JP2991609B2 - ガス分離体と金属との接合体および水素ガス分離装置 - Google Patents
ガス分離体と金属との接合体および水素ガス分離装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】 本発明はガス分離体と金属との
接合体及び水素ガスを含有する被処理ガスから水素ガス
を選択的かつ効率的に分離するための水素ガス分離装置
に関する。
接合体及び水素ガスを含有する被処理ガスから水素ガス
を選択的かつ効率的に分離するための水素ガス分離装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】 水素ガスは石油化学で大量に使用され
るものであり、また、クリーンなエネルギー源として大
きな期待が寄せられている。高純度な水素ガスは、天然
ガス、ナフサ等を原料として触媒により水素を含有する
ガスに変換し、その水素含有ガスから更に水素ガスを分
離して得られる。
るものであり、また、クリーンなエネルギー源として大
きな期待が寄せられている。高純度な水素ガスは、天然
ガス、ナフサ等を原料として触媒により水素を含有する
ガスに変換し、その水素含有ガスから更に水素ガスを分
離して得られる。
【０００３】 水素ガスは、パラジウム又はパラジウム
合金に溶解する性質を利用して分離できる。これらの金
属に溶解するのは水素ガスのみなので、水素ガスを選択
的に分離できるわけである。例えば、特開昭６２−２７
３０３０号公報、特開昭６３−１７１６１７号公報に
は、多孔質基体の一表面にパラジウム又はパラジウム合
金からなるガス分離膜が被覆したガス分離体が開示され
ている。多孔質基体は、多孔質であるガラス、又は酸化
アルミニウム等のセラミックスであり、パラジウム膜の
みでは機械強度が十分でないので、パラジウム膜を基体
に被覆させたのである。
合金に溶解する性質を利用して分離できる。これらの金
属に溶解するのは水素ガスのみなので、水素ガスを選択
的に分離できるわけである。例えば、特開昭６２−２７
３０３０号公報、特開昭６３−１７１６１７号公報に
は、多孔質基体の一表面にパラジウム又はパラジウム合
金からなるガス分離膜が被覆したガス分離体が開示され
ている。多孔質基体は、多孔質であるガラス、又は酸化
アルミニウム等のセラミックスであり、パラジウム膜の
みでは機械強度が十分でないので、パラジウム膜を基体
に被覆させたのである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】 ガス分離膜を使用し
てガスを効率良く分離するには、ガス分離膜中でガスが
拡散する速度を速くするため、５〜１０気圧で３００℃
以上、好ましくは５００℃以上という高温、高圧で分離
することが有利である。そこで問題となるのがガス分離
体と支持体との結合部の気密性、および耐久性である。
すなわち、高温、高圧の条件下においてもガス分離膜の
支持部が耐久性を有し、かつ、当該支持部から被処理ガ
ス、分離されたガスなどが漏洩しないことが必要となる
のである。水素ガス分離装置は、ガス分離体の一方の側
より、水素ガスを含有する被処理ガスを導入し、水素ガ
スのみがガス分離体を透過し、ガス分離体の他方の側よ
り、精製された水素ガスが得られる構造を有する。従っ
て、被処理ガス側と精製ガス側とを気密に分離する必要
があり、ガス分離体と支持体との接合部から、被処理ガ
スが精製ガス側に漏洩しないことが重要となる。処理温
度が２００℃以下の範囲では、ｏ−リングを用いてガス
分離体を支持体に接合する装置がある。しかし、２００
℃以上では、ガス分離体と支持体との接合部を気密にす
ることは容易ではなく、５００℃以上で使用できるよう
な接合部は未だ開発されていない。
てガスを効率良く分離するには、ガス分離膜中でガスが
拡散する速度を速くするため、５〜１０気圧で３００℃
以上、好ましくは５００℃以上という高温、高圧で分離
することが有利である。そこで問題となるのがガス分離
体と支持体との結合部の気密性、および耐久性である。
すなわち、高温、高圧の条件下においてもガス分離膜の
支持部が耐久性を有し、かつ、当該支持部から被処理ガ
ス、分離されたガスなどが漏洩しないことが必要となる
のである。水素ガス分離装置は、ガス分離体の一方の側
より、水素ガスを含有する被処理ガスを導入し、水素ガ
スのみがガス分離体を透過し、ガス分離体の他方の側よ
り、精製された水素ガスが得られる構造を有する。従っ
て、被処理ガス側と精製ガス側とを気密に分離する必要
があり、ガス分離体と支持体との接合部から、被処理ガ
スが精製ガス側に漏洩しないことが重要となる。処理温
度が２００℃以下の範囲では、ｏ−リングを用いてガス
分離体を支持体に接合する装置がある。しかし、２００
℃以上では、ガス分離体と支持体との接合部を気密にす
ることは容易ではなく、５００℃以上で使用できるよう
な接合部は未だ開発されていない。
【０００５】 例えば、ガス分離体と支持体とをガラス
で接合した後、ガス分離体の表面及び接合部の表面に化
学メッキを行って、ガス分離膜を形成すると、ガラスと
ガス分離膜とが十分に密着せず、ガラス接合部でガス分
離膜が剥離し、被処理ガスが精製ガス側に漏洩すること
がある。また、管形状のセラミック基体とその外側表面
に被覆するガス分離膜とを有するガス分離体を、そのガ
ス分離体を差し込んではめることができる孔を有する金
属性の支持体に、ろう材を用いて接合するとき、ガス分
離膜表面と支持体の孔と隙間を１００μｍ以下とする必
要がある。しかし、セラミックス管の外径をこの精密さ
及び正確さで製造することは困難である。そこで本発明
では、被処理ガスが２００℃以上で分離されるときでも
ガス分離体と支持体の結合部が気密であり、被処理ガス
が精製ガス側に漏洩し難いようなガス分離膜と金属との
接合体、および水素ガス分離装置を提供することを目的
とする。
で接合した後、ガス分離体の表面及び接合部の表面に化
学メッキを行って、ガス分離膜を形成すると、ガラスと
ガス分離膜とが十分に密着せず、ガラス接合部でガス分
離膜が剥離し、被処理ガスが精製ガス側に漏洩すること
がある。また、管形状のセラミック基体とその外側表面
に被覆するガス分離膜とを有するガス分離体を、そのガ
ス分離体を差し込んではめることができる孔を有する金
属性の支持体に、ろう材を用いて接合するとき、ガス分
離膜表面と支持体の孔と隙間を１００μｍ以下とする必
要がある。しかし、セラミックス管の外径をこの精密さ
及び正確さで製造することは困難である。そこで本発明
では、被処理ガスが２００℃以上で分離されるときでも
ガス分離体と支持体の結合部が気密であり、被処理ガス
が精製ガス側に漏洩し難いようなガス分離膜と金属との
接合体、および水素ガス分離装置を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明によ
れば、ガス分離体と、ガス分離体との接合に関与する表
面が酸化された金属部材との接合体であって、ガス分離
体はセラミックスから構成される基体と、基体に被覆す
るガス分離膜とを有し、基体はガス分子が侵入できるよ
うに多孔性であって、ガス分離膜と金属部材とが熱膨張
係数５．０〜８．０×１０-6／℃のガラスにて接合さ
れ、かつ、ガラスと金属部材との接触角が９０゜未満で
あることを特徴とするガス分離体と金属部材との接合体
が提供される。ガス分離膜はパラジウムを含有する金属
から構成されることが好ましい。
れば、ガス分離体と、ガス分離体との接合に関与する表
面が酸化された金属部材との接合体であって、ガス分離
体はセラミックスから構成される基体と、基体に被覆す
るガス分離膜とを有し、基体はガス分子が侵入できるよ
うに多孔性であって、ガス分離膜と金属部材とが熱膨張
係数５．０〜８．０×１０-6／℃のガラスにて接合さ
れ、かつ、ガラスと金属部材との接触角が９０゜未満で
あることを特徴とするガス分離体と金属部材との接合体
が提供される。ガス分離膜はパラジウムを含有する金属
から構成されることが好ましい。
【０００７】 また、本発明によれば、ガス分離体とガ
ス分離体を支持する支持体とを内部に有する水素ガス分
離装置であって、ガス分離体は、セラミックスから構成
される基体と、基体に被覆するガス分離膜とを有し、基
体はガス分子が侵入できるように多孔性であって、ガス
分離膜は水素ガスを選択的に透過させ、ガス分離体は、
支持体にガラスで接合することを特徴とする水素ガス分
離装置が提供される。また、ガス分離体の少なくともガ
ス分離膜が、ガラスに接触していて、これにより、ガス
分離体と支持体が接合することが好ましい。ガス分離膜
及び支持体がガラスに接触して接合することが更に好ま
しい。また、支持体が金属から成り、ガス分離体が、熱
膨張係数が５．０〜８．０×１０-6／℃で、金属製支持
体との接触角が０〜９０゜であるガラスを介して、ガラ
スと接触する表面が酸化された金属製支持体に接合され
ていてもよい。
ス分離体を支持する支持体とを内部に有する水素ガス分
離装置であって、ガス分離体は、セラミックスから構成
される基体と、基体に被覆するガス分離膜とを有し、基
体はガス分子が侵入できるように多孔性であって、ガス
分離膜は水素ガスを選択的に透過させ、ガス分離体は、
支持体にガラスで接合することを特徴とする水素ガス分
離装置が提供される。また、ガス分離体の少なくともガ
ス分離膜が、ガラスに接触していて、これにより、ガス
分離体と支持体が接合することが好ましい。ガス分離膜
及び支持体がガラスに接触して接合することが更に好ま
しい。また、支持体が金属から成り、ガス分離体が、熱
膨張係数が５．０〜８．０×１０-6／℃で、金属製支持
体との接触角が０〜９０゜であるガラスを介して、ガラ
スと接触する表面が酸化された金属製支持体に接合され
ていてもよい。
【０００８】 更に、ガス分離膜がパラジウムを含有す
る金属から構成され、ガラスと金属との接触角が０〜９
０゜であることが好ましく、１５〜４５゜であることが
更に好ましい。この接触角の範囲でガス分離膜とガラス
との接合強度が特に向上するからである。また、本発明
によれば、ガス分離体と、ガス分離体を支持する支持体
とを有する水素ガス分離装置の製造方法であって、ガス
分離体は、セラミックスからなる基体と、基体に被覆す
るガス分離膜とを有し、基体は、ガス分子が侵入できる
ように多孔性であって、ガス分離膜は水素ガスを選択的
に透過させ、ガス分離体と、支持体とを、ガラスで接合
することを特徴とする水素ガス分離装置の製造方法が提
供される。
る金属から構成され、ガラスと金属との接触角が０〜９
０゜であることが好ましく、１５〜４５゜であることが
更に好ましい。この接触角の範囲でガス分離膜とガラス
との接合強度が特に向上するからである。また、本発明
によれば、ガス分離体と、ガス分離体を支持する支持体
とを有する水素ガス分離装置の製造方法であって、ガス
分離体は、セラミックスからなる基体と、基体に被覆す
るガス分離膜とを有し、基体は、ガス分子が侵入できる
ように多孔性であって、ガス分離膜は水素ガスを選択的
に透過させ、ガス分離体と、支持体とを、ガラスで接合
することを特徴とする水素ガス分離装置の製造方法が提
供される。
【０００９】
【作用】 本発明者は、多孔質セラミックス管にガス分
離能を有する金属を被覆して成るガス分離体を、支持体
に貫通し、接着固定し支持する構造に関し、種々の角度
から検討した。
離能を有する金属を被覆して成るガス分離体を、支持体
に貫通し、接着固定し支持する構造に関し、種々の角度
から検討した。
【００１０】 その結果、本発明者はガス分離体を、適
当な性質を有するガラスを介して、支持体に接合するこ
とにより、前記した不具合を解消することができること
を見い出したのである。
当な性質を有するガラスを介して、支持体に接合するこ
とにより、前記した不具合を解消することができること
を見い出したのである。
【００１１】 まず、本発明の接合体に適するガラスの
性質について説明する。熱膨張係数とは、圧力一定で、
物体が熱膨張するとき、その膨張比率の温度変化に対す
る割合を示す量である。本発明の熱膨張係数は、大気圧
において、固体の長さ変化に対する膨張比率を表す線熱
膨張係数を意味する。ガラスの熱膨張係数は、ガラス転
移点より低い温度で測定する。ガラスの熱膨張による伸
びは、温度に対して大体、直線的に増加する。しかし、
ガラス転移点以上では、ガラス転移点以下の領域と比較
して、熱膨張による伸びが増加し、温度に対してプロッ
トしたときの勾配が大きくなる。ガラス転移点を熱膨張
曲線上で、一個の点として明瞭に認めることは難しい
が、本発明では、以下の方法で、ガラス転移点を熱膨張
曲線上で求めた。低温領域での熱膨張曲線の接線と、高
温領域の熱膨張曲線の接線とを引いた。両接線が交わる
角において、その角の２等分線を引いて、熱膨張曲線と
交わる点を求め、その交点をガラス転移点と決定した。
なお、ガラス転移点は、ガラスが溶融する温度より低
い。
性質について説明する。熱膨張係数とは、圧力一定で、
物体が熱膨張するとき、その膨張比率の温度変化に対す
る割合を示す量である。本発明の熱膨張係数は、大気圧
において、固体の長さ変化に対する膨張比率を表す線熱
膨張係数を意味する。ガラスの熱膨張係数は、ガラス転
移点より低い温度で測定する。ガラスの熱膨張による伸
びは、温度に対して大体、直線的に増加する。しかし、
ガラス転移点以上では、ガラス転移点以下の領域と比較
して、熱膨張による伸びが増加し、温度に対してプロッ
トしたときの勾配が大きくなる。ガラス転移点を熱膨張
曲線上で、一個の点として明瞭に認めることは難しい
が、本発明では、以下の方法で、ガラス転移点を熱膨張
曲線上で求めた。低温領域での熱膨張曲線の接線と、高
温領域の熱膨張曲線の接線とを引いた。両接線が交わる
角において、その角の２等分線を引いて、熱膨張曲線と
交わる点を求め、その交点をガラス転移点と決定した。
なお、ガラス転移点は、ガラスが溶融する温度より低
い。
【００１２】 本発明では、ガス分離体と支持体との接
合にガラスを用いる。図１に、ガス分離装置の内部にお
けるガス分離体と支持体の接合態様の一実施例について
の断面図を示す。ガス分離体１０は、管形状の基体１１
と、その基体の外側面表面１１ｓに被覆するガス分離膜
１２とを有する。ガス分離体１０は、例えば、上下方向
に配置する。ガス分離体１０の一方の端部１０ａは支持
体２１を貫通して、ガス分離体１０の内部空間が支持体
２１の上部空間と連通する。この貫通孔の直径は、ガス
分離体の外径より僅かに大きい。ガス分離膜１１と支持
体２１との隙間をガラス１５で充填することで、ガス分
離体１０の端部１０ａは、支持体２１に接合して支持さ
れる。このとき、ガス分離膜１２の表面１２ｓがガラス
１５と接触し、ガラス１５が支持体２１に接触すること
で、ガス分離体１０と支持体２１とが接合する。
合にガラスを用いる。図１に、ガス分離装置の内部にお
けるガス分離体と支持体の接合態様の一実施例について
の断面図を示す。ガス分離体１０は、管形状の基体１１
と、その基体の外側面表面１１ｓに被覆するガス分離膜
１２とを有する。ガス分離体１０は、例えば、上下方向
に配置する。ガス分離体１０の一方の端部１０ａは支持
体２１を貫通して、ガス分離体１０の内部空間が支持体
２１の上部空間と連通する。この貫通孔の直径は、ガス
分離体の外径より僅かに大きい。ガス分離膜１１と支持
体２１との隙間をガラス１５で充填することで、ガス分
離体１０の端部１０ａは、支持体２１に接合して支持さ
れる。このとき、ガス分離膜１２の表面１２ｓがガラス
１５と接触し、ガラス１５が支持体２１に接触すること
で、ガス分離体１０と支持体２１とが接合する。
【００１３】 ガス分離体１０のもう一方の端部１０ｂ
は、支持体２２の窪み２２ａで封孔され、支持体２２に
支持される。ガス分離膜１１と支持体２２との隙間をガ
ラス１６で充填することで、ガス分離体１０の端部１０
ｂは、支持体２２と接合する。２つ以上のガス分離体１
０が支持体２１及び支持体２２に支持されていてもよ
い。なお、支持体２１及び２２は、ガス分離装置に固定
されている。
は、支持体２２の窪み２２ａで封孔され、支持体２２に
支持される。ガス分離膜１１と支持体２２との隙間をガ
ラス１６で充填することで、ガス分離体１０の端部１０
ｂは、支持体２２と接合する。２つ以上のガス分離体１
０が支持体２１及び支持体２２に支持されていてもよ
い。なお、支持体２１及び２２は、ガス分離装置に固定
されている。
【００１４】 また、基体及び支持体は、共に同じ材質
であることが好ましい。しかし、基体は、多孔質であっ
てガス分子が侵入、透過できる。一方、支持体は、緻密
質であって、ガス分子が支持体の片側からもう一方の片
側に透過できないものを用いる。なお、支持体は、金属
であってもよい。水素ガスを含有する被処理ガスは、支
持体２１及び支持体２２に挟まれた空間に導入され、水
素ガスのみがガス分離膜１２及び多孔質の基体１１を透
過して、基体１１の内側空間に導かれ、水素ガスが精製
されて分離される。一方、被処理ガス中の他のガスは、
ガス分離体を透過せず、図示してない出口より排出され
る。
であることが好ましい。しかし、基体は、多孔質であっ
てガス分子が侵入、透過できる。一方、支持体は、緻密
質であって、ガス分子が支持体の片側からもう一方の片
側に透過できないものを用いる。なお、支持体は、金属
であってもよい。水素ガスを含有する被処理ガスは、支
持体２１及び支持体２２に挟まれた空間に導入され、水
素ガスのみがガス分離膜１２及び多孔質の基体１１を透
過して、基体１１の内側空間に導かれ、水素ガスが精製
されて分離される。一方、被処理ガス中の他のガスは、
ガス分離体を透過せず、図示してない出口より排出され
る。
【００１５】 本発明では、ガラスの熱膨張係数が、基
体の熱膨張係数及び支持体の熱膨張係数のうち、小さい
方の熱膨張係数の５０〜１００％であってもよく、６０
〜９０％であることが好ましい。ガラスの熱膨張係数が
これらの１００％より大きい場合、ガラスが溶融する温
度で接合をしてから温度を降下するとき、ガラス接合部
の内部に引張り応力が生じ、ガラスにクラックが生成し
易い。未処理ガスが接合部のクラックから精製ガス側に
漏洩し、水素ガスの純度を低下させる。一方、ガラスの
熱膨張係数がこれらの５０％より小さい場合、被処理ガ
スを精製する温度範囲で、ガス分離体と支持体との間に
隙間が生じ、未処理ガスがその隙間から精製ガス側に漏
洩し兼ねない。また、支持体として金属を使用した場合
には、熱膨張係数５．０〜８．０×１０-6／℃のガラス
を用いることが好ましい。また、水素ガス分離装置を工
業的に使用するとき、室温と精製処理温度との間を何回
も往復させることがあり、また、精製処理温度で、長時
間、運転されることもある。接合部は、これらの条件で
あっても、被処理ガスの漏洩をしてはならないが、熱膨
張係数が上記の範囲で特に漏洩を防止できる。
体の熱膨張係数及び支持体の熱膨張係数のうち、小さい
方の熱膨張係数の５０〜１００％であってもよく、６０
〜９０％であることが好ましい。ガラスの熱膨張係数が
これらの１００％より大きい場合、ガラスが溶融する温
度で接合をしてから温度を降下するとき、ガラス接合部
の内部に引張り応力が生じ、ガラスにクラックが生成し
易い。未処理ガスが接合部のクラックから精製ガス側に
漏洩し、水素ガスの純度を低下させる。一方、ガラスの
熱膨張係数がこれらの５０％より小さい場合、被処理ガ
スを精製する温度範囲で、ガス分離体と支持体との間に
隙間が生じ、未処理ガスがその隙間から精製ガス側に漏
洩し兼ねない。また、支持体として金属を使用した場合
には、熱膨張係数５．０〜８．０×１０-6／℃のガラス
を用いることが好ましい。また、水素ガス分離装置を工
業的に使用するとき、室温と精製処理温度との間を何回
も往復させることがあり、また、精製処理温度で、長時
間、運転されることもある。接合部は、これらの条件で
あっても、被処理ガスの漏洩をしてはならないが、熱膨
張係数が上記の範囲で特に漏洩を防止できる。
【００１６】 ガス分離膜がパラジウムを含有する金属
から構成されてもよい。パラジウムを含有する金属と
は、パラジウム単体と、パラジウム合金とを包含する。
ガラスとガス分離膜を構成する金属との接触角が０〜９
０゜であることが好ましく、１５〜４５゜であることが
更に好ましい。図２で、接触角θは、ガラス表面１５ｓ
と、金属面１２ｓとのなす角θである。この接触角は、
接合するときの温度及び雰囲気に依存する。接触角θ
は、金属であるガス分離膜１２とガラス１５の接合部を
切断して観察することで求められる。上記の接触角の範
囲で、ガス分離膜とガラスとの濡れ性が向上し、その結
果、ガス分離膜とガラスの接合強度が向上する。この接
触角が９０゜より大きい場合、金属とガラスとが十分に
密着せず、ガス分離膜とガラスとが剥離することがあ
る。一方、この接触角が小さすぎると、ガラスで接合す
るとき、ガラスがガス分離膜と支持体との隙間から流出
し、接合が困難になることがある。なお、ガラスは酸化
物セラミックスとは一般に濡れ性がよいので、支持体が
酸化物セラミックスで構成されるとき、ガラスと支持体
の濡れ性はさほど問題はない。一方、支持体が金属で構
成されるとき、ガラスと支持体との接触角は上記した範
囲であることが好ましい。
から構成されてもよい。パラジウムを含有する金属と
は、パラジウム単体と、パラジウム合金とを包含する。
ガラスとガス分離膜を構成する金属との接触角が０〜９
０゜であることが好ましく、１５〜４５゜であることが
更に好ましい。図２で、接触角θは、ガラス表面１５ｓ
と、金属面１２ｓとのなす角θである。この接触角は、
接合するときの温度及び雰囲気に依存する。接触角θ
は、金属であるガス分離膜１２とガラス１５の接合部を
切断して観察することで求められる。上記の接触角の範
囲で、ガス分離膜とガラスとの濡れ性が向上し、その結
果、ガス分離膜とガラスの接合強度が向上する。この接
触角が９０゜より大きい場合、金属とガラスとが十分に
密着せず、ガス分離膜とガラスとが剥離することがあ
る。一方、この接触角が小さすぎると、ガラスで接合す
るとき、ガラスがガス分離膜と支持体との隙間から流出
し、接合が困難になることがある。なお、ガラスは酸化
物セラミックスとは一般に濡れ性がよいので、支持体が
酸化物セラミックスで構成されるとき、ガラスと支持体
の濡れ性はさほど問題はない。一方、支持体が金属で構
成されるとき、ガラスと支持体との接触角は上記した範
囲であることが好ましい。
【００１７】 ガス分離体の基体は、パラジウム薄膜単
独では機械的強度が弱いので、パラジウム薄膜を支持す
る。基体は、ガス分子が侵入できる多孔性であり、例え
ば、３次元状に連続した多数の微細な小孔を有する。こ
の孔径は、０．００３〜２０μｍが好ましく、更に０．
００５〜５μｍが好ましく、更に、０．０１〜１μｍが
好ましい。孔径が０．００３μｍ未満では、ガスが通過
するときの抵抗が大きくなるからである。一方、孔径が
２０μｍを超えると、ガス分離膜にピンホールが生じや
すくなり、好ましくない。このような多孔質基体は、例
えば、特開昭６２−２７３０３０号公報に記載する方法
により得ることができる。
独では機械的強度が弱いので、パラジウム薄膜を支持す
る。基体は、ガス分子が侵入できる多孔性であり、例え
ば、３次元状に連続した多数の微細な小孔を有する。こ
の孔径は、０．００３〜２０μｍが好ましく、更に０．
００５〜５μｍが好ましく、更に、０．０１〜１μｍが
好ましい。孔径が０．００３μｍ未満では、ガスが通過
するときの抵抗が大きくなるからである。一方、孔径が
２０μｍを超えると、ガス分離膜にピンホールが生じや
すくなり、好ましくない。このような多孔質基体は、例
えば、特開昭６２−２７３０３０号公報に記載する方法
により得ることができる。
【００１８】 基体を構成する材質としては、未処理ガ
スが反応しないものであることが好ましく、具体的に
は、β−アルミナ、酸化アルミニウム、シリカ、シリカ
−アルミナ、ムライト、コージェライト、ジルコニアと
いった酸化物セラミックスのほか、カーボンや多孔質ガ
ラスなどのセラミックスが用いることができる。また、
基体を構成する材質は、セラミックスに限られることな
く、未処理ガス及びパラジウムと反応しない金属であっ
て、多孔質のものを用いることができる。例えば、セラ
ミック粉末を混練して、パイプ状等に押出成形後、焼成
し、小孔を作成して、基体を得ることができる。
スが反応しないものであることが好ましく、具体的に
は、β−アルミナ、酸化アルミニウム、シリカ、シリカ
−アルミナ、ムライト、コージェライト、ジルコニアと
いった酸化物セラミックスのほか、カーボンや多孔質ガ
ラスなどのセラミックスが用いることができる。また、
基体を構成する材質は、セラミックスに限られることな
く、未処理ガス及びパラジウムと反応しない金属であっ
て、多孔質のものを用いることができる。例えば、セラ
ミック粉末を混練して、パイプ状等に押出成形後、焼成
し、小孔を作成して、基体を得ることができる。
【００１９】 ガス分離膜は水素ガスを選択的に透過さ
せる。ガス分離膜を構成する材質は、例えば、パラジウ
ムを含有する金属である。このようなパラジウム合金
は、Japanese Membrane Science,56(1991)315-325:"Hyd
rogen Permeable Palladium - Silver Alloy Membrane
Supported on Porous Ceramics" や特開昭６３−２９５
４０２号公報に記載されているように、パラジウム以外
の金属の含量は１０〜３０重量％であることが好まし
い。パラジウムを合金化する主目的は、パラジウムの水
素脆化防止と高温時の分離効率向上のためである。ま
た、パラジウム以外の金属として銀を含有することは、
パラジウムの水素脆化防止のため、好ましい。
せる。ガス分離膜を構成する材質は、例えば、パラジウ
ムを含有する金属である。このようなパラジウム合金
は、Japanese Membrane Science,56(1991)315-325:"Hyd
rogen Permeable Palladium - Silver Alloy Membrane
Supported on Porous Ceramics" や特開昭６３−２９５
４０２号公報に記載されているように、パラジウム以外
の金属の含量は１０〜３０重量％であることが好まし
い。パラジウムを合金化する主目的は、パラジウムの水
素脆化防止と高温時の分離効率向上のためである。ま
た、パラジウム以外の金属として銀を含有することは、
パラジウムの水素脆化防止のため、好ましい。
【００２０】 また、特開平３−１４６１２２号公報に
記載されているように、パラジウムと銀とを含有する薄
膜で、薄膜の厚さ方向に銀製分の濃度が比較的に均一に
分布しているものを用いることができる。特開平３−１
４６１２２号公報には、耐熱性多孔質基体の表面に、化
学メッキ法によりパラジウム薄膜を形成し、パラジウム
薄膜上に化学メッキ法により銀薄膜を形成し、次いで、
熱処理を行うガス分離体の製造方法を開示している。こ
の製造方法では、熱処理によって、パラジウム合金薄膜
において、パラジウムと銀とが均一に分布するようにな
っている。さらに、支持体として金属を用いる場合に
は、ＳＵＳ、インコネル、コバール等を用いることが好
ましいが、ガラスとの濡れ性を向上させるために、表面
に酸化膜を形成することが好ましい。ただし、酸化の度
合いが大きすぎると、酸化膜中の気密性が悪くなるた
め、適度な酸化条件を選択することが必要となる。
記載されているように、パラジウムと銀とを含有する薄
膜で、薄膜の厚さ方向に銀製分の濃度が比較的に均一に
分布しているものを用いることができる。特開平３−１
４６１２２号公報には、耐熱性多孔質基体の表面に、化
学メッキ法によりパラジウム薄膜を形成し、パラジウム
薄膜上に化学メッキ法により銀薄膜を形成し、次いで、
熱処理を行うガス分離体の製造方法を開示している。こ
の製造方法では、熱処理によって、パラジウム合金薄膜
において、パラジウムと銀とが均一に分布するようにな
っている。さらに、支持体として金属を用いる場合に
は、ＳＵＳ、インコネル、コバール等を用いることが好
ましいが、ガラスとの濡れ性を向上させるために、表面
に酸化膜を形成することが好ましい。ただし、酸化の度
合いが大きすぎると、酸化膜中の気密性が悪くなるた
め、適度な酸化条件を選択することが必要となる。
【００２１】 また、ガス分離膜の膜厚は５０μｍ以下
が好ましく、更に好ましくは２０μｍ以下である。厚さ
が５０μｍを超えるとガス分離体によるガス分離のと
き、被処理ガスがガス分離膜を拡散する時間が長くなる
ので、処理時間が長時間となり、好ましくない。また、
基体が管形状を有するとき、ガス分離膜が被覆する面
は、管の外側でも、内側でも、この両者でもよい。
が好ましく、更に好ましくは２０μｍ以下である。厚さ
が５０μｍを超えるとガス分離体によるガス分離のと
き、被処理ガスがガス分離膜を拡散する時間が長くなる
ので、処理時間が長時間となり、好ましくない。また、
基体が管形状を有するとき、ガス分離膜が被覆する面
は、管の外側でも、内側でも、この両者でもよい。
【００２２】 更に、本特許出願人による特願平５−７
３４４９号では、パラジウム合金から構成されるガス分
離膜が、基体の表面に開いている小孔の内部を充填して
閉塞するガス分離体が開示される。このガス分離体で
は、ガス分離膜を貫通する孔から、原料ガスが精製水素
ガスに漏洩して、精製水素ガスの純度を悪化させ難い。
３４４９号では、パラジウム合金から構成されるガス分
離膜が、基体の表面に開いている小孔の内部を充填して
閉塞するガス分離体が開示される。このガス分離体で
は、ガス分離膜を貫通する孔から、原料ガスが精製水素
ガスに漏洩して、精製水素ガスの純度を悪化させ難い。
【００２３】 ガス分離膜を基体に被覆する方法は従来
方法が使用でき、例えば、化学メッキ法、真空蒸着法、
スパッタリング法等を用いることができる。
方法が使用でき、例えば、化学メッキ法、真空蒸着法、
スパッタリング法等を用いることができる。
【００２４】 図３に水素ガス分離装置の一実施例の断
面図を示す。高圧容器４０内に、筒状で複数本の水素ガ
ス分離体４１が収納している。各々の水素ガス分離体４
１は、フランジ４２に、水素ガス分離体４１の外径より
僅かに大きい直径の貫通孔４２ａを介して、水素ガス分
離体の内部がフランジ４２の上部空間と連通するよう
に、支持されている。一方、各々の水素ガス分離体４１
は、フランジ４３に、貫通していない孔４３ａにより、
その端部が封孔して支持されている。水素ガス分離体４
１は、ガラスでフランジ４２、４３と接着する。水素ガ
ス分離体は、筒状の支持体にガス分離膜が被覆する。
面図を示す。高圧容器４０内に、筒状で複数本の水素ガ
ス分離体４１が収納している。各々の水素ガス分離体４
１は、フランジ４２に、水素ガス分離体４１の外径より
僅かに大きい直径の貫通孔４２ａを介して、水素ガス分
離体の内部がフランジ４２の上部空間と連通するよう
に、支持されている。一方、各々の水素ガス分離体４１
は、フランジ４３に、貫通していない孔４３ａにより、
その端部が封孔して支持されている。水素ガス分離体４
１は、ガラスでフランジ４２、４３と接着する。水素ガ
ス分離体は、筒状の支持体にガス分離膜が被覆する。
【００２５】 フランジ４８及び４９が、支持プレート
４７を挟んで固定し、フランジ４２が支持プレート４７
及び部材４６により固定され、水素ガス分離体４１及び
フランジ４３が吊り下げられている。第１パイプ５０か
ら、被精製ガスが高圧容器４０内に供給される。筒状の
水素ガス分離体４１を透過して、筒内部に精製された水
素ガスが移動し、この精製水素ガスは、第３パイプ５２
に導かれる。一方、精製されなかったガスは、第２パイ
プ５１から流出する。なお、同一の支持体に複数のガス
分離体を接合することにより、多管式の水素ガス分離装
置としてもよい。
４７を挟んで固定し、フランジ４２が支持プレート４７
及び部材４６により固定され、水素ガス分離体４１及び
フランジ４３が吊り下げられている。第１パイプ５０か
ら、被精製ガスが高圧容器４０内に供給される。筒状の
水素ガス分離体４１を透過して、筒内部に精製された水
素ガスが移動し、この精製水素ガスは、第３パイプ５２
に導かれる。一方、精製されなかったガスは、第２パイ
プ５１から流出する。なお、同一の支持体に複数のガス
分離体を接合することにより、多管式の水素ガス分離装
置としてもよい。
【００２６】
【実施例】 以下、本発明を図示の実施例に基づき更に
詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限られる
ものではない。 （実施例１）まず、多孔質基体を活性化処理した。外径
１０ｍｍ、内径７ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形状を有
し、微細孔径が０．１μｍの多孔質α−アルミナ管を、
多孔質基体に用いた。このアルミナ管の外表面を、SnCl
2・2H2Oを０．１重量％含有する０．１％塩酸水溶液に
１分間浸漬させた。次いで、この管の外表面を、PdCl2
を０．０１重量％含有する０．１％塩酸水溶液に１分間
浸漬させた。各々の塩酸水溶液に１０回、浸漬させるよ
うに、この浸漬処理を両塩酸水溶液で繰り返した。次い
で、パラジウムを化学メッキした。イオンを除去した水
１ｌ中に、[Pd(NH3)4]Cl2・H2O（５．４ｇ）、２Na・Ｅ
ＤＴＡ（６７．２ｇ）、アンモニア濃度２８％のアンモ
ニア水（６５１．３ｍｌ）、H2NNH2・H2O（０．４６ｍ
ｌ）を加えた水溶液を準備し、上記活性化処理を行った
多孔質アルミナ管の外表面を５０℃に温度制御したこの
水溶液に浸漬した。この浸漬時間を変化させ、多孔質基
体の表面に被覆する薄膜の膜厚及び多孔質基体の内部へ
の侵入深さを調節した。
詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限られる
ものではない。 （実施例１）まず、多孔質基体を活性化処理した。外径
１０ｍｍ、内径７ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形状を有
し、微細孔径が０．１μｍの多孔質α−アルミナ管を、
多孔質基体に用いた。このアルミナ管の外表面を、SnCl
2・2H2Oを０．１重量％含有する０．１％塩酸水溶液に
１分間浸漬させた。次いで、この管の外表面を、PdCl2
を０．０１重量％含有する０．１％塩酸水溶液に１分間
浸漬させた。各々の塩酸水溶液に１０回、浸漬させるよ
うに、この浸漬処理を両塩酸水溶液で繰り返した。次い
で、パラジウムを化学メッキした。イオンを除去した水
１ｌ中に、[Pd(NH3)4]Cl2・H2O（５．４ｇ）、２Na・Ｅ
ＤＴＡ（６７．２ｇ）、アンモニア濃度２８％のアンモ
ニア水（６５１．３ｍｌ）、H2NNH2・H2O（０．４６ｍ
ｌ）を加えた水溶液を準備し、上記活性化処理を行った
多孔質アルミナ管の外表面を５０℃に温度制御したこの
水溶液に浸漬した。この浸漬時間を変化させ、多孔質基
体の表面に被覆する薄膜の膜厚及び多孔質基体の内部へ
の侵入深さを調節した。
【００２７】 次いで、銀を化学メッキした。イオンを
除去した水１ｌ中に、[Pd(NH3)4]Cl2・H2O（０．５４
ｇ）、AgNO3（４．８６ｇ）、２Na・ＥＤＴＡ（３３．
６ｇ）、アンモニア濃度２８％のアンモニア水（６５
１．３ｍｌ）、H2NNH2・H2O（０．４６ｍｌ）を加えた
水溶液を準備し、上記活性化処理を行った多孔質アルミ
ナ管の外表面を５０℃に温度制御したこの水溶液に浸漬
した。この浸漬時間を表１に示すように変化させ、パラ
ジウムと銀との重量比が８０：２０となるように、銀を
化学メッキした。最後に、９００℃で１２時間保持し
て、熱処理を行い、パラジウムと銀とを相互拡散させ、
パラジウムと銀とを合金化し、ガス分離体を得た。
除去した水１ｌ中に、[Pd(NH3)4]Cl2・H2O（０．５４
ｇ）、AgNO3（４．８６ｇ）、２Na・ＥＤＴＡ（３３．
６ｇ）、アンモニア濃度２８％のアンモニア水（６５
１．３ｍｌ）、H2NNH2・H2O（０．４６ｍｌ）を加えた
水溶液を準備し、上記活性化処理を行った多孔質アルミ
ナ管の外表面を５０℃に温度制御したこの水溶液に浸漬
した。この浸漬時間を表１に示すように変化させ、パラ
ジウムと銀との重量比が８０：２０となるように、銀を
化学メッキした。最後に、９００℃で１２時間保持し
て、熱処理を行い、パラジウムと銀とを相互拡散させ、
パラジウムと銀とを合金化し、ガス分離体を得た。
【００２８】 実施例１〜１４では、図１の支持体２１
は、貫通孔を有する円環形状であり、支持体２２は窪み
２２ａを有するキャップ形状であった。支持体２１及び
２２は、基体と同様にα−アルミナから構成される。こ
の基体の熱膨張係数は、７．４×１０ー6／℃であり、支
持体２１及び２２の熱膨張係数は、７．３×１０ー6／℃
であった。熱膨張係数は、４０〜４００℃で測定した。
表１で、比率とは、ガラスの熱膨張係数を基体の熱膨張
係数で割った値をパーセントで表した値をいう。実施例
１で用いたガラスは表２のガラスＡである。
は、貫通孔を有する円環形状であり、支持体２２は窪み
２２ａを有するキャップ形状であった。支持体２１及び
２２は、基体と同様にα−アルミナから構成される。こ
の基体の熱膨張係数は、７．４×１０ー6／℃であり、支
持体２１及び２２の熱膨張係数は、７．３×１０ー6／℃
であった。熱膨張係数は、４０〜４００℃で測定した。
表１で、比率とは、ガラスの熱膨張係数を基体の熱膨張
係数で割った値をパーセントで表した値をいう。実施例
１で用いたガラスは表２のガラスＡである。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【表２】
【００３１】 熱膨張係数５．４ｘ１０-6 ／℃のガラ
スを用いて接合を行った。１０５０℃、Ａｒ雰囲気中で
３０分、保持して接合した。次いで、降温時の歪みの発
生を防ぐため、５０℃／ｈ以下の速度で室温まで冷却し
た。支持体に接合したガス分離体について気密試験を実
施した。また、断面を切断し、接合状態を観察した。観
察の結果、ガラスはアルミナラウンジおよびパラジウム
合金膜に良好な濡れ性を示し、パラジウム膜との間の接
触角は約３５゜であった。
スを用いて接合を行った。１０５０℃、Ａｒ雰囲気中で
３０分、保持して接合した。次いで、降温時の歪みの発
生を防ぐため、５０℃／ｈ以下の速度で室温まで冷却し
た。支持体に接合したガス分離体について気密試験を実
施した。また、断面を切断し、接合状態を観察した。観
察の結果、ガラスはアルミナラウンジおよびパラジウム
合金膜に良好な濡れ性を示し、パラジウム膜との間の接
触角は約３５゜であった。
【００３２】 気密試験のため、ガス分離体に接合する
支持体を、容器に固定して、水素ガス分離装置を作成し
た。次いで、非処理ガス側にアルゴンガスで８Ｋｇ／ｃ
ｍ2 導入し、透過ガス側に漏れるアルゴンガスの流量を
測定した。また、非処理ガス側にアルゴンガスで８Ｋｇ
／ｃｍ2 導入した状態でガス分離体を室温から６００℃
まで加熱し、次いで、室温まで冷却するサイクルを１０
回繰り返した。この熱サイクル試験は、使用温度での耐
久性を評価するため行った。この熱サイクル試験の後、
再び、気密試験を行って、アルゴン漏洩量を測定した。
また、６００℃で１００時間、保持する耐久試験を行
い、その後に、気密試験を行って、アルゴン漏洩量を測
定した。これらの結果を表１に示した。これらの気密試
験、ガス分離試験及び熱サイクル試験の試験結果を表１
に示す。
支持体を、容器に固定して、水素ガス分離装置を作成し
た。次いで、非処理ガス側にアルゴンガスで８Ｋｇ／ｃ
ｍ2 導入し、透過ガス側に漏れるアルゴンガスの流量を
測定した。また、非処理ガス側にアルゴンガスで８Ｋｇ
／ｃｍ2 導入した状態でガス分離体を室温から６００℃
まで加熱し、次いで、室温まで冷却するサイクルを１０
回繰り返した。この熱サイクル試験は、使用温度での耐
久性を評価するため行った。この熱サイクル試験の後、
再び、気密試験を行って、アルゴン漏洩量を測定した。
また、６００℃で１００時間、保持する耐久試験を行
い、その後に、気密試験を行って、アルゴン漏洩量を測
定した。これらの結果を表１に示した。これらの気密試
験、ガス分離試験及び熱サイクル試験の試験結果を表１
に示す。
【００３３】（実施例２〜１４）実施例１と同一のガス
分離体を作成した。従って、同一のアルミナ管を用い、
同一の条件でパラジウム合金膜を形成した。このガス分
離体を実施例１と同一の支持体２１及び２２で接合し
た。このとき、接合に用いるガラス及び接合温度は、表
１及び表２に示すものである。接合は、Ａｒ雰囲気中で
３０分行い、降温時の歪みの発生を防ぐため、５０℃／
ｈ以下で室温に冷却した。
分離体を作成した。従って、同一のアルミナ管を用い、
同一の条件でパラジウム合金膜を形成した。このガス分
離体を実施例１と同一の支持体２１及び２２で接合し
た。このとき、接合に用いるガラス及び接合温度は、表
１及び表２に示すものである。接合は、Ａｒ雰囲気中で
３０分行い、降温時の歪みの発生を防ぐため、５０℃／
ｈ以下で室温に冷却した。
【００３４】 接合したガス分離体について気密試験を
実施した。気密試験は、実施例１と同様である。また、
ガス分離体の横断面を切断し、パラジウム合金膜とガラ
スとの接触角の測定を行った。また、実施例１と同様
に、熱サイクル試験及び耐久試験を行い、次いで、気密
試験を行った。これらの結果を表１に示した。
実施した。気密試験は、実施例１と同様である。また、
ガス分離体の横断面を切断し、パラジウム合金膜とガラ
スとの接触角の測定を行った。また、実施例１と同様
に、熱サイクル試験及び耐久試験を行い、次いで、気密
試験を行った。これらの結果を表１に示した。
【００３５】（実施例１５〜２１）図１において、支持
体２１、２２にコバールを用いた水素ガス分離装置を作
製し、各種の熱膨張係数およびコバールに対する濡れ性
を有するガラスに対する気密試験を行った。また、Ｐｄ
―Ａｇ膜厚と気密性との関係についても検討を行った。
気密試験の方法は、実施例１〜１４と同様である。尚、
コバール表面の酸化条件は１０００℃×５分とし、ガラ
スによる接合は、Ａｒ雰囲気中で１０７０℃×２０分保
持した後、降温時の歪みの発生を防ぐため、５０℃／ｈ
以下の速度で室温まで冷却して行った。上記の試験の結
果、接合に用いるガラスの熱膨張係数は、５．０〜８．
０×１０-6／℃であることが好ましく、コバールに対す
る濡れ性は９０℃未満であることが好ましいことがわか
った。また、Ｐｄ―Ａｇ膜厚は２〜５０μｍであること
が好ましいことがわかった。これらの試験の結果を表３
に示す。
体２１、２２にコバールを用いた水素ガス分離装置を作
製し、各種の熱膨張係数およびコバールに対する濡れ性
を有するガラスに対する気密試験を行った。また、Ｐｄ
―Ａｇ膜厚と気密性との関係についても検討を行った。
気密試験の方法は、実施例１〜１４と同様である。尚、
コバール表面の酸化条件は１０００℃×５分とし、ガラ
スによる接合は、Ａｒ雰囲気中で１０７０℃×２０分保
持した後、降温時の歪みの発生を防ぐため、５０℃／ｈ
以下の速度で室温まで冷却して行った。上記の試験の結
果、接合に用いるガラスの熱膨張係数は、５．０〜８．
０×１０-6／℃であることが好ましく、コバールに対す
る濡れ性は９０℃未満であることが好ましいことがわか
った。また、Ｐｄ―Ａｇ膜厚は２〜５０μｍであること
が好ましいことがわかった。これらの試験の結果を表３
に示す。
【００３６】
【表３】
【００３７】（実施例２２〜２５）前記した方法にて調
製した水素ガス分離体と各種の酸化条件の元で酸化した
コバール製の支持体をガラスにて接合し、図３に示す水
素ガス分離装置を作成した後、実施例１５〜２１と同様
に、各種の気密試験を行った。尚、Ｐｄ―Ａｇ膜厚は２
０μｍとし、ガラスは熱膨張係数６．７×１０-6／℃、
ガラス軟化点８５０℃のものを用いた。ガラスによる接
合は実施例１５〜２１と同様の条件で行った。上記の試
験により、酸化増量が小さすぎるとガラスとの密着性が
悪くなり、酸化増量が大きすぎると膜中の気密性が悪く
なるため、共にＡｒガス漏洩量が多くなることがわかっ
た。これらの試験の結果を表４に示す。
製した水素ガス分離体と各種の酸化条件の元で酸化した
コバール製の支持体をガラスにて接合し、図３に示す水
素ガス分離装置を作成した後、実施例１５〜２１と同様
に、各種の気密試験を行った。尚、Ｐｄ―Ａｇ膜厚は２
０μｍとし、ガラスは熱膨張係数６．７×１０-6／℃、
ガラス軟化点８５０℃のものを用いた。ガラスによる接
合は実施例１５〜２１と同様の条件で行った。上記の試
験により、酸化増量が小さすぎるとガラスとの密着性が
悪くなり、酸化増量が大きすぎると膜中の気密性が悪く
なるため、共にＡｒガス漏洩量が多くなることがわかっ
た。これらの試験の結果を表４に示す。
【００３８】
【表４】
【００３９】
【発明の効果】 本発明のガス分離体と金属との接合
体、及び水素ガス分離装置は、水素ガスを分離する高
温、高圧下において、接合部でのガス漏洩が防止でき、
耐久性に優れる。
体、及び水素ガス分離装置は、水素ガスを分離する高
温、高圧下において、接合部でのガス漏洩が防止でき、
耐久性に優れる。
【図１】 本発明の水素ガス分離装置の内部において、
ガス分離体及び支持体の接合部の断面説明図である。
ガス分離体及び支持体の接合部の断面説明図である。
【図２】 図１の一部の拡大図である。
【図３】 水素ガス分離装置の一実施例の断面説明図で
ある。
ある。
１０・・・ガス分離体、１０ａ・・・一方の端部、１０ｂ・・・
他方の端部、１１・・・支持体、１１ｓ・・・外側面表面、１
２・・・ガス分離膜、１２ｓ・・・表面、１５・・・ガラス、１
５ｓ・・・ガラス表面、１６・・・ガラス、２１・・・支持体、
２２・・・支持体、２２ａ・・・窪み、４０・・・高圧容器、４
１・・・水素ガス分離体 ４２，４３・・・フランジ、４２ａ
・・・貫通孔、４３ａ・・・孔、４８，４９・・・フランジ、５
０・・・第１パイプ、５１・・・第２パイプ、５２・・・第３パ
イプ、
他方の端部、１１・・・支持体、１１ｓ・・・外側面表面、１
２・・・ガス分離膜、１２ｓ・・・表面、１５・・・ガラス、１
５ｓ・・・ガラス表面、１６・・・ガラス、２１・・・支持体、
２２・・・支持体、２２ａ・・・窪み、４０・・・高圧容器、４
１・・・水素ガス分離体 ４２，４３・・・フランジ、４２ａ
・・・貫通孔、４３ａ・・・孔、４８，４９・・・フランジ、５
０・・・第１パイプ、５１・・・第２パイプ、５２・・・第３パ
イプ、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 知之 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日本碍子株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−191802（ＪＰ，Ａ) 欧州特許出願公開559623（ＥＰ，Ａ ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B01D 53/22 B01D 71/02 500 C01B 3/50
Claims (13)
- 【請求項１】ガス分離体と、該ガス分離体との接合に関
与する表面が酸化された金属部材との接合体であって、
該ガス分離体はセラミックスから構成される基体と、該
基体に被覆するガス分離膜とを有し、該基体はガス分子
が侵入できるように多孔性であって、該ガス分離膜と該
金属部材とが熱膨張係数５．０〜８．０×１０-6／℃の
ガラスにて接合され、かつ、該ガラスと該金属部材との
接触角が９０゜未満であることを特徴とするガス分離体
と金属部材との接合体。 - 【請求項２】当該ガス分離膜がパラジウムを含有する金
属から構成される請求項１記載の接合体。 - 【請求項３】ガス分離体と当該ガス分離体を支持する支
持体とを内部に有する水素ガス分離装置であって、 当該ガス分離体は、セラミックスから構成される基体
と、当該基体に被覆するガス分離膜とを有し、当該基体
はガス分子が侵入できるように多孔性であって、当該ガ
ス分離膜は水素ガスを選択的に透過させ、 当該ガス分離体は、当該支持体にガラスで接合すること
を特徴とする水素ガス分離装置。 - 【請求項４】当該ガス分離体の少なくとも当該ガス分離
膜が、当該ガラスに接触していて、これにより、当該ガ
ス分離体と当該支持体が接合することを特徴とする請求
項３に記載の水素ガス分離装置。 - 【請求項５】当該支持体が金属から成り、当該ガス分離
体が、熱膨張係数が５．０〜８．０×１０-6／℃で、該
金属製支持体との接触角が０〜９０゜であるガラスを介
して、当該ガラスと接触する表面が酸化された当該金属
製支持体に接合されていることを特徴とする請求項３記
載の水素ガス分離装置。 - 【請求項６】当該ガス分離膜がパラジウムを含有する金
属から構成され、当該ガラスと当該金属との接触角が０
〜９０゜であることを特徴とする請求項３、４、５のい
ずれかに記載の水素ガス分離装置。 - 【請求項７】当該支持体が、当該基体を構成する当該セ
ラミックスから構成されることを特徴とする請求項３、
４、６のいずれかに記載の水素ガス分離装置。 - 【請求項８】当該ガラスの熱膨張係数が、当該基体の熱
膨張係数及び当該支持体の熱膨張係数の５０〜１００％
であることを特徴とする請求項４〜７のいずれかに記載
の水素ガス分離装置。 - 【請求項９】当該ガラスの熱膨張係数が、当該基体の熱
膨張係数及び当該支持体の熱膨張係数の６０〜９０％で
あることを特徴とする請求項８に記載の水素ガス分離装
置。 - 【請求項１０】ガス分離体と、当該ガス分離体を支持す
る支持体とを有する水素ガス分離装置の製造方法であっ
て、 当該ガス分離体は、セラミックスからなる基体と、当該
基体に被覆するガス分離膜とを有し、当該基体は、ガス
分子が侵入できるように多孔性であって、当該ガス分離
膜は水素ガスを選択的に透過させ、 当該ガス分離体と、当該支持体とを、ガラスで接合する
ことを特徴とする水素ガス分離装置の製造方法。 - 【請求項１１】当該ガス分離体の少なくとも当該ガス分
離膜が、当該ガラスに接触していて、これにより、当該
ガス分離体と当該支持体が接合することを特徴とする請
求項１０に記載の水素ガス分離装置の製造方法。 - 【請求項１２】当該ガラスの熱膨張係数が、当該基体の
熱膨張係数及び当該支持体の熱膨張係数の５０〜１００
％であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の
水素ガス分離装置の製造方法。 - 【請求項１３】 当該支持体が金属から成り、当該ガス
分離体が、熱膨張係数が５．０〜８．０×１０-6／℃
で、該金属製支持体との接触角が０〜９０゜であるガラ
スを介して、当該ガラスと接触する表面が酸化された当
該金属製支持体に接合されていることを特徴とする請求
項１０、１１、１２のいずれかに記載の水素ガス分離装
置の製造方法。
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