 東京） ， Chapter 6 を参照することが可能である。
液晶分子配向膜用に、 R N— 1 1 9 9 (日産化学工業） を 1〜 1 . 5 ° のプレチルト角配向物質として用いた。 硬化層としての配向 層の厚さを 4 , 5 0 0 A〜 5 , 0 0 0 Aに設定した。 この硬化配向 層の表面をレイ ヨン布 （Yoshikwa Kako製、 商品名 1 9 R Y) によ り、 図 2 1 に示すように基板の中心方向に対し 3 0度の角度をなす ようにラビングした。 ラビングの押し込み量は、 両基板ともに 0. 5 m mとし/こ。.
<ラビング条件 >
ラビングの押し込み量 ： 0. 5 mm
ラビング数 ： 1回
ステージ移動速度 ： 2 m m Z秒
ローラ—回転周波数 ： 1 0 0 0 r p m ( R = 4 0 mm)
スぺーサとして平均粒径が 1. 6 ミクロンの二酸化ケイ素粒子を 用いる。 出来上がりのパネルギヤ ップは測定値で 1. 8 ミクロンで あった。 上記混合材料を 1 1 0 温度等方においてパネルに注入し た。 混合材料を注入後、 周辺温度を制御して、 混合材料が強誘電性 液晶相を見せるまで （ 4 0で） 1分間に 2での割合で徐冷した。 そ の後、 自然冷却によりパネルが充分室温になったところで、 1 0分 間、 +Z_ 1 0 V、 周波数 5 0 0 Hzの三角波電圧をパネルに印加し た （N F Circuit Block 社製のファンクショ ン ' ジェネレータ、 商品名 ： W F 1 9 4 6 Fの使用による） 。 1 0分間電圧印加の後、 同じ電圧印加を保持しつつ、 3 6 5 n mの紫外光を照射した （UV P 社製紫外光、 商品名 ： UV L— 5 6の使用による） 。 照射の条 件は、 5 , O O O m J Z c m2であった。 ここで用いるべき一般的 な工業手順の詳細に関しては、 必要に応じて、 文献 "L uid Cryst al Display Techniques Sangyo Tosho ( 1 9 9 6 , 東京） , Chapt e r 6 を参照することが可能である。
このパネルの初期分子配向方向は、 ラビング方向と同じであった 。 このパネルの電気応答測定は、 三角波電圧の印加によりアナログ 階調を示した。 ここで用いるべき一般的な工業手順の詳細に関しては、 必要に応 じて、 文献 The Optics of Thermotropic Liauid Crystals Tayl or and Francis ： 1 9 9 8， 英国ロンドン ； Chapter 8および Chap ter 9を参照することが可能である。
製造例 2
液晶分子配向膜用に、 R N— 1 1 9 9 (日産化学工業） を 1〜 1 . 5 ° のプレチルト角配向物質として用いた。 硬化層としての配向 層の厚さを 6， 5 0 0 A〜 7， 0 0 O Aに設定した。 この硬化配向 層の表面をレイヨン布により、 図 2 1 に示すように基板の中心線に 対し 3 0度の角度をなすようにラビングした。 ラビングの押し込み 量は、 両基板ともに 0. 5 mmとした。 スぺ一サとして平均粒径が 1. 6 ミクロンの二酸化ケイ素粒子を用いる。 出来上がりのパネル ギャップは測定値で 1. 8 ミクロンであった。 このパネルにおいて 、 市販の F L C混合物材料 （メルク ： Z L I — 4 8 5 1 — 1 0 0 ) を 1 1 0で温度等方において注入した。 混合材料を注入後、 周辺温 度を制御して、 F L C材料が強誘電性液晶相を見せるまで （ 4 0 ) 1分間に 1での割合で徐冷した。 スメクチック A相からカイラル スメクチック C相へのこの徐冷過程 （ 7 5でから 4 0でまで） にお いて、 +/— 2 V、 周波数 5 0 0 H zの三角波電圧を印加した。 パ ネル温度が 4 0でに達した後、 印加三角波電圧を + Z— 1 0 Vに上 げた。 その後自然冷却により、 パネル温度が室温になるまで印加し 続けた。 このパネルの初期分子配向方向は、 大部分の視野において ラビング方向と同じであつたが、 しかしながら、 極めて限定された 面では + ー 2 0度を示しラビング角からずれた。 このパネルの電 気応答測定は、 偏光顕微鏡測定での 2 0倍程度の視野範囲の平均と して、 アナログ階調スイッチングを示した。
この製造例において、 徐冷の段階での大きすぎる電圧印加が初期 F L C分子配向を低下させることが見出された。 例えば、 スメクチ ック A相を示す温度で、 + ー 5 V程度の電圧を印加すると、 ラビ ング方向に沿って筋状の配向欠陥が示される。 一旦このタイプの欠 陥が発生すると、 カイ ラルスメクチック C相 （強誘電性液晶相） は 欠陥を排除しない。 徐冷での電圧印加は有効であるが、 しかしなが ら、 その条件は厳しく制御されるべきである。 これらの製造例にお いて、 スメクチック Aにおいて l VZ^m以下、 スメクチック A相 から、 スメクチック A相からカイ ラル SmC相への転移温度の 1 0 t:下までで 1. 5 V/;½m以下、 相転移温度から 2 0で下までで 5 VZ/ m以下、 これより低い温度範囲で 7. 5 V/^m以下が良好 な結果を得るために好ましいことが示された。
製造例 3—
液晶分子配向膜用に、 RN— 1 1 9 9 (日産化学工業） を 1〜 1 . 5 ° のプレチルト角配向物質として用いた。 硬化層としての配向 層の厚さを 6 , 5 0 0 A〜 7 , 0 0 O Aに設定した。 この硬化配向 層の表面をレイ ヨン布により、 図 2 1に示すように基板の中心線に 対し 3 0度の角度をなすようにラビングした。 ラビングの押し込み 量は、 両基板ともに 0. 6 mmとした。 スぺーサとして平均粒径が 1. 8ミクロンの二酸化ケイ素粒子を用いる。 出来上がりのパネル ギャップは測定値で 2. 0ミクロンであった。 このパネルにおいて 、 文献 Molecular Crystals and The l uid crystals； Naphthale ne Base Ferroelectric 1 iauid crystal and Its Electro Optical Properties" ； V o l . 2 4 3 , p p. 7 7— p p. 9 0， （ 1 9 9 4 ) に記載のナフ夕レン系 F L C混合物材料を 1 3 0で温度等 方において注入した。 この液晶材料の室温におけるヘリカルピツチ は、 2. 5 mmであった。
液晶材料を注入後、 周辺温度を制御して、 1 3 0 から 1分間に 1での割合で強誘電性液晶相を見せる 5 O t:まで徐冷した。 スメク チック A相からカイラルスメクチック C相へのこの徐冷過程 （ 9 0 でから 5 0でまで） において、 + — I V、 周波数 5 0 0 H z の三 角波電圧を印加した。 パネル温度が 5 0 に達した後、 印加三角波 電圧を + Z— 7 Vに上げた。 その後自然冷却により、 パネル温度が 室温になるまで印加し続けた このパネルの初期分子配向方向は、 大部分の視野 において、 ラビング方向と同じであった。 小さくわ ずかな面のみ
Figure imgf000040_0001
ラビング角からの + ー 1 7度のずれが見られた。 この八"ネルの 気応答測定は 、 図 1 に示すように、 偏光顕微鏡測 定での 2 0倍 度の視野範囲の平均 して、 アナ口グ階調スィッチ ングを示した この製造例において 徐冷の間の印加電圧は三角波 に限定されず 正弦波 、 矩形波でも ビング方向に平行な初期分子 配向を安定化させるために有効であ ことも、 また、 見出された。
上記製造例において得られた結果を以下の表 にまとめる。
製造例の要約
'[表 1 ]
Figure imgf000040_0002
実施例
本発明の実施例として、 ゲート電圧制御方式の一例を示す。 画素 数 3 2 0 X 2 4 0のアモルファスシリコン T F Tガラス基板を用い 、 P S S— L C Dパネルを作成した。 この基板の対向側は、 I T O ベ夕でブラックマスク （B M) のみをパーターニングしたガラス基 板で、 モノクロ表示である。 両基板表面にポリイ ミ ドを塗布、 焼成 したのちにラビングを行う。 ラビングはナイ ロン製布で、 押し込み 量 0. 2 mm、 ラビングロール回転数 1 5 0 0 r p m、 サンプル送 り速度 5 0 m m Z秒で行った。
2枚のガラス基板を対向させて張り合わせて液晶層のギャ ップを 一定にするため、 粒径が 1. 8 ^ mのシリカスぺーサーを用いた。 このシリカスぺ一サーを溶液に分散させて、 ガラス基板上に塗布し 、 溶液が乾いたところで張り合わせる。 このとき基板上に撒かれた 上記スぺーザの密度は、 1平方 mmあたり 1 0 0個であった。 接着 剤には 2液性エポキシ樹脂を用い、 2枚のガラス基板の重なった部 分に塗布 · 充填して固定する。
このガラス基板に、 P S S— L C D用液晶材料 （ナノ ロア社製） を 1 1 0で等方相にて注入し、 P S S— L C Dパネルを作成した。 このパネルの光学軸方位の角度は、 光学軸方位の確認の結果、 ラビ ング方向とほぼ平行であった。
上記により得た P S S _ L C Dパネルに、 ソース電圧 + 5 V、 ゲ ー トオフ電圧— 1 8 V、 ゲー トオン時間 4 0 0 S で、 ゲー トオン 電圧— 1 8 V〜+ 1 8 Vの間で変化させた。 ゲー トオン電圧を変化 させることによって、 液晶素子電極部に供給される電荷量が変化す るため、 図 8〜図 1 1のように、 光学応答の傾きが上昇していった 。 このときの測定系は図 1 9の通りであった。 従来のソース電圧を 制御する方式では、 図 1 2にあるようにソース電圧に対する光量の 傾きの変化は非常に小さいが、 図 1 3に示すゲー トオン電圧を変化 させることによる電荷供給量制御を行う と、 光学応答の傾きが連続 的に変化でき、 累積透過光量に差異があることが確認された。
実施例 2
本発明の実施例として、 ゲー ト電圧制御方式とソース電圧制御方 式併用の一例を示す。 画素数 3 2 0 X 2 4 0のアモルファスシリコ ン T F Tガラス基板を用い、 P S S— L C Dパネルを作成した。 こ の基板の対向側は、 I T Oベ夕でブラックマスク （ B M ) のみをパ 一夕一二ングしたガラス基板で、 モノクロ表示である。 両基板表面 にポリイミ ドを塗布、 焼成したのちにラビングを行う。 ラビングは ナイ ロン製布で、 押し込み量 0. 2 mm、 ラビングロ一ル回転数 1 5 0 0 r p m、 サンプル送り速度 5 0 mmZ秒で行つた。
2枚のガラス基板を対向させて張り合わせて液晶層のギャップを 一定にするため、 粒径が 1. 8 mのシリカスぺーサ一を用いた。 このシリカスぺ一サーを溶液に分散させて、 ガラス基板上に塗布し 、 溶液が乾いたところで張り合わせる。 このとき基板上に撒かれた 上記スぺーサの密度は、 1平方 mmあたり 1 0 0個であった。 接着 剤には 2液性エポキシ樹脂を用い、 2枚のガラス基板の重なった部 分に塗布 · 充填して固定する。
このガラス基板に、 P S S— L C D用液晶材料 （ナノ ロア社製） を 1 1 0で等方相にて注入し、 P S S— L C Dパネルを作成した。 このパネルの光学軸方位の角度は、 光学軸方位の確認の結果、 ラビ ング方向とほぼ平行であった。
上記により得た P S S _ L C Dパネルに、 ソース電圧 0〜十 1 0 V、 ゲー トオフ電圧— 1 8 V、 ゲー トオン時間 6 0 S 、 ゲー トォ ン電圧— 1 8〜十 1 8 Vの間で変化させた信号を印加した。 ゲー ト オン電圧を— 1 8 Vから + 1 8 Vへ変化させて、 供給する電荷量を 制御しつつ、 さ らにソース電圧も制御することによ り、 さ らなる高 演色性表示を行う。 図 1 4は、 ソース電圧を 0 V、 2. 5 V、 5 V 、 7 . 5 V、 1 0 Vの 5階調表示したものと、 供給する電荷量を制 御してソース電圧制御での 5階調の間の階調を補完したものを示し ている。 このときの測定系は図 2 8の通りであった。 2つを併用す ることにより、 従来制御より 4倍もの階調が表現できていることが わかり、 さらなる高演色性表示ができることが確認された。 産業上の利用可能性
上述したように本発明によれば、 光学応答速度を高く した場合に も、 表示品質の低下を回避することができる液晶デバイスを得るこ とができる。

Claims

1 . それぞれの内側 （液晶材料を配置すべき側） に電極を有する 一対の基板と、 該一対の基板の間に配置された液晶材料とを少なく とも含む液晶素子と、 該液晶素子への電荷を供給するための電荷供 給手段とを少なく とも含む液晶デバイスであって ；
請
前記電荷供給手段から前記一対の電極間に供給すべき電荷量の変 化に基づき、 液晶素子における液晶分子の配向を制御可能であるこ とを特徴とする液晶デバイス。
2 . 前記液晶素子が、 1 0〜 2 V Z範; mのレベルの印加電場の大 きさ、 および Z又は方向に応じた光学軸方位の回転が可能な液晶素 囲
子である請求項 1 に記載の液晶デバイス。
3 . 前記液晶素子が、 1 m s のレベルの高速応答が可能な液晶材 料である請求項 1 または 2に記載の液晶デバイス。
4 . 前記液晶素子が、 一対の基板と、 該一対の基板の間に配置さ れた液晶材料とを少なく とも含む液晶素子であり ； 且つ、 該液晶素 子中の初期分子配向が、 液晶材料に対する配向処理方向に平行また は'ほぼ平行な方向を有し、 且つ液晶材料が、 外部印加電圧の不存在
( absence) 下で、 一対の基板に対して垂直な自発分極を殆ど示さ ない液晶素子である請求項 1 〜 3のいずれかに記載の液晶デバイス
5 . 前記一対の電極間に供給すべき電荷量の変化が、 電場強度の 時間微分値、 液晶素子を透過する累積光量、 各画素に対応する電圧 、 ゲートオン時間から選ばれる少なく とも 1種類のパラメ一夕に基 づく請求項 1 〜 4のいずれかに記載の液晶デバイス。
6 . 各画素に対応する電圧が、 該各画素にそれぞれ対応する各 T F T (薄膜トランジスタ） の電圧である請求項 5に記載の液晶デバ イス。
7 . 前記電荷量供給手段が、 ソース電圧に合わせて、 ゲート電圧 を連動させつつ一定電位差で変化させるゲート電圧供給手段と ； 前 回画素に保持した電荷による電位差である ドレイン電圧に合わせて 、 ソース電圧を印加でぎるソース電圧供給手段とを少なく とも含む 請求項 1〜 6のいずれかに記載の液晶デバイス。
8 . それぞれの内側に電極を有する一対の基板と、 該一対の基板 の間に配置された液晶材料とを少なく とも含む液晶素子と、 該液晶 素子への電荷を供給するための電荷供給手段とを含む液晶デバイス の駆動方法であって ；
前記電荷供給手段から前記一対の電極間に供給すべき電荷量を変 化させることにより、 液晶素子における液晶分子の配向を制御する ことを特徴とする駆動方法。
9 . 前記液晶素子に供給する電荷量を制御することにより、 前記 液晶素子に印加される電場強度の時間に対する電場強度の時間微分 値たる増加率または減少率を制御する請求項 8に記載の駆動方法。
1 0 . 前記液晶素子に印加する電場強度の時間微分値を制御する ことにより、 前記液晶素子を透過する光の累積光量を連続的に制御 して階調表示する請求項 8に記載の駆動方法。
1 1 . 前記電荷供給手段が T F Tを含み、 且つ、 T F Tの各電圧 、 および Z又はゲー卜オン時間を制御することにより電場強度の時 間微分値を制御する請求項 8に記載の駆動方法。
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