JPS62273030A - 水素分離用媒体の製造法 - Google Patents

水素分離用媒体の製造法

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JPS62273030A
JPS62273030A JP11357686A JP11357686A JPS62273030A JP S62273030 A JPS62273030 A JP S62273030A JP 11357686 A JP11357686 A JP 11357686A JP 11357686 A JP11357686 A JP 11357686A JP S62273030 A JPS62273030 A JP S62273030A
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JP
Japan
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hydrogen
film
porous body
phase
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JP11357686A
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Hidekazu Kikuchi
英一 菊地
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Ise Kagaku Kogyo KK
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Ise Kagaku Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は水素分離用媒体の製造法に関するものである。
(従来の技術) 省エネルギー型分離技術として、近年膜による気体の分
離法が注目を集めている。
水素含有気体から水素を分離し、99.99%以上の高
純度の水素を得る方法としてPdを主体とする膜(Pd
膜と呼ぶ)を使用する方法(Pd模膜法呼ぶ)か知られ
ている。従来Pd[はPd又はPdを主体とする合金を
伸延し、薄膜とすることによって製造され、この膜は支
持枠で支持して使用された。
伸延法によって得られる膜の厚みの下限には限度があり
、又この膜は支持枠で支持して使用されるため、このよ
うな支持方法に耐えるだけの機械的強度を附与する必要
があり、あまり薄い膜を使用すると使用中膜が破損し易
い。
このためPd[とじては60〜100JL8度の比較的
厚いものを使用せざるを得す、高価なPdの使用量が増
大し、又水素の透過速度が比較的小さい欠点があった。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は従来技術が有していた前述の問題点を解消する
ことを目的とするものである。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明は前述の問題点を解決すべくなされたものであり
、多数の小孔を有する耐熱性多孔質体の表面にPdを主
体とする膜を化学メッキ法によって形成させることを特
徴とする水素分離用媒体の製造法差に5i0245〜7
0wt%、 BtO,8〜30wし%、 CaO3〜2
5wt%、  hl、ox  5〜 l  5wt%、
 Na2O3〜8%、K、01〜5%、 Ha、0 +
に、04〜13wt%、MgO0〜8wt%なる組成を
有する硝子又はSiO□45〜70Wし%、Blot 
8〜30wt%、 (:a08〜25wt%、  Ai
zo:+s へ 15wt%なる組成を有する硝子を熱
処理してB2O3、CaOを主体とする相を分相せしめ
、この相を溶解除去し、次いてこの表面にPdを主体と
する膜を形成させることを特徴とする水素分離用媒体の
製造法を提供するものである。
一般に化学メッキ法、気相法其他の方法により薄膜を形
成させる場合、薄膜は基体上に形成させるのが常識であ
る。この常識に反し1本発明者の研究によれば、以下述
べる化学メッキ法によって形成される薄膜は、多孔質体
の小孔を覆って、即ち基体の存在しない部分にも形成さ
れるという驚くべき事実が見出された。
小孔の周囲に先づPdが被着し、化学メッキの進行につ
れPdが成長して小孔全体を覆う膜か形成されるものと
も考えられるが、そのメカニズムは定かでない。
次に本発明を更に具体的に説明する。
本発明において、多孔質体としては、300℃以上、望
ましくは400℃以上の温度に耐える耐熱性を有し、処
理すべき気体と反応性を有せず、且つ20〜30,0O
OA望ましくは40〜5,000 Aの均一な小孔を有
する多孔質体を使用するのが適当である。
多孔質体としてはAn 20ユ等のセラミックス微粒の
焼結体、多孔質硝子が例示されるが、多孔質硝子を使用
するのが好ましい。
多孔質硝子としてはバイコール硝子、或はSin、 4
5〜70wt、%、atO38〜30 wt%。
CaO3〜25wt%、   AJL  zOx  5
 へ 1 5 wt%、Nazo 3〜8%、K、01
〜5%、Na2O+に、04〜13wt%、Mg00〜
8wt%なる組成を有する硝子(以下硝子Aという)又
は5i0245〜70wt%、  B20. 8〜3 
0 wt%、 CaO3〜25wt%、A文2035〜
15%なる組成を有する硝子(以下硝子Bという)を熱
処理してR2O,、CaOを主体とする相を分相せしめ
、この相を溶解除去することによって得られる多孔質硝
子(以下、多孔質硝子A又はBと呼ぶ)が適当であり、
多孔質硝子Aを使用することによって特に好適な結果を
うることができる。
゛上述した多孔質体としては1〜0.2 amの厚みを
有する円筒状、又は板状のものを使用するのが適当であ
り、このような多孔質体は所定形状に成型した原料硝子
に分相処理、溶解熟理を施こすことによって得ることが
できる。
本発明において多孔質硝子A又はBを得るためには、上
述した組成を有する硝子A又はBを使用する。これらの
成分のうち5in2は分相、除去工程によって得られる
多孔硝子の骨格を形成するための基幹成分であり、 A
i 20.は補助成分として得られた多孔硝子の脆さを
減少させる作用を有する。8203は一方において多孔
硝子の骨格を形成する補助成分として機能するが、他方
CaOと協同して、熱処理によって微少な分相を生成す
る作用を宥する。そしてこのようにして生成したCaO
1B*Ozを主成分とする分相を溶解除去することによ
って多孔質硝子が形成される。
B2O3は上述の説明からも首肯しつるように小孔の大
きさを決定する重要な因子であり、分相中に移行して除
去されるB2O3量、或は逆に多孔硝子中に残存するB
20* %は、小孔の径の均一性と密接な関係を有する
ことか判明した。
上記成分を前述の範囲内に保つことにより好適な多孔質
体をうることができる。
硝子A、Bを所定形状に成型した後熱処理してCab、
  B20.を主体とする相(以下CaO1820ユ相
という)を分相せしめる。加熱処理温度が高い程、又熱
処理時間が長い程CaQ、B2O3相は大きくなり、従
って得られる多孔硝子の小孔の径は大きくなる傾向を有
し、熱処理条件を選択することによって小孔の径を50
〜50,0OOAの範囲の所望の値とすることができる
。このようにして得られた多孔質硝子は、小孔の径は均
一であり、本発明の目的を達成するのに極めて好適なも
のである。
加熱処理を行った硝子をHCJL、H2SO,、HNO
□等の酸中に浸漬してCaQ、 B2O3相を溶解除去
する。なお酸処理を行なうに先立ち、)IF溶液で短時
間その表面をエツチング処理するのが望ましい。
前述したように熱処理の条件によって、得られる多孔硝
子の小孔の径を制御することができるか、小孔の径は多
孔質硝子中に残存するB、Oユの量に応じて変化するこ
と及びこのB20.の量は熱処理、酸処理の条件によっ
て左右されることが判明した。そしてB2O3が望まし
く 0.5 wt%以上残存するようこれらの条件を定
めることにより特に好適な結果の得られることが判明し
た。
望ましい処理条件は次の通りである。
加熱温度 600〜850℃ 加熱時間 2〜48h「、望ましくは12〜24hr酸
の種類 HCJL、H2SO,、HNO。
酸の濃度 0.01S2.ON、望ましくは0.1〜1
、ON’ 処理時間 2〜20h「、望ましくは4〜16hr温 
 度 50〜95℃、望ましくは80〜90℃上述した
多孔質体に化学メッキ法によりPd膜を形成させる。
化学メッキを施こす前に多孔質体の表面に付着する汚れ
を除去するため洗浄を行なうのが望ましい。好適な汚れ
除去法としては、トリクロロエチレンを用いた超音波洗
浄法が例示できる。トリクロロエチレンによる洗浄後エ
タノーノし等の低級アルコールによる洗浄を行ない多孔
質体に残存するトリクロロエチレンをアルコールて置換
し、次いで乾燥するのが適当である。
その後化学メッキに先立ち、多孔質体の活性化を行ない
、多孔質体に活性化されたPdを被着するのが適当であ
る。
活性化は例えば、  5nCfLt溶液及びPdCJL
t溶液による浸漬処理を交互に行なうことによって好適
な結果をうることかできる。好ましい処理液の組成とし
て5nCfL2−2HtOl gel + 37%IC
文1m文/見 、  PdC120,1g / l +
 37%IC1O,1ml / lを例示することがで
きる。なお、これらの溶液による処理を交互に行なう際
、一方の溶液の処理路後、純水による充分な洗浄を行な
うのが適当である。
次いで多孔質体を以下示すようなメッキ液に浸漬するこ
とにより、前述の処理によって形成された活性化Pd上
にPdを析出させ、多孔質体の表面側開口部を覆ってP
d膜を生成せしめることができる。この際マスキング等
によって多孔質体の必要な部分のみにPd膜を形成させ
るのが適当である。
例えば円筒状の多孔質体の外表面にPd膜を形成させる
場合、円筒の両端面を閉塞することにより外面のみにP
d膜を形成させることがてきる。或は又(Pd(NH*
>41 C12・H2Oを主体とするメッキ液を用いる
場合、アルコール、水のような液体を滲み込ませておく
ことにより、小孔内部にはPd膜を形成させることなく
、多孔質体表面のみにPd膜を形成させることができる
上記手段のうち低級アルコールを用いることは本発明の
目的を達成するのに特に有効である。
[Pd(N11.)41 C見2が低級アルコールに溶
解性を有しないためと思われる。
化学メッキによってP、1gを形成させるために好適に
用いられるメッキ液として次の組成を示す溶液が例示さ
れる。
[Pd(NH3)4] CJL * ・H2O5,4%
2 Ha−EDTA        67.2g / 
lNH4011コ50  gr/立 H,NNH,・11□Q        O,46ta
n1文形成させるPd膜の厚みが小さい程水素の透過速
度が大となり、且つ高価なPd使用量を減少することが
できるが、あまりこの厚みを小とするとPdMにピンホ
ールが生じ水素以外の気体がリークし易くなる。この傾
向は、小孔開口部の径が大きくなる程増大する。
Pd膜の厚さを小孔毎に定めることはできずPdMの最
小の厚さは小孔の最大径によって定められる。小孔の径
にバラツキがあり、大きい径の小孔が僅かな数でも存在
するとH2以外の気体のリークを完全に防止するために
は、PdMの厚さをこの大きい小孔径に応じて大きくす
る必要が生じ、他の大部分の小孔は、不必要に厚いPd
膜で覆われることとなる。
多孔硝子A、Bは小孔の径が均一でバラツキが少なく、
従って不必要に厚いPd膜を使用する必要がなく、しか
もこの多孔硝子を使用することにより極めて好適な性質
を有する水素分離媒体の得られることが判明した。
好適なPd膜の厚さは小孔の径が3,000 Aの場合
0.001mm程度である。
メッキ所要時間はPdvの厚みが大となる程大きくする
必要があるが、厚み0−001mmの場合L’7hr程
度である。
上述の水素用分離媒体の一方の側に水素を含む混合ガス
を供給すると、媒体は水素のみ透過させ、媒体の他方の
側から純粋な水素が流出する。
水素の透過速度は媒体の両側の水素の圧力(混合気体の
場合水素の分圧)の差に比例し、圧力差が零のときは、
水素は流出しない。
又、透過速度は温度が高い程大であり、温度上昇に伴な
いほぼ直線的に増加する。
例えば円筒状の媒体を使用し、第1図に示すように媒体
1の外側に下方から混合ガスを連続的に供給し外側上方
からブリードガスを排出することにより、媒体の内側か
ら純粋な水素を連続的に取出すことができる。
水素の透過速度は極めて大きく、s o o ’c、圧
力差2kg/cゴの場合26 cmJ/crrf ・w
in程度であり、この値は従来のPdM法の5〜7倍に
達する。
ブリートガスは水素分圧が内側の水素の圧力と等しい状
態で取出される。従フて取出すべき、内側の水素圧力を
制御することによりブリードガスの組成、水素の分取率
を制御することが可能となる。
なおPdとAgの合金のようなPdを主体とする膜を使
用することにより、低温における水性脆性を改善するこ
ともできる。
(作 用) 多孔質体の表面開口部を覆ってPdMが形成され、多孔
質体がPd膜の支持体として利用される結果Pd18I
の厚みが小であるに拘らず、長時間安定に使用てきる。
[実施例1] Sin、 49 wt%、  B20x 18wt%、
 CaO13wt%、  AizQ39wt%、  N
a2O5wt%、Kz02wt%、 Mg04w1.%
なる組成を有する硝子製の厚み0.5■、内径10mm
、長さ500mmの円筒体を710℃に20hr加熱し
てCaO、B20:lを主体とする相を分相せしめ、2
%HF溶液で3011inエツチングし、次いで80℃
のIC文IN溶液中に16hr浸情してCaO、BzO
+を主体とする相を溶解除去して小孔径:l、100 
Aの多孔質体を得た。
ついで、トリクロロエチレンとエタノールによる超音波
洗浄を行なった。トリクロロエチレンによる洗浄は、主
に脱脂及びごみやガラスに残留している粉の除去を目的
として30分間行なった。
エタノールによる洗浄は脱脂効果もあるが、主に水にほ
とんど不溶のトリクロロエチレンとの置換を目的として
同様に30分間行なった。以上の洗浄工程ののちに、真
空乾燥を約4〜5時間行った。この時間は多孔質ガラス
にエタノールの臭いがほとんどしなくなる程度の時間で
ある。以上の工程の後に次の表面活性化処理をおこなっ
た。
基板表面の活性化は二液型でおこなった。すなわちC3
nCIN  −2H,01g/l+37%HCl1 f
f11/i)およびPdC1z活性化処理(PdC文2
0.1g/交+37%HCiQ、’L  ysl / 
i)である。表面のパラジウム核をできるだけ密にする
ために、各浸漬時間を1分として、交互に10回おこな
った。(各溶液から引きあげた後におのおの充分な純水
による洗浄をおこなった。)なお、これらの処理は外面
のみにメッキを施す目的のため、上下をメッキ用テープ
(スコッチ社製)で目かくしをして管内部に液がはいり
こまないように工夫した。
表面活性化を行なった多孔質ガラスは、上下の目かくし
をしたテープをはつかえエタノール中に浸漬し、純水で
洗浄したvk1文中に[Pd(NH:+)4コC’JI
Lz・B20 を5.4 gr、2 NaEDTAを6
7.2g、NH4OHを350 gr、 HJ NHt
 ” HzOを0.4  yAl含有する50℃のメッ
キ液に17hr浸漬した。
なお、このメッキ液はメッキ速度をなるべく一定とする
ため1時間に1回交換した。所定の時間メッキをおこな
った多孔質ガラスは、上下の目かくしをした部分を切断
し、切口をととのえて長さ25.4cmとした。その後
純水、及びエタノールで超音波洗浄後真空乾燥し水素分
離用媒体を得た。
この水素分離用媒体1を0リング2で、ステンレス鋼製
外管3に固定し第1図に示す試験装置とした。なお、加
熱は試験装置外側を雲母で絶縁し、その上にニクロム線
を巻き、さらに力オールで保温しておこなった。実験温
度は内管の中心部(上下のOリングから12cmのとこ
ろ)て測定した。
供給孔4からH2/N2 = 1 (モル)の混合ガス
を連続的に供給し、排出孔5からブリードガスを排出し
、下部の取出孔6から純粋な99.99%以上のl k
g/crrfの圧力を有する水素を得ることができた。
なお7はパージ用の純水素の供給孔、8はサーモカップ
ルである。
第2図は混合ガスの圧力(kg/cm’)  (水素分
圧はこの局である)を横軸とし水素透過速度(ml /
l1in)を縦軸とした水素透過速度と圧力の関係を示
すグラフ、第3図はガスの組成(水素モル分率)を縦軸
とし、混合ガスの圧力を横軸としたガス組成と圧力の関
係を示すグラフで、直線aは得られた水素ガス、曲mb
はブリードガスの組成を示す。
混合ガスの圧力か大となる程ブリートガス中の水素のモ
ル分率は小即ち水素の分取率は大となり、又水素の透過
速度は大となることか判明する。なお得られた水素は常
に99.99%以上であった。
尚Pd膜の厚みはほぼ0.OQl am程度であった。
(実施例2) Sin□50 wt%、  B20.20wt%、 C
a014wt%、   AM 20. 10wt%、 
  Na2O4wt%、 に、01wt%、 MgO1
wt%なる組成を有する硝子を使用し実施例1と同様な
実験を行ない純度99.99%以上の水素ガスを得るこ
とができζ実施例2においては分相を行なわせるための
加熱温度を720°C1加熱時間を20hr、メッキ時
間を25hrとした以外は実施例1と同様である。
第4図は水素圧力差5 kg/cm″温度400°C1
において混合ガスが含む水素ガスの供給M(mu/wi
n)を縦軸とし、得られた水素ガスの量(mu/5in
)を縦軸としたグラフである。両者は比例関係にあり、
水素透過速度が混合ガス中のH2分圧に依存することが
判明する。
尚Pd[の厚みはほぼ0.001 au+程度てあった
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明水素分離媒体の使用方法を示す説明図、
第2図は混合ガスの圧力と水素透過速度の関係を示すグ
ラフ、第3図は混合ガスの圧力とガスの組成の関係を示
すグラフ、第4図はガスの供給量と、水素ガスの取得量
の関係を示すグラフである。 なお図中1は水素分離用媒体、4は供給孔、5は排出孔
、6は取出孔を示す。 第2図 (Kg/cm2) 第3図 どa (K91CTFL2) 第4図 (気f1/−W、L)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)多数の小孔を有する耐熱性多孔質体の表面にPd
    を主体とする膜を化学メッキ法によって形成させること
    を特徴とする水素分離用媒体の製造法。
  2. (2)SiO_245〜70wt%、B_2O_38〜
    30wt%、CaO8〜25wt%、Al_2O_35
    〜15wt%、Na_2O3〜8%、K_2O1〜5%
    、Na_2O+K_2O4〜13wt%、MgO0〜8
    wt%なる組成を有する硝子又はSiO_245〜70
    wt%、B_2O_38〜30wt%、CaO8〜25
    wt%、Al_2O_35〜15wt%なる組成を有す
    る硝子を熱処理してB_2O_3、CaOを主体とする
    相を分相せしめ、この相を溶解除去し、次いでこの表面
    にPdを主体とする膜を化学メッキ法によって形成させ
    ることを特徴とする水素分離用媒体の製造法。
JP11357686A 1986-05-20 1986-05-20 水素分離用媒体の製造法 Pending JPS62273030A (ja)

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