JP3399464B2 - ウェファー処理用システム - Google Patents

ウェファー処理用システム

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JP3399464B2
JP3399464B2 JP2000529000A JP2000529000A JP3399464B2 JP 3399464 B2 JP3399464 B2 JP 3399464B2 JP 2000529000 A JP2000529000 A JP 2000529000A JP 2000529000 A JP2000529000 A JP 2000529000A JP 3399464 B2 JP3399464 B2 JP 3399464B2
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エイエスエム・インターナシヨナル・エヌ・ブイ
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    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は請求項１の前文によるシステムに
関する。
【０００２】この種のシステムは米国特許5 178 639に
開示されている。この従来システムでは、カセットはウ
ェファーが基本的には鉛直方向になるようにして収納部
に配置されている。ネジ・コンベヤー機構（screw conv
eyor mechanism）を介して、ウェファーを鉛直方向のま
ま収納するカセットは、ウェファー操作ロボット（wafe
r handling robot）の前に移動し、ついでウェファー操
作ロボットがウェファーを水平方向のポートに移送す
る。すなわち、ウェファーはボートの中で鉛直位置に置
かれる。「ボート」を次いで４分の１回転分傾けて直線
のコンベヤー上に載置する。前記コンベヤーにそってい
くつかの反応器があり、「ボート」は必要に応じてそれ
ぞれ該当する反応器に供給される。
【０００３】この種の装置では、当該反応器中の処理時
間を短縮すると、カセット収納部（cassette store）か
ら当該反応器へウェファーを移動させるための各種コン
ベヤー手段の収容能力（capacity））に問題が生じるこ
とが判明している。
【０００４】本発明の目的は前記搬送を効果的に実施す
ることにあり、その結果、反応器中の処理時間が比較的
短い場合にも、反応器の収容能力を十分に活用できるよ
うにすることにある。
【０００５】この目的は請求項１に記載の特徴を持つ上
記システムによって実現される。この種の構成では、
「ボート」は常に鉛直方向の位置をとる、すなわち、
「ボート」の操作中、ウェファーは常に水平方向に位置
する。この搬送は円形コンベヤー（carousel）と、少な
くとも２基の反応器とを組み合わせて用いることでさら
に最適化することができる。さらに、本発明の構成によ
れば、比較的簡単な操作ロボットで十分に用がたりる。
加えて、補助容器を直立のまま収容できる収納部を設計
し、第１の移送手段が基本的に水平方向に伸びる前記ウ
ェファー用支持表面（bearing surface）を具備するよ
うにすれば、さらに簡略化が可能になる。補助容器が直
立状態で収納されることになり、ウェファーは基本的に
常に水平を保つことになる。
【０００６】ウェファー直径が大きくなるにつれ、カセ
ット中のウェファー間隔（spacing）は増大するため、
同じ保管容量（storage capacity）を維持するというこ
とは、カセットを収納するマガジンの高さがさらに増す
ことを意味する。ウェファーを直接カセットから取り出
して「ボート」の中に載置するとなると、それはウェフ
ァー操作ロボットが相当な高さを移動できなければなら
ないことを意味する。ウェファーの位置決め許容範囲は
特に小さいため、これをするには非常に高価なウェファ
ー操作ロボットが必要になる。
【０００７】米国特許5 254 170を参照すると、この特
許に記載の装置ではウェファーは常に水平方向に位置し
ており、ウェファー操作装置としてこの種の装置が使わ
れている。本発明による構成では、カセット用に比較的
背の高い収納部があり、カセットは比較的単純なロボッ
トを用いて均一な高さに位置決めすることができ、この
高さから始めて、比較的高さ範囲の小さい（small heig
ht range）ウェファー操作ロボットで操作して「ボー
ト」に載置することができるとしている。ウェファー操
作ロボットの高さ範囲は実際「ボート」の高さによって
決まる。
【０００８】たとえば米国特許5 07 449に開示されるよ
うな、単一チェンバー内の１台の円形コンベヤーと反応
器１基を組み合わせた構成と比較すると、上述の本発明
によるシステムは２基の反応器を設置することで収容能
力に相当な改善をもたらすことができる。さらに、本発
明ではカセットと「ボート」用の中間ステーションが存
在する結果、ウェファーをカセットから「ボート」へあ
るいはその逆方向に移送している間、処理チェンバー内
の円形コンベヤーと、ウェファー収納ステーションの円
形コンベヤーを回転させることが可能になる。この手段
により、システムのすべての構成部品を最適利用できる
ようになる。米国特許5 407 449による構成にはこの柔
軟性がなく、処理チェンバーの円形コンベヤーとウェフ
ァー収納ステーションの円形コンベヤーは、ウェファー
の操作中は一定の位置に固定される。パーセンテージで
いえば、２基以上の反応器を設置した場合収納能力の増
大は少ない。さらに、反応器が２基以上あって、処理時
間が相対的に短い場合は、コンベヤー手段のひとつで収
容能力の問題が直ちに発生しうる。最も一般的に用いら
れるプロセス時間、すなわち１時間から３時間では、反
応器２基の構成がシステムの全構成部品の最適利用につ
ながることが判明している。
【０００９】したがって、２基以上の反応器を使う必要
がある場合は、上述のシステムをいくつか並置するのが
得策と考えられる。換言すれば、これにより互いに独立
して作動するシステムがつくられ、これらを限定された
領域内に収納できることを意味する。多数の炉を単に一
列に並列して炉の数を増やすことが提案されている米国
特許5 178 639 による構成とは対照的である。カセット
と「ボート」の供給またはカセットと「ボート」の取り
出し、あるいはウェファー操作を行う構成部品の一つが
故障した場合、システム全体が直ちに作動しなくなる。
上述のように、少なくとも２つのシステムが互いに並置
される本発明のアセンブリの場合は、互いに独立して機
能するシステムが得られ、運転上の信頼性が大幅に改善
される。
【００１０】本出願人名義のオランダ特許1 005 410で
は、通常鉛直に設置される反応器に対してウェファーラ
ックを上下に移動させるだけでなく、これらのウェファ
ーラックを用いて、かかる反応器が設置されたチェンバ
ー内でウェファーを搬送することが提案されている。オ
ランダ特許1 005 410 では、ウェファーラックは回転プ
ラットフォーム上に位置していて、該当する炉の下に到
達すると、専用装置（special device）によって炉内に
導かれ、ウェファーラックの下部が炉の下部の閉鎖スト
ップ（closure stop）も構成する。
【００１１】この種の構成では、ウェファーラックに対
してウェファーの供給、またはウェファーラックからウ
ェファーの取り出しが行われるカセットからウェファー
を常に移送する必要がある。
【００１２】現在まで知られている装置では、この移送
は反応器が設置されているチェンバーとカセットの収納
部とのインターフェースで行われていた。言い換えれ
ば、ウェファーラックを反応器に供給するためのコンベ
ヤー手段が特定の位置で静止している場合、所定の（re
quisite）ロボットに最も近い位置にあるウェファーラ
ックが関連するカセットに装填される、またはこれから
取り出されることになる。
【００１３】上記した示したように、特定の処理工程に
ついては、全設備の収納能力（capacity）はもはや各種
反応器の収容能力によって決定されない。
【００１４】本発明の目的は、利用可能な床面積を拡大
することなく収容能力をさらに増大できる装置を提供す
ることにある。なんといっても、一般的にはこの種の装
置は床面積が特に高価な「クリーンルーム」状態で運転
されるものである。
【００１５】本発明によれば、この目的は前記処理区域
と前記容器を収容する設備を持つ保管手段との間に中間
収納部を配備し、前記移送手段によって前記容器を前記
処理チェンバーに出し入れするための第１の移送手段を
設けることで達成される。
【００１６】本発明の有利な実施例によれば、ウェファ
ーはウェファーラックからカセット収納部に直接移動さ
せるのではなく、カセットを収納部から取り出してウェ
ファーの収納または処分に最適な位置に持っていく。そ
の結果収容能力がさらに増大する。
【００１７】本発明のさらに有利な実施例によれば、上
述のウェファーラック用中間収納部は反応器チェンバー
および保管区域の両方から遮断できる。この手段により
係止操作（lock operation）が得られる。
【００１８】すでに示したように、反応器を炉で構成す
ることができるが、前記反応器は従来技術に開示される
その他のいかなるウェファー処理にも対応できることは
理解されなければならない。かかる反応器は水平方向あ
るいは鉛直方向に作動するような配置にできる。当然、
関連するコンベヤー手段の構成はこれに依存する。上記
では鉛直方向に装填または取り出しできる反応器の一例
として、水平方向に配置した回転プラットフォームを説
明した。
【００１９】本発明を図面の例示的実施例を参照しなが
らさらに詳しく説明する。
【００２０】図１は本発明による設備を概略的に、部分
透視(partially exposed)として示す斜視図を示し、そ
して図２は図１の設備を示す概略平面図を示す。
【００２１】本発明による装置の全体を１で示す。この
装置はハウジング２を具備し、通常いわゆる「クリーン
ルーム」に設置されることになる。ハウジング２に加
え、図３に特に示すようにパーティション３，４，５が
ある。ハウジング２はパーティション３とともに反応器
領域すなわちチェンバー２１の境界を規定する。本発明
による中間収納部が位置するチェンバー２２は、ハウジ
ング２とパーティション３，４（ならびにクロージャー
２０）によって規定されている。チェンバー２３はパー
ティション３，４とハウジング２によって境界が定めら
れる。３３は装入チェンバー（introduction chamber）
である。
【００２２】２基の反応器、ここでは炉６，７からなる
反応器は反応器チェンバー２１内に配置される。炉は鉛
直方向に位置決めされていて、ウェファー１３を充填し
た１２で示すウェファーラックが下から鉛直方向に炉
６，７の中に装入される。このために、各炉は鉛直方向
に可動な挿入アーム１４を持つ。図では挿入アーム１４
のみを示す。ウェファーラック１２の底部には絶縁プラ
グが設けられているが、その詳細は示さない。絶縁プラ
グはラックと炉の間の密閉をもたらす。炉における作業
の最適化のために特別な対策が取られている。
【００２３】切り欠き１５を設けた回転プラットフォー
ム１１が取り付けられている。これら切り欠き１５は、
切り欠き１５が正しい位置にきた場合、アーム１４が切
り欠き１５を通って上下に動くことができるような形状
になっている。一方、ウェファーラック底部の直径は、
直径がプラットフォーム１１の切り欠き１５より大き
く、そのためアーム１４が図１に示す位置から下降する
と、ウェファーラック１２が回転プラットフォーム１１
上に載置されることになり、また逆方向の操作によって
ここから取り出せるようになっている。
【００２４】ウェファーラックは炉６および７のいずれ
にも供給できる。この中で連続処理を実施することがで
きる。またウェファーラックを並列グループにしてそれ
ぞれ炉６と炉７の中だけ処理を行うことも可能である。
ウェファーラックにはウェファーを設けなければならな
い。結局、ウェファー１３はカセット１０に供給（搬
送）され、カセットは装入チェンバー３３から、開閉自
在な開口部３４を通ってアーム３１の助けにより収納部
８に載置される。アーム３１には回転プラットフォーム
２７の一連の切り欠き２６より寸法がわずかに小さい支
持表面３２が設けられている。かかる回転プラットフォ
ームがいくつか収納部８内で鉛直方向に順に積み重なる
ようにして設けられている。アーム３１は高さ調節手段
３５の助けにより鉛直方向に移動自在である。アーム３
１は、装入チェンバー３３から収納部８に対して、また
は収納部８から装入チェンバー３３に対してカセットを
取り上げそして取り外すことができるように装着されて
いるが、収納部８から回転プラットフォーム３０に対し
て、または回転プラットフォーム３０から収納部８に対
してカセットを移動させることもできる。回転プラット
フォーム３０は、これを回転させると、開口部３７が設
けられたパーティション４にカセットが当接するように
構成されているため、アーム２４の助けによりカセット
を開くと、ウェファーは当該カセットから１つ１つ順に
取り出されて、チェンバー２２に位置するウェファーラ
ック１２に載置される。ウェファーラック１２は蝶番で
取り付けられ、端部に支持表面１７を持つたアーム１６
で支持されているが、その寸法はここでも切り欠きの寸
法よりわずかに小さくなっている。このアーム１６ｈウ
ェファーラックとともに、パーティション３の開閉自在
な開口部を通って移動できる。チェンバー２２をチェン
バー２１，２３から遮断できるように閉鎖手段２０が設
けられている。
【００２５】大量のウェファーの処理は以下の要領で行
われる：図１に概略を示すように、オペレータが多数の
カセットを装入し、パネル３６上で制御操作を行うこと
で、収納部８にカセットが装填される。それぞれのカセ
ット１０は装入チェンバー３３からアーム３１の助けに
より、収納部８内にカセット用として設けられた保管コ
ンパートメント９に移送される。このことは、チェンバ
ー３３から開口部３４を通って、当該カセット１０を取
り出すための最下部位置からスタートして、収納部８内
の高い位置にあるコンパートメント９に向けて上方向に
カセットが移動できることを意味する。収納部８が回転
することで、異なるなコンパートメントにカセットに充
填することができる。
【００２６】収納部８への充填が終わると、本発明によ
る装置の自動化された実施例では人間が介入する必要が
なくなる。当該カセット１０を次いで、アーム３１によ
って収納部３１から取り出し、回転プラットフォーム３
０に載置する。カセットを回転プラットフォーム上で回
転させて、パーティション４に当接させる。アーム２４
の助けにより、ウェフアーはウェファー毎に取り出さ
れ、旋回アーム１６上のウェファーラック１２に載置さ
れる。その間、回転プラットフォーム１１は反応器チェ
ンバー２１内に存在するウェファーに対して行われる処
理に関して最適の形で反応器チェンバー内を移動するこ
とができる。ウェファーラック１２がチェンバー２２に
充填されて、反応器６，７の一つに装入可能になった
か、あるいはなると、それまで閉じていた開口部１９が
開放されて、前記の充填されたウェファーラックが回転
プラットフォーム１１上に載置される。回転プラットフ
ォームは直ちにあるは後刻、１ポジション移動し、充填
されたウェファーラック１２がプラットフォーム１１か
ら取り出される。処理済みウェファーは前記充填プラッ
トフォーム上に位置している。前記ウェファーが上記と
は逆の動きを実行する。
【００２７】このようにして、処理チェンバー２１の外
部にある領域のウェファーラックからウェファーを取り
出す作業が可能になる。同じことがカセットからウェフ
ァーを取り出す作業についても言える。アーム３１でウ
ェファーを一つ一つ収納部からウェファーラックに移動
させる必要がなく、回転プラットフォーム３０を用いる
ことで、多数のウェファーを、関連するカセットを含
め、同時に移動させることができる。
【００２８】設備の床面積を大幅に増やすことなく、特
に比較的短時間の処理の場合あるいはかなり多数の反応
器の場合、これにともなうコスト価格の上昇なしに、そ
の収容能力を大幅に増大させることが可能であることが
理解される。
【００２９】本技術分野の熟練者にとって、上記に対し
て数多くの修正が可能であることが理解される。たとえ
ば、反応器は１基でも十分であり、また２基以上の反応
器が存在してもよい。収納部は異なる構成のものでもよ
く、一方種々の移動機構も同じように要件に応じて調節
することができる。かかる修正はすべて本発明の特許請
求の範囲に含まれると考えられる。 ［図面の簡単な説明］
【図１】本発明による設備を概略的に、部分透視（part
ially exposed）として示す斜視図。
【図２】図１の設備を示す概略平面図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−36854（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−67432（ＪＰ，Ａ) 米国特許5178639（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 H01L 21/22 511

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 周囲から遮断することができ、その上部
    に少なくとも２基の鉛直反応器（６，７）を収納する処
    理チェンバー（２１）と、 一連のウェファー（１３）を収容するための容器（１
    ２）と、 前記容器を前記処理チェンバー下部領域から前記反応器
    へ、およびその逆方向に移送するために設けられた昇降
    手段（１４）と、 前記処理チェンバーの下部領域に配置され、前記容器
    （１２）を直立させたままこれらを主として水平面で移
    動させて、前記昇降手段との間を往復移送させるための
    コンベヤー手段（１１）と、 ウェファー（１３）用補助容器（１０）と、 前記補助容器（１０）を収納するための保管手段（８）
    と、 前記ウェファーを補助容器から前記容器に、およびその
    逆方向に移動させるための第１の移送手段（２４）と、 ここで、前記容器（１２）を収容するように配置された
    中間収納部（２２）が、前記処理チェンバー（２１）と
    保管手段（８）との間に設けられており、 前記容器用中間収納部から前記処理チェンバーに、およ
    びその逆方向に前記容器を移動させるための第２の移送
    手段（１６）と、 ここで、前記補助容器用第２の中間収納部（３０）は、
    前記容器用の前記中間収納部（２２）と前記補助容器
    （１０）用の前記保管手段（８）の間に配置されてお
    り、 ここで、補助容器を前記保管手段から補助容器用前記第
    ２中間収納部（３０）に対して、または前記保管手段に
    対して補助容器用前記第２中間収納部（３０）から移動
    させるために第３の移動手段（３１）が設けられてい
    る、 ことからなるウェファー処理用システムであって、 中間収納部（２２）が前記容器（１２）を直立状態で収
    容するように設計されていることを特徴とする、ウェフ
    ァー処理用システム。
  2. 【請求項２】 前記収納部（８）が前記補助容器（１
    ０）を直立状態で収容できるように設計され、前記第１
    の移送手段（２４）が基本的に水平方向に伸びる前記ウ
    ェファー用支持表面を具備することを特徴とする請求項
    １に記載のシステム。
  3. 【請求項３】 前記コンベヤー手段（１１）が円形コン
    ベヤーからなることを特徴とする請求項１−２のいずれ
    か一つに記載のシステム。
  4. 【請求項４】 前記中間収納部が、処理チェンバー（２
    １）および保管手段（８）から遮断できるチェンバー
    （２２）を具備することを特徴とする請求項１−３のい
    ずれか一つに記載のシステム。
  5. 【請求項５】 前記補助容器用中間収納部が回転プラッ
    トフォームを具備することを特徴とする、請求項１−４
    のいずれか一つに記載のシステム。
  6. 【請求項６】 前記反応器が炉からなることを特徴とす
    る、請求項１−５のいずれか一つに記載のシステム。
  7. 【請求項７】 請求項１−６のいずれか一つのシステム
    が少なくとも２つ互いに隣接してなるアセンブリ。
JP2000529000A 1998-01-27 1999-01-27 ウェファー処理用システム Expired - Lifetime JP3399464B2 (ja)

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NL1008143 1998-01-27
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AU (1) AU2301699A (ja)
DE (1) DE69916035T2 (ja)
NL (1) NL1008143C2 (ja)
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Families Citing this family (241)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6632068B2 (en) 2000-09-27 2003-10-14 Asm International N.V. Wafer handling system
TW522127B (en) * 2001-02-21 2003-03-01 Daifuku Kk Cargo storage facility
JP3832295B2 (ja) * 2001-08-31 2006-10-11 株式会社ダイフク 荷取り扱い設備
JP3832294B2 (ja) * 2001-08-31 2006-10-11 株式会社ダイフク 荷保管設備
JP3832293B2 (ja) * 2001-08-31 2006-10-11 株式会社ダイフク 荷保管設備
US6573198B2 (en) 2001-10-10 2003-06-03 Asm International N.V. Earthquake protection for semiconductor processing equipment
JP2005510055A (ja) * 2001-11-13 2005-04-14 エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド マイクロエレクトロニクス基板の自動処理用の低減フットプリントツール
US20070243317A1 (en) * 2002-07-15 2007-10-18 Du Bois Dale R Thermal Processing System and Configurable Vertical Chamber
US6860710B1 (en) * 2002-08-30 2005-03-01 Novellus Systems, Inc. Lifting mechanism for integrated circuit fabrication systems
US7966969B2 (en) 2004-09-22 2011-06-28 Asm International N.V. Deposition of TiN films in a batch reactor
US7427571B2 (en) * 2004-10-15 2008-09-23 Asm International, N.V. Reactor design for reduced particulate generation
US7553516B2 (en) * 2005-12-16 2009-06-30 Asm International N.V. System and method of reducing particle contamination of semiconductor substrates
US7691757B2 (en) 2006-06-22 2010-04-06 Asm International N.V. Deposition of complex nitride films
JP4215079B2 (ja) * 2006-07-31 2009-01-28 村田機械株式会社 クリーンストッカと物品の保管方法
US7740437B2 (en) 2006-09-22 2010-06-22 Asm International N.V. Processing system with increased cassette storage capacity
US7585142B2 (en) * 2007-03-16 2009-09-08 Asm America, Inc. Substrate handling chamber with movable substrate carrier loading platform
US8180594B2 (en) * 2007-09-06 2012-05-15 Asm International, N.V. System and method for automated customizable error diagnostics
US7833906B2 (en) 2008-12-11 2010-11-16 Asm International N.V. Titanium silicon nitride deposition
JP5212165B2 (ja) 2009-02-20 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US8292095B2 (en) 2009-04-29 2012-10-23 Rock-Tenn Shared Services, Llc Expandable display system
US8641350B2 (en) * 2011-02-18 2014-02-04 Asm International N.V. Wafer boat assembly, loading apparatus comprising such a wafer boat assembly and method for loading a vertical furnace
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9048271B2 (en) 2011-09-29 2015-06-02 Asm International N.V. Modular semiconductor processing system
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9146551B2 (en) * 2012-11-29 2015-09-29 Asm Ip Holding B.V. Scheduler for processing system
US9991139B2 (en) * 2012-12-03 2018-06-05 Asm Ip Holding B.V. Modular vertical furnace processing system
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9852936B2 (en) * 2015-01-29 2017-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Load port and method for loading and unloading cassette
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
CN107851594B (zh) * 2015-08-28 2021-06-22 株式会社国际电气 基板处理装置以及半导体装置的制造方法
US9502275B1 (en) * 2015-10-20 2016-11-22 Lam Research Corporation Service tunnel for use on capital equipment in semiconductor manufacturing and research fabs
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) * 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
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USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
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US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
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US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
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US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
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US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
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TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
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KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4986715A (en) * 1988-07-13 1991-01-22 Tokyo Electron Limited Stock unit for storing carriers
US5254170A (en) 1989-08-07 1993-10-19 Asm Vt, Inc. Enhanced vertical thermal reactor system
KR0153250B1 (ko) 1990-06-28 1998-12-01 카자마 겐쥬 종형 열처리 장치
US5387265A (en) * 1991-10-29 1995-02-07 Kokusai Electric Co., Ltd. Semiconductor wafer reaction furnace with wafer transfer means
NL9200446A (nl) 1992-03-10 1993-10-01 Tempress B V Inrichting voor het behandelen van microschakeling-schijven (wafers).
JP3258748B2 (ja) * 1993-02-08 2002-02-18 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR100221983B1 (ko) * 1993-04-13 1999-09-15 히가시 데쓰로 처리장치
FR2719893B1 (fr) * 1994-05-13 1996-08-02 Europ Propulsion Dispositif de chargement d'un four spatial automatique.
JPH08213446A (ja) * 1994-12-08 1996-08-20 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP3478364B2 (ja) * 1995-06-15 2003-12-15 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
KR100310249B1 (ko) * 1995-08-05 2001-12-17 엔도 마코토 기판처리장치
NL1005102C2 (nl) 1997-01-27 1998-07-29 Advanced Semiconductor Mat Inrichting voor het behandelen van halfgeleiderschijven.
NL1009327C2 (nl) * 1998-06-05 1999-12-10 Asm Int Werkwijze en inrichting voor het overbrengen van wafers.
JP2001284276A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR20020019414A (ko) * 2000-09-05 2002-03-12 엔도 마코토 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치를 이용한 반도체디바이스 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP1057212A1 (en) 2000-12-06
NL1008143C2 (nl) 1999-07-28
KR100375977B1 (ko) 2003-03-15
US6663332B1 (en) 2003-12-16
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JP2002502112A (ja) 2002-01-22
WO1999038199A1 (en) 1999-07-29
DE69916035D1 (de) 2004-05-06
KR20010034389A (ko) 2001-04-25
DE69916035T2 (de) 2004-08-26
EP1057212B1 (en) 2004-03-31

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